KR20100096023A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method

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KR20100096023A
KR20100096023A KR1020100015604A KR20100015604A KR20100096023A KR 20100096023 A KR20100096023 A KR 20100096023A KR 1020100015604 A KR1020100015604 A KR 1020100015604A KR 20100015604 A KR20100015604 A KR 20100015604A KR 20100096023 A KR20100096023 A KR 20100096023A
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아쯔시 나가따
데쯔야 사다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: An apparatus and a method for treating a substrate are provided to prevent the generation of development stains by efficiently performing an operation of collecting a first treatment liquid and substituting the first treatment liquid with a second treatment liquid. CONSTITUTION: An apparatus for treating a substrate comprises: a substrate returning channel(2) for returning a treated substrate(G); a first treatment liquid supply unit for supplying the first treatment liquid to the treated substrate; a gas supply unit(21) for spraying gas steam to the vertical direction or the returning direction of the substrate; a first rinse liquid supply unit(22) for supplying a second treatment liquid to the returned substrate; and a second rinse liquid supply unit(23) for supplying the second treatment liquid to the substrate at a high speed.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 피처리 기판 상에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 기술에 관한 것으로, 특히 기판을 평류 방식으로 수평 방향으로 반송하면서 액처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing technique for supplying a processing liquid onto a substrate to be treated and performing a predetermined treatment. More particularly, the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing liquid processing while conveying a substrate in a horizontal direction in a horizontal flow manner. .

최근, LCD(액정 표시 디스플레이) 제조에 있어서의 레지스트 도포 현상 처리 시스템에서는 LCD용 기판(예를 들어, 글래스 기판)의 대형화에 유리하게 대응할 수 있는 현상 방식으로서, 롤러를 수평 방향으로 부설한 반송로 상에서 기판을 반송하면서 현상, 린스, 건조 등의 일련의 현상 처리 공정을 행하도록 한, 소위 평류 방식이 보급되고 있다. 이와 같은 평류 방식은 기판을 회전 운동시키는 스피너 방식에 비해 대형 기판의 취급이 간단해, 미스트의 발생 내지 기판으로의 재부착이 적은 것 등의 이점이 있다.In recent years, in a resist coating and developing system in LCD (liquid crystal display display) manufacturing, a conveying path in which a roller is placed in a horizontal direction as a developing method that can advantageously cope with an enlargement of an LCD substrate (for example, a glass substrate). The so-called flat flow system which has carried out a series of image development processing processes, such as image development, rinse, and drying, is conveyed while conveying a board | substrate on. Such a flat flow method is easier to handle a large substrate than the spinner method for rotating the substrate, and has advantages such as less generation of mist and less reattachment to the substrate.

그러나, 상기 평류 방식에 의한 현상 처리 공정에 있어서는, 기판 상의 현상액을 린스액[일반적으로 순수(純水)]으로 치환할 때, 현상액을 제거한 후 린스액이 공급될 때까지의 시간이 지나치게 길면, 기판 표면 내에 있어서의 외관상의 차이(현상 얼룩이라고 칭함)가 발생한다고 하는 과제가 있었다.However, in the developing treatment process by the above-mentioned flat flow method, when the developer on the substrate is replaced with a rinse liquid (generally pure water), if the time until the rinse liquid is supplied after removing the developer is too long, There was a problem that a difference in appearance (called development unevenness) in the substrate surface occurs.

이와 같은 과제에 대해, 본원 출원인은 기판을 평류 반송하면서 현상 처리를 실시하여, 린스 처리를 행하는 린스부에 있어서 반송 롤러를 산 모양으로 경사 배치한 현상 유닛을 특허 문헌 1에 개시하였다.For this problem, the applicant of the present application discloses a developing unit in which a conveyance roller is inclined in a mountain shape in a rinsing portion which performs a developing process while carrying a flat stream conveyance of the substrate, and performs a rinsing treatment in Patent Document 1.

도 6에, 특허 문헌 1에 개시된 현상 유닛에 있어서의 린스부(200)의 구성을 도시한다. 또한, 도 6의 (a)는 린스부(200)의 평면도, 도 6의 (b)는 그 측면도이다.6, the structure of the rinse part 200 in the developing unit disclosed by patent document 1 is shown. 6A is a plan view of the rinse portion 200, and FIG. 6B is a side view thereof.

도시하는 린스부(200)의 구성에 있어서, 복수의 반송 롤러(201)가 부설된 산 모양의 반송로(202)가 설치되어 있다. 전단 처리에 있어서 현상액(D)이 적층된 기판(G)이 평평한 반송로(202)의 구간(M1)으로부터 점차 오르막 경사면으로 되는 구간(M2)으로 반송되면, 기판(G) 상의 현상액(D)은 후방(반송 방향 상류)으로 흘러내린다. 기판(G)이 산 모양의 반송로(202)를 내려가는 구간(M3)으로 들어가면, 상방에 배치된 기판 폭 방향으로 연장되는 린스액 공급 노즐(203)로부터 순수 등의 린스액(S)이 기판(G) 상에 공급된다. 이에 의해, 기판(G)이 구간(M3, M4)을 통과하는 동안에 현상액(D)이 린스액(S)으로 치환된다.In the structure of the rinse part 200 shown in the figure, the mountain conveyance path 202 in which the some conveyance roller 201 was provided is provided. In the shearing treatment, when the substrate G on which the developing solution D is laminated is conveyed from the section M1 of the flat conveying path 202 to the section M2 gradually becoming an uphill slope, the developing solution D on the substrate G Flows backward (upstream in the conveying direction). When the board | substrate G enters into the area | region M3 which descends the mountain-shaped conveyance path 202, the rinse liquid S, such as pure water, is sent from the rinse liquid supply nozzle 203 extended in the board | substrate width direction arrange | positioned upwards. (G) is supplied. Thereby, the developing solution D is replaced by the rinse liquid S while the substrate G passes through the sections M3 and M4.

이와 같이 특허 문헌 1에 개시된 린스부(200)에 따르면, 반송 롤러(201)에 의해 산 모양으로 구성된 반송로(202)를 기판 반송하면서 기판 상의 현상액(D)을 흘려내려 회수하고, 그 후, 기판 상에 린스액(S)을 공급하여 현상액(D)을 린스액(S)으로 치환하게 된다.As described above, according to the rinse portion 200 disclosed in Patent Document 1, the developer D on the substrate is spilled and collected while conveying the substrate along the conveyance path 202 configured in the form of a mountain by the conveying roller 201, and thereafter, The rinse solution S is supplied onto the substrate to replace the developer D with the rinse solution S. FIG.

일본특허출원공개제2007-5695호공보Japanese Patent Application Publication No. 2007-5695

상기 린스부(200)에 있어서는, 기판 상의 현상액(D)을 효율적으로 흘려내려, 현상액(D)의 회수율을 향상시키기 위해, 산 모양의 반송로(202)의 단차(고저차)가 커지도록 반송 롤러(201)를 배치하고 있었다.In the said rinse part 200, in order to flow out the developing solution D on a board | substrate efficiently, and to improve the recovery rate of the developing solution D, a conveyance roller so that the level | step difference (high level difference) of the mountain-shaped conveyance path 202 may become large. 201 was deployed.

그러나, 그와 같이 산 모양의 반송로(202)의 단차를 크게 하면, 도 6의 (a)의 평면도에 도시한 바와 같이, 기판(G)의 융기부(Ga)의 약간 앞(상류측)에 있어서, 흘러내리는 현상액(D)에 줄무늬 형상의 부분(L)이 발생하고, 그것이 현상 얼룩의 원인이 된다고 하는 과제가 있었다.However, if the step difference of the mountain-shaped conveyance path 202 is enlarged in this way, as shown to the top view of FIG. 6 (a), it is slightly ahead (upstream side) of the ridge part Ga of the board | substrate G. WHEREIN: There existed a subject that the stripe-shaped part L generate | occur | produced in the developing solution D which flows down, and it becomes a cause of image development unevenness.

또한, 도 6에 도시하는 구성의 린스부(200)에 있어서는, 린스액(S)이 반송로의 상류측[구간(M1, M2)측]으로 흐르지 않도록, 린스 노즐(203)을 기판(G)의 융기부(Ga)로부터 하류측으로 어느 정도 이격하여 배치할 필요가 있었다. 그로 인해, 기판 상에 있어서 액이 끊기는 영역의 기판 반송 방향의 거리(d)가 커져, 린스액(S)이 공급될 때까지의 시간을 필요로 하므로, 그것이 현상 얼룩으로 된다고 하는 우려가 있었다.Moreover, in the rinse part 200 of the structure shown in FIG. 6, the rinse nozzle 203 is moved to the board | substrate G so that the rinse liquid S may not flow to the upstream side (section M1, M2 side) of a conveyance path. It was necessary to arrange | position to some extent to the downstream side from the ridge Ga of (). Therefore, since the distance d in the board | substrate conveyance direction of the area | region where a liquid is cut | disconnected on the board | substrate becomes large, and it needs time until the rinse liquid S is supplied, there exists a possibility that it may become a developing unevenness.

또한, 기판 상의 현상액(D)을 린스액(S)으로 치환할 때의 얼룩의 발생을 억제하는 다른 해결 방법으로서, 도 7의 (a)의 평면도 및 도 7의 (b)의 측면도에 도시한 바와 같이, 린스부(200)에 있어서 반송로(202)를 수평으로 구성하여, 에어 나이프(204)에 의해 기판 상에 커튼 형상의 가스류를 분사하여 현상액(D)을 제거하는 방법이 생각된다.Moreover, as another solution for suppressing the occurrence of spots when the developing solution D on the substrate is replaced with the rinse solution S, the plan view of FIG. 7A and the side view of FIG. 7B are shown. As described above, it is conceivable to form the conveying path 202 horizontally in the rinse section 200 and to remove the developer D by injecting a curtain-like gas stream onto the substrate by the air knife 204. .

그러나, 그와 같은 구성의 경우, 에어 나이프(204)로부터 분출되는 에어는 반송로의 상류측을 향할 필요가 있으므로, 현상액(D)의 액면에 기복이 발생하여, 그 영향에 의해 기판(G)에 미소한 현상 얼룩이 발생한다고 하는 과제가 있었다.However, in such a configuration, since the air blown out from the air knife 204 needs to face the upstream side of the conveying path, undulation occurs in the liquid level of the developing solution D, and the substrate G is affected by the influence. There existed a problem that a microscopic image development | dye generate | occur | produced in the process.

또한, 에어 나이프(204)로부터 분출되는 에어에 의해 기판 상의 현상액(D)은 효율적으로 제거되지만, 도 6의 구성과 마찬가지로, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 기판 상에 있어서 액이 끊기는 영역의 기판 반송 방향의 거리(d)가 커져, 린스액(S)이 공급될 때까지의 시간을 필요로 하므로, 그것이 현상 얼룩으로 된다고 하는 과제가 있었다.In addition, although the developing solution D on the substrate is efficiently removed by the air blown out from the air knife 204, the liquid is cut off on the substrate as shown in FIG. Since the distance d of the area | region board | substrate conveyance direction becomes large, and it needs time until the rinse liquid S is supplied, there existed a subject that it became a developing unevenness.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 평류의 반송 라인 상에서 피처리 기판에 공급한 제1 처리액을 분별 회수하여 제2 처리액으로 치환하는 동작을 효율적으로 원활하게 행하여, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and it is possible to efficiently and smoothly perform the operation of fractionally recovering a first processing liquid supplied to a substrate to be processed on a flat stream conveying line and replacing it with a second processing liquid. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing occurrence of development unevenness.

상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 기판 처리 장치는 피처리 기판에 제1 처리액을 공급하여 소정의 액처리를 실시하고, 상기 제1 처리액을 회수하여 제2 처리액에 의해 세정하는 기판 처리 장치이며, 상기 피처리 기판을 평류 반송하는 기판 반송로와, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판에 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급 수단과, 상기 기판 반송로를 반송되어, 상기 제1 처리액이 공급된 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하는 기체 공급 수단과, 상기 기체 공급 수단에 의해 가스류가 분사되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 제1 린스액 공급 수단과, 상기 제2 처리액이 공급되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 상기 제1 린스액 공급 수단보다도 고유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 제2 린스액 공급 수단을 구비하는 것에 특징을 갖는다.In order to solve the said subject, the substrate processing apparatus which concerns on this invention supplies a 1st process liquid to a to-be-processed substrate, performs a predetermined | prescribed liquid process, collect | recovers the said 1st process liquid, and wash | cleans with a 2nd process liquid. A substrate processing apparatus comprising: a substrate conveying path for carrying out the flow of the substrate to be processed, first processing liquid supplying means for supplying a first processing liquid to the substrate to be conveyed, and the substrate conveying path And gas supply means for injecting a predetermined gas flow toward one of the vertical direction and the transport direction downstream side to the substrate surface of the substrate to which the first processing liquid is supplied, and the gas supply means. First rinse liquid supply means for supplying the second processing liquid at a predetermined flow rate to a substrate surface of the substrate to be processed by which a gas flow is injected to convey the substrate transport path, and the second processing And a second rinse liquid supplying means for supplying the second processing liquid at a higher flow rate than the first rinse liquid supplying means to the substrate surface of the substrate to be processed, to which the liquid is supplied and conveyed the substrate conveying path. It is characterized by.

이와 같은 구성에 따르면, 제1 처리액이 공급되어 평류 반송되는 기판에 대해, 상기 제1 처리액의 회수 시에 기체 공급 수단에 의해 소정의 가스류가 기판 반송 방향(하류측)을 향해 분사된다. 이에 의해, 기판으로부터 제거되는 제1 처리액의 전단부(상류측)가 늘려진다.According to such a structure, predetermined gas flow is injected toward a board | substrate conveyance direction (downstream side) by the gas supply means at the time of collection | recovery of the said 1st process liquid with respect to the board | substrate with which the 1st process liquid is supplied and flown flat. . Thereby, the front-end part (upstream side) of the 1st process liquid removed from a board | substrate increases.

그리고, 제1 처리액이 제거된 기판면에 대해 즉시 제1 린스액 공급 수단에 의해 소정의 유속[바람직하게는 공급 시의 임팩트(충격)가 작아지는 유속]으로 제2 처리액이 공급되고, 또한 제2 린스액 공급 수단으로부터, 보다 고유속으로 제2 처리액이 공급된다. 이에 의해, 기판 상의 제1 처리액이 제2 처리액으로 치환되는 동안의 액 끊김 영역이 미소한 것으로 되어, 제1 처리액을 즉시 제2 처리액으로 치환할 수 있다.Then, the second processing liquid is immediately supplied to the substrate surface from which the first processing liquid has been removed by the first rinse liquid supplying means at a predetermined flow rate (preferably a flow rate at which the impact (impact) at the time of supplying becomes small). Further, the second processing liquid is supplied from the second rinse liquid supplying means at a higher flow rate. Thereby, the liquid disconnection | region area | region during which the 1st process liquid on a board | substrate is substituted by a 2nd process liquid becomes minute, and can replace a 1st process liquid with a 2nd process liquid immediately.

그 결과, 종래와 같이 상기 제1 처리액으로서의 현상액이 흘러내려 얼룩 상에 남은 상태로 방치되는 시간이 거의 없어, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.As a result, there is almost no time left as it is to remain on the stain as the developer as the first treatment liquid flows down as before, and the development of the developer stain can be suppressed.

또한, 상기 가스류는 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사되므로, 제1 처리액에 기복이 생기지 않아, 미소한 현상 얼룩의 발생도 억제된다.Moreover, since the said gas stream is injected toward either downstream of a perpendicular direction or a conveyance direction, an ups and downs do not arise in a 1st process liquid, and generation | occurrence | production of a microscopic development unevenness is also suppressed.

또한, 상기 기판 반송로는 수평한 반송로를 형성하는 제1 반송 구간과, 상기 제1 반송 구간에 이어지는 오르막 경사의 반송로를 형성하는 제2 반송 구간과, 상기 제2 반송 구간에 이어지는 내리막 경사의 반송로를 형성하는 제3 반송 구간을 갖고, 상기 제1 처리액 공급 수단은 상기 제1 반송 구간에 설치되고, 상기 기체 공급 수단은 상기 제2 반송 구간에 설치되고, 상기 제1 린스액 공급 수단 및 제2 린스액 공급 수단은 상기 제2 반송 구간과 제3 반송 구간에 의해 반송로에 형성되는 융기부의 상방에 배치되는 것이 바람직하다.The substrate conveying path may further include a first conveying section forming a horizontal conveying path, a second conveying section forming a conveying path of an uphill slope following the first conveying section, and a downhill inclination subsequent to the second conveying section. And a third conveying section for forming a conveying path of the present invention, wherein the first processing liquid supply means is provided in the first conveying section, and the gas supply means is provided in the second conveying section, and the first rinse liquid supply is provided. It is preferable that a means and a 2nd rinse liquid supply means are arrange | positioned above the ridge part formed in a conveyance path by the said 2nd conveyance section and a 3rd conveyance section.

이와 같이 구성함으로써, 오르막 경사인 제2 반송 구간에 의해 기판 상으로부터 제1 처리액을 효율적으로 제거할 수 있고, 또한 제1 처리액으로부터 제2 처리액으로의 치환을 즉시 행할 수 있다.By such a configuration, the first processing liquid can be efficiently removed from the substrate by the second transfer section that is inclined uphill, and the replacement of the first processing liquid to the second processing liquid can be performed immediately.

또한, 상기 기체 공급 수단에 의해 상기 피처리 기판의 기판면에 분사되는 가스류는 기판 폭 방향으로 직선 형상으로 연장되는 커튼 형상의 가스류인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the gas flow injected by the said gas supply means to the board | substrate surface of a to-be-processed board | substrate is a curtain-shaped gas stream extended linearly in the board | substrate width direction.

이와 같이 가스류를 기판 폭 방향으로 직선 형상으로 연장되는 커튼 형상으로 함으로써, 기판으로부터 제거되는 제1 처리액의 선단부에 있어서의 기판 폭 방향의 편차 발생을 억제할 수 있다.Thus, by making a gas flow into the curtain shape extended linearly in the board | substrate width direction, generation | occurrence | production of the deviation of the board | substrate width direction in the front-end | tip part of the 1st process liquid removed from a board | substrate can be suppressed.

또한, 상기 제2 린스액 공급 수단은 상기 제2 처리액을 토출하는 린스 노즐을 갖고, 상기 린스 노즐은 상기 기판 반송로를 반송되는 피처리 기판의 기판면에 대해, 그 토출 방향이 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향한 상태로 배치되는 것이 바람직하다.Moreover, the said 2nd rinse liquid supply means has a rinse nozzle which discharges the said 2nd process liquid, The said rinse nozzle has the discharge direction with respect to the board | substrate surface of the to-be-processed board | substrate conveyed by the said board | substrate conveyance path, from a perpendicular direction or the like. It is preferable to arrange | position in the state which faced either one of conveyance directions downstream.

이와 같이 구성함으로써, 피처리 기판에 공급된 제2 처리액의 기판 상에서의 역류를 방지할 수 있다.By configuring in this way, backflow on the board | substrate of the 2nd process liquid supplied to the to-be-processed substrate can be prevented.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 기판 처리 방법은 피처리 기판에 제1 처리액을 공급하여 소정의 액처리를 실시하고, 상기 제1 처리액을 회수하여 제2 처리액에 의해 세정하는 기판 처리 방법이며, 기판 반송로에 있어서 상기 피처리 기판을 평류 반송하여, 기판 상에 제1 처리액을 공급하는 스텝과, 상기 기판 반송로를 반송되어, 상기 제1 처리액이 공급된 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하는 스텝과, 상기 소정의 가스류가 분사되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 스텝과, 상기 제2 처리액이 공급되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 보다 고유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 스텝을 실행하는 것에 특징을 갖는다.Moreover, in order to solve the said subject, the substrate processing method which concerns on this invention supplies a 1st process liquid to a to-be-processed substrate, performs a predetermined liquid process, collect | recovers the said 1st process liquid, and supplies it to a 2nd process liquid. It is a substrate processing method which wash | cleans by the said process, The step of carrying out the horizontal flow conveyance of the said to-be-processed board | substrate in a board | substrate conveyance path, and supplying a 1st process liquid on a board | substrate, The said board | substrate conveyance path is conveyed, and a said 1st process liquid is supplied The step of injecting a predetermined gas flow toward either the vertical direction or the conveyance direction downstream side with respect to the board | substrate surface of the said to-be-processed substrate, The said predetermined gas flow is injected, and the said substrate conveyance path is conveyed About the board | substrate surface of the to-be-processed board | substrate which supplies the said 2nd process liquid to a board | substrate surface of a to-be-processed substrate at a predetermined flow rate, and the said 2nd process liquid is supplied and conveys the said board | substrate conveyance path, Bo Into a specific and is characterized by executing a step of supplying the second treatment liquid.

이와 같은 방법에 따르면, 제1 처리액이 공급되어 평류 반송되는 기판에 대해, 상기 제1 처리액의 회수 시에 소정의 가스류가 기판 반송 방향(하류측)을 향해 분사된다. 이에 의해, 기판으로부터 제거되는 제1 처리액의 전단부(상류측)가 늘려진다.According to such a method, the predetermined | prescribed gas flow is sprayed toward a board | substrate conveyance direction (downstream side) at the time of collection | recovery of the said 1st process liquid with respect to the board | substrate to which the 1st process liquid is supplied and flow-flow conveyed. Thereby, the front-end part (upstream side) of the 1st process liquid removed from a board | substrate increases.

그리고, 제1 처리액이 제거된 기판면에 대해 즉시 소정의 유속(바람직하게는 공급 시의 임펙트가 작아지는 유속)으로 제2 처리액이 공급되고, 또한 고유속으로 제2 처리액이 공급된다. 이에 의해, 기판 상의 제1 처리액이 제2 처리액으로 치환되는 동안의 액 끊김 영역이 미소한 것으로 되어, 제1 처리액을 즉시 제2 처리액으로 치환할 수 있다.The second processing liquid is immediately supplied to the substrate surface from which the first processing liquid has been removed at a predetermined flow rate (preferably, the flow rate at which the impact at the time of supply becomes small), and the second processing liquid is supplied at a high flow rate. . Thereby, the liquid disconnection | region area | region during which the 1st process liquid on a board | substrate is substituted by a 2nd process liquid becomes minute, and can replace a 1st process liquid with a 2nd process liquid immediately.

그 결과, 종래와 같이 상기 제1 처리액으로서의 현상액이 흘러내려 얼룩 상에 남은 상태로 방치되는 시간이 거의 없어, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.As a result, there is almost no time left as it is to remain on the stain as the developer as the first treatment liquid flows down as before, and the development of the developer stain can be suppressed.

또한, 상기 가스류는 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사되므로, 제1 처리액에 기복이 생기지 않아, 미소한 현상 얼룩의 발생도 억제된다.Moreover, since the said gas stream is injected toward either downstream of a perpendicular direction or a conveyance direction, an ups and downs do not arise in a 1st process liquid, and generation | occurrence | production of a microscopic development unevenness is also suppressed.

또한, 상기 제1 처리액이 공급된 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하는 스텝은, 오르막 경사로 된 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판에 대해 실행되는 것이 바람직하다.Further, the step of injecting a predetermined gas flow toward any one of the vertical direction and the transport direction downstream side with respect to the substrate surface of the processing target substrate supplied with the first processing liquid includes the substrate transport path that has become an uphill slope. It is preferable to carry out with respect to the said to-be-processed substrate conveyed.

이와 같이 함으로써, 오르막 경사인 제2 반송 구간에 의해 기판 상으로부터 제1 처리액을 효율적으로 제거할 수 있고, 또한 제1 처리액으로부터 제2 처리액으로의 치환을 즉시 행할 수 있다.By doing in this way, a 1st process liquid can be removed efficiently from a board | substrate by the 2nd conveyance section which is an uphill inclination, and substitution from a 1st process liquid to a 2nd process liquid can be performed immediately.

또한, 상기 소정의 유속으로 제2 처리액이 공급되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 보다 고유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 스텝은 상기 오르막 경사의 기판 반송로에 이어지는 내리막 경사의 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판에 대해 실행되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판 반송로를 반송되는 피처리 기판의 기판면에 대해, 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 상기 제2 처리액이 토출되는 것이 바람직하다.In addition, the step of supplying the second processing liquid at a higher flow rate to the substrate surface of the processing target substrate to which the second processing liquid is supplied at the predetermined flow rate and to which the substrate transfer path is conveyed is determined by the uphill slope. It is preferable to perform the to-be-processed board | substrate which conveys the board | substrate conveyance path of the downhill slope following a board | substrate conveyance path. Moreover, it is preferable that the said 2nd process liquid discharges toward either the perpendicular direction or the conveyance direction downstream side with respect to the board | substrate surface of the to-be-processed substrate conveyed by the said board | substrate conveyance path.

이와 같이 하면, 피처리 기판에 공급된 제2 처리액의 기판 상에서의 역류를 방지할 수 있다.By doing in this way, the reverse flow on the board | substrate of the 2nd process liquid supplied to the to-be-processed substrate can be prevented.

본 발명에 따르면, 평류의 반송 라인 상에서 피처리 기판에 공급한 제1 처리액을 분별 회수하여 제2 처리액으로 치환하는 동작을 효율적으로 원활하게 행하여, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 얻을 수 있다.According to the present invention, a substrate treatment capable of efficiently and smoothly performing an operation of fractionally collecting and replacing a first processing liquid supplied to a substrate to be processed on a flat stream conveying line with a second processing liquid, thereby suppressing occurrence of developing unevenness. An apparatus and a substrate processing method can be obtained.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 적용 가능한 현상 유닛(DEV)의 전체 구성을 모식적으로 도시하는 도면.
도 2는 제1 융기부를 통과하는 기판의 상태를 도시하는 평면도 및 측면도.
도 3은 제1 융기부에 배치된 에어 나이프, 제1 린스 노즐, 제2 린스 노즐의 상호의 배치 관계를 보다 구체적으로 도시하는 측면도.
도 4는 제1 융기부를 반송되는 기판에 대한 처리액 치환의 상태를 도시하는 측면도.
도 5는 도 4의 처리액 치환의 상태에 대응하는 기판 상의 현상액 및 린스액의 상태를 도시하는 평면도.
도 6은 종래의 린스부의 구성을 도시하는 평면도 및 측면도.
도 7은 종래의 다른 린스부의 구성을 도시하는 평면도 및 측면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows typically the whole structure of the developing unit DEV to which the substrate processing apparatus of this invention is applicable.
2 is a plan view and a side view showing a state of the substrate passing through the first ridge;
Fig. 3 is a side view showing in more detail the arrangement relationship between the air knife, the first rinse nozzle, and the second rinse nozzle disposed on the first raised portion.
4 is a side view illustrating a state of processing liquid replacement with respect to the substrate to be conveyed with the first raised portions.
FIG. 5 is a plan view showing the states of the developer and the rinse solution on the substrate corresponding to the state of the treatment solution replacement of FIG. 4. FIG.
6 is a plan view and a side view showing the structure of a conventional rinse section;
7 is a plan view and a side view showing the structure of another conventional rinse section.

이하, 본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 실시 형태에 대해, 도면에 기초하여 설명한다. 본 발명의 기판 처리 장치는, 예를 들어 LCD용 글래스 기판을 피처리 기판(이하, 기판이라고 칭함)으로 하고, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크 등의 각 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템의 일부 구성에 적용할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which concerns on the substrate processing apparatus and substrate processing method of this invention is described based on drawing. In the substrate processing apparatus of the present invention, for example, a glass substrate for LCD is referred to as a substrate to be processed (hereinafter, referred to as a substrate), and in the LCD manufacturing process, cleaning, resist coating, prebaking, developing, and postbaking in a photolithography process are performed. It can apply to the some structure of the application | coating development system which performs each process, such as these.

구체적으로는, 기판 상에 포토레지스트가 도포되어, 마스크 패턴을 통해 노광 처리가 실시된 기판에 현상 및 린스 처리를 실시하는 현상 유닛(DEV)에 적용할 수 있다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명을 현상 유닛(DEV)에 적용한 일 실시 형태를 설명한다.Specifically, a photoresist is applied onto a substrate and can be applied to a developing unit DEV which performs development and rinsing treatment on a substrate subjected to an exposure treatment through a mask pattern. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment which applied this invention to the developing unit DEV is described with reference to drawings.

도 1에 본 실시 형태에 있어서의 현상 유닛(DEV)(1)의 전체 구성을 모식적으로 도시한다. 이 현상 유닛(DEV)(1)은, 도시한 바와 같이 프로세스 라인(A)을 따라서 수평 방향(X방향)으로 연장되는 평류의 반송 라인(2)(기판 반송로)을 설치하고 있고, 이 반송 라인(2)을 따라서 상류측으로부터 차례로 현상부(3), 린스부(4) 및 건조부(5)를 설치하고 있다.1, the whole structure of the developing unit DEV 1 in this embodiment is shown typically. This developing unit (DEV) 1 is provided with the conveyance line 2 (substrate conveyance path) of the flat stream which extends in a horizontal direction (X direction) along the process line A as shown, and this conveyance The developing part 3, the rinse part 4, and the drying part 5 are provided in order from the upstream along the line 2.

반송 라인(2)은 기판(G)을, 그 피처리면을 위로 향하게 한 자세(소위, 평류 방식)로 하여 소정 속도(예를 들어, 60㎜/s)로 반송하기 위한 롤러(6)(반송체)를 반송 방향(X방향)으로 일정 간격(예를 들어, 100㎜ 간격)으로 부설하여 이루어지고, 각 롤러(6)는, 예를 들어 전기 모터를 갖는 반송 구동부(도시하지 않음)에 기어 기구 또는 벨트 기구 등의 전동 기구를 통해 접속되어 있다.The conveying line 2 is a roller 6 (conveying) for conveying the substrate G at a predetermined speed (for example, 60 mm / s) in a posture (so-called flat flow method) with its processing surface facing upward. Sieves are laid at regular intervals (for example, at intervals of 100 mm) in the conveying direction (X direction), and each roller 6 is geared to a conveying drive unit (not shown) having an electric motor, for example. It is connected via transmission mechanisms, such as a mechanism or a belt mechanism.

이 반송 라인(2)은 반송 방향(X방향)에 있어서 시점으로부터 종점까지 동일한 높이 위치로 이어져 있는 것이 아니라, 도중에 소정의 개소에 롤러(6)의 배치에 의해 융기 형성되는 제1 융기부(2a), 제2 융기부(2b) 및 단차부(2c)를 갖고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 반송 라인(2)은 반송 방향(X방향)의 1사이드로부터 본 반송로의 형상에 따라서 9개의 반송 구간(M1, M2, M3, M4, M5, M6, M7, M8, M9)으로 구분할 수 있다.This conveyance line 2 is not connected to the same height position from a viewpoint to an end point in a conveyance direction (X direction), but the 1st ridge | bulb part 2a which is protruded by arrangement | positioning of the roller 6 in predetermined location along the way. ), The second raised portion 2b and the stepped portion 2c. As shown in FIG. 1, the conveyance line 2 has nine conveyance sections M1, M2, M3, M4, M5, M6, M7, according to the shape of the conveyance path seen from one side of a conveyance direction (X direction). M8, M9).

제1 반송 구간(M1)은 전단의 처리부로부터 현상부(3) 내의 출구보다도 약간 앞(상류측)의 위치에 설정된 제1 구간 변경점(P1)까지의 구간으로, 소정의 높이 위치(제1 보텀 위치로 함)를 유지한 상태로, 거의 수평 일직선으로 연장되는 수평 반송로를 갖고 있다.The first conveyance section M1 is a section from the processing section of the front end to the first section change point P1 set at a position slightly ahead (upstream side) of the exit in the developing section 3, and has a predetermined height position (first bottom). Position), and has a horizontal conveyance path extending in a substantially horizontal straight line.

제2 반송 구간(M2)은 상기 제1 구간 변경점(P1)으로부터 현상부(3)와 린스부(4)의 경계 부근의 위치에 설정된 제2 구간 변경점(P2)까지의 구간으로, 반송로의 높이가 서서히 높아지도록 롤러(6)가 배치되어 있다. 이에 의해, 제2 반송 구간(M2)은 구간 변경점(P1)의 높이 위치보다도 소정량(예를 들어, 6㎜) 높아진 제1 융기부(2a)의 정상까지 소정의 경사각으로 오르는 오르막 경사의 반송로를 갖고 있다.The second conveyance section M2 is a section from the first section change point P1 to the second section change point P2 set at a position near the boundary between the developing section 3 and the rinse section 4, The roller 6 is arrange | positioned so that height may increase gradually. Thereby, the 2nd conveyance section M2 conveys the uphill inclination which rises to the top of the 1st ridge 2a which is predetermined amount (for example, 6 mm) higher than the height position of the section change point P1 at the predetermined inclination angle. I have a furnace.

제3 반송 구간(M3)은 상기 제2 구간 변경점(P2)으로부터 린스부(4)의 입구 부근에 설정된 제3 구간 변경점(P3)까지의 구간으로, 반송로의 높이가 서서히 낮아지도록 롤러(6)가 배치되어 있다. 이에 의해, 상기 제1 융기부(2a)의 정상으로부터 그것보다도 소정량(예를 들어, 6㎜) 낮은 제1 보텀 위치까지 소정의 경사각으로 내려가는 내리막 경사의 반송로를 갖고 있다.The third conveying section M3 is a section from the second section changing point P2 to the third section changing point P3 set near the entrance of the rinse section 4, so that the height of the conveying path is gradually lowered. ) Is arranged. Thereby, it has a conveyance path of the downhill inclination which descends at a predetermined inclination angle from the top of the said 1st ridge part 2a to the 1st bottom position lower than the predetermined amount (for example, 6 mm).

제4 반송 구간(M4)은 린스부(4) 내에서 입구 부근의 상기 제3 구간 변경점(P3)으로부터 내부 안측의 소정 위치에 설정된 제4 구간 변경점(P4)까지의 구간으로, 상기 제1 보텀 위치와 동일한 높이로 대략 수평 일직선으로 연장되는 수평 반송로를 갖고 있다.The fourth conveyance section M4 is a section from the third section change point P3 near the entrance to the fourth section change point P4 set at a predetermined position on the inner inner side in the rinse section 4, and the first bottom It has the horizontal conveyance path extended in a substantially horizontal straight line at the same height as a position.

제5 반송 구간(M5)은 린스부(4) 내에서 상기 제4 구간 변경점(P4)으로부터 그것보다도 소정의 거리만큼 하류측의 위치에 설정된 제5 구간 변경점(P5)까지의 구간으로, 제1 보텀 위치보다도 소정량(예를 들어, 10 내지 25㎜) 높은 제2 융기부(2b)의 정상까지 소정의 경사각으로 오르는 오르막 경사의 반송로를 갖고 있다.The fifth conveyance section M5 is a section from the fourth section change point P4 in the rinse section 4 to the fifth section change point P5 set at a position downstream from the fourth section change point P4 by a predetermined distance therefrom. It has a conveyance path of an uphill inclination which rises to a predetermined inclination angle to the top of the 2nd raised part 2b which is predetermined amount (for example, 10-25 mm) higher than a bottom position.

제6 반송 구간(M6)은 린스부(4) 내에서 상기 제5 구간 변경점(P5)으로부터 그것보다도 소정의 거리만큼 하류측의 위치에 설정된 제6 구간 변경점(P6)까지의 구간으로, 상기 제2 융기부(2b)의 정상으로부터 그것보다도 소정량(예를 들어, 10 내지 25㎜) 낮은 위치(제2 보텀 위치로 함)까지 소정의 경사각으로 내려가 내리막 경사의 반송로를 갖고 있다.The sixth conveyance section M6 is a section from the fifth section change point P5 in the rinse section 4 to the sixth section change point P6 set at a position downstream from the fifth section change point P5 by a predetermined distance therefrom. It has the conveyance path of the downhill inclination descend | falling at predetermined inclination-angle from the top of 2 ridge part 2b to the position (it is set as 2nd bottom position) lower than that (for example, 10-25 mm).

제7 반송 구간(M7)은 린스부(4) 내에서 상기 제6 구간 변경점(P6)으로부터 그것보다도 소정의 거리만큼 하류측의 위치, 즉 린스부(4)의 출구보다 약간 앞(상류측)의 위치에 설정된 제7 구간 변경점(P7)까지의 구간으로, 상기 제2 보텀 위치와 동일한 높이로 대략 수평 일직선으로 연장되는 수평 반송로를 갖고 있다.The seventh conveying section M7 is located slightly downstream of the position on the downstream side from the sixth section change point P6 from the sixth section change point P6, that is, the outlet of the rinsing section 4 in the rinsing section 4 (upstream side). A section up to a seventh section change point P7 set at the position of has a horizontal conveyance path extending substantially horizontally at the same height as the second bottom position.

제8 반송 구간(M8)은 상기 제7 구간 변경점(P7)으로부터 린스부(4)와 건조부(5)의 경계 부근에 설정된 제8 구간 변경점(P8)까지의 구간으로, 상기 제2 보텀 위치보다도 소정량(예를 들어, 4 내지 25㎜) 높은 단차부(2c)의 상단 위치까지 소정의 경사각으로 오르는 오르막 경사의 반송로를 갖고 있다.An eighth conveyance section M8 is a section from the seventh section change point P7 to the eighth section change point P8 set near the boundary between the rinse section 4 and the drying section 5, and the second bottom position It has a conveyance path of an uphill inclination which goes up by a predetermined inclination angle to the upper end position of the step part 2c which is higher than a predetermined amount (for example, 4-25 mm).

제9 반송 구간(M9)은 상기 제8 구간 변경점(P8)으로부터 건조부(5) 및 후단의 처리부까지 이르는 구간으로, 상기 단차부(2c)의 상단 위치의 높이를 일정하게 유지한 상태로 수평 일직선으로 연장되는 수평 반송로를 갖고 있다.The ninth conveyance section M9 is a section extending from the eighth section change point P8 to the drying section 5 and the rear section processing section, and is horizontal in a state where the height of the upper end position of the stepped section 2c is kept constant. It has a horizontal conveyance path extending in a straight line.

또한, 현상부(3)에 있어서는, 제1 반송 구간(M1) 내의 소정 위치에, 반송 라인(2) 상을 롤러 반송으로 이동하는 수평 자세의 기판(G)을 향해, 상방으로부터 기준 농도의 현상액(제1 처리액)을 토출하는 제1 처리액 공급 수단으로서의 현상액 공급 노즐(이하, 현상 노즐이라고 칭함)(9)이 배치되어 있다. 현상 노즐(9)은 기판 폭 방향으로 연장되는, 예를 들어 슬릿 형상의 토출구 또는 일렬로 배치된 다수의 미세 직경 토출구를 갖는 장척형 노즐로 이루어지고, 도시하지 않은 현상 공급원으로부터 배관을 통해 현상액이 급액되도록 되어 있다. Moreover, in the developing part 3, the developing solution of a reference density from upper direction toward the board | substrate G of the horizontal attitude | position which moves the conveyance line 2 image to roller conveyance at the predetermined position in 1st conveyance section M1. A developing solution supply nozzle (hereinafter referred to as a developing nozzle) 9 as a first processing liquid supplying means for ejecting (first processing liquid) is disposed. The developing nozzle 9 is made up of a long nozzle having a plurality of fine diameter discharge holes arranged in a row, for example, a slit-shaped discharge hole extending in the substrate width direction, and the developer is discharged through a pipe from a developing source (not shown). It is supposed to supply water.

현상부(3) 내에는 반송 라인(2) 아래로 떨어진 현상액을 수용하여 모으기 위한 팬(10)이 설치되어 있다. 이 팬(10)의 액 배출구는 액 배출관(11)을 통해 현상액 재이용 기구(12)에 통하고 있다. 현상액 재이용 기구(12)는 현상액 노즐(9)에 의해 기판(G) 상에 현상액을 적층할 때에 넘쳐 흐른 현상액을 팬(10) 및 액 배출관(11)을 통해 회수하고, 회수한 현상액에 원액이나 용매를 추가하여, 기준 농도로 조정한 리사이클의 현상액을 상기 현상액 공급원으로 보내도록 되어 있다.In the developing part 3, the fan 10 for accommodating and collecting the developing solution which fell under the conveyance line 2 is provided. The liquid discharge port of the fan 10 communicates with the developer reuse mechanism 12 through the liquid discharge pipe 11. The developer reuse mechanism 12 recovers the developer overflowed when the developer is stacked on the substrate G by the developer nozzle 9 through the fan 10 and the liquid discharge pipe 11, and the recovered developer is subjected to the stock solution. The solvent is added, and the developer for recycling adjusted to the reference concentration is sent to the developer supply source.

또한, 현상부(3)의 출구 부근의 제2 반송 구간(M2)에 있어서, 제1 융기부(2a)보다도 약간 앞(상류측)의 상방 위치에는 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 소정의 가스류, 구체적으로는 기판 폭 방향으로 직선 형상으로 연장되는 커튼 형상의 가스류를 분출하는 에어 노즐(21)(기체 공급 수단)이 설치되어 있다. 이 에어 커튼 형상의 가스류에 의해, 기판 경사면을 흘러내려 박막 형상으로 된 현상액을 상기 제1 융기부(2a) 부근까지 늘려, 기판(G) 상의 액 끊김 영역을 미소로 하도록 되어 있다.In the second conveying section M2 near the outlet of the developing part 3, either one of the vertical direction and the conveying direction downstream is placed at an upper position slightly ahead of the first ridge 2a (upstream side). The air nozzle 21 (gas supply means) which blows a predetermined | prescribed gas flow, specifically, the curtain gas flow extended linearly in a board | substrate width direction is provided. The air curtain gas flows down the inclined surface of the substrate and increases the developer in the form of a thin film to the vicinity of the first ridge 2a to make the liquid disconnection region on the substrate G minute.

또한, 현상부(3)와 린스부(4) 사이, 즉 상기 제2 반송 구간과 제3 반송 구간에 의해 형성된 상기 제1 융기부(2a)의 상방에는 현상액이 흘러내린 기판(G) 상에 즉시 순수 등의 린스액(제2 처리액)을 저유속으로, 즉 토출 시의 임펙트(충격)가 작아지는 유속으로 공급하기 위한 제1 린스 노즐(22)(제1 린스액 공급 수단)이 배치되어 있다.Moreover, on the board | substrate G in which the developing solution flowed down between the developing part 3 and the rinse part 4, ie, above the said 1st raised part 2a formed by the said 2nd conveyance section and the 3rd conveyance section. A first rinse nozzle 22 (first rinse liquid supplying means) is provided for immediately supplying a rinse liquid (second treatment liquid) such as pure water at a low flow rate, that is, at a flow rate at which the impact (impact) during discharge becomes small. It is.

또한, 이 제1 린스 노즐(22)로부터 공급된 린스액은 상기 에어 노즐(21)에 의해 형성되는 에어 커튼에 의해, 제2 반송 구간(M2)을 반송 방향 반대측으로 흘러내리지 않도록 막아진다.In addition, the rinse liquid supplied from the first rinse nozzle 22 is prevented from flowing down the second conveying section M2 to the side opposite to the conveying direction by the air curtain formed by the air nozzle 21.

또한, 제3 반송 구간(M3)에는 상기 린스 노즐(22)보다도 고유속으로, 즉 토출 시의 임펙트가 보다 커지는 유속으로, 액 치환(현상 정지)용 린스액을 공급하는 제2 린스 노즐(23)(제2 린스액 공급 수단)이 배치되어 있다.In addition, in the third conveying section M3, the second rinse nozzle 23 which supplies the rinse liquid for liquid replacement (development stop) at a higher flow rate than that of the rinse nozzle 22, that is, at a flow rate at which the impact at the time of discharge is greater. (Second rinse liquid supply means) is arranged.

또한, 중심부인 제5 반송 구간(M5) 내의 소정 위치에, 반송 라인(2)의 상기 제2 융기부(2b)의 오르막 경사면을 통과하는 기판(G)을 향해 상방으로부터 세정용 린스액을 토출하는 제3 린스 노즐(24)이 반송 방향을 따라서 배치되어 있다.Moreover, the rinse liquid for cleaning is discharged from the upper direction toward the board | substrate G which passes the uphill inclined surface of the said 2nd raised part 2b of the conveyance line 2 in the predetermined position in the 5th conveyance section M5 which is a center part. The third rinse nozzle 24 to be arranged is arranged along the conveyance direction.

또한, 그 하류측 옆의 제6 반송 구간(M6) 내의 소정 위치에, 반송 라인(2)의 제2 융기부(2b)의 내리막 경사면을 통과하는 기판(G)을 향해 상방으로부터 마무리 세정용 린스액을 토출하는 제4 린스 노즐(25)이 반송 방향을 따라서 배치되어 있다.Moreover, the rinse for finish washing from upper direction toward the board | substrate G which passes the downhill slope of the 2nd ridge part 2b of the conveyance line 2 in the predetermined position in the 6th conveyance section M6 of the downstream side. The 4th rinse nozzle 25 which discharges a liquid is arrange | positioned along a conveyance direction.

또한, 출구 부근에서 제8 반송 구간(M8) 내의 소정 위치에, 반송 라인(2)의 오르막 단차부(2c)를 오르는 기판(G)을 향해 상방으로부터 최종 세정용 린스액을 토출하는 제5 린스 노즐(26)이 반송 방향을 따라서 배치되어 있다. 각 린스 노즐(22 내지 26)은 상기 현상액 노즐(9)과 동일한 구성을 갖는 장척형 노즐로 이루어지고, 도시하지 않은 린스액 공급원으로부터 배관을 통해 린스액이 급액되도록 되어 있다.Moreover, the 5th rinse which discharges the final rinse liquid for washing | cleaning from upper direction toward the board | substrate G which climbs the uphill step part 2c of the conveyance line 2 to the predetermined position in 8th conveyance section M8 near an exit. The nozzle 26 is arrange | positioned along the conveyance direction. Each of the rinse nozzles 22 to 26 is composed of a long nozzle having the same configuration as that of the developer nozzle 9, and the rinse liquid is supplied through a pipe from a rinse liquid supply source (not shown).

린스부(4) 내에는 반송 라인(2)의 아래로 떨어진 린스액을 수용되어 모으기 위한 팬(17)이 설치되어 있다. 이 팬(17)의 액 배출구는 액 배출관(18)을 통해 린스액 회수부(도시하지 않음)에 통하고 있다. 도시는 생략하지만, 반송 라인(2)의 아래로부터 기판(G)의 하면에 대해 세정용 린스액을 분출하는 하부 린스 노즐을 설치할 수도 있다.In the rinse section 4, a fan 17 for storing and collecting the rinse liquid dropped below the transfer line 2 is provided. The liquid discharge port of this fan 17 is connected to the rinse liquid recovery part (not shown) via the liquid discharge pipe 18. Although not shown, a lower rinse nozzle may be provided that ejects the rinse liquid for cleaning from the bottom of the transfer line 2 to the lower surface of the substrate G.

건조부(5)에 있어서는, 제9 반송 구간(M9)의 시단부 부근의 소정 위치에, 반송 라인(2)의 상기 단차부(2c)를 올라온 직후의 기판(G)을 향해 상방으로부터 반송 방향과 역방향으로 액 끊김 내지 건조용 고압 가스류(통상은 에어류)를 분사하는 장척형 가스 노즐 또는 에어 나이프(20)가 반송 방향을 따라서 1개 또는 복수개 배치되어 있다. 반송 라인(2) 하부로부터 기판(G)의 하면을 향해 액 끊김 내지 건조용 고압 가스류를 분사하는 하부 에어 나이프(도시하지 않음)도 설치 가능하다. 또한, 건조부(5) 내에서 반송 라인(2)의 아래로 떨어진 액을 수용하여 모으기 위한 팬(도시하지 않음)을 설치해도 좋다.In the drying part 5, a conveyance direction from the upper direction toward the board | substrate G immediately after raising the said step part 2c of the conveyance line 2 in the predetermined position vicinity of the start end part of the 9th conveyance section M9. In the reverse direction, one or more long gas nozzles or air knives 20 for injecting a liquid-to-dry high pressure gas stream (usually air streams) are arranged along the conveying direction. The lower air knife (not shown) which injects a liquid interruption | drying high pressure gas stream from the lower part of the conveyance line 2 toward the lower surface of the board | substrate G can also be installed. Moreover, you may install the fan (not shown) for accommodating and collecting the liquid which fell down of the conveyance line 2 in the drying part 5.

또한, 현상 유닛(DEV)(1)은 일체적인 하우징(30) 내에 현상부(3), 린스부(4) 및 건조부(5)를 수용하고 있고, 다른 처리부 사이의 경계에는 반송 라인(2)을 따른 주위의 공간을 상류측과 하류측으로 이격하기 위한 연직 방향으로 연장되는 격벽(30a, 30b)을 설치하고 있다. 보다 상세하게는, 현상부(3)와 린스부(4)의 경계, 즉 제2 반송 구간(M2)과 제3 반송 구간(M3)의 경계 부근에 격벽(30a)이 설치되고, 린스부(4)와 건조부(5)의 경계, 즉 제8 반송 구간(M8)과 제9 반송 구간(M9)의 경계 부근에 격벽(30b)이 설치된다. 각 격벽(30a, 30b)에는 반송 라인(2)을 통과시키는 개구(31, 32)가 각각 형성되어 있다.In addition, the developing unit (DEV) 1 houses the developing part 3, the rinse part 4, and the drying part 5 in the integral housing 30, and the transfer line 2 is provided at the boundary between the other processing parts. ), Partition walls 30a and 30b extending in the vertical direction for separating the space around the space between the upstream side and the downstream side are provided. In more detail, the partition 30a is provided in the vicinity of the boundary between the developing part 3 and the rinse part 4, that is, the boundary between the second conveying section M2 and the third conveying section M3, and the rinse section ( The partition 30b is provided near the boundary between 4) and the drying unit 5, that is, the boundary between the eighth conveyance section M8 and the ninth conveyance section M9. In each partition 30a, 30b, the opening 31,32 which passes the conveyance line 2 is formed, respectively.

또한, 이 현상 유닛(DEV)(1)에 있어서, 각 처리부(3, 4, 5) 내의 공간은 격벽(30a, 30b)의 개구(31, 32)를 통해 서로 연통하고 있다. 현상부(3) 및 건조부(5)에서는 실외의 공기를 끌어들이기 위한 팬(33, 34)과, 이들 팬(33, 34)으로부터의 공기류를 제진하는 에어 필터(35, 36)에 의해, 천장으로부터 청정한 공기가 다운 플로우에 의해 실내로 공급되도록 되어 있다. 이 중, 현상부(3)의 천장으로부터 공급되는 청정 공기는 현상 처리 시에 발생하는 현상액의 미스트를 끌어들여 상기 격벽(30a)의 개구(31)를 통해 린스부(4)의 실내로 유입된다.In the developing unit DEV 1, the spaces in the processing units 3, 4, and 5 communicate with each other through the openings 31 and 32 of the partition walls 30a and 30b. In the developing section 3 and the drying section 5, fans 33 and 34 for drawing outdoor air and air filters 35 and 36 for damping the air flow from these fans 33 and 34 are provided. Clean air from the ceiling is supplied to the room by the downflow. Among these, the clean air supplied from the ceiling of the developing part 3 draws in the mist of the developing solution generated at the developing process, and flows into the room of the rinse part 4 through the opening 31 of the partition 30a. .

한편, 건조부(5)의 천장으로부터 공급되는 청정 공기는 건조(액 끊김) 처리에서 발생하는 린스액의 미스트를 끌어들여 상기 격벽(30b)의 개구(32)를 통해 린스부(4)의 실내로 유입되도록 되어 있다. 린스부(4)의 저부에는, 예를 들어 배기 펌프 또는 배기 팬을 갖는 배기 기구(37)에 통하는 배기구(38)가 형성되어 있다.On the other hand, the clean air supplied from the ceiling of the drying unit 5 draws in the mist of the rinse liquid generated in the drying (liquid break) process and enters the interior of the rinse unit 4 through the opening 32 of the partition wall 30b. It is supposed to flow in. At the bottom of the rinse section 4, for example, an exhaust port 38 is provided which communicates with an exhaust mechanism 37 having an exhaust pump or an exhaust fan.

상기와 같이 하여 현상부(3)측으로부터 유입되어 온 미스트가 섞인 공기와, 건조부(5)측으로부터 유입되어 온 미스트가 섞인 공기는 린스부(4) 내에서 발생하는 미스트까지 끌어들여 좌우로부터 합류하여 배기구(38)로부터 배출되도록 되어 있다.Air mixed with mist introduced from the developing part 3 side as described above and air mixed with mist introduced from the drying part 5 side are drawn to the mist generated in the rinse part 4 from the left and right sides. It joins and is discharged | emitted from the exhaust port 38.

계속해서, 제2 반송 구간(M2) 및 제3 반송 구간에 있어서의 액처리의 구성에 대해, 더욱 상세하게 설명한다.Subsequently, the configuration of the liquid processing in the second conveyance section M2 and the third conveyance section will be described in more detail.

도 2의 (a)는 반송 구간(M2, M3)에 의해 형성된 제1 융기부(2a)를 통과하는 기판(G)의 상태를 도시하는 평면도이고, 도 2의 (b)는 그 측면도이다. 또한, 도 3은 상기 반송 구간(M2, M3)에 배치된 에어 나이프(21), 제1 린스 노즐(22), 제2 린스 노즐(23)의 상호의 배치 관계를 보다 구체적으로 도시하는 측면도이다.FIG. 2A is a plan view showing a state of the substrate G passing through the first raised portions 2a formed by the transfer sections M2 and M3, and FIG. 2B is a side view thereof. 3 is a side view which shows in more detail the arrangement relationship of the air knife 21, the 1st rinse nozzle 22, and the 2nd rinse nozzle 23 arrange | positioned at the said conveyance section M2, M3. .

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 융기부(2a)에 있어서, 기판 폭 방향으로 연장되는 장척형 에어 나이프(21), 제1 린스 노즐(22), 제2 린스 노즐(23)이 기판 반송 방향을 따라서 차례로 배치되어 있다.As shown in FIG. 2, the long air knife 21, the first rinse nozzle 22, and the second rinse nozzle 23, which extend in the substrate width direction, convey the substrate in the first ridge 2a. It is arranged in order along the direction.

상기 에어 나이프(21)는 오르막 경사의 반송 구간(M2)을 반송되는 기판(G)에 대해, 소정의 고압 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하도록, 기판면으로부터, 예를 들어 5 내지 15㎜의 높이 위치에 배치되어 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이 에어 나이프(21)는 반송 구간(M2)의 상방에 있어서, 그 분사 방향이, 수직 하방(연직 방향)을 0°로 하여 하류측으로 소정 각도(θ1)(예를 들어, 0° 내지 10°) 경사진 상태로 설치되어 있다.From the substrate surface, the air knife 21 sprays a predetermined high pressure gas stream toward either one of the vertical direction and the conveying direction downstream with respect to the substrate G which conveys the conveying section M2 of the uphill slope, For example, it is arrange | positioned at the height position of 5-15 mm. That is, as shown in FIG. 3, in the air knife 21 above the conveyance area | region M2, the injection direction makes the predetermined angle (theta) 1 (downward) downstream with 0 degree of vertical downward (vertical direction) (example) For example, 0 ° to 10 °) is provided in an inclined state.

구체적으로는, 이 에어 나이프(21)에 의해, 기판(G)으로부터 흘러내리는 현상액(D)의 선단부 부분에 대해, 기판 폭 방향으로 직선 형상으로 연장되는 커튼 형상의 고압 가스류가, 기판 반송 방향(하류측)을 향해 소정 유량(예를 들어, 300 내지 500리터/min)으로 분사된다. 이에 의해, 기판 후방(상류측)으로 흘러내리는 현상액(D)이 줄무늬 형상으로 되지 않아, 박막의 상태가 기판 융기부(Ga) 부근까지 늘려지도록 되어 있다.Specifically, with this air knife 21, the curtain high pressure gas flow which extends linearly in a board | substrate width direction with respect to the front-end | tip part of the developing solution D which flows down from the board | substrate G is a board | substrate conveyance direction It is injected at a predetermined flow rate (for example, 300 to 500 liters / min) toward the downstream side. As a result, the developer D flowing down the substrate back (upstream side) does not become a stripe shape, and the state of the thin film is extended to the vicinity of the substrate ridge Ga.

또한, 상기 가스류를, 기판 반송 방향(하류측)을 향해 분사함으로써, 현상액(D)에 기복이 생기는 것을 방지하여, 미소한 현상 얼룩의 발생을 억제하도록 되어 있다.Further, by spraying the gas flow toward the substrate conveyance direction (downstream side), it is possible to prevent the occurrence of undulation in the developing solution D, and to suppress the occurrence of minute developing unevenness.

또한, 기판 융기부(Ga) 부근에 배치된 제1 린스 노즐(22)은 기판 후방(상류측)으로 현상액(D)이 흘러내린 기판 상에 즉시 저유속(예를 들어, 0.0247 내지 0.074m/s)으로 린스액(S)을 토출 공급하여, 기판 상에서 액이 끊기는 영역을 최대한 작게 하기 위해 설치되어 있다. 이 제1 린스 노즐(22)은 기판면으로부터, 예를 들어 2㎜의 높이에 배치되고, 그 토출 방향은 대략 수직 하방(수직 하방을 0°로 하여 ±10° 경사)을 향하게 되어 있다.In addition, the first rinse nozzle 22 disposed near the substrate ridge Ga has a low flow rate (for example, 0.0247 to 0.074 m /) immediately on the substrate on which the developer D flows down the substrate (upstream side). It is provided in order to discharge-supply the rinse liquid S in s), and to make the area | region which a liquid breaks on a board | substrate as small as possible. This 1st rinse nozzle 22 is arrange | positioned at the height of 2 mm from the board | substrate surface, for example, and the discharge direction is toward a substantially vertical downward direction (inclination +/- 10 degree with vertical downward as 0 degree).

또한, 반송 구간(M3)에 배치된 제2 린스 노즐(23)은 내리막 경사면인 반송 구간(M3)을 반송되는 기판(G)에 대해, 보다 고유속(예를 들어, 1.7581m/s)으로 린스액(S)을 토출 공급하여, 현상액(D)을 완전히 린스액(S)으로 치환하기 위한 노즐이다. 이 제2 린스 노즐(23)은, 예를 들어 기판면으로부터 10 내지 30㎜의 높이에 배치되고, 그 토출 방향은 기판 반송 방향(하류측)으로 되도록 배치되어 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이 린스 노즐(23)은, 반송 구간(M3)의 상방에 있어서, 그 분사 방향이, 수직 하방(연직 방향)을 0°로 하여 하류측으로 소정 각도(θ2)(예를 들어, 0° 내지 70°) 경사진 상태로 설치되어 있다.Moreover, the 2nd rinse nozzle 23 arrange | positioned in the conveyance section M3 has a high flow velocity (for example, 1.7581 m / s) with respect to the board | substrate G conveyed with the conveyance section M3 which is a downhill inclined surface. A nozzle for discharging and supplying the rinse liquid S to completely replace the developer D with the rinse liquid S. FIG. This 2nd rinse nozzle 23 is arrange | positioned at the height of 10-30 mm from a board | substrate surface, for example, and is arrange | positioned so that the discharge direction may become a board | substrate conveyance direction (downstream side). That is, as shown in FIG. 3, the rinse nozzle 23 has a predetermined angle (theta) 2 (downward) in the upper direction of the conveyance section M3 in which the injection direction is 0 degrees vertically downward (vertical direction) ( For example, 0 ° to 70 °) is provided in an inclined state.

또한, 제2 반송 구간(M2)과 제3 반송 구간(M3)에 있어서 제1 융기부(2a)를 구성하기 위한 반송 롤러(6)는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이 배치된다. 즉, 기판의 융기부(Ga)가 형성되는 가장 높은 위치의 반송 롤러(6)는 제1 융기부(2a)에 있어서 가장 낮은 위치의 반송 롤러(6)의 높이를 0㎜로 하면, 예를 들어 0 내지 9㎜(바람직하게는 6㎜)의 높이로 된다. 이 높이는, 종래, 고저차가 크게 설정되어 있던 융기부 단차보다도 작아지도록 설정되는 것이 바람직하고, 그것에 의해 줄무늬 형상으로 흘러내리는 현상액의 발생을 억제하여, 에어 나이프(21)로부터 분사되는 가스류에 의해, 현상액(D)을 얇게 늘리기 쉽게 할 수 있다.In addition, the conveyance roller 6 for constituting the 1st raised part 2a in the 2nd conveyance section M2 and the 3rd conveyance section M3 is arrange | positioned, for example as shown in FIG. That is, when the conveyance roller 6 of the highest position in which the ridge | base part Ga of the board | substrate is formed is made into 0 mm the height of the conveyance roller 6 of the lowest position in the 1st ridge part 2a, an example will be given. For example, it becomes the height of 0-9 mm (preferably 6 mm). It is preferable that this height is set so that it may become smaller than the height difference which the height difference was conventionally set large, and by this, it suppresses generation | occurrence | production of the developing solution which flows in a stripe shape, and by the gas flow injected from the air knife 21, The developer D can be easily thinned.

또한, 기판(G) 상에 있어서, 에어 나이프(21)에 의해 분출되는 가스류의 공급 위치와 제1 린스 노즐(22)에 의한 린스액의 공급 위치의 거리는, 예를 들어 20 내지 40㎜(바람직하게는 30㎜)로 설정되어 있다. 또한, 기판(G) 상에 있어서, 에어 나이프(21)에 의해 분출되는 가스류의 공급 위치와 제2 린스 노즐(23)에 의한 린스액의 공급 위치의 거리는, 예를 들어 150 내지 350㎜(바람직하게는 200㎜)로 설정되어 있다.Moreover, on the board | substrate G, the distance of the supply position of the gas flow blown out by the air knife 21, and the supply position of the rinse liquid by the 1st rinse nozzle 22 is 20-40 mm (for example). Preferably 30 mm). In addition, on the board | substrate G, the distance of the supply position of the gas flow blown out by the air knife 21, and the supply position of the rinse liquid by the 2nd rinse nozzle 23 is 150-350 mm (for example). Preferably it is set to 200 mm).

계속해서, 이 현상 유닛(DEV)(1)에 있어서의 전체의 동작을, 도 4, 도 5의 상태 천이도를 적절하게 사용하여 설명한다. 또한, 도 4는 반송 구간(M2, M3)을 반송되는 기판(G)에 대한 처리액 치환의 상태를 도시하는 측면도이고, 도 5는 그때의 기판(G) 상의 현상액(D) 및 린스액(S)의 상태를 도시하고 있다.Subsequently, the entire operation in the developing unit DEV 1 will be described using the state transition diagrams of FIGS. 4 and 5 as appropriate. 4 is a side view which shows the state of process liquid substitution with respect to the board | substrate G which conveys conveyance sections M2 and M3, and FIG. 5 is the developing solution D and the rinse liquid (on the board | substrate G at that time). The state of S) is shown.

전단 처리부를 반출된 기판(G)이 일정 속도(예를 들어, 60㎜/s)의 롤러 반송으로 현상 유닛(DEV)(1)으로 반입되면, 최초에 현상부(3)에 있어서, 기판(G)이 반송 라인(2)의 제1 반송 구간(M1) 내를 수평 자세로 이동하는 동안에 정치의 현상 노즐(9)로부터 현상액(D)이 공급된다. 기판(G) 상에는 기판 전단부로부터 기판 후단부를 향해 반송 속도와 동등한 주사 속도로 현상액(D)이 적층된다. 기판(G)으로부터 흘러내린 현상액(D)은 팬(10)에 수용되어 모인다.When the board | substrate G which carried out the front end process part was carried in to the developing unit DEV 1 by the roller conveyance of a fixed speed (for example, 60 mm / s), the board | substrate ( The developing solution D is supplied from the stationary developing nozzle 9 while G) moves in the horizontal conveyance of the first conveying section M1 of the conveying line 2. On the board | substrate G, the developing solution D is laminated | stacked at the scanning speed equivalent to a conveyance speed from a board | substrate front end part to a board | substrate rear end part. The developing solution D flowing down from the substrate G is accommodated in the fan 10 and collected.

상기와 같이 하여 현상액(D)이 담겨진 기판(G)은, 직후에 산 모양의 제1 융기부(2a)의 오르막 경사를 형성하는 제2 반송 구간(M2)으로 반송된다.The board | substrate G in which the developing solution D was contained as mentioned above is conveyed to the 2nd conveyance section M2 which forms the uphill inclination of the mountain-shaped 1st raised part 2a immediately after.

기판(G)이 제2 반송 구간(M2)으로 반송되면, 기판 상의 현상액(D)이 하방, 즉 후방으로 중력에 의해 이동하기 시작한다. 여기서, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 에어 나이프(21)로부터는 그 하방을 통과하는 기판(G)에 대해, 소정 유량(예를 들어, 300 내지 500리터/min)의 고압 가스류가 분사된다. 에어 나이프(21)의 하방을 기판(G)이 통과하는 동안, 반송되는 기판(G)으로부터 흘러내리는 현상액(D)의 상단부 부분(선단부 부분)에는 기판 반송 방향을 향해 항상 커튼 형상의 가스류가 분사된다.When the board | substrate G is conveyed to the 2nd conveyance section M2, the developing solution D on a board | substrate will begin to move under gravity, ie, backward. Here, as shown in Fig. 4A, the high-pressure gas at a predetermined flow rate (for example, 300 to 500 liters / min) with respect to the substrate G passing downward from the air knife 21 is shown. The stream is injected. While the substrate G passes under the air knife 21, a curtain-like gas stream is always provided in the upper end portion (front end portion) of the developer D flowing down from the substrate G to be conveyed toward the substrate conveyance direction. Sprayed.

기판(G)으로부터 흘러내리는 현상액(D)의 상단부 부분(선단부 부분)은 상기 가스류에 의해 기판 반송 방향으로 늘려져, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 현상액(D)의 박막부(D2)가 넓게 형성된다[또한, 기판 후방측(하류측)은 후막부(D1)로 된다]. 또한, 이 박막부(D2)의 선단부 부분은 융기부(2a) 정상[기판 융기부(Ga)] 부근까지 늘려진다.The upper end portion (tip portion) of the developer D flowing down from the substrate G is extended in the substrate conveyance direction by the gas flow, and as shown in FIG. 5A, the thin film portion of the developer D D2) is formed wide (also, the substrate back side (downstream side) becomes the thick film portion D1). Further, the tip portion of the thin film portion D2 is extended to the top of the ridge 2a (substrate ridge Ga).

또한, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 기판 선단부가 제3 반송 구간(M3)[제1 융기부(2a)]에 다다르면, 즉시 제1 린스 노즐(22)로부터 저유속(예를 들어, 0.0247 내지 0.074m/s)으로, 즉 토출 시의 임펙트가 작아지는 유속으로 린스액(S1)이 기판(G)에 공급된다.As shown in FIG. 4B, when the substrate tip reaches the third conveying section M3 (first ridge 2a), a low flow rate (eg, For example, the rinse liquid S1 is supplied to the substrate G at a flow rate of 0.0247 to 0.074 m / s, i.e., the impact at the time of discharge becomes small.

이에 의해, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 기판 상에는 현상액(D)[박막부(D2)]의 선단부 부분으로부터, 그다지 거리를 두지 않고 린스액(S)의 박막부(S1)가 형성된다.As a result, as shown in Fig. 5B, the thin film portion S1 of the rinse liquid S is formed on the substrate from the distal end portion of the developing solution D (thin film portion D2) without any distance. do.

즉, 현상액(D)의 박막부(D2)와 린스액(S)의 박막부(S1) 사이에 형성되는 액 끊김 영역(E)의 기판 반송 방향의 폭은 현상 얼룩의 발생에 영향을 미치지 않는 미소한 것으로 된다.That is, the width | variety of the board | substrate conveyance direction of the liquid interruption area | region E formed between the thin film part D2 of the developing solution D and the thin film part S1 of the rinse liquid S does not affect the development unevenness | development. It becomes a minute.

상기 제1 린스 노즐(22)로부터 린스액(S1)이 공급된 기판(G)에는 린스액(S)이 도중에 끊기지 않도록, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이 제2 린스 노즐(23)로부터 더 고유속(예를 들어, 1.7581m/s)으로, 즉 토출 시의 임펙트가 보다 커지는 유속으로 린스액(S2)이 공급된다. 이에 의해, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이 린스액(S)의 박막부(S1)에 계속해서 후막부(S2)가 형성된다.The second rinse nozzle 23 as shown in FIG. 4C so that the rinse liquid S is not interrupted to the substrate G supplied with the rinse liquid S1 from the first rinse nozzle 22. From the rinse liquid S2 at a higher flow rate (for example, 1.7581 m / s), that is, at a flow rate at which the impact at the time of discharge becomes larger. Thereby, as shown in FIG.5 (c), the thick film part S2 is formed in the thin film part S1 of the rinse liquid S continuously.

이와 같이 하여, 기판(G)이 제2 반송 구간(M2)으로부터 제3 반송 구간(M3)으로 반송됨에 따라서, 기판 상의 현상액(D)은 린스액(S)으로 치환되어 간다. 즉, 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이 기판(G)의 전체가 제3 반송 구간(M3)까지 반송된 시점에서는, 도 5의 (d)에 도시한 바와 같이 기판(G)의 상면은 모두 린스액(S2)으로 치환되어 현상이 정지한다.In this way, as the board | substrate G is conveyed from the 2nd conveyance section M2 to the 3rd conveyance section M3, the developing solution D on a board | substrate is replaced by the rinse liquid S. As shown in FIG. That is, as shown in FIG.4 (d), when the whole board | substrate G is conveyed to 3rd conveyance section M3, as shown in FIG.5 (d), the upper surface of the board | substrate G is shown. Are all replaced with rinse liquid (S2), and the development stops.

또한, 기판(G)의 전방으로 흘러내린 현상액 및 린스액은 팬(17)에 수용되어 모인다.In addition, the developer and the rinse liquid flowing down the front of the substrate G are accommodated in the fan 17 and collected.

이와 같이 기판(G) 상의 처리액을 현상액(D)으로부터 린스액(S)으로 치환하는 처리에 있어서는, 에어 노즐(21)로부터 분사되는 에어 커튼 형상의 가스류에 의해, 기판 경사면을 흘러내려 박막 형상으로 된 현상액(D)이 기판 융기부(Ga) 부근까지 늘려져, 즉시 제1 린스 노즐(22)에 의해 기판 융기부(Ga) 부근에 린스액(S)이 공급된다. 이로 인해, 기판(G) 상의 액 끊김 영역이 미소로 되어, 시간을 거의 두지 않고 기판 상의 현상액(D)을 린스액(S)으로 치환할 수 있다.Thus, in the process of replacing the process liquid on the board | substrate G with the rinse liquid S from the developing solution D, the board | substrate inclined surface flows by the air curtain-shaped gas stream injected from the air nozzle 21, and a thin film The developing solution D in the shape is extended to the vicinity of the substrate ridge Ga, and the rinse liquid S is immediately supplied to the vicinity of the substrate ridge Ga by the first rinse nozzle 22. For this reason, the liquid disconnection area | region on the board | substrate G becomes minute, and the developing solution D on a board | substrate can be substituted by the rinse liquid S, almost without time.

또한, 상기 에어 커튼 형상의 가스류에 의해, 제1 린스 노즐(22)로부터 공급된 린스액(S)이 반송 방향 반대측[제2 반송 구간(M2)]으로 흘러내리지 않도록 막아지므로, 현상액(D)과 린스액(S)이 거의 섞이지 않는 상태로 할 수 있다.In addition, since the rinse liquid S supplied from the first rinse nozzle 22 is prevented from flowing down to the side opposite to the conveying direction (second conveying section M2) by the air curtain-shaped gas stream, the developing solution D ) And the rinse liquid (S) can be in a state of almost no mixing.

따라서, 종래와 같이 현상액(D)이 흘러내려 얼룩으로 남은 상태로 방치되는 시간이 거의 없어, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.Therefore, there is almost no time left for the developing solution D to flow down and remain in the stain as in the prior art, and thus the development of the developing stain can be suppressed.

또한, 에어 노즐(21)로부터 분사되는 에어 커튼 형상의 가스류가, 기판 반송 방향(하류측)을 향하게 되어 있으므로, 현상액(D)에 기복이 생기지 않아, 미소한 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.In addition, since the air curtain-like gas stream injected from the air nozzle 21 faces the substrate conveyance direction (downstream side), no ups and downs occur in the developing solution D, and the occurrence of minute developing unevenness can be suppressed. have.

현상 처리를 종료한 기판(G)은 수평한 제4 반송 구간(M4)을 통과하여, 다음의 제5 반송 구간(M5)에서 제2 융기부(2b)의 오르막 경사로를 오른다. 이때, 기판(G) 상에 남아 있는 치환용 린스액이 기판 전단부측으로부터 후방으로 중력에 의해 이동하여 기판 후단부로부터 흘러내린다. 또한, 상방의 린스 노즐(24)로부터 기판(G) 상에 1차 세정용 린스액이 공급되어, 오래된 린스액을 몰아내면서 이 새로운 린스액도 기판 후단부로부터 흘러내린다.The board | substrate G which completed the image development process passes the horizontal 4th conveyance section M4, and climbs the uphill slope of the 2nd ridge 2b in the next 5th conveyance section M5. At this time, the substitution rinse liquid remaining on the substrate G moves from the substrate front end side to the rear by gravity and flows down from the rear end portion of the substrate. In addition, the primary rinse liquid is supplied from the upper rinse nozzle 24 onto the substrate G, and the new rinse liquid also flows out from the rear end of the substrate while driving out the old rinse liquid.

기판의 후방으로 흘러내린 린스액은 팬(17)에 수용되어 모인다. 이와 같이 하여, 제2 융기부(2b)의 정점을 넘는 기판(G)은 그 상면에 1차 세정용 린스액이 얇은 액막으로 남아 있는 상태에서, 제2 융기부(2b)의 내리막 경사로[제6 반송 구간(M6)]에 다다른다.Rinse liquid flowing down the back of the substrate is accommodated in the fan 17 and collected. Thus, the board | substrate G beyond the vertex of the 2nd ridge part 2b is the downhill ramp of the 2nd ridge part 2b, in the state which the rinse liquid for primary washing | cleaning remains on the upper surface as a thin liquid film. 6 return section M6].

계속해서, 제2 융기부(2b)의 내리막 경사로(M6)를 기판(G)이 내려갈 때에는, 상방의 린스 노즐(25)에 의해 기판(G) 상에 2차 세정용 새로운 린스액이 공급되어, 기판(G) 상에 얇게 남아 있던 1차 세정액을 전방으로 몰아내면서 새로운 린스액도 기판 전단부로부터 흘러내린다. 기판(G)의 전방으로 흘러내린 린스액은 팬(17)에 수용되어 모인다.Subsequently, when the substrate G descends the downhill slope M6 of the second ridge 2b, a new rinse liquid for secondary cleaning is supplied onto the substrate G by the upper rinse nozzle 25. The new rinse liquid also flows out from the front end of the substrate while driving the first washing liquid that remained thin on the substrate G forward. The rinse liquid flowing down the front of the substrate G is accommodated in the fan 17 and collected.

상기와 같이 하여 린스 처리를 종료한 기판(G)은 수평한 제7 반송 구간(M7)을 통과하여, 다음의 제8 반송 구간(M8)에서 올림 단차부(2c)의 경사로를 오른다. 이때, 기판(G) 상에 남아 있는 마무리용 린스액이 기판 전단부측으로부터 후방으로 중력에 의해 이동하여 기판 후단부로부터 흘러내린다. 또한, 상방의 린스 노즐(26)로부터 기판(G) 상으로 최종 세정용 린스액이 공급되어, 오래된 린스액을 몰아내면서 이 새로운 린스액도 기판 후단부로부터 흘러내린다. 기판(G)의 후방으로 흘러내린 린스액은 팬(17)에 수용되어 모인다.The board | substrate G which finished the rinse process as mentioned above passes through the horizontal 7th conveyance section M7, and climbs the incline of the raising step part 2c in the 8th conveyance section M8 next. At this time, the finish rinse liquid remaining on the substrate G moves from the substrate front end side to the rear by gravity and flows down from the substrate rear end. Further, the final rinse liquid is supplied from the upper rinse nozzle 26 onto the substrate G, and the new rinse liquid also flows out from the rear end of the substrate while driving out the old rinse liquid. The rinse liquid flowing down the back of the substrate G is accommodated in the fan 17 and collected.

그리고, 기판(G)이 단차부(2c)를 올라가, 건조부(5)측, 즉 제9 반송 구간(M9) 내의 상단 반송로로 들어가면, 에어 나이프(20)가 기판(G)에 대해 반송 방향과 역방향으로 고압 가스류를 분사함으로써, 기판(G) 상의 남아 있던 린스액이 기판 후방으로 모여 기판 후단부로부터 몰아내어진다(액이 끊김). 기판(G)의 후방으로 날려진 린스액은 팬(17)에 수용되어 모인다.And when the board | substrate G raises the step part 2c and enters the upper conveyance path in the drying part 5 side, ie, 9th conveyance section M9, the air knife 20 conveys with respect to the board | substrate G. By injecting a high-pressure gas flow in the reverse direction, the remaining rinse liquid on the substrate G gathers behind the substrate and is driven out of the rear end of the substrate (liquid breaks). The rinse liquid blown to the rear of the substrate G is accommodated in the fan 17 and collected.

이와 같이 하여 현상 유닛(DEV)(1) 내에서 일련의 현상 처리 공정을 종료한 기판(G)은 그대로 반송 라인(2) 상을 똑바로 이동하여 후단의 처리부로 보내진다.Thus, the board | substrate G which completed the series of image development process in the image development unit DEV 1 is moved up on the conveyance line 2 as it is, and is sent to the process part of a rear end.

이상과 같이, 본 발명에 관한 실시 형태에 따르면, 현상액(D)이 공급되어 평류 반송되는 기판(G)에 대해, 상기 현상액(D)의 회수 시에 에어 나이프(21)에 의해 기판 폭 방향으로 직선 형상으로 연장되는 커튼 형상의 가스류가 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사된다. 이에 의해, 기판(G)으로부터 제거되는 현상액(D)의 전단부(상류측)가 늘려진다.As mentioned above, according to embodiment which concerns on this invention, with respect to the board | substrate G to which the developing solution D is supplied and flow-flow conveyed, it is carried out by the air knife 21 in the board | substrate width direction at the time of collection | recovery of the said developing solution D. The curtain-like gas stream extending in a straight line shape is injected toward either the vertical direction or the downstream in the conveying direction. Thereby, the front end part (upstream side) of the developing solution D removed from the board | substrate G increases.

그리고, 현상액(D)이 제거된 기판면에 대해 즉시 제1 린스 노즐(22)에 의해 저유속(토출 시의 임펙트가 작은 유속)으로 린스액(S)이 공급되고, 또한 제2 린스 노즐(23)로부터, 보다 고유속(토출 시의 임펙트가 보다 큰 유속)으로 린스액(S)이 공급된다. 이에 의해, 기판(G) 상의 현상액(D)이 린스액(S)으로 치환되는 동안의 액 끊김 영역이 미소한 것으로 되어, 현상액(D)을 즉시 린스액(S)으로 치환할 수 있다.Then, the rinse liquid S is immediately supplied to the substrate surface from which the developer D has been removed at a low flow rate (low flow rate when impact is small) by the first rinse nozzle 22, and further, the second rinse nozzle ( From 23), the rinse liquid S is supplied at a higher flow rate (flow rate at which the impact is greater at the time of discharge). Thereby, the liquid disconnection area | region during which the developing solution D on the board | substrate G is substituted by the rinse liquid S becomes minute, and the developing solution D can be replaced by the rinse liquid S immediately.

그 결과, 종래와 같이 현상액(D)이 흘러내려 얼룩 상에 남은 상태로 방치되는 시간이 거의 없어, 현상 얼룩의 발생을 억제할 수 있다.As a result, there is almost no time left for the developing solution D to flow and remain on the stain as in the prior art, and the occurrence of developing stain can be suppressed.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 상기 에어 나이프(21), 제1 린스 노즐(22), 제2 린스 노즐(23)을 제1 융기부(2a)의 상방에 배치하고, 제2 반송 구간(M2)의 오르막 경사에 의해 기판 상으로부터 현상액(D)을 제거하는 구성으로 하였지만, 본 발명에 있어서는, 그것으로 한정되는 것이 아니다.Moreover, in the said embodiment, the said air knife 21, the 1st rinse nozzle 22, and the 2nd rinse nozzle 23 are arrange | positioned above the 1st raised part 2a, and 2nd conveyance section M2 is carried out. Although the developing solution D is removed from the substrate by the uphill incline, the present invention is not limited thereto.

예를 들어, 수평한 반송로의 상방에 상기 에어 나이프(21), 제1 린스 노즐(22), 제2 린스 노즐(23)을 모두 배열하여 배치한 구성이라도 좋다. 그 경우, 기판 상의 현상액의 제거는 에어 나이프(21)로부터 분사하는 상기 커튼 형상의 고압 가스류에 의해 행할 수 있다.For example, the structure which arrange | positioned and arrange | positioned all the said air knife 21, the 1st rinse nozzle 22, and the 2nd rinse nozzle 23 above a horizontal conveyance path may be sufficient. In that case, removal of the developing solution on a board | substrate can be performed by the said curtain-shaped high pressure gas flow which injects from the air knife 21. FIG.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 에어 나이프(21)와 제1 린스 노즐(22)을 별체로 하여 도시하였지만, 일체물로서 구성해도 좋다.In addition, in the said embodiment, although the air knife 21 and the 1st rinse nozzle 22 were shown separately, you may comprise as an integrated body.

또한, 상기 실시 형태에 도시한 각 린스 노즐은 기판 폭 방향으로 연장되는 장척형 노즐로서 도시하였지만, 그것으로 한정되지 않고, 미세 직경 토출구를 각각 갖는 복수의 노즐(예를 들어, 스프레이 타입의 노즐)을 기판 폭 방향으로 배열하여 구성하도록 해도 좋다.In addition, although each rinse nozzle shown in the said embodiment was shown as the elongate nozzle extended in the board | substrate width direction, it is not limited to that, It is a several nozzle (for example, a spray type nozzle) each having a fine diameter discharge port. May be arranged in the substrate width direction.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 제1 린스 노즐(22)에 의한 토출 시의 임펙트가, 제2 린스 노즐(23)의 토출보다도 작아지도록 토출 유속을 규정하였지만, 제1 린스 노즐(22)과 제2 린스 노즐(23)의 노즐 형상이 동일하면, 토출 유량에 의해 규정할 수도 있다.In addition, in the said embodiment, although the discharge flow velocity was prescribed | regulated so that the impact at the time of discharge by the 1st rinse nozzle 22 may become smaller than the discharge of the 2nd rinse nozzle 23, the 1st rinse nozzle 22 and the 1st If the nozzle shapes of the 2 rinse nozzles 23 are the same, it can also be prescribed | regulated by discharge flow volume.

1 : 현상 유닛(기판 처리 장치)
2 : 반송 라인(기판 반송로)
9 : 현상액 공급 노즐(제1 처리액 공급 수단)
21 : 에어 나이프(기체 공급 수단)
22 : 제1 린스 노즐(제1 린스액 공급 수단)
23 : 제2 린스 노즐(제2 린스액 공급 수단)
G : 피처리 기판
D : 현상액(제1 처리액)
M1 : 제1 반송 구간
M2 : 제2 반송 구간
M3 : 제3 반송 구간
S : 린스액(제2 처리액)1: developing unit (substrate processing apparatus)
2: conveying line (substrate conveying path)
9: developing solution supply nozzle (first processing liquid supplying means)
21: air knife (gas supply means)
22: first rinse nozzle (first rinse liquid supply means)
23: second rinse nozzle (second rinse liquid supply means)
G: substrate to be processed
D: Developer (First Treatment Solution)
M1: first conveying section
M2: second conveying section
M3: third return section
S: Rinse Liquid (2nd Treatment Liquid)

Claims (8)

피처리 기판에 제1 처리액을 공급하여 소정의 액처리를 실시하고, 상기 제1 처리액을 회수하여 제2 처리액에 의해 세정하는 기판 처리 장치이며,
상기 피처리 기판을 평류 반송하는 기판 반송로와,
상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판에 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급 수단과,
상기 기판 반송로를 반송되어, 상기 제1 처리액이 공급된 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하는 기체 공급 수단과,
상기 기체 공급 수단에 의해 가스류가 분사되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 제1 린스액 공급 수단과,
상기 제2 처리액이 공급되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 상기 제1 린스액 공급 수단보다도 고유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 제2 린스액 공급 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.It is a substrate processing apparatus which supplies a 1st process liquid to a to-be-processed substrate, performs a predetermined liquid process, collect | recovers the said 1st process liquid, and wash | cleans with a 2nd process liquid,
A substrate conveying path for carrying out the flat flow conveyance of the substrate to be processed;
First processing liquid supply means for supplying a first processing liquid to the substrate to be processed conveyed by the substrate transfer path;
Gas supply means which conveys the said board | substrate conveyance path and injects a predetermined | prescribed gas flow toward either one of a perpendicular direction and a conveyance direction downstream with respect to the board | substrate surface of the said to-be-processed substrate supplied with the said 1st process liquid,
First rinse liquid supply means for supplying the second processing liquid at a predetermined flow rate to a substrate surface of the substrate to be processed by which gas flow is injected by the gas supply means to convey the substrate transfer path;
A second rinse liquid supply for supplying the second processing liquid at a higher flow rate than the first rinse liquid supplying means to the substrate surface of the processing target substrate supplied with the second processing liquid and transporting the substrate transfer path. And a means for processing the substrate. 제1항에 있어서, 상기 기판 반송로는 수평한 반송로를 형성하는 제1 반송 구간과, 상기 제1 반송 구간에 이어지는 오르막 경사의 반송로를 형성하는 제2 반송 구간과, 상기 제2 반송 구간에 이어지는 내리막 경사의 반송로를 형성하는 제3 반송 구간을 갖고,
상기 제1 처리액 공급 수단은 상기 제1 반송 구간에 설치되고, 상기 기체 공급 수단은 상기 제2 반송 구간에 설치되고, 상기 제1 린스액 공급 수단 및 제2 린스액 공급 수단은 상기 제2 반송 구간과 제3 반송 구간에 의해 반송로에 형성되는 융기부의 상방에 배치되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The said board | substrate conveyance path is a 1st conveyance section which forms a horizontal conveyance path, the 2nd conveyance section which forms the conveyance path of an uphill inclination following the said 1st conveyance section, and the said 2nd conveyance section. Has a third conveying section forming a conveying path of a downhill slope following
The first processing liquid supplying means is provided in the first conveying section, the gas supplying means is provided in the second conveying section, and the first rinse liquid supplying means and the second rinse liquid supplying means are the second conveying. It is arrange | positioned above the ridge formed in a conveyance path by a section and a 3rd conveyance section, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기체 공급 수단에 의해 상기 피처리 기판의 기판면에 분사되는 가스류는, 기판 폭 방향으로 직선 형상으로 연장되는 커튼 형상의 가스류인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The gas flow injected into the board | substrate surface of the said to-be-processed board | substrate by the said gas supply means is a curtain-shaped gas stream extended linearly in the board | substrate width direction, The board | substrate of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned. Processing unit. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 린스액 공급 수단은 상기 제2 처리액을 토출하는 린스 노즐을 갖고,
상기 린스 노즐은 상기 기판 반송로를 반송되는 피처리 기판의 기판면에 대해, 그 토출 방향이 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The said 2nd rinse liquid supply means has a rinse nozzle which discharges the said 2nd process liquid,
The said rinse nozzle is arrange | positioned with respect to the board | substrate surface of the to-be-processed board | substrate which conveys the said board | substrate conveyance path in the state which the discharge direction toward either downstream direction or a conveyance direction downstream side. 피처리 기판에 제1 처리액을 공급하여 소정의 액처리를 실시하고, 상기 제1 처리액을 회수하여 제2 처리액에 의해 세정하는 기판 처리 방법이며,
기판 반송로에 있어서 상기 피처리 기판을 평류 반송하여, 기판 상에 제1 처리액을 공급하는 스텝과,
상기 기판 반송로를 반송되어, 상기 제1 처리액이 공급된 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하는 스텝과,
상기 소정의 가스류가 분사되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 스텝과,
상기 제2 처리액이 공급되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 보다 고유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.It is a substrate processing method which supplies a 1st process liquid to a to-be-processed substrate, performs a predetermined | prescribed liquid process, collect | recovers the said 1st process liquid, and wash | cleans with a 2nd process liquid,
In a substrate conveying path, performing a stepwise conveyance of the substrate to be processed to supply a first processing liquid onto the substrate;
A step of injecting a predetermined gas flow toward either the vertical direction or the transport direction downstream side to the substrate surface of the processing target substrate to which the substrate transport path is transported and the first processing liquid is supplied;
Supplying the second processing liquid at a predetermined flow rate to the substrate surface of the substrate to be processed in which the predetermined gas flow is injected to convey the substrate conveying path;
The substrate processing method is characterized in that the step of supplying the second processing liquid at a higher flow rate is performed to the substrate surface of the processing target substrate to which the second processing liquid is supplied and the substrate conveying path is conveyed. . 제5항에 있어서, 상기 제1 처리액이 공급된 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 소정의 가스류를 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 분사하는 스텝은, 오르막 경사로 된 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판에 대해 실행되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.The step of injecting a predetermined gas flow toward any one of the vertical direction and the transport direction downstream side with respect to the board | substrate surface of the said to-be-processed board | substrate to which the said 1st process liquid was supplied is the said inclined uphill. A substrate processing method, characterized in that the substrate conveying path is carried out on the substrate to be conveyed. 제6항에 있어서, 상기 소정의 유속으로 제2 처리액이 공급되어, 상기 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판의 기판면에 대해, 보다 고유속으로 상기 제2 처리액을 공급하는 스텝은, 상기 오르막 경사의 기판 반송로에 이어지는 내리막 경사의 기판 반송로를 반송되는 상기 피처리 기판에 대해 실행되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.The step of supplying the second processing liquid at a higher flow rate to the substrate surface of the to-be-processed substrate to which the second processing liquid is supplied at the predetermined flow rate and the substrate conveying path is conveyed is The substrate processing method of the said to-be-processed board | substrate which conveys the board | substrate conveyance path of the downhill slope following the board | substrate conveyance path of the uphill inclination is performed. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송로를 반송되는 피처리 기판의 기판면에 대해, 연직 방향 내지 반송 방향 하류측 중 어느 한쪽을 향해 상기 제2 처리액이 토출되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.The said 2nd process liquid of any one of Claims 5-7 with which the said 2nd process liquid is discharged toward either the perpendicular direction or the conveyance direction downstream side with respect to the board | substrate surface of the to-be-processed substrate conveyed by the said board | substrate conveyance path. The substrate processing method characterized by the above-mentioned.
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