KR101150022B1 - Apparatus for etching - Google Patents

Apparatus for etching Download PDF

Info

Publication number
KR101150022B1
KR101150022B1 KR1020100088359A KR20100088359A KR101150022B1 KR 101150022 B1 KR101150022 B1 KR 101150022B1 KR 1020100088359 A KR1020100088359 A KR 1020100088359A KR 20100088359 A KR20100088359 A KR 20100088359A KR 101150022 B1 KR101150022 B1 KR 101150022B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
vacuum suction
etchant
suction unit
present
Prior art date
Application number
KR1020100088359A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120026244A (en
Inventor
진민석
강성일
Original Assignee
삼성테크윈 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성테크윈 주식회사 filed Critical 삼성테크윈 주식회사
Priority to KR1020100088359A priority Critical patent/KR101150022B1/en
Publication of KR20120026244A publication Critical patent/KR20120026244A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101150022B1 publication Critical patent/KR101150022B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04Cleaning by suction, with or without auxiliary action

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 에칭장치에 관한 것으로, 피처리 소재를 수평하게 이동시키는 이송롤러 및 상기 소재의 상부에 설치되어 에칭액을 분사하는 다수개의 에칭노즐을 포함하되, 상기 소재의 상부에는 공기를 분사하여 상기 에칭액을 외측으로 흘려보내는 에어노즐이 구비되고, 상기 소재의 양측단부에는 상기 에칭액을 흡입하여 제거하는 진공흡입유닛이 구비되어 소재 표면에 고이는 잔존 에칭액을 신속하게 제거할 수 있는 에칭장치를 제공한다.The present invention relates to an etching apparatus, which comprises a transfer roller for horizontally moving a material to be processed, and a plurality of etching nozzles provided at an upper portion of the material for jetting an etchant, And a vacuum suction unit for sucking and removing the etching liquid is provided at both side ends of the work so that the remaining etching solution accumulated on the work surface can be quickly removed.

Figure R1020100088359
Figure R1020100088359

Description

에칭장치{APPARATUS FOR ETCHING}[0001] APPARATUS FOR ETCHING [0002]

본 발명은 처리하고자 하는 소재에 에칭액을 분사하여 회로 패턴을 형성하는 에칭장치에 관한 것으로, 특히, 소재에 분사된 후 잔존하는 에칭액을 급속으로 제거하여 에칭의 품질을 향상시킬 수 있는 에칭장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus for forming a circuit pattern by spraying an etchant on a material to be processed. More particularly, the present invention relates to an etching apparatus capable of rapidly removing etchant remaining on a material, will be.

일반적으로 에칭(etching)은 처리하고자 하는 소재, 예컨대, 인쇄회로기판의 표면에 필요한 부분을 마스킹 처리한 후 나머지 부분에 노즐을 통해 화학약품(에칭액, etchant)을 분사하여 원하는 형상을 형성하는 패턴형상가공방법으로 최근 반도체제조공정에 널리 활용되고 있다.Generally, etching is performed by patterning a desired material, for example, a mask pattern on a surface of a printed circuit board, and then spraying a chemical agent (etchant) through a nozzle to form a desired shape Has recently been widely used in semiconductor manufacturing processes.

이러한 에칭가공법에 의해 제조되는 제품의 품질은 크게 에칭액과 에칭장치에 관련된다. 구체적으로, 에칭액의 종류, 온도, 농도 등과, 에칭장치에서 노즐의 형상, 개수, 크기, 간격, 배치, OSC, 소재이동속도 등의 다양한 조건이 에칭 품질의 변수로 작용한다. 이를 간단히 정리하면, 에칭의 품질은 소재에 에칭액이 어떠한 형태로 분사되는지가 관건이라고 할 수 있다. 즉, 노즐에 의해 분사된 에칭액이 소재에 직접 접촉되는 것(분사에칭)과, 직접 접촉되지 않고 잔존하는 에칭액에 의해 침지되는 것(dipping)은 품질에 큰 차이를 가져올 수 있다.The quality of a product manufactured by such an etching processing method largely relates to an etching solution and an etching apparatus. Specifically, various conditions such as the type, temperature, concentration, and the like of the etchant and the shape, number, size, spacing, arrangement, OSC, and material movement speed of the nozzles in the etching apparatus act as parameters of the etching quality. To summarize this, the quality of the etching can be said to be the type of the etching solution injected into the material. That is, the fact that the etching liquid injected by the nozzle directly contacts the material (jet etching) and the dipping by the remaining etching liquid without direct contact may cause a great difference in quality.

한편, 상술한 바와 같은 에칭공정에서는 puddling이 발생하게 된다. 여기서, puddling은 소재 표면에 분사된 에칭액이 과도하게 고이는 현상으로 불균일한 에칭 등 기대와 다른 에칭을 야기하여 제품의 품질을 저하시킨다. 이러한 puddling은 일반 에칭장치에서 노즐의 개수, 피치 또는 배열 등에 따라 대소의 차이만 있을 뿐 필연적으로 발생하는 것이어서 이를 효과적으로 제거할 수 있는 방안이 반드시 강구되어야 한다.Meanwhile, puddling occurs in the above-described etching process. Here, puddling is a phenomenon in which an etchant sprayed on the surface of a workpiece is excessively accumulated, resulting in non-uniform etching and etching other than expectation, thereby deteriorating the quality of the product. Such puddling is inevitably caused only by differences in the number, pitch, or arrangement of nozzles in a general etching apparatus, and therefore, a method for effectively removing the puddling must be considered.

이에 관련 업계에서는 puddling을 제거하기 위한 방법을 지속적으로 개발하고 있으며, 다음과 같은 몇 가지 방법들이 공지되어 있다.The industry is constantly developing ways to eliminate puddling, and several methods are known.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(11)의 상부에 설치되는 분사노즐(12)과, 상기 분사노즐(12)과 인접하는 분사노즐(도면 미도시) 사이에 설치되는 흡입유닛(13)으로 구성되어 분사된 에칭액을 상기 기판(11)의 외측으로 배출시키고, 잔존하는 에칭액은 상기 흡입유닛(12)을 이용하여 제거하는 에칭장치(10)(이하, “종래기술 1”이라 함)가 공지되어 있다.First, as shown in FIG. 1, an injection nozzle 12 installed on an upper portion of a substrate 11, a suction unit 13 installed between an injection nozzle (not shown) adjacent to the injection nozzle 12, (Hereinafter referred to as " prior art 1 ") for discharging the etched liquid ejected to the outside of the substrate 11 and removing the remaining etchant by using the suction unit 12 Lt; / RTI >

또한, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(21)을 수직으로 세워 이동시키는 이송롤러(22)와, 상기 기판(21)의 전면과 후면에 설치되어 오실레이션 운동을 하는 노즐(23) 및 노즐 파이프(24)로 구성되어 에칭액을 균일하게 분사하는 동시에 분사된 에칭액은 하부로 배출시키는 에칭장치(20)(이하, “종래기술 2”라 함)도 공지되어 있다.2, a conveying roller 22 for vertically moving the substrate 21 vertically, a nozzle 23 installed on the front and rear surfaces of the substrate 21 for oscillating movement, (Hereinafter, referred to as " Prior Art 2 ") is also known, which is composed of a plurality of nozzles 24 for uniformly spraying an etching liquid and discharging the jetted etching liquid downward.

한편, 기판의 상부와 하부에 공급되는 에칭액의 농도를 서로 다르게 하여 기판의 상부 및 하부에 각각 독립적으로 회로 패턴을 형성함으로써 미세한 피치(pitcho)의 회로 패턴을 형성할 수 있는 에칭장치(이하, “종래기술 3”이라 함)도 공지되어 있다.On the other hand, an etching apparatus (hereinafter referred to as " etching apparatus ") capable of forming a fine pitch circuit pattern by forming circuit patterns independently on the upper and lower sides of the substrate, Quot; prior art 3 ") is also known.

그러나 종래기술 1의 경우에는 상기 흡입유닛(13)이 상기 분사노즐(12)의 스프레이선상에 위치하여 에칭액의 분사 경로를 방해함으로써 현실적으로 제 기능을 발휘하기 어려운 문제점이 있고, 종래기술 2의 경우에는 상기 기판(21)이 수직으로 세워진 상태에서 에칭액이 분사되기 때문에 분사된 에칭액이 상기 기판(21)을 타고 아래쪽으로 흐르게 되어 상기 기판(21)의 상단과 하단 사이에 패턴이 불균일하게 형성되는 문제점이 있다.However, in the case of the prior art 1, the suction unit 13 is located on the spray line of the injection nozzle 12 and obstructs the jetting path of the etching liquid, so that it is difficult to realize its function in reality. Since the etchant is sprayed in a state where the substrate 21 is erected vertically, there is a problem that the sprayed etchant flows downward through the substrate 21 and the pattern is unevenly formed between the upper and lower ends of the substrate 21 have.

참고적으로, 종래기술 3에 개시되어 있는 미세 피치의 회로 패턴 형성은 일반적인 피치의 회로 패턴 형성과는 차원이 다른 것이다. 즉, 약간의 변화만으로도 미세 피치 회로 패턴의 형성 여부를 결정지을 수 있으므로 puddling을 제거하여 에칭액을 원활하게 공급하는 것은 패턴 형성에 큰 영향을 미치게 된다.For reference, the circuit pattern formation of the fine pitch disclosed in the prior art 3 is different from the circuit pattern formation of the general pitch. That is, since it is possible to determine whether a fine pitch circuit pattern is formed only by a slight change, smoothly supplying an etchant by removing puddling greatly affects pattern formation.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 소재에 분사된 후 잔존하는 에칭액을 소재의 양측 방향으로 신속하게 밀어 제거할 수 있는 에칭장치를 제공하는 데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of rapidly removing an etching solution left after being sprayed on a workpiece in both directions of a work.

또한, 본 발명의 다른 목적은 에칭액의 분사 경로를 안정적으로 확보할 수 있는 에칭장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of stably ensuring an injection path of an etchant.

본 발명의 또 다른 목적은 소재가 챔버 내로 인입될 때 발생하는 액적을 방지할 수 있는 에칭장치를 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide an etching apparatus capable of preventing droplets generated when a material is drawn into a chamber.

본 발명의 또 다른 목적은 소재가 챔버 밖으로 배출되어 세정단계로 진입하기 전에 잔존 및 비산된 에칭액을 완전하게 제거할 수 있는 에칭장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an etching apparatus which can completely remove remaining and scattered etching liquid before the material is discharged from the chamber and enters the cleaning step.

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서,As means for solving the above-mentioned technical problem,

본 발명은, 피처리 소재를 수평하게 이동시키는 이송롤러 및 상기 소재의 상부에 설치되어 에칭액을 분사하는 다수개의 에칭노즐을 포함하되, 상기 소재의 상부에는 공기를 분사하여 상기 에칭액을 외측으로 흘려보내는 에어노즐이 구비되는 것을 특징으로 하는 에칭장치를 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing an etching solution, which comprises a transfer roller for horizontally moving a material to be processed, and a plurality of etching nozzles provided on the material for spraying an etching solution, wherein air is sprayed onto the material to flow the etching solution outward And an air nozzle is provided.

이 경우, 상기 에어노즐은 적어도 하나 이상 설치될 수 있다.In this case, at least one air nozzle may be installed.

또한, 상기 에어노즐의 하단부는 상기 소재의 중심으로부터 양측 방향으로 절곡될 수 있다.The lower end of the air nozzle may be bent in both directions from the center of the material.

또한, 상기 에어노즐은 상기 다수개의 에칭노즐 사이에 각각 설치될 수 있다.In addition, the air nozzle may be installed between the plurality of etching nozzles.

한편, 상기 에칭장치는 상기 소재의 양측단부에 설치되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입유닛을 더 포함하여 구성될 수 있다.The etching apparatus may further include a vacuum suction unit installed at both side ends of the work and sucking the etching liquid.

또한, 상기 에칭장치는 상기 소재의 상면에 설치되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입유닛을 더 포함하여 구성될 수 있다.The etching apparatus may further include a vacuum suction unit installed on an upper surface of the blank to suck the etching liquid.

또한, 상기 에칭장치는 상기 소재의 에칭이 이루어지는 구역의 전단부와 후단부에 각각 설치되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입유닛을 더 포함하여 구성될 수 있다.The etching apparatus may further include a vacuum suction unit installed at a front end and a rear end of the area where the material is etched to suck the etchant.

이 경우, 상기 진공흡입유닛은 흡입력을 발생시키는 펌프 및 상기 펌프에 연결되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입구를 포함하여 구성될 수 있다.In this case, the vacuum suction unit may include a pump for generating a suction force, and a vacuum suction port connected to the pump and sucking the etching solution.

본 발명에 따르면, 소재에 분사된 에칭액을 에어노즐과 진공흡입유닛을 이용하여 소재의 양측 방향으로 신속하게 배출시켜 흡입함으로써 소재 표면에 에칭액이 과도하게 고이는 현상, 즉, puddling을 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the phenomenon that the etching liquid is excessively accumulated on the surface of the workpiece, that is, puddling, by rapidly discharging the etching liquid sprayed to the workpiece by the air nozzle and the vacuum suction unit in both directions of the workpiece.

또한, 진공흡입유닛이 에칭존의 전단부와 후단부에 설치되어 에칭액의 분사 경로를 확보함으로써 잔존 에칭액이 아닌 분사 에칭액에 의한 직접적인 에칭이 이루어질 수 있다.Further, the vacuum suction unit is provided at the front end and the rear end of the etching zone to ensure the jetting path of the etching liquid, so that the direct etching by the injection etching liquid can be performed instead of the remaining etching liquid.

뿐만 아니라, 에칭존의 전단부에 설치되는 진공흡입유닛을 이용하여 소재의 챔버 인입시 최초 에칭노즐에 의해 발생하는 액적을 효과적으로 방지할 수 있다.In addition, by using the vacuum suction unit provided at the front end of the etching zone, it is possible to effectively prevent droplets generated by the first etching nozzle when the chamber is brought into the chamber.

아울러, 에칭존의 후단부에 설치되는 진공흡입유닛을 이용하여 최종 에칭노즐에 의해 발생된 잔존 및 비산 에칭액까지 제거함으로써 세정공정 진입 전에 최상의 상태를 유지할 수 있다.In addition, by using a vacuum suction unit provided at the rear end of the etching zone, it is possible to maintain the best state before entering the cleaning process by removing residual and scattered etching liquid generated by the final etching nozzle.

종국적으로, 상술한 제반 효과에 따라 에칭의 품질이 현저하게 향상될 수 있다.Ultimately, the quality of the etching can be remarkably improved in accordance with all of the effects described above.

도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 에칭장치를 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 측면도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 정면도,
도 5는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 정면도.
Figures 1 and 2 show an etching apparatus according to the prior art,
3 is a side view of an etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
4 is a front view of an etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention,
5 is a front view of an etching apparatus according to another preferred embodiment of the present invention;

이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙여 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly explain the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification.

먼저, 앞서 설명한 바와 같이 에칭공정에서 필연적으로 나타나는 puddling은 소재의 상면에서만 발생하고, 하부에서는 발생하지 않는다. 왜냐하면, 소재의 하면에서는 분사된 에칭액이 중력에 의해 수직으로 떨어져 제거되지만, 상면에서는 분사된 에칭액이 고일 수 밖에 없기 때문이다. 결국, puddling을 제거하기 위해서는 잔존 에칭액이 소재의 중심부로부터 양측으로 빠져나가야 한다.First, as described above, puddling necessarily occurs in the upper surface of the material, and does not occur in the lower portion. This is because, in the lower surface of the workpiece, the sprayed etching liquid is vertically removed by gravity, but the sprayed etching liquid on the upper surface can not be removed. As a result, in order to remove the puddling, the remaining etchant must escape from the center of the material to both sides.

구체적으로, 에칭노즐에서는 에칭액이 계속적으로 분사되기 때문에 소재에 도달한 에칭액이 양측으로 빠져나가기 전에 새로운 에칭액이 공급되고, 이에 따라 소재 표면에는 항상 일정량의 에칭액이 고이게 된다. 이처럼 소재 표면에 에칭액이 고일 수 밖에 없는 것은 소재에서 양측 방향을 제외하고는 에칭액이 빠져나갈 수 있는 공간이 존재하지 않기 때문이다. 즉, 막혀있기 때문이다.Specifically, since the etchant is continuously sprayed from the etch nozzle, a new etchant is supplied before the etchant reaching the workpiece is discharged to both sides, so that a certain amount of etchant is always present on the surface of the workpiece. The reason why the etchant is only on the surface of the material is that there is no room for the etchant to escape except for both sides in the material. That is, it is blocked.

이에, 본 발명에서는 소재 표면에 고여있는 에칭액을 소재의 양측 방향으로 신속하게 제거하기 위한 에칭장치를 제공하고자 한다. 이하, 도면을 참고하여 보다 구체적으로 설명한다.
Accordingly, the present invention provides an etching apparatus for rapidly removing the etchant accumulated on the surface of a workpiece in both directions of a work. Hereinafter, a more detailed description will be given with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 측면도, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 정면도, 도 5는 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 정면도이다.FIG. 3 is a side view of an etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 4 is a front view of an etching apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a front view of an etching apparatus according to another preferred embodiment of the present invention .

도 3 내지 도 5를 참고하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭장치(100)는 이송롤러(130)와, 에칭노즐(140) 및 에어노즐(150)을 포함하여 구성된다.3 through 5, an etching apparatus 100 according to a preferred embodiment of the present invention includes a transporting roller 130, an etching nozzle 140, and an air nozzle 150.

먼저, 상기 이송롤러(130)는 처리하고자 하는 소재(110)를 전처리공정에서 에칭공정을 거쳐 후속공정까지 연속적으로 수평 이동시키기 위한 수단으로 본 발명이 적용되는 에칭공정에서는 챔버(120)의 전단과 후단을 관통하여 설치된다.The transferring roller 130 is a means for horizontally moving the material 110 to be processed continuously through an etching process and a subsequent process in a pretreatment process. In the etching process to which the present invention is applied, And is installed through the rear end.

다음으로, 상기 에칭노즐(140)은 상기 소재(110)의 표면에 에칭액(E)을 분사하기 위한 수단으로 상기 소재(110)의 상부 및/또는 하부에 설치되는 파이프(141)에 일정한 간격으로 다수 형성된다.The etching nozzle 140 is disposed at a predetermined interval in the pipe 141 installed at the upper portion and / or the lower portion of the work 110 as a means for spraying the etching liquid E on the surface of the work 110. [ Are formed.

마지막으로, 상기 에어노즐(150)은 상기 소재(110)에 공기(A)를 분사하여 잔존 에칭액(E')을 외측으로 신속하게 밀어내기 위한 수단으로 상기 소재(110)의 상부에 다수 설치된다. 이 경우, 상기 에어노즐(150)의 설치개수는 특별히 제한되지 않으며, 상기 소재(110)의 크기, 상기 잔존 에칭액(E')의 발생 정도 등을 고려하여 적절하게 조절할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.Lastly, the air nozzle 150 is installed on the upper portion of the work 110 as a means for rapidly pushing out the remaining etchant E 'outward by spraying the air A onto the work 110 . In this case, it is to be understood that the number of the air nozzles 150 to be installed is not particularly limited and can be appropriately adjusted in consideration of the size of the work 110, the degree of occurrence of the remaining etchant E ', and the like.

한편, 본 발명에서는 상기 잔존 에칭액(E')을 상기 소재(110)의 중심으로부터 양측(side) 방향으로 밀어낼 수 있도록 상기 에어노즐(150)의 하단부가 상기 소재(110)의 양측으로 절곡되는 것을 특징적인 구성으로 한다.In the present invention, the lower end of the air nozzle 150 is bent to both sides of the work 110 so that the residual etchant E 'can be pushed out from the center of the work 110 to the side .

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 소재(110)의 중심에 위치하는 에어노즐(150a)로부터 외측에 위치하는 에어노즐(150b)로 갈수록 절곡각도를 크게 구성함으로써 상기 공기(A)에 의해 상기 잔존 에칭액(E')이 상기 소재(110)의 양측 방향으로 신속하게 배출되도록 한 것이다.That is, as shown in FIG. 4, the bending angle is made larger toward the air nozzle 150b located outside the air nozzle 150a located at the center of the material 110, So that the remaining etchant E 'is rapidly discharged in both directions of the work 110.

이 경우, 상기 잔존 에칭액(E')을 보다 효과적으로 배출시키기 위해서는 상기 에어노즐(150)이 상기 에칭노즐(140)과 인접하는 에칭노즐(140') 사이에 설치되는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 에칭노즐(140)(140')을 통해 분사되는 상기 에칭액(E)이 서로 만나는 부분(P)에서는 상기 잔존 에칭액(E')의 두께가 두꺼워지기 때문에 이러한 부분(P)을 제거하지 않으면 에칭이 불균일해질 수 밖에 없기 때문이다.In this case, it is preferable that the air nozzle 150 is installed between the etching nozzle 140 and the adjacent etching nozzle 140 'in order to more effectively discharge the residual etching liquid E'. This is because the thickness of the remaining etchant E 'becomes thick at the portion P where the etchant E injected through the etch nozzles 140 and 140' The etching will be uneven.

이상으로 본 발명의 기본적인 구성에 대해 설명하였다. 본 발명은 에칭의 품질을 보다 향상시키기 위해 상술한 구성 외에 추가적인 구성을 구비할 수 있는 바 이하에서는 이에 대해 구체적으로 설명하도록 한다.The basic constitution of the present invention has been described above. In order to further improve the quality of the etching, the present invention may have an additional structure in addition to the above-described structure.

먼저, 상기 에칭장치(100)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 진공흡입유닛(160)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 상기 진공흡입유닛(160)은 상기 에어노즐(150)에 의해 상기 소재(110)의 양측으로 이동되는 상기 잔존 에칭액(E')를 흡입하여 제거하기 위한 구성으로, 이를 위하여 상기 소재(110)의 양측단부, 보다 상세하게는, 상기 에어노즐(150)과 대응되는 위치에 각각 설치된다.First, the etching apparatus 100 may further include a vacuum suction unit 160 as shown in FIG. 3 and FIG. The vacuum suction unit 160 is configured to suck and remove the remaining etchant E 'which is moved to both sides of the work 110 by the air nozzle 150. To this end, At both ends, more specifically, at positions corresponding to the air nozzles 150.

이 경우, 상기 진공흡입유닛(160)은 도 5에 도시된 바와 같이 상기 소재(110)의 상면에 설치되는 것도 가능하다. 이와 같이 설치하면, 상기 진공흡입유닛(160)이 상기 소재(110) 위에서 상기 잔존 에칭액(E')을 직접 흡입하여 보다 원활한 에칭액 배출을 기대할 수 있다.In this case, the vacuum suction unit 160 may be installed on the upper surface of the work 110, as shown in FIG. With this arrangement, the vacuum suction unit 160 directly sucks the remaining etchant E 'on the work 110, so that more smooth etchant discharge can be expected.

한편, 에칭이 이루어지는 구역, 즉, 에칭존의 전단부와 후단부에도 진공흡입유닛(161)(162)이 설치될 수 있다. 이처럼 본 발명에서는 상기 진공흡입유닛(161)(162)을 상기 에칭노즐(140) 사이에 설치하지 않고 상기 챔버(120)의 전단부 및 후단부에 설치함으로써 상기 에칭노즐(140)의 분사 경로를 확보할 수 있다. 즉, 종래 상기 에칭노즐(140)의 방해물로 작용하던 상기 진공흡입유닛(161)(162)의 형성 위치를 변경함으로써 상기 소재(110)가 상기 잔존 에칭액(E')이 아닌 상기 에칭액(E)에 의해 직접적으로 에칭될 수 있도록 한 것이다.On the other hand, the vacuum suction units 161 and 162 may be provided in the region where the etching is performed, that is, the front end portion and the rear end portion of the etching zone. The vacuum suction units 161 and 162 are installed at the front end and the rear end of the chamber 120 without being disposed between the etching nozzles 140 so that the injection path of the etching nozzle 140 . That is, by changing the formation position of the vacuum suction unit 161 (162), which is an obstacle to the etching nozzle 140, the material 110 is not the etchant E ' So that it can be etched directly.

상술한 바와 같이 구성하면 액적을 방지하는 효과도 얻을 수 있어 바람직하다. 즉, 상기 소재(110)가 상기 챔버(120) 내로 최초 인입되면 상기 에칭노즐(140) 중 첫번째 에칭노즐에 의해 분사된 에칭액이 튀어 액적이 발생할 수 밖에 없는데, 이러한 액적은 에칭과정을 미리 진행시키기 때문에 에칭의 품질에 악영향을 미친다. 따라서 본 발명에서는 상기 소재(110)의 인입부에 상기 진공흡입유닛(161)을 설치하여 액적을 흡입, 제거하도록 구성한 것이다.The arrangement as described above is preferable because an effect of preventing droplets can be obtained. That is, when the material 110 is first drawn into the chamber 120, the etching solution injected by the first etching nozzle of the etching nozzle 140 may be ejected and droplets may be generated. Thus adversely affecting the quality of the etching. Therefore, in the present invention, the vacuum suction unit 161 is installed at the inlet of the material 110 to suck and remove the droplet.

또한, 상기 소재(110)가 상기 챔버(120) 밖으로 배출될 때에도 상기 진공흡입유닛(162)이 상기 에칭노즐(140) 중 최종 에칭노즐에 의해 분산된 에칭액을 최종적으로 제거하기 때문에 최적의 상태로 세정공정에 진입할 수 있다.Even when the material 110 is discharged outside the chamber 120, since the vacuum suction unit 162 finally removes the etchant dispersed by the last etching nozzle among the etching nozzles 140, It is possible to enter the cleaning process.

한편, 상기 진공흡입유닛(161)(162)은 흡입력을 발생시키는 진공펌프(도면 미도시)와, 상기 진공펌프에 연결되어 상기 잔존 에칭액(E')을 흡입하는 진공흡입구(163)를 포함하여 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 잔존 에칭액(E')은 상기 진공흡입구(163)에 연결되는 흡입배관(165)를 통해 에칭액조(도면 미도시)로 회수된다. 이상으로 상기 진공흡입유닛(161)(162)의 구체적인 구성에 대해 설명하였으나 본 발명에서 상기 진공흡입유닛(161)(162)의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 당업자라면 다양한 형태로 변형 가능한 것으로 이해되어야 한다. 예컨대, 상기 진공흡입유닛(161)(162)에 상기 진공흡입구(163)를 지지하기 위한 지지롤(164)을 추가 구성하는 것도 가능하나, 상기 지지롤(164)은 상기 에칭액(E)의 분사 경로를 방해할 수 있으므로 본 발명에서는 이를 생략하는 것이 바람직하다.
The vacuum suction units 161 and 162 include a vacuum pump (not shown) for generating a suction force and a vacuum suction port 163 connected to the vacuum pump and sucking the remaining etching solution E 'Lt; / RTI > In this case, the remaining etchant E 'is recovered as an etchant (not shown) through a suction pipe 165 connected to the vacuum suction port 163. Although the vacuum suction units 161 and 162 have been described above in detail, the vacuum suction units 161 and 162 of the present invention are not limited to the vacuum suction units 161 and 162, . For example, a support roll 164 for supporting the vacuum suction port 163 may be additionally formed in the vacuum suction units 161 and 162, but the support roll 164 may be formed by spraying the etchant E It is preferable to omit it in the present invention.

이상으로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에칭장치의 구성을 도면을 참고하여 상세하게 설명하였다. 이하에서는 도 3 내지 도 5를 계속 참고하여 본 발명의 작용을 설명한다.The structure of the etching apparatus according to the preferred embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. Hereinafter, the operation of the present invention will be described with continued reference to Figs.

먼저, 상기 이송롤러(130)의 회전으로 상기 소재(110)가 상기 챔버(120) 내로 진입된다. 진입과 동시에 상기 소재(110)에는 상기 에칭노즐(140) 중 최초 에칭노즐로부터 분사되는 에칭액(E)이 튀어 액적이 발생하게 된다. 이 경우, 상기 액적은 상기 진공흡입유닛(161)에 의해 흡입되어 상기 흡입배관(165)을 통해 상기 에칭액조로 회수된다.First, the material 110 is introduced into the chamber 120 by the rotation of the conveying roller 130. The etchant E ejected from the first etch nozzle 140 of the etch nozzle 140 is ejected from the material 110 to the droplet. In this case, the droplets are sucked by the vacuum suction unit 161 and recovered through the suction pipe 165 into the etching solution tank.

이후, 상기 소재(110)가 상기 에칭노즐(140)의 분사영역에 진입하면서 에칭이 시작된다. 이 경우, 상기 소재(110)의 표면에는 상기 잔존 에칭액(E')이 발생하게 되는데, 이렇게 발생된 상기 잔존 에칭액(E')은 상기 에어노즐(150)로부터 분사되는 상기 공기(A)에 의해 양측 방향으로 신속하게 배출된 후 상기 진공흡입유닛(160)에 의해 흡입, 제거된다.Then, the etching starts while the material 110 enters the ejection region of the etching nozzle 140. In this case, the residual etchant E 'is generated on the surface of the workpiece 110. The residual etchant E' thus generated is removed by the air A sprayed from the air nozzle 150 And is sucked and removed by the vacuum suction unit 160 after being quickly discharged in both directions.

마지막으로, 상기 소재(110)는 상술한 바와 같은 일련의 에칭 공정을 거친 후 상기 챔버(120) 밖으로 배출된다. 이 경우, 상기 에칭노즐(140) 중 최종 에칭노즐에 의해 발생된 상기 잔존 에칭액(E')은 상기 진공흡입유닛(162)에 의해 제거된다.
Finally, the material 110 is discharged out of the chamber 120 after a series of etching processes as described above. In this case, the remaining etching solution E 'generated by the last etching nozzle among the etching nozzles 140 is removed by the vacuum suction unit 162.

이상으로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참고하여 상세하게 설명하였다. 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.The preferred embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

따라서 본 발명의 범위는 상술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미, 범위, 및 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning, range, and equivalence of the claims are included in the scope of the present invention. .

본 발명은 반도체 기판의 표면을 에칭처리하는 장치에 관한 것으로서, 구체적으로, Lead Frame, BOC(Board On Chip), COF(Chip On Film) 등 에칭처리에 의해 반도체 배선 기판을 제조하는 공정에 활용할 수 있다.The present invention relates to an apparatus for etching a surface of a semiconductor substrate, and more particularly, to an apparatus for etching a surface of a semiconductor substrate, which can be used in a process of manufacturing a semiconductor wiring substrate by etching process such as Lead Frame, BOC (Board On Chip) have.

100 : 에칭장치 110 : 소재
120 : 챔버 130 : 이송롤러
140, 140' : 에칭노즐 141 : 파이프
150, 150a, 150b : 에어노즐 160 : 진공흡입유닛
161, 162 : 진공흡입유닛 163 : 진공흡입구
164 : 지지롤 165 : 흡입배관
A : 공기 E : 에칭액
E' : 잔존 에칭액 P : 에칭액 교차 지점
100: etching apparatus 110: material
120: chamber 130: conveying roller
140, 140 ': etching nozzle 141: pipe
150, 150a, 150b: Air nozzle 160: Vacuum suction unit
161, 162: vacuum suction unit 163: vacuum suction port
164: Support roll 165: Suction piping
A: air E: etching solution
E ': Remaining etching solution P: Etching solution Cross point

Claims (8)

피처리 소재를 수평하게 이동시키는 이솔롤러와;
상기 소재의 상부에 설치되어 에칭액을 분사하는 다수개의 에칭노즐; 및
상기 소재의 상부에 설치되어 공기를 분사함으로써 상기 에칭액을 외측으로 흘려보낼 수 있도록 하단부가 상기 소재의 중심으로부터 양측 방향으로 절곡되는 에어노즐;
을 포함하여 구성되는 에칭장치.
An isola roller for horizontally moving the material to be processed;
A plurality of etching nozzles disposed at an upper portion of the workpiece to spray an etching solution; And
An air nozzle provided at an upper portion of the material and having a lower end portion bent in both directions from a center of the material so as to allow the etching liquid to flow outward by jetting air;
And an etching apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 에어노즐은 적어도 하나 이상 설치되는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
The method according to claim 1,
Wherein at least one of the air nozzles is installed.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 에어노즐은 상기 다수개의 에칭노즐 사이에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
The method according to claim 1,
Wherein the air nozzle is installed between the plurality of etching nozzles.
제 1 항에 있어서,
상기 에칭장치는,
상기 소재의 양측단부에 설치되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입유닛을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
The method according to claim 1,
The etching apparatus includes:
Further comprising: a vacuum suction unit installed at both side ends of the work and sucking the etching liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 에칭장치는,
상기 소재의 상면에 설치되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입유닛을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
The method according to claim 1,
The etching apparatus includes:
And a vacuum suction unit installed on an upper surface of the workpiece to suck the etching liquid.
제 1 항에 있어서,
상기 에칭장치는,
상기 소재의 에칭이 이루어지는 구역의 전단부와 후단부에 각각 설치되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입유닛을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
The method according to claim 1,
The etching apparatus includes:
Further comprising a vacuum suction unit installed at a front end portion and a rear end portion of a region where etching of the workpiece is performed, and sucking the etching liquid.
제 7 항에 있어서,
상기 진공흡입유닛은,
흡입력을 발생시키는 펌프; 및
상기 펌프에 연결되어 상기 에칭액을 흡입하는 진공흡입구;
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 에칭장치.
8. The method of claim 7,
The vacuum suction unit includes:
A pump generating a suction force; And
A vacuum suction port connected to the pump for sucking the etchant;
And an etching stopper.
KR1020100088359A 2010-09-09 2010-09-09 Apparatus for etching KR101150022B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100088359A KR101150022B1 (en) 2010-09-09 2010-09-09 Apparatus for etching

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100088359A KR101150022B1 (en) 2010-09-09 2010-09-09 Apparatus for etching

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120026244A KR20120026244A (en) 2012-03-19
KR101150022B1 true KR101150022B1 (en) 2012-05-31

Family

ID=46132190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100088359A KR101150022B1 (en) 2010-09-09 2010-09-09 Apparatus for etching

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101150022B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519630B1 (en) * 2014-03-31 2015-05-14 (주) 에스엠씨 An etching system
KR101663081B1 (en) 2015-04-20 2016-10-07 박종모 Etching apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687590A (en) * 2021-01-08 2021-04-20 开化晶芯电子有限公司 Etching device for processing semiconductor silicon wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050650A (en) 1996-07-30 1998-02-20 Nec Corp Substrate surface treating apparatus
KR20020050712A (en) * 2000-12-21 2002-06-27 니시무로 타이죠 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method using the same
KR100616105B1 (en) * 2005-03-04 2006-08-25 (주)인터플렉스 A roll to roll manufacturing system and flexible printed circuit
KR200427370Y1 (en) * 2006-07-04 2006-09-25 (주) 에스엠씨 Apparatus for etching a film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050650A (en) 1996-07-30 1998-02-20 Nec Corp Substrate surface treating apparatus
KR20020050712A (en) * 2000-12-21 2002-06-27 니시무로 타이죠 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method using the same
KR100616105B1 (en) * 2005-03-04 2006-08-25 (주)인터플렉스 A roll to roll manufacturing system and flexible printed circuit
KR200427370Y1 (en) * 2006-07-04 2006-09-25 (주) 에스엠씨 Apparatus for etching a film

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101519630B1 (en) * 2014-03-31 2015-05-14 (주) 에스엠씨 An etching system
KR101663081B1 (en) 2015-04-20 2016-10-07 박종모 Etching apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120026244A (en) 2012-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102011538B1 (en) Wiping pad, nozzle maintenance device using pad, and coating processing device
CN102161027B (en) Cleaning device and coating device for slit nozzle
JP4494269B2 (en) Substrate processing equipment
KR100982492B1 (en) Two-fluid jet nozzle for cleaning substrate
KR101335885B1 (en) Substrate processing apparatus with a non-contact floating transfer system
EP3226283A1 (en) Liquid cutter cleaning device
KR101150022B1 (en) Apparatus for etching
TWI443734B (en) Substrate processing device
JP2004221244A5 (en)
JP2010199150A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN214458338U (en) Etching device with pre-etching process
CN1828826A (en) Substrate treatment device and method
KR101386677B1 (en) An manufacturing for microcircuit board
JP4675113B2 (en) Substrate cleaning device
JP2014017316A (en) Developing apparatus and developing method
KR101750995B1 (en) etching equipment for metal sheet material
KR100728889B1 (en) Device for etching a flexible film
KR20150041378A (en) Chemical liquid supply device and substrate processing apparatus having the same
JP2007059417A (en) Substrate treatment device
KR100728890B1 (en) Device for etching a flexible film
JP3200876B2 (en) Circuit board cleaning method and cleaning apparatus
KR101976798B1 (en) Nozzle for recycling steam
JP2010131485A (en) Device and method for draining liquid on substrate
JP2006247618A (en) Two-fluid nozzle and apparatus for treating substrate using two-fluid nozzle
JP2003282525A (en) Substrate treatment device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150506

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160504

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170510

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180425

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190425

Year of fee payment: 8