KR20060127804A - 가공장치, 가공방법 및 칩의 제조방법 - Google Patents
가공장치, 가공방법 및 칩의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060127804A KR20060127804A KR1020060050739A KR20060050739A KR20060127804A KR 20060127804 A KR20060127804 A KR 20060127804A KR 1020060050739 A KR1020060050739 A KR 1020060050739A KR 20060050739 A KR20060050739 A KR 20060050739A KR 20060127804 A KR20060127804 A KR 20060127804A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- workpiece
- mold
- support
- pattern
- imprint
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
- B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
- B81C1/0046—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (34)
- 몰드가 가지는 패턴을 이용하여, 피가공물에 임프린트 패턴(imprinted pattern)을 형성하는 임프린트 장치(imprint apparatus)로서,상기 몰드를 유지하기 위한 제 1 유지부;상기 피가공물을 유지하기 위한 제 2 유지부; 및상기 제 1 유지부에 의해 유지되는 몰드와 대향하는 위치에서, 상기 피가공물을 부분적으로 지지하기 위한 지지부를 포함하고,상기 피가공물을 부분적으로 지지하는 상기 지지부의 위치가 상기 제 2 유지부에 관련되어 변경되도록, 상기 제 2 유지부는 제 1 방향으로 이동되고, 또한상기 지지부와 상기 제 2 유지부는, 상기 피가공물로부터 상기 지지부가 멀어지도록, 상기 제 1 유지부와 독립적으로, 상기 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향으로 상대적으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 임프린트장치는, 상기 지지부에 의해 상기 피가공물이 부분적으로 지지를 받고 있는 상태에서, 상기 피가공물과 상기 몰드의 상기 패턴간의 거리가 짧아지도록 동작을 실시하거나, 또는 상기 피가공물과 상기 몰드의 패턴이 서로 접촉한 상태에서, 상기 피가공물과 상기 지지부간의 거리가 짧아지도록 동작을 실시하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부는, 상기 제 2 방향으로 이동가동하며, 상기 제 2 유지부는, 상기 제 2 방향으로 이동가능하지 않는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부는, 중력의 방향 또는 중력의 방향에 반대 방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부는, 피봇 기구를 개재하여 상기 피가공물을 지지하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 유지부는, 상기 피가공물이, 상기 제 2 방향에 평행한 방향으로 휘어지도록 유지하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 피가공물은 평판형상을 가지며, 상기 제 2 유지부는, 상기 피가공물의 평면내 중앙영역과 접촉하지 않도록, 상기 피가공물의 주변영역을 유지하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 방향은, 중력의 방향인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부와 상기 제 2 유지부를, 상대적으로 이동시켜서, 상기 피가공물의 휨량을 조정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 임프린트장치는, 상기 피가공물의 중력의 방향의 휨량이 작아지도록, 상기 피가공물을 중력의 방향과 반대 방향으로 밀어 올리기 위한 휨량의 조정부를 부가하여 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 임프린트장치는, 상기 피가공물의 패턴이 전사되는 면의 경사각을 검출하기 위한 각도 검출부, 또는 상기 지지부가 받는 힘을 하중으로서 검출하기 위한 하중 검출부, 또는 상기 몰드측으로부터 상기 피가공물까지의 거리를 계측하는 거리계측부를 부가하여 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 유지부의 상기 몰드를 접촉시키는 면과 상기 지지부의 상기 피가공물을 접촉시키는 면의 적어도 한쪽의 면적이, 상기 몰드의 가공면과 상기 피가공물의 패턴 형성면의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 유지부의 상기 몰드를 접촉시키는 면과 상기 지지부의 상기 피가공물을 접촉시키는 면이, 면대칭 관계를 가지는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 지지부와 상기 피가공물이 서로 접촉하도록, 상기 지지부와 상기 제 2 유지부는, 상기 제 1 유지부와 독립적으로, 상기 제 2 방향에 평행한 방향으로 동작거리만큼 상대적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 동작거리는, 상기 지지부의 지지위치에 따라서 가변인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 동작거리는, 상기 제 2 방향에 관한 상기 피가공물의 위치정보에 따라서 가변인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 몰드가 가지는 패턴을 이용하여, 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서,상기 몰드를 유지하기 위한 제 1 유지부;상기 피가공물을 유지하기 위한 제 2 유지부; 및상기 제 1 유지부에 의해 유지되는 몰드와 대향하는 위치에서, 상기 피가공물을 부분적으로 지지하기 위한 지지부를 포함하고,상기 피가공물을 부분적으로 지지하는 상기 지지부의 위치가 상기 제 2 유지부에 관련되어 변경되도록, 상기 제 2 유지부는 상기 가공면에 평행한 방향으로 이동가능하고, 또한상기 지지부와 상기 제 2 유지부는, 상기 피가공물로부터 상기 지지부가 멀어지도록, 상기 제 1 유지부와 독립적으로, 상기 가공면에 직교하는 제 2 방향으로 상대적으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 17항에 있어서,상기 지지부와 상기 피가공물이 접촉하도록, 상기 지지부와 상기 제 2 유지 부는, 상기 제 1 유지부와 독립적으로, 상기 가공면에 직교하는 방향으로 동작거리만큼 상대적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 18항에 있어서,상기 동작거리는, 상기 지지부의 지지위치에 따라서 가변인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 18항에 있어서,상기 동작거리는, 상기 제 2 방향에 관한 상기 피가공물의 위치정보에 따라서 가변인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 몰드가 가지는 패턴을 이용하여, 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하기 위한 임프린트 장치로서,상기 몰드를 유지하기 위한 제 1 유지부;상기 피가공물을 유지하기 위한 제 2 유지부; 및상기 제 1 유지부에 의해 유지되는 상기 몰드와 대향하는 위치에서, 상기 피가공물을 부분적으로 지지하기 위한 지지부를 포함하고,상기 몰드와 상기 지지부는, 상기 피가공물을 가압하는 가압축을 결정하고,상기 지지부와 상기 제 2 유지부는, 상기 피가공물로부터 상기 지지부가 멀 어지도록, 상기 제 1 유지부와 독립적으로, 상기 가압축에 평행한 방향으로 상대적으로 이동가능한 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 21항에 있어서,상기 지지부와 상기 피가공물이 접촉하도록, 상기 지지부와 상기 제 2 유지부는, 상기 제 1 유지부와 독립적으로, 상기 가압축에 평행한 방향으로 동작거리만큼 상대적으로 동작하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 22항에 있어서,상기 동작거리는, 상기 지지부의 지지위치에 따라서 가변인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 제 22항에 있어서,상기 동작거리는, 상기 가압축에 평행한 방향에 관한 상기 피가공물의 위치정보에 따라서 가변인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
- 몰드가 가지는 패턴을 이용하여, 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하는 임프린트 방법으로서,자중에 의해 휠 수 있도록 유지되는 상기 피가공물을, 중력방향의 휨량이 작아지도록, 중력의 방향과 반대 방향으로 이동가능한 지지부에 의해 밀어올려서, 상 기 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 피가공물의 면내 영역에 있어서의 상기 몰드와 접촉하는 개소가, 상기 패턴이 형성된 상기 몰드의 가공면과 평행이 되도록, 상기 지지부에 의해 상기 피가공물을 밀어 올리는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 지지부에 의해 밀어 올리는 거리는, 상기 지지부의 지지위치에 따라서 변경되는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 제 25항에 있어서,중력의 방향에 관한 상기 피가공물의 위치 정보에 따라서, 상기 지지부에 의해 밀어 올리는 거리를 변경하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 몰드가 가지는 패턴을 이용하여, 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하는 임프린트 방법으로서,상기 몰드를 유지하기 위한 제 1 유지부와 상기 몰드의 가공면과 대향하는 위치에 배치되는 지지부의 사이에, 피가공물을 배치하는 공정과;상기 지지부가 상기 피가공물에 접촉하지 않도록 멀어진 상태에서, 제 2 유 지부에 의해 유지되는 상기 피가공물을, 상기 가공면에 평행한 방향으로 이동하여 패턴전사 영역을 결정하는 공정과;상기 가공면과 직교하는 방향으로, 상기 패턴전사영역에 관한 위치정보에 따라서, 상기 지지부와 상기 피가공물을, 상기 가공면에 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 지지부와 상기 피가공물을 서로 접촉시키는 공정과;상기 몰드의 상기 가공면과 상기 피가공물을 서로 접촉시키는 공정과;상기 몰드의 패턴을 이용하여, 상기 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 제 29항에 있어서,상기 지지부와 상기 피가공물을 서로 접촉시켜서 가압위치를 조정한 후, 조정된 가압 위치에서, 상기 몰드의 상기 가공면과 상기 피가공물을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 제 29항에 있어서,상기 몰드의 상기 가공면과 상기 피가공물을 접촉시킨 후, 상기 지지부와 상기 피가공물을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
- 몰드를 준비하는 공정과;제 1항에 기재된 임프린트 장치를 이용하여, 상기 피가공물에 임프린트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩의 제조방법.
- 제 32항에 있어서,상기 피가공물에 형성되어 있는 임프린트 패턴을 마스크로서 이용하는 것을 특징으로 하는 칩의 제조방법.
- 제 32항에 있어서,상기 피가공물은, 광경화성 수지, 열강화성 수지 또는 열가소성의 수지를 가지는 기판이며, 상기 수지와 상기 몰드의 상기 패턴을 서로 접촉시켜, 임프린트 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩의 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2005-00167417 | 2005-06-07 | ||
JP2005167417 | 2005-06-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060127804A true KR20060127804A (ko) | 2006-12-13 |
KR100806231B1 KR100806231B1 (ko) | 2008-02-22 |
Family
ID=36968638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060050739A KR100806231B1 (ko) | 2005-06-07 | 2006-06-07 | 가공장치, 가공방법 및 칩의 제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7635260B2 (ko) |
EP (1) | EP1731964B1 (ko) |
JP (1) | JP3958344B2 (ko) |
KR (1) | KR100806231B1 (ko) |
CN (2) | CN101566795B (ko) |
TW (1) | TWI321811B (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190012696A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 주식회사 필옵틱스 | 기판 처짐 변형 조절 장치 |
KR20190012697A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 주식회사 필옵틱스 | 기판 갭 유지 장치 |
KR20190140397A (ko) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 캐논 가부시끼가이샤 | 몰드에 의해 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 장치 및 물품 제조 방법 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7307004B2 (en) * | 2004-11-05 | 2007-12-11 | National Taiwan University | Method with mechanically strained silicon for enhancing speed of integrated circuits or devices |
US7922474B2 (en) * | 2005-02-17 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP3958344B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 |
US7927089B2 (en) * | 2005-06-08 | 2011-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method |
US8025829B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-09-27 | Nanonex Corporation | Die imprint by double side force-balanced press for step-and-repeat imprint lithography |
CN102645841B (zh) | 2007-02-06 | 2015-04-29 | 佳能株式会社 | 刻印方法和刻印装置 |
JP5110924B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | モールド、モールドの製造方法、加工装置及び加工方法 |
JP5137635B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置 |
JP5473266B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2014-04-16 | キヤノン株式会社 | インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法 |
US20090166317A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of processing substrate by imprinting |
JP4799575B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP2011009641A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及びインプリント用テンプレート |
US8747092B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-06-10 | Nanonex Corporation | Fast nanoimprinting apparatus using deformale mold |
JP5864929B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2016-02-17 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP5661666B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | パターン形成装置及び半導体装置の製造方法 |
US10105883B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-10-23 | Nanonex Corporation | Imprint lithography system and method for manufacturing |
WO2014145826A2 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nanonex Corporation | System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography |
JP6412317B2 (ja) | 2013-04-24 | 2018-10-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 |
CN104552679B (zh) * | 2015-01-12 | 2017-01-11 | 北京同方生物芯片技术有限公司 | 模具模芯的制备方法、模具模芯及生物芯片 |
US10248018B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
US9993962B2 (en) * | 2016-05-23 | 2018-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of imprinting to correct for a distortion within an imprint system |
JP6978859B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2021-12-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
US20200333704A1 (en) * | 2017-10-17 | 2020-10-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method |
KR102048747B1 (ko) * | 2018-04-16 | 2019-11-26 | 한국기계연구원 | 마이크로 소자 전사방법 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2959502A (en) * | 1959-09-01 | 1960-11-08 | Wolfgang W Gaertner | Fabrication of semiconductor devices |
US3337664A (en) * | 1965-05-05 | 1967-08-22 | Illinois Tool Works | Method and apparatus for forming thermoplastic articles of unusual configuration |
FR2209967B1 (ko) * | 1972-12-08 | 1979-03-30 | Thomson Csf | |
US4584157A (en) * | 1983-04-25 | 1986-04-22 | Arrem Plastics, Inc. | Method for double-side thermoforming |
NL194929C (nl) | 1992-10-20 | 2003-07-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Projectiebelichtingssysteem. |
JP3309517B2 (ja) | 1993-09-28 | 2002-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
US6614522B1 (en) | 1995-09-08 | 2003-09-02 | Integ, Inc. | Body fluid sampler |
US5772905A (en) | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
US5951939A (en) * | 1997-07-30 | 1999-09-14 | Ford Motor Company | Method for heating films for thermoforming |
JP3780700B2 (ja) | 1998-05-26 | 2006-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法 |
US6029966A (en) * | 1998-10-13 | 2000-02-29 | Hertz; Allen D. | Flexible, self conforming, workpiece support system |
US6264187B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-07-24 | Galahad, Co. | Method and apparatus for self-conforming support system |
JP2000194142A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
KR100335070B1 (ko) | 1999-04-21 | 2002-05-03 | 백승준 | 압축 성형 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
SE515607C2 (sv) | 1999-12-10 | 2001-09-10 | Obducat Ab | Anordning och metod vid tillverkning av strukturer |
SE515962C2 (sv) | 2000-03-15 | 2001-11-05 | Obducat Ab | Anordning för överföring av mönster till objekt |
CN100365507C (zh) * | 2000-10-12 | 2008-01-30 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 |
US6387787B1 (en) | 2001-03-02 | 2002-05-14 | Motorola, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
US6517977B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-02-11 | Motorola, Inc. | Lithographic template and method of formation and use |
JP3588633B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2004-11-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | インプリントリソグラフィー用移動ステージ |
JP2003224077A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法 |
US20050082698A1 (en) | 2002-06-26 | 2005-04-21 | George Gutman | Method and apparatus for producing optical disk substrates |
US6900881B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
JP3814591B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | 光学素子及び光学素子成形品およびその成形用金型及び射出成形方法 |
DE20320446U1 (de) | 2002-11-13 | 2005-01-27 | Molecular Imprints, Inc., Austin | Aufspannvorrichtung zum Modulieren von Formen und Substraten |
EP1606834B1 (en) | 2003-03-27 | 2013-06-05 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp |
JP4183245B2 (ja) | 2003-05-12 | 2008-11-19 | キヤノン株式会社 | アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法 |
US6829988B2 (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-14 | Suss Microtec, Inc. | Nanoimprinting apparatus and method |
JP2005077867A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Fujinon Corp | フィルムスキャナ |
JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
JP2005101313A (ja) | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Canon Inc | 微細パターン形成装置 |
KR100543130B1 (ko) | 2004-01-29 | 2006-01-20 | 한국기계연구원 | 임프린트된 실리콘 기판을 이용한 복합 미세접촉 인쇄방법 |
JP4455092B2 (ja) | 2004-02-20 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 加工装置及び加工方法 |
US7504268B2 (en) | 2004-05-28 | 2009-03-17 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Adaptive shape substrate support method |
CN1307486C (zh) * | 2004-12-20 | 2007-03-28 | 西安交通大学 | 聚二甲基硅氧烷微流控芯片复型光固化树脂模具制作方法 |
JP3958344B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 |
-
2006
- 2006-06-05 JP JP2006156698A patent/JP3958344B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 EP EP06115095.9A patent/EP1731964B1/en not_active Not-in-force
- 2006-06-07 CN CN2009102038483A patent/CN101566795B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 CN CNB2006100917181A patent/CN100503264C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 US US11/448,033 patent/US7635260B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-07 KR KR1020060050739A patent/KR100806231B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-07 TW TW095120253A patent/TWI321811B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-10-22 US US11/876,058 patent/US8246887B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190012696A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 주식회사 필옵틱스 | 기판 처짐 변형 조절 장치 |
KR20190012697A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-11 | 주식회사 필옵틱스 | 기판 갭 유지 장치 |
KR20190140397A (ko) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 캐논 가부시끼가이샤 | 몰드에 의해 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 장치 및 물품 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1731964A1 (en) | 2006-12-13 |
CN100503264C (zh) | 2009-06-24 |
JP3958344B2 (ja) | 2007-08-15 |
US20080042320A1 (en) | 2008-02-21 |
KR100806231B1 (ko) | 2008-02-22 |
US8246887B2 (en) | 2012-08-21 |
CN101566795B (zh) | 2012-02-08 |
US20060273488A1 (en) | 2006-12-07 |
JP2007019479A (ja) | 2007-01-25 |
EP1731964B1 (en) | 2016-03-23 |
CN1876393A (zh) | 2006-12-13 |
CN101566795A (zh) | 2009-10-28 |
TW200741833A (en) | 2007-11-01 |
TWI321811B (en) | 2010-03-11 |
US7635260B2 (en) | 2009-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100806231B1 (ko) | 가공장치, 가공방법 및 칩의 제조방법 | |
EP2073059B1 (en) | Imprint method, imprint apparatus, and process for producing chip | |
KR101591321B1 (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
US6980282B2 (en) | Method for modulating shapes of substrates | |
JP6061524B2 (ja) | インプリント装置および物品の製造方法 | |
JP6021606B2 (ja) | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法、およびインプリント方法 | |
EP1642170A2 (en) | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes | |
CN108732862B (zh) | 压印装置和物品的制造方法 | |
JP6363838B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 | |
JP2017022245A (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 | |
JP7134725B2 (ja) | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法 | |
JP2016039182A (ja) | インプリント装置、物品の製造方法及びインプリント方法 | |
JP2017157639A (ja) | インプリント装置、および物品の製造方法 | |
JP7117955B2 (ja) | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP7449171B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP2023031670A (ja) | インプリント装置、物品の製造方法、及びコンピュータプログラム | |
JP2022188438A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、及び、物品製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130123 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140127 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150127 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160121 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170125 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180125 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190212 Year of fee payment: 12 |