CN102654734B - 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法 - Google Patents

双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102654734B
CN102654734B CN201210099559.5A CN201210099559A CN102654734B CN 102654734 B CN102654734 B CN 102654734B CN 201210099559 A CN201210099559 A CN 201210099559A CN 102654734 B CN102654734 B CN 102654734B
Authority
CN
China
Prior art keywords
matrix
diagonal
grating
layer
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210099559.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102654734A (zh
Inventor
李艳秋
杨亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Institute of Technology BIT
Original Assignee
Beijing Institute of Technology BIT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Institute of Technology BIT filed Critical Beijing Institute of Technology BIT
Priority to CN201210099559.5A priority Critical patent/CN102654734B/zh
Publication of CN102654734A publication Critical patent/CN102654734A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102654734B publication Critical patent/CN102654734B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明提供一种双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;步骤二、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量;步骤三、针对双吸收层交替相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数和介电常数倒数进行傅里叶Fourier展开;步骤四、利用步骤二中和步骤三中所计算的参数,求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射衍射场。采用本发明能快速计算出双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场。

Description

双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法
技术领域
本发明涉及一种双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,属于光刻分辨率增强技术领域。
背景技术
半导体产业的飞速发展,主要得益于微电子技术的微细加工技术的进步,而光刻技术是芯片制备中最关键的制造技术之一。由于光学光刻技术的不断创新,它一再突破人们预期的光学曝光极限,使之成为当前曝光的主流技术。
光刻系统主要分为:照明系统(光源)、掩模、投影系统及晶片四部分。光入射到掩模上发生衍射,衍射光进入投影系统后在晶圆上干涉成像,再经过显影和蚀刻处理后,就将图形转移到晶圆上。
为了更好地理解光刻中发生的一些现象,对实际操作进行理论指导。需要模拟仿真光在整个系统中的传播。目前光刻仿真已经成为发展、优化光刻工艺的重要工具。这里我们重点研究掩模线条/空间(Line/Space,L/S)结构衍射的影响。
模拟仿真掩模衍射主要有两种方法:基尔霍夫方法(Kirchhoff approach)及严格的电磁场方法(Rigorous electromagneric field)。Kirchhoff方法将掩模当成无限薄的,透过电场的幅值、相位直接由掩模布局(mask layout)决定。在二元掩模(binarymasks,BIM)中,透光区域的光强为1,相位为0,不透光区域光强为0。在交替相移掩模(alternating phase shift masks,Alt.PSM)中,透光区域的刻蚀区透过强度为1,相位为π,透光区域的非刻蚀区透过强度为1,相位为0,不透光区域的透过强度都为0。Kirchhoff方法的主要特点是掩模不同区域的强度、相位变化很陡直。
当掩模特征尺寸远大于波长,且厚度远小于波长时候,光的偏振特性不明显,此时Kirchhoff近似是十分精确的。随着光刻技术发展到45nm时,掩模的特征尺寸接近光源波长(ArF),且掩模厚度也达到波长量级,光波的偏振效应十分明显。再加上采用大数值孔径(Numerical Aperture,NA)的浸没式光刻,掩模导致的偏振效应十分显著,进而影响成像质量。这时必须采用严格的电磁场模型来模拟掩模的衍射。
严格的电磁场模型完全考虑了掩模的3D(Three Dimensional)效应及材料的影响。采用的数值方法主要包括:时域有限差分法(finite-difference time domainmethod,FDTD)、严格耦合波法(rigorous coupled wave analysis,RCWA)、波导法(the waveguide method,WG)及有限元法(finite element methods,FEM)。FDTD中,将麦克斯韦(Maxwell)方程在空间、时间上进行离散化,这些离散化的方程对时间进行积分就得到了掩模衍射场,解的精度取决于离散化时步长的大小。RCWA及WG是将掩模电磁场、介电常数进行Fourier级数展开得到特征值方程,再通过求解特征值方程得到问题的解,解的精度取决于Fourier展开时的阶数。FEM比较复杂,理解起来也很困难,并不十分流行。通过这些严格的电磁场模型,要么得到掩模近场的幅值、相位,要么直接得到远场衍射光的幅值、相位。严格电磁场模型表明,掩模透过区域、不透过区域透过电场幅值、相位变化不再那么陡直。
现有技术(J.Opt.Soc.Am.A,1995,12:1077-1086)公开了一种利用多层近似的方法模拟TM偏振入射任意面形介质光栅的衍射特性。但该方法具有以下两方面的不足。第一,该方法只分析周期相同的多层光栅。第二,该方法分析的是电介质光栅衍射特性,且收敛性较差,所需时间内存都较大。现有技术(J.Opt.Soc.Am.A,1996,13:779-784)公开了一种改善收敛性的方法,但其只分析单层光栅的衍射。而在交替相移掩模中,玻璃基底中刻蚀区域的周期是掩模吸收层周期的二倍,两者周期不同,且掩模有两个吸收层。因此采用上述方法不能计算双吸收层交替相移L/S掩模的锥形衍射。
发明内容
本发明提供一种双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,该方法能快速计算出具有不同周期的多层掩模光栅的衍射场。
实现本发明的技术方案如下:
步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;
步骤二、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量,其中i取遍[-m,m]中的整数,2m+1=n,即i所取值的个数为n,m为正整数;
波矢量沿着切向即x、y方向的分量为
k xi = k o [ n I sin θ cos φ - i ( λ 0 / Λ ) ] k y = k o n I sin θ sin φ - - - ( 1 )
其中ko为入射光在真空中的波矢量,λ0为入射光在真空中的波长,nI为入射区的折射率,θ为光线入射角,φ为光线入射的方位角,Λ为双吸收层交替相移L/S掩模三层光栅周期的最小公倍数;
波矢量沿着光栅平面的法向即z方向的分量为:
k l &prime; , zi = + [ ( k 0 n l &prime; ) 2 - k xi 2 - k y 2 ] 2 ( k xi 2 + k y 2 ) < ( k 0 n l &prime; ) 2 - j [ k xi 2 + k y 2 - ( k 0 n l &prime; ) 2 ] 1 / 2 ( k xi 2 + k y 2 ) > ( k 0 n l &prime; ) 2 l &prime; = I , II - - - ( 2 )
其中,下标I表示入射区,下标II表示出射区;当l′=I时,nl′表示入射区的折射率,当l′=II时,nl′表示出射区的折射率,j表示虚数单位;
步骤三、针对双吸收层交替相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数和介电常数倒数进行傅里叶Fourier展开;
介电常数的Fourier展开式为:
&epsiv; l ( x ) = &Sigma; h = - D D &epsiv; l , h exp ( j 2 &pi;hx / &Lambda; ) - - - ( 3 )
介电常数倒数的Fourier展开式为:
1 / &epsiv; l ( x ) = &Sigma; h = - D D &epsiv; &OverBar; l , h exp ( j 2 &pi;hx / &Lambda; ) - - - ( 4 )
其中l=[1,2,3],D=n-1,εl(x)为第l层光栅的介电常数,εl,h为第l层光栅相对介电常数第h个Fourier分量,
Figure BSA00000697362300043
为第l层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量;
步骤四、利用步骤二中的kxi、ky、kl′,zi和步骤三中的εl,h
Figure BSA00000697362300044
求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射衍射场。
有益效果
本发明通过对介电常数倒数进行Fourier级数展开,求解得到新的耦合波方程,改善了计算有损的多层掩模光栅锥形衍射的收敛性;并且通过选取各层光栅周期的最小公倍数,进行Fourier级数展开,可分析具有不同周期的多层掩模光栅的衍射;同时采用增强透射矩阵法获取三层光栅锥形衍射场,计算速度快。
附图说明
图1为双吸收层交替相移LS掩模及入射光示意图。
图2为本发明锥形衍射场计算方法的流程图。
图3为Kx矩阵的示意图。
图4为El矩阵的示意图。
图5为YI、ZI、YII及ZII矩阵的示意图。
图6为TE、TM偏振光锥形入射CrO/Cr Alt.PSM时,0级光的衍射效率随周期的变化。
图7为TE、TM偏振光锥形入射CrO/Cr Alt.PSM时,1级光的衍射效率随周期的变化。
图8为TE、TM偏振光锥形入射CrO/Cr Alt.PSM时,0、1级次的偏振度随周期的变化。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行进一步详细说明。
双吸收层交替相移L/S掩模及其入射光示意图如图1所示,设定光栅平面的法线方向为z轴,光栅矢量(the grating vector)的方向为x轴,栅条的方向为y轴,所形成的x、y、z符合右手法则。掩模沿z轴方向分成三层,其中第一、二层为吸收层,第三层为相移层。第一层为CrO(z0<z<z1),厚度为d1=z1-z0,第二层为Cr(z1<z<z2),厚度为d2=z2-z1。第三层为相移区,其刻蚀深度为d=λ/2(n-1),以实现180°的相移。掩模沿x轴具有周期性,其中第一、二层周期相同为Λ1,占空比相同为f1;第三层为电介质,周期为前两层的二倍。掩模的上方为入射区,下方为出射区。
一个TE偏振(电场垂直于入射平面)或TM偏振(磁场垂直于入射平面)的平面波以角度θ入射在掩模上,然后发生衍射。方位角(入射平面与x轴夹角)为φ,偏振角(入射电场矢量与入射平面的夹角)为ψ,对应于TE偏振光ψ=90°,对应于TM偏振光ψ=0°。如图2所示,求解双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的流程如下:
步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数(the number of space harmonics)n,n为奇数;此步骤中n可以根据需要进行适当的选取,例如当所需较高精度计算结果时,将n选取较大些,当需要较快的计算速度时,将n选取较小些。
步骤二、根据布洛开(Floquet)条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量,i取遍[-m,m]中的整数,2m+1=n,即i所取值的个数为n,m为正整数;
波矢量沿着切向即x、y轴的分量为
k xi = k o [ n I sin &theta; cos &phi; - i ( &lambda; 0 / &Lambda; ) ] k y = k o n I sin &theta; sin &phi; - - - ( 1 )
其中ko为入射光在真空中的波矢量,λ0为入射光在真空中的波长,nI为入射区的折射率,θ为光线入射角,φ为光线入射的方位角,Λ为双吸收层交替相移L/S掩模三层光栅周期的最小公倍数。
波矢量沿着光栅平面的法向即z方向的分量为:
k l &prime; , zi = + [ ( k 0 n l &prime; ) 2 - k xi 2 - k y 2 ] 2 ( k xi 2 + k y 2 ) < ( k 0 n l &prime; ) 2 - j [ k xi 2 + k y 2 - ( k 0 n l &prime; ) 2 ] 1 / 2 ( k xi 2 + k y 2 ) > ( k 0 n l &prime; ) 2 l &prime; = I , II - - - ( 2 )
其中下标I表示入射区,下标II表示出射区;当l′=I时,nl′表示入射区的折射率,当l′=II时,nl′表示出射区的折射率,j表示虚数单位。
步骤三、针对双吸收层交替相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数和介电常数倒数进行傅里叶Fourier级数展开。
介电常数的Fourier展开式为:
&epsiv; l ( x ) = &Sigma; h = - D D &epsiv; l , h exp ( j 2 &pi;hx / &Lambda; ) , ( l = 1,2,3 ) - - - ( 3 )
介电常数倒数的Fourier展开式为:
1 / &epsiv; l ( x ) = &Sigma; h = - D D &epsiv; &OverBar; l , h exp ( j 2 &pi;hx / &Lambda; ) , ( l = 1,2,3 ) - - - ( 4 )
其中D=n-1,εl(x)为第l层光栅的介电常数,εl,h为第l层光栅相对介电常数第h个Fourier分量,
Figure BSA00000697362300071
为第l层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量。
步骤四、利用步骤二中的kxi、ky、kl′,zi和步骤三中的εl,h
Figure BSA00000697362300072
求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射衍射场。
下面对该步骤的具体实现进行详细说明:
步骤401、求解每层光栅的特征矩阵。
F l = [ K y 2 + K x 2 - E l ] G l = [ K x E l - 1 K x A l - 1 + K y 2 - A l - 1 ] - - - ( 5 )
其中Al,Kx,Ky,El都是(n×n)的矩阵,Kx是对角矩阵,坐标为
Figure BSA00000697362300074
的元素为kxi/ko
Figure BSA00000697362300075
如图3所示,例如,n=3,由于2m+1=n,则m=1,i=[-1,0,1],通过步骤三生成kxi包括kx-1、kx0及kx1;Kx为(3×3)的矩阵,当i=-1时,即坐标为(-1+2,-1+2),即坐标为(1,1)的元素为kx-1,当i=0时,即坐标为(0+2,0+2),即坐标为(2,2)的元素为kx0,当i=1时,即坐标为(1+2,1+2),即坐标为(3,3)的元素为kx1;Ky是对角矩阵,且对角元素皆为ky/ko
El是第l层介电常数的谐波分量(permittivity harmonic components)组成的矩阵,其坐标为(p,q)的元素等于εl,p-q,p=[1,2,…,n],q=[1,2,…,n],如图4所示,例如,n=3,由于D=n-1,则D=2,h=[-2,-1,0,1,2],步骤二上的εl,h包括εl,-2、εl,-1、εl,0、εl,1及εl,2;El为(3×3)的矩阵,
当p=1,q=1时,即坐标为(1,1)的元素为εl,p-q=εl,0
当p=1,q=2时,即坐标为(1,2)的元素为εl,p-q=εl,-1
当p=1,q=3时,即坐标为(1,3)的元素为εl,p-q=εl,-2
当p=2,q=1时,即坐标为(2,1)的元素为εl,p-q=εl,1
当p=2,q=2时,即坐标为(2,2)的元素为εl,p-q=εl,0
当p=2,q=3时,即坐标为(2,3)的元素为εl,p-q=εl,-1
当p=3,q=1时,即坐标为(3,1)的元素为εl,p-q=εl,2
当p=3,q=2时,即坐标为(3,2)的元素为εl,p-q=εl,1
当p=3,q=3时,即坐标为(3,3)的元素为εl,p-q=εl,0
Al是第l层介电常数倒数的谐波分量(permittivity harmonic components)组成的矩阵,其元素(p,q)等于
Figure BSA00000697362300081
其元素的分配形式与El相同。
步骤402、求解入射区的矩阵YI、ZI,及透射区矩阵YII、ZII
其中YI、YII皆为(n×n)的对角矩阵,YI矩阵的对角元素
Figure BSA00000697362300082
为(kI,zi/ko),YII矩阵的对角元素为(kII,zi/ko);ZI、ZII皆为(n×n)的对角矩阵,ZI矩阵的对角元素
Figure BSA00000697362300084
Figure BSA00000697362300085
ZII矩阵的对角元素
Figure BSA00000697362300086
Figure BSA00000697362300087
例如n=3,由于2m+1=n,则m=1,i=[-1,0,1],通过步骤三生成kI,zi包括kI,z-1、kI,z0及kI,z1,生成kII,zi包括kII,z-1、kII,z0及kII,z1,则生成的矩阵YI、ZI YII及ZII,如图5所示。
步骤403、利用电磁场切向连续边界条件,得到入射区与出射区电磁场之间的表达式;
sin &psi;&delta; j sin &psi; n I cos &theta;&delta; - j cos &psi; n I &delta; cos &psi; cos &theta;&delta; + I 0 - j Y I 0 0 I 0 - j Z I R =
&Pi; l = 1 N = 3 V l , ss V l , sp V l , ss X l , 1 V l , sp X l , 2 W l , ss W l , sp - W l , ss X l , 1 - W l , sp X l , 2 W l , ps W l , pp - W l , ps X l , 1 - W l , pp X l , 2 V l , ps V l , pp V l , ps X l , 1 V l , pp X l , 2 V l , ss X l , 1 V l , sp X l , 2 V l , ss V l , sp W l , ss X l , 1 W l , sp X l , 2 - W l , ss - W l , sp W l , ps X l , 1 W l , pp X l , 2 - W l , ps - W l , pp V l , sp X l , 1 V l , pp X l , 2 V l , ps V l , pp - 1 I 0 j Y II 0 0 I 0 j Z II T
( 6 )
其中
V l , ss = F c V l , 11 W l , ss = F c W l , 1 + F s V l , 21 V l , sp = F c V l , 12 - F s W l , 2 W l , sp = F s V l , 22 W l , pp = F c V l , 22 V l , pp = F c W l , 2 + F s V l , 12 W l , ps = F c V l , 21 - F s W l , 1 V l , ps = F s V l , 11 V l , 11 = A l - 1 W l , 1 Q l , 1 V l , 12 = ( k y / k 0 ) A l - 1 K x W l , 2 V l , 21 = ( k y / k 0 ) B l - 1 K x E l - 1 W l , 1 V l , 22 = B l - 1 W l , 2 Q l , 2 - - - ( 7 )
其中Wl,1为特征矩阵Fl的特征矢量矩阵,
Figure BSA00000697362300094
为特征矩阵Fl的特征值矩阵第
Figure BSA00000697362300095
个元素的正平方根;
Wl,2为特征矩阵Gl的特征矢量矩阵,
Figure BSA00000697362300096
为特征矩阵Gl的特征值矩阵第
Figure BSA00000697362300097
个元素的正平方根;
B l = K x E l - 1 K x - I , I为单位矩阵;
Ql,1是第l层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure BSA00000697362300099
Figure BSA000006973623000910
Ql,2是第l层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure BSA000006973623000911
Figure BSA000006973623000912
Xl,1是第l层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure BSA000006973623000913
Figure BSA000006973623000914
Xl,2是第l层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure BSA000006973623000915
Figure BSA000006973623000916
dl为第l层光栅的厚度;
Fs是对角矩阵,对角元素
Figure BSA000006973623000917
Figure BSA000006973623000918
Fc是对角矩阵,对角元素
Figure BSA000006973623000919
Figure BSA000006973623000920
其中
Figure BSA000006973623000921
R为中间变量,T为待求解的透射场各个衍射级次的幅值;
δ为n×1的矩阵,当i=0,
Figure BSA000006973623000922
i≠0,
步骤404、利用增强透射矩阵法,求解透射场的各个衍射级次的幅值T;其中T为n×1的矩阵,T中的每一元素为复数u+vj的形式,其中衍射场的幅值为
Figure BSA000006973623000924
即获得偏振光出射区的衍射场。
具体利用增强透射矩阵法,入射区与出射区电磁场之间的表达式为:
sin &psi;&delta; j sin &psi; n I cos &theta;&delta; - j cos &psi; n I &delta; cos &psi; cos &theta;&delta; + I 0 - j Y I 0 0 I 0 - j Z I R = f 1 g 1 [ T 1 ] - - - ( 8 )
f l g l T l = V l , ss V l , sp V l , ss X l , 1 V l , sp X l , 2 W l , ss W l , sp - W l , ss X l , 1 - W l , sp X l , 2 W l , ps W l , pp - W l , ps X l , 1 - W l , pp X l , 2 V l , ps V l , pp V l , ps X l , 1 V l , pp X l , 2 I b l a l - 1 X l T l - - - ( 9 )
X l = X l , 1 0 0 X l , 2 - - - ( 10 )
a l b l = V l , ss V l , sp V l , ss V l , sp W l , ss W l , sp - W l , ss - W l , sp W l , ps W l , pp - W l , ps - W l , pp V l , ps V l , pp V l , ps V l , pp - 1 f l + 1 g l + 1 - - - ( 11 )
f 4 g 4 = I 0 j Y II 0 0 I 0 jZ II - - - ( 12 )
T = a 3 - 1 X 3 a 2 - 1 X 2 a 1 - 1 X 1 T 1 - - - ( 13 )
进一步地,本发明还可以求解各衍射级次的衍射效率
其中第i个级次的衍射效率为:
&eta; i = | T s , i | 2 Re ( k II , zi k 0 n I cos &theta; ) + | T p , i | 2 Re ( k II , zi / n II 2 k 0 n I cos &theta; ) - - - ( 14 )
其中Ts为T中的上半部分元素组成的矩阵,Tp为T中的下半部分元素组成的矩阵。Ts,i为Ts中的第
Figure BSA00000697362300108
个元素,Tp,i为Tp中的第个元素。
更近一步地,本发明可以求解各衍射级次的偏振度(Degree of Polarization,DoP),来判断掩模的类型,即判断掩模是类似TE偏振片还是TM偏振片。
DoP i = &eta; i TE - &eta; i TM &eta; i TE + &eta; i TM &CenterDot; 100 % - - - ( 15 )
其中当入射光为TE偏振光时,将ηi定义为
Figure BSA000006973623001011
当入射光为TM偏振光时,将ηi定义为
Figure BSA00000697362300111
DoP为正,表示掩模类似TE偏振片,DoP为负,表示掩模类似TM偏振片。
本发明的实施实例
这里计算了CrO/Cr Alt.PSM线条/空间(Line/Space)中,TE、TM锥形入射(θ=10°,
Figure BSA00000697362300112
λ=193nm)时,不同掩模线宽时0、1级次的衍射效率及偏振度。其中CrO折射率、消光系数及厚度分别为1.965、1.201及18nm.Cr折射率、消光系数及厚度分别为1.477、1.762及55nm.这里分析的是1∶1的密集线条,占空比为0.5。
图6为TE、TM偏振光锥形入射CrO/Cr Alt.PSM时,0级光的衍射效率随周期的变化,图7为TE、TM偏振光锥形入射CrO/Cr Alt.PSM时,1级光的衍射效率随周期的变化。在Kirchhoff方法中,0级次的衍射效率为0。而严格的电磁场模型表明小周期时,TM偏振光0级次衍射效率不为0,其远远大于TE偏振的。正是这种非零的0衍射级次导致了强度不平衡现象(intensity imbalancing phenomena)。
图8为TE、TM偏振光锥形入射CrO/Cr Alt.PSM时,0、1级次的偏振度随周期的变化。可以看到小周期时,0、1级次都成为一个TM偏振元件(TM polarizer),这会降低成像对比度。
综上所述,以上仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种双吸收层交替相移
Figure FDA00004709679700000111
掩模锥形衍射场的计算方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;
步骤二、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量,其中i取遍[-m,m]中的整数,2m+1=n,即i所取值的个数为n,m为正整数;
波矢量沿着切向即x、y方向的分量为
k xi = k o [ n I sin &theta; cos &phi; - i ( &lambda; 0 / &Lambda; ) ] k y = k o n I sin &theta; sin &phi; - - - ( 1 )
其中ko为入射光在真空中的波矢量,λ0为入射光在真空中的波长,nI为入射区的折射率,θ为光线入射角,φ为光线入射的方位角,Λ为双吸收层交替相移
Figure FDA0000470967970000012
掩模三层光栅周期的最小公倍数;
波矢量沿着光栅平面的法向即z方向的分量为:
k l &prime; , zi = + [ ( k 0 n l &prime; ) 2 - k xi 2 - k y 2 ] 1 / 2 ( k xi 2 + k y 2 ) < ( k 0 n l &prime; ) 2 - j [ k xi 2 + k y 2 - ( k 0 n l &prime; ) 2 ] 1 / 2 ( k xi 2 + k y 2 ) > ( k 0 n l &prime; ) 2 - - - ( 2 )
l &prime; = I , II
其中,下标I表示入射区,下标II表示出射区;当
Figure FDA0000470967970000015
时,
Figure FDA0000470967970000016
表示入射区的折射率,当
Figure FDA0000470967970000017
时,
Figure FDA0000470967970000018
表示出射区的折射率,j表示虚数单位;
步骤三、针对双吸收层交替相移
Figure FDA0000470967970000019
掩模的每一光栅层,对其介电常数和介电常数倒数进行傅里叶Fourier展开;
介电常数的Fourier展开式为:
&epsiv; l ( x ) = &Sigma; h = - D D &epsiv; l , h exp ( j 2 &pi;hx / &Lambda; ) - - - ( 3 )
介电常数倒数的Fourier展开式为:
1 / &epsiv; l ( x ) = &Sigma; h = - D D &epsiv; &OverBar; l , h exp ( j 2 &pi;hx / &Lambda; ) - - - ( 4 )
其中
Figure FDA0000470967970000022
D=n-1,
Figure FDA0000470967970000023
为第层光栅的介电常数,
Figure FDA0000470967970000025
为第
Figure FDA0000470967970000026
层光栅相对介电常数第h个Fourier分量,
Figure FDA0000470967970000027
为第层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量;
步骤四、利用步骤二中的kxi、ky
Figure FDA0000470967970000029
和步骤三中的
Figure FDA00004709679700000210
求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射衍射场;
该步骤的具体实现过程为:
步骤401、求解每层光栅的特征矩阵;
F l = [ K y 2 + K x 2 - E l ] G l = [ K x E l - 1 K x A l - 1 + K y 2 - A l - 1 ] - - - ( 5 )
其中
Figure FDA00004709679700000212
Kx,Ky
Figure FDA00004709679700000213
都是(n×n)的矩阵,
Kx是对角矩阵,坐标为
Figure FDA00004709679700000214
的元素为kxi/ko
Figure FDA00004709679700000215
Ky是对角矩阵,且对角元素皆为ky/ko
是第
Figure FDA00004709679700000217
层介电常数的谐波分量组成的矩阵,其坐标为(p,q)的元素等于
Figure FDA00004709679700000218
p=[1,2,…,n],q=[1,2,…,n];
是第
Figure FDA00004709679700000220
层介电常数倒数的谐波分量组成的矩阵,其元素(p,q)等于
步骤402、求解入射区的矩阵YI、ZI,及透射区矩阵YII、ZII
其中YI、YII皆为(n×n)的对角矩阵,YI矩阵的对角元素
Figure FDA00004709679700000222
为(kI,zi/ko),YII矩阵的对角元素
Figure FDA00004709679700000223
为(kII,zi/ko);ZI、ZII皆为(n×n)的对角矩阵,ZI矩阵的对角元素
Figure FDA00004709679700000224
Figure FDA00004709679700000225
ZII矩阵的对角元素 ( k II , zi / k o n II 2 ) ;
步骤403、利用电磁场切向连续边界条件,得到入射区与出射区电磁场之间的表达式;
sin &psi;&delta; j sin &psi; n I cos &theta;&delta; - j cos &psi; n I &delta; cos &psi; cos &theta;&delta; + I 0 - jY I 0 0 I 0 - jZ I R = &Pi; l = 1 N = 3 V l , ss V l , sp V l , ss X l , 1 V l , sp X l , 2 W l , ss W l , sp - W l , ss X l , 1 - W l , sp X l , 2 W l , ps W l , pp - W l , ps X l , 1 - W l , pp X l , 2 V l , ps V l , pp V l , ps X l , 1 V l , pp X l , 2 V l , ss X l , 1 V l , sp X l , 2 V l , ss V l , sp W l , ss X l , 1 W l , sp X l , 2 - W l , ss - W l , sp W l , ps X l , 1 W l , pp X l , 2 - W l , ps - W l , pp V l , ps X l , 1 V l , pp X l , 2 V l , ps V l , pp - 1 I 0 jH II 0 0 I 0 jZ II T - - - ( 6 )
其中
V l , ss = F c V l , 11 W l , ss = F c W l , 1 + F s V l , 21 V l , sp = F c V l , 12 - F s W l , 2 W l , sp = F s V l , 22 W l , pp = F c V l , 22 V l , pp = F c W l , 2 + F s V l , 12 W l , ps = F c V l , 21 - F s W l , 1 V l , ps = F s V l , 11 V l , 11 = A l - 1 W l , 1 Q l , 1 V l , 12 = ( k y / k 0 ) A l - 1 K x W l , 2 V l , 21 = ( k y / k 0 ) B l - 1 K x E l - 1 W l , 1 V l , 22 = B l - 1 W l , 2 Q l , 2 - - - ( 7 )
其中
Figure FDA0000470967970000033
为特征矩阵的特征矢量矩阵,
Figure FDA0000470967970000035
为特征矩阵
Figure FDA0000470967970000036
的特征值矩阵第
Figure FDA0000470967970000037
个元素的正平方根;
Figure FDA0000470967970000038
为特征矩阵的特征矢量矩阵,
Figure FDA00004709679700000310
为特征矩阵
Figure FDA00004709679700000311
的特征值矩阵第
Figure FDA00004709679700000312
个元素的正平方根;
B l = K x E l - 1 K x - I , I为单位矩阵;
Figure FDA00004709679700000314
是第
Figure FDA00004709679700000315
层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure FDA00004709679700000316
Figure FDA00004709679700000317
Figure FDA00004709679700000318
是第
Figure FDA00004709679700000319
层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure FDA00004709679700000320
Figure FDA00004709679700000321
是第
Figure FDA00004709679700000323
层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure FDA00004709679700000324
Figure FDA00004709679700000326
是第
Figure FDA00004709679700000327
层光栅的对角矩阵,对角元素
Figure FDA00004709679700000328
Figure FDA00004709679700000329
Figure FDA00004709679700000330
为第层光栅的厚度;
Fs是对角矩阵,对角元素
Figure FDA00004709679700000332
Fc是对角矩阵,对角元素
Figure FDA0000470967970000041
Figure FDA0000470967970000042
其中
R为中间变量,T为待求解的透射场各个衍射级次的幅值;
δ为n×1的矩阵,当 i = 0 , &delta; ( i + &PartialD; , 1 ) = 1 ; i &NotEqual; 0 , &delta; ( i + &PartialD; , 1 ) = 0 ;
步骤404、利用增强透射矩阵法,求解透射场的各个衍射级次的幅值T;其中T为n×1的矩阵,T中的每一元素为复数
Figure FDA0000470967970000045
的形式,其中衍射场的幅值为
Figure FDA0000470967970000046
即获得偏振光出射区的衍射场;
具体利用增强透射矩阵法,入射区与出射区电磁场之间的表达式为:
sin &psi;&delta; j sin &psi; n I cos &theta;&delta; - j cos &psi; n I &delta; cos &psi; cos &theta;&delta; + I 0 - jY I 0 0 I 0 - jZ I R = f 1 g 1 [ T 1 ] - - - ( 8 )
f l g l T l = V l , ss V l , sp V l , ss X l , 1 V l , sp X l , 2 W l , ss W l , sp - W l , ss X l , 1 - W l , sp X l , 2 W l , ps W l , pp - W l , ps X l , 1 - W l , pp X l , 2 V l , ps V l , pp V l , ps X l , 1 V l , pp X l , 2 I b l a l - 1 X l T l - - - ( 9 )
X l = X l , 1 0 0 X l , 2 - - - ( 10 )
a l b l = V l , ss V l , sp V l , ss V l , sp W l , ss W l , sp - W l , ss - W l , sp W l , ps W l , pp - W l , ps - W l , pp V l , ps V l , pp V l , ps V l , pp - 1 f l + 1 g l + 1 - - - ( 11 )
f 4 g 4 = I 0 jY II 0 0 I 0 jZ II - - - ( 12 )
T=a3 1X3a2 1X2a1 1X1T1     (13)。
CN201210099559.5A 2012-04-06 2012-04-06 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法 Active CN102654734B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210099559.5A CN102654734B (zh) 2012-04-06 2012-04-06 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210099559.5A CN102654734B (zh) 2012-04-06 2012-04-06 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102654734A CN102654734A (zh) 2012-09-05
CN102654734B true CN102654734B (zh) 2014-06-04

Family

ID=46730370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210099559.5A Active CN102654734B (zh) 2012-04-06 2012-04-06 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102654734B (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG124407A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus
DE102008054582A1 (de) * 2007-12-21 2009-07-09 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
CN102654734A (zh) 2012-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102540698B (zh) 双吸收层交替相移掩模衍射场的计算方法
Lam et al. Accurate 3DEMF mask model for full-chip simulation
CN102654734B (zh) 双吸收层交替相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法
CN101738845A (zh) 光罩及其制作方法
CN102621799B (zh) 双吸收层衰减相移掩模衍射场及偏振度的计算方法
CN102621801B (zh) 带辅助线条的双层衰减相移l/s掩模锥形衍射场的计算方法
CN102636951B (zh) 双吸收层交替相移接触孔掩模衍射场的计算方法
CN104238282A (zh) 极紫外光刻含缺陷掩模衍射谱的快速严格仿真方法
CN102681333B (zh) 多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法
Lin et al. Integration of multiple theories for the simulation of laser interference lithography processes
CN102662303B (zh) 多吸收层二维光掩模近场分布的计算方法
CN102621800B (zh) 带辅助线条的双吸收层衰减相移掩模衍射场的计算方法
CN102654729B (zh) 带辅助线条的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法
Burger et al. Benchmark of rigorous methods for electromagnetic field simulations
CN101923278B (zh) 一种光刻工艺中移相掩模版的建模方法
CN102809894B (zh) 一种计算多吸收层接触孔掩模衍射的方法
CN103617309A (zh) 极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法
CN101988896B (zh) 周期性结构的非破坏性分析方法
CN101916043B (zh) 厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法
Xu et al. Selection of DBO measurement wavelength for bottom mark asymmetry based on FDTD method
Bischoff et al. Scatterometry modeling for gratings with roughness and irregularities
Xu et al. A diffraction-based overlay model based on FDTD method
Yang et al. Polarization effects induced by the bi-layer attenuated phase-shift mask and their impacts on near-field distribution
Yang et al. Simulation of the polarization effects induced by the bilayer absorber alternating phase-shift mask in conical diffraction
Ding et al. Fast imaging model of periodic patterns in plasmonic lithography

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant