TWI321811B - Processing apparatus, processing method, and process for producing chip - Google Patents

Processing apparatus, processing method, and process for producing chip Download PDF

Info

Publication number
TWI321811B
TWI321811B TW095120253A TW95120253A TWI321811B TW I321811 B TWI321811 B TW I321811B TW 095120253 A TW095120253 A TW 095120253A TW 95120253 A TW95120253 A TW 95120253A TW I321811 B TWI321811 B TW I321811B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mold
treated
processed
holding portion
pattern
Prior art date
Application number
TW095120253A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200741833A (en
Inventor
Junichi Seki
Masao Majima
Nobuhito Suehira
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Publication of TW200741833A publication Critical patent/TW200741833A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI321811B publication Critical patent/TWI321811B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/0046Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1321811 Ο) 九、發明說明 【發明所屬的技術領域】 本發明有關生產晶片之處理設備、處理方法、及生產 晶片的方法。本發明亦有關一圖案轉移設備及一圖案轉移 方法,特別是有關藉著使用一具有該圖案之模子(下文亦 爲一 “模板”),將圖案轉移在待處理構件(下文稱爲一 “正處理構件”)上之圖案轉移設備。 【先前技術】 近年來,如藉由Stephan Y. Chou等人於應用物理印 届丨J 物(Appl. Phys. Lett·,)第 67 冊、第 21 期、第 3114-3116 頁(1995年)所提出者,用於將一模子上之微小結構轉移至 諸如樹脂或金屬的處理構件上之細微加工技術已被開發及 受到注意。此技術稱爲奈米壓印或納米壓模,且被期待實 現大約數奈米之解析度,以致各種期望正在增加,即該技 術被用作下一代之半導體製造技術,而取代一曝光設備, 諸如一步進器或一掃描器。再者,整體而言,一空間結構 可在一晶圓層級處理’以致上述技術已被期待應用至寬廣 變化的諸如光子晶體之光學裝置、及諸如〆-TAS(微量總 分析系統)的生物晶片之生產技術領域。 於加利福尼亞州聖塔克拉拉市的SPIE之第24屆國際 微鈾刻討論會之會議記錄中:(1999年)三月的“正浮現之 微影技術III”第3076冊、第一段落、第379-389頁已提 出一處理方法’其中一微小結構係形成在一石英基板之表 -5- 1321811
面,以製備一模子及接著被轉移至該工件上、亦即壓印微 影術,該基板比一當作該處理構件之工件較小。
更特別地是,該模子被壓抵靠著工件’―紫外線(UV) 可硬化之樹脂係施加在該工件上,且以UV光照射,以硬 化該UV可硬化之樹脂,如此將該微小結構轉移至該工件 上。然後,藉著使用一架台,該模子及該工件係相對彼此 移動,以重複圖案轉移,如此與一當作代表性之曝光設備 的步進器之案例中類似地處理該工件之整個表面。 再者,日本專利特許公開申請案第(JP-A)2003-778 67 號已提出一利用傾斜調整機件之技術,以便在圖案形成區 域中施加壓力至一模子,而具有均勻之壓力分佈。 更特別地是,如圖15所示,設有抗鈾層1104之矽基 板1103係在其一周邊部份藉著一彈性構件1107所支撐。 在與一模子1 1 〇 2相向之位置,一振動構件1 1 1 4係設 置在一固定式支撐支柱1111上,該振動構件由其背後支 撐一矽酮基板1103,且具有一樞軸1113之承納部份的功 能。於圖1 5中,顯示一模子1 1 02係多少傾斜之案例,其 一表面係未平行於該基板表面。該機件另包含一模子固持 部份1101、一樣本固持構件1105、一移動架台1106、一 平板台(levelblock)1108及一移動機件1110。 於此機件中,於該抗蝕層11〇4及該模子1102彼此接 觸之後,該模子1102及該矽基板1103間之平行度隨著該 抗蝕層1 1 04及該模子1 1 02間之距離的減少而增加,亦即 藉由該樹脂所承接之壓按力量增加,如此於壓印期間改善 -6- (3) 1321811 ^ 該圖案形成區域中之壓按一致性。 順便一提,藉著壓印法在其上形成圖案之處理構件係 • 彎曲的,於相同之案例中’視其尺寸、構成材料等而定。 - 譬如,關於該處理構件藉著它們自身重量之彎曲’於 完全限制之案例中,在一周邊部份’考慮—最小之彎曲 量,對於300毫米之矽晶圓,該彎曲量大約係20微米’ 雖然視固持構成該處理構件的晶圓之方式而定而變化。 & 此一由於該處理構件於該壓印期間的彎曲之影響係未 於如上面所述JP-A 2003-77867中考慮。 【發明內容】 本發明之一目的係提供一能夠減輕由於該處理構件於 該壓印期間的彎曲之影響的壓印設備。 本發明之另一目的係提供一壓印方法及一使用該壓印 設備生產晶片之方法。 φ 根據本發明之一態樣,在此提供一藉著使用具有圖案 的模子在待處理構件上形成壓印圖案之壓印設備,包含: 一第一固持部份,其用於固持該模子: * 一第二固持部份,其用於固持該待處理構件:及 _ 一支撐部份,其用於在一相向於該模子的支撐位置局 部地支撐該待處理構件,該模子藉著該第一固持部份所固 持; 其中該第二固持部份係可於第一方向中移動,以致改 變用於局部支撐該待處理構件的支撐部份相對該第二固持 (4) 1321811 . 部份之支撐位置,及 其中該支撐部份與該第二固持部份係可在垂直於該第 ' —方向之第二方向中相對彼此移動,並與該第一固持部份 ' 獨立地移動,以致該支撐部份係移離該待處理構件。 * 根據本發明之另一態樣,在此提供一藉著使用於其處 \ 理表面具有圖案的模子在待處理構件上形成壓印圖案之壓 印設備,包含: & 一第一固持部份,其用於固持該模子; 一第二固持部份,其用於固持該待處理構件;及 一支撐部份,其用於在一相向於該模子的支撐位置局 部地支撐該待處理構件,該模子藉著該第一固持部份所固 持; 其中該第二固持部份係可於一與該處理表面平行之方 向中移動,以致改變用於局部支撐該待處理構件的支撐部 份相對該第二固持部份之支撐位置,及 • 其中該支撐部份及該第二固持部份係可在垂直於該處 理表面之第二方向中相對彼此移動,並與該第一固持部份 獨立地移動,以致該支撐部份係移離該待處理構件。 ' 根據本發明之另一態樣,在此提供一藉著使用具有圖 < 案的模子在待處理構件上形成壓印圖案之壓印設備,包 含: 一第一固持部份,其用於固持該模子; —第二固持部份,其用於固持該待處理構件;及 一支撐部份,其用於在一相向於該模子的位置局部地 -8 - (5) (5)1321811 支撐該待處理構件,該模子藉著該第一固持部份所固持; 其中該模子及該支撐部份決定—加壓軸’用於加壓該 待處理構件,及 其中該支撐部份與該第二固持部份係可在與該加壓軸 平行之方向中相對彼此移動,並與該第一固持部份獨立地 移動,以致該支撐部份係移離該待處理構件。 根據本發明之另一態樣,在此提供一藉著使用具有圖 案的模子在待處理構件上形成壓印圖案之壓印方法,包 含: 藉著一可在與重力方向相反之方向中移動的支撐部份 向上推該待處理構件,固持該待處理構件,以便能夠藉著 其自身之重量彎曲,致使於重力方向中之彎曲量係減少, 藉此在該待處理構件上形成該壓印圖案。 根據本發明之另一態樣,在此提供一藉著使用於其處 理表面上具有圖案的模子在待處理構件上形成壓印圖案之 壓印方法,包含: 將該待處理構件設置在用於固持該模子的第一固持部 份及一支撐部份之間,該支撐部份設置在一與該模子的處 理表面相向之位置; 於該支撐部份係移離該待處理構件’以便不會接觸該 待處理構件之狀態中,藉著在平行於該處理表面的一方向 中移動該待處理構件決定一圖案轉移區域,該待處理構件 係藉由第二固持部份所固持; 視有關在垂直於該處理表面的方向中之圖案轉移區域 -9- (6) (6)1321811 的位置資訊而定,藉著於一垂直於該處理表面之方向中相 對彼此移動該支撐部份及該待處理構件,造成該支撐部份 及該待處理構件彼此接觸; 造成該模子之處理表面及該待處理構件彼此接觸;及 藉著使用在該模子之處理表面所提供的圖案於該待處 理構件上形成該壓印圖案。 根據本發明之另一態樣,在此提供一生產晶片之方 法,包含: 製備一模子; 藉著使用一如上面所述壓印設備之壓印設備在該待處 理構件上製備一壓印圖案。 本發明亦提供一如下文所述構成之壓力壓印設備及一 壓力壓印方法。 該壓力壓印設備包含一模子固持部份(下文亦稱爲第 —固持部份或一模子壓按部份)、及一設置在與該模子固 持部份相向之位置的工件壓按部份(下文亦稱爲一工件支 撐部份),並將一模子的處理表面上所形成之圖案轉移至 一藉著工件支撐部份(下文亦稱爲一工件固持部份)所固持 的工件上。該壓力壓印設備之特徵爲包含一工件位置控制 機件,用於在一平行於該模子之處理表面的面內方向中移 動該工件,以控制該工件之位置;及一壓按位置調整機 件,用於在一垂直於該模子之處理表面的方向中相對彼此 移動該工件壓按部份與該工件,以關於該工件調整該工件 壓按部份之壓按位置。 -10- (7) 1321811 該壓力壓印方法使用該模子固持部份及設置在與該 子固持部份相向之位置的工件壓按部份,並將該模子的 理表面上所形成之圖案轉移至該工件。該壓力壓印方法 含以下步驟1 )至3 ): 1) 將該工件壓按部份移離該模子及該工件、與在一 行於該模子之處理表面的面內方向中將該工件移至一想 位置之步驟; 2) 藉著在一垂直於該模子之處理表面的方向中相對 此移動該工件壓按部份與該工件,以在該工件被移至該 要位置之後造成它們彼此接觸,而關於該工件調整該工 壓按部份之壓按位置的步驟;及 3) 藉著在該經調整之壓按部份壓按該模子抵靠著該 件,將該模子的處理表面上所形成之圖案轉移至該工件 的步驟。 於該步驟2)中,該壓力壓印方法可更包含一基於 對該工件的壓按位置之偵測結果調整該壓按位置之方法 再者,其亦可能視藉由上述工件位置控制機件所控制的 子之位置而定,採用一藉著計算該壓按位置調整該壓按 置之方法。其進一步可能採用一用於校正該壓按位置之 法,而考慮到在該壓按操作期間由於各個部份的彎曲所 壓按位置中之變化。 藉著使用本發明之上述構造’於該壓印期間提供一 夠減輕由於該處理構件(待處理構件)之彎曲的影響之壓 設備及壓印方法係可能的。 模 處 包 平 要 彼 想 件 工 上 相 〇 模 位 方 致 能 印 •11 - (8) (8)1321811 於考慮本發明之較佳具體實施例的以下敘述、並會同 所附圖面時,本發明之這些及其他目的、特色及優點將變 <得更明顯。 【實施方式】 (第一具體實施例:壓印設備) 如圖1所示,依據此具體實施例之壓印設備(下文亦 稱爲一圖案轉移設備或一處理設備)包含:第一固持部份 1 000,用於固持一模子1 020;第二固持部份1040,用於 固持一處理構件(待處理構件)1〇30;及一支撐部份1 050, 用於在一(經由該處理構件1 030)相向於該模子1 020的位 置局部地支撐該處理構件〗〇30,該模子藉著該第一固持 部份1 000所固持。 該第二固持部份1 040係可於第一方向(藉著箭頭 1041所指示)中移動。於一較佳具體實施例中,當該第二 固持部份1040係可在一平行於該第一方向的方向中移動 時1該第二固持部份係亦可於一與該第一方向相反之方向 (該箭頭1041之方向)中移動。如上面所述,該第二固持 部份1 04 0係可於該第一方向中104 1移動,以致該支撐部 份1050能夠線性地改變一用於支撐該處理構件1〇3〇之位 置。於能夠以該模子所形成之圖案的轉移區域之尺寸比該 處理構件較小的案例中’當改變該圖案轉移區域時施行複 數轉移步驟。此方法被稱爲一步驟-及-重複方法。此具體 實施例之圖案轉移設備係適當地用於此方法。 -12- (9) (9)1321811 除了上述第一方向以外,該第二固持部份1 040較佳 地是亦可於一方向中移動,例如垂直於該圖示之平面,以 致該支撐部份1050能於一平面式方向中改變一用於支撐 該處理構件之支撐位置。換句話說,該第二固持部份較佳 地是可具有一機件,其可在平行於一藉由彼此正交的二軸 (例如X-軸及Y-軸)所構成之平面的方向中移動。 於此具體實施例之圖案轉移設備中,該支撐部份 1 050及該第二固持部份1 040係在垂直於該第一方向1040 的第二方向1090中相對彼此移動,以致該支撐部份1050 及該處理構件1 030係由其間之一接觸狀態(未示出)彼此 移離。藉著於該第二方向1 090中移動該支撐部份1 050、 或在一與該第二方向1090相反之方向中移動該第二固持 部份,以致該支撐部份1050係相對該第二固持部份1040 於該第二方向中移動,能實現上述可移動機件。對該支撐 部份1 050及該第二固持部份1 040兩者提供一可在平行於 該第二方向的方向中移動之機件係亦可能的。該支撐部份 1 050及該第二固持部份1040較佳地是可與該第一固持部 份1 000之操作獨立地操作。該第二固持部份與該支撐部 份之相對操作較佳地是可爲於一方向中之移位操作,而不 是振動。 如上面所述,藉著構成該設備,以致該支撐部份係可 移離該處理構件,例如於一如圖1所示操作,用於在此一 彎曲該處理構件之狀態中藉著該支撐部份改變該處理構件 之支撐位置之案例中,避免該處理構件與該支撐部份之表 -13- (10) 1321811 . 面摩擦係可能的。於上述第JP-A 2003-77867號所提出之 機件中,如圖1 5所示,該支撐部份1 1 1 1係固定的,以致 ' 有一可能性,即於該處理構件藉著該移動機件1110於雙 • 端箭頭的方向中之移動期間,該處理構件之後表面係受損 或破裂。 因此’於依據此具體實施例之設備中,於該處理構件 係彎曲之案例中,即使當該支撐部份係移至一緊接在該處 4 理構件之彎曲量爲最大的位置下方之位置時,該支撐部份 係由該處理構件移離,以便不會與該處理構件接觸係較佳 的。 順便一提’於圖1中,顯示該處理構件1 030及該模 子1 020’但於此具體實施例中,對於本發明之圖案轉移 設備不需要這些構件。再者,該處理構件1 03 0之彎曲狀 態被誇大地顯示’但可適用本具體實施例之圖案轉移設 備,而不管該處理構件之彎曲狀態。 Φ 再者’於此一使該處理構件係藉著該支撐部份局部支 撐之狀態中,該設備能被操作至減少該處理構件及該模子 圖案間之距離。另一選擇係,於此一可造成該處理構件及 該模子圖案彼此接觸之狀態中,能操作該設備以減少該處 % 理構件及該支撐部份間之距離。 再者’該支撐部份及該第二固持部份較佳地是可藉著 —操作距離、與該第一固持部份獨立地、在平行於該第二 方向的一方向中相對彼此操作,以致該支撐部份及該處理 構件彼此接觸。於此案例中’該操作距離係視該支撐部份 -14· (11) (11)1321811 相對該第二固持部份之支撐位置而定可變化的。在此使用 圖8所示XY移動機件6 1 04,該支撐位置係例如一由位置 控制電路6 1 1 4所決定的位置。再者,該操作距離係視有 關該待處理構件在該第二方向中之位置資訊而定可變化 的。在此,該位置資訊係例如關於該處理構件於Z軸方向 中之位置的資訊,如於圖1 1所示一距離偵測機件640 1之 案例中。 下文,將詳細地敘述能夠加至此具體實施例之圖案轉 移設備的構件或機構及該壓印微影術。 A :第一固持部份 該第一固持部份1 〇〇〇之形狀不限於圖1所示者,只 要該第一固持部份1 00 0能固持該模子及允許該圖案之轉 移至該處理構件上。譬如,該第一固持部份1 000可爲一 模子固持部份3 000,如圖3所示。該模子固持部份3000 係設有用於真空吸附之溝槽及係架構成可於真空中藉著減 少該等溝槽中之壓力吸附該模子1 02 0。於光線壓印法 (light-imprinting)之案例中,使得該模子3020係由一表 面之側面以諸如紫外線之光線照射,該表面與該模子 3 02 0的一表面相向,而一壓印圖案係形成在該表面上, 藉此硬化該處理構件的一表面上之樹脂,如圖3所示,較 佳地是可架構該模子固持部份,以便不會阻斷該照射光。 藉著使用諸如石英之能夠光線照射的玻璃,實現具有如圖 1所示形狀之第一固持部份係亦可能的。該第一固持部份 可藉著一包含諸如鋁或不銹鋼之金屬、或諸如石英的玻璃 -15- (12) (12)1321811 之材料所構成,只要該第一固持部份能藉著真空吸附或靜 電夾頭固持該模子。當作該第一固持部份,亦可應用美國 專利第6,696,220號的圖49A所示之模子固持部份或圖 51A所示之模子固持部份,用於在此一使得該模子本身係 可變形之狀態中藉著使用壓電元件固持一模子。 再者,該第一固持部份較佳地是可在平行於該第二方 向1 09 0的一方向中(在與該第二方向完全相同或相反之平 行方向中)移動。亦可構成該第一固持部份,以致其係可 在平行於該第一方向104 1的方向(在與該第一方向完全相 同或相反之平行方向)中移動。 順便一提,與該第一固持部份1 〇〇〇在平行於該第二 方向109 1的方向中之操作獨立,其較佳地是可構成該第 二固持部份1 040及/或該支撐部份1 050,以致它們可在 平行於該第二方向的方向中移動。換句話說,與該模子在 平行於該第二方向的方向中之移動操作獨立,實現該支撐 部份之移離該處理構件的操作係較佳的。 B :第二固持部份 圖1所示之第二固持部份具有固持該處理構件之功 能。該處理構件之固持可藉著實質地夾住該處理構件或經 過靜電夾頭或真空吸附所實現。 於該處理構件係一平坦之像平板構件的案例中,其被 固持,以便在一些案例中於引力方向(重力)中彎曲。用於 此目的,該第二固持部份1 040固持該處理構件,以便不 會於一面內方向中在該像平板構件之中心區域接觸該處理 -16- (13) 1321811 . 構件,或於該像平板構件的中心區域中固持該處理構件’ 其中與其一周邊區域比較,該構件係縮回。 ' 該第二固持部份1 040可設於複數分開之位置中,如 • 圖2A或2B所示,或當作一整體位置,如圖2C所示。 該第二固持部份之一特定構造係在圖2A至2D中說 9 明。以此一可使一面內往下方向被取爲重力之方向(Z-軸 方向)及XY平面係取爲一垂直於該圖示平面的方向之方 # 式,顯示圖2A至2C中之上部。於一面內XY方向中顯示 圖2A至2C之下部。 圖2A顯示一圓形平坦之像平板構件1 03 0係藉著分 開的二固持部份所固持之案例,且圖2B顯示該圓形平坦 之像平板構件1030係藉著分開的四固持部份所固持之案 例。再者,圖2C顯示該圓形平坦之像平板構件係藉著一 體式像圓環之固持部份所固持之案例。於這些圖示中,在 該像平板構件下方之各部份係藉著虛線所指示。 # 圖2D係該第二固持部份1 030的一放大圖。如圖2D 所示,如所想要地使用一固持部份1 0 4 9係可能的,其設 置成不會將該平坦之像平板構件1030的後表面1031由一 # 接觸狀態移離該第二固持部份1 〇4〇。取代此一固持部份 ' 1 049,經過上述靜電夾頭或真空吸附利用一吸附機件係亦 可能的。構成用於固持該處理構件之第二固持部份的材料 之範例可包含矽酮及那些用於上述該第一固持部份者。 再者’當作一用於在平行於藉由彼此正交的軸(例如 X及 Y軸)所構成之平面的方向中移動該第二固持部份 •17- (14) 1321811 . 1 040之移動機件’適當地選擇一線性馬達或一進給螺桿 係可能的。 ' 該第二固持部份104〇能例如固持該處理構件1030, ' 以致該處理構件1030在一平行於上述該第二方向1090的
方向中彎曲。用於此目的,該第二固持部份1040於該處 I 理構件1 03 0的一周邊區域中固持該處理構件1 030,以致 其不會於一面內中心區域中接觸該處理構件。 # 該第二方向1 090係例如重力之方向。 可藉著於該第二方向中相對彼此移動該支撐部份 1090及該第二固持部份1040調整該處理構件之彎曲量。 C :支撐部份 在下文,將藉著取該平坦之像平板處理構件(諸如矽 晶圓,視情況設有一微小之表面不平部分)接近該模子的 表面當作一前表面,及取該平坦之像平板處理構件接近該 支撐部份的表面當作一後表面敘述該支撐部份1 050。 • 用於在一與該模子1 020相向之位置支撐該處理構件 1030的支撐部份1050之特徵爲,其局部地支撐該處理構 件之後表面。更特別地是,於此具體實施例中,該支撐部 * 份未與該處理構件之整個後表面接觸,但在該整個後表面 • 之一部份局部或在特定位置接觸該處理構件。順便一提, 當該處理構件係藉著具有一支撐表面的架台所支撐,且該 支撐表面等於或大於該處理構件後表面之面積尺寸時,於 該架台中提供微小孔洞係可能的,以便吸附該處理構件。 於此一案例中,在該等微小孔洞之各部份,該處理構件及 -18- (15) 1321811 _ 該架台本身不會彼此接觸。然而,於此案例中,該處理構 件係大體上在該處理構件之整個後表面藉著該架台所支 • 撐。 • 於圖案轉移期間,爲了使藉著該模子及該支撐部份施 加至該處理構件之圖案轉移表面的壓力分佈一致,該支撐 部份不會支撐該處理構件之整個後表面,但在一經由該處 理構件與該模子相向之位置局部地支撐該處理構件係較佳 φ 的。雖然細節將在下文出現之具體實施例中敘述,其特別 較佳地是,接觸該模子之第一固持部份的一表面及接觸該 處理構件之支撐部份的一表面之至少一區域,係比該模子 之處理表面的一區域及該處理構件之圖案形成表面的一區 域較小。於一更佳具體實施例中,接觸該模子之第一固持 部份的表面及接觸該處理構件之支撐部份的表面具有一平 面對稱性關係。換句話說,該模子及該處理構件可藉著具 有相同之橫截面形狀的構.件適當地壓按。 * 能構成該支撐部份1050,以便可於圖7所示之第二 方向109 0及一與該第二方向相反之方向中移動。該第二 方向可例如爲重力之方向。該支撐部份1050之操作可適 * 當地爲一移位操作。譬如,這可藉著使該支撐部份1050 * 設有一致動器所實現,該致動器可於該第二方向中垂直地 移動。 再者,亦可構成該處理構件1 030及該支撐部份,以 便彼此直接地接觸、或經由一介入在其間之不同構件彼此 間接地接觸。譬如,如在JP-A第2003-77867號中所敘 -19- (16) (16)1321811 述,當作該不同構件,使用該傾斜調整機件係可能的,其 利用該樞軸(轉軸)。 再者,於此具體實施例中,爲了減少於某一方向(例 如重力的方向)中之彎曲量(彎曲的量値),能構成該第二 固持部份1〇4〇及該支撐部份1 050,以便在某一方向中改 變其間之距離。當該彎曲量能被調整時,如圖4所示,分 開地設置用於支撐該處理構件1 030之支撐部份1 050及一 彎曲量調整部份1055係可能的。 於圖3中,構成該彎曲量調整部份1055,以便可於 該第二方向(例如該重力方向)及一與該第二方向相反之方 向中移動。以此一使該處理構件1 030於該第二方向中之 彎曲量係藉著該彎曲量調整部份1055所減少,且接著減 少該支撐部份1 050及該模子1 020間之距離,同時將該處 理構件1 030置於該支撐部份1 050及該模子1 020之間的 方式施行壓印。例如,於此一藉著該彎曲量調整部份 1 055造成該處理構件1 03 0之彎曲量大體上爲零的狀態 中,該支撐部份1 050係在與重力方向相反之方向中移 動’以接觸該處理構件1〇30之後表面。此後,該模子固 持部份1 00 0係於該重力方向中往下移動,以施行該壓印 法。 順便一提,於以該支撐部份1 05 0或該彎曲量調整部 份1 05 5調整彎曲量之案例中,亦較佳地是能以此一可使 —力量藉著該支撐部份1 05 0等施加至該處理構件1 03 0之 狀態施行該壓印法,以致該處理構件1 03 0係在一與該重 -20- (17) (17)1321811 力方向相反之方向中彎曲。此一狀態係例如一狀態,其中 在該處理構件之中心區域及其鄰近區域(未示出)中,該平 坦之像平板處理構件係在與該重力方向相反之方向中向上 凸出地彎曲。 於確保此一狀態之案例中,如圖2D所示,該平坦之 像平板構件較佳地是可壓抵靠著該第二固持部份1 040或 以一夾頭固持,以便不會由該第二固持部份1 〇4〇移離。 在與該重力方向相反之方向中,於該處理構件之彎曲 狀態中施行該壓印法具有以下之優點。 更特別地是,於該模子與該處理構件之接觸期間,該 平坦之像平板構件於該重力方向中極微小地波動或振動, 以於一些情況中造成該支撐部份及該處理構件間之重複接 觸及非接觸。在此有一可能性,即此極微小之波動造成一 壓印位置之偏差或構成該處理構件的樹脂等之不需要的變 形。在另一方面,於一些情況中,藉著在與該重力方向相 反之方向中,於該處理構件之彎曲狀態中施行該壓印法、 亦即於此一可持續地保持該支撐部份或該彎曲量調整部份 與該平坦之像平板處理構件的接觸狀態中,抑制極微小波 動之發生係可能的。 於此具體實施例中之設備中,於該處理構件係藉著該 支撐部份所局部地支撐之狀態中,較佳地是可施行此一操 作,使得該處理構件及該模子的壓印圖案間之距離係減 少。其結果是,造成該壓印圖案及該處理構件彼此接觸。 此一構造係亦較佳的,即該支撐部份1050係可於該 -21 - (18) (18)1321811 第二方向1 09 0中移動,且該第二固持部份1 040不可於該 第二方向1 090中移動。譬如,該支撐部份1 05 0係可僅只 在一平行於該重力方向的方向中移動,且該第二固持部份 1 040係可僅只在一垂直於該重力方向的方向中移動係較 佳的。 可架構該支撐部份1 050,以可於該重力方向中及於 與該重力方向相反之方向中移動。該支撐部份1050亦可 經過如上面所述之傾斜調整機件(樞軸機件)支撐該處理構 件。取代用於固持該處理構件1 03 0的第二固持部份1040 於該第一方向1〇41中之移動,於該第一方向1041中移動 該支撐部份1 050係亦可能的。 D :模子(模板) 用於此具體實施例中之模子在其表面具有一已壓印圖 案。該已壓印圖案可藉著在該模子本身上形成一凹入部份 及一突出部份、或藉著提供一不同構件所實現,該不同構 件在該模子的一上表面構成一突出部份。於該前一案例 中,該模子之已壓印部份(凹入及突出部份)被轉移至該處 理構件。於該後一案例中,一凹入部份係藉著該不同構件 形成在該處理構件上,或該不同構件本身被轉移至該處理 構件上。譬如,當作該後一案例,有一案例爲以墨水形成 在該模子之一平面式表面的預定圖案係像印章壓印般轉移 至該處理構件之上表面上(亦稱爲“軟性壓印(s 〇 ft imprinting)” ) 〇 除了墨水以外,該圖案構成材料亦可爲那些呈液體、 -22- (19) (19)
1321811 固體、膠體等之形式者。 在一脫模劑係施加至該模子的已壓印圖案之 該脫模劑造成該處理構件及該模子彼此間接地接 能的。 該模子可由包含諸如石英之玻璃;金屬;衫 所形成。該已壓印圖案可例如經過電子束微影術 E :待處理構件(處理構件) 於一些案例中,該處理構件亦被稱爲一工件 該處理構件之範例可包含半導體基板,諸如 鎵砷(GaAs)基板;樹脂基板;石英基板;玻璃 者,當作該處理構件,使用包含這些塗以樹脂之 件係亦可能的。使用以此一造成一薄膜在這些基 或黏合至這些基板的方式製備之多層基板係亦可 用一透光石英基板係亦可能的。 施加在該基板上之樹脂係藉著例如以紫外線 側面照射該基板所硬化。此一可光固化樹脂之範 那些胺基甲酸酯型、環氧基樹脂型、及丙烯酸型 再者,如該樹脂,使用諸如酚樹脂、環氧基 酮樹脂、或聚醯亞胺之熱固性樹脂,及諸如甲基 酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸: (PET)、或丙烯酸樹脂之熱塑性樹脂係亦可能的 用這些樹脂,該圖案係如所想要地經過熱處理轉 於未包含該樹脂地構成該處理構件之案例中 構件係僅只藉著一壓按力量實質地變形。 後,經由 觸係亦可 等之材料 所形成。 〇 矽基板或 基板。再 基板的構 板上生長 能的。採 由該模子 例可包含 〇 樹脂、矽 丙烯酸甲 L二醇酯 。藉著使 移。 ,該處理 -23- (20) 1321811 如上面所述,於圖1中,顯示該處理構件係在其中心 區域於該第二方向1 090(藉著該往下箭頭所示)中凸出地往 ' 下彎曲之案例。譬如,於一當作該處理構件之晶圓係在該 • 重力方向中藉著其自身重量所彎曲的案例中,建立牝一如 圖1所示之狀態。於圖1中,彎曲程度係誇大地顯示。於 此具體實施例中,本發明係不只適用於在該第二方向中彎 曲之處理構件,同時也適用於一不彎曲之處理構件。再 Φ 者,於一些案例中,該平坦之像平板處理構件、諸如矽晶 圓係經過諸如加熱步驟或離子植入步驟之製程所變形。依 據此具體實施例,本發明係亦適用於此一由於該變形而彎 曲之處理構件。 於此具體實施例之設備中,可設置該平坦之S像平板 處理構件,以致一正交於該平坦之像平板處理構件的方向 係不只平行於該重力方向,同時也垂直於該重力方向。 F :選擇性零件 • 如上面所述,依據此具體實施例之設備可設有該彎曲 量調整部份(圖4所示之1 05 5),用於移動該處理構件調整 部份(圖4所示之1 05 5),用於在與該重力方向相反之方向 • 中向上移動該處理構件,以致減少該重力方向中之處理構 • 件的彎曲量。 再者,該設備亦可設有一角度偵測部份,例如由圖8 所示之角度偵測機件6109及雷射6110所構成,用於偵測 該處理構件之表面的一傾斜角度’而一圖案係轉移至該處 理構件上。該設備可進一步設有一負載偵測部份,例如由 -24- (21) 1321811 . 圖9所示之負載偵測機件620 1所構成,用於偵測一藉著 該支撐部份所承接之力量當作一負載。該設備可更進一步 ' 設有一距離測量部份,例如由圖1 1所示之距離測量機件 - 640 1所構成,用於測量由該模子至該處理構件之距離。 這些額外之零件將在下文出現之具體實施例中更明確 % 地敘述。 G :壓印微影術 φ 圖5A至5E顯示該壓印微影術之一範例,其能藉著 使用依據此具體實施例之設備所施行。於這些圖示中,顯 示一用於經過以光線照射而硬化一樹脂之光線壓印法,但 其他用於在加熱之下或藉著光線及加熱的組合硬化一樹脂 之壓印法亦可適用於此具體實施例之設備。 首先,如圖5A所示,一模子1 020及一處理構件 1 03 0係彼此相向地設置,該處理構件包含一矽基板1033 及一施加至該矽基板1 03 3上之可光固化樹脂1 034。 # 其次,如在圖5B所示,該模子1 020及該樹脂1034 彼此接觸,在此時,可移動該模子側面、該處理構件側 面、或兩側面,以致它們彼此接觸。其造成一壓力施加至 ' 兩側面上。藉此,該樹脂之形狀被改變成反映在該模子的 • 一壓印圖案上之形狀。 其次,如圖5C所示,以紫外線500 1照射係由該模子 1 030之背後施行,以硬化該樹脂1 03 4。此後,該模子及 該樹脂係如圖5D所示彼此分開。於此案例中,如所想要 地,藉著相對彼此移動該模子或該處理構件,施行一所謂 -25- (22) (22)1321811 之步驟-及-重複方法,使得圖案轉移係反複地在一鄰接該 圖案轉移區域之區域中施行。 在有該樹脂之殘留薄膜5 00 2的案例中,該殘留薄膜 5002係如所想要地藉著灰化(氧氣RIE(反應性離子蝕刻)) 所移去。其結果是,如圖5E所示,該模子之圖案係轉移 至該處理構件上》 然後,該基板1033係藉著使用由該樹脂1034所構成 而當作一罩幕(未示出)之轉移圖案所蝕刻。 於使用一具有低黏性的樹脂之案例中,藉著充分地降 低用該模子施加至該樹脂之壓力施行該圖案轉移係可能 的,雖然壓力施加之程度視該樹脂之黏性而定而變化。 第一具體實施例中之上述構件或方法人至G亦可適 用於本發明之所有具體實施例。再者,美國專利第 6,696,220 ; 6,719,91 5 ; 6,334,960 ;及 5,772,905 號及美 國專利申請案第1 0/22 1 3 3 1號之整個揭示內容係明確地以 引用的方式倂入本文中。譬如,該美國專利申請案第 1 0/22 1 3 3 1號揭示此一支撐方式,使得該處理構件不是被 局部地支撐,但是支撐在該處理構件的一整個後表面上。 然而,可移動機件、處理構件,及在一模子(壓印器)固持 部份之固持機件係可適用於本發明。 順便一提,本發明中之壓印設備係特別適用於大約奈 米至微米的壓印圖案之轉移。例如,該壓印設備可適當地 被用於形成一具有數奈米至數百奈米的間距之圖案。 -26- (23) 1321811 (第二具體實施例:壓印設備) 依據此具體實施例之設備關於一用於以設在 理表面的圖案,在處理構件上形成一壓印圖案 備。 更特別地是,該設備包含第一固持部份,用 模子;第二固持部份,用於固持該處理構件;及 份,用於在一與藉由該第一固持部份所固持的模 位置局部地支撐該處理構件。 該第二固持部份係可在一平行於該處理表面 移動,以致一用於藉著該支撐部份支撐該處理構 被改變。再者,該設備之特徵爲該支撐部份及該 部份係可在一垂直於該處理表面之方向中相對彼 以致該支撐部份係由藉著該第二固持部份所固持 件移離。 於依據此具體實施例之設備中,基於該模子 面指定該支撐部份及該第二固持部份之操作方向 一具體實施例之設備中,該模子的處理表面及該 部份之移動方向(第一方向)大體上係彼此平行, 具體實施例中所敘述之技術構造事實上係適用於 施例之設備。 再者,該支撐部份及該第二固持部份較佳地 —操作距離、與該第一固持部份獨立地、在垂直 表面的一方向中相對彼此操作,以致該支撐部份 構件彼此接觸。於此案例中,該操作距離較佳地 模子之處 的壓印設 於固持該 一支撐部 子相反之 之方向中 件之位置 第二固持 此移動, 之處理構 的處理表 。亦於第 第二固持 以致第一 此具體實 是可藉著 於該處理 及該處理 是視該支 •27- (24) 1321811 撐部份相對該第二固持部份之支撐位置而定可變化的。再 者,該操作距離亦較佳地是視有關該待處理構件在該第二 ' 方向中之位置資訊而定可變化的。 (第三具體實施例:壓印設備) * 依據此具體實施例之設備有關一用於以設在模子之圖 案,在處理構件上形成一壓印圖案的壓印設備。 4 更特別地是,該設備包含第一固持部份,用於固持該 模子;第二固持部份,用於固持該處理構件;及一支撐部 份,用於在一與該模子相反之位置局部地支撐該處理構 件。 一用於壓按(加壓)該處理構件之壓按軸係藉著用該第 一固持部份所固持之模子及該支撐部份所決定。於圖1所 示之案例中,該壓按軸係沿著一方向之軸,其中該模子 1020及該支撐部份係經由該處理構件設置成彼此相向。 • 此具體實施例之設備的特徵爲該支撐部份及該第二固 持部份係可在一平行於該壓按軸之方向中相對彼此移動, 以致該支撐部份係由藉著該第二固持部份所固持之處理構 件移離,以致實現一能夠減輕由於彎曲該處理構件的影響 • 之圖案轉移設備係可能的。 順便一提,藉著固定該壓按軸所構成之圖案轉移設備 係亦較佳的。更特別地是,該第一固持部份及該支撐部份 係僅只在平行於該壓按軸的方向中作動之此一構造,係適 合用於需要大約數奈米至數十奈米的處理準確性之奈米壓 -28 - (25) (25)1321811 印微影術。 再者’該支撐部份及該第二固持部份可進一步較佳地 是藉著一操作距離、與該第一固持部份獨立地、在與該加 壓軸平行的一方向中相對彼此操作,以致該支撐部份及該 待處理構件彼此接觸。在此案例中,該操作距離係可視該 支撐部份相對該第二固持部份之支撐位置而定變化的。再 者,該操作距離係可視有關該待處理構件於該第二方向中 之位置資訊而定變化的。 (第四具體實施例:壓印方法) 依據此具體實施例之壓印方法有關一以設在模子之圖 案,在處理構件上形成一壓印圖案的壓印方法。 更特別地是,該壓印方法之特徵爲藉著一可在與重力 方向相反之方向中移動的支撐部份向上推該待處理構件, 固持該待處理構件,以便能夠藉著其自身之重量彎曲,如 此使於重力方向中之待處理構件的彎曲量減少,並將該模 子之圖案轉移至該待處理構件上。 於重力方向中之待處理構件的彎曲量減少至少包含以 下三種案例。 第一案例係該處理構件在該重力方向中往下凸出彎曲 之彎曲量減少至零或接近零的案例。第二案例係該處理構 件在該重力方向中往下凸出彎曲之彎曲量減少至一負値, 以致該處理構件在與重力方向相反之方向中向上地凸出彎 曲的案例。第三案例是在與重力方向相反之方向中向上地 -29 - (26) (26)1321811 凸出彎曲的處理構件係進一步在與重力方向相反之方向中 向上地凸出彎曲,以便增加該負彎曲量的一絕對値之案 例。 於此具體實施例中,雖然該重力方向被取爲彎曲方向 之基礎,上述用於在該重力方向中減少該處理構件之彎曲 量的三案例係同樣地適用於下文敘述之第五具體實施例。 依據此具體實施例,在該處理構件事實上係藉著它們 自身重量所彎曲之此一狀態中,在藉著壓印法形成圖案之 一轉移區域中造成一壓力分佈係可能的,以較接近於一均 勻之分佈。再者,藉著使用上述步驟·及-重複方法減輕複 數圖案轉移區域中之形狀的不規則性係亦可能的,該圖案 轉移區域係在多次施行該處理構件之壓印法的案例中所形 成。 較佳地是可施行上述藉著該支撐部份上推該處理構 件,以致該處理構件於該處理構件之一平面內區域接觸該 模子的一部份係平行於設有該圖案之模子的處理表面。 將參考圖6敘述依據此具體實施例之圖案轉移方法, 其中一箭頭8代表該重力顯示。 如圖6A所示,固持於該重力方囪中彎曲的平坦之像 平板處理構件1〇3〇的後表面,係在與重力方向相反之方 向中向上推,以減少該處理構件1〇30於該重力方向中之 彎曲量。於圖6B中,一虛線代表該處理構件1030藉由其 自身重量彎曲之原始狀態(亦如圖1中所示),且一實線代 表一狀態,其中該處理構件1030之彎曲量係減少,亦即 -30- (27) (27)1321811 —狀態,其中該彎曲量係已校正或調整。於圖6B中,藉 著在與重力方向相反之方向中造成一支撐部份1 050執行 —移位操作減少該彎曲量。於圖6B中,說明一肉眼可見 地顯示該處理構件之槪念視圖,且於肉眼可見地觀看該處 理構件之案例中,例如亦有該處理構件在一緊接在該支撐 部份1 05 0上之區域向上地凸出彎曲的可能性,甚至當該 處理構件之彎曲量以整體而言係減少時。 然後,如圖6C所示,在該處理構件1030之前表面以 藉由第一固持部份1 〇〇〇所固持及具有一已壓印圖案之模 子1 020施行壓印法,以將該已壓印圖案轉移至該處理構 件1 03 0之前表面上。 可藉著利用該支撐部份1 050及第二固持部份1 040之 任一個或兩者施行該彎曲量之調整。 如圖6A及6B所示,於此一使該彎曲量由dl減少至 d2之狀態中施行該壓印法,以致減少由於該處理構件的 彎曲影響所致壓按力量中之不規則性係可能的。 在此,於藉著該第二固持部份1 040固持該處理構件 1030之案例中,dl代表該重力方向中之彎曲量。在另一 方面,d2較佳地是可大體上爲零,亦即該處理構件1030 較佳地是可支撐在一位置,其中該處理構件1 03 0不會藉 著其自身重量造成該彎曲。 順便一提,當該彎曲量具有一比dl較小之絕對値 時,亦可在該處理構件1030係在與重力方向相反之方向 中彎曲的狀態中施行該壓印法。 -31 - (28) (28)1321811 再者,當在該處理構件1 03 0於一壓印區域中之彎曲 量總是被調整至d2、亦即於Z軸方向中調整一壓按位置 的狀態中施行該壓印法時,達成以下之效果。 更特別地是,在複數部份施行該壓印法期間,在各個 部份之每一部份,抑制壓按力量中之不規則性係可能的。 再者,較佳的是該處理構件 1 030、該支撐部份 1 050、及該模子1〇20之接觸順序係如下。 首先,該支撐部份1050及該平坦之像平板構件1030 的後表面(與遭受該壓印之前表面相向)彼此接觸,該模子 1 020及該平坦之像平板構件1 03 0或在該平坦之像平板構 件1030上之樹脂彼此接觸。然而,本發明不限於此。 於參考圖15所敘述之壓印法中,甚至在單一壓印區 域(對應於該模子之尺寸)中,在此有此一於該處理構件的 —面內方向中造成一壓力分佈發生的案例。這是因爲以該 模子及該處理構件間之第一接觸部份當作一支點產生關於 該處理構件的一旋轉力量。更特別地是,在此係因爲有相 對該支點及由該支點隔開的一部份發生一施加至該樹脂的 壓力分佈之可能性。該壓力分佈意指造成在該樹脂中發生 殘留薄膜厚度中之不規則性,而該模子之壓印圖案係轉移 至該樹脂。更特別地是,於圖15所示構造中,有在該樹 脂之殘留薄膜厚度中發生差異的可能性,甚至在對應於該 模子尺寸之壓印區域中。在此,該殘留薄膜厚度特別意指 留在該模子之已壓印圖案的突出部份及該基板間之樹脂的 厚度。 -32- (29) (29)1321811 根據此具體貫施例之圖案轉移方法,當於此_造成該 彎曲量d2大體上爲零的狀態、同時保持該模子表面與該 處理構件表面間之平行狀態中施行該壓印法時,減少上述 壓力分佈之程度係可能的。 順便一提,如圖6C所示,藉著施行該壓印法直接將 該圖案轉移至該平坦之像平板處理構件係可能的。 例如藉著將該樹脂施加在該基板之整個表面上或局部 地施加在該基板之表面上製備該處理構件。於該模子係壓 抵靠著該樹脂之此一壓按狀態中,該樹脂係藉著以諸如紫 外線之光線加熱或照射所硬化,如此允許圖案轉移。 於以諸如紫外線之光線加熱或照射期間,爲了固持該 處理構件,控制該第二固持部份1040及該模子1 020(或 該模子固持部份1 0 0 0)間之位置關係是吾人想要的。特別 地是,該樹脂較佳地是可硬化,同時在垂直於該重力方向 中之面內(X-Y平面)方向中控制在其間的相對位置。這是 因爲於一些案例中,由於藉著以光線加熱或照射而硬化該 樹脂,該模子或該基板於該平坦之像平板處理構件之XY 面內方向中造成位置偏差。 再者,於此藉著該步驟-及-重複方法在複數部份於該 平坦之像平板構件的面內方向中施行壓印法之案例中,較 佳地是可在以下之方式中施行該壓印法。 於該處理構件1030及該支撐部份1040間之面內方向 中改變相對位置的案例中,在該支撐部份及該處理構件的 後表面間之狀態一旦由接觸狀態改變至未接觸狀態之後, -33- (30) 1321811 _ 於該面內方向中之相對位置係改變。藉著如此做,例如減 少該處理構件由於該支撐部份與該處理構件之接觸的損壞 ' 或破壞程度、及減少藉著在其間之摩擦所發生的污染程度 • 係可能的。 將參考圖7簡短地敘述此具體實施例之圖案轉移方 法。 首先,固持該處理構件,以致其在該重力方向中彎曲 ‘ (Sl)° 此後,調整該處理構件之彎曲量(S 2)。 在調整該彎曲量之後,一壓印圖案係形成在該處理構 件的一前表面(S3)上。 如上面所述’於此具體實施例中,敘述該處理構件在 該重力方向中彎曲之案例’但用於在本發明中調整該彎曲 量之構造係亦適用於一在與該重力方向不同之方向中彎曲 的處理構件。 Φ 順便一提’較佳地是可視該支撐部份相對該第二固持 部份之支撐位置而定’可改變藉著該支撐部份向上推之距 離。再者,較佳地是視關於該處理構件於該重力方向中之 • 位置資訊而定’亦可改變藉著該支撐部份向上推之距離。 (第五具體實施例:壓印方法) 依據此具體實施例之壓印方法有關一以設在模子之處 理表面的圖案,在處理構件上形成一壓印圖案的壓印方 法。 • 34 - (31) 1321811 . 更特別地是,於該壓印方法中,該處理構件係設置在 用於固持該模子的第一固持部份及一支撐部份之間,該支 ' 撐部份設置在一與該模子之處理表面相反的位置。 ' 於該支撐部份係縮回,以便不會接觸該處理構件之狀 » 態中,藉由第二固持部份所固持之處理構件係在一平行於 _ 該處理表面之方向中移動,以決定一圖案轉移區域。 然後,該支撐部份及該第二固持部份在一垂直於該模 # 子的處理表面之方向中相對彼此移動,以造成該支撐部份 及該處理構件彼此接觸(第一接觸)。 在該支撐部份及該處理構件間之接觸之前或之後,造 成該模子的處理表面及該處理構件彼此接觸(第二接觸)。 此後,設在該模子的處理表面之圖案係轉移至該處理 構件上。 其結果是,實現一具有減少由於彎曲該處理構件的影 響之圖案轉移方法係可能的。 Φ 於此具體實施例中,可在任何順序或大體上同時地施 行該第一接觸及該第二接觸。譬如,於該支撐部份與該處 理構件之接觸狀態中,在調整該壓按位置之後,在該經調 * 整之壓按位置,造成該模子的處理表面及該處理構件彼此 - 接觸。另一選擇係,在造成該模子的處理表面及該處理構 件彼此接觸之後,造成該支撐部份及該處理構件彼此接 觸。 於不只該處理構件及該支撐部份彼此接觸,同時該處 理構件及該模子的處理表面也彼此接觸之此一狀態中,施 -35- (32) 1321811 行用於決定該壓按部份之位置調整’同時保持在這些二構 件或部份中之接觸狀態係亦可能的。譬如,於該處理構件 在一面內方向中彎曲之狀態中,在造成該處理構件接觸該 模子的處理表面之後,施行該位置調整,以致減少彎曲量 係可能的。
順便一提,視有關在垂直於該處理表面的方向中之圖 案轉移區域的位置資訊而定,藉著在一垂直於該處理表面 之方向中相對彼此移動該支撐部份及該處理構件,造成該 支撐部份及該處理構件彼此接觸係較佳的。 (第六具體實施例:生產晶片之方法) 於此具體實施例中,一晶片之範例可包含一光學晶 片、一諸如从-T AS之生物晶片、一半導體晶片等。 在用於生產此具體實施例之晶片的方法,製備如於第 一至第五具體實施例中所敘述之具有一圖案的模子及一處 理構件。 其次,一壓印圖案係藉著使用第一至第三具體實施例 之任一個中所敘述的壓印設備形成在該處理構件上, 順便一提,藉著使用形成在該處理構件上之圖案當作 一罩幕’如所想要地施行一項處理,諸如鈾刻法或離子植 入係可能的。 該處理構件係藉著設有例如一可光固化樹脂、一熱固 性樹脂、或一熱塑性樹脂之基板所構成。該樹脂係在該樹 脂及該模子之圖案彼此接觸的狀態中變形。該可光固化樹 -36· (33) (33)1321811 脂及熱固性樹脂係分別藉著光線照射及加熱所硬化。該熱 塑性樹脂係在將其加熱之後,藉著將其冷卻至室溫所硬 化。 本發明另包含一壓力壓印設備及一壓力壓印方法,其 係以下列構造爲其特徵。 更特別地是,於這些設備及方法中,使用一用於壓按 之模子壓按部份(與該模子固持部份或該第一固持部份相 同),用於加壓一.模子抵靠著一工件(處理構件);及一工 件壓按部份(支撐部份),其設置成經由該工件與該模子相 向。藉著使用該等部份,該工件被下壓,以將在該模子的 處理表面所形成之圖案轉移至該工件上。該壓印設備包含 一壓按機件,用於藉著於一工件方向中移動該模子而壓按 該工件;一移動機件,用於在一面內方向中移動該工件; 及一壓按位置移動機件,其能夠移動一壓按位置。藉著使 用這些機件,該工件壓按部份係在一壓按軸方向中移動, 並調整該壓按位置,如此施行壓力處理。其結果是,提供 一較不受該工件由於其自身重量的彎曲所影響之壓印設備 及壓印方法、及允許高準確性壓力處理而不會造成該壓按 軸之移動係可能的。 於該壓按位置之調整期間,基於該處理構件(工件)之 位置、及藉由使用一偵測機件所偵測之偵測信號調整該壓 按位置係較佳的,該偵測機件用於偵測工件表面之角度、 與該工件表面之距離、施加至該工件壓按部份之負載及力 矩。 -37- (34) (34)1321811 取代該偵測機件之使用,在該工件表面(一面內方向 中之處理構件的位置),基於有關一處理區域之位置計算 結果調整該壓按位置係亦可能的。 再者,藉著考慮壓按位置於該壓按期間由於該處理構 件及相關零件的彎曲及變形中之變化,採取一用於校正該 處理區域之位置的構造係亦可能的。 _ 下文,將基於具體實施例1至3敘述本發明之特定具 體實施例。 (具體實施例1) 於具體實施例1中,製備依據本發明之壓力壓印設 備。該壓力壓印設備係與一圖案轉移設備或一壓印微影術 設備同義。 圖8顯示此具體實施例之壓力壓印設備的構造。參考 圖8,該壓力壓印設備包含外殻6100、工件固持部份 6 101、壓按部份移動機件6102、工件支撐部份6103、xy-移動機件6104、工件6105、壓按機件6106、模子固持部 份6107、模子6108、角度偵測機件6109、雷射61 10、曝 光量控制電路6 1 1 1、壓力控制電路6 1 1 2、壓按位置偵測 電路6113、位置控制電路6114(用於控制該處理構件於一 面內方向中之位置)、一壓按位置控制電路6115、及一製 程控制電路6 1 1 6。 如圖8所示,該模子6108及該工件6 105(包括矽晶 圓與塗覆在其上之可光固化樹脂)係設置成彼此相向。該 -38- (35) (35)1321811 模子6 1 08係經由該模子固持部份6 1 07連接至該壓按機件 6106,且該工件6105係藉著該工件固持部份6101經由該 xy-移動機件6104所固持。該工件支撐部份6103係設置 成經由該工件6105與該模子6108相向,且係連接至該壓 按位置移動機件6102。 附接該xy-移動機件6104之工件固持部份6101、該 壓按位置移動機件6102、及該壓按機件6106係經由該外 殻6100彼此連接。一UV光源61 17係附接至該外殻6100 的一部份,以致其係位在與該模子6 1 08的一後表面相向 處。 該角度偵測機件6 1 09偵測由該雷射6 1 1 0所放射之光 線(反射光線),該光線在該工件6105上之待處理部份的 中心部份或於其鄰近區域中、亦即以該模子6 1 06形成一 圖案之區域或於其鄰近區域中反射。 該製程控制電路6 1 1 6提供指令至該曝光量控制電路 6 1 1 1、該壓力控制電路 6 1 1 2、該壓按位置偵測電路 6 1 1 3、該位置控制電路6 1 1 4、及該壓按位置控制電路 6 1 1 5,以開始一製程,並接收由這些電路輸出之資料。 該曝光量控制電路6111控制該UV光源6117,以施 行曝光。該壓力控制電路6 1 1 2控制該壓按機件6 1 06,以 將該模子6108壓抵靠著該工件6105。該壓按位置偵測電 路6 1 1 3基於一來自該角度偵測機件6 1 09之偵測信號偵測 該工件6105上之待處理部份(該圖案轉移區域)的角度。 該位置控制電路6114控制該xy-移動機件6104,以於一 -39- (36) (36)1321811 面內方向(圖8所示xy-方向)中控制該工件6105之位置。 該壓按位置控制電路6115於一壓按方向(圖8所示z -方向) 中移動該壓按位置移動機件6102,以垂直地移動該工件 支撐部份6103,如此調整該壓按位置。 下面將敘述此具體實施例中之壓力處理製程。 首先,該工件支撐部份6103係充分地移離該工件 6105’且接著該工件6105被移至一想要之待處理部份(圖 案轉移區域)。 其次,在造成該工件支撐部份6103接觸該工件6105 之後,該工件支撐部份6103向上推該工件6105 ,以致該 工件6105上之待處理部份位在一與該模子6108平行之角 度,如此決定一壓按位置。 該模子6108係壓抵靠著該工件6105,且於此狀態 中,係以UV光束照射,以硬化該工件61 〇 5上之可光固 化樹脂。此後,該模子6 1 0 8係由該工件6 1 0 5移去,以將 該模子6108之表面壓印圖案轉移至該工件61〇5上。 順便一提,於此具體實施例之構造中,藉著於該Z軸 方向中移動該壓按位置移動機件6 102調整該壓按位置, 以垂直地移動該工件支撐部份6 1 0 3,但本發明不僅只限 於此一構造。 譬如,該壓按位置移動機件6102係改變至一固定式 壓按機件’且該工件固持部份6101被改變至一可關於該 外殼6100垂直地移動之機件。藉著使用這些機件,亦可 調整該壓按位置。 -40- (37) (37)1321811 在該壓按期間考慮由於各個構件之彎曲所致壓按位置 中之變化,並於此一可使該壓按位置係藉著由該工件 6105及該模子6108彼此平行的位置減去一變化量所決定 之方式中,一用於適當地校正該壓按位置之方法係亦有效 的。 再者,於該工件6105的自身重量變形在該壓按力量 上之影響係充分小的案例中,一不造成該工件6105之自 身重量變形發生的位置被取爲該壓按位置。 根據此具體實施例之構造,直接地測量該工件6 1 05 之處理表面的角度,以致該構造係特別適合於未確保該工 件6 1 0 5之兩表面的平行度之案例。 該工件6105由於其自身重量之彎曲的影響視該壓按 位置(該處理構件於該面內方向中之位置)而定變化,但可 直接地測量其校正結果,以致此具體實施例之構造係亦適 合用於特別需要該壓运方向中之處理準確性的案例、及該 壓按力量係小的之案例。再者,用於偵測該壓按位置之機 件不限於此具體實施例中所使用者。譬如,如圖1 1所 示,另一在該處理構件之周邊施行測量的偵測方法係亦可 適用的。其他機件及構件係與那些使用於此具體實施例中 者相同。 順便一提,在該壓印微影術及一處理(曝光)方法之間 使用一所謂曝光設備的主要差異,係該壓印微影術需要將 該模子壓抵靠著該工件,以便將該模子上之微小結構轉移 至該工件上,如此產生一壓按力量,該壓按力量於使用該 -41 - (38) 1321811 . 曝光設備之壓印方法中不是問題。 於藉著使用該前述文件(加利福尼亞州聖塔克拉拉市 ' 的SPIE之第24屆國際微蝕刻討論會之會議記錄:(1999 • 年)三月的“正浮現之微影技術III”第3676冊、第一段 落、第3 79-3 89頁)中所敘述的壓力壓印方法施行處理之 案例中,改變當作一用於傳送該壓按力量至該模子或該工 件的壓按構件之架台的一操作部份之位置、及該壓按軸關 4 於該整個設備的一位置,以於某些案例中造成不平衡之負 載施加在這些部份上。其結果是,源自壓按力量之局部化 分佈的發生及由於該等個別構件之變形的位置誤差,在此 有關處理準確性中之降低。於該等個別構件之剛度係增加 以免該變形之案例中,由於重量中之增加或該合成設備的 尺寸中之增加引起動態特徵中之降低。 於此具體實施例中,該壓按軸係固定,以致能減輕上 述問題。 • 再者,於上述JP-A 2003-77867之案例中,雖然保持 該壓按軸之位置,該工件係藉著該彈性構件所固持,以致 其係難以保持該工件的面內方向(垂直於該壓按軸)中之剛 * 性,如此導致一確保定位的準確性中之困難性。 ^ 再者,該工件能藉著其自身重量造成彎曲。於此案例 中之彎曲量視限制之方式而定變化,但甚至於完全限制之 案例中,對於3 00奈米矽晶圓在一圓周部份係大約20微 米,且於簡單支撐之案例中抵達大約80微米。這些値係 隨著限制點及支撐點的數目中之減少而增加,以致當用於 -42- (39) (39)1321811 此目的之限制及支撐構件係向上移動時,用於保持該工件 表面與該模子的處理表面之平行度的負載之施加可控制性 係大幅地降低。 依據此具體實施例,抑制由於該工件自身重量的彎曲 之影響係可能的,以致壓按力量中之變化係小的,即使當 該工件之壓按位置係改變,如此實現高準確性之定位。 (具體實施例2) 於具體實施例2中,製備一根據本發明之壓力壓印設 備,其具有與具體實施例1不同之構造。 與具體實施例1相同的構件及機件之說明將被省略, 且將僅只說明具體實施例1及2間之構造中的差異。 圖9顯示此具體實施例之壓力壓印設備的構造。 參考圖9,該壓力壓印設備包含一負載偵測機件620 1 及一加熱器6202。 此具體實施例與具體實施例1之主要差異係藉著使用 該負載偵測機件620 1偵測一壓按位置、該加熱器6202係 設置於該模子固持部份6107與該壓按機件6106之間、及 取代該UV可硬化樹脂,一熱塑性樹脂係施加至該工件 6105之表面上。 其次,將敘述此具體實施例中之壓力處理製程。 於此具體實施例中,藉著用於偵測該壓按位置之負載 偵測機件620 1偵測一負載値。該工件6 1 05係由於自身重 量變形而彎曲,以致同樣地如於具體實施例中1中,當該 -43- (40) (40)1321811 工件6 1 05上之待處理部份係位在一與該模子6 1 09平行的 角度時,該負載値係視該工件6 1 05上之待處理部份的位 置而定而不同的。爲此緣故,計算一對應於該工件6105 之位置的負載値,且控制該壓按位置移動機件6 1 02,以 提供該計算之負載値。 當其係以該工件6105之一支撐方式存在時,可藉著 使用一分析解決方法、或藉著根據有限元素法等應用一近 似値方程式至數値之計算結果施行該負載値之計算。再 者,此一實際上預先測量該負載値及使用該經測量之負載 値的方法係亦有效的,以便允許更精密之處理。 其次,藉著該加熱器62 02之熱量產生經由該模子壓 按構件6107加熱的模子6108,係壓抵靠著該工件6105, 以軟化該工件6105上之熱塑性樹脂。此後,該模子6108 係由該工件6 1 0 5移去。 順便一提,藉著在該壓按位置由該負載値減去一値, 藉著該負載偵測機件620 1偵測一壓按力量係亦可能的。 再者,如類似於具體實施例1中,在該壓按期間考慮 由於各個構件之彎曲所致壓按位置中之變化,並於此一可 使該壓按位置係藉著由該工件6105及該模子6108彼此平 行的位置減去一變化量所決定之方式中,一適當地校正該 壓按位置之方法係亦有效的。再者,於該工件6105的自 身重量變形在該壓按力量上之影響係充分小的案例中,一 不造成該工件6105之自身重量變形發生的位置被取爲該 壓按位置。再者,用於偵測該壓按位置之機件不限於此具 -44- (41) 1321811 ^ 體實施例中所使用者。譬如,藉著一三軸測力計(譬如使 用一應變計或光干涉器)取代該負載偵測機件620 1偵測彎 矩之另一偵測方法係亦可適用的。 依據此具體實施例,該負載偵測機件6201係設於該 壓按軸中’以致允許小巧之安裝,且與負載之偵測同時地 . 偵測該壓按力量係亦可能的。其結果是,此具體實施例之 構造係有效地減少該合成設備之尺寸及成本。 (具體實施例3) 於具體實施例3中,製備一根據本發明之壓力壓印設 備,其具有與具體實施例1及具體實施例2不同之構造。 與具體實施例1及具體實施例2相同的構件及機件之 說明將被省略,且將僅只說明具體實施例2及3間之構造 中的差異。 圖10顯示此具體實施例之壓力壓印設備的構造。 • 參考圖1〇,該壓力壓印設備包含一壓按位置計算(估 計)電路6 3 0 1。 此具體實施例與具體實施例2之主要差異係藉著該壓 ' 按位置計算電路6301決定一壓按位置,而沒有使用該負 * 載偵測機件6201。 其次,將敘述此具體實施例中之壓力處理製程。 於此具體實施例中,計算或估計一對應於該工件 6105之位置的壓按位置,且控制該壓按位置移動機件 6102,以將該壓按位置移至此位置。 -45- (42) (42)1321811 當其係以該工件6105之一支撐方式存在時,可藉著 使用一分析解決方法、或藉著根據有限元素法等應用一近 似値方程式至數値之計算結果施行該負載値之計算。再 者,此一實際上預先測量該負載値及使用該經測量之負載 値的方法係亦有效的,以便允許更精密之處理。 再者,如類似於具體實施例1與具體實施例2中,在 該壓按期間考慮由於各個構件之彎曲所致壓按位置中之變 化,並於此一可使該壓按位置係藉著由該工件6105及該 模子6108彼此平行的位置減去一變化量所決定之方式 中,一適當地校正該壓按位置之方法係亦有效的。再者, 於該工件6105的自身重量變形在該壓按力量上之影響係 充分小的案例中,一不造成該工件6105之自身重量變形 發生的位置被取爲該壓按位置。 依據此具體實施例,於其處理期間未執行關於該工件 6 1 05之測量,以致在一些案例中,比較於具體實施例1 及2,準確性係降低。然而,該機件被簡化,以致此具體 實施例之構造係特別適合用於一不貴之壓印設備。再者’ 該壓按位置之偵測製程係省略,以致控制速度係增加’且 如此此具體實施例之構造係亦適合用於一提供高產量之壓 印設備。 其次,於上述壓力處理製程中,將敘述一能夠避免壓 按力量等之集中的較佳具體實施例。 圖12至14顯示該模子6108及該工件6105間之接觸 狀態 -46- (43) 1321811 . 圖12係一具體實施例,其中構成該模子6108,以 其具有一比該模子固持部份6107、該工件6105、及該 ' 件支撐部份6 1 03較小之尺寸。 ' 圖12所示構造係適合用於一處理部份之尺寸係時 改變的案例,因爲該構造僅只需要該模子尺寸中之適當 _ 化,甚至當該處理部份之尺寸係改變時。 然而,於該模子及該工件係極具脆性之案例中,或 4 該模子及該晶圓係很薄及一處理力量係大之案例中,已 生以下之問題。 更特別地是,該模子6 1 0 8之尺寸係比該模子固持 份6107、該工件6105、及該工件支撐部份6103較小, 致該處理力量係集中在該模子6108之一周邊部份,以 一些案例中造成應力集中。於此一狀態中,於該模子及 工件係易脆的之案例中,可造成其破壞發生。另一選 係,該模子固持部份6107之表面可受損。 • 特別地是,例如於該模子及該晶圓係薄的、亦即厚 至多1毫米及該處理力量係大的之案例中,由於前述處 力量的集中所致之不均勻性事實上係大體上反映在該模 ' 與該工件的接觸表面中。其結果是,於一些案例中造成 - 理深度之不均勻性。 於造成上述問題發生之案例中,例如圖1 3所示, 著在一面積比該模子6108之表面較小的表面使用該模 固持部份6107接觸該模子6108,減少集中該處理力量 部份係可能的,以補救該等問題。藉著使用一較小之工 致 工 常 變 於 發 部 以 於 該 擇 度 理 子 處 藉 子 之 件 i -47- (44) (44)1321811 支撐部份6103亦達成一類似效果。再者,該等壓按構 件、亦即該模子固持部份6107及該工件支撐部份6103兩 者之平面爲對稱係吾人想要的。譬如,於圖14所示構造 中,該等壓按構件兩者係圓柱形構件6 1 03及6 1 07,具有 垂直於一處理軸1 406之某一剖面形狀。該圓柱形構件 6 103接觸該工件6105之表面及該圓柱形構件6107接觸 該模子6108之表面係對稱的。 在此具體實施例之構造中,在該圓柱形構件於該壓按 軸方向中之壓縮期間,該處理力量之分佈大體上係於該壓 按軸方向中接近一垂直於該壓按軸方向的橫截面表面之應 力分佈,以致在該等壓按構件(該模子固持部份6 1 07及該 工件支撐部份61 03)之內處理表面獲得該處理力量之一均 勻分佈係可能的。 因此,特別地是,於該模子及該工件之厚度係小的, 且該處理力量係相當大的條件下施行圖案轉移之案例中, 圖1 4所示構造係有效的。 譬如,當1毫米厚之矽晶圓被用於構成一模子及一工 件’且這些模子及工件於lOOMPa之壓力下被壓在圓形的 圓柱形鐵製壓按構件之間,而每一壓按構件具有25毫米 之直徑時,處理力量之分佈能被抑制至大約百分之5。此 一構造係亦適用於上述各個具體實施例。 再者,藉著使用一透光之壓按構件,施行類似於具體 實施例1中之光線照射係亦可能的。 雖然已參考在此所揭示之結構敘述本發明,其不限於 -48- (45) (45)1321811 所提出之細節’且此申請案係意欲涵蓋此等修改或變化, 如可落在該等改良之目的或以下申請專利之範圍內。 【圖式簡單說明】 圖1係一槪要圖’用於說明本發明的—具體實施例。 圖2A至2D係槪要圖,用於說明本發明的一具體實 施例中之第二固持部份。 圖3係一槪要圖,用於說明本發明的一具體實施例中 之第一固持部份。 圖4係一槪要圖,用於說明本發明之一具體實施例。 圖5A至5E係槪要圖,用於根據本發明之一具體實 施例說明壓印微影術之步驟。 圖6A至6C係槪要圖,用於說明本發明之—具體實 施例。 圖7係一流程圖’用於說明本發明之一具體實施例。 圖8至14係槪要圖,每—圖用於說明本發明之—具 體實施例。 圖15係一槪要圖,用於說明一傳統壓印設備之具體 實施例。 【主要元件符號說明】 1000:第一固持部份 1020 :模子 1 030 :處理構件 1031 :後表面 -49- (46) 1321811 1 Ο 3 3 :矽基板 1 03 4 :可光固化樹脂 1040 :第二固持部份 1041 :第一方向 1 0 4 9 :固持部份 1 〇 5 0 :支撐部份 1 〇 5 5 :調整部份 1 090 :第二方向 1091 :第二方向
1 1 0 1 :模子固持部份 1 1 0 2 :模子 I 1 0 3 :基板 1 1 04 :抗蝕層 1 105 :樣本固持構件 1 1 0 6 .移動架台 1 107 :彈性構件 1 1 0 8 :平衡塊件 1 1 1 〇 :移動機件 1 1 1 1 :支撐支柱 1 1 1 3 :樞軸 1 1 1 4 :振動構件 1 406 :處理軸 3 000 :模子固持部份 3 0 2 0 :模子 (47) 1321811 500 1 : 5002 : 6 100: 6 101: 6 102: 6 103: 6 104:
6106 : 6 107: 6 108: 6 109: 6 110: 6 111: 6 112: φ 6 113: 6 114: 6 115: * 6116: . 6117: 620 1 : 6202 : 63 0 1 : 640 1 : 紫外線 殘留薄膜 外殼 工件固持部份 壓按部份移動機件 工件支撐部份 XY移勲機件 工件 壓按機件 模子固持部份 模子 角度偵測機件 雷射 曝光量控制電路 壓力控制電路 壓按位置偵測電路 位置控制電路 壓按位置控制電路 製程控制電路 UV光源 負載偵測機件 加熱器 壓按位置計算電路 距離偵測機件 -51

Claims (1)

1321811 十、申請專利範圍 . 第95120253號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 ' 民國98年7月16日修正 1-—種壓印設備,其藉由使用一具有圖案的模子, . 在待處理構件上或在待處理構件上之圖案形成材料上形成 壓印圖案,該壓印設備包含: 一第一固持部份,其用於固持該模子; 一第二固持部份,其用於固持該待處理構件;及 一支撐部份,其用於在相向於該模子的支撐位置局部 地支撐該待處理構件,該模子被該第一固持部份所固持; 其中該第二固持部份係可於第一軸線的方向和第二軸 線的方向中運動,且也可在平行於該第一軸線和該第二軸 線所界定之平面的方向中運動,以改變該支撐部份支撐該 待處理構件的支撐位置,及 # 其中該支撐部份可獨立於該第一固持部分且垂直於該 平面運動,所以該支撐部分運動遠離該待處理構件,且也 可垂直於該平面運動,以支撐該待處理構件。 2.如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該壓印 設備執行一操作,以在該待處理構件被該支撐部份局部固 持之狀態中,減少該待處理構件及該模子的圖案間之距離 被該支撐部份局部固持。 3 .如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該壓印 設備執行一操作,以在該待處理構件或在該待處理構件上 1321811 之該圖案形成材料與該模子的該圖案彼此接觸的狀態中, 減少該待處理構件及該支撐部份間之距離β 4. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該第二 固持部份不可垂直於該平面運動。 5. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該支撐 部份係可於重力之方向或一與該重力方向相反之方向中運 動。 6. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該支撐 部份經由一樞轉機件支撐該待處理構件。 7. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其.中該第二 固持部份固持該待處理構件,以致該待處理構件垂直於該 平面彎曲。 8 ·如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該待處 理構件具有一像平板之形狀,且該第二固持部份固持該待 處理構件之一周邊區域,以便不會接觸該待處理構件之面 內中心區域。 9. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該支撐 部份相對於該平面垂直地運動,以調整該待處理構件之彎 曲量。 10. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該壓印 設備更包含一彎曲量調整部份,用於在一與重力方向相反 之方向中向上推該待處理構件’以減少該待處理構件於重 力方向中之彎曲量。 11. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該壓印 -2- 1321811 . 設備更包含一角度偵測部份,用於偵測該待處理構件的一 • 表面之傾斜角度’而該模子的壓印圖案將轉移至該表面 上;或一負載偵測部份,用於偵測一被該支撐部份所承接 ' 而當作一負載之力量;或一距離測量部份,用於測量由該 模子至該待處理構件之距離。 . 12·如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該第一 固持部份接觸該模子的表面之區域及該支撐部份接觸該待 Φ 處理構件之表面的區域之至少一區域,係比該模子之處理 表面的區域及該待處理構件之圖案形成表面的區域較小。 1 3,如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該第一 固持部份接觸該模子的表面、及該支撐部份接觸該待處理 構件之表面具有一平面對稱性關係。 14. 如申請專利範圍第1項之壓印設備,其中該支撐 部份及該第二固持部份係藉著一操作距離、與該第一固持 部份獨立地、垂直於該平面相對彼此操作,以致該支撐部 ® 份及該待處理構件彼此接觸。 15. 如申請專利範圍第1 4項之壓印設備,其中視該 支撐部份支撐該待處理構件之支撐位置而定,該操作距離 係可變化的。 16. 如申請專利範圍第1 4項之壓印設備,其中視有 關該待處理構件在垂直於該平面方向之位置資訊而定,該 操作距離係可變化的。 17. —種壓印設備,其藉由使用於其處理表面具有圖 案的模子,在待處理構件上或在待處理構件上之圖案形成 -3- 1321811 材料上形成壓印圖案’該壓印設備包含: 一第一固持部份,其用於固持該模子; 一第二固持部份,其用於固持該待處理構件;及 一支撐部份,其用於在相向於該模子的支撐位置局部 地支撐該待處理構件,該模子被該第一固持部份所固持; 其中該第二固持部份係可於第一軸線的方向和第二軸 線的方向中運動,且也可在平行於該處理表面並平行於該 第一軸線和該第二軸線所界定之平面的方向中運動,以改 變該支撐部份支撐該待處理構件之支撐位置,及 其中該支撐部份可獨立於該第一固持部分且垂直於該 處理表面運動,所以該支撐部分運動遠離該待處理構件, 且也可垂直於該處理表面運動,以支撐該待處理構件。 18. 如申請專利範圍第17項之壓印設備,其中該支 撐部份及該第二固持部份係藉著一操作距離、與該第一固 持部份獨立地、在垂直於該處理表面相對彼此操作,以致 該支撐部份及該待處理構件彼此接觸。 19. 如申請專利範圍第1 8項之壓印設備,其中視該 支撐部份支撐該待處理構件之支撐位置而定,該操作距離 係可變化的。 20. 如申請專利範圍第1 8項之壓印設備,其中視有 關該待處理構件在垂直於該處理表面方向中之位置資訊而 定,該操作距離係可變化的。 21. —種壓印設備,其藉由使用一具有圖案的模子, 在待處理構件上或在待處理構件上之圖案形成材料上形成 -4- 1321811 . 壓印圖案,該壓印設備包含: . 一第一固持部份,其用於固持該模子; —第二固持部份,其用於固持該待處理構件: ' 一支撐部份,其用於在一相向於該模子的位置 支撐該待處理構件,該模子被該第一固持部份所固 . 其中該模子被該第一固持部分所固持及該支撐 定一加壓軸線,用於加壓該待處理構件,及 '# 其中該第二固持部份係可在第一軸線方向和第 方向中運動,且也可在平行於該第一軸線和該第二 界定之平面的方向中運動,以改變該支撐部份支撐 理構件之支撐位置;和 其中該支撐部份可獨立於該第一固持部分且垂 該加壓軸線平行方向的平面運動,所以該支撐部分 離該待處理構件。 22. 如申請專利範圍第21項之壓印設備,其 ® 撐部份及該第二固持部份係藉著一操作距離、與該 持部份獨AL地、在與該加壓軸線平行之一方向中相 操作,以致該支撐部份及該待處理構件彼此接觸。 23. 如申請專利範圍第22項之壓印設備,其 支撐部份支撐該待處理構件之支撐位置而定,該操 係可變化的。 24. 如申請專利範圍第22項之壓印設備,其 關該待處理構件在與該加壓軸線平行的方向中之位 而定,該操作距離係可變化的。 及 局部地 持; 部份決 二軸線 軸線所 該待處 直於和 運動遠 中該支 第一固 對彼此 中視該 作距離 中視有 置資訊 -5- 1321811 25. —種壓印方法,其藉由使用一具有圖案的模子, 在待處理構件上之圖案形成材料上形成壓印圖案,該壓印 方法,包含: 固持該待處理構件,以便能夠藉由其自身之重量彎 曲’在該待處理構件或在該待處理構件上之該圖案形成材 料未接觸該模子的狀態中,藉著一可在與重力方向相反之 方向中運動的支撐部份向上推該待處理構件,以減少在重 力方向中之彎曲量,藉此在該待處理構件上的該圖案形成 材料上形成該壓印圖案。 26. 如申請專利範圍第25項之壓印方法,其中該待 處理構件被該支撐部份向上推,以致在一面內區域中之待 處理構件接觸該模子的部份係與具有該圖案的模子之處理 表面平行。 27. 如申請專利範圍第25項之壓印方法,其中視該 支撐部份支撐該待處理構件之支撐位置而定,改變被該支 撐部份向上推之距離。 28-如申請專利範圍第25項之壓印方法,其中視有 關該待處理構件在該重力方向中之位置資訊而定,改變被 該支撐部份向上推之距離。 29.—種壓印方法,其藉由使用於其處理表面上具有 圖案的模子,在待處理構件上或在待處理構件上之圖案形 成材料上形成壓印圖案,該壓印方法包含: 將該待處理構件設置在用於固持該模子的第一固持部 份及一支撐部份之間,該支撐部份設置在一與該模子的處 -6- 1321811 理表面相向之位置; 於該支撐部份運動離開該待處理構件,以便不會接觸 * 該待處理構件之狀態中,藉著在平行於該處理表面之一方 • 向中運動該待處理構件而決定一圖案轉移區域,該待處理 構件係藉由第二固持部份所固持: 視有關在垂直於該處理表面的方向中之圖案轉移區域 的位置資訊而定,藉由在垂直於該模子的該處理表面之方 φ 向中運動該支撐部份,該支撐部份可獨立於該第一固持部 分操作,而造成該支撐部份及該待處理構件彼此接觸;和 減少該模子的該處理表面和該待處理構件間的距離,以藉 由使用該模子的圖案,在待處理構件上或在待處理構件上 之該圖案形成材料上形成該壓印圖案。 30.如申請專利範圍第29項之壓印方法,其中在藉 由造成該支撐部份及該待處理構件彼此接觸而調整加壓位 置之後,造成該模子之處理表面及該待處理構件在該加壓 Φ 位置彼此接觸。 3 1.如申請專利範圍第29項之壓印方法,其中在造 成該模子之處理表面及該待處理構件或在該待處理構件上 之該圖案形成材料彼此接觸之後,造成該支撐部份及該待 處理構件彼此接觸。 32·—種生產晶片之方法,包含: 製備一具有圖案的模子; 製備一待處理構件或具有在該待處理構件上之圖案形 成材料的構件;和 1321811 藉著使用一如申請專利範圍第1項之壓印設備, 待處理構件上或在該待處理構件上之圖案形成材料上形成 一壓印圖案。 33. 如申請專利範圍第32項的生產晶片之方法,其 中形成在該待處理構件上或在該待處理構件上之圖案 材料上之壓印圖案,被利用當作一罩幕。 34. 如申請專利範圍第32項的生產晶片之方法,其 中該待處理構件係一基板,該基板包含可光固化樹脂、熱 固性樹脂、或熱塑性樹脂,且該壓印圖案係藉由造成該樹 脂及該模子之圖案彼此接觸而形成。 35. 如申請專利範圍第32項的生產晶片之方法,其 中該圖案形成材料包含可光固化樹脂、熱固性樹脂、或熱 塑性樹脂。 3 6 ·如申請專利範圍第1項的壓印設備,其中該待處 理構件被該支撐部份往上推,以減少該待處理構件被其自 身重量彎曲的量。 37. 如申請專利範圍第1項的壓印設備,其中該待處 理構件被該支撐部份往上推,使該待處理構件相反於重力 方向且向上方凸起地彎曲。 38. 如申請專利範圍第25項之壓印方法,其中在該 待處理構件被該支撐部份支撐的狀態中,該圖案形成材料 被硬化,而在該圖案形成材料硬化的期間,控制該待處理 構件在平行於X軸和y軸所界定之平面的方向中的位置, 該方向垂直於重力的方向,且將該模子的圖案反映在該待 -8- 1321811
處理構件上之該圖案形成材料上。 39.如申請專利範圍第38項之壓印方法,其中該圖 案形成材料包含可光固化樹脂、熱固性樹脂、或熱塑性樹 脂。 -9- 1321811 第95120253號專利申請案 中文圖式修正頁民國98年7月16曰修正
yf
TW095120253A 2005-06-07 2006-06-07 Processing apparatus, processing method, and process for producing chip TWI321811B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005167417 2005-06-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200741833A TW200741833A (en) 2007-11-01
TWI321811B true TWI321811B (en) 2010-03-11

Family

ID=36968638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095120253A TWI321811B (en) 2005-06-07 2006-06-07 Processing apparatus, processing method, and process for producing chip

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7635260B2 (zh)
EP (1) EP1731964B1 (zh)
JP (1) JP3958344B2 (zh)
KR (1) KR100806231B1 (zh)
CN (2) CN101566795B (zh)
TW (1) TWI321811B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7307004B2 (en) * 2004-11-05 2007-12-11 National Taiwan University Method with mechanically strained silicon for enhancing speed of integrated circuits or devices
US7922474B2 (en) * 2005-02-17 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP3958344B2 (ja) * 2005-06-07 2007-08-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法
US7927089B2 (en) * 2005-06-08 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method
US8025829B2 (en) * 2006-11-28 2011-09-27 Nanonex Corporation Die imprint by double side force-balanced press for step-and-repeat imprint lithography
KR101281279B1 (ko) 2007-02-06 2013-07-03 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법 및 임프린트 장치
JP5110924B2 (ja) * 2007-03-14 2012-12-26 キヤノン株式会社 モールド、モールドの製造方法、加工装置及び加工方法
JP5137635B2 (ja) * 2007-03-16 2013-02-06 キヤノン株式会社 インプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置
JP5473266B2 (ja) * 2007-08-03 2014-04-16 キヤノン株式会社 インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法
US20090166317A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing substrate by imprinting
JP4799575B2 (ja) * 2008-03-06 2011-10-26 株式会社東芝 インプリント方法
JP2011009641A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及びインプリント用テンプレート
US8747092B2 (en) 2010-01-22 2014-06-10 Nanonex Corporation Fast nanoimprinting apparatus using deformale mold
JP5864929B2 (ja) * 2011-07-15 2016-02-17 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP5661666B2 (ja) * 2012-02-29 2015-01-28 株式会社東芝 パターン形成装置及び半導体装置の製造方法
WO2014145826A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation System and methods of mold/substrate separation for imprint lithography
WO2014145360A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Nanonex Corporation Imprint lithography system and method for manufacturing
JP6412317B2 (ja) 2013-04-24 2018-10-24 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
CN104552679B (zh) * 2015-01-12 2017-01-11 北京同方生物芯片技术有限公司 模具模芯的制备方法、模具模芯及生物芯片
US10248018B2 (en) * 2015-03-30 2019-04-02 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
US9993962B2 (en) * 2016-05-23 2018-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of imprinting to correct for a distortion within an imprint system
JP6978859B2 (ja) * 2017-06-15 2021-12-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
KR102003468B1 (ko) * 2017-07-28 2019-07-24 주식회사 필옵틱스 기판 갭 유지 장치
KR102003467B1 (ko) * 2017-07-28 2019-07-24 주식회사 필옵틱스 기판 처짐 변형 조절 장치
CN111247623B (zh) * 2017-10-17 2024-03-08 佳能株式会社 压印装置和物品制造方法
KR102048747B1 (ko) * 2018-04-16 2019-11-26 한국기계연구원 마이크로 소자 전사방법
JP7134725B2 (ja) * 2018-06-11 2022-09-12 キヤノン株式会社 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2959502A (en) * 1959-09-01 1960-11-08 Wolfgang W Gaertner Fabrication of semiconductor devices
US3337664A (en) * 1965-05-05 1967-08-22 Illinois Tool Works Method and apparatus for forming thermoplastic articles of unusual configuration
FR2209967B1 (zh) * 1972-12-08 1979-03-30 Thomson Csf
US4584157A (en) * 1983-04-25 1986-04-22 Arrem Plastics, Inc. Method for double-side thermoforming
NL194929C (nl) 1992-10-20 2003-07-04 Samsung Electronics Co Ltd Projectiebelichtingssysteem.
JP3309517B2 (ja) 1993-09-28 2002-07-29 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示装置の製造方法
US6614522B1 (en) * 1995-09-08 2003-09-02 Integ, Inc. Body fluid sampler
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US5951939A (en) * 1997-07-30 1999-09-14 Ford Motor Company Method for heating films for thermoforming
JP3780700B2 (ja) 1998-05-26 2006-05-31 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法
US6264187B1 (en) * 1998-10-13 2001-07-24 Galahad, Co. Method and apparatus for self-conforming support system
US6029966A (en) * 1998-10-13 2000-02-29 Hertz; Allen D. Flexible, self conforming, workpiece support system
JP2000194142A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Fujitsu Ltd パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法
US6334960B1 (en) * 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
KR100335070B1 (ko) 1999-04-21 2002-05-03 백승준 압축 성형 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
SE515607C2 (sv) 1999-12-10 2001-09-10 Obducat Ab Anordning och metod vid tillverkning av strukturer
SE515962C2 (sv) * 2000-03-15 2001-11-05 Obducat Ab Anordning för överföring av mönster till objekt
CN100365507C (zh) * 2000-10-12 2008-01-30 德克萨斯州大学系统董事会 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板
US6387787B1 (en) 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6517977B2 (en) 2001-03-28 2003-02-11 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
JP3588633B2 (ja) * 2001-09-04 2004-11-17 独立行政法人産業技術総合研究所 インプリントリソグラフィー用移動ステージ
JP2003224077A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法
US20050082698A1 (en) * 2002-06-26 2005-04-21 George Gutman Method and apparatus for producing optical disk substrates
US6900881B2 (en) * 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
JP3814591B2 (ja) * 2002-07-29 2006-08-30 キヤノン株式会社 光学素子及び光学素子成形品およびその成形用金型及び射出成形方法
WO2004044651A1 (en) 2002-11-13 2004-05-27 Molecular Imprints, Inc. A chucking system and method for modulating shapes of substrates
WO2004086471A1 (en) * 2003-03-27 2004-10-07 Korea Institute Of Machinery & Materials Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization
JP4183245B2 (ja) 2003-05-12 2008-11-19 キヤノン株式会社 アライメント方法、該アライメント方法を用いた露光方法
US6829988B2 (en) * 2003-05-16 2004-12-14 Suss Microtec, Inc. Nanoimprinting apparatus and method
JP2005077867A (ja) 2003-09-02 2005-03-24 Fujinon Corp フィルムスキャナ
JP2005101201A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
JP2005101313A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Canon Inc 微細パターン形成装置
KR100543130B1 (ko) * 2004-01-29 2006-01-20 한국기계연구원 임프린트된 실리콘 기판을 이용한 복합 미세접촉 인쇄방법
JP4455092B2 (ja) * 2004-02-20 2010-04-21 キヤノン株式会社 加工装置及び加工方法
US7307697B2 (en) 2004-05-28 2007-12-11 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support system
CN1307486C (zh) * 2004-12-20 2007-03-28 西安交通大学 聚二甲基硅氧烷微流控芯片复型光固化树脂模具制作方法
JP3958344B2 (ja) * 2005-06-07 2007-08-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060273488A1 (en) 2006-12-07
CN101566795B (zh) 2012-02-08
TW200741833A (en) 2007-11-01
KR20060127804A (ko) 2006-12-13
EP1731964A1 (en) 2006-12-13
JP3958344B2 (ja) 2007-08-15
US7635260B2 (en) 2009-12-22
CN100503264C (zh) 2009-06-24
JP2007019479A (ja) 2007-01-25
CN101566795A (zh) 2009-10-28
US8246887B2 (en) 2012-08-21
CN1876393A (zh) 2006-12-13
KR100806231B1 (ko) 2008-02-22
US20080042320A1 (en) 2008-02-21
EP1731964B1 (en) 2016-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI321811B (en) Processing apparatus, processing method, and process for producing chip
US7170589B2 (en) Apparatus to vary dimensions of a substrate during nano-scale manufacturing
US6980282B2 (en) Method for modulating shapes of substrates
JP4594305B2 (ja) インプリント・リソグラフィ・プロセスにおける倍率拡大及びゆがみを補正するためのシステム
US7019819B2 (en) Chucking system for modulating shapes of substrates
US9280047B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
EP2099066B1 (en) Method for modulating shapes of substrates
US9440254B2 (en) Method and apparatus for applying a sheet to a substrate
JP2013102137A (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2017139268A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP2017157639A (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP7117955B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2007251137A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees