JP6289922B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
JP6289922B2
JP6289922B2 JP2014015201A JP2014015201A JP6289922B2 JP 6289922 B2 JP6289922 B2 JP 6289922B2 JP 2014015201 A JP2014015201 A JP 2014015201A JP 2014015201 A JP2014015201 A JP 2014015201A JP 6289922 B2 JP6289922 B2 JP 6289922B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
unit
cleaning liquid
uneven portion
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014015201A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015142070A (en
Inventor
崇 大田垣
崇 大田垣
林　航之介
航之介 林
将文 鈴木
将文 鈴木
松嶋　大輔
大輔 松嶋
中村　聡
中村　　聡
出村　健介
健介 出村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2014015201A priority Critical patent/JP6289922B2/en
Publication of JP2015142070A publication Critical patent/JP2015142070A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6289922B2 publication Critical patent/JP6289922B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

基板の表面に洗浄液を供給し、基板の表面に付着している付着物を除去する基板処理装置がある。（例えば、特許文献１を参照）
ここで、基板の表面には、凹凸部が形成されている場合がある。
例えば、半導体ウェーハの表面には、回路パターン（凹凸部）が形成されている。
また、インプリント法に用いられるテンプレートの表面には、転写されるパターン（凹凸部）が形成されている。
そして、付着物が凹凸部の内部に入り込んだ場合には、基板の表面に洗浄液を供給しただけでは付着物を除去することができない場合が生じ得る。
そのため、表面に凹凸部を有する基板であっても、付着物を効果的に除去することができる基板処理装置および基板処理方法の開発が望まれていた。 There is a substrate processing apparatus that supplies a cleaning liquid to the surface of a substrate and removes deposits attached to the surface of the substrate. (For example, see Patent Document 1)
Here, an uneven portion may be formed on the surface of the substrate.
For example, a circuit pattern (uneven portion) is formed on the surface of the semiconductor wafer.
In addition, a transferred pattern (uneven portion) is formed on the surface of a template used in the imprint method.
And when an adhering substance enters the inside of an uneven | corrugated | grooved part, the case where an adhering substance cannot be removed only by supplying cleaning liquid to the surface of a board | substrate may arise.
Therefore, it has been desired to develop a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can effectively remove deposits even on a substrate having an uneven portion on the surface.

特開２０１２−１２４２９８号公報JP 2012-124298 A

本発明が解決しようとする課題は、付着物を効果的に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively removing deposits.

実施形態に係る基板処理装置は、表面に凹凸部を有する基板を処理する基板処理装置である。この基板処理装置は、前記凹凸部が設けられている側が突出するように前記基板を変形させる基板変形部と、前記変形した基板の前記凹凸部に洗浄液を接触させる洗浄部と、を備えている。   The substrate processing apparatus which concerns on embodiment is a substrate processing apparatus which processes the board | substrate which has an uneven | corrugated | grooved part on the surface. The substrate processing apparatus includes a substrate deformation portion that deforms the substrate so that a side on which the uneven portion is provided protrudes, and a cleaning portion that causes a cleaning liquid to contact the uneven portion of the deformed substrate. .

本発明の実施形態によれば、付着物を効果的に除去することができる基板処理装置および基板処理方法が提供される。   According to the embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively removing deposits are provided.

本実施の形態に係る基板処理装置１を例示するためのレイアウト図である。1 is a layout diagram for illustrating a substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. 移載部３および基板変形部４を例示するための模式断面図である。4 is a schematic cross-sectional view for illustrating a transfer unit 3 and a substrate deforming unit 4. FIG. 洗浄部５を例示するための模式断面図である。3 is a schematic cross-sectional view for illustrating a cleaning unit 5. FIG. （ａ）〜（ｃ）は、移載部３から基板変形部４に処理前の基板１００が受け渡される様子を例示するための模式図である。(A)-(c) is a schematic diagram for demonstrating a mode that the board | substrate 100 before a process is delivered from the transfer part 3 to the board | substrate deformation | transformation part 4. FIG. 処理前の基板１００の変形を例示するための模式図である。It is a schematic diagram for illustrating the deformation | transformation of the board | substrate 100 before a process. （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る基板変形部４０について例示をするための模式図である。(A), (b) is a schematic diagram for demonstrating about the board | substrate deformation | transformation part 40 which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る基板変形部４１について例示をするための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating about the board | substrate deformation | transformation part 41 which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る基板変形部４３について例示をするための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating about the board | substrate deformation | transformation part 43 which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る基板変形部４２および洗浄部５０について例示をするための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating about the board | substrate deformation | transformation part 42 and the washing | cleaning part 50 which concern on other embodiment.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置１を例示するためのレイアウト図である。
図２は、移載部３および基板変形部４を例示するための模式断面図である。
なお、図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
図３は、洗浄部５を例示するための模式断面図である。
なお、図３は、図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。 Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a layout diagram for illustrating a substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for illustrating the transfer unit 3 and the substrate deforming unit 4.
2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for illustrating the cleaning unit 5.
3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

図１に示すように、基板処理装置１には、筐体２、移載部３、基板変形部４、洗浄部５、乾燥部６、搬送部７、収納部８、および制御部９が設けられている。
また、図２に示すように、基板１００には、基部１０１と凹凸部１０２が設けられている。基部１０１は、板状を呈している。凹凸部１０２は、基部１０１の表面に設けられている。
基板１００は、例えば、半導体ウェーハとすることができる。この場合、凹凸部１０２は回路パターンなどとすることができる。
また、基板１００は、例えば、インプリント法に用いられるテンプレートとすることができる。この場合、凹凸部１０２は転写されるパターンなどとすることができる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a housing 2, a transfer unit 3, a substrate deformation unit 4, a cleaning unit 5, a drying unit 6, a transport unit 7, a storage unit 8, and a control unit 9. It has been.
As shown in FIG. 2, the substrate 100 is provided with a base portion 101 and an uneven portion 102. The base 101 has a plate shape. The uneven part 102 is provided on the surface of the base part 101.
The substrate 100 can be, for example, a semiconductor wafer. In this case, the uneven portion 102 can be a circuit pattern or the like.
Moreover, the board | substrate 100 can be made into the template used for the imprint method, for example. In this case, the uneven portion 102 can be a pattern to be transferred.

また、図１に示すように、筐体２は、箱状を呈し、移載部３、基板変形部４、洗浄部５、乾燥部６、および搬送部７が内部に設けられている。
筐体２は、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことができる程度の気密構造を有している。
なお、空気などのガス供給装置を設け、筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力より高くなるようにすることもできる。筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力より高くなるようにすれば、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことが容易となる。 Moreover, as shown in FIG. 1, the housing | casing 2 is exhibiting box shape, The transfer part 3, the board | substrate deformation | transformation part 4, the washing | cleaning part 5, the drying part 6, and the conveyance part 7 are provided in the inside.
The housing 2 has an airtight structure to the extent that particles can be prevented from entering from the outside.
A gas supply device such as air may be provided so that the pressure inside the housing 2 is higher than the pressure outside the housing 2. If the pressure inside the housing 2 is higher than the pressure outside the housing 2, it becomes easy to prevent intrusion of particles from the outside.

また、図２に示すように、移載部３には、支持部３ａおよび移動部３ｂが設けられている。
また、基板変形部４には、受け部４ａ、押さえ部４ｂ、アーム部４ｃ、移動部４ｄ、ガス供給部４ｅ、ガス制御部４ｆおよびアーム部４ｇが設けられている。
支持部３ａは、柱状を呈している。支持部３ａの一方の端部は、受け部４ａの側に向けて延びている。支持部３ａは、移動部３ｂに接続されている。
支持部３ａは、基板１００を支持する。支持部３ａの数には特に限定はないが、支持部３ａの数を３つ以上とすれば、支持された基板１００の姿勢を安定させることができる。 移動部３ｂは、受け部４ａに近づく方向または受け部４ａから離れる方向に支持部３ａを移動させる。移動部３ｂは、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。 As shown in FIG. 2, the transfer unit 3 is provided with a support unit 3a and a moving unit 3b.
Further, the substrate deforming portion 4 is provided with a receiving portion 4a, a pressing portion 4b, an arm portion 4c, a moving portion 4d, a gas supply portion 4e, a gas control portion 4f, and an arm portion 4g.
The support part 3a has a columnar shape. One end of the support portion 3a extends toward the receiving portion 4a. The support part 3a is connected to the moving part 3b.
The support part 3 a supports the substrate 100. The number of the support portions 3a is not particularly limited, but if the number of the support portions 3a is three or more, the posture of the supported substrate 100 can be stabilized. The moving part 3b moves the support part 3a in a direction approaching the receiving part 4a or in a direction away from the receiving part 4a. For example, the moving unit 3b may include a control motor such as a servo motor.

本実施の形態においては、基板変形部４に設けられた押さえ部４ｂとガス供給部４ｅが、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側に加わる圧力を増加させる加圧部となる。
受け部４ａは、環状を呈している。受け部４ａは、凹部４ａ１を有している。凹部４ａ１の底面４ａ３には基板１００が載置される。この際、基板１００の凹凸部１０２側が凹部４ａ１の底面４ａ３に載置される。
凹部４ａ１の底面４ａ３には、孔部４ａ２が設けられている。支持部３ａは、孔部４ａ２を通って受け部４ａから突出することができる。凹部４ａ１の側面４ａ４と底面４ａ３の間には、斜面４ａ５が設けられている。そのため、載置された基板１００の位置決めを行うことができる。 In the present embodiment, the pressing unit 4b and the gas supply unit 4e provided in the substrate deforming unit 4 increase the pressure applied to the side opposite to the side on which the uneven portion 102 of the substrate 100 is provided. It becomes.
The receiving part 4a has an annular shape. The receiving part 4a has a recess 4a1. The substrate 100 is placed on the bottom surface 4a3 of the recess 4a1. At this time, the uneven portion 102 side of the substrate 100 is placed on the bottom surface 4a3 of the recess 4a1.
A hole 4a2 is provided in the bottom surface 4a3 of the recess 4a1. The support part 3a can protrude from the receiving part 4a through the hole part 4a2. A slope 4a5 is provided between the side surface 4a4 and the bottom surface 4a3 of the recess 4a1. Therefore, the placed substrate 100 can be positioned.

押さえ部４ｂは、板状を呈している。押さえ部４ｂの受け部４ａ側の面には凹部４ｂ１が設けられている。凹部４ｂ１は、基板１００の凹凸部１０２が設けられている領域に対峙して設けられている。
凹部４ｂ１の周縁を囲むようにＯリング（オーリング）などの封止部材４ｂ２が設けられている。封止部材４ｂ２は、基板１００と接触することで、凹部４ｂ１を封止する。 The pressing portion 4b has a plate shape. A concave portion 4b1 is provided on the surface of the pressing portion 4b on the receiving portion 4a side. The recess 4b1 is provided opposite to the region where the uneven portion 102 of the substrate 100 is provided.
A sealing member 4b2 such as an O-ring (O-ring) is provided so as to surround the periphery of the recess 4b1. The sealing member 4b2 seals the recess 4b1 by contacting the substrate 100.

アーム部４ｃの一端は、押さえ部４ｂの凹部４ｂ１が設けられている側とは反対側の面に接続されている。
アーム部４ｃの他端は、移動部４ｄに接続されている。
アーム部４ｇは、受け部４ａの凹部４ａ１が設けられている側とは反対側の面に設けられている。
アーム部４ｇの他端は、移動部４ｄに接続されている。 One end of the arm portion 4c is connected to the surface of the pressing portion 4b opposite to the side where the concave portion 4b1 is provided.
The other end of the arm part 4c is connected to the moving part 4d.
The arm portion 4g is provided on the surface of the receiving portion 4a opposite to the side where the concave portion 4a1 is provided.
The other end of the arm part 4g is connected to the moving part 4d.

移動部４ｄは、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの少なくともいずれかを互いに近接する方向または互いに離れる方向に移動させる。すなわち、移動部４ｄは、基板１００の保持と基板１００の保持の解除を行う。
また、移動部４ｄは、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを移載部３の位置または洗浄部５の位置に移動させる。すなわち、移動部４ｄは、移載部３と洗浄部５との間における基板１００の搬送を行う。
また、移動部４ｄは、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の容器５ａに近づける方向または容器５ａから離す方向に移動させる。すなわち、移動部４ｄは、容器５ａに収納された洗浄液５ｆに基板１００を接触させる。または、移動部４ｄは、洗浄液５ｆから基板１００を取り出す。
移動部４ｄは、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。
後述する基板１００の凹凸部１０２が容器５ａ内の洗浄液５ｆに接触して洗浄される場合には、アーム部４ｃ、アーム部４ｇ、および移動部４ｄは、容器５ａと接触しないような形状および配置を有している。 The moving part 4d moves at least one of the arm part 4c and the arm part 4g in a direction close to each other or in a direction away from each other. That is, the moving unit 4d holds the substrate 100 and releases the substrate 100.
The moving unit 4d moves the arm unit 4c and the arm unit 4g to the position of the transfer unit 3 or the position of the cleaning unit 5. That is, the moving unit 4 d carries the substrate 100 between the transfer unit 3 and the cleaning unit 5.
In addition, the moving unit 4d moves the arm unit 4c and the arm unit 4g in a direction in which the arm unit 4c and the arm unit 4g are brought closer to or away from the container 5a of the cleaning unit 5. That is, the moving part 4d brings the substrate 100 into contact with the cleaning liquid 5f stored in the container 5a. Alternatively, the moving unit 4d takes out the substrate 100 from the cleaning liquid 5f.
The moving unit 4d may be provided with a control motor such as a servo motor, for example.
When the concave and convex portion 102 of the substrate 100, which will be described later, is cleaned in contact with the cleaning liquid 5f in the container 5a, the arm portion 4c, the arm portion 4g, and the moving portion 4d are shaped and arranged so as not to contact the container 5a. have.

ガス供給部４ｅは、ガス制御部４ｆを介して凹部４ｂ１の内部にガスを供給する。ガスの種類には特に限定はないが、例えば、空気や窒素ガスなどとすることができる。
ガス制御部４ｆは、ガス供給部４ｅから供給されるガスの圧力や流量を制御する。
基板１００が保持されているときに、凹部４ｂ１の内部にガスが供給されると凹部４ｂ１の内圧が高くなるので、基板１００を凸状に変形させることができる。この際、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように変形するので、凸部同士の間が拡げられる。
すなわち、ガス制御部４ｆは基板１００を弾性変形させることができる。
また、基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法は、ガス制御部４ｆによりガスの圧力や流量を制御することで変化させることができる。
なお、基板１００の変形に関する詳細は後述する。 The gas supply unit 4e supplies gas to the inside of the recess 4b1 via the gas control unit 4f. There is no particular limitation on the type of gas, but it can be, for example, air or nitrogen gas.
The gas control unit 4f controls the pressure and flow rate of the gas supplied from the gas supply unit 4e.
When gas is supplied into the recess 4b1 when the substrate 100 is held, the internal pressure of the recess 4b1 increases, so that the substrate 100 can be deformed into a convex shape. At this time, since the side where the uneven portion 102 is provided is deformed so as to protrude, the space between the convex portions is expanded.
That is, the gas control unit 4f can elastically deform the substrate 100.
Further, the deformation amount of the substrate 100, and hence the dimension between the convex portions, can be changed by controlling the gas pressure and flow rate by the gas control unit 4f.
Details regarding the deformation of the substrate 100 will be described later.

図１および図３に示すように、洗浄部５には、容器５ａ、洗浄液収納部５ｂ、洗浄液供給部５ｃ、排出バルブ５ｄ、および振動発生部５ｅが設けられている。
洗浄部５は、変形した基板１００の凹凸部１０２に洗浄液５ｆを接触させる。
容器５ａは、箱状を呈し、一方の端部が開口している。容器５ａの内部には洗浄液５ｆが収納されている。そのため、容器５ａの開口を介して、基板変形部４に保持された基板１００を洗浄液５ｆに接触させることができる。なお、基板１００の全体を洗浄液５ｆの中に入れる必要はなく、少なくとも凹凸部１０２が洗浄液５ｆに接触すればよい。 As shown in FIGS. 1 and 3, the cleaning unit 5 includes a container 5a, a cleaning liquid storage unit 5b, a cleaning liquid supply unit 5c, a discharge valve 5d, and a vibration generating unit 5e.
The cleaning unit 5 brings the cleaning liquid 5 f into contact with the uneven portion 102 of the deformed substrate 100.
The container 5a has a box shape and is open at one end. A cleaning liquid 5f is accommodated in the container 5a. Therefore, the substrate 100 held by the substrate deforming portion 4 can be brought into contact with the cleaning liquid 5f through the opening of the container 5a. Note that it is not necessary to put the entire substrate 100 in the cleaning liquid 5f, and it is sufficient that at least the concavo-convex portion 102 is in contact with the cleaning liquid 5f.

洗浄液収納部５ｂは、洗浄液供給部５ｃを介して容器５ａに接続されている。
洗浄液収納部５ｂは、洗浄液５ｆを収納する。
洗浄液５ｆは、基板１００に付着している付着物１１０の材質などに応じて適宜選択することができる。
例えば、洗浄液５ｆは、純水とすることができる。
有機物を含む付着物１１０の場合には、洗浄液５ｆは、酸化性物質を含む溶液とすることができる。酸化性物質を含む溶液は、例えば、オゾン水、ＳＰＭ（Sulfuric Acid Peroxide Mixture）溶液、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１洗浄に用いる溶液）などとすることができる。なお、ＳＰＭ溶液は、硫酸と過酸化水素水の混合液である。アンモニア過酸化水素水は、アンモニア水と過酸化水素水と水の混合液である。
金属を含む付着物１１０の場合には、洗浄液５ｆは、塩酸過酸化水素水（ＳＣ２洗浄に用いる溶液）などとすることができる。なお、塩酸過酸化水素水は、塩酸と過酸化水素水と水の混合液である。 The cleaning liquid storage unit 5b is connected to the container 5a via the cleaning liquid supply unit 5c.
The cleaning liquid storage unit 5b stores the cleaning liquid 5f.
The cleaning liquid 5f can be appropriately selected according to the material of the deposit 110 attached to the substrate 100.
For example, the cleaning liquid 5f can be pure water.
In the case of the deposit 110 containing an organic substance, the cleaning liquid 5f can be a solution containing an oxidizing substance. The solution containing an oxidizing substance can be, for example, ozone water, SPM (Sulfuric Acid Peroxide Mixture) solution, ammonia hydrogen peroxide solution (solution used for SC1 cleaning), or the like. The SPM solution is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide water. The ammonia hydrogen peroxide solution is a mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and water.
In the case of the deposit 110 containing metal, the cleaning liquid 5f can be hydrochloric acid hydrogen peroxide (solution used for SC2 cleaning) or the like. Note that the hydrochloric acid-hydrogen peroxide solution is a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and water.

洗浄液供給部５ｃは、洗浄液収納部５ｂに収納されている洗浄液５ｆを容器５ａに供給する。
洗浄液供給部５ｃは、洗浄液５ｆに対する耐性を有するポンプなどとすることができる。洗浄液供給部５ｃは、例えば、ケミカルポンプなどとすることができる。
ただし、洗浄液供給部５ｃは、ポンプに限定されるわけではない。例えば、洗浄液供給部５ｃは、洗浄液収納部５ｂの内部にガスを供給し、洗浄液収納部５ｂの内部に収納された洗浄液５ｆを圧送するものとすることもできる。 The cleaning liquid supply unit 5c supplies the cleaning liquid 5f stored in the cleaning liquid storage unit 5b to the container 5a.
The cleaning liquid supply unit 5c can be a pump having resistance to the cleaning liquid 5f. The cleaning liquid supply unit 5c can be, for example, a chemical pump.
However, the cleaning liquid supply unit 5c is not limited to a pump. For example, the cleaning liquid supply unit 5c may supply gas into the cleaning liquid storage unit 5b and pump the cleaning liquid 5f stored in the cleaning liquid storage unit 5b.

排出バルブ５ｄは、容器５ａに接続されている。排出バルブ５ｄは、容器５ａに収納されている洗浄液５ｆと除去された付着物１１０を排出する。排出バルブ５ｄは、例えば、開閉弁などとすることができる。排出バルブ５ｄは、配管を介して図示しない工場配管や回収装置などと接続することもできる。   The discharge valve 5d is connected to the container 5a. The discharge valve 5d discharges the cleaning liquid 5f stored in the container 5a and the removed deposit 110. The discharge valve 5d can be, for example, an on-off valve. The discharge valve 5d can also be connected to factory piping, a recovery device, etc. (not shown) via piping.

振動発生部５ｅは、容器５ａに設けられている。振動発生部５ｅは、振動を発生する。振動発生部５ｅは、例えば、超音波振動発生装置などとすることができる。
なお、振動発生部５ｅは、容器５ａおよび基板変形部４の少なくともいずれかに設けるようにすることができる。すなわち、振動発生部５ｅにより発生した振動が、洗浄液５ｆおよび基板１００の少なくともいずれかに伝わるようにすればよい。
振動発生部５ｅは、必ずしも必要ではないが、振動発生部５ｅを設ければ、付着物１１０をより効果的に除去することができる。 The vibration generator 5e is provided in the container 5a. The vibration generator 5e generates vibration. The vibration generator 5e can be, for example, an ultrasonic vibration generator.
The vibration generating unit 5e can be provided in at least one of the container 5a and the substrate deforming unit 4. That is, the vibration generated by the vibration generating unit 5e may be transmitted to at least one of the cleaning liquid 5f and the substrate 100.
Although the vibration generating part 5e is not necessarily required, if the vibration generating part 5e is provided, the deposit 110 can be more effectively removed.

乾燥部６には、載置部６ａ、ノズル６ｂ、移動部６ｃ、ガス供給部６ｄ、およびガス制御部６ｅが設けられている。
載置部６ａには、基板１００が載置される。この際、基板１００の凹凸部１０２側がノズル６ｂの側に向くようにして載置される。また、載置部６ａには回転機構が内蔵されており、載置された基板１００を回転させる。載置部６ａには、ヒータなどの加熱装置や、静電チャックなどの保持装置を内蔵させることもできる。 The drying unit 6 includes a placement unit 6a, a nozzle 6b, a moving unit 6c, a gas supply unit 6d, and a gas control unit 6e.
The substrate 100 is placed on the placement portion 6a. At this time, the substrate 100 is placed such that the uneven portion 102 side faces the nozzle 6b. Moreover, the mounting part 6a incorporates a rotation mechanism, and rotates the mounted substrate 100. The mounting portion 6a can incorporate a heating device such as a heater or a holding device such as an electrostatic chuck.

ノズル６ｂは、載置部６ａに載置された基板１００に向けてガスを噴射する。
移動部６ｃは、ノズル６ｂの位置を変化させる。例えば、ガスを噴射させる際には、移動部６ｃは、ノズル６ｂが基板１００の上方に位置するように移動させる。ガスの噴射が終了した際には、移動部６ｃは、ノズル６ｂが基板１００の上方から退避するように移動させる。
ガス供給部６ｄは、ガス制御部６ｅを介してノズル６ｂにガスを供給する。ガスの種類には特に限定はないが、例えば、空気や窒素ガスなどとすることができる。
ガス制御部６ｅは、ガス供給部６ｄから供給されるガスの圧力や流量を制御する。 The nozzle 6b injects gas toward the substrate 100 placed on the placement unit 6a.
The moving part 6c changes the position of the nozzle 6b. For example, when injecting gas, the moving unit 6 c moves so that the nozzle 6 b is positioned above the substrate 100. When the gas injection is completed, the moving unit 6 c moves the nozzle 6 b so as to retract from the upper side of the substrate 100.
The gas supply unit 6d supplies gas to the nozzle 6b via the gas control unit 6e. There is no particular limitation on the type of gas, but it can be, for example, air or nitrogen gas.
The gas control unit 6e controls the pressure and flow rate of the gas supplied from the gas supply unit 6d.

搬送部７には、本体部７ａ、アーム部７ｂ、および移動部７ｃが設けられている。
搬送部７は、収納部８と移載部３との間、基板変形部４と乾燥部６との間、および乾燥部６と収納部８との間における基板１００の搬送を行う。
本体部７ａは、移動部７ｃの上に設けられている。本体部７ａの上にはアーム部７ｂが設けられている。本体部７ａには回転機構が内蔵されており、アーム部７ｂの向きを変化させることができるようになっている。 The transport part 7 is provided with a main body part 7a, an arm part 7b, and a moving part 7c.
The transport unit 7 transports the substrate 100 between the storage unit 8 and the transfer unit 3, between the substrate deforming unit 4 and the drying unit 6, and between the drying unit 6 and the storage unit 8.
The main body part 7a is provided on the moving part 7c. An arm portion 7b is provided on the main body portion 7a. The main body part 7a has a built-in rotation mechanism so that the direction of the arm part 7b can be changed.

アーム部７ｂの一端には、保持装置が設けられており基板１００を保持する。アーム部７ｂの他端は、本体部７ａに設けられている。アーム部７ｂは、本体部７ａから突出する方向または本体部７ａ側に戻る方向に移動する。すなわち、アーム部７ｂは、保持した基板１００を収納部８側などに受け渡すことができるようになっている。また、アーム部７ｂは、収納部８側などから基板１００を取り出すことができるようになっている。
移動部７ｃは、基板１００の受け渡しのために本体部７ａの位置、ひいては、アーム部７ｂの位置を移動させる。 At one end of the arm portion 7b, a holding device is provided to hold the substrate 100. The other end of the arm portion 7b is provided in the main body portion 7a. The arm part 7b moves in a direction protruding from the main body part 7a or returning to the main body part 7a side. That is, the arm portion 7b can deliver the held substrate 100 to the storage portion 8 side or the like. The arm portion 7b can take out the substrate 100 from the storage portion 8 side or the like.
The moving part 7c moves the position of the main body part 7a and thus the position of the arm part 7b for delivery of the substrate 100.

収納部８は、基板１００を収納する。収納部８は、筐体２の側壁面に設けられた開口を覆うように取り付けられている。
収納部８は、複数の基板１００を積層状（多段状）に収納可能なキャリアなどとすることができる。収納部８は、例えば、ＦＯＵＰ(Front-Opening Unified Pod)などとすることができる。ＦＯＵＰは、ミニエンバイロメント方式の半導体工場で使われている基板１００の搬送、保管を目的とした正面開口式キャリアである。 The storage unit 8 stores the substrate 100. The storage unit 8 is attached so as to cover an opening provided on the side wall surface of the housing 2.
The storage unit 8 can be a carrier or the like that can store a plurality of substrates 100 in a stacked (multistage) form. The storage unit 8 can be, for example, a FOUP (Front-Opening Unified Pod). The FOUP is a front opening type carrier for the purpose of transporting and storing the substrate 100 used in a mini-environment semiconductor factory.

制御部９は、基板処理装置１に設けられている各要素の動作を制御する。
制御部９は、移動部３ｂを制御して、受け部４ａに近づく方向または受け部４ａから離れる方向に支持部３ａを移動させる。
制御部９は、移動部４ｄを制御して、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの少なくともいずれかを互いに近接する方向または互いに離れる方向に移動させる。
制御部９は、移動部４ｄを制御して、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを移載部３の位置または洗浄部５の位置に移動させる。 The controller 9 controls the operation of each element provided in the substrate processing apparatus 1.
The control unit 9 controls the moving unit 3b to move the support unit 3a in a direction approaching the receiving unit 4a or in a direction away from the receiving unit 4a.
The control unit 9 controls the moving unit 4d to move at least one of the arm unit 4c and the arm unit 4g in a direction close to each other or a direction away from each other.
The control unit 9 controls the moving unit 4d to move the arm unit 4c and the arm unit 4g to the position of the transfer unit 3 or the position of the cleaning unit 5.

制御部９は、ガス供給部４ｅを制御して、凹部４ｂ１の内部にガスを供給し、基板１００を変形させる。
制御部９は、ガス制御部４ｆを制御して、基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法を制御する。
制御部９は、洗浄液供給部５ｃを制御して、洗浄液収納部５ｂに収納されている洗浄液５ｆを容器５ａに供給する。
制御部９は、排出バルブ５ｄを制御して、容器５ａに収納されている洗浄液５ｆと除去された付着物１１０を排出する。
制御部９は、振動発生部５ｅを制御して、洗浄液５ｆなどに振動を加える。 The control unit 9 controls the gas supply unit 4e to supply gas into the recess 4b1 and deform the substrate 100.
The control unit 9 controls the gas control unit 4f to control the deformation amount of the substrate 100, and hence the dimension between the convex portions.
The control unit 9 controls the cleaning liquid supply unit 5c to supply the cleaning liquid 5f stored in the cleaning liquid storage unit 5b to the container 5a.
The controller 9 controls the discharge valve 5d to discharge the cleaning liquid 5f stored in the container 5a and the removed deposit 110.
The controller 9 controls the vibration generator 5e to apply vibrations to the cleaning liquid 5f and the like.

制御部９は、ガス供給部６ｄを制御して、ノズル６ｂからガスを噴射させる。
制御部９は、ガス制御部６ｅを制御して、ノズル６ｂから噴射されるガスの流量や圧力などを変化させる。
制御部９は、移動部６ｃを制御して、ノズル６ｂの位置を変化させる。
制御部９は、載置部６ａを制御して、載置部６ａに載置されている基板１００を回転させる。 The control unit 9 controls the gas supply unit 6d to inject gas from the nozzle 6b.
The control unit 9 controls the gas control unit 6e to change the flow rate or pressure of the gas injected from the nozzle 6b.
The control unit 9 controls the moving unit 6c to change the position of the nozzle 6b.
The controller 9 controls the placement unit 6a to rotate the substrate 100 placed on the placement unit 6a.

制御部９は、本体部７ａを制御して、アーム部７ｂの向きを変化させる。
制御部９は、アーム部７ｂを制御して、アーム部７ｂを本体部７ａから突出する方向または本体部７ａ側に戻る方向に移動する。
制御部９は、移動部７ｃを制御して、本体部７ａの位置、ひいては、アーム部７ｂの位置を移動させる。 The control unit 9 controls the main body unit 7a to change the direction of the arm unit 7b.
The control part 9 controls the arm part 7b and moves the arm part 7b in a direction protruding from the main body part 7a or returning to the main body part 7a side.
The control unit 9 controls the moving unit 7c to move the position of the main body unit 7a and thus the position of the arm unit 7b.

次に、基板処理装置１の作用とともに、本実施の形態に係る基板処理方法について例示をする。
まず、搬送部７により、処理前の基板１００が収納部８から取り出される。
次に、搬送部７により、処理前の基板１００が移載部３の支持部３ａに受け渡される。 次に、移載部３から基板変形部４に処理前の基板１００が受け渡される。 Next, together with the operation of the substrate processing apparatus 1, the substrate processing method according to the present embodiment will be illustrated.
First, the substrate 100 before processing is taken out from the storage unit 8 by the transport unit 7.
Next, the substrate 100 before processing is transferred to the support unit 3 a of the transfer unit 3 by the transport unit 7. Next, the substrate 100 before processing is transferred from the transfer unit 3 to the substrate deforming unit 4.

図４（ａ）〜（ｃ）は、移載部３から基板変形部４に処理前の基板１００が受け渡される様子を例示するための模式図である。
図５は、処理前の基板１００の変形を例示するための模式図である。 FIGS. 4A to 4C are schematic views for illustrating a state in which the substrate 100 before processing is transferred from the transfer unit 3 to the substrate deforming unit 4.
FIG. 5 is a schematic diagram for illustrating the deformation of the substrate 100 before processing.

まず、図４（ａ）に示すように、移動部３ｂにより支持部３ａを移動させて、支持部３ａの端部を受け部４ａから突出させる。
続いて、搬送部７から支持部３ａの端部に処理前の基板１００を受け渡す。
この際、凹凸部１０２側が受け部４ａの側になるように処理前の基板１００を受け渡す。
続いて、図４（ｂ）に示すように、移動部３ｂにより支持部３ａを移動させて、支持部３ａを受け部４ａから離す。 First, as shown to Fig.4 (a), the support part 3a is moved by the moving part 3b, and the edge part of the support part 3a is protruded from the receiving part 4a.
Subsequently, the substrate 100 before processing is delivered from the transport unit 7 to the end of the support unit 3a.
At this time, the substrate 100 before processing is delivered so that the uneven portion 102 side is on the receiving portion 4a side.
Subsequently, as shown in FIG. 4 (b), the support portion 3a is moved by the moving portion 3b to separate the support portion 3a from the receiving portion 4a.

続いて、図４（ｃ）に示すように、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの少なくともいずれかを互いに近接する方向に移動させて、処理前の基板１００を保持する。
この際、封止部材４ｂ２が、処理前の基板１００と接触することで、凹部４ｂ１が封止される。 Subsequently, as shown in FIG. 4C, the moving unit 4d moves at least one of the arm unit 4c and the arm unit 4g toward each other to hold the substrate 100 before processing.
At this time, the recess 4b1 is sealed by the sealing member 4b2 coming into contact with the substrate 100 before processing.

次に、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の位置に移動させる。
続いて、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の容器５ａに近づける方向に移動させて、処理前の基板１００を洗浄液５ｆに接触させる。
次に、ガス供給部４ｅから凹部４ｂ１の内部にガスを供給する。
凹部４ｂ１の内部にガスが供給されると凹部４ｂ１の内圧が高くなる。 Next, the arm part 4c and the arm part 4g are moved to the position of the cleaning part 5 by the moving part 4d.
Subsequently, the moving unit 4d moves the arm unit 4c and the arm unit 4g in a direction approaching the container 5a of the cleaning unit 5 to bring the substrate 100 before processing into contact with the cleaning solution 5f.
Next, gas is supplied from the gas supply part 4e to the inside of the recess 4b1.
When gas is supplied into the recess 4b1, the internal pressure of the recess 4b1 increases.

そのため、図５に示すように、処理前の基板１００は、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように変形する。   Therefore, as shown in FIG. 5, the substrate 100 before processing is deformed so that the side on which the uneven portion 102 is provided protrudes.

すると、凸部同士の間が拡げられるので、凸部同士の間にある付着物１１０の除去が容易となる。
なお、ガス制御部４ｆにより、ガスの圧力や流量を制御することで、処理前の基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法を制御することもできる。
また、基板１００の変形は、基板１００を洗浄液５ｆに接触させる前に行ってもよい。例えば、基板１００の変形は、基板１００を保持することで凹部４ｂ１が封止された後すぐに行ってもよい。
また、振動発生部５ｅにより、洗浄液５ｆおよび処理前の基板１００の少なくともいずれかに振動を加える。
振動を加えるようにすれば、付着物１１０の除去がさらに容易となる。 Then, since the space between the convex portions is widened, it is easy to remove the deposit 110 between the convex portions.
Note that the amount of deformation of the substrate 100 before processing, and hence the dimension between the convex portions, can be controlled by controlling the gas pressure and flow rate with the gas control unit 4f.
Further, the substrate 100 may be deformed before the substrate 100 is brought into contact with the cleaning liquid 5f. For example, the deformation of the substrate 100 may be performed immediately after the recess 4b1 is sealed by holding the substrate 100.
Further, vibration is applied to at least one of the cleaning liquid 5f and the substrate 100 before processing by the vibration generating unit 5e.
If the vibration is applied, the deposit 110 can be removed more easily.

次に、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを洗浄部５の容器５ａから離れる方向に移動させて、処理済みの基板１００を洗浄液５ｆから取り出す。
この際、基板１００の変形を解除した後、処理済みの基板１００を洗浄液５ｆから取り出すこともできる。
例えば、押さえ部４ｂを基板１００から一旦離れる方向に移動させることによって凹部４ｂ１内の圧力を基板１００の変形前に戻し、基板１００の変形を解除する。その後、処理済みの基板１００を洗浄液５ｆから取り出す。
続いて、移動部４ｄにより、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇを移載部３の位置に移動させる。
次に、前述した手順とは逆の手順により、処理済みの基板１００を搬送部７に受け渡す。
続いて、搬送部７により、処理済みの基板１００が乾燥部６に受け渡される。
この際、図示しない反転装置により、処理済みの基板１００を反転させ、凹凸部１０２が設けられている側がノズル６ｂの側に向くようにすることができる。 Next, the arm 4c and the arm 4g are moved away from the container 5a of the cleaning unit 5 by the moving unit 4d, and the processed substrate 100 is taken out from the cleaning solution 5f.
At this time, after the deformation of the substrate 100 is released, the processed substrate 100 can be taken out from the cleaning liquid 5f.
For example, the pressure in the recess 4b1 is returned to before the deformation of the substrate 100 by moving the pressing portion 4b away from the substrate 100, and the deformation of the substrate 100 is released. Thereafter, the processed substrate 100 is taken out from the cleaning liquid 5f.
Subsequently, the arm 4c and the arm 4g are moved to the position of the transfer unit 3 by the moving unit 4d.
Next, the processed substrate 100 is transferred to the transport unit 7 by a procedure reverse to the procedure described above.
Subsequently, the processed substrate 100 is delivered to the drying unit 6 by the transport unit 7.
At this time, the processed substrate 100 can be reversed by a reversing device (not shown) so that the side on which the concavo-convex portion 102 is provided faces the nozzle 6 b side.

次に、ガス供給部６ｄにより、ノズル６ｂから処理済みの基板１００に向けてガスを噴射させる。
ガスを噴射させる際には、移動部６ｃにより、ノズル６ｂを基板１００の上方に移動させる。
また、載置部６ａにより、処理済みの基板１００を回転させたり、載置部６ａに内蔵されたヒータなどにより処理済みの基板１００を加熱したりすることができる。
続いて、ガス供給部６ｄにより、ガスの噴射を停止させる。
また、移動部６ｃにより、ノズル６ｂを基板１００の上方から退避させる。 Next, gas is jetted from the nozzle 6b toward the processed substrate 100 by the gas supply unit 6d.
When injecting the gas, the nozzle 6b is moved above the substrate 100 by the moving unit 6c.
Further, the processed substrate 100 can be rotated by the mounting portion 6a, or the processed substrate 100 can be heated by a heater or the like built in the mounting portion 6a.
Subsequently, gas injection is stopped by the gas supply unit 6d.
Further, the nozzle 6b is retracted from above the substrate 100 by the moving unit 6c.

次に、搬送部７により、乾燥済みの基板１００を乾燥部６から取り出す。
続いて、搬送部７により、乾燥済みの基板１００を収納部８の内部に収納する。
以後、前述した手順を繰り返すことで、付着物１１０が付着した基板１００を連続的に処理することができる。 Next, the dried substrate 100 is taken out from the drying unit 6 by the transport unit 7.
Subsequently, the dried substrate 100 is stored in the storage unit 8 by the transport unit 7.
Thereafter, by repeating the above-described procedure, the substrate 100 to which the deposit 110 is attached can be continuously processed.

以上に説明したように、本実施の形態に係る基板処理方法は、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように基板１００を変形させる工程と、変形した基板１００の凹凸部１０２に洗浄液５ｆを接触させる工程と、を備えている。   As described above, in the substrate processing method according to the present embodiment, the step of deforming the substrate 100 so that the side on which the uneven portion 102 is provided protrudes, and the cleaning liquid 5f is applied to the uneven portion 102 of the deformed substrate 100. And a step of contacting.

次に、他の実施形態に係る基板変形部について例示をする。
図６（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る基板変形部４０について例示をするための模式図である。図６（ａ）は、基板１００を変形させる前の状態、図６（ｂ）は、基板１００を変形させた後の状態を表している。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、基板変形部４０には、押圧部４０ａ、支持部４０ｂ、および緩衝部４０ｃが設けられている。
押圧部４０ａは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側の面を押す。
押圧部４０ａは、例えば、エアシリンダなどとすることができる。
図６（ａ）に示すように、押圧部４０ａが基板１００を押す前は、基板１００はほぼ平板状であるが、図６（ｂ）に示すように、押圧部４０ａが基板１００を押すことで、基板１００は凹凸部１０２が設けられている側が突出するように変形する。 Next, the board | substrate deformation | transformation part which concerns on other embodiment is illustrated.
FIGS. 6A and 6B are schematic views for illustrating the substrate deformation portion 40 according to another embodiment. 6A shows a state before the substrate 100 is deformed, and FIG. 6B shows a state after the substrate 100 is deformed.
As shown in FIGS. 6A and 6B, the substrate deformation portion 40 is provided with a pressing portion 40a, a support portion 40b, and a buffer portion 40c.
The pressing part 40a presses the surface of the substrate 100 opposite to the side where the uneven part 102 is provided.
The pressing portion 40a can be, for example, an air cylinder.
As shown in FIG. 6A, before the pressing portion 40a presses the substrate 100, the substrate 100 is substantially flat, but as shown in FIG. 6B, the pressing portion 40a presses the substrate 100. Thus, the substrate 100 is deformed so that the side on which the uneven portion 102 is provided protrudes.

支持部４０ｂは、環状を呈し、基板１００の周縁部分を支持する。
緩衝部４０ｃは、支持部４０ｂに設けられ、基板１００の周縁部分に接触する。緩衝部４０ｃは、ゴムなどの軟質材料から形成され、基板１００に加えられた力により、基板１００が損傷するのを抑制する。
また、押圧部４０ａおよび支持部４０ｂのいずれかの位置を移動させて、基板１００を押す位置を変化させる図示しない移動部を設けることもできる。 The support portion 40 b has an annular shape and supports the peripheral portion of the substrate 100.
The buffer portion 40 c is provided on the support portion 40 b and contacts the peripheral portion of the substrate 100. The buffer portion 40 c is made of a soft material such as rubber, and suppresses the substrate 100 from being damaged by the force applied to the substrate 100.
In addition, a moving unit (not shown) that moves the position of either the pressing unit 40a or the support unit 40b to change the position of pressing the substrate 100 can be provided.

図７は、他の実施形態に係る基板変形部４１について例示をするための模式図である。 図７に示すように、基板変形部４１には保持部４１ａ、および移動部４１ｂが設けられている。
保持部４１ａには、バキュームチャックなどの保持装置が設けられている。
保持部４１ａは、基板１００の周縁部分を保持する。
移動部４１ｂは、保持部４１ａの向きや位置を移動させる。
そして、移動部４１ｂにより、保持部４１ａの向きや位置を移動させて、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように基板１００を変形させる。 FIG. 7 is a schematic diagram for illustrating the substrate deformation portion 41 according to another embodiment. As shown in FIG. 7, the substrate deforming part 41 is provided with a holding part 41 a and a moving part 41 b.
The holding unit 41a is provided with a holding device such as a vacuum chuck.
The holding part 41 a holds the peripheral part of the substrate 100.
The moving unit 41b moves the orientation and position of the holding unit 41a.
Then, the moving portion 41b moves the orientation and position of the holding portion 41a, and deforms the substrate 100 so that the side on which the uneven portion 102 is provided protrudes.

図８は、他の実施形態に係る基板変形部４３について例示をするための模式図である。 図２、図６、図７に例示をした基板変形部は、基板１００に外力を加えて、基板１００を変形させる。
これに対して、基板変形部４３は、基板１００の両面間の熱膨張差を利用して基板１００を変形させる。 FIG. 8 is a schematic diagram for illustrating the substrate deformation portion 43 according to another embodiment. The substrate deforming unit illustrated in FIGS. 2, 6, and 7 deforms the substrate 100 by applying an external force to the substrate 100.
On the other hand, the substrate deforming unit 43 deforms the substrate 100 using a difference in thermal expansion between both surfaces of the substrate 100.

図８に示すように、基板変形部４３には、加熱部４３ａおよび冷却部４３ｂが設けられている。
加熱部４３ａは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側を加熱する。
加熱部４３ａは、例えば、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側に、遠赤外線を照射するヒータなどとすることができる。
冷却部４３ｂは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側を冷却する。
冷却部４３ｂは、例えば、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側に、冷却された媒体（例えば、ガスや液体）を噴射するものとすることができる。 As shown in FIG. 8, the substrate deformation portion 43 is provided with a heating portion 43 a and a cooling portion 43 b.
The heating unit 43a heats the side of the substrate 100 where the uneven portion 102 is provided.
The heating unit 43a can be, for example, a heater that irradiates far infrared rays on the side of the substrate 100 where the concavo-convex portion 102 is provided.
The cooling unit 43b cools the side of the substrate 100 opposite to the side on which the uneven portion 102 is provided.
For example, the cooling unit 43b can inject a cooled medium (for example, gas or liquid) to the side opposite to the side where the uneven portion 102 of the substrate 100 is provided.

なお、加熱部４３ａおよび冷却部４３ｂは、例示をしたものに限定されるわけではなく、基板１００の温度を変化させることができるものであればよい。
例えば、加熱部４３ａは、加熱炉などであってもよい。
また、加熱温度および冷却温度の少なくともいずれかを制御することで、基板１００の変形量、ひいては凸部同士の間の寸法を制御することができる。
加熱温度および冷却温度は、基板１００の材料などに応じて適宜変更することができる。
例えば、基板１００がインプリント法に用いられるテンプレートの場合には、基板１００の材料は石英などとなる。
基板１００の材料が石英の場合には、加熱温度は１０００℃〜１２００℃程度とすることができる。
また、加熱部４３ａおよび冷却部４３ｂの少なくともいずれかが設けられるようにすればよい。 In addition, the heating part 43a and the cooling part 43b are not necessarily limited to what was illustrated, What is necessary is just what can change the temperature of the board | substrate 100. FIG.
For example, the heating unit 43a may be a heating furnace.
In addition, by controlling at least one of the heating temperature and the cooling temperature, it is possible to control the deformation amount of the substrate 100 and thus the dimension between the convex portions.
The heating temperature and the cooling temperature can be appropriately changed according to the material of the substrate 100 and the like.
For example, when the substrate 100 is a template used for the imprint method, the material of the substrate 100 is quartz or the like.
When the material of the substrate 100 is quartz, the heating temperature can be about 1000 ° C. to 1200 ° C.
Moreover, what is necessary is just to make it provide at least any one of the heating part 43a and the cooling part 43b.

図９は、他の実施形態に係る基板変形部４２および洗浄部５０について例示をするための模式図である。
図９に示すように、基板変形部４２には、筐体４２ａ、加圧部４２ｂ、および排出部４２ｃが設けられている。
筐体４２ａは、箱状を呈し、気密構造を有している。
筐体４２ａの内部には仕切り部４２ａ１が設けられている。
仕切り部４２ａ１には、孔４２ａ２が設けられている。 FIG. 9 is a schematic diagram for illustrating the substrate deformation section 42 and the cleaning section 50 according to another embodiment.
As shown in FIG. 9, the substrate deformation part 42 is provided with a casing 42a, a pressure part 42b, and a discharge part 42c.
The housing 42a has a box shape and has an airtight structure.
A partition portion 42a1 is provided inside the housing 42a.
A hole 42a2 is provided in the partition part 42a1.

孔４２ａ２の周縁には、封止部材４２ｄが設けられている。
封止部材４２ｄは、例えば、Ｏリング（オーリング）などとすることができる。
基板１００は、孔４２ａ２を覆うように載置される。
この際、基板１００の凹凸部１０２が、孔４２ａ２により露出する。
また、基板１００は、封止部材４２ｄを介して載置されるので、基板１００に損傷が生じるのを抑制することができる。 A sealing member 42d is provided on the periphery of the hole 42a2.
The sealing member 42d can be, for example, an O-ring (O-ring).
The substrate 100 is placed so as to cover the hole 42a2.
At this time, the uneven portion 102 of the substrate 100 is exposed through the hole 42a2.
Moreover, since the board | substrate 100 is mounted via 42 d of sealing members, it can suppress that a board | substrate 100 produces damage.

基板１００と仕切り部４２ａ１により、基板１００の凹凸部１０２が露出する側の空間４２ｅと、基板１００が載置される側の空間４２ｆとが仕切られる。   The substrate 100 and the partition portion 42a1 partition the space 42e on the side where the uneven portion 102 of the substrate 100 is exposed and the space 42f on the side where the substrate 100 is placed.

加圧部４２ｂは、空間４２ｆに接続されている。
加圧部４２ｂは、空間４２ｆにガスを供給することで、空間４２ｆの圧力を増加させる。
すなわち、加圧部４２ｂは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側とは反対側に加わる圧力を増加させる。
排出部４２ｃは、空間４２ｅに接続されている。
排出部４２ｃは、空間４２ｅの排気を行う。
本実施の形態においては、排出部４２ｃが、基板１００の凹凸部１０２が設けられている側に加わる圧力を減少させる減圧部となる。
また、排出部４２ｃは、噴射された洗浄液５ｆと除去された付着物１１０の排出をも行う。 The pressurizing part 42b is connected to the space 42f.
The pressurizing unit 42b increases the pressure in the space 42f by supplying gas to the space 42f.
That is, the pressurizing part 42b increases the pressure applied to the side of the substrate 100 opposite to the side where the uneven part 102 is provided.
The discharge part 42c is connected to the space 42e.
The discharge part 42c exhausts the space 42e.
In the present embodiment, the discharge part 42c serves as a decompression part that reduces the pressure applied to the side of the substrate 100 where the uneven part 102 is provided.
The discharge part 42c also discharges the sprayed cleaning liquid 5f and the removed deposit 110.

加圧部４２ｂによる加圧と、排出部４２ｃによる排気により、空間４２ｆと空間４２ｅの間に圧力差が生じる。
そのため、この圧力差により、凹凸部１０２が設けられている側が突出するように基板１００が変形する。 A pressure difference is generated between the space 42f and the space 42e by the pressurization by the pressurization unit 42b and the exhaust by the discharge unit 42c.
Therefore, this pressure difference causes the substrate 100 to be deformed so that the side on which the uneven portion 102 is provided protrudes.

また、図９に示すように、洗浄部５０には、ノズル５０ａ、洗浄液収納部５０ｂ、および洗浄液供給部５０ｃが設けられている。
洗浄部５０は、変形した基板１００の凹凸部１０２に洗浄液５ｆを接触させる。
ノズル５０ａは、基板１００の凹凸部１０２が設けられている領域に向けて洗浄液５ｆを噴射する。
洗浄液収納部５０ｂは、洗浄液５ｆを収納する。
洗浄液供給部５０ｃは、洗浄液収納部５０ｂに収納されている洗浄液５ｆをノズル５０ａに向けて供給する。洗浄液供給部５０ｃは、例えば、ケミカルポンプなどとすることができる。ただし、洗浄液供給部５０ｃは、ポンプに限定されるわけではない。例えば、洗浄液供給部５０ｃは、洗浄液収納部５０ｂの内部にガスを供給し、洗浄液収納部５０ｂの内部に収納された洗浄液５ｆを圧送するものとすることもできる。 Further, as shown in FIG. 9, the cleaning unit 50 is provided with a nozzle 50a, a cleaning liquid storage unit 50b, and a cleaning liquid supply unit 50c.
The cleaning unit 50 brings the cleaning liquid 5 f into contact with the uneven portion 102 of the deformed substrate 100.
The nozzle 50a ejects the cleaning liquid 5f toward the region where the uneven portion 102 of the substrate 100 is provided.
The cleaning liquid storage unit 50b stores the cleaning liquid 5f.
The cleaning liquid supply unit 50c supplies the cleaning liquid 5f stored in the cleaning liquid storage unit 50b toward the nozzle 50a. The cleaning liquid supply unit 50c can be, for example, a chemical pump. However, the cleaning liquid supply unit 50c is not limited to a pump. For example, the cleaning liquid supply unit 50c may supply gas into the cleaning liquid storage unit 50b and pump the cleaning liquid 5f stored in the cleaning liquid storage unit 50b.

基板１００の凹凸部１０２が設けられている領域に向けて洗浄液５ｆを噴射することで、付着物１１０を除去することができる。この際、凸部同士の間が拡げられているので、凸部同士の間にある付着物１１０の除去が容易となる。
噴射された洗浄液５ｆと、除去された付着物１１０は、排出部４２ｃにより排出される。 The deposit 110 can be removed by spraying the cleaning liquid 5f toward the region where the uneven portion 102 of the substrate 100 is provided. At this time, since the space between the convex portions is widened, it is easy to remove the deposit 110 between the convex portions.
The sprayed cleaning liquid 5f and the removed deposit 110 are discharged by the discharge part 42c.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、基板処理装置１などに設けられた各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、上記の実施例においては基板１００の凹凸面を下に向けていたが、上に向けてもよい。この場合、基板１００の反転を省略し、アーム部４ｃおよびアーム部４ｇの位置関係を逆転させることで、基板１００の凹凸面を上に向けて凸状に変形させることができる。
また、基板１００の凹凸部が基板１００の両面に形成されている場合、両面の洗浄を行うようにしてもよい。この場合、基板１００の一方の凹凸部の洗浄を行った後、基板１００を反転させて、他方の凹凸部の洗浄を行うようにすることができる。
また、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することもできる。
例えば、図２に例示をした基板変形部４の場合には、ガス制御部４ｆにより凹部４ｂ１の内部に供給するガスの圧力を制御して、凹部４ｂ１の内部の圧力の加圧と減圧を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄する。
なお、凹部４ｂ１の内部のガスを吸引する吸引部をさらに設け、吸引部による凹部４ｂ１の内部の圧力の減圧と、ガス供給部４ｅによる凹部４ｂ１の内部の圧力の加圧とを繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することもできる。
また、図６（ａ）、（ｂ）、図７に例示をした基板１００に外力を加えて基板１００を変形させる場合には、外力の印加と解除を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することができる。
また、図８に例示をした基板１００の両面間の熱膨張差を利用して基板１００を変形させる場合には、加熱と冷却を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することができる。
また、図９に例示をした基板１００の表面側と裏面側との圧力差を利用して基板１００を変形させる場合には、圧力差の拡大と縮小を繰り返すことで、基板１００の変形を繰り返しながら洗浄することができる。
基板１００の変形を繰り返しながら洗浄すれば、付着物１１０の除去効果を高めることができる。 The embodiment has been illustrated above. However, the present invention is not limited to these descriptions.
As long as the features of the present invention are provided, those skilled in the art appropriately modified the design of the above-described embodiments are also included in the scope of the present invention.
For example, the shape, size, material, arrangement, number, and the like of each element provided in the substrate processing apparatus 1 are not limited to those illustrated, but can be changed as appropriate.
Regarding the above-described embodiment, those in which those skilled in the art appropriately added, deleted, or changed the design, or added the process, omitted, or changed the conditions also have the features of the present invention. As long as it is within the scope of the present invention.
For example, in the above embodiment, the uneven surface of the substrate 100 is directed downward, but may be directed upward. In this case, the inversion of the substrate 100 is omitted, and the positional relationship between the arm portion 4c and the arm portion 4g is reversed, so that the uneven surface of the substrate 100 can be deformed convexly upward.
Moreover, when the uneven | corrugated | grooved part of the board | substrate 100 is formed in both surfaces of the board | substrate 100, you may make it perform washing | cleaning of both surfaces. In this case, after cleaning one uneven portion of the substrate 100, the substrate 100 can be inverted and the other uneven portion can be cleaned.
Further, the substrate 100 can be cleaned while being repeatedly deformed.
For example, in the case of the substrate deformation part 4 illustrated in FIG. 2, the pressure of the gas supplied to the inside of the recess 4b1 is controlled by the gas control part 4f to repeatedly pressurize and reduce the pressure inside the recess 4b1. Thus, the substrate 100 is cleaned while being repeatedly deformed.
In addition, by further providing a suction part for sucking the gas inside the recess 4b1, by repeatedly reducing the pressure inside the recess 4b1 by the suction part and pressurizing the pressure inside the recess 4b1 by the gas supply part 4e, The substrate 100 can be cleaned while being repeatedly deformed.
When deforming the substrate 100 by applying an external force to the substrate 100 illustrated in FIGS. 6A, 6 </ b> B, and 7, the deformation of the substrate 100 is repeated by repeatedly applying and releasing the external force. Can be washed while.
Further, in the case where the substrate 100 is deformed by utilizing the difference in thermal expansion between both surfaces of the substrate 100 illustrated in FIG. 8, the substrate 100 can be cleaned while being repeatedly deformed by repeating heating and cooling. .
Further, when the substrate 100 is deformed using the pressure difference between the front surface side and the back surface side of the substrate 100 illustrated in FIG. 9, the deformation of the substrate 100 is repeated by repeatedly expanding and reducing the pressure difference. Can be washed while.
If the substrate 100 is washed while being repeatedly deformed, the effect of removing the deposit 110 can be enhanced.

１ 基板処理装置、２ 筐体、３ 移載部、４ 基板変形部、４ａ 受け部、４ｂ 押さえ部、４ｃ アーム部、４ｄ 移動部、４ｅ ガス供給部、４ｆガス制御部、４ｇ アーム部、５ 洗浄部、５ａ 容器、５ｂ 洗浄液収納部、５ｃ 洗浄液供給部、５ｄ 排出バルブ、５ｅ 振動発生部、６ 乾燥部、７ 搬送部、８ 収納部、９ 制御部、４０ａ 押圧部、４１ａ 保持部、４１ｂ 移動部、４２ｂ 加圧部、４２ｃ 排出部、４３ａ 加熱部、４３ｂ 冷却部、１００ 基板、１０１ 基部、１０２ 凹凸部、１１０ 付着物   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus, 2 housing | casing, 3 transfer part, 4 substrate deformation | transformation part, 4a receiving part, 4b holding | maintenance part, 4c arm part, 4d movement part, 4e gas supply part, 4f gas control part, 4g arm part, 5 Cleaning section, 5a container, 5b Cleaning liquid storage section, 5c Cleaning liquid supply section, 5d Discharge valve, 5e Vibration generation section, 6 Drying section, 7 Transport section, 8 Storage section, 9 Control section, 40a Press section, 41a Holding section, 41b Moving part, 42b Pressurizing part, 42c Discharge part, 43a Heating part, 43b Cooling part, 100 Substrate, 101 Base part, 102 Concavity and convexity part, 110 Deposit

Claims (8)

表面に凹凸部を有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記凹凸部が設けられている側が突出するように前記基板を変形させる基板変形部と、
前記変形した基板の前記凹凸部に洗浄液を接触させる洗浄部と、
を備えた基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate having an uneven portion on a surface,
A substrate deforming portion for deforming the substrate so that the side on which the uneven portion is provided protrudes;
A cleaning unit for bringing a cleaning liquid into contact with the uneven portion of the deformed substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側とは反対側に加わる圧力を増加させる加圧部を有する請求項１記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate deforming unit includes a pressurizing unit that increases pressure applied to a side of the substrate opposite to the side where the uneven portion is provided. 前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側に加わる圧力を減少させる減圧部を有する請求項１または２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate deforming portion includes a pressure reducing portion that reduces a pressure applied to a side of the substrate on which the uneven portion is provided. 前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側とは反対側を押圧する押圧部を有する請求項１記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate deforming portion includes a pressing portion that presses a side of the substrate opposite to a side where the uneven portion is provided. 前記基板変形部は、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部を移動させる移動部と、
を有する請求項１記載の基板処理装置。 The substrate deforming part is
A holding unit for holding the substrate;
A moving unit for moving the holding unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising: 前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側を加熱する加熱部を有する請求項１記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate deformation unit includes a heating unit that heats a side of the substrate on which the uneven portion is provided. 前記基板変形部は、前記基板の前記凹凸部が設けられている側とは反対側を冷却する冷却部を有する請求項１または６に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate deformation unit includes a cooling unit that cools a side of the substrate opposite to a side where the uneven portion is provided. 表面に凹凸部を有する基板を処理する基板処理方法であって、
前記凹凸部が設けられている側が突出するように前記基板を変形させる工程と、
前記変形した基板の前記凹凸部に洗浄液を接触させる工程と、
を備えた基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate having an uneven portion on a surface,
Deforming the substrate so that the side on which the uneven portion is provided protrudes;
A step of bringing a cleaning liquid into contact with the uneven portion of the deformed substrate;
A substrate processing method comprising:
JP2014015201A 2014-01-30 2014-01-30 Substrate processing apparatus and substrate processing method Active JP6289922B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014015201A JP6289922B2 (en) 2014-01-30 2014-01-30 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014015201A JP6289922B2 (en) 2014-01-30 2014-01-30 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015142070A JP2015142070A (en) 2015-08-03
JP6289922B2 true JP6289922B2 (en) 2018-03-07

Family

ID=53772230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014015201A Active JP6289922B2 (en) 2014-01-30 2014-01-30 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6289922B2 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04353750A (en) * 1991-05-30 1992-12-08 Tadahiro Omi Evaluation of segregation state of solid-liquid interface and segregation apparatus
JP2000254605A (en) * 1999-03-11 2000-09-19 Ricoh Co Ltd Cleaning device for flexible substrate
JP4079579B2 (en) * 2000-06-23 2008-04-23 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 Wet processing equipment
JP4614626B2 (en) * 2003-02-05 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 Manufacturing method of thin semiconductor chip
JP4523498B2 (en) * 2005-06-27 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 Development processing apparatus and development processing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015142070A (en) 2015-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6571671B2 (en) Cleaning system and method for semiconductor substrate storage articles
TWI659497B (en) Electrostatic adsorption device, electrostatic clamp and cooling processing device
JP2015185713A (en) substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5494146B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP6275578B2 (en) Processing apparatus, processing method, and electronic device manufacturing method
US10679845B2 (en) Substrate processing apparatus having cooling member
KR100923268B1 (en) Single type substrate treating apparatus and cleaning method thereof
JP2013033963A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2011222697A (en) Substrate processing apparatus
JP4817991B2 (en) Substrate processing method
JP2012049267A (en) Joint system, joint method, program and computer-storable medium
JP2009198015A (en) Downflow generating mechanism and substrate treatment device
JP6826890B2 (en) Substrate processing method and substrate processing equipment
JP5497114B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101373730B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP6289922B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2010114101A (en) Substrate processing apparatus and method
JP6886481B2 (en) How to peel off the bonded substrate and how to remove the adhesive
JP5232514B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102491000B1 (en) Unit for removing adhesive layer and method using the same
JP2006026549A (en) Cleaning method and apparatus for executing it
CN116964717A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6326295B2 (en) Cooling processing apparatus and method of operating cooling processing apparatus
JP2008028318A (en) Conveying device and conveying method of semiconductor wafer
JP2013149666A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6289922

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150