KR20060095464A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치 및 방법은, 전공정에서 기판으로부터 제거하기 어려운 처리액이 부여되어 있던 경우 등이더라도, 기판에 대해 린스액이 전공정의 처리조로 역류하는 것을 방지하면서, 기판상에 잔존하는 전공정에서의 처리액에 의한 악영향을 저감하는 처리를 행하는 것이다. 그 때문에, 수세 처리부의 처리 챔버에서, 반송중인 기판(W)의 표면에 대해 기판 반송방향 하류측을 향해 입구 노즐(20)로부터 린스액을 공급하여, 해당 수세 처리부보다 전공정의 처리조로의 린스액의 역류를 방지하면서, 전공정에서 공급된 처리액으로부터 린스액으로의 치환을 행한다. 이 린스액이 공급된 후의 기판(W)의 표면에 대해 기액유체 노즐(21)로부터 기판 반송방향에 교차하는 기판 폭의 전역에 걸쳐 기체와 액체로 이루어지는 기액유체를 공급하여, 기판 표면에 여전히 잔존하는 전공정의 처리액을 제거한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 구성도이고, 기액유체 노즐이 설치된 수세 처리부가 도시되어 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 설치된 입구 노즐 및 기액유체 노즐의 배치를 도시하는 평면도이고, 입구 노즐 및 기액유체 노즐로부터 린스액이 토출되는 모습을 도시한다.
도 3은 입구 노즐 및 기액유체 노즐의 배치와, 입구 노즐 및 기액유체 노즐로부터 린스액이 토출되는 모습을 도시하는 측면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 구성도이고, 고압 스프레이 노즐이 설치된 수세 처리부가 도시되어 있다.
도 5(a)는 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치에 구비되는 고압 스프레이 노즐의 토출구의 일례를 도시하는 해당 노즐의 저면도이고, 또한 해당 토출구로부터 토출된 고압유체의 기판 표면에서의 토출 영역을 도시한다.
도 5(b)는 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치에 구비된 고압 스프레이 노즐의 토출구의 다른 예를 도시하는 해당 노즐의 저면도이고, 또한 해당 토출구로부터 토출되는 고압 유체의 기판 표면에서의 토출 영역을 도시한다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 수세 처리부 12 : 처리 챔버
14 : 입구측 개구 16 : 출구측 개구
21 : 기액유체 노즐 26, 28, 30 : 린스액 공급배관
50 : 컨트롤러 W : 배관
본 발명은 액정표시 디바이스(LCD), 플라즈마 표시 디바이스(PDP), 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서, LCD 또는 PDP용 유리기판, 반도체 기판 등의 피처리 기판에 대해 각종 처리, 예를 들면 에칭처리 후의 치환처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 기판 처리 장치에서, 에칭처리 후의 기판에 대한 린스처리는, 다음과 같이 하여 행해지고 있다. 예를 들면, 일본국 특허 공개 2004-273984호에 나타나 있는 바와 같이, 기판이 수세 처리부의 처리 챔버 내로 반입되어 왔을 때, 처리 챔버의 입구측 개구 부근에서 입구 노즐로부터 기판 반송방향 하류측을 향해 린스액을 공급하고, 기판이 반송방향 하류측으로 더 진행되면, 처리 챔버 내로부터 반출될 때까지 상부 스프레이 노즐로부터 린스액을 기판의 표면에 공급한다. 이는 (1) 입구 노즐로부터 기판에 공급한 린스액이 전공정의 처리조로 역류하는 것을 방지하면서, (2) 처리 챔버의 입구 부근에서 슬릿 형상의 입구 노즐로부터, 바로 아래의 기판 표면 부분에 다량의 린스액을 균일하게 공급하여 단시간에 린스액으로의 치환을 행함으로써, 전처리에서 이용된 처리액의 잔존에 의한 기판 표면에 형성된 배선 패턴의 형상이나 선폭의 균일성 악화를 방지하도록 하고, 그 후에 상부 스프레이 노즐(22)로부터 린스액 공급을 행하도록 한 것이다.
그러나, 상기의 기판 처리 장치에 의하면, 입구 노즐로부터 린스액을 공급해도, 전공정에서 이용된 처리액이 점도가 높은 것인 등, 기판 표면으로부터 제거하기 어려운 것인 경우는, 기판 표면에 부착한 전공정의 처리액을 정확하게 린스액으로 치환하는 것이 곤란해지기 때문에, 잔존하는 전공정의 처리액에 의해, 기판에 형성된 배선 패턴 등에 악영향이 미치는 경우가 있다.
본 발명은, 상기의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 전공정에서 기판으로부터 제거하기 어려운 처리액이 부여되어 있던 경우 등이라도, 기판에 대해 새롭게 공급하는 린스액이 전공정의 처리조로 역류하는 것을 방지하면서, 기판상에 잔존하는 전공정에서의 처리액에 의한 악영향을 저감할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의하면, 미리 정해진 방향으로 반송되는 기판의 표면에 부착한 처리액을 린스액으로 치환하는 치환처리를 행하는 처리조 내에 배치되고, 해당 반송중인 기판의 표면에 대해 기판 반송방향 하류측을 향해 린스액을 공급하는 린스액 공급수단과, 상기 처리조 내에서 상기 린스액 공급수단보다도 기판 반송방향 하류측에 설치되고, 해당 기판 반송방향에 교차하는 기판 폭의 전역에 걸쳐, 상기 기판 의 표면에 대해 유체를 공급하는 유체 공급수단을 구비하는 기판 처리 장치이다.
또한, 미리 정해진 방향으로 반송되는 기판의 표면에 부착한 처리액을 린스액으로 치환하는 치환처리를 행하는 처리조 내에서, 해당 반송중인 기판의 표면에 대해 기판 반송방향 하류측을 향해 린스액을 공급하는 제1 공정과, 상기 처리조 내에서의 상기 제1 공정에 의한 린스액 공급 위치보다도 기판 반송방향 하류측에서, 해당 기판 반송방향에 교차하는 기판 폭의 전역에 걸쳐, 상기 기판의 표면에 대해 유체를 공급하는 제2 공정을 갖는 기판 처리 방법이다.
이들 구성에서는, 처리조 내의 입구 근방에서, 반송중인 기판의 표면에 대해 기판 반송방향 하류측을 향해 린스액을 공급함으로써, 해당 처리조보다 전공정의 처리조로 린스액이 역류하는 것을 방지하면서, 전공정에서 공급된 처리액으로부터 린스액으로의 치환을 행한다. 그리고, 이 린스액이 공급된 후의 기판 표면에 대해 기판 반송방향에 교차하는 기판 폭의 전역에 걸쳐 공급되는 유체에 의해서도, 기판 표면에 여전히 잔존하는 전공정의 처리액을 제거하기 때문에, 전공정에서 점도가 높은 처리액 등의 제거하기 어려운 처리액이 부여되어 있던 경우라도, 해당 잔존 처리액을 기판 표면으로부터 더 제거할 수 있다.
상기 유체를 기체 및 액체의 2 유체로 구성해도 된다. 기체와 액체로 이루어지는 기액유체로 하면, 단열팽창 효과로 유체 온도가 낮아지고, 기판 표면에 잔존하는 전공정의 처리액은 해당 기액유체에 의해 냉각된다. 또한, 이 기액유체의 액체 부분을 잔 입자형상으로 해도 된다. 그렇게 함으로써, 액체 부분은 주위의 열로 용이하게 증발할 수 있다. 즉, 주위의 열을 기화열로서 탈취할 수 있다. 이에 의한 냉각 효과에 의해서도, 기판 표면에 잔존하는 처리액이 냉각된다. 그 때문에, 예를 들면, 전공정에서 부여된 처리액이 에칭액인 경우 등에는, 이 에칭액을 냉각하여 에칭 레이트를 저하시킬 수 있기 때문에, 기판 표면에 형성된 배선 패턴의 형상이나 선폭의 균일성이 기판 표면에 잔존하는 에칭액에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 유체를 고압으로 공급해도 된다.
또, 상기 고압 유체는, 고압의 액체로 공급하는 것이 바람직하다.
고압 유체를 공급함으로써, 기판 표면에 잔존하는 전공정에서 부여된 처리액을 제거하고, 전공정에서 점도가 높은 처리액이 기판 표면에 부여되어 있던 경우라도, 해당 잔존 처리액을 확실히 제거할 수 있다.
본 발명에 의하면, 처리조보다 전공정의 처리조로 린스액이 역류하는 것을 방지하면서, 전공정에서 공급된 처리액으로부터 린스액으로의 치환을 단시간에 행할 수 있다. 또한, 기체와 액체로 이루어지는 기액유체의 기판으로의 공급에 의해, 전공정에서 점도가 높은 처리액 등의 제거하기 어려운 처리액이 기판 표면에 부여되어 있던 경우라도, 해당 잔존 처리액을 정확하게 제거하여 잔존 처리액이 기판에 대해 미치는 악영향을 저감할 수 있다.
또, 고압 유체의 기판으로의 공급에 의해, 전공정에서 점도가 높은 처리액 등의 제거하기 어려운 처리액이 기판 표면에 부여되어 있던 경우라도, 해당 잔존 처리액을 확실히 제거할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 구성도이고, 특히, 본 발명의 특징적 구성인 린스액 공급기구(입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21))가 설치된 수세 처리부를 도시하고 있다. 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치(1)에서는, 수세 처리부(10)의 전공정으로서, 수세 처리부(10)에 인접하여 에칭 처리조가 설치되어 있다(도시 생략). 에칭 처리조에서는, 현상 처리에 의해 패턴 형성된 레지스트 막보다 하층의 노출부분을 제거하기 위해, 에칭용 약액(이후, 에칭액이라 한다)이 기판 표면에 공급되기 때문에, 수세 처리부(10)에서는 에칭용 약액 등을 씻어내고, 수세 처리부(10)에서 공급하는 새로운 린스액(예를 들면, 순수 등으로 이루어진다. 전공정으로 기판(W)에 공급된 처리액과는 다른 액이면 된다.)으로 치환한다.
수세 처리부(10)는, 입구측 개구(14) 및 출구측 개구(16)를 갖는 처리 챔버(12)를 구비한다. 처리 챔버(12)의 내부에는, 기판(W)을 수평 자세, 또는 기판 반송방향(도 1의 화살표 방향)에 직교하는 방향으로 경사시킨 자세로 반송하는 롤러 컨베이어(18)가 설치되어 있다. 이 수세 처리부(10)에는 상술한 바와 같이, 에칭 처리부에서 표면에 에칭액이 부착된 상태의 기판(W)이 반송되어 온다. 처리 챔버(12)의 입구측 개구(14) 부근에는, 기판(W)의 표면에 린스액을 토출하는 입구 노즐(린스액 공급수단)(20)이 설치되어 있다. 이 입구 노즐(20)은, 기판(W)에 대해 린스액을 다량으로 공급하여, 전공정에서 기판(W)의 표면에 부여되어 있는 에칭액을 단시간에 린스액으로 치환한다. 또, 이 입구 노즐(20)보다 기판 반송방향 하류 측에는, 기체 및 액체로 이루어지는 기액유체를 기판에 대해 토출하는 기액유체 노즐(기액유체 공급수단)(21)이 기판 반송로의 상방에 설치되어 있고, 기액유체 노즐(21)보다 더 하류측에는, 기판 반송로의 상방 및 하방에 기판 반송로를 따라 각각 상부 스프레이 노즐(22), 하부 스프레이 노즐(24)이 설치되어 있다.
입구 노즐(20), 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)에는 린스액 공급배관(26, 28, 30)이 각각 접속되어 있고, 각 린스액 공급배관(26, 28, 3O)에는 개폐 제어밸브(V1, V2, V3)가 각각 설치되어 있다. 각 린스액 공급배관(26, 28, 30)은 각각 배관(32a)에 접속되고, 배관(32a)은 펌프(34)의 토출구 측에 유로 접속되어 있다. 펌프(34)의 흡입구 측은 배관(32b)을 통해 순수(2)가 저류된 저수조(36)의 저부에 접속되어 있다.
기액유체 노즐(21)에는 린스액 배관(31)이 접속되어 있고, 예를 들면 순수가 도시를 생략한 순수 공급원, 또는 저수조(36)로부터 적당히 공급되도록 되어 있다. 린스액 배관(31)에는 개도(開度) 조정이 가능한 밸브(V6)가 설치되어 있고, 기액유체 노즐(21)에 공급하는 순수 유로의 개폐 및 순수의 유량 조절이 가능하게 되어 있다.
또, 기액유체 노즐(21)에는, 질소가스 공급원으로부터 고압의 질소가스를 기액유체 노즐(21)에 공급하는 질소가스 배관(33)이 접속되어 있다. 이 질소가스 배관(33)에는, 개도 조정이 가능한 밸브(V7)가 설치되어 있고, 기액유체 노즐(21)에 공급되는 질소가스의 유로의 개폐 및 질소가스의 유량 조절이 가능하게 되어 있다. 또, 밸브(V7)의 개도를 바꿈으로써, 기액유체 노즐(21)에 도입되는 질소가스의 압력(유량)을 바꿔, 기액유체 노즐(21)에서 생성되는 순수의 액체방울의 입경을 변화시키는 것도 가능하다. 질소가스 배관(33)에서 밸브(V7)와 기액유체 노즐(21) 사이에는, 기액유체 노즐(21)에 도입되는 질소가스의 압력을 측정하는 압력계(35)가 설치되어 있다. 이 압력계(35)에 의한 검출 결과는 컨트롤러(50)로 이송되고, 컨트롤러(50)는 해당 검출 결과에 따라 밸브(V7)의 개폐를 제어하여 질소가스의 압력을 조정하는 것이 가능하게 되어 있다.
상기 밸브(V6, V7)를 동시에 열어, 기액유체 노즐(21)에 순수 및 질소가스 가 동시에 도입되면, 기액유체 노즐(21)에 의해 순수의 액체방울(mist)이 생성되어 분사되게 되어 있다. 밸브(V6, V7)의 개폐 동작은 컨트롤러(50)에 의해 제어된다.
기판(W)의 표면을 세정할 때는, 컨트롤러(50)의 제어에 의해 입구 노즐(20) 로부터 린스액을 토출시킴과 동시에, 기액유체 노즐(21)로부터 기판(W)의 표면을 향해 순수 및 질소가스로 이루어지는 기액유체를 분사시키고, 또, 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)로부터 미스트 형상의 린스액을 기판(W)에 대해 분무한다.
처리 챔버(12)의 저부에는, 액 유출관(42)이 설치되어 있다. 액 유출관(42)은, 회수용 배관(44)과 배액용 배관(46)으로 분기하고 있다. 회수용 배관(44)의 선단 유출구는, 저수조(36) 내로 도입되어 있다. 또한, 배액용 배관(46)을 통해 사용 완료의 린스액이 폐기된다. 회수용 배관(44) 및 배액용 배관(46)에는, 개폐 제어밸브(V4, V5)가 각각 설치되어 있다.
다음으로, 입구 노즐(20) 및 기액유체인 노즐(21)에 대해 설명한다. 도 2는 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21)의 배치와, 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21)로부터 린스액이 토출되는 모습을 도시하는 평면도, 도 3은 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21)의 배치와, 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21)로부터 린스액이 토출되는 모습을 도시하는 측면도이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 입구 노즐(20)은 기판(W)의 반송방향에 직교하는 기판 폭 방향으로 연장되고, 해당 기판 폭에 걸치는 길이로 설치되어 있다. 입구 노즐(20)에는, 린스액이 토출되는 슬릿(201)이 입구 노즐(20)의 길이방향에 걸쳐 기판 폭의 전역에 설치되어 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 이 슬릿(201)으로부터 기판(W) 표면의 폭 전역에 대해 기판 반송방향 하류측을 향해 커튼 형상으로 다량의 린스액을 토출한다. 토출된 린스액은 입구 노즐(20)보다 기판 반송방향 하류측의 기판(W) 표면 전역으로 확대되게 되어 있다. 이에 의해, 반송되어 오는 기판(W)의 표면에 잔존하고 있는 전공정에서의 처리액(에칭액)을 단시간에 씻어내게 되어 있다.
또한, 입구 노즐(20)의 기판 반송방향 하류측에 설치된 기액유체 노즐(21)도 기판(W)의 폭방향으로 연장되고, 해당 기판 폭에 걸치는 길이로 설치되어 있다. 이 기액유체 노즐(21)에는, 바로 아래에 위치하는 기판(W) 표면부분에 기액유체를 토 출하는 토출구(210)가 기액유체 노즐(21)의 길이방향에 걸쳐 일정 간격으로 복수 설치되어 있다. 각 토출구(210)로부터는 예를 들면, 기판(W) 표면에 대해 직교시켜 분사하는 경우, 기판(W)으로부터 토출구(210)까지의 거리 20㎜∼100㎜(보다 바람직하게는 70㎜), 분사압 0.4Mpa로 기액유체를 분사한다. 각 토출구(210)끼리의 간격은 도 2에 도시하는 바와 같이, 각 토출구(210)로부터 분사된 기액유체가 기판(W)의 표면에 달했을 때, 기액유체의 각 분사영역(R)이 기판 폭 방향에서 겹치도록 설정된다.
상기 기액유체 노즐(21)의 토출구(210)로부터 토출된 기액유체는, 상기 압력으로 기판(W)의 표면에 달하고, 각 토출구(210)로부터 각각 토출되는 기액유체끼리 겹치기 때문에, 기판 폭 방향에 걸쳐 기액유체의 벽과 같은 것이 형성된다.
상기 입구 노즐(20)로부터 린스액이 커튼 형상으로 분사되고, 그때까지 기판(W)의 표면에 잔존하고 있던 처리액은, 입구 노즐(20)로부터 토출된 린스액에 의해 기판(W)의 표면을 기판 반송방향 하류측을 향해 씻어 내어지는데, 이 전공정에서 기판(W)에 부여된 처리액(에칭액)을 포함하는 린스액은, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 상기 기액유체의 벽에 의해 기액유체 노즐(21)의 설치 위치에서 막혀, 그 이상 기판 반송방향 하류측에는 흐르지 않는다. 막힌 린스액은, 기액유체의 벽을 따라 기판 폭방향으로 흐르고, 기판(W)의 측가장자리부에서 기판(W)의 표면으로부터 처리 챔버(12)의 저부로 흘러내린다. 본 실시형태의 경우, 기판(W)이 롤러 컨베이어(18)에 의해 기판 반송방향에 직교하는 방향으로 기울인 자세로 반송되고 있기 때문에, 상기 막힌 린스액은 해당 경사의 하측이 되는 기판(W) 측가장자리부로 안내되어 처리 챔버(12)의 저부로 흘러내린다.
이와 같이, 기판(W) 상에 전공정에서 부여된 처리액은, 기판(W)의 표면으로부터 흘러내리는데, 예를 들면, 전공정에서 부여된 처리액이 점도가 높은 것인 경우 등, 기판(W)의 표면으로부터 제거하기 어려운 것인 경우는, 입구 노즐(20)로부터의 린스액에 의한 세정 후의 기판(W) 표면에 처리액이 잔존할 가능성이 있다. 그러나, 본 실시형태의 경우, 기액유체 노즐(21)의 토출구(210)로부터 분사되는 기액유체는 상기한 바와 같이, 기체 및 액체로 이루어지기 때문에, 단열 팽창의 효과로 온도가 낮아져 있고, 기판(W)의 표면에 잔존하는 전공정의 처리액이 냉각되게 된다. 또한, 상기 기액유체의 액체부분은 잔 입자이기 때문에, 주위의 열로 용이하게 증발하여 기화열로서 주위의 열을 탈취하는데, 이에 의한 냉각 효과로도 기판(W)의 표면에 잔존하는 전공정의 처리액이 냉각된다. 그 때문에, 전공정에서 부여된, 예를 들면 에칭액을 냉각하여 에칭 레이트(반응 속도)를 저하시킬 수 있기 때문에, 기판(W)의 표면에 잔존하는 에칭액이 기판(W)의 표면에 형성된 배선 패턴의 형상이나 선폭의 균일성에 미치게 하는 악영향이 저감된다.
또한, 상기한 바와 같이, 기액유체인 노즐(21)로부터는, 일정한 압력으로 기액유체를 기판(W)의 표면에 분사하기 때문에, 분사된 기액유체의 압력에 의해서도 기판(W)의 표면에 잔존하는 전공정의 처리액을 제거하는 효과는 얻어진다.
또, 상기 기액유체의 벽에 의한 린스액의 막음 효과에 의해, 기액유체 노즐(21)보다 기판 반송방향 하류측에서는, 기판(W)으로부터 흘러내리는 린스액에는 전공정에서의 처리액이 잔존하지 않기 때문에, 기액유체 노즐(21)보다 하류측의 영역 에서 린스액을 회수하면, 재이용에 적합한 것이 된다.
다음으로, 본 발명에 관한 기판 처리 장치의 제2 실시형태를 설명한다. 도 4는 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 구성도이고, 특히, 본 발명의 특징적 구성인 린스액 공급기구(입구 노즐(20) 및 고압 스프레이 노즐(21'))가 적용된 수세 처리부(10')를 도시하고 있다. 도 5 (a)는 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치에 구비되는 고압 스프레이 노즐의 토출구와, 해당 토출구로부터 토출되는 고압 유체의 기판 표면에서의 토출 영역의 일례를 도시한 도면, 도 5(b)는 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치에 구비되는 고압 스프레이 노즐의 토출구와, 해당 토출구로부터 토출되는 고압 유체의 기판 표면에서의 토출 영역의 다른 예를 도시한 도면이다.
도 4에 도시하는 바와 같이 제2 실시형태에 관한 기판 처리 장치(1')는, 제1 실시형태의 기판 처리 장치(1)를 구비하고 있는 기액유체 노즐(21) 대신에, 고압 스프레이 노즐(고압유체 공급수단)(21')을 구비한다. 제1 실시형태의 기액유체 노즐(21)은 기액유체에 의한 냉각 작용과, 기액유체의 분사압에 의해 잔존 처리액이 기판(W)에 미치는 악영향을 저감시키는 것이었지만, 제2 실시형태의 고압 스프레이 노즐(21')은 토출하는 린스액의 압력으로 잔존 처리액의 제거율을 높여, 잔존 처리액이 기판(W)에 미치는 악영향을 저감시키는 것이다.
고압 스프레이 노즐(21')은, 순수 등의 린스액을 고압으로 기판(W)에 대해 토출하게 되어 있고, 린스액 공급배관(61)에 의해 린스액 탱크(64)에 배관 접속되어 있다.
또한, 고압 스프레이 노즐(21')과 린스액 탱크(64) 사이의 린스액 공급배관(61)에는 필터(62), 유량 조절용 개폐 밸브(V8) 및 펌프(63)가 설치되어 있다. 펌프(63)는 인버터(65)의 출력에 의해 구동되고, 인버터(65)의 출력은 컨트롤러(50)에 의해 제어된다. 펌프(63)는, 컨트롤러(50)에 의해 인버터(65)의 주파수를 제어함으로써, 고압 스프레이 노즐(21') 측을 향한 토출 압력을 임의로 절환하여, 구동제어 가능하게 되어 있다.
또한, 고압 스프레이 노즐(21')은 제1 실시형태에 관한 기액유체 노즐(21)과 동일하여, 기판 반송방향에서 입구 노즐(20)의 기판 반송방향 하류측에 설치되어 있고, 기판(W)의 기판 폭 방향으로 연장되어, 해당 기판 폭에 걸치는 길이로 설치된다. 그리고, 고압 스프레이 노즐(21')에는, 그 바로 아래의 기판(W)의 표면 부분에 대해 고압으로 린스액을 토출하는 토출구(210')(도 5(a)(b) 참조)가 고압 스프레이 노즐(21')의 길이 방향에 걸쳐 일정 간격으로 복수 설치되어 있다.
상기 각 토출구(210')는, 기판(W) 표면에 대해 직교하도록 하여 고압의 린스액을 분사한다. 이 각 토출구(210')끼리의 간격은, 각 토출구(210)로부터 분사된 린스액이 기판(W)의 표면에 달했을 때, 각각의 린스액의 분사 영역이 기판 폭 방향에서 빈틈없이 겹치도록 설정된다. 각 토출구(210')로부터는, 예를 들면, 기판(W) 표면에 대해 직교시켜 린스액을 분사하는 경우, 기판(W)으로부터 토출구(210)까지의 거리20㎜∼100㎜(보다 바람직하게는 70㎜), 분사압 O.3∼O.4Mpa로 린스액을 분사한다.
예를 들면, 도 5 (a)의 상부에 도시하는 바와 같이, 각 토출구(210')에 설치되어 있는 린스액을 토출시키는 토출공(2101')을 타원 직경으로 하여, 고압 스프레이 노즐(21')의 길이 방향에 평행해지도록 나열하여 설치하고, 도 5(a)의 하부에 도시하는 바와 같이, 각 토출공(2101')의 린스액 분사영역(R1)의 길이방향 단부끼리 겹치도록 한다. 이렇게 하면, 토출공(2101')끼리의 간격을 비교적 넓게 해도 린스액에 의한 분사영역(R1)을 교차시킬 수 있기 때문에, 고압 스프레이 노즐(21')에 형성하는 토출구(210')의 수를 적게 할 수 있다.
또한, 도 5(b)의 상부에 도시하는 바와 같이, 토출구(210")의 각 토출공(2101")을 고압 스프레이 노즐(21')의 길이방향에 대해 일정한 각도로 경사시켜 병설하고, 도 5(b)의 하부에 도시하는 바와 같이, 각 토출공(2101")의 린스액 분사영역(R2)의 측부(폭방향의 단부)끼리 겹치도록 한다. 이렇게 하면, 토출공(2101")으로부터의 린스액에 의한 잔존 처리액 제거영역을 넓게 할 수 있고, 또, 린스액에 의한 기판(W)으로의 타력을 크게 확보할 수 있으므로, 잔존 처리액의 제거율을 높일 수 있다.
또, 본 발명은 상기 실시형태의 구성에 한정되지 않고 여러 가지의 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 제1 실시형태에서는 기액유체 노즐(21)이 순수 및 질소가스로 이루어지는 기액유체를 토출하는 것으로 하여 설명했지만, 기액유체 노즐로부터 토출하는 기액유체를 이루는 액체 및 기체는 이들에 한정되지 않고, 다른 액체 및 기체를 이용하는 것도 가능하다.
또한, 기액유체 노즐(21)의 구성은, 상기 실시형태에서 나타낸 것에는 한정되지 않고, 상기와는 다른 구성으로 이루어지는 것을 채용해도 된다.
또한, 상기 제2 실시형태에서는, 고압 스프레이 노즐(21')로부터 순수를 토출하는 것으로 하여 설명하고 있지만, 다른 액체를 고압으로 토출하도록 해도 되고, 또, 고압의 기체를 토출하도록 해도 된다. 기체를 분사하는 경우는, 각 토출구(210')로부터는, 예를 들면, 기판(W) 표면에 대해 직교시켜 기체를 분사하는 것으로 하여, 기판(W)으로부터 토출구(210)까지의 거리 20㎜∼100㎜, 예를 들면 0.15Mpa의 분사압으로 기체를 분사한다.
또한, 상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21) 또는 고압 스프레이 노즐(21')이 구비되는 처리조를 박리처리 후의 공정인 수세 처리부(10)로 하고 있지만, 이는 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21) 또는 고압 스프레이 노즐(21')이 구비되는 처리조를 수세 처리부(10)에 한정하는 의미가 아니라, 다른 처리를 행하는 처리조에 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21) 또는 고압 스프레이 노즐(21')을 구비하도록 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시형태에서는, 처리 챔버(12)의 입구 노즐(20) 및 기액유체 노즐(21)을 에칭처리 후의 기판(W)을 린스액으로 치환하는 처리를 행하는 것으로 하여 설명하고 있지만, 예를 들면, 박리처리 후, 세정처리 후, 현상처리 후 등의 기판(W)에 대해서도 적용이 가능하다.
본 발명에 의하면, 전공정에서 기판으로부터 제거하기 어려운 처리액이 부여 되어 있던 경우 등이라도, 기판에 대해 새롭게 공급하는 린스액이 전공정의 처리조로 역류하는 것을 방지하면서, 기판상에 잔존하는 전공정에서의 처리액에 의한 악영향을 저감할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.

Claims (8)

  1. 미리 정해진 방향으로 반송되는 기판의 표면에 부착한 처리액을 린스액으로 치환하는 치환처리를 행하는 처리조 내에 배치되고, 해당 반송중인 기판의 표면에 대해 기판 반송방향 하류측을 향해 린스액을 공급하는 린스액 공급수단과,
    상기 처리조 내에서 상기 린스액 공급수단보다도 기판 반송방향 하류측에 설치되고, 해당 기판 반송방향에 교차하는 기판 폭의 전역에 걸쳐, 상기 기판의 표면에 대해 유체를 공급하는 유체 공급수단을 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유체 공급수단은, 기체와 액체로 이루어지는 기액유체를 공급하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유체 공급수단은, 고압 유체를 공급하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유체 공급수단은, 고압의 액체를 공급하는 기판 처리 장치.
  5. 미리 정해진 방향으로 반송되는 기판의 표면에 부착한 처리액을 린스액으로 치환하는 치환처리를 행하는 처리조 내에서, 해당 반송중인 기판의 표면에 대해 기 판 반송방향 하류측을 향해 린스액을 공급하는 제1 공정과,
    상기 처리조 내에서의 상기 제1 공정에 의한 린스액 공급 위치보다도 기판 반송방향 하류측에서, 해당 기판 반송방향에 교차하는 기판 폭의 전역에 걸쳐, 상기 기판의 표면에 대해 유체를 공급하는 제2 공정을 갖는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 제2 공정에서 공급되는 유체는, 기체와 액체로 이루어지는 기액유체인 기판 처리 방법.
  7. 제5항에 있어서, 제2 공정에서 공급되는 유체는, 고압유체인 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 제2 공정에서 공급되는 유체는, 고압의 액체인 기판 처리 방법.
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