JP2008028318A - Conveying device and conveying method of semiconductor wafer - Google Patents

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哲朗 戸谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new semiconductor wafer conveying device using a Peltier element. <P>SOLUTION: A semiconductor wafer conveying device is characterized by being provided with: a Peltier element 12 that is formed in a ring shape of a flat plate; a ring-shaped holding plate 14 comprising an insulating plate that is fixed to the lower surface of the Peltier element 12; a tubular heat sink 16 comprising insulating material that is fixed to the upper surface of the Peltier element 12; a cover 18 closing the upper surface side of the heat sink 16; a suction device 29 removing the air in a chamber 20 that is closed by the cover 18; a heating medium circuit 30 that is formed in the heat sink 16; a liquid feeding part 37 feeding the heating medium to the heating medium circuit 30; an energizing device 15 energizing the Peltier element 12; and a mobile mechanism 38 cooperating with the cover 18 and moving the heat sink 12 or the like with the cover 18. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエーハの搬送装置および搬送方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor wafer transfer apparatus and transfer method.

半導体ウェーハ製造の分野において、研磨面の両面化が進み、ローディング、アンローディング時のハンドリングにも非接触ハンドリングが求められている。ウェーハに非接触のものとして、いわゆるベルヌーイチャックを用いる方法がある(特開平8−203984号公報)。
このベルヌーイチャックを用いるものにあっては、ウェーハに非接触で搬送しうるため、高温のウェーハの搬送等に有効であった。
In the field of semiconductor wafer manufacturing, the polishing surface has been increased and non-contact handling is also required for handling during loading and unloading. There is a method of using a so-called Bernoulli chuck that is not in contact with the wafer (Japanese Patent Laid-Open No. 8-203984).
In the case of using this Bernoulli chuck, since it can be transferred to the wafer in a non-contact manner, it is effective for transferring a high-temperature wafer.

特開平8−203984号公報JP-A-8-203984

しかしながら、上記ベルヌーイチャックを用いる場合には、次のような解決すべき課題がある。
すなわち、
1.窒素ガスの流れにより生じる負圧を利用しているため、保持力が弱い。
2.ウェーハの位置決めのためピンやガイド等が必要で、ウェーハへのピンやガイドの機械的接触が不可避である。
3.大量の窒素ガスの消費による騒音が発生する。
4.窒素ガスへのパーティクルの混入が避けられず、ウェーハ表面にパーティクルが付着し、後工程の、例えば研磨工程においてウェーハ表面の平坦な研磨が阻害される。
5.両面研磨装置のような、ウェーハがキャリア内に収められている状態では、そこからウェーハを取り出すことができない。したがって、両面研磨装置での、ウェーハのローディング、アンローディングには使用できなかった。
However, when the Bernoulli chuck is used, there are the following problems to be solved.
That is,
1. Since the negative pressure generated by the flow of nitrogen gas is used, the holding power is weak.
2. Pins and guides are necessary for positioning the wafer, and mechanical contact of the pins and guides with the wafer is inevitable.
3. Noise is generated due to the consumption of a large amount of nitrogen gas.
4). Mixing of particles into nitrogen gas is unavoidable, and particles adhere to the wafer surface, which hinders flat polishing of the wafer surface in a subsequent process, for example, a polishing process.
5. In a state where the wafer is housed in a carrier, such as a double-side polishing apparatus, the wafer cannot be taken out therefrom. Therefore, it could not be used for loading and unloading of wafers with a double-side polishing apparatus.

本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、ペルティエ素子を用いた、新たな半導体ウェーハの搬送装置および搬送方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a new semiconductor wafer transfer apparatus and transfer method using Peltier elements.

本発明に係る半導体ウェーハの搬送装置は、平板のリング状に形成されたペルティエ素子と、該ペルティエ素子の下面を覆って該下面に固定された絶縁板からなるリング状の保持板と、前記ペルティエ素子の上面を覆って該上面に固定された絶縁材からなる筒状のヒートシンクと、該ヒートシンクの上面側を閉塞する蓋体と、該蓋体で閉塞されたヒートシンク空間(以下、チャンバー)内の空気を排除する吸引装置と、前記ヒートシンクに形成された熱媒体回路と、該熱媒体回路に熱媒体を供給する送液部と、前記ペルティエ素子へ通電する通電装置と、前記蓋体に連携され、該蓋体とともに、ヒートシンク、ペルティエ素子、保持板を移動させる移動機構とを具備することを特徴とする。   A semiconductor wafer transfer device according to the present invention includes a Peltier element formed in a flat ring shape, a ring-shaped holding plate made of an insulating plate that covers the lower surface of the Peltier element and is fixed to the lower surface, and the Peltier element. A cylindrical heat sink made of an insulating material that covers the upper surface of the element and is fixed to the upper surface; a lid that closes the upper surface of the heat sink; and a heat sink space (hereinafter referred to as a chamber) that is closed by the lid A suction device that excludes air, a heat medium circuit formed on the heat sink, a liquid feeding unit that supplies the heat medium to the heat medium circuit, an energization device that energizes the Peltier element, and the lid And a moving mechanism for moving the heat sink, the Peltier element, and the holding plate together with the lid.

また、前記移動機構は、前記蓋体とともに、ヒートシンク、ペルティエ素子、保持板を上下動させる上下動機構および水平動させる水平動機構を含むことを特徴とする。
また、前記保持板および前記ヒートシンクはセラミックスで形成するとよい。
The moving mechanism includes a heat sink, a Peltier element, a vertical movement mechanism for moving the holding plate up and down, and a horizontal movement mechanism for moving it horizontally along with the lid.
The holding plate and the heat sink may be formed of ceramics.

また本発明に係る半導体ウェーハの搬送方法は、上記いずれかの半導体ウェーハの搬送装置を用いる半導体ウェーハの搬送方法であって、搬送すべきウェーハの表面上に液体を供給する工程と、該ウェーハ上に前記搬送装置を接近させ、搬送装置の保持板下面側をウェーハ表面に供給された液体の表面に当接させる工程と、前記送液部によりヒートシンクの熱媒体回路に熱媒体を供給しつつ前記通電装置によりペルティエ素子に通電し、前記液体を冷却して固化し、ウェーハを保持板に固定する工程と、前記吸引装置により、前記チャンバー内の空気を排除して、チャンバー内空間を負圧にする工程と、前記移動装置により、搬送装置を移動してウェーハを所望個所に搬送する工程とを含むことを特徴とする。   A semiconductor wafer transfer method according to the present invention is a semiconductor wafer transfer method using any one of the above semiconductor wafer transfer devices, the step of supplying a liquid onto the surface of the wafer to be transferred, And a step of bringing the holding plate lower surface side of the transfer device into contact with the surface of the liquid supplied to the wafer surface, and supplying the heat medium to the heat medium circuit of the heat sink by the liquid feeding unit. The Peltier element is energized by an energizing device, the liquid is cooled and solidified, the wafer is fixed to a holding plate, and the air in the chamber is removed by the suction device to make the chamber space negative. And a step of moving the transfer device by the moving device to transfer the wafer to a desired location.

本発明によれば、ペルティエ素子により液体(純水)を氷結させてウェーハを保持板に氷結力によって固定すると共に、密閉空間とされたヒートシンク内の空間(チャンバー)を負圧にすることによって、ウェーハを保持板に強力に保持することができる。
また、液体を固化(氷結)させることによってウェーハを保持するものであるため、完全な非接触による保持とは相違するが、ウェーハを保持する際、ウェーハが動くこともないので、従来のベルヌーイチャックの場合のようなピンやガイドでウェーハを機械的に保持する必要がない。また、液体に純水等のピュアーな液体を用いることによって、ウェーハにパーティクルの付着や汚染を生じさせることもなく、したがって、半導体ウェーハの両面研磨装置における、ウェーハのローディング、アンローディング等に好適に用いることができる。
According to the present invention, the liquid (pure water) is frozen by the Peltier element and the wafer is fixed to the holding plate by the freezing force, and the space (chamber) in the heat sink that is the sealed space is made negative pressure, The wafer can be strongly held on the holding plate.
In addition, since the wafer is held by solidifying (freezing) the liquid, it is different from holding by completely non-contact, but when holding the wafer, the wafer does not move, so the conventional Bernoulli chuck There is no need to mechanically hold the wafer with pins or guides as in the case of. In addition, by using a pure liquid such as pure water as the liquid, there is no particle adhesion or contamination on the wafer. Therefore, it is suitable for wafer loading and unloading in a semiconductor wafer double-side polishing apparatus. Can be used.

以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は搬送装置10の概略を示す説明図である。
図1において、12は、公知の材料により平板のリング状に形成されたペルティエ素子である。ペルティエ素子12の大きさは、搬送すべきウェーハWよりも小さく、ドーナッツ状の孔明き板に形成されている。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the transport device 10.
In FIG. 1, reference numeral 12 denotes a Peltier element formed in a flat ring shape from a known material. The size of the Peltier element 12 is smaller than the wafer W to be transferred, and is formed on a donut-shaped perforated plate.

ペルティエ素子12の下面には、該下面側を覆ってセラミックス等の絶縁板からなるリング状の保持板14が固定されている。保持板14の固定には、適宜な接着剤を用いるとよい。15は通電装置であり、ペルティエ素子12に通電する。この通電装置15は、電流の方向を切り替える制御部(図示せず)が設けられている。   A ring-shaped holding plate 14 made of an insulating plate such as ceramics is fixed to the lower surface of the Peltier element 12 so as to cover the lower surface side. An appropriate adhesive may be used for fixing the holding plate 14. An energizing device 15 energizes the Peltier element 12. The energization device 15 is provided with a control unit (not shown) that switches the direction of current.

また、ペルティエ素子12の上面を覆ってセラミックス等の絶縁材からなる筒状のヒートシンク16が固定されている。ヒートシンク16は、ペルティエ素子12と同一の大きさとするのがよい。このヒートシンク16の固定も適宜な接着剤を用いるようにする。ヒートシンク16の上面側は蓋体18によって閉塞され、これによりチャンバー20が形成される。   Further, a cylindrical heat sink 16 made of an insulating material such as ceramics is fixed so as to cover the upper surface of the Peltier element 12. The heat sink 16 is preferably the same size as the Peltier element 12. An appropriate adhesive is also used for fixing the heat sink 16. The upper surface side of the heat sink 16 is closed by a lid 18, thereby forming a chamber 20.

蓋体18にはネジ孔22が形成され、このネジ孔22に管継手24が螺着され、管継手24にはパイプ26が接続され、パイプ26は負圧源28に接続され、これによりチャンバー20内の空気を排除して、空間20内を負圧にすることができるようになっている。管継手24、パイプ26、負圧源28等により吸引装置29が構成される。   A screw hole 22 is formed in the lid 18, a pipe joint 24 is screwed into the screw hole 22, a pipe 26 is connected to the pipe joint 24, and the pipe 26 is connected to a negative pressure source 28, whereby the chamber The inside of the space 20 can be made negative pressure by eliminating the air in the space 20. A suction device 29 is configured by the pipe joint 24, the pipe 26, the negative pressure source 28, and the like.

ヒートシンク16内には熱媒体が循環される熱媒体回路30が形成されている。熱媒体回路30には、循環パイプ32、循環ポンプ34によって、水道水等の熱媒体が循環される。36はタンクである。循環パイプ32、循環ポンプ34等によって送液部37が構成される。   A heat medium circuit 30 in which the heat medium is circulated is formed in the heat sink 16. A heat medium such as tap water is circulated in the heat medium circuit 30 by a circulation pipe 32 and a circulation pump 34. Reference numeral 36 denotes a tank. A liquid feeding part 37 is constituted by the circulation pipe 32, the circulation pump 34, and the like.

搬送装置10は、蓋体18に連携され、蓋体18とともに、ヒートシンク16、ペルティエ素子12、保持板14を移動させる移動機構38を含む。
40は、移動機構38の一部をなす上下動機構である。本実施の形態では、上下動機構40はシリンダ装置を用いている。すなわち、シリンダ装置40は、揺動アーム42上に固定され、そのロッド44下端に上下動盤45が固定され、上下動盤45は連結棹46を介して蓋体18に連結されている。
The transport apparatus 10 includes a moving mechanism 38 that is linked to the lid 18 and moves the heat sink 16, the Peltier element 12, and the holding plate 14 together with the lid 18.
Reference numeral 40 denotes a vertical movement mechanism that forms part of the moving mechanism 38. In the present embodiment, the vertical movement mechanism 40 uses a cylinder device. That is, the cylinder device 40 is fixed on the swing arm 42, and the vertical moving plate 45 is fixed to the lower end of the rod 44, and the vertical moving plate 45 is connected to the lid body 18 via the connecting rod 46.

したがって、シリンダ装置40によりロッド44を上下駆動することにより、蓋体18とともに、ヒートシンク16、ペルティエ素子12、保持板14を上下動させることができる。
また、揺動アーム42は、図2に示すように、回転軸48を中心として水平面内で往復回動するように構成されている。これによって、X位置(例えばウェーハW収納位置)においてウェーハWを保持し、Y位置(例えば研磨装置)まで搬送して放出したり、Y位置でウェーハを保持し、X位置まで搬送して放出したりすることができる。
Therefore, by moving the rod 44 up and down by the cylinder device 40, the heat sink 16, the Peltier element 12, and the holding plate 14 can be moved up and down together with the lid 18.
Further, as shown in FIG. 2, the swing arm 42 is configured to reciprocate in a horizontal plane around the rotation shaft 48. As a result, the wafer W is held at the X position (for example, the wafer W storage position) and transported to the Y position (for example, a polishing apparatus) and released, or the wafer is held at the Y position and transported to the X position and discharged. Can be.

揺動アーム42、駆動モータ50等により水平動機構を構成する。なお、水平動機構は上記に限定されない。例えば水平動機構をシリンダ装置によって構成し、直線往復運動をさせるものであってもよい。   The swinging arm 42, the drive motor 50, etc. constitute a horizontal movement mechanism. The horizontal movement mechanism is not limited to the above. For example, the horizontal movement mechanism may be configured by a cylinder device to perform linear reciprocation.

次に、上記搬送装置10によって、ウェーハWを搬送する方法を説明する。
まず、ウェーハWの保持位置(例えばウェーハWの収納位置)において、ウェーハWの表面上にノズル52(図1)から凍結可能な液体(例えば純水)を供給する。これにより液体はウェーハW表面上に薄い膜を形成する。
Next, a method for transporting the wafer W by the transport apparatus 10 will be described.
First, at the holding position of the wafer W (for example, the storage position of the wafer W), a freezing liquid (for example, pure water) is supplied onto the surface of the wafer W from the nozzle 52 (FIG. 1). As a result, the liquid forms a thin film on the surface of the wafer W.

次いで、上記水平動機構および上下動機構を駆動させ、ウェーハW上に搬送装置10を接近させ、搬送装置10の保持板14下面側をウェーハW表面に供給され、薄い膜を形成した液体の表面に当接させる。   Next, the horizontal movement mechanism and the vertical movement mechanism are driven to bring the transfer device 10 closer to the wafer W, and the lower surface of the holding plate 14 of the transfer device 10 is supplied to the surface of the wafer W to form a thin film surface. Abut.

次に、送液部37によりヒートシンク16の熱媒体回路30に熱媒体を供給しつつ通電装置15によりペルティエ素子12に通電し、液体を冷却して固化(氷結)し、ウェーハWを保持板14に固定する。ペルティエ素子12の高温側は熱媒体によって吸熱され、放熱される。液体が氷結することによって、ヒートシンク16内のチャンバー20は密閉空間となる。   Next, the Peltier element 12 is energized by the energization device 15 while supplying the heat medium to the heat medium circuit 30 of the heat sink 16 by the liquid feeding unit 37, the liquid is cooled and solidified (freezing), and the wafer W is held on the holding plate 14. Secure to. The high temperature side of the Peltier element 12 is absorbed by the heat medium and radiated. As the liquid freezes, the chamber 20 in the heat sink 16 becomes a sealed space.

次いで、吸引装置29により、ヒートシンク16のチャンバー20内の空気を排除して、ヒートシンク16内空間を負圧にする。これにより、ウェーハWは、液体の氷結力およびチャンバー20内の負圧によって、完全に保持板14側に保持されることになる。このとき氷結が不充分であったり、ウェーハWとの距離が過大であった場合、チャンバー内の負圧が上昇しない。これを測定することで氷結と保持が確実に行われたかを判定することができる。   Next, the air in the chamber 20 of the heat sink 16 is removed by the suction device 29, and the internal space of the heat sink 16 is set to a negative pressure. Thereby, the wafer W is completely held on the holding plate 14 side by the freezing force of the liquid and the negative pressure in the chamber 20. At this time, if freezing is insufficient or the distance from the wafer W is excessive, the negative pressure in the chamber does not increase. By measuring this, it can be determined whether icing and holding have been performed reliably.

次いで、上下動機構および水平動機構を駆動して、ウェーハWを上昇かつ水平方向に搬送し、所定の位置へ移動する。
通電装置15の制御部により通電方向を切替えてペルティエ素子12の高温側と低温側を反転させる。ペルティエ素子12は熱媒体から吸熱し、氷結した液体へ放熱することによってこれを溶解し、同時にチャンバー20内部を正圧にすることでウェーハWの保持を解放することができる。
Next, the vertical movement mechanism and the horizontal movement mechanism are driven to move the wafer W upward and horizontally, and move it to a predetermined position.
The controller of the energization device 15 switches the energization direction to invert the high temperature side and the low temperature side of the Peltier element 12. The Peltier element 12 absorbs heat from the heat medium, dissipates it to the frozen liquid, and dissolves it. At the same time, the holding of the wafer W can be released by setting the inside of the chamber 20 to a positive pressure.

このように、本実施の形態では、ペルティエ素子12により液体(純水)を氷結させてウェーハWを保持板14に氷結力によって固定すると共に、密閉空間とされたヒートシンク16内のチャンバー20を負圧にすることによって、ウェーハWを保持板14に強力に保持することができる。   As described above, in the present embodiment, the liquid (pure water) is frozen by the Peltier element 12 to fix the wafer W to the holding plate 14 by the icing force, and the chamber 20 in the heat sink 16 that is a sealed space is negatively charged. By using the pressure, the wafer W can be strongly held on the holding plate 14.

本実施の形態では、液体を固化(氷結)させることによってウェーハWを保持するものであるため、完全な非接触による保持とは相違するが、ウェーハWを保持する際、ウェーハWが動くこともないので、従来のベルヌーイチャックの場合のようなピンやガイドでウェーハWを機械的に保持する必要がない。また、液体に純水等のピュアーな液体を用いることによって、ウェーハWにパーティクルの付着や汚染を生じさせることもなく、したがって、半導体ウェーハの両面研磨装置における、ウェーハのローディング、アンローディングに好適に用いることができる。   In this embodiment, since the wafer W is held by solidifying (freezing) the liquid, it is different from holding by complete non-contact, but the wafer W may move when holding the wafer W. Therefore, it is not necessary to mechanically hold the wafer W with pins and guides as in the case of the conventional Bernoulli chuck. In addition, by using a pure liquid such as pure water as the liquid, there is no particle adhesion or contamination on the wafer W. Therefore, it is suitable for wafer loading and unloading in a semiconductor wafer double-side polishing apparatus. Can be used.

半導体ウェーハの搬送装置の概略の説明図である。It is explanatory drawing of the outline of the conveyance apparatus of a semiconductor wafer. 搬送装置の揺動アームの揺動を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows rocking | fluctuation of the rocking | fluctuating arm of a conveying apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

10 半導体ウェーハの搬送装置
12 ペルティエ素子
14 保持板
15 通電装置
16 ヒートシンク
18 蓋体
20 空間
22 ネジ孔
24 管継手
26 パイプ
28 負圧源
29 吸引装置
30 熱媒体回路
32 循環パイプ
34 循環ポンプ
36 タンク
37 送液部
38 移動機構
40 上下動機構(シリンダ装置)
42 揺動アーム
44 ロッド
45 上下動盤
46 連結棹
48 回転軸
50 駆動モータ
52 ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor wafer transfer device 12 Peltier element 14 Holding plate 15 Current supply device 16 Heat sink 18 Lid 20 Space 22 Screw hole 24 Pipe joint 26 Pipe 28 Negative pressure source 29 Suction device 30 Heat medium circuit 32 Circulation pipe 34 Circulation pump 36 Tank 37 Liquid feeding part 38 Moving mechanism 40 Vertical movement mechanism (cylinder device)
42 Oscillating arm 44 Rod 45 Vertical moving plate 46 Connecting rod 48 Rotating shaft 50 Drive motor 52 Nozzle

Claims (4)

平板のリング状に形成されたペルティエ素子と、
該ペルティエ素子の下面を覆って該下面に固定された絶縁板からなるリング状の保持板と、
前記ペルティエ素子の上面を覆って該上面に固定された絶縁材からなる筒状のヒートシンクと、
該ヒートシンクの上面側を閉塞する蓋体と、
該蓋体で閉塞されたヒートシンク空間内の空気を排除する吸引装置と、
前記ヒートシンクに形成された熱媒体回路と、
該熱媒体回路に熱媒体を供給する送液部と、
前記ペルティエ素子へ通電する通電装置と、
前記蓋体に連携され、該蓋体とともに、ヒートシンク、ペルティエ素子、保持板を移動させる移動機構とを具備することを特徴とする半導体ウェーハの搬送装置。
A Peltier element formed in a flat ring shape;
A ring-shaped holding plate made of an insulating plate that covers the lower surface of the Peltier element and is fixed to the lower surface;
A cylindrical heat sink made of an insulating material that covers the upper surface of the Peltier element and is fixed to the upper surface;
A lid for closing the upper surface side of the heat sink;
A suction device for excluding air in the heat sink space closed by the lid;
A heat medium circuit formed on the heat sink;
A liquid feeding section for supplying a heat medium to the heat medium circuit;
An energizing device for energizing the Peltier element;
A semiconductor wafer transfer apparatus, comprising: a movement mechanism that is linked to the lid body and moves the heat sink, Peltier element, and holding plate together with the lid body.
前記移動機構は、前記蓋体とともに、ヒートシンク、ペルティエ素子、保持板を上下動させる上下動機構および水平動させる水平動機構を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハの搬送装置。   2. The semiconductor wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the moving mechanism includes, together with the lid, a heat sink, a Peltier element, a vertical movement mechanism for moving the holding plate up and down, and a horizontal movement mechanism for moving it horizontally. 前記保持板および前記ヒートシンクがセラミックスで形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウェーハの搬送装置。   3. The semiconductor wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the holding plate and the heat sink are made of ceramics. 請求項1〜3いずれか1項記載の半導体ウェーハの搬送装置を用いる半導体ウェーハの搬送方法であって、
搬送すべきウェーハの表面上に液体を供給する工程と、
該ウェーハ上に前記搬送装置を接近させ、搬送装置の保持板下面側をウェーハ表面に供給された液体の表面に当接させる工程と、
前記送液部によりヒートシンクの熱媒体回路に熱媒体を供給しつつ前記通電装置によりペルティエ素子に通電し、前記液体を冷却して固化し、ウェーハを保持板に固定する工程と、
前記吸引装置により、前記ヒートシンク空間内の空気を排除して、ヒートシンク空間内を負圧にする工程と、
前記移動装置により、搬送装置を移動してウェーハを所望個所に搬送する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハの搬送方法。
A semiconductor wafer transfer method using the semiconductor wafer transfer apparatus according to claim 1,
Supplying liquid onto the surface of the wafer to be transferred;
Bringing the transfer device closer to the wafer and bringing the holding plate lower surface side of the transfer device into contact with the surface of the liquid supplied to the wafer surface;
Supplying the heat medium to the heat medium circuit of the heat sink by the liquid feeding unit, energizing the Peltier element by the energizing device, cooling and solidifying the liquid, and fixing the wafer to the holding plate;
Removing the air in the heat sink space by the suction device to make the heat sink space negative pressure;
A method of transporting a semiconductor wafer, comprising the step of transporting the wafer to a desired location by moving the transport device by the moving device.
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