KR20060076188A

KR20060076188A - 에러 정정 처리 장치 및 에러 정정 처리 방법

Info

Publication number: KR20060076188A
Application number: KR1020050112666A
Authority: KR
Inventors: 교스케 다카하시; 유키야스 다츠자와
Original assignee: 가부시끼가이샤 도시바
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2005-11-24
Publication date: 2006-07-04
Also published as: US20060143553A1; TW200623050A; KR100639645B1; JP2006190346A; CN1801376A; EP1703509A1

Abstract

본 발명은 효율적이고 고속인 에러 정정 처리를, 회로 규모의 증가를 억제하면서 실현할 수 있는 에러 정정 처리 장치 및 에러 정정 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

메모리(42)에 저장된 A/B면을 갖는 ECC 블록으로부터 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 생성부(45a, 45b)와, 중간 정보를 면 단위로 저장하는 메모리(47, 48)와, 중간 정보에 기초하여 메모리(42)에 저장된 ECC 블록에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 처리부(45c)와, ECC 블록의 위치 정보와, 생성부(45a, 45b), 메모리(47, 48) 및 처리부(45c)에서 이용되는 면 단위의 위치 정보를 관련시키는 제어 수단(43, 44, 46, 52, 53)을 구비한다.

Description

에러 정정 처리 장치 및 에러 정정 처리 방법{ERROR CORRECTION PROCESSING UNIT AND ERROR CORRECTION PROCESSING METHOD}

도 1은 본 발명의 실시예를 도시하는 것으로 광 디스크 장치를 설명하기 위해 나타내는 블록 구성도.

도 2는 동 실시예에 있어서의 광 디스크 장치의 픽업의 일례를 설명하기 위해 나타내는 도면.

도 3은 차세대 DVD 규격에 있어서의 1ECC 데이터 블록을 설명하기 위해 나타내는 도면.

도 4는 동 실시예에 있어서의 광 디스크 장치의 에러 정정 처리 회로의 일례를 설명하기 위해 나타내는 블록 구성도.

도 5는 동 실시예에 있어서의 광 디스크 장치의 정정 실행 처리 회로가 취급하는 1면 단위의 데이터 블록을 설명하기 위해 나타내는 도면.

도 6은 동 실시예에 있어서의 광 디스크 장치의 정정 처리 실행측 회로군이 각 면의 처리에 있어서 공용되는 구조를 설명하기 위해 나타내는 블록 구성도.

도 7은 동 실시예에 있어서의 광 디스크 장치의 A/B면 액세스 전환 회로에 의한 ECC 블록 내 위치 정보와 면내 위치 정보의 관련성을 설명하기 위해 나타내는 도면.

도 8은 동 실시예에 있어서의 광 디스크 장치의 주요 처리 동작을 설명하기 위해 나타내는 플로우차트.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

11 : 광 디스크

12 : 스핀들 모터

13 : 모터 제어 회로

14 : 픽업

15 : 슬레드(sled) 모터

16 : 버스

17 : 슬레드 모터 구동기

18 : 대물 렌즈

19, 20 : 구동 코일

21 : 변조 회로

22 : 호스트 장치

23 : 인터페이스 회로

24 : 레이저 제어 회로

25 : 반도체 레이저 다이오드

26 : 콜리메이터 렌즈

27 : 하프 프리즘

28 : 광학계

29 : 집광 렌즈

30 : 광 검출기

31 : RF 증폭기

32 : 트랙킹 제어부

33 : 포커싱 제어부

34 : 워블 PLL부/어드레스 검출부

35 : 데이터 재생부

36 : PLL 회로

37 : CPU

38 : RAM

39 : ROM

40 : 에러 정정 처리 회로

41, 43, 44, 52, 53 : 메모리 액세스 회로

42, 47, 48 : 메모리

45 : 정정 실행 처리 회로

46 : A/B면 액세스 전환 회로

49 : 에러 플래그수 카운터

50 : MPU 또는 시퀀서

51 : 에러 맵 정보 표시 회로

본 발명은 예컨대, 광 디스크 장치 등에 사용되는 에러 정정 처리 장치 및 에러 정정 처리 방법의 개량에 관한 것이다.

주지되어 있는 바와 같이, 최근에는 디지털 기록 매체로서 DVD(digital versatile disk) 등의 광 디스크가 보급되어 있다. 그리고, 이들 광 디스크를 재생하는 광 디스크 장치에는 높은 신뢰성이 요구되고 있다.

그런데, DVD는 규격 자체도 진화하여 고화질 텔레비전(high-definition TV)에 대응하는 차세대 DVD 규격도 완성되어 있다. 이 차세대 DVD 규격에서는 현재의 DVD보다도 현저하게 기록 밀도가 높기 때문에, 광 디스크 장치로서도 보다 고속인 데이터 처리, 특히 에러 정정 처리를 행하는 것이 요구된다.

특허 문헌 1에는 광 디스크 컨트롤러의 외부 버퍼 메모리로의 액세스 횟수를 적게 함으로써 에러 정정 처리의 고속화를 도모하는 구성이 개시되어 있다. 즉, ECC(error checking and correcting) 블록 데이터의 일부를 그대로 광 디스크 컨트롤러 내의 작업 메모리로 전송하고, 그 이후에는 작업 메모리 내의 데이터를 기초로 에러 정정 처리를 실행하도록 하고 있다. 이 경우, ECC 블록 데이터의 일부란, 곱셈 부호화된 단위보다 작은 단위가 상정되어 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-208751호 공보

그래서, 본 발명은 상기 사정을 고려하여 이루어진 것으로서, 효율적이고 고 속인 에러 정정 처리를 회로 규모의 증가를 억제하면서 실현할 수 있는 에러 정정 처리 장치 및 에러 정정 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 에러 정정 처리 장치는, 제1 면 및 제2 면을 갖는 에러 정정용 블록을 저장하는 제1 기억 수단과, 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록이 면 단위로 공급되고 이 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 생성 수단과, 생성 수단으로 생성된 중간 정보를 면 단위로 저장하는 제2 기억 수단과, 제2 기억 수단에 저장된 중간 정보에 기초하여 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 처리 수단과, 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 위치 정보와, 생성 수단, 제2 기억 수단 및 처리 수단에서 이용되는 면 단위의 위치 정보를 관련시키는 제어 수단을 구비하도록 한 것이다.

또한, 본 발명에 따른 에러 정정 처리 방법은, 제1 면 및 제2 면을 갖는 에러 정정용 블록을 제1 기억 수단에 저장하는 제1 공정과, 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제1 면의 데이터로부터 생성 수단에 의해 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 제2 공정과, 생성 수단으로 생성된 에러 정정용 블록의 제1 면에 대한 중간 정보를 제2 기억 수단에 면 단위로 저장하는 제3 공정과, 제2 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제1 면에 대한 중간 정보에 기초하여 처리 수단에 의해 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제1 면의 데이터에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 제4 공정과, 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제2 면의 데이터로부터 생성 수단에 의해 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 제5 공정과, 생성 수단으로 생성된 에러 정정용 블록의 제2 면에 대한 중간 정보를 제2 기억 수단에 면 단위로 저장하는 제6 공정과, 제2 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제2 면에 대한 중간 정보에 기초하여 처리 수단에 의해 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제2 면의 데이터에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 제7 공정을 구비하도록 한 것이다.

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이 실시예에 따른 광 디스크 장치는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같은 구성을 갖고 있다. 여기서 광 디스크(11)로서는 사용자 데이터를 기록(또는 다시 쓰기) 가능한 광 디스크, 또는 판독 전용의 광 디스크가 대상이 되지만, 이 실시예에서는 기록(또는 다시 쓰기) 가능한 광 디스크로 해서 설명을 행한다.

기록 또는 다시 쓰기 가능한 광 디스크(11)로서는 예컨대, 파장 405 nm 전후의 청색계 레이저광을 이용한 차세대 DVD-RAM(random access memory), DVD-RW(rewritable), DVD-R(recordable) 등이나, 또는 파장 650 nm 전후의 적색계 레이저광을 이용한 현세대 DVD-RAM, DVD-RW, DVD-R 등이 있다.

광 디스크(11)의 표면에는 나선형(sprial form)으로 랜드 트랙 및 그루브 트랙이 형성되어 있다. 이 광 디스크(11)는 스핀들 모터(12)에 의해 회전 구동된다. 이 스핀들 모터(12)는 모터 제어 회로(13)에 의해 그 회전 속도가 제어되고 있다.

광 디스크(11)에 대한 정보의 기록, 재생은 픽업(14)에 의해 행해진다. 픽업(14)은 슬레드 모터(15)와 기어를 통해 연결되어 있다. 이 슬레드 모터(15)는 데이터 버스(16)에 접속되는 슬레드 모터 구동기(17)에 의해 제어된다. 슬레드 모터(15)의 고정부에는 도시하지 않은 영구 자석이 설치되어 있고, 도시하지 않는 구동 코일이 여자됨으로써 픽업(14)이 광 디스크(11)의 반경 방향으로 이동한다.

픽업(14)에는 도 2에 도시한 바와 같이 대물 렌즈(18)가 설치되어 있다. 대물 렌즈(18)는 구동 코일(19)의 구동에 의해 포커싱 방향(렌즈의 광축 방향)으로 이동할 수 있고, 또한 구동 코일(20)의 구동에 의해 트랙킹 방향(렌즈의 광축과 직교하는 방향)으로 이동할 수 있으며, 레이저광의 빔 스폿을 이동함으로써 트랙 점프를 행할 수 있다.

변조 회로(21)는 정보 기록시에 호스트 장치(22)로부터 인터페이스 회로(23)를 통해 공급되는 사용자 데이터를 예컨대 8-14 변조(EFM: eight to fourteen modulation)하여 EFM 데이터를 생성한다. 레이저 제어 회로(24)는 정보 기록 시(마크 형성시)에 변조 회로(21)로부터 공급된 EFM 데이터에 기초하여 기록용 신호를 반도체 레이저 다이오드(25)에 제공한다.

또한, 레이저 제어 회로(24)는 정보 판독시에는 기록 신호보다 작은 판독용 신호를 반도체 레이저 다이오드(25)에 제공한다.

반도체 레이저 다이오드(25)는 레이저 제어 회로(24)로부터 공급되는 기록용 신호에 따라 레이저광을 발생한다. 반도체 레이저 다이오드(25)로부터 발생하는 레이저광은 콜리메이터 렌즈(26), 하프 프리즘(27), 광학계(28), 대물 렌즈(18)를 통 해 광 디스크(11) 상에 조사된다. 광 디스크(11)로부터의 반사광은 대물 렌즈(18), 광학계(28), 하프 프리즘(27), 집광 렌즈(29)를 통해 광 검출기(30)로 유도된다.

광 검출기(30)는 4분할의 광 검출 셀로 이루어지고, 신호 A, B, C, D를 RF(radio frequency) 증폭기(31)로 공급한다. RF 증폭기(31)는 예컨대 푸시풀 방식을 채용하여 (A+D) - (B+C)에 대응하는 트랙킹 에러 신호(TE)를 트랙킹 제어부(32)에 공급하고, 예컨대 비점수차법을 채용하여 (A+C) - (B+D)에 대응하는 포커스 에러 신호(FE)를 포커싱 제어부(33)에 공급한다.

또한, RF 증폭기(31)는 예컨대 상기한 (A+D) - (B+C)에 대응하는 워블 신호(WB)를 워블 PLL부/어드레스 검출부(34)에 공급하고, (A+D) + (B+C)에 대응하는 RF 신호를 데이터 재생부(35)에 공급한다.

한편, 포커싱 제어부(33)의 출력 신호는 포커싱 방향의 구동 코일(19)에 공급된다. 이에 따라 레이저광이 광 디스크(11)의 기록막 상에 항상 저스트 포커스로 되는 제어가 이루어진다. 또한, 트랙킹 제어부(32)는 트랙킹 에러 신호(TE)에 따라 트랙 구동 신호를 생성하여 트랙킹 방향의 구동 코일(20)에 공급하고 있다.

상기 포커싱 제어 및 트랙킹 제어가 이루어짐으로써 광 검출기(30)의 광 검출 셀의 출력 신호의 합 신호(RF)는 기록 정보에 대응하여 광 디스크(11)의 트랙 상에 형성된 피트 등으로부터의 반사율의 변화가 반영된다. 이 신호는 데이터 재생부(35)에 공급된다.

데이터 재생부(35)는 PLL 회로(36)로부터의 재생용 클록 신호에 기초하여 기록 데이터를 재생한다. 또한, 데이터 재생부(35)는 신호(RF)의 진폭을 측정하는 기 능을 가지며, 이 측정치는 CPU(37)에 의해 판독된다.

상기 트랙킹 제어부(32)에 의해 대물 렌즈(18)가 제어되고 있을 때, 대물 렌즈(18)가 광 디스크(11)의 최적의 위치가 되도록 슬레드 모터(15)가 제어됨으로써 픽업(14)이 제어된다.

모터 제어 회로(13), 레이저 제어 회로(24), 포커싱 제어부(33), 트랙킹 제어부(32), 데이터 재생부(35), PLL 회로(36) 등은 서보 제어 회로로서 하나의 LSI 칩 내에 구성할 수 있다.

또한, 이들 회로부는 버스(16)를 통해 CPU(37)에 의해 제어된다. CPU(37)는 인터페이스 회로(23)를 통해 호스트 장치(22)로부터 제공되는 동작 명령에 기초하여 이 광 디스크 장치를 종합적으로 제어하고 있다.

또한, CPU(37)는 RAM(38)을 작업 영역으로서 사용하고 ROM(read only memory)(39)에 기록된 프로그램에 따라 소정의 동작을 행한다.

그리고, 상기 데이터 재생부(35)에서 재생된 데이터는 에러 정정 처리 회로(40)에 의해 에러 정정 처리가 실시된 후, 영상, 부영상 및 음성 등의 재생에 제공된다.

도 3은 차세대 DVD 규격에 있어서의 에러 정정용 블록인 1ECC 데이터 블록을 나타내고 있다. 이 1ECC 데이터 블록은 A(제1)면과 B(제2)면으로 2분할되고, 각각의 면은 곱셈 부호화되어 있다.

그리고, A면, B면 각각에 있어서 PO 방향의 에러 정정 부호는 부호 길이 208 바이트, 정보 길이 192 바이트, 최소 거리 17의 RS 부호이며, PI 방향의 에러 정정 부호는 부호 길이 182 바이트, 정보 길이 172 바이트, 최소 거리 11의 RS 부호로 되어 있다.

도 4는 상기 에러 정정 처리 회로(40)의 일례를 나타내고 있다. 이 에러 정정 처리 회로(40)에는 차세대 DVD인 광 디스크(11)로부터 판독된 신호가 디지탈화 처리, 변조 처리, 동기 검출 처리된 후, ECC 블록 내 위치 정보와 함께 도 3에서 나타낸 ECC 블록 데이터로 해서 도달한다.

도달된 데이터는 그것에 대응하는 ECC 블록 내 위치 정보를 토대로 메모리 액세스 회로(41)에 의해 도달 데이터 저장용 메모리(42) 내의 저장 위치 정보(어드레스)와 관련시켜서 저장을 위한 액세스 제어가 행해진다. 이 메모리(42)로서는 대용량으로 액세스 속도적으로는 고속이 아닌 SDRAM 등이 상정된다. 이 메모리(42)로서 상기 작업 메모리로서의 RAM(38)을 공용으로 하더라도 좋다.

도달된 ECC 블록 데이터는 저장 효율, 메모리 액세스 회로(41)에서의 액세스 효율, 또한 후술하는 각 메모리 액세스 회로(43, 44)의 액세스 효율[이것은 메모리(42)의 특성에도 의존함]을 부가하여 적당한 포맷으로 메모리(42)에 저장된다.

이 경우, 예컨대 A면과 B면으로 영역을 구획하거나, 부호화 대상인 원래의 데이터와 패리티 데이터(P0/PI)를 추가로 각각의 영역으로 구획하거나 하더라도 좋다. 어떻게 하더라도 도 3에 나타낸 ECC 블록 데이터의 ECC 블록 내 위치 정보와, 메모리(42)의 저장처 위치(어드레스) 사이에 어떠한 관련성이 이루어져 저장이 행해진다.

그리고 상기 메모리 액세스 회로(43)는 메모리(42)에 저장된 도달 데이터의 저장 위치 정보와, 정정 실행 처리 회로(45)에서 이용되는 데이터의 ECC 블록 내 위치 정보 사이를 관련시킴으로써, 정정 실행 처리 회로(45)에 적합한 순서로 메모리(42)로부터의 판독을 위한 액세스를 행하고 있다.

이 메모리 액세스 회로(43)에 의한 메모리(42)로부터의 데이터의 판독, 즉 정정 실행 처리 회로(45)로의 데이터 입력은 A, B 각 면의 데이터 단위로 각각 행해진다. 이 데이터의 판독(입력) 순서는 예컨대 도 5에 도시한 바와 같이 제0 행번째, 제0 열번째 데이터로부터 우측 방향으로 제207 행번째, 제181 열번째의 데이터를 향해 순서대로 입력된다.

또한, 반대로 제207 행번째, 제181 열번째의 데이터로부터 좌측 방향으로 제0 행번째, 제0 열번째를 향해 순서대로 입력되도록 하더라도 좋다. 나아가서는 제0 행번째, 제0 열번째의 데이터로부터 아래 방향으로 제207 행번째, 제181 열번째 데이터를 향해 순서대로 입력되도록 하더라도 좋고, 반대로 제207 행번째, 제181 열번째의 데이터로부터 위 방향으로 제0 행번째, 제0 열번째를 향해 순서대로 입력되도록 하더라도 좋다.

또한, 상기 메모리 액세스 회로(44)는 정정 실행 처리 회로(45)로부터 그 정정 실행 처리 결과인 에러 패턴 정보와 A, B 각 면 내의 에러 위치 정보를 수취하고, 메모리(42)의 저장처 위치와 관련시켜 메모리(42)에 대하여 그 내부 정보를 갱신하기 위한 액세스를 행하고 있다.

이 경우, 메모리 액세스 회로(44)는 A/B면 액세스 전환 회로(46)를 통해 수취한 ECC 블록 내 위치 정보와 데이터 갱신 정보에 기초하여 메모리(42)에 대한 액 세스를 행하고 있다.

또한, 메모리 액세스 회로(43, 44) 및 정정 실행 처리 회로(45)는 각각 ECC 블록 데이터 등을 전송하기 위해 필요한 용량의 버퍼를 구비하고 있는 것으로 한다.

그리고, 이 A/B면 액세스 전환 회로(46)에서는 정정 실행 처리 회로(45)에서 인식 가능한 A, B 각 면 내의 위치 정보와, 메모리 액세스 회로(43, 44)에서 필요로 하는 ECC 블록 내의 위치 정보와의 변환을 행하고 있다.

여기서, 정정 실행 처리 회로(45)는 면 단위로 정정 실행 처리를 행하는 회로이다. 즉, 정정 실행 처리 회로(45)는 도 5에 도시하는 면 단위의 데이터가 정정 실행 처리 회로(45)에 적합한 순서로 입력됨으로써 면 내의 PI 방향 및 PO 방향의 모든 신드롬(Syndrome)을 생성한다. 또한, 정정 실행 처리 회로(45)는 생성한 신드롬을 토대로 PI 방향 및 PO 방향의 에러 유무를 검출하여 에러 플래그를 생성한다. 이들 신드롬 및 에러 플래그는 각각 메모리(47, 48)에 저장된다.

또한, 정정 실행 처리 회로(45)에서 생성된 에러 플래그는 에러 플래그 수 카운터(49)에 공급되어 PI 방향 및 PO 방향에서 에러 플래그 수가 카운트된다.

이와 같이 생성된 중간 정보(신드롬, 에러 플래그, 에러 플래그 수)에 기초하여, 이번에는 정정 실행 처리 회로(45)가 에러 정정 처리(에러 패턴 정보와 에러 위치 정보의 도출)를 실행하여 이들 정정 정보를 출력한다.

이 처리는 PI 방향 및 PO 방향의 부호화된 데이터 단위를 최소 단위로 하여 처리량, 처리 방향(PI/P0 방향), 처리 개소, 정정 실행 모드(소거 사용, 미사용) 등을 적합한 알고리즘에 따라 결정하여 실행한다.

이 결정에 관해서는 MPU(micro processing unit)(50)가 행하더라도 좋고, HW만으로 이루어지는 시퀀서(50)가 행하더라도 좋다. 또한, 이 때 실행된 결과로서 에러 패턴 정보와 에러 위치 정보가 추출되지만, 동시에 신드롬, 에러 플래그, 에러 플래그 수 카운터값을 처리 결과를 근거로 하여 수시 갱신을 행하고, 다음 정정 실행 처리군의 개시에 의해 정합성을 유지하여 다음의 처리 동작을 결정하기 위한 정보로서 사용된다.

면 단위의 처리의 종료 조건을 용도에 따른 어떤 적절한 조건 설정에 의해 결정하여 다음 면의 처리로 옮긴다. 그 면 단위의 종료의 검지, 다음 면의 처리용 동작 설정 및 개시는 MPU(50)가 제어하더라도 좋고, HW만으로 이루어지는 시퀀서(50)가 행하더라도 좋다.

메모리(47, 48)는 메모리(42)에 비해 비교적 소용량이고, 그러나 고속인 것(SRAM 등)이 사용된다. 메모리(47)에는 정정 실행 처리 회로(45)에서 생성된 신드롬이 저장된다. 이 경우, 1면 단위로 PI 방향 및 PO 방향 각각의 신드롬이 저장된다. 이것은 전술한 바와 같이 정정 실행 처리 회로(45)에 의해 최초로 메모리(42)로부터 1면분의 데이터를 취득하여 신드롬 계산을 행한 결과를 저장하는 것뿐만 아니라, 정정 실행 처리(에러 패턴 정보, 에러 위치 정보의 도출)가 행해질 때마다 내용이 갱신된다.

메모리(48)에는 정정 실행 처리 회로(45)에서 생성된 에러 플래그가 저장된다. 이 경우, 1면 단위로 PI 방향 및 PO 방향 각각의 에러 플래그가 저장된다. 이 것은 전술한 바와 같이 정정 실행 처리 회로(45)에 의해 메모리(42)로부터 1면분의 데이터를 취득하여 에러 플래그의 생성을 행한 결과를 저장하는 것뿐만이 아니라, 정정 실행 처리(에러 패턴 정보, 에러 위치 정보의 도출)가 행해질 때마다 내용이 갱신된다.

에러 플래그 수 카운터(49)는 정정 실행 처리 회로(45)에서 생성된 에러 플래그의 수를 PI 방향 및 PO 방향의 각각에서 카운트를 행하고 있다. 이것은 정정 실행 처리 회로(45)에 의해 최초로 메모리(42)로부터 1면분의 데이터를 취득하여 에러 플래그의 생성을 행할 때에 카운트를 행할 뿐만 아니라, 정정 실행 처리(에러 패턴 정보, 에러 위치 정보의 도출)가 행해질 때마다 카운트가 갱신된다.

에러 맵 정보 표시 회로(51)는 메모리(48)에 저장된 에러 플래그 정보나 에러 플래그 수 카운터(49)에서 카운트된 에러 플래그 수 정보 등으로부터 에러 맵의 정보를 추출하여 표시하는 동시에 MPU(50)에 출력한다. 이에 따라 MPU(50)는 적당한 알고리즘에 의해 정정 실행 처리의 동작 지정을 행한다. 또한, 이들 에러 맵 정보는 HW만으로 이루어지는 시퀀서(50)에 표시되어 HW적으로 동작 처리 내용이 결정되도록 하더라도 상관없다.

MPU(50), HW만으로 이루어지는 시퀀서(50)는 정정 실행 처리에 관련되는 각종 설정 정보 및 에러 맵 정보 표시 회로(51)로부터의 에러 맵 정보를 토대로 정정 실행 처리 동작을 지정한다.

메모리 액세스 회로(52)는 메모리(47)에 대한 신드롬 저장/갱신용 액세스를 실현한다. 또한, 메모리 액세스 회로(53)는 메모리(48)에 대한 에러 플래그 저장/ 갱신용 액세스를 실현한다.

도 5는 정정 실행 처리 회로(45)가 취급하는 1면 단위(A면/B면)의 데이터 블록 이미지를 나타내고 있다. 이 데이터 블록을 정정 실행 처리 회로(45)에서 상정하고 있는 순서로 정정 실행 처리 회로(45)에 입력한다. 순서는 예컨대 전술한 바와 같이 한다. 도 5에서는 그 일례를 나타내며 제0 행번째, 제0 열번째의 데이터로부터 우측 방향으로 제207 행번째, 제181 열번째의 데이터를 향해 순서대로 입력되는 것으로 하고 있다.

도 6은 상기 정정 실행 처리 회로(45), 신드롬 저장용 메모리(47), 에러 플래그 저장용 메모리(48), 각각의 메모리(47, 48)에 대한 메모리 액세스 회로(52, 53) 등으로 이루어지는 정정 처리 실행측 회로군이 각각 A면 및 B면의 처리에 있어서 공용하는 구조에 대해서 개요를 나타낸 것이다.

정정 실행 처리 회로(45)는 자세하게는 신드롬 생성부(45a), 에러 플래그 생성부(45b), 정정 실행 처리부(에러 패턴 정보, 에러 위치 정보 추출)/신드롬 갱신부(45c), 에러 플래그 갱신부(45d) 등으로 구성된다.

이들 정정 처리 실행측 회로군 전체로서 인식할 수 있는 최대 데이터 블록 단위는 면 단위이며, 면 단위의 위치 정보의 인식에 대하여 면 지정(A/B 면)을 부가하여 ECC 블록 내 위치 정보와의 관련성을 A/B면 액세스 전환 회로(46)에서 실현함으로써 면 단위에서 정정 처리 실행측 회로군의 공용을 실현하고 있다.

도 7은 A/B면 액세스 전환 회로(46)에 의한 ECC 블록 내 위치 정보와 면내 위치 정보의 관련성의 개요를 나타내고 있다.

도 8은 도 4에 나타낸 에러 정정 처리 회로(40)의 주요 처리 동작을 통합한 플로우차트를 나타내고 있다. 즉, 개시(S0)되면, 단계 S1에서 도달 데이터의 유지가 메모리(42)에 대하여 행해진다.

그리고, 단계 S2에서 정정 실행 처리 회로(45)에 의해 ECC 블록 데이터의 A(또는 B)면에 대한 신드롬(syndrome) 생성, 에러 플래그 생성 및 에러 플래그 수의 카운트가 행해진다.

그 후, 단계 S3에서 에러 맵 정보 표시 회로(51)에 의해 추출된 에러 맵 정보를 MPU(50) 또는 HW만으로 이루어지는 시퀀서(50)가 인식하고, 단계 S4에서 면 단위에서의 정정 실행 처리 종료 조건이 성립했는지의 여부가 판별된다. 그리고, 면 단위에서의 정정 실행 처리 종료 조건이 성립하고 있지 않다고 판단된 경우(No), 단계 S5에서 정정 실행 처리 동작이 결정되고, 단계 S6에서 정정 실행 처리가 행해지고 단계 S3의 처리로 복귀된다.

또한, 상기 단계 S4에서 면 단위에서의 정정 실행 처리 종료 조건이 성립했다고 판단된 경우(Yes), 다음 면의 처리로 이행하고 단계 S7에서 정정 실행 처리 회로(45)에 의해 ECC 블록 데이터의 B(또는 A)면에 대한 신드롬 생성, 에러 플래그 생성 및 에러 플래그 수의 카운트가 행해진다.

그 후, 단계 S8에서 에러 맵 정보 표시 회로(51)에 의해 추출된 에러 맵 정보를 MPU(50) 또는 HW만으로 이루어지는 시퀀서(50)가 인식하고, 단계 S9에서 면 단위에서의 정정 실행 처리 종료 조건이 성립했는지의 여부가 판별된다. 그리고, 면 단위에서의 정정 실행 처리 종료 조건이 성립했다고 판단된 경우(Yes), 처리가 종료(단계 S10)된다.

또한, 단계 S9에서 면 단위에서의 정정 실행 처리 종료 조건이 성립하고 있지 않다고 판단된 경우(No), 단계 S11에서 정정 실행 처리 동작이 결정되고, 단계 S12에서 정정 실행 처리가 행해지고 단계 S8의 처리로 복귀된다.

상기한 실시예에 따르면, ECC 데이터 블록의 A면과 B면에서 1개의 정정 실행 처리 회로(45)를 효율적으로 사용하여 에러 정정 처리를 실현하도록 하였기 때문에, 고속이고 고효율인 에러 정정 처리를 비교적 용이한 회로 구성으로 실현하는 것이 가능하게 된다. 또한, 성능을 유지하면서 회로 규모를 억제하는 것도 가능하게 된다. 그리고, 고속이고 고효율인 회로가 실현됨으로써 고밀도의 전송 속도가 요구되는 차세대 광 디스크에 있어서의 배속 대응 경쟁에 대한 대응도를 높게 할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기한 실시예에만 한정되는 것이 아니라, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 여러가지로 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기한 실시예에 개시되어 있는 복수의 구성 요소를 적절히 조합함으로써 여러가지 발명을 형성할 수 있다. 예컨대, 실시예에 나타나는 모든 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제하더라도 좋다. 또한, 다른 실시예에 따른 구성 요소를 적절하게 조합하더라도 좋다.

상기한 구성 및 방법에 따르면, 에러 정정용 블록의 제1 면과 제2 면에서 생성 수단, 제2 기억 수단 및 처리 수단 등을 공용할 수 있기 때문에, 고속이고 고효 율인 에러 정정 처리를 비교적 용이한 회로 구성으로 실현하는 것이 가능하게 된다.

Claims

제1 면 및 제2 면을 갖는 에러 정정용 블록을 저장하는 제1 기억 수단과;

상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록이 면 단위로 공급되어, 이 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 생성 수단과;

상기 생성 수단으로 생성된 중간 정보를 면 단위로 저장하는 제2 기억 수단과;

상기 제2 기억 수단에 저장된 중간 정보에 기초하여 상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 처리 수단과;

상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 위치 정보와, 상기 생성 수단, 제2 기억 수단 및 처리 수단에서 이용되는 면 단위의 위치 정보를 관련시키는 제어 수단

을 포함하는 것을 특징으로 하는 에러 정정 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 제2 기억 수단에 저장된 중간 정보에 기초하여 에러 맵 정보를 생성하고 표시하는 표시 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 에러 정정 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 생성 수단으로 생성되는 중간 정보는 신드 롬 및 에러 플래그를 포함하고, 상기 처리 수단으로 생성되는 정정 정보는 에러 패턴 정보 및 에러 위치 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 에러 정정 처리 장치.
제1 면 및 제2 면을 갖는 에러 정정용 블록을 제1 기억 수단에 저장하는 제1 공정과;

상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제1 면의 데이터로부터 생성 수단에 의해 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 제2 공정과;

상기 생성 수단으로 생성된 상기 에러 정정용 블록의 제1 면에 대한 중간 정보를 제2 기억 수단에 면 단위로 저장하는 제3 공정과;

상기 제2 기억 수단에 저장된 상기 에러 정정용 블록의 제1 면에 대한 중간 정보에 기초하여 처리 수단에 의해 상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제1 면의 데이터에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 제4 공정과;

상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제2 면의 데이터로부터 상기 생성 수단에 의해 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 제5 공정과;

상기 생성 수단으로 생성된 상기 에러 정정용 블록의 제2 면에 대한 중간 정보를 상기 제2 기억 수단에 면 단위로 저장하는 제6 공정과;

상기 제2 기억 수단에 저장된 상기 에러 정정용 블록의 제2 면에 대한 중간 정보에 기초하여 상기 처리 수단에 의해 상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 제2 면의 데이터에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 제7 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 에러 정정 처리 방법.
제4항에 있어서, 상기 제2 기억 수단에 저장된 중간 정보에 기초하여 에러 맵 정보를 생성하고 표시하는 제8 공정과,

상기 제8 공정에서 생성된 에러 맵 정보에 따라 상기 각 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 공정을 반복하여 행하는 제9 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에러 정정 처리 방법.
광 디스크를 회전 구동하는 모터와;

상기 모터에 의해 회전 구동되는 상기 광 디스크로부터 신호를 판독하는 픽업과;

상기 픽업으로 판독된 신호로부터 제1 면 및 제2 면을 갖는 에러 정정용 블록을 저장하는 제1 기억 수단과;

상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록이 면 단위로 공급되고, 이 면 단위로 에러 정정 처리를 위한 중간 정보를 생성하는 생성 수단과;

상기 생성 수단으로 생성된 중간 정보를 면 단위로 저장하는 제2 기억 수단과;

상기 제2 기억 수단에 저장된 중간 정보에 기초하여 상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록에 대하여 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 처리 수단과;

상기 제1 기억 수단에 저장된 에러 정정용 블록의 위치 정보와, 상기 생성 수단, 제2 기억 수단 및 처리 수단에서 이용되는 면 단위의 위치 정보를 관련시키는 제어 수단

을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제6항에 있어서, 상기 제2 기억 수단에 저장된 중간 정보에 기초하여 에러 맵 정보를 생성하고 표시하는 표시 수단과,

상기 에러 맵 정보에 따라 상기 각 면 단위 내에서 몇 개로 분할된 단위로 에러 정정 처리를 행하기 위한 정정 정보를 생성하는 처리를 반복하여 행하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 생성 수단으로 생성되는 중간 정보는 신드롬 및 에러 플래그를 포함하고, 상기 처리 수단으로 생성되는 정정 정보는 에러 패턴 정보 및 에러 위치 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디스크 장치.