JP2012124309A - Development method, development apparatus, and coating and developing treatment system including the apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist development apparatus that controls substrate transfer speed when supplying developer and substrate transfer speed when removing developer to uniformize resist patterns.SOLUTION: A development unit 30 includes: a first transfer mechanism that transfers a substrate S having an exposed resist film; a developer supply section 30B having a supply nozzle 50 which supplies developer onto the surface of the substrate S transferred by the first transfer mechanism; a development section 30C having a second transfer mechanism which transfers the substrate S whose surface is covered by developer; a blow section 30D having a blow nozzle 51 that ejects gas to completely blows away the developer covering the surface of the substrate S and a third transfer mechanism which transfers the substrate S to the nozzle, a rinse section 30E having a rinse liquid supply nozzle 53 that supplies rinse liquid onto the surface of the substrate S from which the developer is completely blown away; and a control section 60 that controls the first and third transfer mechanisms such that the transfer speed of the substrate S to be transferred to the first transfer mechanism is made different from the transfer speed of the substrate S to be transferred to the third transfer mechanism.

Description

本発明は、フラットパネルディスプレー(FPD)用のガラス基板などに形成されたフォトレジスト膜を現像する現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムに関する。   The present invention relates to a developing method for developing a photoresist film formed on a glass substrate for a flat panel display (FPD), a developing device, and a coating and developing processing system including the developing device.

FPDを製造する工程の一つにフォトリソグラフィー工程がある。この工程においては、FPD用のガラス基板にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定のフォトマスクを用いて露光し、露光されたフォトレジスト膜を現像する各ステップが行われる。   One of the processes for manufacturing the FPD is a photolithography process. In this process, each step of forming a photoresist film on a glass substrate for FPD, exposing the photoresist film using a predetermined photomask, and developing the exposed photoresist film is performed.

FPD用のガラス基板の大型化に伴って、フォトレジスト膜の形成ステップと現像ステップは、一般に、ローラやコロなどを含む搬送機構によりガラス基板を搬送しながら行われる(たとえば特許文献1および2)。   Along with the increase in size of a glass substrate for FPD, a photoresist film forming step and a developing step are generally performed while a glass substrate is being transported by a transport mechanism including rollers, rollers, and the like (for example, Patent Documents 1 and 2). .

フォトレジスト膜の現像ステップでは、ガラス基板への現像液の供給と、所定の時間の現像と、リンス液による現像液の洗い流しと、リンス液の乾燥とがガラス基板を搬送しながら行われる。このようにして形成されるフォトレジストパターンの線幅やビア径などをガラス基板の面内で均一化するため、実質的な現像時間(現像液が供給されて現像が始まってから、リンス液により現像液が洗い流されて現像が停止するまでの時間)をガラス基板の面内で等しくすることが望まれる。このため、ガラス基板に現像液を供給するときの基板搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板搬送速度とを等しくすることが好ましい(特許文献3参照)。   In the development step of the photoresist film, the supply of the developer to the glass substrate, the development for a predetermined time, the washing of the developer with the rinse solution, and the drying of the rinse solution are performed while conveying the glass substrate. In order to make the line width and via diameter of the photoresist pattern formed in this way uniform within the surface of the glass substrate, a substantial development time (after the developer is supplied and development starts, It is desirable to equalize the time until the development is stopped after the developer is washed away in the plane of the glass substrate. For this reason, it is preferable to make equal the board | substrate conveyance speed when supplying a developing solution to a glass substrate, and the board | substrate conveyance speed when washing away a developing solution with a rinse solution (refer patent document 3).

特開2007−5695号公報JP 2007-5695 A 特開2008−159663号公報JP 2008-159663 A 特許第3552187号明細書Japanese Patent No. 3552187

ところで、現像液の再利用のため、たとえばガラス基板を傾けることにより現像液をガラス基板から流し落として現像液を回収する場合がある。この場合、ガラス基板上を現像液が流れるため、その流れの下流側において、フォトレジスト膜が多量の現像液に晒されたり、現像液が実質的に攪拌されたりする。そうすると、現像液の流れの下流側においてフォトレジスト膜の現像が促進され(たとえば線幅が狭くなり)、ガラス基板の面内でフォトレジストパターンが不均一化するおそれがある。すなわち、このような状況においては、ガラス基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板の搬送速度とを等しくしてもフォトレジストパターンの均一化を図ることができない。   By the way, in order to reuse the developing solution, for example, the developing solution may be collected by flowing the developing solution off the glass substrate by tilting the glass substrate. In this case, since the developer flows on the glass substrate, the photoresist film is exposed to a large amount of developer or the developer is substantially stirred on the downstream side of the flow. As a result, development of the photoresist film is promoted on the downstream side of the flow of the developer (for example, the line width becomes narrow), and the photoresist pattern may become nonuniform in the plane of the glass substrate. That is, in such a situation, even if the conveyance speed of the substrate when supplying the developer to the glass substrate is equal to the conveyance speed of the substrate when washing away the developer with the rinse solution, the photoresist pattern is made uniform. I can't plan.

また、搬送されているガラス基板の搬送方向の前端近傍に現像液が供給されるとき(すなわち現像液の供給が開始されるとき)には、現像液の供給量(または供給速度)や基板搬送速度によっては、ガラス基板上の現像液に乱流が生じたり、現像液が回流したりすることによって現像が促進される場合がある。この場合、ガラス基板の後端側に比べて前端側において、たとえば線幅が狭くなる事態となる。すなわち、このような状況においても、ガラス基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板の搬送速度とを等しくしてもフォトレジストパターンの均一化を図ることができない。   Further, when the developer is supplied near the front end in the transport direction of the glass substrate being transported (that is, when the supply of the developer is started), the developer supply amount (or supply speed) and the substrate transport Depending on the speed, turbulent flow may occur in the developer on the glass substrate, or development may be promoted by circulating the developer. In this case, for example, the line width becomes narrower on the front end side than on the rear end side of the glass substrate. That is, even in such a situation, even if the substrate transport speed when supplying the developer to the glass substrate is equal to the substrate transport speed when the developer is washed away with the rinse solution, the photoresist pattern is made uniform. I can't plan.

本発明は、上記の事情に鑑みて為され、基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、現像液を除去するときの基板の搬送速度とを制御することにより、基板の面内でフォトレジストパターンを均一化することが可能なフォトレジストの現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムを提供する。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and controls the substrate transport speed when supplying the developer to the substrate and the substrate transport speed when removing the developer, so that the in-plane of the substrate is controlled. A photoresist developing method, a developing apparatus, and a coating and developing processing system including the same can be provided.

本発明の第1の態様によれば、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を第1の搬送速度で搬送しながら、当該表面に現像液を供給する工程と、前記現像液で表面が覆われた前記基板を第2の搬送速度で搬送する工程と、前記第1の搬送速度と異なる第3の搬送速度で前記基板を搬送しながら、当該基板の表面を覆う現像液を気体で吹き切る工程と、前記吹き切る工程に引き続いて前記基板を前記第3の搬送速度で搬送しながら、前記表面にリンス液を供給する工程とを含むフォトレジスト膜の現像方法が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the step of supplying a developing solution to the surface of the substrate having the exposed photoresist film on the surface while conveying the substrate at the first conveying speed; A process of transporting the covered substrate at a second transport speed and a developer covering the surface of the substrate with a gas while transporting the substrate at a third transport speed different from the first transport speed. There is provided a method for developing a photoresist film, including a step of cutting and a step of supplying a rinsing liquid to the surface while transporting the substrate at the third transport speed following the step of blowing off.

本発明の第2の態様によれば、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を搬送する第1の搬送機構、および該第1の搬送機構で搬送される前記基板の表面に現像液を供給する供給ノズルを有する現像液供給部と、前記供給ノズルから供給された前記現像液で表面が覆われた前記基板を搬送する第2の搬送機構を有する現像部と、気体を吐出して前記基板の表面を覆う前記現像液を吹き切るブローノズル、および該ブローノズルに向けて前記基板を搬送する第3の搬送機構を有するブロー部と、前記現像液が吹き切られた前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルを有するリンス部と、前記第1の搬送機構により搬送される前記基板の第1の搬送速度と、前記第3の搬送機構により搬送される前記基板の第3の搬送速度とが異なるように前記第1の搬送機構および前記第3の搬送機構を制御する制御部とを備えるフォトレジスト膜の現像装置が提供される。   According to the second aspect of the present invention, the first transport mechanism transports the substrate having the exposed photoresist film on the surface, and the developer is applied to the surface of the substrate transported by the first transport mechanism. A developer supply unit having a supply nozzle to supply; a developing unit having a second transport mechanism for transporting the substrate whose surface is covered with the developer supplied from the supply nozzle; and A blow nozzle that blows off the developer covering the surface of the substrate, a blow unit having a third transport mechanism that transports the substrate toward the blow nozzle, and a surface of the substrate where the developer is blown off A rinse part having a rinse liquid supply nozzle for supplying a rinse liquid, a first transport speed of the substrate transported by the first transport mechanism, and a third of the substrate transported by the third transport mechanism Transport speed The developing device of a photoresist film and a control unit for controlling the first conveying mechanism and the third conveying mechanism such that different is provided.

本発明の第3の態様によれば、基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成装置と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する、第2の態様のフォトレジスト膜の現像装置とを備える塗布現像処理システムが提供される。   According to a third aspect of the present invention, a photoresist film forming apparatus that forms a photoresist film on a substrate, and a photoresist film developing apparatus according to the second aspect that develops the exposed photoresist film. A coating and developing treatment system is provided.

本発明の実施形態によれば、基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、現像液を除去するときの基板の搬送速度とを制御することにより、基板の面内でフォトレジストパターンを均一化することが可能なフォトレジストの現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムが提供される。   According to an embodiment of the present invention, the photoresist pattern is controlled within the surface of the substrate by controlling the substrate conveyance speed when supplying the developer to the substrate and the substrate conveyance speed when removing the developer. A photoresist developing method, a developing apparatus, and a coating and developing processing system including the same are provided.

本発明の実施形態による塗布現像処理システムを概略的に示す上面図である。1 is a top view schematically showing a coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention. 図1の塗布現像処理システムに設けられる、本発明の実施形態による現像装置を示す図である。It is a figure which shows the image development apparatus by embodiment of this invention provided in the application | coating development processing system of FIG. 図2の現像装置の動作を説明する図である。It is a figure explaining operation | movement of the image development apparatus of FIG. 図3に引き続いて図2の現像装置の動作を説明する他の図である。FIG. 4 is another view for explaining the operation of the developing device of FIG. 2 following FIG. 3. 図4に引き続いて図2の現像装置の動作を説明する別の図である。FIG. 5 is another diagram for explaining the operation of the developing device of FIG. 2 following FIG. 4. 図5に引き続いて図2の現像装置の動作を説明するまた別の図である。FIG. 6 is another diagram for explaining the operation of the developing device of FIG. 2 following FIG. 5.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態による現像装置およびこれを備える塗布現像処理システムを説明する。以下の説明において、同一または対応する部品または部材には、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。   Hereinafter, a developing device according to an embodiment of the present invention and a coating and developing treatment system including the same will be described with reference to the accompanying drawings. In the following description, the same or corresponding parts or members are denoted by the same or corresponding reference numerals, and redundant description is omitted.

まず、図1を参照しつつ、本発明の実施形態によるフォトレジストの塗布現像処理システムを説明する。
図示のとおり、塗布現像処理システム100は、複数のガラス基板S(以下、単に基板Sと記す)を収容するカセットCが載置されるカセットステーション1と、基板Sにフォトレジストの塗布および現像を含む一連の処理を行う処理ステーション2と、処理ステーション2において基板Sの表面に形成されたフォトレジスト膜を露光する露光装置9との間で基板Sの受け渡しを行うインターフェースステーション4とを備えている。カセットステーション1、処理ステーション2、およびインターフェースステーション4は、図中のX方向に沿って配置されている。
First, a photoresist coating and developing system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in the figure, the coating and developing treatment system 100 includes a cassette station 1 on which a cassette C that accommodates a plurality of glass substrates S (hereinafter simply referred to as “substrates S”) is placed, and coating and developing photoresist on the substrates S. A processing station 2 that performs a series of processes including the interface station 4 that transfers the substrate S to and from an exposure apparatus 9 that exposes a photoresist film formed on the surface of the substrate S in the processing station 2. . The cassette station 1, the processing station 2, and the interface station 4 are arranged along the X direction in the figure.

カセットステーション1は、カセットCを図中のY方向に並置可能な載置台12と、載置台12のX方向側に結合され、処理ステーション2との間で基板Sの搬入出を行う搬送装置11とを備える。搬送装置11は搬送アーム11aを有し、搬送アーム11aは、Y方向に延びるガイド10に沿って移動可能であり、上下動、前後動および水平回転可能である。   The cassette station 1 is connected to a mounting table 12 in which the cassette C can be juxtaposed in the Y direction in the figure, and a transfer device 11 that carries the substrate S into and out of the processing station 2 from the mounting table 12. With. The transport device 11 includes a transport arm 11a, and the transport arm 11a can move along a guide 10 extending in the Y direction, and can move up and down, move back and forth, and rotate horizontally.

処理ステーション2には、カセットステーション1からインターフェースステーション4に向う方向に、エキシマUV照射ユニット(e−UV)21、スクラブ洗浄ユニット(SCR)22、プレヒートユニット(PH)23、アドヒージョンユニット(AD)24、冷却ユニット(COL)25、フォトレジスト塗布ユニット(CT)26、減圧乾燥ユニット(DP)27、加熱処理ユニット(HT)28、および冷却ユニット(COL)29がこの順に配列されている。
また、処理ステーション2には、インターフェースステーション4からカセットステーション1に向う方向に、現像ユニット(DEV)30、加熱処理ユニット(HT)31、冷却ユニット(COL)32、および検査装置(IP)35がこの順に配列されている。
The processing station 2 includes an excimer UV irradiation unit (e-UV) 21, a scrub cleaning unit (SCR) 22, a preheat unit (PH) 23, an adhesion unit (AD) in the direction from the cassette station 1 to the interface station 4. ) 24, a cooling unit (COL) 25, a photoresist coating unit (CT) 26, a vacuum drying unit (DP) 27, a heat treatment unit (HT) 28, and a cooling unit (COL) 29 are arranged in this order.
The processing station 2 includes a developing unit (DEV) 30, a heating processing unit (HT) 31, a cooling unit (COL) 32, and an inspection device (IP) 35 in the direction from the interface station 4 to the cassette station 1. They are arranged in this order.

これらのユニット(およびユニット間)には、現像ユニット30におけるコロ170(後述)を含むコロ搬送機構と同様のコロ搬送機構が設けられている。これにより、基板Sは、図中の矢印Aで示す搬送ラインAと、矢印Bで示す搬送ラインBとに沿って上記のユニットに順に搬送される。   In these units (and between the units), a roller transport mechanism similar to the roller transport mechanism including the roller 170 (described later) in the developing unit 30 is provided. Thereby, the board | substrate S is conveyed in order to said unit along the conveyance line A shown by the arrow A and the conveyance line B shown by the arrow B in a figure.

このように構成されたフォトレジスト塗布現像処理システム100において、基板Sは以下のように処理される。
まず、搬送装置11の搬送アーム11aにより、カセットステーション1の載置台12に載置されたカセットCから基板Sが取り出され、搬送ラインAに沿って、処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット21へと搬送される。ここで、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Sに対して紫外域光が照射され、基板S上に吸着した有機物が除去される。次にスクラブ洗浄ユニット22へ基板Sが搬送され、洗浄液(たとえば脱イオン水(DIW))が基板Sに供給されつつブラシ等の洗浄部材により基板Sの表面が洗浄され、ブロワー等により乾燥される。洗浄乾燥された基板Sは、プレヒートユニット23へ搬送され、加熱されて更に乾燥される。次いで基板Sは、アドヒージョンユニット24へ搬送され、加熱した基板Sに対してヘキサメチルジシラン(HMDS)を吹き付けることにより基板Sに対して疎水化処理が行われる。疎水化処理後、基板Sは冷却ユニット25へ搬送され、基板Sに対して冷風を吹き付けることによって基板Sが冷却され、所定の温度に維持される。
In the photoresist coating and developing processing system 100 configured as described above, the substrate S is processed as follows.
First, the substrate S is taken out from the cassette C mounted on the mounting table 12 of the cassette station 1 by the transfer arm 11 a of the transfer device 11, and is transferred along the transfer line A to the excimer UV irradiation unit 21 of the processing station 2. Be transported. Here, the ultraviolet light is emitted to the substrate S from the ultraviolet light lamp that emits ultraviolet light, and the organic matter adsorbed on the substrate S is removed. Next, the substrate S is transported to the scrub cleaning unit 22, and the surface of the substrate S is cleaned by a cleaning member such as a brush while a cleaning liquid (for example, deionized water (DIW)) is supplied to the substrate S, and dried by a blower or the like. . The washed and dried substrate S is conveyed to the preheat unit 23, heated, and further dried. Next, the substrate S is transported to the adhesion unit 24, and the substrate S is subjected to a hydrophobic treatment by spraying hexamethyldisilane (HMDS) on the heated substrate S. After the hydrophobization treatment, the substrate S is transported to the cooling unit 25, and the substrate S is cooled by blowing cold air against the substrate S, and is maintained at a predetermined temperature.

続けて基板Sは、フォトレジスト塗布ユニット26へ搬送される。フォトレジスト塗布ユニット26内では、基板Sが搬送ラインAに沿って移動しながら、基板S上にフォトレジスト液が供給され、基板S上にフォトレジスト膜が形成される。   Subsequently, the substrate S is transported to the photoresist coating unit 26. In the photoresist coating unit 26, the photoresist liquid is supplied onto the substrate S while the substrate S moves along the transport line A, and a photoresist film is formed on the substrate S.

フォトレジスト膜が形成された基板Sは、搬送ラインA上を搬送されて、内部空間を減圧可能に構成される減圧乾燥ユニット27へ搬送され、減圧雰囲気下でフォトレジスト膜が乾燥される。次に、基板Sは加熱処理ユニット28へ搬送される。ここでは、基板Sが加熱され、フォトレジスト膜に含まれる溶剤等が除去される。加熱処理後、基板Sは冷却ユニット29へ搬送され、基板Sに対して冷風を吹き付けることによって基板Sが冷却される。   The substrate S on which the photoresist film is formed is transported on the transport line A and transported to the vacuum drying unit 27 configured to be able to decompress the internal space, and the photoresist film is dried in a decompressed atmosphere. Next, the substrate S is transported to the heat treatment unit 28. Here, the substrate S is heated, and the solvent and the like contained in the photoresist film are removed. After the heat treatment, the substrate S is transported to the cooling unit 29, and the substrate S is cooled by blowing cold air onto the substrate S.

冷却ユニット29で冷却された基板Sは、搬送ラインA上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション4の上下動、前後動および水平回転可能な搬送アーム43によって基板Sの受け渡し部であるロータリーステージ(RS)44に搬送される。次に、基板Sは、搬送アーム43によって外部装置ブロック90の周辺露光装置(EE)に搬送される。周辺露光装置(EE)では、基板Sの外周部のフォトレジスト膜を除去するため、基板Sに対して露光処理が行われる。続いて、基板Sは、搬送アーム43により露光装置9に搬送され、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを介してフォトレジスト膜が露光される。なお、基板Sは、ロータリーステージ44上のバッファカセットに一時的に収容された後に、露光装置9に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Sは、搬送アーム43により外部装置ブロック90のタイトラー(TITLER)に搬送され、ここで所定の情報が基板Sに書き込まれる。   After the substrate S cooled by the cooling unit 29 is transported to the downstream end on the transport line A, the substrate S is transferred by the transport arm 43 that can move up and down, move back and forth, and rotate horizontally. It is conveyed to a certain rotary stage (RS) 44. Next, the substrate S is transported to the peripheral exposure device (EE) of the external device block 90 by the transport arm 43. In the peripheral exposure apparatus (EE), an exposure process is performed on the substrate S in order to remove the photoresist film on the outer peripheral portion of the substrate S. Subsequently, the substrate S is transported to the exposure apparatus 9 by the transport arm 43, and the photoresist film is exposed through a photomask having a pattern corresponding to the circuit pattern. The substrate S may be transported to the exposure apparatus 9 after being temporarily stored in a buffer cassette on the rotary stage 44. The substrate S for which the exposure processing has been completed is transported to a titler (TITLER) of the external device block 90 by the transport arm 43, where predetermined information is written on the substrate S.

その後、基板Sは搬送ラインB上を搬送されて現像ユニット30に至る。現像ユニット30では、後述するように、露光されたフォトレジスト膜が現像液により現像され、リンス液により現像液が洗い流され、リンス液が乾燥される。   Thereafter, the substrate S is transported on the transport line B and reaches the developing unit 30. In the developing unit 30, as will be described later, the exposed photoresist film is developed with a developer, the developer is washed away with a rinse, and the rinse is dried.

次に、基板Sは、搬送ラインB上を搬送されて加熱処理ユニット31に至り、ここで加熱され、フォトレジスト膜に残る溶剤およびリンス液(水分)が除去される。なお、加熱処理ユニット31においても、基板Sは、コロ搬送機構によって搬送ラインB上を搬送されながら加熱される。現像ユニット30と加熱処理ユニット31との間には、現像液の脱色処理を行うi線UV照射ユニットを設けても良い。加熱処理ユニット31での加熱処理が終了した基板Sは、冷却ユニット32搬送されて、ここで冷却される。   Next, the substrate S is transported on the transport line B and reaches the heat treatment unit 31, where it is heated to remove the solvent and rinse liquid (water) remaining in the photoresist film. In the heat treatment unit 31 as well, the substrate S is heated while being transported on the transport line B by the roller transport mechanism. Between the developing unit 30 and the heat treatment unit 31, an i-line UV irradiation unit that performs a decoloring process of the developer may be provided. The substrate S that has been subjected to the heat treatment in the heat treatment unit 31 is transported to the cooling unit 32 and cooled here.

冷却された基板Sは、検査ユニット35へ搬送され、たとえばフォトレジストパターン(ライン)の限界寸法(CD)の測定などの検査が行われる。この後、基板Sは、カセットステーション1に設けられた搬送装置11の搬送アーム11aにより載置台12に載置された所定のカセットCに収容され、一連の処理が終了する。   The cooled substrate S is transported to the inspection unit 35 where inspection such as measurement of a critical dimension (CD) of the photoresist pattern (line) is performed. Thereafter, the substrate S is accommodated in a predetermined cassette C mounted on the mounting table 12 by the transfer arm 11a of the transfer device 11 provided in the cassette station 1, and a series of processes is completed.

次に、図2を参照しながら、本実施形態による現像ユニット30について説明する。図2(a)は、現像ユニット30の概略上面図であり、図2(b)は、現像ユニット30の概略側面図である。これらの図においては、基板Sと現像ユニット30の各部との位置関係を示すため、各部に基板Sが配置された状態を図示している。
図示のとおり、現像ユニット30は、外部装置ブロック90から加熱処理ユニット31(図1参照)に向かう方向に順に配置される導入部30A、現像液供給部30B、現像部30C、ブロー部30D、およびリンス部30Eを有している。
Next, the developing unit 30 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2A is a schematic top view of the developing unit 30, and FIG. 2B is a schematic side view of the developing unit 30. In these drawings, in order to show the positional relationship between the substrate S and each part of the developing unit 30, a state in which the substrate S is arranged in each part is illustrated.
As illustrated, the developing unit 30 includes an introduction unit 30A, a developing solution supply unit 30B, a developing unit 30C, a blowing unit 30D, which are sequentially arranged in a direction from the external device block 90 toward the heat treatment unit 31 (see FIG. 1). A rinse portion 30E is provided.

導入部30Aは、外部装置ブロック90に接続し、表面にフォトレジスト膜が形成された基板Sを外部装置ブロック90から受け取り、現像液供給部30Bへと搬送する。具体的には、導入部30Aには複数の(図示の例では8つの)コロ170が互いに平行に所定の間隔で並べられている。これらのコロ170は、基板Sの幅よりも長く、同じ高さに配置されている。このため、基板Sは、コロ170上に安定に支持される。また、コロ170の各々は、中心軸を回転中心として回転可能であり、駆動装置M1により駆動されて同じ方向に同じ速度で回転することができる。これによりコロ170上の基板Sは所定の搬送速度で搬送される。駆動装置M1はたとえば電動モータであって良い。以下の説明ではモータM1と記す。モータM1は制御部60により制御され、これによりコロ170の回転速度、すなわち基板Sの搬送速度が制御される。   The introduction unit 30A is connected to the external device block 90, receives the substrate S having a photoresist film formed on the surface thereof from the external device block 90, and transports the substrate S to the developer supply unit 30B. Specifically, a plurality of (eight in the illustrated example) rollers 170 are arranged in parallel at a predetermined interval in the introduction portion 30A. These rollers 170 are longer than the width of the substrate S and are arranged at the same height. For this reason, the substrate S is stably supported on the rollers 170. Each of the rollers 170 can be rotated about the central axis as a center of rotation, and can be driven by the driving device M1 to rotate in the same direction at the same speed. Thereby, the substrate S on the roller 170 is transported at a predetermined transport speed. The driving device M1 may be an electric motor, for example. In the following description, it is referred to as a motor M1. The motor M1 is controlled by the control unit 60, and thereby the rotational speed of the roller 170, that is, the transport speed of the substrate S is controlled.

なお、コロ170、モータM1(駆動装置)、および制御部60は、現像液供給部30Bおよび現像部30Cにおいても同様の構成を有し、同様に機能するため、これらの説明は、現像液供給部30Bおよび現像部30Cの説明においては省略する。   The roller 170, the motor M1 (driving device), and the control unit 60 have the same configuration in the developing solution supply unit 30B and the developing unit 30C and function in the same manner. The description of the portion 30B and the developing portion 30C is omitted.

また、現像ユニット30は、導入部30Aと外部装置ブロック90との間に配置される搬入部を有していても良い。搬入部は、導入部30Aと同様の構成を有することができ、外部装置ブロック90と現像ユニット30との間での基板Sの搬送間隔を調整するバッファーとして機能することができる。   Further, the developing unit 30 may have a carry-in unit disposed between the introduction unit 30 </ b> A and the external device block 90. The carry-in unit can have the same configuration as the introduction unit 30 </ b> A, and can function as a buffer that adjusts the conveyance interval of the substrate S between the external device block 90 and the development unit 30.

現像液供給部30Bは導入部30Aと連続するように配置されている。具体的には、導入部30Aと現像液供給部30Bとの境界におけるコロ170の間隔は、導入部30A内および現像液供給部30B内におけるコロ170の間隔とほぼ等しく、かつ、コロ170の配置高さは、導入部30Aと現像液供給部30Bとの間で等しい。これにより、基板Sは、導入部30Aから現像液供給部30Bにスムースに搬入される。また、現像液供給部30Bには、基板Sの表面に現像液を供給する現像液供給ノズル50が設けられている。現像液供給ノズル50は、基板Sの搬送方向と直交する方向(コロ170の長手方向と平行な方向)に延び、図2(a)に示すように、基板Sの幅よりも僅かに長い。現像液供給ノズル50は、所定の間隔をおいて下方に開口する複数の孔(または現像液供給ノズル50の長手方向に延びるスリット)を有しており、基板Sの表面の全幅に対して現像液供給源(図示せず)からの現像液を供給する。また、現像液供給ノズル50は、図2(b)に示すように、導入部30Aと現像液供給部30Bとの境界近くに配置されている。このため、導入部30から現像液供給部30Bへ搬入されるとほぼ同時に基板Sに対する現像液の供給が開始される。   The developer supply unit 30B is disposed so as to be continuous with the introduction unit 30A. Specifically, the distance between the rollers 170 at the boundary between the introduction part 30A and the developer supply part 30B is substantially equal to the distance between the rollers 170 in the introduction part 30A and the developer supply part 30B, and the arrangement of the rollers 170 The height is equal between the introduction unit 30A and the developer supply unit 30B. As a result, the substrate S is smoothly carried into the developer supply unit 30B from the introduction unit 30A. The developer supply unit 30B is provided with a developer supply nozzle 50 that supplies the developer to the surface of the substrate S. The developer supply nozzle 50 extends in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate S (a direction parallel to the longitudinal direction of the rollers 170), and is slightly longer than the width of the substrate S as shown in FIG. The developer supply nozzle 50 has a plurality of holes (or slits extending in the longitudinal direction of the developer supply nozzle 50) that open downward at a predetermined interval, and develops the entire width of the surface of the substrate S. A developer is supplied from a liquid supply source (not shown). Further, as shown in FIG. 2B, the developer supply nozzle 50 is disposed near the boundary between the introduction section 30A and the developer supply section 30B. For this reason, the supply of the developing solution to the substrate S is started almost simultaneously with the carry-in from the introduction unit 30 to the developing solution supply unit 30B.

現像部30Cは現像液供給部30Bと連続するように配置されている。基板Sは、現像液供給部30Bにおいて供給された現像液で表面が覆われた状態で、現像液供給部30Bから現像部30Cへ搬入され、同じ状態で現像部30C内を搬送される。
ブロー部30Dは現像部30Cと連続するように配置されている。ブロー部30Dにおいては、基板Sの搬送方向に沿った下流側でコロ170の配置高さに差が設けられている。具体的には、8つのコロ170のうち、基板Sの搬送方向上流側からの7つ目のコロ170が6つ目のコロ170よりも例えば3mmから5mm高い位置に配置され、さらに、8つ目のコロ170は6つ目のコロ170よりも例えば6mmから10mm高い位置に配置されている。このため、ブロー部30D内においてコロ170により搬送される基板Sは、搬送方向の前端から後端に向かって低くなるように凹状に反ることとなる。このように反ることにより、基板Sの表面を覆う現像液は、基板Sの搬送方向とは逆の方向に流れて基板Sの後端から下方へ流れ落ちる。コロ170の下方には、図示しないトレイ(またはパン)が設けられている。下方へ流れ落ちた現像液はトレイに収集され、トレイに設けられた所定の配管を通して回収される。これにより、現像液を再利用することができ、現像液を節約することが可能となる。
The developing unit 30C is disposed so as to be continuous with the developer supply unit 30B. The substrate S is carried into the developing unit 30C from the developing solution supply unit 30B in a state where the surface is covered with the developing solution supplied in the developing solution supply unit 30B, and is transported in the developing unit 30C in the same state.
The blow unit 30D is disposed so as to be continuous with the developing unit 30C. In the blow unit 30 </ b> D, a difference is provided in the arrangement height of the rollers 170 on the downstream side along the transport direction of the substrate S. Specifically, among the eight rollers 170, the seventh roller 170 from the upstream side in the transport direction of the substrate S is disposed at a position higher than the sixth roller 170 by, for example, 3 mm to 5 mm, and eight more. The eye roller 170 is disposed at a position 6 mm to 10 mm higher than the sixth roller 170, for example. For this reason, the board | substrate S conveyed by the roller 170 in the blow part 30D will be warped concavely so that it may become low toward the back end from the front end of a conveyance direction. By warping in this way, the developer covering the surface of the substrate S flows in a direction opposite to the transport direction of the substrate S and flows down from the rear end of the substrate S. A tray (or pan) (not shown) is provided below the roller 170. The developer flowing down is collected in a tray and collected through a predetermined pipe provided in the tray. As a result, the developer can be reused, and the developer can be saved.

また、ブロー部30Dには、後段のリンス部30Eとの境界近くにブローノズル51が配置されている。ブローノズル51は、図2(a)に示すように、基板Sの搬送方向と直交する方向に延び、基板Sの幅よりも長い。ブローノズル51の下部には、所定の間隔で複数の孔(またはブローノズル51の長手方向に延びるスリット)が形成されており、図示しない清浄空気供給源からの清浄空気が下方に向けて吐出され、エアカーテンが形成される。基板Sがエアカーテンを横切ると、エアカーテンにより基板S上の現像液が全幅にわたってライン状に吹き切られる。これにより、基板S上のフォトレジスト膜の現像が実質的に停止される。   Further, a blow nozzle 51 is disposed in the blow part 30D near the boundary with the subsequent rinse part 30E. The blow nozzle 51 extends in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate S and is longer than the width of the substrate S, as shown in FIG. A plurality of holes (or slits extending in the longitudinal direction of the blow nozzle 51) are formed at a predetermined interval below the blow nozzle 51, and clean air from a clean air supply source (not shown) is discharged downward. An air curtain is formed. When the substrate S crosses the air curtain, the developer on the substrate S is blown out in a line shape over the entire width by the air curtain. Thereby, the development of the photoresist film on the substrate S is substantially stopped.

リンス部30Eはブロー部30Dと連続するように配置されている。具体的には、リンス部30Eにおける基板搬送方向に沿った最上流側のコロ170は、ブロー部30Dにおける基板搬送方向に沿った最下流側のコロ170に対して極端な段差ができないように配置され、最上流側のコロ170に後続するコロ170は、順次高さが低くなるように配置されている。これにより、ブロー部30Dにおいて(概ね凹状)反った基板Sは、リンス部30Eにおいては逆向きに反り、次第に平坦になる。コロ170の長手方向や間隔等は、リンス部30Eにおいてもブロー部30D等と同じである。   The rinse part 30E is arrange | positioned so that the blow part 30D may be followed. Specifically, the roller 170 on the most upstream side along the substrate conveyance direction in the rinsing unit 30E is arranged so as not to have an extreme step with respect to the roller 170 on the most downstream side along the substrate conveyance direction in the blow unit 30D. The rollers 170 following the most upstream roller 170 are arranged so that their heights are sequentially reduced. Thereby, the substrate S warped (substantially concave) in the blow part 30D is warped in the reverse direction in the rinse part 30E and becomes gradually flat. The longitudinal direction, the interval, and the like of the rollers 170 are the same in the rinse portion 30E as in the blow portion 30D.

また、リンス部30Eには、プレリンスノズル52が設けられている。プレリンスノズル52は、図2(a)に示すように、基板Sの搬送方向と直交する方向に延び、基板Sの幅よりも長く、また、下部に、所定の間隔で複数の孔が形成されている。プレリンスノズル52は、図示しないリンス液(たとえばDIW)の供給源と接続されており、基板Sの全幅にわたってリンス液を吐出する。プレリンスノズル52は、ブロー部30Dのブローノズル51に隣接して(たとえば30mmの間隔で)設けられており、現像液が吹き切られた後、フォトレジスト膜が完全に乾燥する前に、フォトレジスト膜をリンス液で濡らすことができる。このため、現像により形成されたフォトレジストパターンの表面または側面に残る現像液をリンス液中に溶け出させることができる。また、基板搬送方向に対してプレリンスノズル52の下流側には、リンスノズル53が設けられている。リンスノズル53は、プレリンスノズル52と同様に基板Sの全副にわたってリンス液を吐出することができ、これにより、リンス液中に溶け出した現像液をリンス液とともに洗い流すことができる。また、リンスノズル53は傾くように配置され、コロ170により形成される基板Sの傾きに沿った方向に向けてリンス液を供給できる。したがって現像液を効率よく洗い流すことができる。
リンス液により現像液が洗い流された基板Sは、リンス部30Eと連続するように配置される乾燥部(図示を省略)へ搬送される。乾燥部は、導入部30A等と同様のコロ搬送機構と、コロ搬送機構により搬送される基板Sに対して清浄空気を吐出して基板Sを乾燥するエアーナイフ(図示せず)とを備えることができる。乾燥部により乾燥された基板Sは、コロ搬送により加熱処理ユニット31(図1参照)に搬送される。
なお、リンス部30Eと乾燥部との間に、一又は複数のリンスノズルを有する他のリンス部を設けても良い。これによれば、現像液をより確実に洗い流すことができる。
In addition, a pre-rinse nozzle 52 is provided in the rinse portion 30E. As shown in FIG. 2A, the pre-rinse nozzle 52 extends in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate S, is longer than the width of the substrate S, and has a plurality of holes formed at predetermined intervals in the lower portion. Has been. The pre-rinse nozzle 52 is connected to a supply source (not shown) of a rinse liquid (for example, DIW), and discharges the rinse liquid over the entire width of the substrate S. The pre-rinse nozzle 52 is provided adjacent to the blow nozzle 51 of the blow unit 30D (for example, at an interval of 30 mm). After the developer is blown off, the pre-rinse nozzle 52 is formed before the photoresist film is completely dried. The resist film can be wetted with a rinse solution. For this reason, the developer remaining on the surface or the side surface of the photoresist pattern formed by development can be dissolved in the rinse solution. A rinse nozzle 53 is provided on the downstream side of the pre-rinse nozzle 52 with respect to the substrate transport direction. The rinsing nozzle 53 can discharge the rinsing liquid over all the sub-sides of the substrate S in the same manner as the pre-rinsing nozzle 52, and thereby the developer dissolved in the rinsing liquid can be washed away together with the rinsing liquid. Further, the rinse nozzle 53 is disposed to be inclined, and the rinse liquid can be supplied in a direction along the inclination of the substrate S formed by the rollers 170. Therefore, the developer can be washed away efficiently.
The substrate S from which the developing solution has been washed away by the rinsing liquid is conveyed to a drying section (not shown) arranged so as to be continuous with the rinsing section 30E. The drying unit includes a roller transport mechanism similar to the introduction unit 30A and the like, and an air knife (not shown) that discharges clean air to the substrate S transported by the roller transport mechanism to dry the substrate S. Can do. The substrate S dried by the drying unit is transported to the heat treatment unit 31 (see FIG. 1) by roller transport.
In addition, you may provide the other rinse part which has a 1 or several rinse nozzle between the rinse part 30E and the drying part. According to this, the developer can be washed away more reliably.

また、現像ユニット30には、現像ユニット30内を搬送される基板Sの位置を検出する複数のセンサ(図示せず)が適宜設けられている。これらのセンサにより検出された位置に応じて、制御部60によりモータM1からM5とコロ170とが制御されて基板搬送速度が変更され、各ノズル50から53が制御される。   Further, the developing unit 30 is appropriately provided with a plurality of sensors (not shown) for detecting the position of the substrate S transported in the developing unit 30. In accordance with the position detected by these sensors, the control unit 60 controls the motors M1 to M5 and the roller 170 to change the substrate conveyance speed, and the nozzles 50 to 53 are controlled.

次に、図3から図6までを参照しながら、本実施形態による現像ユニットの動作(現像方法)について説明する。これらの図面において、便宜上、制御部60は省略する。
図3(a)を参照すると、外部装置ユニット90(図1)から搬入された基板Sが導入部30A内を搬送されている。図示は省略しているが、基板Sの表面にはフォトレジスト膜が形成されており、このフォトレジスト膜は露光装置9(図1)において露光され、潜像が形成されている。導入部30Aにおいては、基板Sは搬送速度V11で搬送されている。また、導入部30Aの後段の現像液供給部30Bでは、制御部60(図2)によりモータM2およびコロ170が制御され、導入部30Aでの搬送速度V11よりも速い搬送速度V21に予め設定されている。
Next, the operation (developing method) of the developing unit according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In these drawings, the control unit 60 is omitted for convenience.
Referring to FIG. 3A, the substrate S carried in from the external device unit 90 (FIG. 1) is transported in the introduction unit 30A. Although not shown, a photoresist film is formed on the surface of the substrate S, and this photoresist film is exposed by the exposure apparatus 9 (FIG. 1) to form a latent image. In the introduction part 30A, the substrate S is transported at the transport speed V11. Further, in the developer supply unit 30B following the introduction unit 30A, the motor M2 and the roller 170 are controlled by the control unit 60 (FIG. 2), and the conveyance speed V21 is set in advance higher than the conveyance speed V11 in the introduction unit 30A. ing.

基板Sの前端が現像液供給部30Bへ搬入されたことがセンサ(図示せず)により検出されると、導入部30のモータM1およびコロ170が制御部60により制御され、導入部30における搬送速度V11が搬送速度V21(現像液供給部30Bにおける搬送速度)に変更される。これにより、基板Sは搬送速度V21で導入部30Aから現像液供給部30Bへ搬送されていく。一方、基板Sの前端が現像液供給ノズル50の真下に達すると同時に、現像液供給ノズル50から基板Sの表面に対して現像液DLが供給される。基板Sの表面に供給された現像液DLは、図3(b)に示すように、表面張力により基板Sの表面に留まることなる。現像液DLの供給は、図4(a)に示すように基板Sの後端が現像液供給ノズル50の真下を通り過ぎるまで継続し、通り過ぎるとともに停止する。以上により、基板Sの表面全体が現像液DLで覆われることとなる。   When it is detected by a sensor (not shown) that the front end of the substrate S has been carried into the developer supply unit 30B, the motor M1 and the roller 170 of the introduction unit 30 are controlled by the control unit 60, and are conveyed in the introduction unit 30. The speed V11 is changed to the transport speed V21 (the transport speed in the developer supply unit 30B). Accordingly, the substrate S is transported from the introduction unit 30A to the developer supply unit 30B at the transport speed V21. On the other hand, the developer DL is supplied from the developer supply nozzle 50 to the surface of the substrate S at the same time as the front end of the substrate S reaches just below the developer supply nozzle 50. The developer DL supplied to the surface of the substrate S remains on the surface of the substrate S due to surface tension, as shown in FIG. The supply of the developer DL is continued until the rear end of the substrate S passes just below the developer supply nozzle 50 as shown in FIG. As a result, the entire surface of the substrate S is covered with the developer DL.

なお、現像液供給部30B内を基板Sが搬送されているとき(現像液が供給されているとき)、現像液供給部30Bの後段の現像部30Cにおいては、現像部30Cにおける基板Sの搬送速度がV31となるように、制御部60によりモータM3およびコロ170が制御されている。搬送速度V31は、現像に要する時間(現像時間)と、現像液供給ノズル50とブローノズル51との間の距離とに基づいて決定されている。より具体的には、基板Sの前端が現像液供給ノズル50の真下に達してからブローノズル51に達する時間が所望の現像時間と等しくなるように(現像液供給部30Bでの搬送速度V21をも考慮して)決定されている。本実施形態では、現像部30Cでの搬送速度V31は、現像液供給部30Bでの搬送速度V21よりも遅く設定されている。   When the substrate S is being transported in the developer supply unit 30B (when the developer is being supplied), in the developing unit 30C subsequent to the developer supply unit 30B, the substrate S is transported by the developing unit 30C. The motor M3 and the roller 170 are controlled by the control unit 60 so that the speed becomes V31. The conveyance speed V31 is determined based on the time required for development (development time) and the distance between the developer supply nozzle 50 and the blow nozzle 51. More specifically, the time to reach the blow nozzle 51 after the front end of the substrate S reaches just below the developer supply nozzle 50 is equal to the desired development time (the transport speed V21 in the developer supply unit 30B is set to be equal to the desired speed). Is also determined). In the present embodiment, the transport speed V31 in the developing unit 30C is set slower than the transport speed V21 in the developer supply unit 30B.

基板Sの後端が現像液供給ノズル50を通り過ぎると共に、基板Sの前端が現像部30Cへ搬入されると、現像液供給部30BのモータM2およびコロ170が制御部60により制御され、現像液供給部30Bにおける搬送速度V21が、後段の現像部30Cにおける搬送速度V31と等しくなる(図4(b))。これにより、基板Sは、図5(a)に示すように、搬送速度V31で現像液供給部30Bから現像部30Cへと搬送されていく。この場合においても、基板Sの表面は現像液DLにより覆われている。この後、図5(b)に示すように、基板Sは、表面が現像液DLで覆われたまま、搬送速度V31にて現像部30Cからブロー部30Dへ更に搬送されていく。   When the rear end of the substrate S passes the developer supply nozzle 50 and the front end of the substrate S is carried into the developing unit 30C, the motor M2 and the roller 170 of the developer supply unit 30B are controlled by the control unit 60, and the developer is supplied. The conveyance speed V21 in the supply unit 30B becomes equal to the conveyance speed V31 in the subsequent development unit 30C (FIG. 4B). As a result, as shown in FIG. 5A, the substrate S is transported from the developer supply unit 30B to the developing unit 30C at the transport speed V31. Even in this case, the surface of the substrate S is covered with the developer DL. Thereafter, as shown in FIG. 5B, the substrate S is further transported from the developing section 30C to the blow section 30D at the transport speed V31 while the surface is covered with the developer DL.

図6(a)に示すように、基板Sの前端がブロー部30Dのブローノズル51の真下に達したことが図示しないセンサにより検出されると、ブロー部30DのモータM4およびコロ170とが制御部60により制御されて、基板Sは搬送速度V41にて搬送されることとなる。搬送速度V41は、後段のリンス部30Eにおいて設定されていた搬送速度と等しく、現像液供給部30B内を搬送されていたときの基板Sの搬送速度V21(図3(b)および図4(a))よりも速い。また、ブローノズル51の真下に基板Sが達したときには、ブロー部30Dのコロ170の配置により、基板Sは前端が高くなるように反っているため、図6(a)に示すように、現像液DLは後端に向かって流れ、後端から下方へ流れ落ち、図示しないトレイを介して回収される。   As shown in FIG. 6A, when a sensor (not shown) detects that the front end of the substrate S has reached just below the blow nozzle 51 of the blow unit 30D, the motor M4 and the roller 170 of the blow unit 30D control. Controlled by the unit 60, the substrate S is transported at the transport speed V41. The transport speed V41 is equal to the transport speed set in the subsequent rinsing section 30E, and the transport speed V21 of the substrate S when transported in the developer supply section 30B (FIGS. 3B and 4A). )) Faster than. Further, when the substrate S reaches just below the blow nozzle 51, the substrate S is warped so that the front end becomes higher due to the arrangement of the rollers 170 of the blow unit 30D. Therefore, as shown in FIG. The liquid DL flows toward the rear end, flows down from the rear end, and is collected via a tray (not shown).

また、ブローノズル51から吐出される清浄空気で形成されるエアカーテンにより、図6(b)に示すように、基板S上の現像液は吹き切られ、これにより現像が実質的に停止される。現像液が吹き切られた後、比較的短時間のうちに、基板Sの表面にはプレリンスノズル52からリンス液(DIW)が供給され、基板Sの表面はリンス液で濡らされて表面に残留する現像液がリンス液に溶け込む。さらに、現像液が溶け込んだリンス液は、リンスノズル53から供給されるリンス液により洗い流され、現像液はより確実に除去される。   Further, as shown in FIG. 6B, the developer on the substrate S is blown off by the air curtain formed by the clean air discharged from the blow nozzle 51, whereby the development is substantially stopped. . In a relatively short time after the developer is blown off, a rinse liquid (DIW) is supplied from the pre-rinse nozzle 52 to the surface of the substrate S, and the surface of the substrate S is wetted with the rinse liquid to the surface. The remaining developer dissolves in the rinse solution. Further, the rinse solution in which the developer is dissolved is washed away by the rinse solution supplied from the rinse nozzle 53, and the developer is more reliably removed.

なお、プレリンスノズル52から吐出されるリンス液は、ブローノズル51により形成されるエアカーテンにより堰き止められるため、ブロー部30D側へ流れることはない。仮に、プレリンスノズル52からのリンス液が基板Sの表面を流れて現像液と共に基板Sの後端から下方へ流れ落ちると、リンス液の流れるパターンに応じた現像斑が生じてしまう。しかし、本実施形態の現像ユニット30によれば、ブローノズル51によりリンス液が基板Sの上流側に向かって流れることがないため、そのような斑が生じることはない。   Note that the rinsing liquid discharged from the pre-rinsing nozzle 52 is blocked by the air curtain formed by the blow nozzle 51 and therefore does not flow to the blow unit 30D side. If the rinse liquid from the pre-rinsing nozzle 52 flows on the surface of the substrate S and flows downward together with the developer from the rear end of the substrate S, development spots corresponding to the pattern in which the rinse liquid flows are generated. However, according to the developing unit 30 of the present embodiment, the rinsing liquid does not flow toward the upstream side of the substrate S by the blow nozzle 51, so that such spots do not occur.

リンス部30Eにおいてリンス液により現像液が洗い流された基板Sは、リンス部30Eと連続するように配置される乾燥部(図示を省略)へ搬送され、乾燥部に設けられたエアーナイフ(図示せず)から吐出される清浄空気により基板Sが乾燥され、加熱処理ユニット31(図1参照)にコロにより搬送される。
なお、リンス部30Eと乾燥部との間に別のリンス部(図示せず)を設ける場合には、リンス部30Eにおいてリンス液により現像液が洗い流された基板Sは、別のリンス部へ所定の搬送速度で搬送され、ここで更に洗浄され、乾燥部へ搬送される。
The substrate S from which the developing solution has been washed away by the rinsing liquid in the rinsing section 30E is conveyed to a drying section (not shown) arranged so as to be continuous with the rinsing section 30E, and an air knife (not shown) provided in the drying section. The substrate S is dried by the clean air discharged from the substrate) and conveyed to the heat treatment unit 31 (see FIG. 1) by rollers.
In the case where another rinsing part (not shown) is provided between the rinsing part 30E and the drying part, the substrate S from which the developing solution has been washed away by the rinsing liquid in the rinsing part 30E is given to another rinsing part. Then, it is further cleaned and transported to the drying section.

基板Sの搬送速度を例示すると、現像液供給部30Bにおいて現像液供給ノズル50から基板Sに現像液を供給するときの搬送速度V21(図3)は、たとえば60mm/secから100mm/secまでの範囲にあってよく、ブロー部30Dにおいてブローノズル51によるエアカーテンを基板Sが通過するときの搬送速度V41(図6)は、たとえば120mm/secから180mm/secまでの範囲にあって良い。もちろん、少なくとも一枚の基板Sを用いて上記の現像方法を行った後に、形成されたフォトレジストパターン(ライン幅やビア径などの寸法)の面内均一性に基づいて搬送速度V21,V31,V41等を決定すると好ましい。また、フォトレジストパターンの面内均一性は、たとえば現像ユニット30よりも後段にある検査ユニット35において測定しても良い。さらに、一ロット分の基板を処理している途中で、検査ユニット35において(または他の検査装置にて)時系列的に取得した測定データに基づいて搬送速度V21,V31,V41等を変更(または調整)しても良い。   As an example of the transport speed of the substrate S, the transport speed V21 (FIG. 3) when the developer is supplied from the developer supply nozzle 50 to the substrate S in the developer supply unit 30B is, for example, from 60 mm / sec to 100 mm / sec. The conveyance speed V41 (FIG. 6) when the substrate S passes through the air curtain by the blow nozzle 51 in the blow unit 30D may be in a range from 120 mm / sec to 180 mm / sec, for example. Of course, after performing the above-described development method using at least one substrate S, the transport speeds V21, V31, V31, V31, and V31 are based on the in-plane uniformity of the formed photoresist pattern (dimensions such as line width and via diameter). It is preferable to determine V41 or the like. Further, the in-plane uniformity of the photoresist pattern may be measured, for example, in the inspection unit 35 located after the developing unit 30. Further, during the processing of one lot of substrates, the conveyance speeds V21, V31, V41, etc. are changed based on the measurement data acquired in time series in the inspection unit 35 (or other inspection apparatus) ( Or adjustment).

以上のとおり、本実施形態による現像ユニット30および現像方法においては、ブロー部30Dにおいて、現像液の回収のため、前端が高くなるように基板Sを反らせることから、現像液が後端側へ流れる。このため、基板Sの後端側は多量の現像液に晒され、しかも、現像液の流れにより現像液が攪拌されるため、後端側での現像が促進されることとなる。しかし、ブロー部30Dにおける搬送速度V41が現像液供給部30Bにおける搬送速度V21よりも速いため、現像時間(現像液供給ノズル50により現像液が供給されてから、ブローノズル51からのエアカーテンにより現像液が吹き切られるまでの時間)を基板Sの後端側で短くすることでき、現像の促進を相殺することができる。したがって、本発明の実施形態によれば、基板Sにおけるフォトレジストパターンの面内均一性が損なわれることがないという効果・利点が提供される。   As described above, in the developing unit 30 and the developing method according to the present embodiment, in the blow unit 30D, the substrate S is warped so that the front end becomes higher in order to collect the developer, so that the developer flows toward the rear end. . For this reason, the rear end side of the substrate S is exposed to a large amount of developer, and the developer is agitated by the flow of the developer, so that development on the rear end side is promoted. However, since the conveyance speed V41 in the blow unit 30D is faster than the conveyance speed V21 in the developer supply unit 30B, the development time (the developer is supplied by the developer supply nozzle 50 and then developed by the air curtain from the blow nozzle 51). The time until the liquid is blown off can be shortened on the rear end side of the substrate S, and the development can be offset. Therefore, according to the embodiment of the present invention, the effect and advantage that the in-plane uniformity of the photoresist pattern on the substrate S is not impaired is provided.

また、本実施形態の現像ユニット30によれば、基板S上に現像液DLを供給するときの基板搬送速度と、供給された現像液DLで覆われた基板Sを搬送するときの基板搬送速度と、基板Sから現像液DLを除去するときの基板搬送速度とを独立して制御することができるため、使用するフォトレジストや現像液等に応じて、基板搬送速度を種々に変更することにより、基板の面内におけるフォトレジストパターンの均一化を図ることができる。   Further, according to the developing unit 30 of the present embodiment, the substrate transport speed when supplying the developer DL onto the substrate S and the substrate transport speed when transporting the substrate S covered with the supplied developer DL. And the substrate transport speed when the developer DL is removed from the substrate S can be controlled independently, so that the substrate transport speed can be changed variously according to the photoresist or developer used. The photoresist pattern can be made uniform in the plane of the substrate.

仮にそのような基板搬送速度の制御ができず、現像時間のみによって基板搬送速度が決定される場合においては、現像液を供給するときの基板搬送速度を調整できない事態ともなる。逆に、現像液を供給するときの基板搬送速度を調整しようとすれば、この基板搬送速度に合わせて、現像部30Cの長さ(基板の搬送距離)を変えることにより現像時間を確保する必要が生じる。しかし、ロットごとに装置構成を変更することは現実的には不可能である。   If the substrate transport speed cannot be controlled and the substrate transport speed is determined only by the development time, the substrate transport speed when supplying the developer cannot be adjusted. Conversely, if the substrate transport speed when supplying the developer is to be adjusted, it is necessary to secure the development time by changing the length of the developing unit 30C (substrate transport distance) in accordance with the substrate transport speed. Occurs. However, it is practically impossible to change the device configuration for each lot.

すなわち、本実施形態の現像ユニット30によれば、プロセスウィンドウ(マージン)を拡大することができる。これにより、PFDの性能向上や、歩留まりの改善に伴うPFDの低価格化に寄与する。また、将来開発される新しいフォトレジストや現像液をも使用できる可能性が高くなり、これらに伴う装置のレトロフィットなどを省くことができる。   That is, according to the developing unit 30 of the present embodiment, the process window (margin) can be enlarged. This contributes to the performance improvement of the PFD and the price reduction of the PFD accompanying the improvement of the yield. In addition, there is a high possibility that new photoresists and developing solutions that will be developed in the future can be used, and the retrofitting of the apparatus accompanying these can be omitted.

以上、本発明の実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態に限ることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更または変形が可能である。
たとえば、基板Sの前端がブローノズル51(図2)の真下に達した後に、ブロー部30Dにおける搬送速度を徐々に速くしても良い。具体的には、基板Sの前端がブローノズル51の真下に達した後、基板Sの搬送速度が徐々に速くなるように制御部60によりモータM4およびM5とコロ170とを制御すれば良い。このようにすれば、基板Sの後端側での現像時間を前端側での現像時間よりも徐々に短くすることができる。したがって、基板Sの後端側での現像の促進をより確実に相殺することが可能となる。
The present invention has been described above with reference to the embodiments of the present invention. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes or modifications can be made in light of the appended claims.
For example, after the front end of the substrate S reaches just below the blow nozzle 51 (FIG. 2), the conveyance speed in the blow unit 30D may be gradually increased. Specifically, after the front end of the substrate S reaches just below the blow nozzle 51, the control unit 60 may control the motors M4 and M5 and the rollers 170 so that the transport speed of the substrate S gradually increases. In this way, the development time on the rear end side of the substrate S can be made gradually shorter than the development time on the front end side. Therefore, it is possible to more reliably cancel the development on the rear end side of the substrate S.

また、上記の実施形態においては、現像液供給ノズル50の真下に基板Sの前端が達したことを所定のセンサで検出することにより、現像液供給ノズル50から現像液DLを基板Sへ供給したが、これに限られない。たとえば、導入部30Aにおける所定の位置(たとえば基板Sの搬送方向に沿った長さのほぼ中間)に、基板Sの前端を検出するセンサを設け、このセンサにより基板Sの前端を検出した時点と、基板Sの搬送速度とに基づいて、現像液供給ノズル50の真下に基板Sの前端が達した時に現像液供給ノズル50から現像液DLを吐出するようタイミングを決定しても良い。ブローノズル51からの清浄空気の吐出のタイミングについても、基板Sの前端を検出するセンサをたとえばブロー部30Dの所定の位置に設け、同様にして決定することができる。   In the above embodiment, the developer DL is supplied from the developer supply nozzle 50 to the substrate S by detecting with a predetermined sensor that the front end of the substrate S has reached directly below the developer supply nozzle 50. However, it is not limited to this. For example, a sensor for detecting the front end of the substrate S is provided at a predetermined position in the introduction unit 30A (for example, approximately in the middle of the length along the transport direction of the substrate S), and when the front end of the substrate S is detected by this sensor; Based on the transport speed of the substrate S, the timing for discharging the developer DL from the developer supply nozzle 50 when the front end of the substrate S reaches just below the developer supply nozzle 50 may be determined. The timing for discharging the clean air from the blow nozzle 51 can be determined in the same manner by providing a sensor for detecting the front end of the substrate S at a predetermined position of the blow unit 30D, for example.

また、本実施形態の現像ユニット30においては、ブロー部30Dにおいてコロ170の配置により基板Sを傾けて現像液を回収したが、ブロー部30Dにおいて基板Sを停止させた後にたとえば昇降ピンなどを用いて、基板S上の現像液を後端側から流し落とすようにしても良い。   Further, in the developing unit 30 of the present embodiment, the developing solution is collected by inclining the substrate S by disposing the rollers 170 in the blow unit 30D. However, after the substrate S is stopped in the blowing unit 30D, for example, lifting pins or the like are used. Thus, the developer on the substrate S may be poured off from the rear end side.

また、基板を傾けない(現像液を回収しない)場合にも本発明は適用可能である。たとえば、この場合において現像液を基板に供給する際の基板搬送速度が遅いときには、基板の前端側で現像液が回流したり、撹拌されたりするため、前端側で現像が促進されるおそれがある。この場合には、ブローノズルにより現像液を吹き切るときの基板搬送速度を、現像液を供給するときの基板搬送速度よりも遅くすることにより、基板の後端側での実質的な現像時間を長くすると好ましい。これにより、現像時間の長期化を通して後端側での現像を促進することができ、フォトレジストパターンの面内均一性を維持することが可能となる。また、この場合においても、ブローノズルにより現像液を吹き切るときの基板搬送速度を徐々に遅くしても良い。   The present invention can also be applied when the substrate is not tilted (the developer is not collected). For example, in this case, when the substrate transport speed when supplying the developing solution to the substrate is slow, the developing solution circulates or is stirred on the front end side of the substrate, so that development may be accelerated on the front end side. . In this case, the substantial development time on the rear end side of the substrate is reduced by lowering the substrate conveyance speed when blowing off the developer with the blow nozzle than the substrate conveyance speed when supplying the developer. Longer is preferable. As a result, the development on the rear end side can be promoted through a longer development time, and the in-plane uniformity of the photoresist pattern can be maintained. Also in this case, the substrate conveyance speed when the developer is blown off by the blow nozzle may be gradually decreased.

上述の実施形態においては、FPD用のガラス基板を用いる場合を説明したが、ガラス基板に限らず樹脂基板や半導体基板を用いる場合にも本発明は適用可能である。   In the above-described embodiment, the case where the glass substrate for FPD is used has been described. However, the present invention is applicable not only when the glass substrate is used but also when using a resin substrate or a semiconductor substrate.

100…塗布現像処理システム、1…カセットステーション、2…処理ステーション、4…インターフェースステーション、9…露光装置、30…現像ユニット、30A…導入部、30B…現像液供給部、30C…現像部、30D…ブロー部、30E…リンス部、50…現像液供給ノズル、51…ブローノズル、52…プレリンスノズル、53…リンスノズル、90…制御部、170…コロ、M1〜M5…駆動装置(モータ)、S…基板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Coating development processing system, 1 ... Cassette station, 2 ... Processing station, 4 ... Interface station, 9 ... Exposure apparatus, 30 ... Development unit, 30A ... Introduction part, 30B ... Developer supply part, 30C ... Development part, 30D ... Blow unit, 30E ... Rinse unit, 50 ... Developer supply nozzle, 51 ... Blow nozzle, 52 ... Pre rinse nozzle, 53 ... Rinse nozzle, 90 ... Control unit, 170 ... Colo, M1 to M5 ... Drive device (motor) , S: substrate.

Claims (11)

露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を第1の搬送速度で搬送しながら、当該表面に現像液を供給する工程と、
前記現像液で表面が覆われた前記基板を第2の搬送速度で搬送する工程と、
前記第1の搬送速度と異なる第3の搬送速度で前記基板を搬送しながら、当該基板の表面を覆う現像液を気体で吹き切る工程と、
前記吹き切る工程に引き続いて前記基板を前記第3の搬送速度で搬送しながら、前記表面にリンス液を供給する工程と
を含む、フォトレジスト膜の現像方法。
Supplying a developing solution to the surface while transporting the substrate having the exposed photoresist film on the surface at a first transport speed;
Transporting the substrate whose surface is covered with the developer at a second transport speed;
Blowing off the developer covering the surface of the substrate with a gas while transporting the substrate at a third transport speed different from the first transport speed;
And a step of supplying a rinsing liquid to the surface while transporting the substrate at the third transport speed following the blow-off step.
前記第3の搬送速度が前記第1の搬送速度よりも速い、請求項1に記載のフォトレジスト膜の現像方法。   The method for developing a photoresist film according to claim 1, wherein the third transport speed is faster than the first transport speed. 前記第3の搬送速度が前記第1の搬送速度よりも遅い、請求項1に記載のフォトレジスト膜の現像方法。   The method for developing a photoresist film according to claim 1, wherein the third transport speed is slower than the first transport speed. 前記吹き切る工程が、前記基板の表面を覆う前記現像液を前記基板の搬送方向の後端から流し落とす工程を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。   The method for developing a photoresist film according to any one of claims 1 to 3, wherein the step of blowing off includes a step of pouring off the developer covering the surface of the substrate from a rear end in a transport direction of the substrate. . 少なくとも一枚の前記基板に対して前記現像液を供給する工程から前記リンス液を供給する工程までを行なって得たレジストパターンの寸法を測定する工程と、
前記測定する工程の結果に基づいて前記第3の搬送速度を決定する工程と
を更に備える、請求項1から4のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
A step of measuring a dimension of a resist pattern obtained by performing from the step of supplying the developer to the step of supplying the rinse solution to at least one of the substrates;
The method for developing a photoresist film according to claim 1, further comprising: determining the third conveyance speed based on a result of the measuring step.
前記リンス液を供給する工程の後に、前記基板の表面にリンス液を更に供給する工程を更に含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。   The method for developing a photoresist film according to claim 1, further comprising a step of further supplying a rinse liquid to the surface of the substrate after the step of supplying the rinse liquid. 露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を搬送する第1の搬送機構、および該第1の搬送機構で搬送される前記基板の表面に現像液を供給する供給ノズルを有する現像液供給部と、
前記供給ノズルから供給された前記現像液で表面が覆われた前記基板を搬送する第2の搬送機構を有する現像部と、
気体を吐出して前記基板の表面を覆う前記現像液を吹き切るブローノズル、および該ブローノズルに向けて前記基板を搬送する第3の搬送機構を有するブロー部と、
前記現像液が吹き切られた前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルを有するリンス部と、
前記第1の搬送機構により搬送される前記基板の第1の搬送速度と、前記第3の搬送機構により搬送される前記基板の第3の搬送速度とが異なるように前記第1の搬送機構および前記第3の搬送機構を制御する制御部と
を備える、フォトレジスト膜の現像装置。
A first transport mechanism for transporting a substrate having an exposed photoresist film on the surface thereof, and a developer supply section having a supply nozzle for supplying a developer to the surface of the substrate transported by the first transport mechanism; ,
A developing section having a second transport mechanism for transporting the substrate whose surface is covered with the developer supplied from the supply nozzle;
A blow nozzle that discharges gas to blow off the developer covering the surface of the substrate, and a blow unit having a third transport mechanism that transports the substrate toward the blow nozzle;
A rinse part having a rinse liquid supply nozzle for supplying a rinse liquid to the surface of the substrate from which the developer has been blown;
The first transport mechanism and the first transport mechanism so that the first transport speed of the substrate transported by the first transport mechanism and the third transport speed of the substrate transported by the third transport mechanism are different. A photoresist film developing apparatus, comprising: a control unit that controls the third transport mechanism.
前記制御部は、前記第3の搬送速度が前記第1の搬送速度よりも速くなるように前記第1の搬送機構および前記第3の搬送機構を制御する、請求項7に記載のフォトレジスト膜の現像装置。   The photoresist film according to claim 7, wherein the control unit controls the first transport mechanism and the third transport mechanism such that the third transport speed is faster than the first transport speed. Development device. 前記制御部は、前記第3の搬送速度が前記第1の搬送速度よりも遅くなるように前記第1の搬送機構および前記第3の搬送機構を制御する、請求項7に記載のフォトレジスト膜の現像装置。   The photoresist film according to claim 7, wherein the control unit controls the first transport mechanism and the third transport mechanism so that the third transport speed is slower than the first transport speed. Development device. 前記リンス部に対して前記基板の搬送方向の下流に配置され、前記基板を搬送する第4の搬送機構、および前記基板の表面にリンス液を供給する他のリンス液供給ノズルを有する別のリンス液を更に備える、請求項7から9のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像装置。   Another rinse having a fourth transport mechanism for transporting the substrate and another rinse liquid supply nozzle for supplying a rinse liquid to the surface of the substrate, which is disposed downstream of the rinse portion in the transport direction of the substrate. The photoresist film developing device according to claim 7, further comprising a liquid. 基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成装置と、
露光された前記フォトレジスト膜を現像する、請求項7から10のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像装置と
を備える塗布現像処理システム。
A photoresist film forming apparatus for forming a photoresist film on a substrate;
A coating and developing treatment system comprising: the photoresist film developing device according to claim 7, which develops the exposed photoresist film.
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