KR20060050675A - 화상표시장치 - Google Patents

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KR20060050675A
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마사루 가미오
히사노리 쓰다
야스에 사토
요시유키 시마다
히로마사 미타니
가즈유키 세이노
다카시 니시무라
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 의하면, 전자원이 포함되고, 화상을 표시하는 진공용기; 진공용기와 연통하고, 공기를 배출해서 압력을 감소시키는 이온펌프; 및 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 저항기를 포함하는 화상표시장치가 제공된다. 이온펌프의 내부저항이 그 작동상태에 따라 현저히 변화해도, 소비전류를 억제할 수 있어, 상기 이온펌프를 효율적으로 구동할 수 있다.

Description

화상표시장치{IMAGE DISPLAY APPARATUS}
도 1은 본 발명의 화상표시장치의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도
도 2는 본 발명의 화상표시장치의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도
도 3A 및 도 3B는 표면전도형 전자방출소자의 패시브 매트릭스 배치의 일례를 나타내는 모식도
도 4A 및 도 4B는 포밍 및 활성화 공정을 설명하기 위한 도면
도 5는 본 발명의 화상표시장치의 일례의 배선 및 스페이서의 배치를 나타내는 모식도
도 6은, 화상표시장치를 형성할 때에, 베이킹, 게터플래시, 밀봉접착을 행하기 위한 진공배기장치를 나타내는 모식도
도 7A, 도 7B, 도 7C 및 도 7D는, 화상표시장치를 형성할 때에, 베이킹, 게터플래시, 밀봉접착 공정을 설명하는 도면
도 8은 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도
도 9는 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도
도 10은 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도
도 11은 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도
도 12는 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도
도 13은 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도
도 14는 본 발명에 의한 화상표시장치의 일례를 나타내는 모식도로, 스핀트형 전자방출소자를 사용한 예를 나타내는 모식도.
<도면의 주요주분에 대한 부호의 설명>
101, 301: 리어플레이트 102: 페이스플레이트
103, 334: 상배선(Y배선) 104, 332: 하배선(X배선)
105, 336, 426: 전자원(전자방출부) 106: 형광막
107: 메탈백 108: 증발형 게터
109: 지지프레임 110: 스페이서
111: 개구부 112: 화상표시부애노드접속단자
113: 진공용기 114: 이온펌프부
115: 이온펌프하우징 116: 마그넷
117: 이온펌프캐소드 118: 이온펌프애노드
119: 이온펌프캐소드접속단자 120: 이온펌프애노드접속단자
121: 전자 122: 게터에 흡착된 가스
123: 불활성가스 124: 애노드전원
125: 제 1의 저항 126: 제 2의 저항
127: 중계 단자 330, 331: 소자전극
333: 절연층 335, 435: 도전성막
401: 전류도입단자 402: 진공형성후드
403: 배기수단 404: 가스도입량제어수단
515: 스페이서지지판 516: 지지프레임
601:로드실 602: 처리실
603: 게이트밸브 604, 605: 배기펌프
606: 기판 및 반송지그 700: 반송지그
703, 704: 핫플레이트 705: 게터플래시용(덮개형상) 지그
706: 증발형 게터배선 707: 증발형 게터플래시형 접촉전극
708: 증발형 게터피드쓰루 전극 1403: 캐소드전극
1404: 절연층 1405: 게이트전극
1406: 이미터전극
(기술 분야)
본 발명은 전자방출소자를 사용한 화상표시장치에 관한 것이다.
(배경 기술)
전자원으로서 다수의 전자방출소자를 평면기판 상에 배열하고, 전자원으로부터 방출된 전자빔을 대향하는 기판 상의 화상형성부재인 형광체에 조사해서, 형광체를 발광시켜 화상을 표시하는 평면형상 디스플레이에 있어서는, 전자원과 화상형성부재를 가진 진공용기의 내부를 고진공으로 유지할 필요가 있다. 그 이유는, 진 공용기 내부에 가스가 발생해서 압력이 상승하면, 그 영향의 정도는 가스의 종류에 따라서 전자원에 악영향을 미쳐 전자방출량을 저하시켜, 밝은 화상의 표시를 할 수 없게 되기 때문이다.
특히, 평면형상 디스플레이에 있어서는, 화상표시부재로부터 발생된 가스가 화상표시영역 외측에 설치된 게터에 도달하기 전에 전자원 근방에 집적해서, 국소적인 압력상승과 그에 따르는 전자원 열화가 특징적인 문제가 된다. 일본 특개평 9-82245호 공보에는, 화상표시영역 내에 게터를 배치해서, 발생한 가스를 즉석에서 흡착해서 소자의 열화나 파괴를 억제하는 것이 기재되어 있다. 또, 일본 특개 2000-133136호 공보에서는, 화상표시영역 내에 비증발형게터를 설치하고, 화상표시영역 외측에 증발형 게터를 배치하는 구성이 나타나 있다. 또한, 일본 특개 2000-315458에 나타내는 바와 같이, 탈가스, 게터 형성, 밀봉접착(진공용기화)을 일련의 작업으로 행하는 것도 고안되어 있다.
게터에는 증발형 게터와 비증발형 게터가 있지만, 증발형 게터는, 물이나 산소에 대한 배기속도는 극히 크지만, 증발형 게터와 비증발형 게터 모두 아르곤(Ar)과 같은 불활성가스를 흡착할 수 없다. 아르곤가스는 전자빔에 의해 전리되어 플러스 이온이 되고, 이것이 전자를 가속하기 위한 전계에 의해 가속되어 전자원에 충돌함으로써, 전자원에 손상을 준다. 또, 경우에 따라서는 내부에서 방전을 일으키게 하는 경우도 있어, 장치를 파괴하는 일도 있다.
한편, 일본 특개평 5-121012호 공보에는, 평면형상 디스플레이의 진공용기에 스퍼터 이온펌프를 접속해서 고진공을 장시간 유지하는 방법이 기재되어 있다. 그 러나, 화상표시장치의 사용에 적절한 이온펌프의 구동방법 및 구성에 관해서는 전혀 기재가 없다.
본 발명은 화상표시장치에 이온펌프를 사용했을 경우에, 효율적인 이온펌프의 구동방식에 의해 전원이나 주변회로에 대한 영향이 적고, 장기간에 걸쳐 안정된 휘도를 유지하고, 또한 화상형성영역 내에서의 휘도 불균일도 적은 화상표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 적어도, 전자원과 이 전자원에 대향하는 애노드전극을 포함하고, 감압으로 유지되는 진공용기; 상기 애노드전극에 전압을 인가하는 애노드전원; 상기 진공용기에 연통해서 설치된 이온펌프; 및 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 제 1의 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 화상표시장치에 관한 것이다.
또, 본 발명의 다른 태양은, 적어도, 전자원과 이 전자원에 대향하는 애노드전극을 포함하고, 감압으로 유지되는 진공용기; 상기 애노드전극에 전압을 인가하는 애노드전원; 상기 진공용기에 연통해서 설치된 이온펌프; 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 제 1의 저항; 및 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 병렬로 접속된 제 2의 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 화상표시장치에 관한 것이다.
(바람직한 실시예의 상세한 설명)
본 발명은, 적어도, 전자원과 이 전자원에 대향하는 애노드전극을 포함하고, 감압으로 유지되는 진공용기; 상기 애노드전극에 전압을 인가하는 애노드전원; 상기 진공용기에 연통해서 설치된 이온펌프; 및 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 제 1의 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 화상표시장치에 관한 것이다.
또, 본 발명의 다른 태양은, 적어도, 전자원과 이 전자원에 대향하는 애노드전극을 포함하고, 감압으로 유지되는 진공용기; 상기 애노드전극에 전압을 인가하는 애노드전원; 상기 진공용기에 연통해서 설치된 이온펌프; 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 제 1의 저항; 및 상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 병렬로 접속된 제 2의 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 화상표시장치에 관한 것이다.
본 발명에서는, 상기 이온펌프를 구동하는 전원으로서 상기 애노드전원을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명에서는, 상기 제 1의 저항(제 2의 저항을 동시에 사용하는 태양을 포함한다) 및 제 2의 저항으로서 진공용기의 내부에 형성된 박막을 사용할 수가 있다.
이하, 화상표시장치로서, 전자방출소자가 배열된 전자원기판(이하, 리어플레이트라 한다) 및 이 전자원기판과 대응해서 배치되고, 형광막과 상기 애노드전극으로서 애노드전극막을 가지는 화상형성기판(이하, 페이스플레이트라 한다)을 가지는 구성을 설명한다.
(본 발명이 적용되는 화상표시장치의 간단한 설명)
도 1 및 도 2는 본 발명을 적용가능한 화상표시장치의 구성의 일례를 모식적으로 나타내는 것이다. 페이스플레이트(102) 상에 형광막(106), 애노드전극막인 메탈백(107)이 형성되고, 단자부(112)는 메탈백(107)에 고전압을 인가하기 위해서 진공용기 외에 인출되어 있다. 리어플레이트(101) 상에는, 복수의 전자방출소자를 배치하고, 적당한 배선(103), (104)을 가진 전자원(105)이 형성되어 있다. 또한, 메탈백 상에는 증발형 게터(108)가 형성되어 있다. 페이스플레이트(102)와 리어플레이트(101)는 프레임부재(109)와 함께 진공용기를 형성하고, 대기압에 대해서 진공용기를 지지하기 위해서, 리어플레이트와 페이스플레이트 간에 지지부재(스페이서)(110)가 배치되어 있다.
도 3A 및 도 3B는 2차원적으로 배치된 전자방출소자가 매트릭스배선을 개재해서 접속된 구성을 모식적으로 나타낸다. 전자방출소자로서는 평면도전형 전자방출소자를 예로서 들었지만, 스핀트형으로 대표되는 FED나 평면형의 전계효과형 전자방출소자를 사용해도 같은 효과를 얻을 수 있다. 이하, 평면도전형 전자방출소자를 예로서 설명을 계속한다. 도 3A는 평면도, 도 3B는 3B-3B선 단면도이다.
(334)는 Y배선(상배선), (332)는 X배선(하배선)으로, 소자전극(330), (331)을 개재해서 전자방출소자(336)에 각각 접속되어 있다. X배선(332)은 절연성기판(301) 상에 배치되고, 그 위에 순서대로 절연층(333), Y배선(334), 전자방출소자(336)가 형성된다. 대향하는 소자전극(330), (331)의 재료로서는, 일반적인 도체재료를 사용할 수가 있다.
도전성박막(335)으로는, 양호한 전자방출특성을 얻기 위해서, 미립자로 구성된 미립자막을 사용하는 것이 바람직하다. 그 막두께는 소자전극(330), (331)에의 스텝커버리지, 소자전극 간의 저항값 및 후술하는 포밍조건 등을 고려해서 적당히 설정되지만, 통상은 수십 ㎚ 내지 수백 ㎚의 범위로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1㎚ 내지 50㎚의 범위로 하는 것이 좋다. 그 시트저항값(Rs)은 100~10㏁/□이다. 또한, 시트저항(Rs)은 R이 저항, 두께가 t, 폭이 w, 길이가 1일 때, R=Rs(1/w)에 의해 결정되는 값이다. 본원 명세서에 있어서, 포밍처리에 대해서는, 통전처리를 예로 들어 설명하지만, 포밍처리는 이것에 한정되는 것은 아니고, 박막에 균열을 일으키게 해서 고저항상태를 형성하는 처리를 포함하는 것이다.
전자방출소자(336)는 도전성박막(335)의 일부에 형성된 고저항의 균열에 의해 구성되고, 도전성박막(335)의 막두께, 막질, 재료 및 후술하는 통전 포밍 등의 수법 등에 의존한다. 전자방출소자(336)의 내부에는, 0.1nm의 수배 내지 수십 ㎚의 범위의 입자크기의 도전성미립자가 존재하는 경우도 있다. 이 도전성미립자는 도전성박막(335)을 구성하는 재료의 원소의 일부 혹은 모든 원소를 함유한다. 또, 전기적 활성화처리 등의 처리를 행해서, 전자방출소자(336) 및 그 근방의 도전성박막(335)이 탄소 및 탄소화합물을 가지도록 해서 전자방출효과를 향상시킬 수도 있다.
이상과 같이 해서 형성된 페이스플레이트(102), 리어플레이트(101), 전자원(105), 및 그 외의 구조체를 조립하고, 지지프레임(109)을 페이스플레이트(102)와 리어플레이트(101) 사이에 끼워 함께 접합한다. 예를 들면, 페이스플레이트(102)와 지지프레임(109)은 미리 프릿유리로 함께 고정하고, 진공용기 내에서 탈가스, 증발 형 게터 형성에 이어, 진공을 깨뜨리지 않고 밀봉접착(진공용기화)을 행한다. 일본 특개 2000-315458호 공보에 나타내는 바와 같이, 리어플레이트와 지지프레임 부착 페이스플레이트의 접합은 In 및 그 합금 등을 사용해서 행한다.
본 발명의 화상표시장치는 텔레비젼의 표시장치, TV회의시스템이나 컴퓨터 등의 표시장치 외에, 감광성드럼 등을 사용해서 구성된 광프린터로서의 화상형성장치 등으로서도 사용할 수 있다.
(이온펌프의 구성 및 접속하는 저항의 설명)
본 발명에서는, 진공을 유지하기 위해서, 이온펌프(114)가 페이스플레이트 또는 리어플레이트에 설치되는 이온펌프용 개구부(111)를 개재해서 화상표시장치에 연통되어 있다. 이온펌프(114)는 이온펌프하우징(115), 마그넷(116), 이온펌프캐소드(117), 이온펌프애노드(118), 캐소드단자(119), 애노드단자(120)를 포함하고 있다. 애노드(107)에는 고압단자(112)를 개재해서 애노드전원(124)으로부터 고전압이 인가된다. 도 1은 제 1의 태양(態樣)을 나타내고 있고, 이온펌프애노드단자(120)에는, 제 1의 저항(125)을 개재해서 애노드전원(124)으로부터 고전압이 인가된다.
도 1과 도 2를 사용해서 화상표시영역에 설치된 게터와 화상표시영역 외에 설치된 이온펌프의 작용을 개념적으로 설명한다. 화상표시장치(113)를 구동해서, 방출되는 전자(121)가 페이스플레이트 부재(106), (107) (형광체, 메탈백 등)에 조사되면 가스가 발생된다. 예를 들면, 물, 산소, 일산화탄소 및 이산화탄소 등의 산화물가스(122)는 게터(108)에 의해 대부분 흡수된다. 그 외에 전자방출소자에 손상을 주기 쉬운 가스에는 불활성가스(특히 아르곤)(123)가 있다. 불활성가스는 산화 물가스보다 게터에 흡수되기 어렵지만, 방출레이트가 작기 때문에 화상표시영역 외에 있는 이온펌프(114)에 흡수시키면, 압력증가를 억제할 수가 있다. 그 결과, 소자 열화의 주된 요인이 되는 산화물가스(122)를 효율적으로 저감할 수 있는 동시에, 아르곤 등의 가스의 현저한 압력상승이 억제되기 때문에, 소자 특성의 불안정성을 억제할 수가 있다.
여기서, 화상표시장치에 부착된 이온펌프의 동작을 간단히 설명한다. 우선, 이온펌프는 정상동작에 도달하면 일정한 속도로 가스를 배출하고, 또 압력에 비례하는 전류(이온펌프전류라고 부른다)가 흐른다. 한편, 이온펌프를 부착한 화상표시장치의 내부는 제조 직후에 정압이 높은 상태로 되어 있다. 그 때문에 이온펌프를 구동해서 정상동작을 시작하면, 초기에 큰 이온펌프전류가 흐르고, 그 후 이 양은 화상표시장치의 내부체적과 이온펌프의 배기속도로 정해지는 시정수에 의해 지수함수적으로 감쇠한다. 이하에 "이온펌프 정상동작시"라는 말을 사용하지만, 이것은 "이온펌프의 기동 후, 정상동작에 이르는 초기의 타이밍"을 정의하는 것으로 한다.
다음에, 본 발명의 특징인 이온펌프의 구동방법에 대해 설명한다. 이온펌프는 1㎸전후에서 동작을 시작해서, 인가전압이 높아질수록 배기능력이 증가한다. 그러나, 인가전압이 높아지면 전력소비가 커지는 것이나, 절연대책을 확실히 실시하지 않으면 안되는 등의 폐해가 나온다. 따라서, 효율적으로 이온펌프를 구동하는 전압(이하, 이온펌프 구동전압을 Vip로 나타낸다.)으로서는 3~5㎸의 값이 사용되고 있다. 단, 이온펌프 내의 애노드이나 캐소드에 사용되는 전극 표면의 산화 등에 의해 정상동작시보다 고전압을 인가하지 않으면 기동하지 않는 일이 있기 때문에, 실 제로는 3~5㎸보다 높은 전압을 낼 수 있는 전원을 준비하는 것이 바람직하다.
한편, 이온펌프가 주로 아르곤을 많이 흡입하면, 이온펌프 내의 캐소드(Ti 등이 만들어지고 있다)에 주입된 아르곤의 이온이나 원자가 재방출되어 정상동작으로부터 일탈한다. 캐소드으로부터 재방출된 이온이나 원자는 애노드 위 등에 스퍼터된 Ti막에 의해 받아들여지지만, 그때에는 이온펌프전류는 정상동작시보다 1~2자리수 큰 값이 된다. 이 경우에는 Vip는 낮아지는 것이 바람직하다.
이와 같이, 이온펌프의 애노드과 캐소드 사이에 흐르는 전류는, 인가전압이 같은 경우에는, 전극의 표면상태나 분위기에 따라서 다르고, 따라서 전기회로의 일부로서 볼 때, 이온펌프의 애노드과 캐소드 사이의 부분을 등가적으로 가변저항이 되어 있다고 간주할 수가 있다. 이것을 등가이온펌프저항(Rip)이라고 칭한다. 정상동작시의 등가이온펌프저항, 기동시의 등가이온펌프저항, 아르곤 재방출시의 등가이온펌프저항을 각각 Ripm, Riph, Ripl이라 하면, 식:
Rip1 《 Ripm 《 Riph
로 표시되고, 등가이온펌프저항(Rip)은 현격한 차이의 변화를 한다.
본 발명의 제 1의 태양에 의하면, 애노드전원에 대해서 이온펌프에 직렬로 제 1의 저항을 접속한다. 즉, 애노드전원으로부터 제 1의 저항을 개재해서 이온펌프에 전압을 인가함으로써, 이온펌프저항이 상태에 따라 현격한 차이의 변화를 해도, 소비전류를 억제할 수 있어, 효율적으로 이온펌프를 구동할 수가 있는 것이다.
즉, R1을 제 1의 저항의 저항값이라 하면, 이온펌프에 인가되는 전압 Vip는 등가이온펌프저항과 제 1의 저항체로 애노드전압(Va로 한다)을 분할한 값이 된다. 즉
Vip = Va × Rip / (Rip + Rl)
이된다. 이때 저항 R1를 정상동작시의 등가이온펌프저항 Ripm와 동일한 정도의 저항값으로 해 두면 (R1 ≒ Ripm), Rip1 《 R1 《 Riph이기 때문에, 각 상태에 있어서 다음의 관계가 성립된다.
(i) 정상동작시:
정상동작시에 인가되는 전압(Vipm)은,
Vipm = Va × Ripm / (Ripm + R1)가 된다.
(ii) 기동시:
기동시에 인가되는 전압(Viph)은,
Viph = Va × Riph / (Riph + Rl) ≒ Va 가 된다.
(iii) 아르곤 재방출시:
아르곤 재방출시에 인가되는 전압(Vip1)은,
Vip1 = Va × Ripl / (Ripl + R1) ≒ 0 이 된다.
예를 들면, Va를 10㎸, 정상동작시의 등가이온펌프저항 Ripm를 1000㏁로 했을 경우, 1000㏁의 저항을 애노드전원과 이온펌프 사이에 직렬로 접속하면, Vipm ≒ 5㎸, Viph ≒ 10㎸, Vipl ≒ 0㎸와 같이 자기제어적으로 적절한 전압이 이온펌프에 인가될 수 있다. 그 결과, 필요한 상황(즉 이온펌프의 기동시)에만 많은 전류를 흘리게 되므로, 소비전력의 절약으로 연결된다. 또, 화상표시장치로서 소형이고 저가격화에도 연결된다.
상기의 설명에서는, 제 1의 저항 R1의 값이 정상동작시의 등가이온펌프저항 Ripm과 거의 동일하다고 설명했지만, R1이 작아도 저항을 직렬로 삽입함으로써, 그 만큼 아르곤 재방출시의 소비전력을 억제할 수가 있다. 그러나, 실질적으로 효과가 있는 것은, R1이 Ripm의 0.05배 이상, 바람직하게는 0.1배 이상, 특히 바람직하게는 0.5배 이상일 때이다. 한편, Ripm에 비해서 R1의 값이 너무 크면 정상동작시에 이온펌프에 인가되는 전압이 저하하고, 그 결과, 고전압의 전원전압을 준비하지 않으면 안되고, 경우에 따라서는 화상표시장치의 애노드전원을 사용할 수 없게 되므로, R1, Ripm 의 20배 이하, 바람직하게는 10배 이하, 특히 바람직하게는 3배 이하이다. R1의 가장 바람직한 범위는 Ripm의 1배~2배이다.
여기서, 저항 Ripm은 이온펌프의 구조에 특정된 값이며, 이온펌프의 기동 후 잠시 후 나타나는 정전류 동작시의 전류로부터 구할 수가 있다. 본 발명의 화상표시장치에 사용할 수 있는 이온펌프의 Ripm는, 예를 들면 10㏁ ~10000㏁ 이며, 보다 구체적으로는 100㏁ ~1000㏁이다.
본 발명의 제 2의 태양은, 애노드전원과 이온펌프 사이에 제 1의 저항 R1을 직렬로 접속하는 것에 부가해서 R1과 GND 사이에 이온펌프와 병렬로 제 2의 저항 R2를 접속한다. 전술의 제 1의 저항 R1만을 구비하는 태양에서는, 특히 기동시에 이온펌프애노드접속단자와 이온펌프캐소드접속단자(접지) 사이에 큰 전압차이가 생긴다. 이 태양에서는, 이온펌프단자부에서의 절연을 중시해서, 아르곤의 재방출시 이외는 가능한 한 일정한 전압이 이온펌프에 인가되도록 한다. 이온펌프에 인가되는 전압을 기동시와 정상상태에서 동일한 정도로 하려면, 정상동작시의 등가이온 펌프저항 Ripm보다 한자리수 정도 작은 저항을 병렬로 접속한다. 기동시와 정상상태시에서는, 이온펌프단자 간의 전압은 대체로 R1과 R2로 분할된 애노드전압이다. Ripm을 1000㏁로 하면, R1 ≒ R2 ≒ 수 100㏁정도를 접속한다. 이 경우에, 항상 1W미만의 전력을 소비하게 되지만, 이온펌프에 전압을 도입하는 단자부에 인가되는 전압 Vip는 항상 애노드전압보다 낮게 유지되므로, 이온펌프부의 절연대책은 경감되고, 또 아르곤 재방출시의 전류도 이 경우에 억제되므로, 소비전력의 경감효과도 약간 기대할 수 있다.
본 발명의 제 2의 태양에 있어서, 상기의 설명에서는, R1=R2=Ripm/10으로 했지만, R2가 Ripm에 비해 너무 작으면 전류의 소비가 커지므로, R2는 Ripm의 0.01배 이상, 바람직하게는 0.05배 이상, 특히 바람직하게는 0.07배 이상이다. 또, R2가 너무 커도 이온펌프의 단자 간의 절연대책에 기여하지 않기 때문에, R2는 Ripm의 1배 이하, 바람직하게는 0.5배 이하, 특히 바람직하게는 0.2배 이하이다. 또 R1는 R2의 0.5배~10배, 바람직하게는 0.7배~5배, 특히 바람직하게는 1배~3배이다.
또, 제 1의 태양 및 제 2의 태양에 있어서, 이상의 설명과 같이, 이온펌프의 전원과 화상표시장치의 애노드전원을 공통으로 사용하는 것이 가장 간편하고 바람직하지만, 필요에 따라 이온펌프 전용의 전원을 사용해도 된다.
또한, 이온펌프는 리어플레이트 쪽에 부착해도 된다. 또, 제 1의 태양에 있어서의 제 1의 저항 및 제 2의 태양에 있어서의 제 1 및 제 2의 저항은 전기 부품으로서의 저항을 외부에 부착해도 되지만, 진공용기 내부에 사용되고 있는 부재, 특히 대전방지막 등을 사용하는 것도 가능하다. 이 경우에, 추가 부품을 화상표시 장치의 외부에 부착할 필요가 없기 때문에, 화상표시장치의 소형화를 꾀할 수가 있다.
이상의 구성에 의해, 본 발명에 의하면, 효율적인 이온펌프의 구동방식에 의해 전원이나 주변회로에 대한 영향이 적고, 장기간에 걸쳐 안정된 휘도를 유지하고 또한 화상형성영역 내에서의 휘도 불균일도 적은 화상표시장치를 제공할 수가 있다.
(실시예)
이하, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상술하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지의 범위 내에서의 각 요소의 치환이나 설계변경이 이루어진 것도 포함한다.
(실시예 1)
본 실시예의 화상표시장치는 도 1 및 도 2의 모식도에 나타내는 것과 마찬가지의 구성이다. 본 실시예의 화상표시장치는 기판 상에 복수(768행×3840열)의 표면전도형 전자방출소자가 패시브 매트릭스를 형성한 전자원(105)을 포함하고 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 이온펌프(114)는 화상표시영역 외에서 페이스플레이트 상에 부착되고, 미리 페이스플레이트에 형성된 이온펌프용 개구부(111)를 개재해서 진공용기 내부와 연통하고 있다. 이온펌프에 있어서, 원통형의 애노드(118)과 원통의 양쪽의 평면부 근처에 배치된 캐소드(117)이 유리케이스(하우징)(115) 안에 설치되고, 캐소드에 평행하도록 마그넷판(116)이 유리케이스의 외측과 밀착하고 있다. 애노드 및 캐소드은 유리케이스를 관통해서 묻힌 단자(120), (119)에 각각 접 속된다.
도 1은 본 발명의 제 1의 태양을 나타내고 있고, 애노드단자(120)는 외부부착의 제 1의 저항(125)을 개재해서 패널의 애노드전원(124)에 접속되고, 캐소드단자(119)는 접지된다.
페이스플레이트(102)에 대해서, 메탈백(107) 상에 Ba막(108)이 플래시성막에 의해 형성된다. 스페이서(110)는 상배선 상에 40개 간격(5, 45, 85···765)으로 배치되어 있다.
도 1에 있어서의 매트릭스배선, 소자전극 및 소자가 접속되어 있는 상태를 도 3A 및 도 3B에 모식적으로 나타낸다. 도 3A는 평면도, 도 3B는 도 3A의 3B-3B선 단면도를 나타낸다. 여기서, (301)은 유리기판의 전자원기판, (324)는 Y배선 또는 상배선, (332)는 X배선 또는 하배선, (335)는 전자방출부를 포함하는 도전성막, (330), (331)은 소자전극, (333)은 층간절연층이다.
이하에, 본 실시예의 화상형성장치의 제조방법에 대해 도 2, 도 3A 및 도 3B를 참조해서 설명한다.
(공정-al(유리기판, 소자전극 형성)
2.8mm두께의 PD-200 (아사히 유리(주) 사제) 유리기판(301)을 세제, 순수 및 유기용제를 사용해서 충분히 세정했다. 이 유리기판 위에 두께 0.1㎛의 Si02막을 스퍼터법으로 형성했다. 이어서, 유리기판(301)에 형성된 SiO2막 상에, 스퍼터법에 의해, 우선, 하지층으로서 티타늄(Ti)막을 두께 5㎚로 형성하고, 그 위에 백금 (Pt)막을 두께 40㎚로 형성한 후, 포토레지스트(AZ1370 헥스트사제)를 도포하고, 노광, 현상, 에칭이라고 하는 일련의 포토리소그래피기술에 의해 패터닝해서, 소자전극(330), (331)을 형성했다. 소자전극 사이의 간격을 10㎛, 대향하는 길이 100㎛로 했다.
(공정-b1 (하배선 형성))
X배선과 Y배선의 재료에 관해서는, 다수의 표면전도형 소자에 거의 균등한 전압이 공급되도록 저저항인 것이 바람직하고, 재료, 막두께, 배선피치 등이 적당히 설정된다. 공통배선으로서의 X배선(하배선)(332)은 소자전극(330)에 접하고 또한 그들을 접속하도록 라인형상의 패턴으로 형성했다. 재료로는 은(Ag)포토페이스트 잉크를 사용해서 스크린인쇄한 후, 건조시키고 나서 소정의 패턴으로 노광하고 현상했다. 그 후, 480℃ 전후의 온도에서 소성해서 배선을 형성했다. 배선은 두께 약 10㎛, 폭 50㎛로 했다. 또한 종단부는 배선인출전극으로서 사용되기 때문에, 선폭을 보다 크게 했다.
(공정- c1 (절연막 형성))
상하배선을 서로 절연하기 위해서, 층간절연층을 형성한다. 후술의 Y배선(상배선)(334) 아래에 층간절연층을 형성해서, 상기 Y배선과 이미 형성된 X배선(하배선)(332)과의 교차부를 덮도록, 또한 상배선(Y배선)(334)과 소자전극의 다른 쪽(331)과의 전기적 접속이 가능하도록, 접속부에 콘택트홀을 형성했다. 공정은 PbO를 주성분으로 하는 감광성의 유리페이스트를 스크린인쇄한 후, 노광하고 현상했다. 이것을 4회 반복해서, 마지막으로 480℃ 전후의 온도에서 소성했다. 이 층간절 연층은 두께 약 30㎛(전부 4층), 폭은 150㎛로 했다.
(공정- d1 (상배선 형성))
먼저 형성된 절연막 위에 AgO페이스트잉크를 스크린 인쇄한 후 건조시켰다. 재차 동일한 공정을 반복 행해서 Y배선(334)을 2번 도포하고 나서, 480℃ 전후의 온도에서 소성해서 Y배선(상배선)을 형성했다. 상기절연막을 사이에 두고 Y배선(상배선)(334)은 X배선(하배선)(332)과 교차하고 있고, 절연막의 콘택트홀 부분에서 소자전극의 다른 쪽과도 접속되어 있다. 이 배선에 의해 다른 쪽의 소자전극(331)은 연결되어 있고, 패널화한 후는 주사전극으로서 작용한다. 이 Y배선(334)의 두께는 약 15㎛이다. 도시하고 있지 않지만, 외부 구동회로에의 인출단자도 이것과 마찬가지의 방법으로 형성했다. 이와 같이 해서 XY매트릭스배선을 가지는 기판이 형성되었다.
(공정-e1 (소자막 형성))
상기 기판을 충분히 크리닝한 후, 발수제를 함유하는 용매로 표면을 처리해서, 표면이 소수성이 되도록 했다. 사용한 발수제는 에틸알코올에 의해 희석된 DDS(디메틸디에톡시실란: 신에쓰 화학사제)의 용매이고, 이 발수제를 스프레이법에의해 기판 상에 산포하고, 120℃에서 온풍에 의해 건조했다. 그 후, 소자전극 간에 잉크젯도포방법에 의해 소자막(335)을 형성했다. 본 실시예에서는, 소자막으로서 팔라듐막을 형성하기 때문에, 먼저 물 85부 및 이소프로필 알코올(IPA) 15부로 이루어진 수용액에 팔라듐-프롤린 착체 0.15중량%를 용해해서, 유기팔라듐함유용액을 얻었다. 이 외에 약간의 첨가제를 가했다. 액적 부여수단으로서 피에조소자를 이용 한 잉크젯분사장치를 사용했다. 그 후, 이 기판을 공기중에서 350℃에서 10분간의 가열 소성처리를 해서 산화팔라듐(PdO)을 얻었다. 형성된 PdO막은 도트 직경 약 60㎛, 최대두께 10㎚였다.
(공정-f1 (환원 포밍(후드 포밍))
표면전도형 전자방출소자에 있어서는, 포밍으로 불리우는 공정에 의해 상기 도전성박막을 통전처리해서 내부에 균열을 일으키게 해서 전자방출부를 형성한다. 포밍처리의 장치 및 방법의 개략은, 이하 도4A 및 도4B를 참조하면서 설명한다. 우선 상기 기판의 주위의 인출전극부를 제외하고 기판 전체를 덮도록 후드평상의 덮개(402)를 씌우고, 상기 덮개(402)와 기판과의 사이에 배기수단(403)을 이용해서 진공을 만든다. 이어서, 외부 전원에 접속된 전극단자부(401)로부터 XY배선 간에 전압을 인가해서, 소자전극 사이에 전류를 흐르게 함으로써, 도전성박막(425)을 국소적으로 파괴, 변형 혹은 변질시켜, 전기적으로 고저항인 상태의 전자방출부(426)를 형성한다. 인가되는 전압 등의 포밍의 조건에 대해 자세하게는 일본특개2000-311599에 기재되어 있으므로, 그 중에서 적당한 조건을 선택했다.
포밍공정에서는, 약간의 수소가스를 함유하는 진공분위기하에서의 통전 가열로 환원이 촉진되어, 산화팔라듐(PdO)이 팔라듐(Pd)막으로 변화한다. 그 때, 막의 환원에 의해 막이 수축해서 일부에 균열이 생긴다. 또 얻어진 도전성박막(425)의 저항값 Rs는 100 내지 10MΩ의 값이다.
포밍처리의 종료 판단에는 소자의 저항을 측정하고, 이 경우 포밍처리전 저항에 대해서 1000배 이상의 저항을 나타낸 시점에서 포밍종료로 했다.
(공정-gl (활성화카본 퇴적))
포밍 후 상태에서는 전자방출효율은 매우 낮기 때문에, 전자방출효율을 올리기 위해서, 상기 소자에 대해서 활성화로 불리우는 처리를 행했다. 이 처리는 상기한 포밍과 마찬가지로, 후드형상의 덮개를 씌워서 덮개와 기판과의 사이에 내부에 진공공간을 만들고, 외부로부터 XY배선을 통해서 펄스전압을 소자전극에 반복해서 인가함으로써 행한다. 그리고, 탄소원자를 함유하는 가스를 도입해서, 그에 유래하는 탄소 혹은 탄소화합물을 상기 균열 근방에 카본막(426)으로서 퇴적시키는 공정이다.
본 공정에서는 카본원으로서 틀루니트릴을 사용하고, 슬로우리크밸브(404)를 통해 진공공간 내에 도입해서 1.3×10-4Pa를 유지했다. 도입되는 톨루니트릴의 압력은 진공장치의 형상이나 진공장치에 사용하고 있는 부재 등에 의해 약간 영향은 받지만, 1×1O-5Pa~1×1O-2Pa 정도가 바람직하다. 본 공정에 있어서도 전압인가 등의 조건은 일본특개2000-311599호 공보에 기재되어 있고, 그로부터 적당한 조건을 선택할 수가 있다.
소자전류(If)는 약 60분 후 포화에 이르므로, 통전을 정지하고, 슬로우리크밸브를 닫아 활성화처리를 종료했다. 이상의 공정으로 전자원기판을 제작했다.
(공정-hl (지지프레임 부착))
다음에, 도 5에 나타내는 바와 같이, 리어플레이트 상의 소정의 위치에 프릿 유리를 도포하고, 위치맞춤을 행해서 지지프레임(516)을 페이스플레이트에 가고정 했다. 이후에 390℃에서 30분간 소성을 행해서 지지프레임을 리어플레이트에 부착했다.
(공정-i1 (스페이서 배치))
전자원기판(101)의 Y배선(상배선) 중, 도 5에 나타내는 바와 같이, 일부의 라인(No. 5, 45, 85, 125, 165, 205, 245, 285, 325, 365, 405, 445, 485, 525, 565, 605, 645, 685, 725, 765)의 위에 스페이서(110)를 설치했다. 스페이서는 소자가 있는 영역(화소영역) 외에, 절연성스테이지(박판유리)(515)를 지지구로서 세라믹 접착제(토아고세이사제 아론세라믹 W)로 고정했다.
(공정-jl (페이스플레이트 형성))
우선, 유리기판(2.8mm두께의 PD-200 (아사히유리(주)제)에 애노드접속단자용의 구멍과 이온펌프용 개구부(111)를 형성했다. 구멍은 형을 만들어 미리 형성해 두어도 되고, 평면유리판에 후에 형성해도 된다. 구멍은 화상표시영역 외에 형성한다. 다음에, 애노드접속단자를 도전성의 프릿유리를 사용해서 묻고, 420℃에서 1시간동안 소성을 행해서 프릿을 경화시켜서, 애노드접속단자부(112)를 형성했다. 애노드접속단자부의 전극은 진공용기의 내면에는 돌출시키지 않는다. 이 기판을 세제, 순수 및 유기용제를 사용해서 충분히 세정했다. 다음에, 애노드접속단자부, In충전의 하지층 등의 패턴에 은페이스트를 도포하고, 480℃ 정도의 온도에서 소성했다. 이어서, 인쇄법에 의해 형광막(106)을 도포하고, 표면의 평활화처리(통상, "필밍" 이라고 호칭된다)를 해서, 형광막을 형성했다. 형광막(106)은 스트라이프형상의 형광체(R, G, B)와 흑색 도전재(블랙 스트라이프)가 교대로 배열된 형광막(106) 으로 했다. 또한, Al박막으로 이루어진 메탈백(107)을 스퍼터링법에 의해 50㎚의 두께로 형성했다. 이들 막(106), (107)은 애노드접속단자(112)용 구멍 및 이온펌프용 개구부(111)와는 접촉하지 않지만, 도시하지 않은 은페이스트패턴이 메탈백(107)과 애노드접속단자(112)를 접속한다.
(공정-x1 (이온펌프의 부착))
우선, 도 2에 나타내는 바와 같은 이온펌프의 조립을 행한다. 이온펌프의 유리케이스의 제작시에는, 소정의 위치에 애노드 및 캐소드 단자용의 구멍을 형성하고, 이온펌프의 애노드 및 캐소드 지지용의 금속 지지구(도시생략)를 묻었다. 다음에, 이온펌프의 캐소드 및 애노드을 금속 지지구에 의해 고정하고, 단자용 구멍에 전극을 통과 시켜서 애노드 및 캐소드과 접속한다. 이후에 애노드 및 캐소드용의 구멍을 통과한 전극을 프릿유리로 가고정하고, 동시에 조립된 이온펌프의 유리케이스(115)를 페이스플레이트에 형성된 개구부(111)의 위치에 가고정했다. 이 이온펌프부착 페이스플레이트를 420℃, 1시간의 조건에서 소성해서, 이온펌프애노드단자(120) 및 캐소드단자(119)의 형성과 이온펌프(114)의 고정을 행했다.
(공정-kl (In 도포))
일본특개2001-210258호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 페이스플레이트 주변부에 미리 형성된 은페이스트 인쇄부의 위에 In을 충전했다.
(공정-11 (탈가스, 게터 플래시, 밀봉접착))
다음에, 도 6에 나타내는 진공용기 내에 상기 공정에서 형성된 리어플레이트와 페이스플레이트를 세트해서 진공용기를 형성했다. 도 6과 같이, 진공용기는 크 게 나누어 로드실(601)과 베이킹, 게터플래시, 밀봉접착 등의 처리를 행하는 진공처리실(602)로 나누어지고, 이 둘은 게이트밸브(603) 등과 접속된다. 각 프로세스에 대해서는 각각의 처리실을 설치해도 되지만, 본 실시예에서는 하나의 처리실(602)로 상기 일련의 프로세스를 행한다. 로드실, 처리실에는 각각 배기펌프(604), (605)가 구비되어 있다. 리어플레이트, 페이스플레이트, 및 이 둘을 장착한 지그(606)는 화살표와 같이 로드실에 도입된 후, 처리실에 보내지고, 처리 종료 후, 로드실을 지나 진공용기 외로 반출된다.
도 7A 내지 도 7B에 진공처리실에 있어서의 각 프로세스의 개략도를 나타낸다. 도 7A는 베이킹 프로세스, 도 7B는 게터플래시 프로세스, 도 7C는 밀봉접착 프로세스, 도 7D는 반출준비가 완료된 상태를 나타낸다. 베이킹 프로세스에 있어서, 반송지그(700)에 의해 반송되어 온 리어플레이트(701), 페이스플레이트(702)를 핫플레이트(703), (704)에 의해 가열한다. 또, 반송지그(700)와 결합된 게터플래시용(덮개형상)지그(705)에 구비된 전류도입선(707)이 외부에 인출되는 전극(708)에 접속되어 게터를 통전 과열에 의해 플래시한다. 밀봉접착시에는 베이킹시와 마찬가지로 덮개형상 지그(705)가 측면으로 이동하고, 핫플레이트로 기판을 가열하면서 하중을 가하고, In으로 리어플레이트와 페이스플레이트를 접합한다. 밀봉접착이 종료하면 핫플레이트는 각각 상하로 이동해서, 반송지그와 함께, 완성된 진공용기는 외측으로 반출된다. 또한, 페이스플레이트의 탈가스효과를 높이기 위해서, 전자선을 주사하면서 조사해서 클리닝을 행하는, 전자선조사클리닝 등의 공정을 행해도 된다.
각각의 공정의 내용을 이하에 간단하게 설명한다. 베이킹은, 페이스플레이트(702)와 리어플레이트(701)의 상하로 핫플레이트(704), (703)를 이동시킨 후, 약 300℃에서 1시간 유지해서 행한다. 그 전후로 승온 약 1시간, 강온 약 12시간의 온도가 더해진다(도 7A).
다음에, 리어플레이트(701)와 그것을 지지하는 반송지그의 일부를 위쪽의 핫플레이트와 함께 상부로 약 50㎝ 상승시킨다. 이어서, 리어·페이스 양 플레이트 사이의 공간에 덮개형상 지그(705)를 이동시켜서 페이스플레이트에 접촉시킨다. 지그는 박스형상으로 되어 있으며, 그 내부의 천정에는 링형상의 바륨게터가 18개가 설치되어 있고, 이들은 각각 전류도입단자에 연결되어 전류로 가열되어 플래시된다(도 7B). 게터의 배치는 페이스플레이트 상에 약 50㎚의 두께로 균일하게 성막되도록 미리 정해져 있다. 실제로는, 각 게터에 12A의 전류를 12초 간씩 흘려, 차례로 플래시를 행했다.
이후에 게터플래시용 지그를 리어·페이스플레이트 간 공간으로부터 이동시켜서, 원래의 위치로 복귀시켰다. 다음에 리어플레이트(701), 지지 지그, 및 위쪽 핫플레이트(703)를 원래의 위치까지 하강시키고(도 7C), 승온 약 1시간으로 핫플레이트를 180℃로 가열했다. 또한, 180℃에서 약 3시간 유지한 뒤, 리어플레이트 지지용 지그를 서서히 내려 리어·페이스 양 플레이트 간에 약 60kgf/㎠의 하중을 가했다. 이 상태를 유지한 채, 핫플레이트를 자연냉각해서, 실온이 되었을 때 밀봉접착을 완료했다.
(공정-ml (패키징, 시스템화))
상기 공정에서 형성된 진공용기에 플렉시블케이블을 장비하고, 동시에 이온펌프를 접속했다. 이온펌프의 애노드단자부(120)는 화상표시부의 애노드접속단자부(112)와 마찬가지로 내습성의 고저항수지(포팅이라고 호칭됨)로 처리되어, 고압케이블에 접속되었다. 화상표시부의 고압케이블은 직접 애노드전원(124)에 접속되었지만, 이온펌프의 고압케이블은 접속된 1000㏁의 제 1의 저항(125)을 개재해서 애노드전원(124)에 접속되었다. 저항부는 절연테이프 등으로 주변의 도전체와 쇼트되지 않도록 처리된다. 또, 필요에 따라서 전용의 드라이버장치에 접속해서, 선구동 및 에이징 등의 소자특성 안정화공정을 통과시킨다. 이때 이온펌프에 애노드전원으로부터 전압을 인가해서, 이온펌프를 구동한다. 이 후, 드라이버 IC, 하우징 등을 조립해서, 화상표시장치를 완성했다.
상기 공정- m1과 완성된 화상표시장치의 구동에 있어서, 이온펌프애노드단자(120)와 제 1의 저항(125) 사이에 마이크로암페어미터를 접속하고, 애노드전원(124)에 10㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측했다. 전압을 인가하자마자 약 5㎂의 전류가 흐르기 시작해서 약 1분에 0.1㎂ 이하로 감소했다. 전압인가 직후에는 이온펌프에 10㎸가 인가되자마자, 이온펌프가 기동을 시작하고, 이온펌프 기동 후는 이온펌프에 등가이온펌프저항과 직렬저항과의 저항 분할비에 따른 전압이 인가되었다. 이 결과는 효율적으로 진공배기를 행하고 있는 것을 나타내고 있다. 또 1000시간 이상 구동을 계속하고 있으면 순간적으로 전류가 증가하는 현상을 볼 수 있게 되었지만, 전류치는 10㎂이하로 억제되어 있었다. 이것은 직렬저항에 의해 과잉전류가 전원으로부터 유출되지 않도록 되어 있는 것을 나타내고 있다. 또, 본 실 시예의 화상표시장치에서는, 페이스플레이트의 이면에 유리프릿으로 접속된 유리케이스 내에 이온펌프가 내포되어 있어 소형, 경량, 고신뢰성, 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
(실시예 2)
본 실시예는 본 발명의 제 2의 태양의 구체적인 예이다. 이하에, 본 실시예의 화상표시장치 및 그 제조방법에 대해서 도 8을 참조해서 설명한다.
(공정- a2-al2)
실시예 1에서 설명한 공정 a1-j1, x1, k1-11과 마찬가지의 공정을 행했다.
(공정- m2(패키징, 시스템화))
상기 공정에서 형성된 진공용기에 플렉시블케이블을 장비하고, 동시에 이온펌프를 연결했다. 이온펌프애노드단자부(120)는 화상표시부의 애노드단자부(112)와 마찬가지로, 내습성의 고저항수지(포팅으로 호칭됨)로 처리되어, 고압케이블에 접속되었다. 화상표시부의 고압케이블은 직접 애노드전원(124)에 접속되지만, 이온펌프의 고압케이블은 직렬로 접속된 200㏁의 제 1의 저항(125)을 개재해서 애노드전원(124)에 접속된다. 또한, 애노드전원(124) 및 저항(125)에 대해서 이온펌프와 병렬로 100㏁의 제 2의 저항(126)을 접지 앞에 삽입한다. 저항부는 절연테이프 등으로 주변의 도전체와 쇼트하지 않도록 처리된다. 또 필요에 따라서 전용의 드라이버장치에 접속해서, 선구동 및 에이징 등의 소자특성 안정화공정을 통과시킨다. 이 때 이온펌프에 애노드전원으로부터 전압이 인가되어 이온펌프가 구동되었다. 이 후, 드라이버 IC, 하우징 등을 조립해서 화상표시장치를 완성했다.
상기 공정- m2와 완성된 화상표시장치의 구동에 있어서, 이온펌프애노드단자 (120)와 저항체(125) 사이에 마이크로암페어미터를 접속해서, 애노드전원(124)에 10 ㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측했다. 전압인가 후는 상시 약 30㎛의 전류가 흘러, 이온펌프에 인가되는 전압이 저항분할비로 정해지는 3.3㎸로 되어 있는 것을 나타낸다. 즉 적정한 전압으로 정상적으로 진공배기를 행하고 있는 것을 나타내고 있다. 또, 이온펌프가 1000시간 이상 구동을 계속하고 있으면 순간적으로 전류가 증가하는 현상을 볼 수 있게 되었지만, 전류치는 50㎂ 이하로 억제되어 있었다. 이것은 직렬저항에 의해 과잉전류가 전원으로부터 유출되지 않도록 되어 있는 것을 나타내고 있다. 실시예 2의 경우, 이온펌프애노드단자부(120)에 인가되는 전압이 애노드전압의 약 1/2로 상시 유지되기 때문에, 이온펌프애노드단자부(120)에서의 절연은 애노드접속단자부(112)에 비해 안전성이 높아진다. 본 실시예의 화상표시장치에 있어서도, 페이스플레이트의 이면에 유리프릿으로 접속된 유리 케이스 내에 이온펌프가 내포되어 있어, 소형, 경량, 고신뢰성, 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
(실시예 3)
상기 실시예 1, 2에서는 페이스플레이트에 이온펌프를 부착한 형태를 나타냈지만, 이온펌프에 리어플레이트를 부착해도 된다. 이러한 실시예를 도 9를 참조해서 설명한다.
(공정- a3(유리기판, 소자전극 형성)
도 5에 나타내는 위치에 미리 개구부(112)를 형성한 유리기판을 사용했다. 세정, 막형성에 대해서는 실시예 1과 같다.
(공정- b3-e3)
실시예 1에서 설명한 공정 b1-e1와 마찬가지의 공정을 행했다.
(공정- x3(애노드접속단자 및 이온펌프의 부착))
우선, 실시예 1과 같은 공정으로 이온펌프의 조립을 행했다. 다음에, 이온펌프의 애노드 및 캐소드에 접속된 전극을 프릿유리로 가고정하고, 동시에 조립된 이온펌프의 유리케이스(115)를, 도 9에 나타내는 바와 같이, 리어플레이트의 이온펌프용 개구부의 위치에 가고정했다. 또한, 애노드접속단자(112)를 리어플레이트에 형성한 구멍에 프릿유리로 가고정했다. 이 이온펌프부착 리어플레이트를 420℃에서 1시간의 조건으로 소성해서, 이온펌프애노드단자(120) 및 캐소드단자(119)의 형성, 이온펌프(114)의 고정, 그리고 애노드접속단자(112)의 부착을 행했다.
(공정- f3-i3)
실시예 1에서 설명한 공정 f1-i1와 같은 공정을 행했다.
(공정- j3(페이스플레이트 형성))
우선, 유리기판(2.8mm두께의 PD-200 (아사히유리(주)제)을 세제, 순수 및 유기용제를 사용해서 충분히 세정했다. 다음에 애노드단자부(도시생략), In충전의 하지층 등에 은페이스트를 도포하고, 480℃ 정도의 온도에서 소성했다. 이어서, 인쇄법에 의해 형광막(106)을 도포하고, 표면의 평활화처리(통상, "필밍"이라 호칭됨)를 해서, 형광막을 완성했다. 또한, 형광막(106)은 스트라이프형상의 형광체(R, G, B)와 흑색 도전재(블랙 스트라이프)가 교대로 배열된 형광막으로 했다. 또한, 형광 막(106) 위에, Al박막으로 이루어진 메탈백(107)을 스퍼터링법에 의해 50㎚의 두께로 형성했다
(공정- k3-m3)
실시예 1에서 설명한 공정 b1-e1와 같은 공정을 행했다.
상기 공정- m3와 완성된 화상표시장치의 구동에 있어서, 이온펌프애노드단자 (120)와 저항체(125) 사이에 마이크로암페어미터를 접속하고, 애노드전원(124)에 10㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측한 결과, 실시예 1과 거의 같은 거동을 나타내고, 또한 같은 효과가 얻어지고 있는 것이 확인되었다. 또 본 실시예의 화상표시장치에 있어서는, 리어플레이트의 이면에 프릿유리로 접속된 유리케이스 내에 이온펌프가 내포되어 있어 소형, 경량, 고신뢰성, 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
(실시예 4)
상기의 실시예에서는, 저항체에 시판의 전기저항부품을 사용했지만, 진공 용기 내에 고저항박막을 형성해서, 이것을 제 1의 저항으로서 사용해도 된다. 이하, 이러한 실시예를 설명한다. 본 실시예에서는, 제 1의 태양에 있어서, 제 1의 저항으로서 페이스트플레이트 측에 형성된 박막을 사용한 예에 대해서 도 10을 참조해서 설명한다.
(공정-a4-i4)
실시예 1에서 설명한 공정 a1-i1과 같은 공정을 행했다.
(공정- j4(페이스플레이트 형성))
우선, 유리기판(2.8㎜두께의 PD-200(아사히유리(주)제)에 애노드접속단자용 구멍, 이온펌프애노드단자용 구멍, 이온펌프용 개구부를 형성했다. 구멍은 형을 만들어 미리 형성해도 되고, 후에 평판으로 형성해도 된다. 구멍은 화상표시영역의 주변부에 형성된다. 다음에, 애노드접속단자 및 이온펌프애노드단자를 도전성의 프릿유리를 사용해서 묻었고, 420℃, 1시간의 소성을 행해서 프릿을 경화시켜서, 애노드접속단자부(112) 및 이온펌프애노드단자부(120)를 형성했다. 이 때, 이온펌프애노드단자부의 전극은 페이스플레이트를 관통한다. 이 기판을 세제, 순수 및 유기용제를 사용해서 충분히 세정했다. 다음에, 애노드접속단자부로부터의 인출선, In충전의 하지층 등의 패턴에 은페이스트를 도포하고, 480℃정도의 온도에서 소성했다. 이어서, 안티몬 도프의 산화주석미립자가 에탄올에 분산된 용액을 소정의 영역에 스프레이분사에 의해 3층을 형성했다. 다음에, 이것을 380℃에서 20분간 소성해서 도전성 고저항막(ATO막)을 제 1의 저항(125)으로서 형성했다.
이것에 의해, 애노드접속단자부와 이온펌프애노드단자부(120) 간의 저항이 대략 1000㏁가 되었다. 보다 정확하게 저항을 제어하려면, 소정의 형상의 메탈마스크를 통해 스프레이분사를 행해서, 막의 형상을 형성한다. 다음에, 인쇄법에 의해 형광막(106)을 도포하고, 표면의 평활화처리(통상, "필밍"이라 호칭됨)를 해서, 형광막을 완성했다. 또한, 형광막(106)은 스트라이프형상의 형광체(R, G, B)와 흑색 도전재(블랙 스트라이프)가 교대로 배열된 형광막으로 했다. 또한 Al박막으로 이루어진 메탈백(107)을 핫스탬프법에 의해 50㎚의 두께로 형성했다.
(공정-x4(이온펌프의 부착))
예시된 이온펌프의 구성은 실시예 1과 약간 다르므로, 간단하게 이온펌프의 조립을 설명한다. 이온펌프의 유리케이스 제작시에는, 소정의 위치에 애노드 및 캐소드단자용의 구멍을 형성하고, 이온펌프의 애노드 및 캐소드 지지용의 금속 지지구(도시생략)를 묻었다. 다음에, 이온펌프의 캐소드 및 애노드을 금속 지지구에 의해 고정하고, 캐소드단자용 구멍에 전극을 통과시켜서 캐소드과 접속했다. 그 후, 캐소드용의 구멍을 통과한 전극을 프릿유리에 의해 가고정하고, 동시에, 조립한 이온펌프의 유리케이스(115)를 페이스플레이트에 형성된 개구부(111)의 위치에 가고정했다. 이 이온펌프부착 페이스플레이트를 420℃, 1시간의 조건에서 소성해서, 이온펌프캐소드단자(119)의 형성과 이온펌프(114)의 고정을 행했다.
(공정-y4(이온펌프애노드과 애노드단자의 접속))
다음에, 이온펌프애노드과 이온펌프애노드단자(120) 사이에 얇은 스텐레스강판을 놓고, 스폿용접에 의해 접속하고, 제 1의 저항(125)인 도전성고저항막과 이온펌프애노드을 전기적으로 접속했다.
(공정-k4-m4)
실시예 1에서 설명한 공정 k1-m1와 같은 공정을 행했다.
상기 공정-m4에 있어서, 소자의 사전처리를 행하기 전에 이온펌프만의 구동을 행했다. 이 때, 애노드전원(124)과 애노드단자(112) 사이에 마이크로암페어미터를 접속하고, 애노드전원(124)에 10㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측했다. 전류변화는 실시예 1에 있어서의 경우와 거의 동일하고, 이온펌프의 구동이 효율적으로 행해지고 있는 것이 확인되었다. 또, 본 실시예의 화상표시장치에 있어서도, 페이스플레이트의 이면에 유리프릿에 의해 접속된 유리케이스 내에 이온펌프가 내포 되어 있어, 소형, 경량, 고신뢰성, 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
(실시예 5)
본 실시예에서는, 제 2의 태양에 있어서, 제 1의 저항 및 제 2의 저항으로서 진공용기 내에 형성된 박막을 사용한 예에 대해서 도 11을 참조해서 설명한다.
(공정-a5-b5)
실시예 1에서 설명한 공정 a4-b4와 같은 공정을 행했다.
(공정-c5(절연막 형성))
상하배선을 절연하기 위해서, 층간절연층을 형성한다. 후술의 Y배선(상배선)(324) 아래에 층간절연층을 형성해서, 먼저 형성된 X배선(하배선)(322)과 Y배선(324)과의 교차부를 덮도록, 또한 상배선(Y배선)(324)과 소자전극의 다른 쪽(321)과의 전기적 접속이 가능하도록, 접속부에 콘택트홀을 형성했다. 단, 본 실시예에서는, 제 4의 실시예에 기재된 구성에 부가해서, 상배선의 최종(768) 라인의 다음에도 또 한 개의 상배선을 구비하고, 하배선과 접속하지 않도록 하는 절연층의 패턴을 추가했다.
PbO를 주성분으로 하는 감광성의 유리페이스트를 스크린인쇄한 후, 이것을 노광하고 현상했다. 이것을 4회 반복하고, 마지막으로 480℃ 전후의 온도에서 소성했다. 이 층간절연층의 두께는 4층에서 약 30㎛(4층 전체), 폭은 150㎛로 했다.
(공정- d5(상배선 형성))
먼저 형성된 절연막 위에 AgO페이스트잉크를 스크린 인쇄한 후 건조시키고, 재차 동일한 공정을 반복해서 Y배선(상배선)을 2번 도포하고 나서, 480℃ 전후의 온도에서 소성했다. 상기 절연막을 사이에 두고 Y배선(324)은 X배선(하배선)(322)과 교차하고 있고, 절연막의 콘택트홀 부분에서 소자전극의 다른 쪽과도 접속되어 있다.
이 배선에 의해 다른 쪽의 소자전극(321)은 연결되었고, 패널화한 후는 주사전극으로서 작용했다. 단, 769 라인을 추가했다. 이 Y배선(324)의 두께는 약 15㎛이다. 도시하고 있지 않지만, 외부 구동회로에의 인출단자도 이것과 같은 방법으로 형성했다. 이와 같이 해서 XY매트릭스배선을 가지는 기판이 형성되었다.
(공정- e5-h5)
실시예 4에서 설명한 공정 e4-h4와 같은 공정을 행했다.
(공정-i5(스페이서 배치))
전자원기판(101)의 Y배선(상배선) 중, 도 5에 나타내는 바와 같이, 일부의 라인(No. 5, 45, 85, 125, 165, 205, 245, 285, 325, 365, 405, 445, 485, 525, 565, 605, 645, 685, 725, 765)의 위에 스페이서(110)를 배치했다. 스페이서는 소자가 있는 영역(화소영역) 외에, 절연성스테이지(박판유리)(515)를 지지구로 사용해서 세라믹 접착제(토아고세이사제 아론세라믹 W)로 고정했다. 또 본 실시예에 있어서, 769 라인 상에도 별도 스페이서(제 2의 저항(126))를 배치한다. 이 스페이서에만 전체면에 ATO막(안티몬주석산화물)을 도포해서 상하간의 저항을 100㏁로 했다.
(공정-j5(페이스플레이트 형성))
실시예 4의 공정-j4와 마찬가지로 페이스플레이트를 형성했다. 단, 산화주석 입자가 분산된 용액을 스프레이분사해서 4층을 형성하고, 영역도 폭을 넓혀서 제 1의 저항(125)의 저항값이 200㏁가 되도록 도전성 고저항막(ATO막)을 형성했다. 또, 은페이스트는 애노드접속단자부 및 In을 충전하는 하지층뿐만 아니라, 이온펌프단자부(120)와 ATO부착 스페이서(제 2의 저항(126))의 접촉부에도 도포되었다.
(공정- x5, y5, k5, 15)
실시예 4에서 설명한 공정 x4, y4, k5 및 l5와 마찬가지의 공정을 행했다. 이들 공정에서, 도 11에 나타내는 바와 같이, 도전성 고저항막(제1의 저항(125))과 고저항막을 형성한 스페이서(제2의 저항(126))가 서로 접촉하고, 또 이들 양자와 이온펌프애노드 사이에 전기적 접속이 이루어진다.
(공정-m5(패키징, 시스템화))
상기 공정에서 형성된 진공용기에 플렉시블케이블을 장비하고, 화상표시부의 단자부(112)를 포팅처리하고, 고압케이블을 접속한다. 고압케이블은 애노드전원(124)에 접속된다. 또 ATO막이 도포된 스페이서(126)를 장착하고 있는 상배선은 직접 접지된다. 그 결과, 화상표시부애노드(107)에는 고압전원의 출력전압이 그대로 인가되지만, 이온펌프애노드에는 고저항도전성막(125)과 스페이서(126)의 ATO막의 저항으로 분할된 전압이 인가된다. 소자부는 필요에 따라서 전용의 드라이버장치에 접속해서 선구동, 에이징 등의 소자특성 안정화공정을 통과시킨다. 이 때, 이온펌프를 구동해서, 진공이 양호한 상태에서 소자특성 안정화공정을 행했다. 이들 처리의 종료 후 드라이버 IC, 하우징 등을 조립해서 화상표시장치를 완성했다.
실시예 4와 마찬가지로, 상기 공정-m5에 있어서 소자의 전처리를 행하기 전 에 이온펌프를 기동시켰다. 또, 실시예 4와 마찬가지로, 애노드전원(124)과 애노드단자(112) 사이에 마이크로암페어미터를 접속하고, 애노드전원(124)에 10㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측했다. 전류변화는 대략 실시예 2와 같은 거동을 나타내고, 이온펌프에 3.3㎸의 전압이 인가되어, 정상적으로 진공배기를 행하고 있는 것을 나타내고 있다. 또, 이온펌프가 1000시간 이상 구동을 계속하고 있으면 순간적으로 전류가 증가하는 현상을 볼 수 있게 되었지만, 전류치는 50㎂ 이하로 억제되고 있었다. 이것은 직렬저항에 의해 과잉전류가 전원으로부터 흘러나오지 않게 되어 있는 것을 나타내고 있다. 또, 본 실시예의 화상표시장치에 있어서도, 페이스플레이트의 이면에 유리프릿으로 접속된 유리케이스 내에 이온펌프가 내포되어 있어, 소형, 경량, 고신뢰성, 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
(실시예 6)
실시예 4에서는, 제 1의 태양의 제 1의 저항을 페이스플레이트 측에 구비했지만, 도 12에 나타내는 바와 같이, 제 1의 태양에 있어서, 제 1의 저항을 리어플레이트 측에 구비할 수도 있다. 이것은 실시예 3(도 9)과 실시예 4(도 10)를 조합한 구성이며, 그 제조방법은 생략한다.
(실시예 7)
실시예 5에서는, 제 2의 태양에 있어서, 제 1의 저항으로 페이스플레이트에 형성된 박막을 사용하고, 제 2의 저항으로서 스페이서의 표면에 형성된 박막을 사용한 예를 나타냈지만, 본 실시예에서는, 제 1의 저항 및 제 2의 저항의 양쪽을 리어플레이트에 형성된 박막을 사용했다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 애노드전원을 리어플레이트 측에 형성된 애노드접속단자(112)에 접속하고, 페이스플레이트 상의 메탈백(107)과 접속하는 점은 실시예 3과 같고, 실시예 5에서는 페이스플레이트 상에 형성된 고저항막을 본 실시예에서는 리어플레이트 상에 형성했다. 그리고, 고저항막과 애노드접속단자(112)를 전기적으로 접속하고, 이 고저항막을 제 1의 저항(125)과 제 2의 저항(126)으로 분할해서 사용한다. 즉, 도 13에 나타내는 바와 같이, 애노드접속단자(112)가 접속되는 말단의 반대측 말단 부근의 고저항막에 접속해서 중계단자(127)를 형성하고, 이것을 접지한다. 그리고, 중앙위치 부근에 이온펌프애노드단자(120)를 배치하고, 이것과 이온펌프애노드(118)을 얇은 스텐레스강판으로 접속하면, 고저항막이 제 1의 저항(125)과 제 2의 저항(126)으로 각각 분할되어, 제 1의 저항은 이온펌프와 직렬로 접속되고, 한편 제 2의 저항은 이온펌프와 병렬로 접속되게 된다. 화상표시장치의 제조방법은 이미 설명한 방법의 조합이므로 생략한다.
또, 본 실시예에서 나타낸 바와 같이 박막을 분할해서 제1의 저항과 제2의 저항으로서 사용하는 방법은 페이스플레이트 상에 형성된 고저항막에 있어서도 적용할 수가 있다. 그 경우, 실시예 5(도 11)에서 사용한 스페이서의 표면에 형성된 고저항막은 사용하지 않아도 된다.
(실시예 8)
다음에, 다른 전자방출소자를 사용한 예를 도 14를 참조해서 설명한다.
(공정- a8(캐소드 형성))
우선, 2.8㎜두께의 유리기판 PD-200 (아사히유리(주)제)를 충분히 세정했다. 이 유리기판 위에 두께 0.25㎛의 Mo막을 스퍼터링법으로 형성하고, 통상의 포토리소그래피기술에 따라 X배선을 겸하는 캐소드전극(1403)을 형성했다.
(공정- b8(절연층, 게이트 형성))
이 위에 두께 1㎛의 SiO2막(1404)을 스퍼터링법으로 형성하고, 이어서 두께 0.25㎛의 Mo막을 형성했다. 이후에, 통상의 포트리소그래피기술에 의해 Mo 및 SiO2막에 직경 1.5㎛의 구멍을 형성해서, Y배선을 겸하는 게이트전극(1405)과 이미터형성구멍을 형성했다.
(공정-c8(이미터 형성))
다음에, 이 위에 두께 1.5㎛의 SiO2막을 스퍼터링법으로 형성하고, 1.2㎛를 에치백했다. 이어서, 두께 1㎛의 W를 형성하고, 남겨진 두께 0.3㎛의 SiO2막을 리프트오프해서, 원추형상의 이미터전극(1406)을 형성했다.
(공정-d8(지지프레임 부착))
이 공정은 실시예 1의 공정-h1과 마찬가지로 행한다.
(공정-e8(스페이서 배치))
이 공정은 실시예 1의 공정-i1과 마찬가지이다. 이것으로부터 스핀트형 전자방출소자를 배열한 리어플레이트를 형성했다.
(공정-f8(페이스플레이트형성))
이 공정은 실시예 1의 -j1와 마찬가지로 행했다.
(공정-x8(고압도입단자 및 이온펌프의 부착))
이 공정은 실시예 1의 공정-x1와 마찬가지로 행했다.
(공정-g8(In 도포))
이 공정은 실시예 1의 공정 -k1와 마찬가지로 행했다.
(공정-h8(탈가스, 게터플래시, 밀봉접착))
이 공정은 실시예 1의 공정 -l1와 마찬가지로 행했다.
(공정-i8(패키징, 시스템화))
이 공정은 실시예 1의 공정-m1와 마찬가지로 행했다.
상기 공정-i8과 완성된 화상표시장치의 구동에 있어서, 이온펌프애노드단자(120)와 저항체(125) 사이에 마이크로암페어미터를 접속하고, 애노드전원(124)에 10-㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측한 결과, 실시예 1과 거의 같은 거동을 나타내고, 같은 효과가 얻어지고 있는 것이 확인되었다. 또 본 실시예의 화상표시장치에 있어서도, 페이스플레이트의 이면에 유리프릿으로 접속된 유리케이스 내에 이온펌프가 내포되어 있어, 소형, 경량, 고신뢰성, 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
(비교예 1)
이 비교예에서는, 실시예 1에 있어서, 제 1의 저항을 사용하지 않았던 것 이외는, 실시예 1과 같은 처리를 행했다. 즉, 실시예 1의 공정-m1를 다음의 공정-M1으로 변경했다.
(공정-M1(패키징, 시스템화))
실시예 1의 공정-m1전에 형성된 진공용기에 플렉시블케이블을 장비하고, 동 시에 이온펌프를 접속했다. 이온펌프의 애노드단자부(120)는, 화상표시부의 애노드단자부(112)와 마찬가지로, 내습성의 고저항수지(포팅이라 호칭됨)로 처리되고, 고압케이블에 접속되었다. 화상표시부의 고압케이블은 직접 애노드전원(124)에 접속되었지만, 이온펌프의 고압케이블도 애노드전원(124)에 직접 접속되었다. 또, 필요에 따라 전용의 드라이버장치에 접속되어 선구동, 에이징 등의 소자특성 안전화공정을 통과시킨다. 그 때 이온펌프에 애노드전원으로부터 전압을 인가해서, 이온펌프를 구동한다. 그 후, 드라이버 IC, 하우징 등을 조립해서 화상표시장치를 완성했다.
상기 공정-M1와 완성된 화상표시장치의 구동에 있어서, 이온펌프애노드단자(120)와 애노드전원(124) 사이에 마이크로암페어미터를 접속하고, 애노드전원(124)에 우선 5㎸의 전압을 인가해서 전류변화를 관측했다. 이온펌프가 기동되면 전류가 대략 지수함수적으로 감소하고, 1분 후의 전류치는 실시예 1에 비해 약 5배컸다. 이것은 기동 후의 배기속도가 느린 것을 나타내고 있다. 이어서, 10㎸의 전압을 인가했는데, 장시간 구동된 후에, 1mA를 넘는 큰 전류가 빈번하게 흘렀다. 이 현상은 애노드전원의 부담을 크게 해서, 화상표시용의 드라이버에 악영향을 줄 가능성이 있다.
(비교예 2)
이 비교예 2에서는, 실시예 8에 있어서 제 1의 저항을 사용하지 않았던 것 이외는, 실시예 8과 같은 처리를 행했다. 즉, 실시예 8의 공정-i8(패키징, 시스템화)를 비교예 1의 공정-M1로 변경해서 화상표시장치를 제작했다.
그 결과는 상기 공정-M1에 대응하는 공정 및 완성된 화상표시장치의구동에 있어서도 비교예 1과 같은 현상이 관측되었다.
이상과 같이, 실시예에서는 비교예에 비해서 이온펌프의 기동이 안정적이고, 전원이나 주변회로에 대한 영향도 적기 때문에, 화상표시장치를 구동해서 휘도의 변화를 비교하면 비교예 1, 2는 휘도가 불안정한 것에 대해, 실시예 1~8에서는 휘도가 안정되어 경시변화가 적었다. 또, 페이스플레이트 또는 리어플레이트의 이면에 유리프릿으로 접속된 유리케이스 내에 이온펌프가 내포되어 있어 소형, 경량, 고신뢰성 저코스트화를 꾀할 수 있었다.
본 발명에 의하면, 화상표시장치에 이온펌프를 사용했을 경우에, 효율적인 이온펌프의 구동방식에 의해, 전원이나 주변회로에 대한 영향이 적고, 장기간에 걸쳐 안정된 휘도를 유지하고, 또한 화상형성영역 내에서의 휘도 불균일도 적은 화상표시장치를 제공할 수가 있다.
이 출원은 여기에 참고문헌으로 포함되어 있는, 2004년 8월 27일자로 제출된 일본특개2004-248546으로부터 우선권을 주장한다.

Claims (16)

  1. 전자원과 이 전자원에 대향하는 애노드전극을 포함하고, 감압으로 유지되는 진공용기;
    상기 애노드전극에 전압을 인가하는 애노드전원;
    상기 진공용기에 연통해서 설치된 이온펌프; 및
    상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 제 1의 저항;
    을 적어도 가진 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 이온펌프를 구동하는 전원이 상기 애노드전원인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 저항의 저항치(R1)가 상기 이온펌프의 정상동작시의 저항치 (Ripm)의 0.05배 내지 20배인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 저항은 상기 진공용기의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 저항은 상기 진공용기의 내부에 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 진공용기는:
    상기 전자원으로서 복수의 전자방출소자가 배열된 전자원기판; 및
    상기 전자원기판과 대응해서 배치되고, 형광막과 상기 애노드전극으로서 애노드전극막을 가진 화상형성기판;
    을 가진 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1의 저항이 상기 전자원기판 및 상기 화상형성기판의 적어도 한쪽의 진공용기 내부에 설치된 박막인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  8. 전자원과 이 전자원에 대향하는 애노드전극을 포함하고, 감압으로 유지되는 진공용기;
    상기 애노드전극에 전압을 인가하는 애노드전원;
    상기 진공용기에 연통해서 설치된 이온펌프;
    상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 병렬로 접속된 제 1의 저항; 및
    상기 이온펌프를 구동하는 전원에 대해서 상기 이온펌프와 직렬로 접속된 제 2의 저항;
    을 적어도 가진 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 이온펌프를 구동하는 전원이 상기 애노드전원인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2의 저항의 저항치(R2)가 상기 이온펌프의 정상동작시의 저항치(Ripm)의 0.01배 내지 1배이며;
    상기 제 1의 저항의 저항치(R1)가 상기 제 2의 저항치(R2)의 0.5배 내지 10배인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1의 저항 및 상기 제 2의 저항은 상기 진공용기의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1의 저항 및 상기 제 2의 저항은 상기 진공용기의 내부에 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 진공용기는:
    상기 전자원으로서 복수의 전자방출소자가 배열된 전자원기판; 및
    상기 전자원기판과 대응해서 배치되고, 형광막과 상기 애노드전극으로서 애노드전극막을 가진 화상형성기판;
    을 가진 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 1의 저항 및 상기 제 2의 저항의 적어도 한쪽이 상기 전자원기판 및 상기 화상형성기판의 적어도 한쪽의 진공용기 내부에 설치된 박막인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 제 1의 저항 및 상기 제 2의 저항의 적어도 한쪽이 상기 전자원기판과 상기 화상형성기판 사이에 배치되어 있는 스페이서의 측면에 설치된 박막인 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 제 1의 저항 및 상기 제 2의 저항은 상기 전자원기판 및 상기 화상형성기판의 적어도 한쪽의 진공용기 내부에 설치된 박막을 상기 애노드전원, 상기 이온펌프의 애노드, 및 접지에 이 순서로 전기적으로 접속함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 화상표시장치.
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