JP2003059827A - デバイスを製造する方法、この方法によって製造したデバイス、およびこの方法で使用するマスク - Google Patents

デバイスを製造する方法、この方法によって製造したデバイス、およびこの方法で使用するマスク

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Erik Roelof Loopstra
ローロフ ロープストラ エリク
Hans Meiling
メイリング ハンス
Johannes Hubertus Josephina Moors
ヒューベルトゥス ヨセフィナ モールス ヨハンネス
Martinus Hendrikus Antonius Leenders
ヘンドリクス アントニウス レーンデルス マルティヌス
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】デバイス製造方法で使用される物体側で非テレ
セントリックな投射システムを有するリソグラフィ装置
において、マスクの変形などの歪みによって引き起こさ
れるオーバレイエラーなどを防止又は軽減すること。 【解決手段】 放射線感応材料の層で覆われた基板を提
供するステップと、放射システムを使用して放射投射ビ
ームを提供するステップと、反射性パターン形成手段を
使用して投射ビームの断面にパターンを与えるステップ
と、物体側で非テレセントリックな投射システムを使用
して、パターン形成された放射ビームを投射し、放射線
感応材料の層の目標部分に像を形成するステップとを含
む、デバイスを製造する方法であって、パターン形成手
段の公称反射表面を投射システムの公称物体平面から離
れるようにシフトおよび／または傾斜させて、投射像の
歪みおよび／またはオーバレイ・エラーを軽減するステ
ップを含むことを特徴とするデバイスを製造する方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デバイスを製造す
る方法に関し、本方法は、放射線感応材料の層で少なく
とも部分的に覆われている基板を供給するステップと、
放射システムを使用して放射の投射ビームを供給するス
テップと、投射ビームの断面にパターンを与える反射性
パターン形成手段を使用するステップと、パターン形成
された放射のビームを投影して、放射線感応材料の層の
目標部分に像を形成するステップとを備える。
【０００２】
【従来の技術】ここで使用されるような「パターン形成
手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパタ
ーンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビ
ームに与えるために使用することができる手段のことを
言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語
「光弁」は、この背景で使用することができる。一般
に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスの
ような目標部分に作られるデバイス内の特定の機能層に
対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形
成手段の実施例は、次のものを含む。すなわち、マス
ク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られてお
り、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位
相シフト、交番位相シフト、および減衰位相シフトのよ
うなマスクの種類が含まれる。そのようなマスクを放射
ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じ
て、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場
合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスク
の場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、こ
のマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放
射ビーム内の所望の位置に保持することができるように
なり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移
動させることができるようになる。プログラム可能ミラ
ー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御
層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定
可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折
光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射
光を非回折光として反射する。適当なフィルタを使用し
て、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去し
て、後に回折光だけを残すことができる。このようにし
て、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指
定パターンに従って、ビームはパターン形成されるよう
になる。プログラム可能ミラー・アレイの他の実施形態
では、小さなミラーのマトリックス配列が使用される。
この小さなミラーの各々は、適当な局部電界を加えるこ
とで、または圧電作動手段を使用することで、軸のまわ
りに個々に傾斜させることができる。再び、アドレス指
定されたミラーが、アドレス指定されないミラーに対し
て異なる方向に入射放射ビームを反射するように、ミラ
ーはアドレス指定可能なマトリックである。このように
して、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能
ミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン形成さ
れる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電
子的な手段を使用して行うことができる。上記の両方の
状況で、パターン形成手段は１つまたは複数のプログラ
ム可能ミラー・アレイを含むことができる。ここで言及
したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許
第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，
１９３号、およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７
およびＷＯ９８／３３０９６からより多くの情報を収集
することができる。これらは参照して本明細書に組み込
む。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記の支持
構造は、例えば、フレームまたはテーブルとして具体化
することができ、必要に応じて、固定するか、可動にす
ることができる。プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのよ
うな構造の実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号
に与えられている。この特許は、参照して本明細書に組
み込む。上記のように、この場合の支持構造は、例え
ば、フレームまたはテーブルとして具体化することがで
き、それは、必要に応じて、固定するか、可動にするこ
とができる。簡単にするために、本明細書の残りは、あ
る場所で、特別に、マスクおよびマスク・テーブルを含
む実施例に向けられる。しかし、そのような例で述べる
一般的な原理は、上で述べたようなパターン形成手段の
より広い背景の中で理解すべきである。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような
場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する
回路パターンを生成することができる。このパターンの
像が、放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板
（シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、１つまた
は複数のダイで構成される）に形成される。一般に、単
一のウェハは全体として網の目のような隣接する目標部
分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムによ
り、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。マス
ク・テーブルのマスクによるパターン形成を使用する現
在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別することが
できる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、全マ
スクパターンを一括して目標部分に露出させることで、
各目標部分が放射を照射される。そのような装置は、通
常、ウェハ・ステッパと呼ばれる。走査ステップ式装置
と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当るマス
ク・パターンを特定の基準方向（「走査」方向）に漸進
的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行
または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標
部分が放射を照射される。一般に、投影システムは、拡
大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが
走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速
度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフ
ィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９
２号から、もっと多くの情報を収集することができる。
この特許は、参照して本明細書に組み込む。
【０００４】リソグラフィ投影装置を使用する製造プロ
セスでは、放射線感応材料（レジスト）の層で少なくと
も部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク
内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基
板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークの
ような様々な手順を経る可能性がある。露出後に、基板
は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、
および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手
順に供される可能性がある。この手順の配列は、デバイ
ス例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として
使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッ
チング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーシ
ョン、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層
を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可
能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手
順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければ
ならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェハ）
上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引
きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、
それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続されたキ
ャリアに取り付けることができる。そのようなプロセス
に関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈ
ｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ： Ａ ｐｒａｃｔｉｃ
ａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導
体処理への実用的入門書）」，Ｔｈｉｒｄ Ｅｄｉｔｉ
ｏｎ，ｂｙ Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ，ＭｃＧｒ
ａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，１９
９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得
ることができる。この本を参照して本明細書に組み込
む。
【０００５】簡単にするために、投影システムを以下で
「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例
えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカ
タディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影
システムを包含するものとして広く解釈すべきである。
また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに
従って動作して放射の投影ビームを方向付け、整形し、
または制御する部品を含むことができる。さらに、その
ような部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レン
ズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は、
２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク
・テーブル）を有する種類のものであることがある。そ
のような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテー
ブルは、並列に使用されることがあり、または、他の１
つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１
つまたは複数のテーブルで準備ステップが行われること
がある。双子ステージ・リソグラフィ装置は、例えば、
米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９
８／４０７９１に記載されている。これらを参照して、
本明細書に組み込む。
【０００６】半導体デバイスの製造業者は常により小さ
なフィーチャの製造が可能となることを望んでいるが、
この要求に応えるために、例えば５から２０ｎｍの波長
範囲の極紫外線（ＥＵＶ）放射をリソグラフィ投射装置
の露光用放射として使用することが提案されている。こ
のような装置の設計上の問題の中でも特に問題になるの
は、パターン形成手段を均一に照明し、パターン形成手
段が画定するパターンの像を基板上に正確に投射する
「光学」システムの作製である。必要な照明および光学
システムの製造を困難にしている要因の１つは、ＥＵＶ
波長で屈折光学素子を作製するのに適した材料が現在の
ところ知られていないことにある。したがって、この照
明および投射システムはミラーで構成し、マスクは反射
性にしなければならない。
【０００７】反射性マスクを使用することの問題点は、
例えば約６°などの角度でマスクを照明しなければなら
ず、投射システムをマスク（物体）側でテレセントリッ
クにすることができないことである。例えばマスクの局
部的な変形によって引き起こされるマスクの垂直方向
（Ｚ）の変位および水平軸（Ｒｘ、Ｒｙ）の周りの傾斜
は、基板上の像の水平方向（ＸおよびＹ）の変位を引き
起こす。この水平方向変異はオーバレイ・エラーを引き
起こす可能性があり、それにより、事前にプリントした
プロセス層に対して投射像が正しく位置合わせされなく
なる。
【０００８】ＷＯ０１／２２４８０（ＥＰ１１３７０５
４Ａ１）およびＷＯ９９／４５５８１（ＥＰ１０６５１
５６１Ａ１）には、倍率の変化によって引き起こされる
オーバレイ・エラーを軽減または解消するために投射シ
ステムの物体平面に可能な限り接近するようにマスク平
面を制御するリソグラフィ装置が開示されている。
【０００９】さらに、事前にプリントした層が、デバイ
ス製造過程の後続のステップにおいて歪んでしまうこと
もある。さらに、投射システムが、プリント層に撮像エ
ラーおよびオーバレイ・エラーを生じる撮像エラーをも
たらすこともある。このように歪んでしまった事前にプ
リントした層に適応する、または投射システムによって
もたらされた歪みを少なくとも部分的に打ち消す手段が
あれば有利であろう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、デバ
イス製造方法で使用される物体側で非テレセントリック
な投射システムを有するリソグラフィ装置において、マ
スクの変形および／またはその他の箇所の歪みによって
引き起こされる撮像エラーおよび／またはオーバレイ・
エラーを防止または軽減すること、ならびに／あるいは
リソグラフィ・プロセス中の他の時点で導入される歪み
に適応する、またはこれを補償することを可能にするこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上その他の目的は、本
発明により、放射線感応材料の層で少なくとも部分的に
覆われた基板を提供するステップと、放射システムを使
用して放射投射ビームを提供するステップと、反射性パ
ターン形成手段を使用して投射ビームの断面にパターン
を与えるステップと、物体側で非テレセントリックな投
射システムを使用して、パターン形成された放射ビーム
を投射し、放射線感応材料の層の目標部分に像を形成す
るステップとを含む、デバイスを製造する方法であっ
て、パターン形成手段の公称反射表面を投射システムの
公称物体平面から離れるようにシフトおよび／または傾
斜させて、投射像の歪みおよび／またはオーバレイ・エ
ラーを軽減するステップを含むことを特徴とするデバイ
スを製造する方法によって達成される。
【００１２】パターン形成手段を傾斜および／またはシ
フトさせることで、リソグラフィ投射装置の操作者が、
投射像の意図的な歪みを導入して、例えば投射システム
中のエラーや基板の歪みなど、以前に加工した層によっ
て引き起こされることがあるその他の歪みを補償する、
またはそれらに適合することができる有効な制御可能な
自由度がもたらされる。さらに、マスク・パターンの照
明部分が投射システムの物体平面内に位置決めされる、
または少なくともその付近に位置決めされるように、操
作者が変形したマスクを操作することも可能となる。特
に、照明フィールドが円弧状で、マスクが局部的または
大域的な円筒状または球状の歪みを有する場合には、本
発明は、マスクと物体平面の交差線が円弧状の照明フィ
ールド内に入るようにマスクを回転させることを提案す
る。この構成では、マスクの走査方向を、マスクと同じ
分だけ回転させることが好ましい。このようにして、投
射像の歪みを大幅に軽減することができる。
【００１３】この明細書で、ＩＣの製造において本発明
に従った装置を使用することに特に言及するが、そのよ
うな装置は他の多くの可能な用途を有することをはっき
りと理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気
ドメイン・メモリのための誘導および検出パターン、液
晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造で使用するこ
とができる。当業者は理解するであろうが、そのような
他の背景では、本明細書の「レチクル」、「ウェハ」ま
たは「ダイ」の用語の使用は、それぞれ、より一般的な
用語「マスク」、「基板」および「目標部分」で置き換
えられるものとして考えるべきである。
【００１４】本文献において、「放射」および「ビー
ム」の用語は、紫外線放射（例えば、波長が３６５、２
４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍである）およ
びＥＵＶ（極端紫外放射、たとえば、波長が５〜２０ｎ
ｍの範囲である）を含んだ、あらゆる種類の電磁放射を
包含するように使用される。また、軸Ｉの周りの回転を
Ｒｉで表す直交ＸＹＺ座標系に関連して、本発明の実施
形態について述べる。Ｘ軸およびＹ軸を水平とし、Ｚ軸
を垂直として述べるが、このことは必要ないかなる装置
の物理的配向も意味していないものとする。
【００１５】ここで本発明の実施形態は、実施例として
のみ添付の模式図を参照して説明する。
【００１６】図において、対応する参照部号は対応する
部分を示す。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施形態１ 図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ
投影装置を模式的に示す。本装置は、放射（例えば、Ｅ
ＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための、この場
合に放射源ＬＡを備える放射システムＥｘ、ＩＬと、マ
スクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク
・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に
位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第
１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、基板Ｗ
（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持す
るための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板
を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続
された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マ
スクＭＡの放射照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ
（例えば、１つまたは複数のダイで構成される）に形成
するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、
ミラー群）とを備える。
【００１８】ここに示すように、本装置は、反射型（す
なわち、反射マスクを有する）である。しかし、一般
に、本装置は、例えば、透過型（透過マスクを有する）
であることもある。もしくは、本装置は、上で言及した
ような種類のプログラム可能ミラー・アレイのような、
他の種類のパターン形成手段を使用することができる。
【００１９】放射源ＬＡ（例えば、レーザ生成プラズマ
源、または放電プラズマ源）は、放射のビームを生成す
る。このビームは、直接か、または、例えばビーム拡大
器Ｅｘなどのコンディショニング手段を通り抜けた後か
いずれかで、照明システム（照明装置）ＩＬに送られ
る。照明装置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範
囲および／または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−
ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するた
めの調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明
装置は、一般に、積分器ＩＮ、集光器ＣＯなどの様々な
他の部品を備える。このようにして、マスクＭＡに当っ
ているビームＰＢは、その断面内に所望の強度分布を持
つ。
【００２０】図１に関して留意すべきことであるが、放
射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあ
ることがあるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプの場
合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソ
グラフィ投影装置から遠く離れており、それの生成する
放射ビームが装置の中に導かれることがある（例えば、
適当な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリ
オは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多
い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオ
の両方を含む。
【００２１】ビームＰＢは、その後、マスク・テーブル
ＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。ビームＰ
Ｂは、マスクＭＡで選択的に反射された後で、レンズＰ
Ｌを通り抜ける。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分
ＣにビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手段（お
よび干渉測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴ
は、例えばビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを
位置決めするように、正確に移動させることができる。
同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えば、マス
ク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後
で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスク
ＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体
テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い
位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使っ
て行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示
さない。しかし、ウェーハ・ステッパ（走査ステップ式
装置に対して）の場合は、マスク・テーブルＭＴは、短
行程用アクチュエータに接続されるだけでよく、また
は、固定されることもある。
【００２２】図示の装置は、２つの異なるモードで使用
することができる。１．ステップ・モードでは、マスク
・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マス
ク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目
標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分Ｃがビー
ムＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよ
び／またはｙ方向に移動される。２．走査モードでは、
基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目
標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露出されないことが異
なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向
（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで
移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像
全体を走査することができるようになる。これと並行し
て、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じまたは
反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの
拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。こ
のようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大き
な目標部分Ｃを露出させることができる。
【００２３】図２は、投射システムＰＬに含まれる６ミ
ラー・システムを示している。マスク上の照明フィール
ドがシフトして投射システムから軸外れになり、投射ビ
ームが投射システムの光軸に対して傾いて投射システム
ＰＬに入射するので、この投射システムの物体側は非テ
レセントリックである。照明フィールドは円弧状にする
ことができる。投射システムのさらなる詳細、および代
替の投射システムは、参照により本明細書に組み込むヨ
ーロッパ特許出願第００３０９８７１．２号に見ること
ができる。ミラーＭ１からＭ６は、参照により本明細書
に組み込むヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ−１０６５５３
２およびＥＰ−Ａ−１０６５５６８に記載のように多層
ミラーにすることもできる。
【００２４】テレセントリシティからのずれが可能な限
り小さくなるようにしてはいるが、図２に示すミラー・
システムは物体側でテレセントリックではないので、マ
スクが局部的（Ｚ）に変形することにより、基板の高さ
での像が水平方向（ＸまたはＹ）に歪むことになる。こ
れを図３に示す。図３では、マスクの垂直方向変位ｄＺ
により、基板の高さで水平方向の変位ｄｘが生じ、これ
により基板上に投射された像の全体的なサイズが小さく
なり、オーバレイ・エラーが生じている。投射システム
ＰＬが±１／４または±１／５の倍率を有するので水平
方向の歪みは小さくなっているが、それでもまだかなり
の大きさがある。
【００２５】図４のＡは、投射システムＰＬの水平物体
平面ＯＰに対して円筒形の歪みを有するマスクＭＡを示
している。マスクＭＡは、その平均表面または法線曲面
が物体平面に対して最適な位置となるようにある位置に
置いたときに、２本の線Ｌ１、Ｌ２に沿ってのみ物体平
面ＯＰと交わることが分かるであろう。照明フィールド
ＩＳは、図４のＡではハッチングして示す。照明フィー
ルドＩＳの大部分は、物体平面ＯＰの上または下にあ
り、したがって歪んでいることが分かるであろう。本発
明によれば、図４のＢに示すように、マスクＭＡを回転
させ、マスクＭＡと物体平面ＯＰの交差線が照明フィー
ルドＩＳの中心に可能な限り接近した円弧となるように
する。走査方向Ｓも同様に回転させ、マスクＭＡと物体
平面ＯＰの交差線が照明フィールドＩＳの中心に残るよ
うにする。マスクの回転および走査は、適当なソフトウ
ェアの制御下で、第１の位置決め手段ＰＭによって実行
することができる。図４のＡおよびＢでは、マスクの曲
率の程度、およびそれによるその回転の量は、例示のた
めにかなり誇張してあることに留意されたい。
【００２６】マスクの変形を決定するために、光学セン
サ（参照により本明細書に組み込むヨーロッパ特許出願
ＥＰ−Ａ−１０３７１１７および０１３０３２９９．０
号に開示のものなど）または容量性センサを使用するこ
とができる。別法として、図５に示すように、透明基板
上のマスクを形成する箇所で、後方から測定を行うこと
もできる。図示のように、第１の測定ビームＭＢｆを使
用して、パターンＰが形成されたマスクＭＡの前面ＭＡ
ｆのＺ位置を測定する。第２のビームＭＢｂを使用し
て、マスクＭＡの後面ＭＡｂのＺ位置を測定し、かつ前
面ＭＡｆのＺ位置の測定値を補正して、基板の厚さのば
らつきの影響を除去する。マスクの変形の測定および必
要となる補正用傾斜の計算は、走査中、実行時レベリン
グ中、あるいは事前に、軸を合わせて、または軸を外し
て実行することができることを理解されたい。
【００２７】別の代替の方法は、Ｚ位置を正確に決定す
ることができるマスク上のマーカを使用するものであ
る。従来は、マスクは、基板の高さで最も良く合焦する
平面を決定し、かつ／またはマスクを基板テーブルに対
して位置合わせするために使用される少数のイメージ・
センサ・マーカＴＩＳｍを備える。この目的のために、
イメージ・センサ、例えば透過イメージ・センサＴＩＳ
を基板テーブルに設け、これでマーカＴＩＳｍの空中像
を走査して、最も良く合焦する平面の位置を決定する。
本発明によれば、基板テーブルに設けられたＴＩＳセン
サは静止状態に維持され、そこに投射された様々なマー
カＴＩＳｍを垂直方向に走査して、それらがＴＩＳセン
サ上で最も良く合焦する位置を決定する。これにより、
様々なマーカＴＩＳｍの垂直方向の相対位置についての
情報が得られる。十分な数のマーカＴＩＳｍがマスク上
に設けられているとすると、それらの垂直位置について
の情報を補間して、マスクの高さマップを得ることがで
きる。したがって、図６に示すように、マスクは、パタ
ーン領域Ｐの周りに複数のマーカＴＩＳｍを備えること
が好ましい。
【００２８】さらに別の代替の方法は、１つまたは複数
の干渉計を使用して、マスク・テーブルＭＴ上でマスク
ＭＡを走査するときにマスクＭＡの上面の位置を測定す
るものである。大抵の場合、マスクは、干渉計で使用す
ることができる好都合な波長で十分な反射性を有する。
【００２９】平らな反射性レチクルの場合、ＴＩＳｍマ
ーカが３つ（走査方向に関してマスク・パターンの片側
に１つ、反対側に２つ）あれば、その最初のＺ位置およ
びＸ軸およびＹ軸の周りの回転を決定するのに十分であ
ることが分かっているが、これでは数値安定な解が得ら
れないこともある。数値安定を達成するためには、マー
カ数を例えば６に増やす。（走査方向に関して）マスク
・パターンの片側に３つ、反対側に３つマーカがあれ
ば、走査方向の周りのマスクの円筒形の歪みを決定する
のにも十分であることが分かっている。さらに多くのマ
ーカ（例えば両側に５つずつ）があれば有利であること
も分かっている。走査方向に沿った円筒形歪みを決定す
るためには、走査方向に沿ってマスク・パターンの片側
に、少なくとも１つの余分のマークが必要である。図６
に示すようにさらに多くのマーカがあれば、さらに良好
な結果がもたらされることになる。この結果に対して数
値フィット（例えば最小二乗フィット）を行うと、レン
ズの物体平面内またはその近くにあるマスクの照明部分
を位置決めするための上述の走査の際に考慮に入れるマ
スクの形状が得られる。実施形態１では、円筒形のマス
クの歪みおよび円弧状の照明フィールドについて述べた
が、本発明は様々な歪みの形状および／またはその他の
形状の照明フィールドを用いて利用することもできる。
【００３０】さらに代替の方法では、テスト・マスクを
使用する。多くの場合、マスクの歪みの主な要因は、装
置内で使用される全てのマスクに共通のマスク・テーブ
ルの歪みである。したがって、これらの歪みは、多数の
ＴＩＳマーカがその表面全体に配列されたテスト・マス
クを使用して較正することができる。テスト・マスクで
得られた結果は、同様の材料および厚さの実際のマスク
に直接適用することができるが、様々な材料またはかな
りの多様な厚さのレチクルに合わせて補正する必要があ
ることもある。
【００３１】実施形態２ 以下に述べる点を除けば第１の実施形態と同様である本
発明の第２の実施形態では、マスクの位置および配向を
調節して、システム中のその他の箇所の歪みを補償す
る。このようにして補償することができる歪みとして
は、投射システムＰＬ中の歪み、および例えばそれ以前
のプロセス段階による基板上のダイの歪み、例えばいく
らかの歪みを含んだ別のリソグラフィ投射システム層か
ら投影された層などがある。
【００３２】図７から図１２は、円弧状の照明フィール
ドを有する走査式リソグラフィ投射装置におけるマスク
の様々な運動によって基板の高さで得られる効果を示す
図である。これらの図で、各矢印の後端は点アレイの公
称位置、すなわち歪みがなければそれらが投影されるこ
とになる位置に固定され、各矢印の先端は当該歪みが存
在するときにそれらの点が投影される位置を指してい
る。
【００３３】図７から図９はそれぞれ、マスクがＸまた
はＹ方向に平行移動し、Ｚ軸（Ｒｚ）の周りに回転する
ことによって、ウェハの高さで対応するシフトが像に生
じることを示している。しかし、それぞれ図１０および
図１１に示すように、Ｙ軸（走査軸）周りの傾斜は正方
形のアレイを平行四辺形のアレイ（ダイアモンド形の歪
み）に変形させ、Ｘ軸周りの傾斜は台形のアレイ（Ｙ方
向の倍率が変化した平行四辺形の歪み）を生じる。マス
クがＺ方向にシフトすると、図１２に示す歪み、すなわ
ちＸ方向の倍率の変化およびＹ方向の不均一なシフトが
生じる。Ｙ方向の倍率は、マスクと基板テーブルの相対
走査速度を変化させることによって変化させることがで
きる。マスクのシフトおよび傾斜、ならびにマスクと基
板テーブルの相対速度は、走査中に連続的に変化させる
ことができる。
【００３４】図１１に示す効果は、Ｘ軸の周りに実際に
マスクを傾斜させるのではなく、走査方向を傾斜させる
ことによっても得ることができる。この効果は、マスク
の照明部分が物体平面の上にあるか下にあるかによって
決まり、走査開始時には画像の（通常の倍率に対する）
縮小または拡大を生じ、走査終了時には物体平面の反対
側にあって反対の効果を生じる。したがって、図１１に
示す効果は、走査方向を物体平面に対して平行に保ちな
がらマスクを傾斜させる、またはマスクを物体平面に対
して平行に維持しながら走査方向を傾斜させることによ
って得ることができる。
【００３５】図１０、図１１および図１２はいくつかの
円弧状の歪みを示し、これらは照明フィールドが円弧状
であることにより生じ、マスクの照明部分が物体平面か
ら変位したとき、またはマスクと基板テーブルの走査速
度の比が投射レンズの倍率比と異なるときに生じる。こ
のような歪みが望ましくない場合には、照明フィールド
がＸ軸に沿って延びているので、Ｘ軸の周りでマスクを
傾斜させることによって打ち消すことができる。これに
より、マスクと物体平面の間の距離が照明平面に沿って
様々になるので、照明フィールドに沿ってＸＹ平面内で
不均一なシフトが生じることになる。したがって、傾斜
角を適当に選択すれば、Ｘ方向にはほとんど歪みを生じ
ることなく、図１０、図１１および図１２に示すその他
の効果を保持することができる。また、マスクをＺ方向
にシフトさせて図１２に示す効果を与えた状態で、マス
クの照明部分と物体平面の間の距離が一定となるよう
に、マスクをＸ軸の周りで傾斜させ、Ｚシフトを変化さ
せることができる。これにより、Ｘ方向の倍率変化およ
びＹ方向の均一なシフトがもたらされることになる。Ｘ
軸またはＹ軸の周りでマスクを傾斜させながらマスクと
基板テーブルの相対走査速度を変化させることにより、
対応する効果を得ることができる。走査しながらＹ軸の
周りの傾斜を変化させることにより、図１１に示す歪み
と直交する台形の歪みが生じる。
【００３６】したがって、Ｚ方向にマスクをシフトさせ
ることができ、Ｘ軸またはＹ軸の周りでマスクを傾斜さ
せることができ、かつマスクと基板テーブルの相対速度
を制御することができることで、システム中の他の箇所
の歪みを補償するための制御可能な自由度がもたらされ
る。こうした歪みは、システム性である、すなわち当該
の機械に固有のものとすることができ、また各露光間で
一定にする、または過渡的にする、すなわち各露光間で
変化させることもできる。
【００３７】システム性の歪みは、投射システムのエラ
ー、またはそこに取り付けられた基板を変形させる基板
テーブルの変形によって生じることがある。こうした歪
み、およびそれらを補償するために必要なマスクのシフ
トは、装置の初期較正中および／または定期再較正中
に、歪みを直接測定して必要な補正を計算するか、また
は様々なシフトおよび傾斜でテスト・レチクルをテスト
基板上に投影する試行錯誤法によって決定することがで
きる。
【００３８】過渡的な歪みとしては、例えば以前の投影
段階または基板研磨段階で発生したエラーなど、以前の
プロセス段階による基板の変形や、投射レンズの各要素
の熱歪みなどが挙げられる。過渡的な歪みは、例えば基
板の歪みに合わせた位置合わせプロセス中などに直接測
定する、または予測することができ、適当なマスクのシ
フトおよび／または傾斜は、前もって、または関連する
露光の直前に計算することができる。
【００３９】様々な方向のシフトおよび様々な軸の周り
での傾斜を組み合わせて、より複雑な歪みを補償するこ
とができることは理解できるであろう。例えば、非直交
基板変形、すなわちそれによって以前のプロセス段階で
は有効であったＸ軸およびＹ軸が直交しなくなるような
変形は、Ｘ方向の平行移動、Ｚ軸の周りでの回転、およ
びＸ軸の周りでの傾斜を組み合わせることによって補償
することができる。
【００４０】本実施形態のシフトおよび傾斜は本質的に
大域的であり、したがって、マスクの傾斜および走査方
向は、走査露光の間ほぼ一定にすることが好ましい。
【００４１】第１の実施形態と同様に、必要なマスクの
傾斜および／またはシフトは、適当なソフトウェアの制
御下で位置決め手段ＰＭによって達成することができ
る。
【００４２】本発明の第２の実施形態によって提供され
る装置内の他の箇所の歪みを補償するためのマスクのシ
フトおよび／または傾斜は、第１の実施形態によって提
供されるマスクの歪みを補償するために必要なシフトお
よび／または傾斜と組み合わせることができる。また、
マスクの歪みであれその他の箇所の歪みであれ、完全な
歪みの補償を達成することができない場合には、本発明
は実施できる最良の補償を達成するためのマスクのシフ
トおよび／または傾斜を含む。
【００４３】本発明の特定の実施形態を上で説明した
が、本発明は説明したのとは別の方法で実施することが
できることは理解されるであろう。説明は、本発明を限
定する意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に従ったリソグラフィ投射装
置を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の投射システムを示す
図である。
【図３】反射性マスクの垂直方向変位が、投射システム
が投射する像の水平方向変異をどのようにして引き起こ
すかを示す図である。
【図４】ＡおよびＢはマスクの回転の効果を示す図であ
る。
【図５】透明基板を有する反射性マスクの垂直部分を測
定する本発明による方法を説明する図である。
【図６】マスクの垂直部分を測定する本発明による代替
の方法で使用されるマーカの位置を示す図である。
【図７】マスクの様々な変形が基板上に投射された像に
対して及ぼす効果を示す図である。
【図８】マスクの様々な変形が基板上に投射された像に
対して及ぼす効果を示す図である。
【図９】マスクの様々な変形が基板上に投射された像に
対して及ぼす効果を示す図である。
【図１０】マスクの様々な変形が基板上に投射された像
に対して及ぼす効果を示す図である。
【図１１】マスクの様々な変形が基板上に投射された像
に対して及ぼす効果を示す図である。
【図１２】マスクの様々な変形が基板上に投射された像
に対して及ぼす効果を示す図である。
【符号の説明】
Ｌ１ 交差線 Ｌ２ 交差線 ＭＡ マスク ＯＰ 物体平面 ＰＬ 投射システム Ｓ 走査方向 ＳＩ 照明フィールド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリク ローロフ ロープストラ オランダ国 ヘーゼ、ホディバルドゥスラ ーン 15 (72)発明者 ハンス メイリング オランダ国 ビルトホーヴェン、パルクラ ーン 76 (72)発明者 ヨハンネス ヒューベルトゥス ヨセフィ ナ モールス オランダ国 ヘルモンド、ディールドンク ラーン 56 (72)発明者 マルティヌス ヘンドリクス アントニウ ス レーンデルス オランダ国 ロッテルダム、スタドホウデ ルスプレイン 29ビー

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 放射線感応材料の層で少なくとも部分的
    に覆われている基板を設けるステップと、 放射システムを使用して放射の投射ビームを供給するス
    テップと、 投射ビームの断面にパターンを与える反射性パターン形
    成手段を使用するステップと、 物体側で非テレセントリックな投射システムを使用し
    て、パターン形成された放射ビームを投射し、放射線感
    応材料の層の目標部分に像を形成するステップとを含
    む、デバイスを製造する方法であって、 パターン形成手段の公称反射表面を投射システムの公称
    物体平面から離れるようにシフトおよび／または傾斜さ
    せて、投射像の歪みおよび／またはオーバレイ・エラー
    を軽減するステップを含むことを特徴とするデバイスを
    製造する方法。
  2. 【請求項２】 前記パターン形成手段が全体的に湾曲し
    たマスクを含み、前記投射ビームが前記マスクの円弧状
    領域を照明し、前記シフトおよび／または傾斜させるス
    テップが、前記マスクと前記公称物体平面の交差線が前
    記円弧状領域内に含まれるようにマスクを傾斜させるこ
    とを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記マスクを前記投射ステップ中に走査
    し、走査の方向を、前記マスクを傾斜させた角度と同じ
    角度だけ前記公称物体平面に対して回転させる、請求項
    ２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記シフトおよび／または傾斜させるス
    テップが、前記投射システム中の歪みを補償するために
    実行され、 前記公称反射表面に対してほぼ平行な軸周りの傾斜、お
    よび前記公称反射表面に対してほぼ垂直な方向へのシフ
    トのうち少なくとも一方の動作を前記公称反射表面に対
    して行うことを含む、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記パターン形成手段および前記基板が
    前記投射ステップ中に走査され、前記シフトおよび／ま
    たは傾斜させるステップが、走査方向とほぼ平行な軸の
    周りで傾斜させることを含む方法であって、前記パター
    ン形成手段と前記マスク・テーブルの走査位相差速度を
    変化させるステップをさらに含む、請求項４に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 前記パターン形成手段および前記基板が
    前記投射ステップ中に走査され、前記シフトおよび／ま
    たは傾斜させるステップが、前記パターン形成手段の走
    査方向を傾斜させるステップを含む、請求項１、請求項
    ４、または請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記パターン形成手段の傾斜および走査
    方向が、目標領域全体の露光の間、ほぼ一定に維持され
    る、請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記パターン形成手段が、マスク・テー
    ブル上に保持されたマスクを含む、請求項１、請求項
    ４、請求項５、請求項６、または請求項７に記載の方
    法。
  9. 【請求項９】 前記マスクが、パターン領域を取り囲む
    複数のマーカを備えた方法であって、前記マーカの位置
    の測定値から補間を行うことにより、前記パターン領域
    中の前記マスクの形状を決定するステップを含む、請求
    項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 干渉計を使用して、前記マスクの公称
    平面に対して垂直な方向の前記マスクの反射表面上の複
    数の点の位置を測定して、前記マスクの形状を決定する
    ステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記投射ビームが５から２０ｎｍの範
    囲の波長を有する放射である、請求項１から請求項１０
    までのいずれか一項に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１から請求項１１までのいずれ
    か一項に記載の方法に従って製造されるデバイス。
  13. 【請求項１３】 パターン領域を取り囲む複数のマーカ
    を有する、請求項１から請求項１１までのいずれか一項
    に記載の方法で使用するマスク。
JP2002177248A 2001-06-20 2002-06-18 デバイスを製造する方法、この方法によって製造したデバイス、およびこの方法で使用するマスク Pending JP2003059827A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311198A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、合焦位置検出装置及びそれらの方法、並びにデバイス製造方法
US7518706B2 (en) 2004-12-27 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, a tilting device method for performing a tilted focus test, and a device manufactured accordingly
US7834975B2 (en) 2004-12-27 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Method and exposure apparatus for performing a tilted focus and a device manufactured accordingly
JP2019159270A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、照明装置及び物品の製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100548713B1 (ko) * 2001-06-20 2006-02-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스제조방법, 이것에 의하여 제조된 디바이스 및상기 방법에 사용하기 위한 마스크
US7042550B2 (en) * 2002-11-28 2006-05-09 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and computer program
DE102004014766A1 (de) * 2003-04-02 2004-10-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Verzeichnungskorrektur in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP4378109B2 (ja) * 2003-05-30 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置、投影光学系、デバイスの製造方法
US7204944B2 (en) * 2003-09-23 2007-04-17 Pelican International Inc. Process and apparatus for creating color effects in extrudable material
EP1830395A4 (en) * 2004-12-22 2010-06-30 Nikon Corp METHOD FOR MEASURING THE POSITION OF A MASK SURFACE IN THE HEIGHT DIRECTION, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD
SG124407A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus
WO2007013140A1 (ja) * 2005-07-26 2007-02-01 Fujitsu Limited 位置合わせ方法
US7573584B2 (en) * 2006-09-25 2009-08-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7894038B2 (en) * 2007-03-14 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, lithographic apparatus, and a computer program
JP5167050B2 (ja) * 2008-09-30 2013-03-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法およびマスクの製造方法
US8553207B2 (en) * 2008-12-31 2013-10-08 Asml Holdings N.V. Optically compensated unidirectional reticle bender
US20110174086A1 (en) * 2010-01-19 2011-07-21 Divyasimha Harish Capacitive sensor based structure and method with tilt compensation capability
DE102010056444A1 (de) 2010-12-28 2012-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur mikrolithographischen Projektion einer Maske auf eine lichtempfindliche Schicht
JP5684168B2 (ja) * 2012-02-15 2015-03-11 株式会社東芝 フレア計測方法、反射型マスクおよび露光装置
NL2011592A (en) * 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Compensation for patterning device deformation.
WO2015044182A2 (en) * 2013-09-25 2015-04-02 Asml Netherlands B.V. Beam delivery apparatus and method
KR102395198B1 (ko) 2015-09-22 2022-05-06 삼성전자주식회사 마스크 패턴의 보정 방법 및 이를 이용하는 레티클의 제조 방법
JP6664499B2 (ja) 2016-03-10 2020-03-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 測定システム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5337097A (en) 1985-12-26 1994-08-09 Nippon Kogaku K.K. Projection optical apparatus
EP0947882B1 (en) 1986-07-11 2006-03-29 Canon Kabushiki Kaisha X-ray reduction projection exposure system of reflection type
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
JP3153230B2 (ja) 1990-09-10 2001-04-03 株式会社日立製作所 パタン形成方法
US5222112A (en) 1990-12-27 1993-06-22 Hitachi, Ltd. X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system
JPH04333011A (ja) 1991-05-09 1992-11-20 Nikon Corp 反射縮小投影光学装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JP3500618B2 (ja) 1994-03-28 2004-02-23 株式会社ニコン 走査型露光装置
US5933183A (en) * 1995-12-12 1999-08-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Color spatial light modulator and color printer using the same
JPH09180989A (ja) 1995-12-26 1997-07-11 Toshiba Corp 露光装置および露光方法
JPH11504770A (ja) 1996-03-04 1999-04-27 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ マスクパターンをステップ及びスキャン結像するリソグラフィ装置
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JP3231241B2 (ja) 1996-05-01 2001-11-19 キヤノン株式会社 Ｘ線縮小露光装置、及び該装置を用いた半導体製造方法
US5691541A (en) * 1996-05-14 1997-11-25 The Regents Of The University Of California Maskless, reticle-free, lithography
US5870176A (en) * 1996-06-19 1999-02-09 Sandia Corporation Maskless lithography
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) * 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
WO1999026278A1 (fr) 1997-11-14 1999-05-27 Nikon Corporation Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition
AU2549899A (en) 1998-03-02 1999-09-20 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device
JPH11281914A (ja) * 1998-03-26 1999-10-15 Fuji Photo Optical Co Ltd 照明光学系およびこれを用いたプロジェクタ装置
US6323982B1 (en) * 1998-05-22 2001-11-27 Texas Instruments Incorporated Yield superstructure for digital micromirror device
US6356340B1 (en) * 1998-11-20 2002-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Piezo programmable reticle for EUV lithography
EP1037117A3 (en) 1999-03-08 2003-11-12 ASML Netherlands B.V. Off-axis levelling in lithographic projection apparatus
TWI267704B (en) 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
WO2001022480A1 (fr) 1999-09-20 2001-03-29 Nikon Corporation Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs
EP1146395B1 (en) 2000-04-10 2006-06-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured by said method
US6552779B2 (en) * 2000-05-25 2003-04-22 Ball Semiconductor, Inc. Flying image of a maskless exposure system
EP1209503B1 (en) 2000-11-07 2009-01-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW573234B (en) 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
KR100548713B1 (ko) 2001-06-20 2006-02-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스제조방법, 이것에 의하여 제조된 디바이스 및상기 방법에 사용하기 위한 마스크

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311198A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、合焦位置検出装置及びそれらの方法、並びにデバイス製造方法
JP4603814B2 (ja) * 2004-04-23 2010-12-22 キヤノン株式会社 露光装置、合焦位置検出装置及びそれらの方法、並びにデバイス製造方法
US7518706B2 (en) 2004-12-27 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, a tilting device method for performing a tilted focus test, and a device manufactured accordingly
US7834975B2 (en) 2004-12-27 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Method and exposure apparatus for performing a tilted focus and a device manufactured accordingly
JP2019159270A (ja) * 2018-03-16 2019-09-19 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、照明装置及び物品の製造方法
JP7260959B2 (ja) 2018-03-16 2023-04-19 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、照明装置及び物品の製造方法

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