JP5367686B2 - データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法 - Google Patents

データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5367686B2
JP5367686B2 JP2010288830A JP2010288830A JP5367686B2 JP 5367686 B2 JP5367686 B2 JP 5367686B2 JP 2010288830 A JP2010288830 A JP 2010288830A JP 2010288830 A JP2010288830 A JP 2010288830A JP 5367686 B2 JP5367686 B2 JP 5367686B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
channel
parity
plane
channels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010288830A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012137886A (ja
Inventor
元彦 松山
享祐 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010288830A priority Critical patent/JP5367686B2/ja
Priority to US13/311,403 priority patent/US9021183B2/en
Publication of JP2012137886A publication Critical patent/JP2012137886A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5367686B2 publication Critical patent/JP5367686B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's

Description

本発明の実施形態は、不揮発性メモリを記憶媒体とするデータ記憶装置に関する。
近年、データ記憶装置として、書き換え可能な不揮発性メモリであるNAND型フラッシュメモリ(以下、単にフラッシュメモリと表記する場合がある)を記憶媒体とするSSD(solid state drive)の開発が推進されている。
SSDでは、複数のフラッシュメモリがチャネル単位に管理されて、各チャネルに対してデータを並列に書き込むマルチチャネル方式が一般的である。このようなマルチチャネル方式では、各チャネルに書き込むデータ(ユーザデータ)を使用して、チャネル間で誤り訂正処理(ICP: Inter Channel Parity)が可能な誤り訂正符号データ(RS符号: Reed-Solomon符号、以下、パリティデータと表記する場合がある)が生成される。この誤り訂正符号データは、複数チャネルの中から設定されたチャネルのフラッシュメモリに格納される。
特開2006−190346号公報
マルチチャネル方式のSSDでは、チャネル間で誤り訂正処理が可能なパリティデータが生成されて、設定されたチャネルに格納される。SSDでは、フラッシュメモリに格納するデータを管理する形式として、論理ブロック構成のデータ管理形式がある。パリティデータを含む符号化データは、論理ブロック中の任意の位置(格納場所)に割り当てられることになる。このような符号化データの格納処理は、SSDの性能であるライト処理に影響を与える。
そこで、本発明の目的は、ICP機能を実現するパリティデータを含む符号化データの格納処理の効率化を図ることができるデータ記憶装置を提供することにある。
実施形態によれば、データ記憶装置は、チャネル制御手段と、符号化手段と、データ制御手段とを具備する。チャネル制御手段は、複数チャネルの各不揮発性メモリに対してデータの入出力を制御する。符号化手段は、前記各不揮発性メモリに記憶されるデータを使用して、チャネル間の誤り検出訂正処理が可能な符号化データを生成する。データ制御手段は、前記チャネル制御手段により前記符号化データを前記各チャネルに並列に書き込むときに論理ブロック単位で管理し、かつ前記符号化データに含まれるパリティデータを前記論理ブロック中の1つのプレーンに割り当てて管理する。さらに、前記データ制御手段は、前記論理ブロックが前記複数のチャネルと、第1及び第2のプレーンのマトリックスとして構成されている場合に、前記パリティデータを前記第1または第2のプレーンのいずれかに割り当てて管理する
実施形態に関するデータ記憶装置の構成を説明するためのブロック図。 実施形態に関するフラッシュメモリコントローラの構成を説明するためのブロック図。 実施形態に関するICPモジュールの構成を説明するためのブロック図。 実施形態に関するデータ管理の形式を説明するための図。 実施形態に関するパリティデータを含む符号化データの管理概要を説明するための図。 実施形態に関するデコード処理時のデータの入出力を説明するための図。 実施形態に関するエンコード処理を説明するための図。 実施形態に関するデコード処理を説明するための図。 実施形態に関するチャネルのインターフェース制御を説明するための図。 実施形態に関するチャネルのインターフェース制御を説明するための図。 実施形態に関するRS演算器のエンコード処理を説明するための図。 実施形態に関するRS演算器のデコード処理を説明するための図。 実施形態に関するRS演算器のデコード処理を説明するための図。 実施形態に関するICP処理を説明するためのフローチャート。 実施形態に関するICP処理を説明するためのフローチャート。
以下図面を参照して、実施形態を説明する。
[データ記憶装置の構成]
図1は、実施形態のデータ記憶装置の構成を示すブロック図である。
図1に示すように、実施形態のデータ記憶装置はSSD(solid state drive)であり、SSDコントローラ10と、NAND型フラッシュメモリ(フラッシュメモリ)20と、DRAM(dynamic random access memory)からなるバッファメモリ21とを有する。
フラッシュメモリ20は、SSDのデータ記憶媒体であり、複数のフラッシュメモリチップから構成されている。本実施形態のSSDは、マルチチャネル方式であり、各チャネルCH-0〜CH-nのそれぞれに対応するフラッシュメモリ200〜20nを有する。なお、本実施形態では、便宜的に5チャネルCH-0〜CH-4のそれぞれに対応するフラッシュメモリ200〜204を有する。
SSDコントローラ10は、フラッシュメモリコントローラ11と、バッファマネージャモジュール12と、ホストインターフェースコントローラ13と、サブシステムモジュール14とを有する。
フラッシュメモリコントローラ11は、チャネルCH-0〜CH-4毎にフラッシュメモリ201〜204のリード/ライト動作の制御及びデータ転送制御を実行する(図2を参照)。バッファマネージャモジュール12は、バッファメモリ21を制御し、バッファメモリとのデータ転送を制御する。バッファメモリ21は、フラッシュメモリ200〜20nに対してライトするデータまたはリードされたデータを一時的に格納する。また、バッファメモリ21は、フラッシュメモリ20のアクセス回数の統計情報や、フラッシュメモリ200〜20nに記憶するデータを管理するためのアドレス変換情報を格納する。
ホストインターフェースコントローラ13は、ホストデバイス30とSSDとのデータやコマンドの転送を制御する。ホストデバイス30は、例えばパーソナルコンピュータに含まれる例えばSATA(Serial ATA)規格のインターフェースコントローラである。
サブシステムモジュール14は、第1及び第2のマイクロプロセッサ(CPU)140,141を有し、SSDコントローラ10の全体的制御を実行する。第1のCPU140は、バッファマネージャモジュール12及びホストインターフェースコントローラ13をそれぞれ制御する。第2のCPU141は、フラッシュメモリコントローラ11及びバッファマネージャモジュール12のそれぞれを制御し、例えばホストデバイス30からのコマンドに応じて、データのライト動作及びリード動作に必要なコマンド処理を実行する。
(フラッシュメモリコントローラの構成)
図2に示すように、フラッシュメモリコントローラ11は、チャネルCH-0〜CH-4毎のチャネルコントローラ100〜104と、IOPS(Input Output per Second)アクセラレータ(以下、単にアクセラレータ: accelerator)110と、データフローコントローラ120と、チャネル間パリティビットモジュール130とを含む。
アクセラレータ110は、チャネルコントローラ100〜104、データフローコントローラ120及びICPモジュール130に対するデータ転送制御及び動作制御を実行する統合コントローラである。アクセラレータ110は、ファームウエア(CPU141)と連携してコマンド処理を制御する。
チャネルコントローラ100〜104は、それぞれ対応するチャネルCH-0〜CH-4毎のフラッシュメモリ200〜204とのインターフェース(データの転送)を制御する。即ち、フラッシュメモリコントローラ11は、チャネルコントローラ100〜104により、チャネルCH-0〜CH-4毎に管理されるフラッシュメモリ200〜204を並列に制御する構成である。
データフローコントローラ120は、チャネルコントローラ100〜104とチャネル間パリティモジュール130との間のデータ転送制御を実行する。また、データフローコントローラ120は、チャネルコントローラ100〜104とバッファマネージャモジュール12との間のデータ転送制御を実行する。チャネル間パリティモジュール130は、後述するように、エラーの発生時に、チャネル間での誤り訂正処理(ICP: Inter Channel Parity)を実行するデータ保護モジュールであル。以下、チャネル間パリティモジュール130を、ICPモジュール130と表記する場合がある。
図3に示すように、ICPモジュール130は、符号化/復号化演算器40と、アドレス計算モジュール41と、アドレス変換モジュール42とを有する。本実施形態では、符号化/復号化演算器(以下、RS演算器と表記する)40は、リードソロモン符号(Reed-Solomon code : RS符号)方法での符号化(エンコード)及び復号化(デコード)の演算処理を実行する。RS演算器40は、後述するように、エンコード処理によりパリティデータを生成し、デコード処理により訂正情報302を生成する。
ここで、チャネルCH-0〜CH-4単位では、フラッシュメモリ200〜204に記憶されるデータにはECCデータが含まれている。チャネルコントローラ100〜104はそれぞれECC処理を実行することで、個別のデータ保護機能を実現している。本実施形態のICPモジュール130は、異なるチャネル間のデータを組み合わせて符号化データを生成することで、チャネル間のデータ保護機能を実現している。なお、RS演算器40は、高速処理のために複数個の演算器からなり、パイプライン的な並列処理を実行する構成、または複数バイト(byte)単位で演算を実行する演算器からなる構成である。
[ICP処理(チャネル間パリティ処理)]
以下、図3から図15までを参照して、本実施形態のICP処理(チャネル間データ保護機能)を説明する。
図4は、本実施形態のデータ管理形式を説明するための図である。本実施形態のフラッシュメモリコントローラ11は、チャネルコントローラ100〜104を介して、チャネルCH-0〜CH-4のフラッシュメモリ200〜204と転送するデータを論理ブロック単位で管理する。
図4(A)に示すように、本実施形態の論理ブロックは、チャネルCH-0〜CH-4、プレーン(Plane)、及び論理ページから定義されている。プレーンは、各チャネルCH-0〜CH-4のメモリ領域(フラッシュメモリ200〜204)を論理的に分割した領域単位を意味する。本実施形態では、各チャネルCH-0〜CH-4で管理するデータは、2プレーン(Plane 0, Plane 1)に分割されて管理される。論理ページ(ページサイズ400,401)は、チャネルCH-0〜CH-4と、2個のプレーン(Plane 0, Plane 1)のマトリックスとして構成されている。以下、プレーン(Plane 0)をプレーン0と表記し、プレーン(Plane 1)をプレーン1と表記する。
論理ブロックは、複数の論理ページから構成される。本実施形態では、プレーン毎の各行列要素は、例えば1バイト(byte)のデータを意味する。ICPモジュール130は、チャネル間のECC処理の単位(データ保護単位)となる符号化データ402を生成する。この符号化データ402は、図4(B)に示すように、論理ページ中において、各チャネルCH-0〜CH-4の各プレーン0,1から1バイトずつのデータを組み合わせた構成である。この符号化(データ保護)は、論理ブロックの全面に対して行なわれることになる。
以下、本実施形態では、図5(A)に示すように、便宜的に1論理ページ(ページサイズ500,501)で1論理ブロックが構成されるものとする。従って、論理ページと論理ブロックとを特に区別せずに表現する。また、本実施形態では、後述するエンコード処理により、図5(B)に示すように、パリティデータ503を含む符号化データ502が生成される。この符号化データ502が論理ブロック中に割り当てられる場合に、パリティデータ503は、論理ブロック中において必ず片方のプレーン(0または1)に割り当てられる。
次に、図14、15のフローチャートを参照し、ICP処理(データ保護)をエンコード処理とデコード処理に大別して説明する。
まず、フラッシュメモリコントローラ11は、フラッシュメモリ200〜204に対するアクセスを実行するときに、各チャネルCH-0〜CH-4の各プレーン0,1単位に処理する。ライトコマンドの処理時には、コントローラ11は、各プレーン0,1の処理を組み合わせて1要求単位(1ライトコマンド)として処理する。このライト処理は、マルチプレーンライト(Multiple Plane Write)と呼ばれている。これにより、ライト処理の高速化(プログラム時間の短縮化)を図ることができる。
図14のフローチャートに示すように、ライト動作では、ホストインターフェースコントローラ13(SASと表記する場合がある)から、バッファメモリ21にユーザデータが転送される(ブロック1000)。フラッシュメモリコントローラ11は、パリティデータを格納するチャネル以外の各チャネルのフラッシュメモリに、バッファメモリ21からユーザデータを転送して書き込む(ブロック1001)。
ICPモジュール130は、エンコード処理を実行することにより、図5(B)に示すように、符号化データ502を生成する。ICPモジュール130は、エンコード処理時に、論理ページ(論理ブロック)単位で書き込みデータを用意し、これをRS演算器40に入力する。RS演算器40は、パリティデータを生成する(ブロック1002)。
図3に示すように、データフローコントローラ120は、チャネルコントローラ100〜104によりフラッシュメモリ200〜204から読み出された書き込みデータ(元データ)302をRS演算器40に転送する。また、データフローコントローラ120は、RS演算器40により生成されたパリティデータをチャネルコントローラ100〜104のいずれかに転送する(ブロック1003)。チャネルコントローラ100〜104は、生成されたパリティデータと元データ(パリティデータ以外の符号データ)を合わせた符号化データを論理ページ単位で書き込み処理を実行する。
図11は、RS演算器40のエンコード処理を説明するための図である。RS演算器40は、RS符号演算を実行する。図11に示すように、RS演算器40は、例えば符号長が2nで、2n-k[byte]の元データ1301を矢印1300の順番で入力されると、k[byte]のパリティデータ1302を生成する。
図12は、RS演算器40のデコード処理(後述する)を説明するための図である。図12に示すように、元データ1301にパリティデータ1302を並べて、符号多項式の次数を振ったものが、最終的に符号化された符号化データ1400となる。
本実施形態は、エンコード処理時に生成されるパリティデータを格納する論理ブロック中の格納位置を、必ず片方のプレーン(0または1)に指定するデータ管理方法を想定している。即ち、本実施形態では、ICP処理(データ保護)で使用するパリティデータを、論理ブロック中でどの様に管理するかを示すデータ管理方法が提案されている。
図7を参照して、本実施形態のエンコード処理を具体的に説明する。
ここで、本実施形態では、符号長が10byteの符号化データを想定する。符号化データの2byte分がパリティデータ702である。図7(A)に示すように、エンコード処理時には、RS演算器40には、プレーン0の元データ700及びプレーン1の元データ701が入力される(矢印704で示す順番)。RS演算器40は、入力される元データ700,701を使用してパリティデータ702を生成する。
次に、図7(B)に示すように、チャネルコントローラ100〜104は、元データ700,701と生成されたパリティデータ702とを関連付けて、論理ブロック中の各プレーン0,1の片方のプレーン(ここでは、プレーン1)にパリティデータ702を格納する(ブロック1002)。この場合、本実施形態では、パリティデータ702を、チャネルCH-2,CH-3のプレーン1に同一バイトずつ格納する。
ここで、図7(B)に示すように、パリティデータ702を格納するチャネルを選択する際に、パリティデータの次数の降順と論理ブロック中の物理番号の昇順とを関連付けて、格納する。即ち、高次である1次のパリティデータを、必ずチャネル番号の小さいチャネル(ここではCH-2)に割り当てる。
また、他の符号データ(パリティデータ以外の符号化データ)を、パリティデータの最下位次数(0次)の論理ブロック中の格納位置を起点として、パリティデータの格納側とは逆側のプレーン(ここでは0)から、次数の降順に論理番号と関連付けて格納する。ここでは、チャネルCH-4のプレーン0である。即ち、各プレーンの始点チャネル番号は、「(最下位次数の格納チャネル番号+1)/総チャネル数」から算出される番号となる。この場合、パリティデータを格納するチャネル(CH-2,CH-3)をスキップして、2次以上の符号データ(パリティデータ以外の符号化データ)の格納が完了した後に、パリティデータの格納を開始する。
以上要するに、パリティデータを格納する場合に、前述のように論理ブロックを管理することにより、符号化データの次数と論理ブロック中の位置情報との関連付けた処理を、整合性の取れた形で行なうことが可能となる。エンコード処理時においては、2次以上の全ての符号化データが入力された後に、1次以下のパリティデータが生成される。このパリティデータが、論理ブロック中の片方のプレーン(ここでは1)に格納される方法により、パリティデータ以外の符号データの格納に継続する形でパリティデータの格納処理を実行できる。
図9及び図10は、エンコード処理時でのチャネルコントローラ100〜104でのインターフェース制御を説明するための図である。
図9は、本実施形態のデータ管理方法とは異なり、パリティデータを両方のプレーン0,1に格納する方法の場合を示す。即ち、図9(A)に示すように、フェーズ0では、チャネルコントローラ100〜104は、チャネルCH-1以外の各チャネルのプレーン0に対して、元データ(パリティデータ以外の符号データ)を書き込む。次に、図9(B)に示すように、フェーズ1では、チャネルコントローラ100〜104は、チャネルCH-3のプレーン1にパリティデータ(0次)を書き込み、これ以外の各チャネルのプレーン1に対して元データを書き込む。さらに、図9(C)に示すように、フェーズ2では、チャネルコントローラ100〜104は、チャネルCH-1のプレーン0にパリティデータ(1次)を書き込む。
このようなデータ管理方法では、図9(A)に示すフェーズ1の処理において、必ずプレーン0,1の両方のプレーンに対する処理が必要なチャネルが存在してしまう。この場合、フェーズ1の処理では、どちらか一方のプレーン(1)の処理しかできない。従って、残りの片方のプレーン(0)はフェーズ2の処理として、フェーズを分けた処理が必要となる。
これに対し、本実施形態のデータ管理方法では、図10(A)に示すように、フェーズ0では、チャネルコントローラ100〜104は、各チャネルのプレーン0に対して、元データ(パリティデータ以外の符号データ)を書き込む。次に、図10(B)に示すように、フェーズ1では、チャネルコントローラ100〜104は、チャネルCH-2のプレーン1にパリティデータ(1次)を書き込み、チャネルCH-3のプレーン1にパリティデータ(0次)を書き込む。従って、チャネルコントローラ100〜104は、フェーズ1の処理において、チャネルCH-2,CH-3以外の各チャネルのプレーン1に元データを書き込み、継続してプレーン1にパリティデータ(0次,1次)を書き込むことができる。
以上のようにして、本実施形態のデータ管理方法は、パリティデータを片方のプレーン1に格納するように、論理ブロックを管理する。これにより、フェーズを分けた処理を要することなく、フェーズ1の処理で、プレーン1にパリティデータ(0次,1次)を格納する処理が完了となる。従って、エンコード処理時でのライト処理の高速化を実現することが可能となる。
(デコード処理)
図15のフローチャートに示すように、リード動作では、フラッシュメモリコントローラ11は、各チャネルのフラッシュメモリからユーザデータを読み出してバッファメモリ21に転送する(ブロック1100)。このとき、フラッシュメモリコントローラ11は、読み出したユーザデータのエラーチェックをECCにより実行する(ブロック1101)。フラッシュメモリコントローラ11は、エラー訂正が可能であれば、ECCによる訂正処理を実行する(ブロック1102のYES,1103)。ECCによりエラー訂正されたユーザデータは、バッファメモリ21からホストインターフェースコントローラ13に転送される(ブロック1104)。
ここで、フラッシュメモリコントローラ11は、例えば、チャネルコントローラ100〜104によりデータのアクセス時にエラーが検出され、ECCでの訂正能力を超えた場合でかつデータ復帰が必要な場合、ICPモジュール130に対してICP処理(チャネル間パリティ処理)を実行させる(ブロック1102のNO,1105のYES)。
ICPモジュール130は、フラッシュメモリから読み出されるパリティデータを使用してデコード処理(データ復元処理)を実行する(ブロック1106,1107)。
以下、本実施形態のエンコード処理により生成される符号化データ(元データとパリティデータ)の管理方法において、主として図3及び図6を参照してデコード処理を説明する。
まず、図6に示すように、データフローコントローラ120は、チャネルコントローラ100〜104を介してフラッシュメモリ200〜204から読み出された符号化データ600をRS演算器40に転送する。このとき、データフローコントローラ120は、図7(B)に示すように、管理している論理ブロックから、パリティデータの格納側と逆のプレーン0の始点位置(プレーン0のチャネルCH-4)から順次読み出す(矢印703)。
従って、図8に示すように、デコード処理時には、RS演算器40には、矢印803の順番で、プレーン0のチャネルCH-4から順番に読み出された符号化データ800,801が入力される。この場合、エンコード処理時のように、パリティデータの格納場所であるプレーン1のチャネルCH-2,CH-3をスキップする必要はない。
図12は、RS演算器40のデコード処理を説明するための図である。RS演算器40は、図12に示すように、矢印1300の順番で符号化データ1400が次数順に入力されると、デコード処理を実行する。即ち、RS演算器40は、符号化データ1400にエラーが含まれる場合、そのエラー位置(ErrLo)とエラーパターン(ErrPt)を含むエラー訂正情報1401を出力する。
具体的には、図3及び図6に示すように、RS演算器40は、データフローコントローラ120に対して、エラー位置とエラーパターンを含むエラー訂正情報(303,605)を出力する。データフローコントローラ120は、当該エラー訂正情報に基づいて、エラーを検出訂正した訂正データ606を、各チャネルコントローラ100〜104またはバッファマネージャモジュール12に転送する(ブロック1107)。
即ち、ライト処理時には、データフローコントローラ120は、訂正データ606を各チャネルコントローラ100〜104に転送する。リード処理時には、データフローコントローラ120は、訂正データ606をバッファマネージャモジュール12に転送する。バッファマネージャモジュール12は、バッファメモリ21を経由して、ホストインターフェースコントローラ13に転送する。
図13は、イレージャ訂正に関するデコード処理を説明するための図である。RS演算器40は、予めデコード処理前にエラー位置を特定したエラー位置情報1500を与えられると、それを事前情報としてデコード処理に使用する。具体的には、図3に示すように、RS演算器40は、例えばCPU141からエラー位置情報307を与えられると、それを事前情報としてデコード処理に使用する。この場合、RS演算器40は、エラー位置を算出する処理を省略できるため、エラー訂正情報(303,605)を高速に出力することができる。
ここで、前述したように、本実施形態のコントローラ11は、チャネルCH-0〜CH-4、及びプレーン0,1により定義される論理ブロック単位でデータを管理し、プレーン0,1を最小単位として処理を実行している。ICPモジュール130は、デコード処理時には各チャネルCH-0〜CH-4をまたがる形態で、符号化データの単位で実行する。このため、ICPモジュール130は、デコード処理時に、論理ブロック中での位置情報(チャネル番号CH-0〜CH-4とプレーン番号0,1)と、符号化データの次数(順番)とを対応付ける必要がある。
本実施形態では、前述したように、エンコード処理時に、データフローコントローラ120によりRS演算器40に入力されるデータの順番と、符号化データを振り分けて格納するときのチャネル番号とを関連付けるように制御される。符号化データは、チャネルコントローラ100〜104により、論理ブロックの各チャネルに割り当てられて格納される。
このようなデコード処理時での論理ブロック中の位置情報と符号化データの次数との対応付け処理を行なうために、ICPモジュール130は、図3及び図6に示すように、アドレス計算モジュール41及びアドレス変換モジュール42を有する。
図6に示すように、データフローコントローラ120は、当該データ(符号化データ600)をRS演算器40に転送する。但し、RS演算器40には、符号化データ1200,1201の順番と次数の関係が崩れて入力されてしまう。このため、RS演算器40には、付随する属性情報として入力データ(符号化データ)の次数情報(301,603)が与えられる必要がある。
図3または図6に示すように、次数情報(301,603)は、アドレス計算モジュール41によりRS演算器40に入力される。アドレス計算モジュール41は、チャネルコントローラ100〜104から、パリティデータの格納位置情報300が与えられる。格納位置情報300は、論理ブロック中のパリティデータの格納先チャネル番号(CH-2,CH-3)及びプレーン番号(1)を示す情報である。
アドレス計算モジュール41は、次数情報(301,603)として符号化データ中の位置情報(Fn)を算出する。ここで、アドレス計算モジュール41は、データフローコントローラ120から、RS演算器40の入力データのチャネル番号及びプレーン番号を示す論理ブロック中の位置情報(304,601)を与えられる。要するに、アドレス計算モジュール41は、入力データのチャネル番号及びプレーン番号、およびパリティデータの格納先チャネル番号とプレーン番号を示す位置情報(Fn)をRS演算器40に入力する。但し、エンコード処理時のように、パリティデータの格納場所をスキップするように処理することにより、図3及び図6に示すようなアドレス計算モジュール41を実装する必要ない。
以上のようにして、RS演算器40は、アドレス計算モジュール41からの位置情報(301,603)に基づいて、符号化データの順番と次数との対応関係をとり、符号化データに含まれるエラー検出訂正処理であるデコード処理を実行する。RS演算器40は、デコード処理の結果であるエラー訂正情報(303,605)をデータフローコントローラ120に出力する。
ここで、データフローコントローラ120は、RS演算器40からのエラー訂正情報(605)に基づいて訂正データ606を出力する。これにより、ICP処理のデコード処理時には、論理ブロック中から全データを読み出してRS演算器40に転送することにより、チャネル間のデータ訂正処理を行なうことができる。
また、データフローコントローラ120は、訂正データ606を出力するときに、RS演算器40により算出されたエラー位置情報と論理ブロック中の訂正位置情報を関連付けた訂正位置情報(Fn^-1)が必要となる。当該訂正位置情報は、図3または図6に示すように、アドレス変換モジュール42により算出される。
なお、前述したように、各チャネル個別単位でのECC処理を利用して、本実施形態のICP処理でのエラー位置情報(307)を与えるイレージャ訂正処理を実行する形態も可能である。この場合、エラー位置情報(307)のプレーン位置指定から符号中の次数情報への変換は、アドレス計算モジュール41により可能となる。このため、アドレス変換モジュール42を省略することができる。
以上のようにして、本実施形態のSSDでは、ICPモジュール130によりエンコード処理時には、元データとパリティデータとを論理ブロック中で関連付けた符号化データを生成する。この場合、パリティデータは、論理ブロック中の片方のプレーン(1)に格納される。従って、パリティデータの格納場所を、チャネル番号では連続的になるように設定することが可能となる。これにより、特にエンコード処理時でのライト処理の高速化を実現することが可能となる。また、デコード処理に関しても、RS演算器40に対する符号化データの入力順番を効率的に制御することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…SSDコントローラ、11…フラッシュメモリコントローラ、
12…バッファマネージャモジュール、13…ホストインターフェースコントローラ、
14…サブシステムモジュール、20,200〜20n…NAND型フラッシュメモリ、
21…バッファメモリ(DRAM)、30…ホストデバイス、40…RS演算器、
100〜104…チャネルコントローラ、110…アクセラレータ、
120…データフローコントローラ、130…ICPモジュール(チャネル間パリティモジュール)、140,141…マイクロプロセッサ(CPU)。

Claims (8)

  1. 複数チャネルの各不揮発性メモリに対してデータの入出力を制御するチャネル制御手段と、
    前記各不揮発性メモリに記憶されるデータを使用して、チャネル間の誤り検出訂正処理が可能な符号化データを生成する符号化手段と、
    前記チャネル制御手段により前記符号化データを前記各チャネルに並列に書き込むときに論理ブロック単位で管理し、かつ前記符号化データに含まれるパリティデータを前記論理ブロック中の1つのプレーンに割り当てて管理するデータ制御手段とを具備し、
    前記データ制御手段は、
    前記論理ブロックが前記複数のチャネルと、第1及び第2のプレーンのマトリックスとして構成されている場合に、前記パリティデータを前記第1または第2のプレーンのいずれかに割り当てて管理するデータ記憶装置。
  2. 前記チャネル制御手段から読み出される前記符号化データに対して誤り検出訂正処理を実行する復号化手段を具備する請求項1に記載のデータ記憶装置。
  3. 前記データ制御手段は、
    前記符号化データの生成時に使用される元データと前記パリティデータの符号中次数情報と前記論理ブロック中の位置情報を関連付けて、前記論理ブロック中において前記パリティデータを格納するプレーンにおいて前記パリティデータに割り当てられるチャネル以外の各チャネルに前記元データを割り当てる請求項1に記載のデータ記憶装置。
  4. 前記復号化手段は、
    誤り検出訂正処理時に、前記データ制御手段から転送される前記符号化データを入力するときに、前記論理ブロックと前記符号化データの位置関係を示すチャネル番号及びプレーン番号を含む位置情報を前記データ制御手段から入力するように構成されている請求項2に記載のデータ記憶装置。
  5. 複数チャネルの各不揮発性メモリを有するデータ記憶装置に適用するメモリ制御装置であって、
    前記各不揮発性メモリに対するデータの入出力を制御するチャネル制御手段と、
    前記各不揮発性メモリに記憶されるデータを使用して、チャネル間の誤り検出訂正処理が可能な符号化データを生成する符号化手段と、
    前記チャネル制御手段により前記符号化データを前記各チャネルに並列に書き込むときに前記符号化データを論理ブロック単位で管理し、かつ前記符号化データに含まれるパリティデータを前記論理ブロック中の1つのプレーンに割り当てて管理するデータ制御手段とを具備し、
    前記データ制御手段は、
    前記論理ブロックが前記複数のチャネルと、第1及び第2のプレーンのマトリックスとして構成されている場合に、前記パリティデータを前記第1または第2のプレーンのいずれかに割り当てて管理するメモリ制御装置
  6. 前記チャネル制御手段から読み出される前記符号化データに対して誤り検出訂正処理を実行する復号化手段を具備する請求項5に記載のメモリ制御装置。
  7. 前記データ制御手段は、
    前記符号化データの生成時に使用される元データと前記パリティデータの符号中次数情報と前記論理ブロック中の位置情報を関連付けて、前記論理ブロック中において前記パリティデータを格納するプレーンにおいて前記パリティデータに割り当てられるチャネル以外の各チャネルに前記元データを割り当てる請求項5に記載のメモリ制御装置。
  8. 複数チャネルの各不揮発性メモリを有するデータ記憶装置に適用するメモリ制御方法であって、
    エンコード処理時に、前記各チャネルの不揮発性メモリから読み出されるデータを使用して、チャネル間の誤り検出訂正処理が可能な符号化データを生成し、
    前記符号化データを前記各チャネルに並列に書き込むときに、前記符号化データを論理ブロック単位で管理し、かつ前記符号化データに含まれるパリティデータを前記論理ブロック中の1つのプレーンに割り当てて管理し、
    前記論理ブロックが前記複数のチャネルと、第1及び第2のプレーンのマトリックスとして構成されている場合に、前記パリティデータを前記第1または第2のプレーンのいずれかに割り当てて管理するメモリ制御方法
JP2010288830A 2010-12-24 2010-12-24 データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法 Expired - Fee Related JP5367686B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010288830A JP5367686B2 (ja) 2010-12-24 2010-12-24 データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
US13/311,403 US9021183B2 (en) 2010-12-24 2011-12-05 Data storage apparatus and apparatus and method for controlling nonvolatile memories

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010288830A JP5367686B2 (ja) 2010-12-24 2010-12-24 データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012137886A JP2012137886A (ja) 2012-07-19
JP5367686B2 true JP5367686B2 (ja) 2013-12-11

Family

ID=46318446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010288830A Expired - Fee Related JP5367686B2 (ja) 2010-12-24 2010-12-24 データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9021183B2 (ja)
JP (1) JP5367686B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137885A (ja) 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
US8327185B1 (en) * 2012-03-23 2012-12-04 DSSD, Inc. Method and system for multi-dimensional raid
JP2014039134A (ja) * 2012-08-14 2014-02-27 Pc Depot Corp データフォーマット変換システム及びデータフォーマット変換方法
KR102146037B1 (ko) * 2013-11-14 2020-08-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
DE102014113128A1 (de) 2014-09-11 2016-03-17 Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co Kg Tankvorrichtung eines Flugtriebwerks mit einer Einrichtung zum Einleiten von Öl
US10466913B2 (en) 2015-04-29 2019-11-05 EMC IP Holding Company LLC Method and system for replicating and using grid level metadata in a storage system
US10339062B2 (en) 2017-04-28 2019-07-02 EMC IP Holding Company LLC Method and system for writing data to and read data from persistent storage
US10289491B1 (en) 2017-04-28 2019-05-14 EMC IP Holding Company LLC Method and system for implementing multi-dimensional raid in an extensible storage array to optimize performance
US10466930B2 (en) 2017-04-28 2019-11-05 EMC IP Holding Company LLC Method and system for fast ordered writes with atomic multicast
US10614019B2 (en) 2017-04-28 2020-04-07 EMC IP Holding Company LLC Method and system for fast ordered writes with target collaboration

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3371044B2 (ja) 1994-12-28 2003-01-27 株式会社日立製作所 ディスクアレイのための領域割り当て方法およびディスクアレイアクセス方法
US5737344A (en) 1995-05-25 1998-04-07 International Business Machines Corporation Digital data storage with increased robustness against data loss
US7827348B2 (en) * 2000-01-06 2010-11-02 Super Talent Electronics, Inc. High performance flash memory devices (FMD)
US7966462B2 (en) * 1999-08-04 2011-06-21 Super Talent Electronics, Inc. Multi-channel flash module with plane-interleaved sequential ECC writes and background recycling to restricted-write flash chips
JP2002007225A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Fujitsu Ltd アドレスパリティエラー処理方法並びに情報処理装置および記憶装置
US7117421B1 (en) 2002-05-31 2006-10-03 Nvidia Corporation Transparent error correction code memory system and method
KR20040066638A (ko) * 2003-01-20 2004-07-27 삼성전자주식회사 외부 저장 서브 시스템에서의 패리티 저장 방법 및에러블록 복구 방법
CN101031971A (zh) 2004-08-02 2007-09-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 数据存储和重放设备
JP2006190346A (ja) 2004-12-28 2006-07-20 Toshiba Corp エラー訂正処理装置及びエラー訂正処理方法
JP4598711B2 (ja) 2006-03-30 2010-12-15 富士通株式会社 誤り訂正装置
CN100530070C (zh) * 2006-11-24 2009-08-19 骆建军 基于flash的硬盘
US8001444B2 (en) 2007-08-08 2011-08-16 Intel Corporation ECC functional block placement in a multi-channel mass storage device
US7873803B2 (en) 2007-09-25 2011-01-18 Sandisk Corporation Nonvolatile memory with self recovery
TWI437429B (zh) 2008-06-04 2014-05-11 A Data Technology Co Ltd 多通道混合密度記憶體儲存裝置及其控制方法
JP2010015195A (ja) * 2008-06-30 2010-01-21 Toshiba Corp 記憶制御装置及び記憶制御方法
JP5192352B2 (ja) 2008-10-30 2013-05-08 株式会社日立製作所 記憶装置及びデータ格納領域管理方法
US20100262755A1 (en) 2009-04-10 2010-10-14 Honeywell International Inc. Memory systems for computing devices and systems
JP2011060217A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Toshiba Corp データ蓄積装置及びデータ書込み/読出し方法
DE112010004863B4 (de) * 2009-12-17 2019-10-10 International Business Machines Corporation Datenverwaltung in Festkörperspeichersystemen
US20110258380A1 (en) * 2010-04-19 2011-10-20 Seagate Technology Llc Fault tolerant storage conserving memory writes to host writes
US8417877B2 (en) * 2010-08-31 2013-04-09 Micron Technology, Inc Stripe-based non-volatile multilevel memory operation
JP2012137885A (ja) * 2010-12-24 2012-07-19 Toshiba Corp データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
US9671962B2 (en) * 2012-11-30 2017-06-06 Sandisk Technologies Llc Storage control system with data management mechanism of parity and method of operation thereof
US8554997B1 (en) * 2013-01-18 2013-10-08 DSSD, Inc. Method and system for mirrored multi-dimensional raid

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012137886A (ja) 2012-07-19
US20120166711A1 (en) 2012-06-28
US9021183B2 (en) 2015-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5367686B2 (ja) データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
JP2012137885A (ja) データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
US11054991B2 (en) Data storage system scale-out with local address remapping
US9496051B2 (en) Efficient raid technique for reliable SSD
US10114578B2 (en) Solid state disk and data moving method
JP5525605B2 (ja) フラッシュメモリモジュール
KR101732030B1 (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US8332579B2 (en) Data storage apparatus and method of writing data
US9165685B2 (en) Semiconductor memory device
TW201308081A (zh) 記憶體裝置
US9264070B2 (en) Memory controller, memory system, and memory write method
US20150052329A1 (en) Memory control device, host computer, information processing system and method of controlling memory control device
US20140075099A1 (en) Control method and memory system of non-volatile semiconductor memory
JP2023044518A (ja) メモリシステムおよび方法
JP2012155541A (ja) データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
JP4743174B2 (ja) メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法
US20200042386A1 (en) Error Correction With Scatter-Gather List Data Management
JP2012113476A (ja) データ記憶装置、メモリ制御装置及びメモリ制御方法
US20150254011A1 (en) Memory system, memory controller and control method of non-volatile memory
WO2023084729A1 (ja) メモリコントローラおよびフラッシュメモリシステム
KR20190076589A (ko) 플래시 메모리 컨트롤러의 에러 정정 방법
US20240134747A1 (en) Apparatus and method for distributing and storing write data in plural memory regions
JP2009080549A (ja) ディスクアレイ制御装置およびデータ配置方法
US20200301603A1 (en) Memory system
JP2015191295A (ja) メモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130225

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20130305

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20130322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130611

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130722

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130820

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130911

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees