KR20060089153A - 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법, 컴퓨터프로그램, 패터닝 디바이스, 기판상의 또는 기판에 근접한타겟 이미지의 위치를 결정하는 방법, 측정 디바이스, 및리소그래피 장치 - Google Patents
포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법, 컴퓨터프로그램, 패터닝 디바이스, 기판상의 또는 기판에 근접한타겟 이미지의 위치를 결정하는 방법, 측정 디바이스, 및리소그래피 장치 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 36
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 7
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 108010085603 SFLLRNPND Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
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Abstract
Description
Claims (16)
- 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 전사(transfer)하는 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법에 있어서,상기 패터닝 디바이스내에 형성된 상기 패턴내에 피처(feature)들을 정의하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 피처들은 패턴 전사 시 상기 기판상에 원하는 이미지를 생성하도록 선택된 치수들 및 방위들을 가지며;상기 패터닝 디바이스상의 복수의 지점들에 대한 정의된 피처들상에서 방사선의 유효 음영 각도(effective shadow angle)를 계산하는 단계; 및계산된 유효 음영 각도들에 기초하여, 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 원하는 이미지를 보상하도록 상기 정의된 피처들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 정의된 피처들은,- 상기 피처들을 정의하는데 사용되는 흡수재 층(absorber layer)의 두께;- 상기 흡수재의 세기 감쇠(intensity damping) 중 1이상을 이용하여 조정되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법.
- 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 전사하는 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법에 있어서,상기 디바이스내에 형성된 상기 패턴내에 피처들을 정의하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 피처들은 패턴 전사 시 상기 기판상에 원하는 이미지를 생성하도록 선택된 치수들 및 방위들을 가지며;패턴 전사 시, 노광 슬릿(exposure slit)내의 상기 피처들의 위치에 상관(correlate)된 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 원하는 이미지를 보상하도록 정의된 피처들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 정의된 피처들은,- 상기 피처들을 정의하는데 사용되는 흡수재 층의 두께;- 상기 흡수재의 세기 감쇠 중 1이상을 이용하여 조정되는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법.
- 컴퓨터를 제어하는 컴퓨터 프로그램에 있어서,상기 컴퓨터로 하여금 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 광학적으로 전사하는 패터닝 디바이스를 생성하는데 사용되는 조정 모델을 생성하도록 지시하기 위해서, 상기 컴퓨터에 의해 판독가능 한 기록 매체(recording medium) 및 상기 기록 매체상에 기록되고 상기 컴퓨터에 의해 실행가능한 코드들을 포함하여 이루어지고,상기 조정 모델의 생성은,피처들의 묘사(representation)를 분석하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 피처들은 패턴 전사 시 상기 기판상에 원하는 이미지를 생성하도록 선택된 치수들 및 방위를 가지며;상기 패터닝 디바이스상의 복수의 지점들에 대한 정의된 피처들상에서 방사선의 유효 음영 각도를 계산하는 단계; 및계산된 유효 음영 각도에 기초하여, 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 원하는 이미지를 보상하도록 상기 정의된 피처들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
- 컴퓨터를 제어하는 컴퓨터 프로그램에 있어서,상기 컴퓨터로 하여금 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 광학적으로 전사하는 패터닝 디바이스를 생성하는데 사용되는 조정 모델을 생성하도록 지시하기 위해서, 상기 컴퓨터에 의해 판독가능한 기록 매체 및 상기 기록 매체상에 기록되고 상기 컴퓨터에 의해 실행가능한 코드들을 포함하여 이루어지고,상기 조정 모델의 생성은,상기 패터닝 디바이스내에 형성된 상기 패턴내의 피처들을 분석하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 피처들은 패턴 전사 시 상기 기판상에 원하는 이미지를 생성하도록 선택된 치수들 및 방위를 가지며;패턴 전사 시, 노광 슬릿내의 상기 피처들의 위치에 상관된 변위 및 치수 오차들에 대한 원하는 이미지를 보상하기 위해서 상기 피처들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
- 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 전사하는 상기 패터닝 디바이스에 있어서,상기 패터닝 디바이스는,상기 디바이스내에 형성된 상기 패턴내에 피처들을 정의하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 피처들은 패턴 전사 시 상기 기판상에 원하는 이미지를 생성하도록 선택된 치수들 및 방위들을 가지며;상기 패터닝 디바이스상의 복수의 지점들에 대한 정의된 피처들상에서 방사선의 유효 음영 각도를 계산하는 단계; 및계산된 유효 음영 각도들에 기초하여, 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 원하는 이미지를 보상하도록 상기 피처들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 단계에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 패터닝 디바이스.
- 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 전사하는 상기 패터닝 디바이스에 있어서,상기 패터닝 디바이스는,상기 디바이스내에 형성된 상기 패턴내에 피처들을 정의하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 피처들은 패턴 전사 시 상기 기판상에 원하는 이미지를 생성하도록 선택된 치수들 및 방위들을 가지며;패턴 전사 시, 노광 슬릿내의 상기 피처들의 위치에 상관된 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 원하는 이미지를 보상하도록 상기 피처들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 패터닝 디바이스.
- 리소그래피 투영 장치내의 기판상의 또는 상기 기판에 근접한(proximate) 타겟 이미지의 위치를 결정하는 방법에 있어서,상기 타겟 이미지는 패터닝 디바이스상의 피처들에 의해 형성되고,상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 상기 타겟 이미지의 상기 위치를 측정하는 단계; 및패턴 전사 시, 상기 패터닝 디바이스의 상기 피처들상에서 방사선의 유효 음영 각도에 의해 도입된 변위 및 치수 오차들을 보상하도록 상기 타겟 이미지의 측정된 위치를 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위치 결정 방법.
- 리소그래피 투영 장치내의 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를 결정하는 방법에 있어서,상기 타겟 이미지는 패터닝 디바이스상의 피처들에 의해 형성되고,상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 상기 타겟 이미지의 상기 위치를 측정하는 단계; 및패턴 전사 시, 노광 슬릿내의 상기 패터닝 디바이스상의 상기 피처들의 위치에 상관된 변위 및 치수 오차들을 보상하도록 상기 타겟 이미지의 측정된 위치를 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위치 결정 방법.
- 리소그래피 투영 장치내의 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를 결정하는 측정 디바이스에 있어서,상기 타겟 이미지는 패터닝 디바이스상의 피처들에 의해 형성되며,상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 상기 타겟 이미지의 상기 위치를 측정하도록 구성된 디텍터를 포함하여 이루어지고, 상기 디텍터는 패턴 전사 시, 상기 패터닝 디바이스의 상기 피처들상에서 방사선의 유효 음영 각도에 의해 도입된 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 타겟 이미지의 측정된 위치를 보상하는 것을 특징으로 하는 측정 디바이스.
- 리소그래피 투영 장치내의 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를 결정하는 측정 디바이스에 있어서,상기 타겟 이미지는 패터닝 디바이스상의 피처들에 의해 형성되며,상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 상기 타겟 이미지의 상기 위치를 측 정하도록 구성되고 배치되는 디텍터를 포함하여 이루어지고, 상기 디텍터는 패턴 전사 시, 노광 슬릿내의 상기 패터닝 디바이스상의 상기 피처들의 위치에 상관된 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 타겟 이미지의 측정된 위치를 보상하는 것을 특징으로 하는 측정 디바이스.
- 리소그래피 투영 장치에 있어서,방사선의 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;원하는 패턴에 따라 방사선의 상기 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;기판의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및리소그래피 투영 장치내의 상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를 결정하도록 구성된 측정 디바이스를 포함하여 이루어지고, 상기 타겟 이미지는 상기 패터닝 디바이스상의 피처들에 의해 형성되며, 상기 측정 디바이스는 상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 상기 타겟 이미지의 상기 위치를 측정하도록 구성된 디텍터를 포함하여 이루어지고, 상기 디텍터는 패턴 전사 시 상기 패터닝 디바이스의 상기 피처들상에서 방사선의 상기 빔의 유효 음영 각도에 의해 도입된 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 타겟 이미지의 측정된 위치를 보상하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영 장치.
- 리소그래피 투영 장치에 있어서,방사선의 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;원하는 패턴에 따라 방사선의 상기 빔을 패터닝하도록 구성된 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;기판의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를 결정하도록 구성된 측정 디바이스를 포함하여 이루어지고, 상기 타겟 이미지는 상기 패터닝 디바이스상의 피처들에 의해 형성되며, 상기 측정 디바이스는 상기 기판상의 또는 상기 기판에 근접한 상기 타겟 이미지의 상기 위치를 측정하도록 구성되고 배치된 디텍터를 포함하여 이루어지고, 상기 디텍터는 패턴 전사 시 노광 슬릿내의 상기 패터닝 디바이스상의 상기 피처들의 위치에 상관된 변위 및 치수 오차들에 대한 상기 타겟 이미지의 측정된 위치를 보상하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영 장치.
- 리소그래피 투영 장치를 이용하여 패터닝 디바이스내에 형성된 패턴을 기판상으로 전사하는 패터닝 디바이스에 있어서,상기 패터닝 디바이스는 사전정의된 구조를 갖는 흡수재 층을 포함하여 이루어지고, 상기 흡수재 층은 유리 또는 유리 세라믹(glass ceramic) 중 1이상으로 만 들어지는 것을 특징으로 하는 패터닝 디바이스.
- 제 15 항에 있어서,상기 흡수재 층은 ZERODUR®로 만들어지는 것을 특징으로 하는 패터닝 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US64907905P | 2005-02-03 | 2005-02-03 | |
US60/649,079 | 2005-02-03 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070048312A Division KR100886741B1 (ko) | 2005-02-03 | 2007-05-17 | 기판상의 또는 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를결정하는 방법, 측정 디바이스, 및 리소그래피 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060089153A true KR20060089153A (ko) | 2006-08-08 |
KR100795504B1 KR100795504B1 (ko) | 2008-01-16 |
Family
ID=36274132
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060010091A KR100795504B1 (ko) | 2005-02-03 | 2006-02-02 | 포토리소그래피 패터닝 디바이스를 생성하는 방법, 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록매체, 패터닝 디바이스 |
KR1020070048312A KR100886741B1 (ko) | 2005-02-03 | 2007-05-17 | 기판상의 또는 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를결정하는 방법, 측정 디바이스, 및 리소그래피 장치 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070048312A KR100886741B1 (ko) | 2005-02-03 | 2007-05-17 | 기판상의 또는 기판에 근접한 타겟 이미지의 위치를결정하는 방법, 측정 디바이스, 및 리소그래피 장치 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7960074B2 (ko) |
EP (1) | EP1688794A3 (ko) |
JP (1) | JP4566137B2 (ko) |
KR (2) | KR100795504B1 (ko) |
CN (1) | CN100582947C (ko) |
SG (1) | SG124407A1 (ko) |
TW (1) | TWI348076B (ko) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1962138B1 (en) | 2007-02-23 | 2011-12-14 | Imec | Systems and methods for UV lithography |
US8230369B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Simulation method and simulation program |
JP2009204823A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | シミュレーション方法及びシミュレーション用のプログラム |
JP4922338B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2012-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 位置制御システム、リソグラフィ装置、および可動オブジェクトの位置を制御する方法 |
US8139231B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-03-20 | Cognex Corporation | Machine vision technique for manufacturing semiconductor wafers |
US8570516B2 (en) * | 2008-09-12 | 2013-10-29 | Cognex Corporation | Infrared direct illumination machine vision technique for semiconductor processing equipment |
US8189194B2 (en) * | 2008-09-12 | 2012-05-29 | Cognex Corporation | Direct illumination machine vision technique for processing semiconductor wafers |
NL2004735A (en) | 2009-07-06 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
CN102939565B (zh) * | 2010-02-26 | 2015-08-05 | 密克罗尼克麦达塔公司 | 用于执行与管芯的图案对准的方法和装置 |
NL2006454A (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-07 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography method and apparatus. |
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CN102654734B (zh) * | 2012-04-06 | 2014-06-04 | 北京理工大学 | 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法 |
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US9811002B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Determination and application of non-monotonic dose sensitivity |
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KR102246876B1 (ko) * | 2014-10-22 | 2021-04-30 | 삼성전자 주식회사 | 극자외선 리소그래피 장치용 반사형 마스크 및 그 제조방법 |
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JP7320832B2 (ja) | 2019-08-08 | 2023-08-04 | 株式会社日本アレフ | 固定構造 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2006
- 2006-01-26 SG SG200600565A patent/SG124407A1/en unknown
- 2006-01-27 TW TW095103306A patent/TWI348076B/zh active
- 2006-02-01 CN CN200610073977A patent/CN100582947C/zh active Active
- 2006-02-02 EP EP06101178A patent/EP1688794A3/en not_active Withdrawn
- 2006-02-02 JP JP2006025174A patent/JP4566137B2/ja active Active
- 2006-02-02 KR KR1020060010091A patent/KR100795504B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-02 US US11/345,629 patent/US7960074B2/en active Active
-
2007
- 2007-05-17 KR KR1020070048312A patent/KR100886741B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG124407A1 (en) | 2006-08-30 |
KR100795504B1 (ko) | 2008-01-16 |
US20060194123A1 (en) | 2006-08-31 |
CN1904737A (zh) | 2007-01-31 |
KR20070058411A (ko) | 2007-06-08 |
CN100582947C (zh) | 2010-01-20 |
EP1688794A2 (en) | 2006-08-09 |
KR100886741B1 (ko) | 2009-03-04 |
TW200632589A (en) | 2006-09-16 |
EP1688794A3 (en) | 2007-01-10 |
JP4566137B2 (ja) | 2010-10-20 |
TWI348076B (en) | 2011-09-01 |
US7960074B2 (en) | 2011-06-14 |
JP2006259699A (ja) | 2006-09-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121231 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140103 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161230 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200103 Year of fee payment: 13 |