JP2009037792A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】FED(フィールドエミッションディスプレイ)において、ガラス基板の貫通孔付近でのスパークの発生を対策する。
【解決手段】FEDでは内部を真空に排気する必要がある。カソード基板1に形成された排気孔10を囲んで、排気基板6、排気基板枠体71によって排気室を形成し、排気基板6に排気基板排気孔81を形成して排気管8を接続し、FED内部を真空に排気する。排気孔10の端部にシャープなエッジが形成されているとこのエッジを起点にスパークが発生する。これを対策するために、排気孔10に対して面取り101を形成する。排気基板排気孔81および高電圧導入ボタン孔82にも面取りを形成すればさらに良い。これによってカソード基板1等に形成された貫通孔10等の端部を基点とするスパークを抑制することが出来る。
【選択図】図5
【解決手段】FEDでは内部を真空に排気する必要がある。カソード基板1に形成された排気孔10を囲んで、排気基板6、排気基板枠体71によって排気室を形成し、排気基板6に排気基板排気孔81を形成して排気管8を接続し、FED内部を真空に排気する。排気孔10の端部にシャープなエッジが形成されているとこのエッジを起点にスパークが発生する。これを対策するために、排気孔10に対して面取り101を形成する。排気基板排気孔81および高電圧導入ボタン孔82にも面取りを形成すればさらに良い。これによってカソード基板1等に形成された貫通孔10等の端部を基点とするスパークを抑制することが出来る。
【選択図】図5
Description
本発明は、内部を真空にし、背面基板に電子源をマトリクス状に配置し、前面基板に対応する蛍光体を配置したフラット型表示装置に係り、該表示装置の耐電圧特性の向上、および製造歩留まりの向上を可能にする技術に関連する。
高輝度、高精細に優れたディスプレイデバイスとして、従来からカラー陰極線管が広く用いられている。しかし、省スペース、軽量等の観点から平面型画像表示装置の需要が拡大している。液晶表示装置、プラズマ表示装置等は30インチ以上の大画面としてもそれほど大きな重量にならないこと等から、TV等の大型表示装置の分野でも需要が拡大している。
一方、2枚のガラス基板に挟まれた内部を真空にして、カソード基板上に電子源をマトリクス状に配置し、対向基板であるアノード基板上に蛍光体を配置したいわゆるフィールドエミッションディスプレイ(以後FEDという)の開発が進んでいる。FEDは電子源からの電子が蛍光体に射突して発光することによって画像を形成するもので、明るさ、コントラスト、動画特性等でブラウン管並の優れた性能を得ることが出来るので、将来のTV用ディスプレイとして期待されている。
FEDは電子源から放出された電子を蛍光面に射突させることによって蛍光体を発光させるものであるから表示装置の内部は真空に保たなければならない。すなわち、表示装置は電子源が形成されているカソード基板と蛍光面が形成されているアノード基板を周辺でガラス枠等によってシールする。そして一般にはカソード基板に孔をあけ、この孔に排気管を接続することによって表示装置の内部を真空に排気する。そして、真空排気後、排気管をチップオフすることによって封止する。
このような、排気構造、あるいは封止方法を記載したものとして例えば「特許文献1」、「特許文献2」、「特許文献3」、「特許文献4」等がある。
表示装置の内部を真空に排気するためには、カソード基板あるいはアノード基板2に排気のための孔を開けることは必須である。そしてこの孔は表示装置の構成上カソード基板に形成される。図24(a)はFEDのカソード基板1の概略模式図である。図24(a)において、カソード基板1の線内は表示領域95であり多数の電子源、走査線、データ信号線等が形成されている。表示領域の外側には排気孔10が形成されている。排気孔10の対角方向にはゲッタ用のゲッタ孔9が形成されている。
図24(b)は排気孔10の断面構造である。排気孔10はガラス研削用ドリルで孔が開けられており、穴の端部Sはシャープなエッジとなっている。図24(c)は排気孔10の平面図である。排気孔10の周辺には、孔を空けたことによる多数の微小クラック105が生じている。FEDではカソード基板1とアノード基板2の間には8KV〜10KVの高電圧が印加されている。したがって、陰極基板にこのようなシャープなエッジが存在するとこの部分がスパークの起点となり、表示装置の耐電圧を劣化させる。また、排気孔10の端面における微小クラック105は耐電圧の問題をさらに深刻化している。
カソード基板1上には多数の電子源、走査線、データ信号線等が形成されている。これらのカソード基板1上に多数の電子源、走査線、信号線等を形成するために多くのフォト工程を必要とする。フォト工程は図25に示すように、膜形成、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離が組みになった工程である。図26はカソード基板1の形成プロセスにおいて、金属膜MTを被着後、パターニングのためのレジスト250を塗布した時の排気孔10付近の断面構造である。
図26に示すように、レジスト250は表面張力によって、排気孔周辺に2501で示したように厚く形成される。レジスト250を露光後、現像するが、レジスト250が厚い部分は図27に示すように、現像で除去されない。そうすると、金属膜MTのエッチング工程において、図28に示すように、排気孔周辺に金属膜MTが残ってしまう。このように、排気孔10の周囲に導電物である金属膜の残渣が存在すると表示装置の耐電圧をさらに劣化させることになる。
以上の問題は排気孔10について述べたが、ゲッタ孔9についても同様である。また、高電圧の導入のためにカソード基板1に孔を形成するような場合も同様である。また以上の問題点は陰極基板1を例にとって説明した。しかし、陽極基板2に孔を開ける場合も同様である。陽極基板も赤、緑、青の蛍光体やブラックマトリクス等を形成するために多くのフォト工程を必要とするからである。
本発明は以上のような問題点を解決するものであり、主な手段は次のとおりである。
(1)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔の前記アノード基板側に対向する端部には面取りが形成されていることを特徴とする表示装置。
(2)前記面取りは0.05mm以上のC面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(3)前記面取りは0.5mm以上のC面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(4)前記面取りは半径0.05mm以上のR面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(5)前記面取りは半径0.5mm以上のR面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(6)前記貫通孔は前記表示装置を真空に排気するための排気孔であることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(7)前記貫通孔の両端に面取りが形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
前記カソード基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔の前記アノード基板側に対向する端部には面取りが形成されていることを特徴とする表示装置。
(2)前記面取りは0.05mm以上のC面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(3)前記面取りは0.5mm以上のC面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(4)前記面取りは半径0.05mm以上のR面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(5)前記面取りは半径0.5mm以上のR面取りであることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(6)前記貫通孔は前記表示装置を真空に排気するための排気孔であることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(7)前記貫通孔の両端に面取りが形成されていることを特徴とする(1)に記載の表示装置。
(8)電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、前記カソード基板には貫通孔が形成され、前記カソード基板の前記アノード基板と反対側の面で前記貫通孔を含む部分には真空気密を保って箱部が形成され、前記カソード基板に形成された前記貫通孔の前記アノード基板側に対向する端部には面取りが形成されていることを特徴とする表示装置。
(9)前記箱部には前記表示装置の内部を真空に排気するための排気孔が形成されおり、前記排気孔の端部には面取りが形成されていることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(10)前記箱部には前記表示装置に陽極電圧を供給するための高電圧導入端子挿入孔が形成されており、前記高電圧導入端子挿入孔の端部には面取りが形成されていることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(11)前記高電圧導入端子には前記アノード基板と導通するためのコンタクトスプリングが接続され、前記コンタクトスプリングは前記カソード基板に形成された前記貫通孔を通ることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(12)前記箱部には前記表示装置を真空に保つためのゲッタが設置されていることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(9)前記箱部には前記表示装置の内部を真空に排気するための排気孔が形成されおり、前記排気孔の端部には面取りが形成されていることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(10)前記箱部には前記表示装置に陽極電圧を供給するための高電圧導入端子挿入孔が形成されており、前記高電圧導入端子挿入孔の端部には面取りが形成されていることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(11)前記高電圧導入端子には前記アノード基板と導通するためのコンタクトスプリングが接続され、前記コンタクトスプリングは前記カソード基板に形成された前記貫通孔を通ることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
(12)前記箱部には前記表示装置を真空に保つためのゲッタが設置されていることを特徴とする(8)に記載の表示装置。
本発明によれば、カソード基板に形成された排気孔の端部に面取りを形成するので、排気孔端部に電界が集中してこの部分がスパークの起点になるということを防止することが出来、したがって、表示装置の耐電圧を防止することが出来る。また、排気孔を面取りすることによって、排気孔端部に生じた微小クラックを防止することが出来る。その結果、微小クラックが離脱して表示装置内の異物となって耐電圧を劣化することを防止することが出来る。
また、排気孔に面取りを形成することによって、カソード基板にフォト工程によって成膜する際に、排気孔端部にレジストが厚く溜まってしまうことによって、現像時にレジストが残ってしまうという現象を防止することが出来る。これによって、金属膜等の残渣が排気孔周辺に残って耐電圧を劣化させるという問題を対策することが出来る。
以上はカソード基板の排気孔に面取りを形成した場合の効果であるが、カソード基板に排気のために排気基板をとりつけ、この排気基板に排気孔を形成する場合、あるいは、排気基板に高電圧導入端子のための孔を形成する場合にも、これらの孔に面取りをほどこすことによって耐電圧の劣化を防止することが出来る。また、排気基板にゲッタ孔を形成する場合も、ゲッタ孔に面取りを施すことによって耐電圧の劣化を防止することが出来る。
以下、本発明の最良の形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施例を示す平面図である。図2は図1の側面図である。図3は図1のA−A断面図である。図4は図1のB−B断面図である。図1〜図4を参照して本実施例にかかるFEDの構造を説明する。図1において、カソード基板1の上には封着部3を介してアノード基板2が設置されている。カソード基板1上には横方向には走査線11が、縦方向にはデータ信号線12が延在している。走査線11には走査線端子51から、データ信号線にはデータ信号線端子52を介して外部から信号が供給される。走査線11とデータ信号線12の交差部付近には電子源14が配置されている。したがって、多数の電子源14がマトリクス状に配列されている。電子源としては、いわゆるMIM方式、SED方式、Spindt方式等種々のもが開発されているが、いずれの電子源も本発明に適用可能である。本実施例では電子源の例としてMIM方式の電子源を用いている。
カソード基板1とアノード基板2と周辺を囲む封着部3の内部は真空に保たれる。したがって、大気圧によってアノード基板2、カソード基板1が撓み、カソード基板1とアノード基板2の間隔が確保できなくなる。あるいは、カソード基板1またはアノード基板2が破壊してしまう。これを避けるために、カソード基板1とアノード基板2との間にスペーサ4が設置される。このスペーサ4はセラミックスまたはガラスで形成され、画像形成の妨げにならないように一般的には走査線上に設置される。
アノード基板2上には電子ビームの射突によって光を発する赤、緑、青の蛍光体が電子源に対応して形成されている。蛍光体の周囲にはブラックマトリクス(BM)が形成されており、画像のコントラスを向上させる。ブラックマトリクスを覆ってAlによるメタルバックが形成されている。メタルバック25には高電圧が印加され、カソードから出射する電子ビーム15を加速して赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突させる。
電子ビーム15によって蛍光体から光を発生させるためには電子ビーム15はある程度のエネルギーをもっていなければならないので、アノード基板2のメタルバック25には8KVから10KVの高電圧が印加される。本実施例では高電圧導入端子はカソード基板1側に設けられ、コンタクトスプリングを介してアノード基板2に高電圧が供給される。図1おいて、コンタクトスプリングとアノード基板2が接触するアノード端子が表示装置のコーナー部に形成されている。表示装置の内部は真空に保たなければならないので、図1における表示装置のコーナー部に排気のための排気孔10が形成されている。
図2は図1をC方向から見た側面図である。図2において、カソード基板1とアノード基板2は封着部3を介して所定の距離を持って対向している。カソード基板1のほうが端子5等が設置される分大きく形成されている。カソード基板1の下には、排気管8、高電圧導入ボタン60を取り付けるための排気基板6が取り付けられている。排気基板6は排気基板封着部7を介してカソード基板1に取り付けられている。図2では排気基板6には表示装置の内部を真空にするための排気管8がチップオフされた状態で描かれている。排気管8の近くに高電圧導入ボタン60が取り付けられている。
図3は図1のA−A断面図である。図3において、データ信号線12が紙面と垂直方向に延在している。本実施例ではこのデータ信号線12の上に電子源14が形成されている。絶縁膜13を介して走査線11がデータ信号線12と直角方向に形成されている。図3において、走査線11は封着部3の外部に延在している。走査線11の上にはカソード基板1とアノード基板2との距離を保つためのスペーサ4が設置されている。スペーサ4は固着材41によってカソード基板1側では走査線上に、アノード基板2側ではメタルバック25に固着されている。このスペーサ4には108から109Ω程度の導電性が与えられ、カソードとアノードとの間にわずかに電流を流すことによってスペーサ4の帯電を防止している。
アノード基板2側では、電子源14に対応する場所には、赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23が配置され、この赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23は電子ビーム15に射突されることによって発光し、画像が形成される。赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23の間はBM24で充填され、画像のコントラスの向上に寄与する。BM24は例えば、クロムおよび酸化クロムの2層構造になっている。赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23およびBM24を覆ってAlによるメタルバック25が形成されている。メタルバック25には約8KVから10KV程度の高電圧が印加され、電子ビーム15を加速する。加速された電子ビーム15はメタルバック25を突き抜けて赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突し、赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23を発光させる。
表示装置の内部を真空に保つために、枠部材31と封着材32によってカソード基板1とアノード基板2がシールされている。カソード基板1の厚さおよびアノード基板2の厚さは3mm程度である。また、カソード基板1とアノード基板2との距離は約2.8mm程度であり、表示装置の内側は高電界となっている。
図4は図1のB−B断面を示す模式図である。図4において、カソード基板1上には横方向にデータ信号線12が延在している。データ信号線12と直角に走査線11が紙面の法線方向に延在している。走査線11は多層構造となっている。配線抵抗を減らすためである。走査線と走査線の間のデータ信号線12の上には電子源14が配置されている。電子源14はデータ信号線12が下部電極、トンネル絶縁膜を介して走査線11と電気的に接続する上部電極によって構成される。
アノード基板2には赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23が形成され、蛍光体と蛍光体の間はBM24によって覆われている。蛍光体およびBM24を覆ってAlをスパッタリングすることによって、メタルバック25が形成される。メタルバック25には約8KVから10KVの高電圧であるアノード電圧が印加されている。このアノード電圧によって電子源14から放出された電子ビーム15は加速される。電子源14から放出された電子ビーム15はメタルバック25を突き抜けて赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突することによってカラー画像が形成される。電子ビーム15は電子源14から放出されると広がるが、蛍光面上では、各蛍光体よりも若干大きくなるように設計されている。
アノード基板2には赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23が形成され、蛍光体と蛍光体の間はBM24によって覆われている。蛍光体およびBM24を覆ってAlをスパッタリングすることによって、メタルバック25が形成される。メタルバック25には約8KVから10KVの高電圧であるアノード電圧が印加されている。このアノード電圧によって電子源14から放出された電子ビーム15は加速される。電子源14から放出された電子ビーム15はメタルバック25を突き抜けて赤蛍光体21、緑蛍光体22、青蛍光体23に射突することによってカラー画像が形成される。電子ビーム15は電子源14から放出されると広がるが、蛍光面上では、各蛍光体よりも若干大きくなるように設計されている。
アノード基板2とカソード基板1の距離を保つために、図3で説明したように、スペーサ4が設置される。スペーサ4はカソード基板1上の走査線11とアノード基板2上のメタルバック25の間に設置される。この位置であれば、スペーサ4が画像形成の妨げにならない。
図5は図1のC‐C断面図である。図5において、カソード基板1には排気孔10が形成されており、この排気孔10を通して表示装置の排気あるいは高電圧の供給が行なわれる。カソード基板1の排気孔10を覆って排気基板6が排気基板用封着部7を介して設置され、表示装置の内部を真空に保つ。排気基板用封着部7はカソード基板1とアノード基板2の封着部3と基本的な構成は同じである。すなわち、排気基板用枠体71が封着材32を介してカソード基板1およびアノード基板2と封着されている。
高電圧導入ボタン60が封着材32によってカソード基板1にとりつけられ、外部と気密を保っている。この封着材32にはフリットガラスが用いられる。高電圧導入ボタンにはFe−Ni合金が用いられる。Fe−Ni合金の成分比は封着材32と熱膨張係数を合わせるように選定される。高電圧導入ボタン60にはコンタクトスプリング50がスポット溶接される。コンタクトスプリング50はインコネルによって形成されるが、インコネルはFe−Ni合金と容易にスポット溶接を行うことが出来る。
コンタクトスプリング50が湾曲することによる曲げ応力によって、コンタクトスプリング50が適切な力によってアノード基板2に形成されたメタルバック25に接触する。本実施例でのコンタクトスプリング50の接触圧は約10gである。コンタクトスプリング50のコンタクト部は球面等の適切な曲面となっており、メタルバック25と安定に接触をとれるように形成されている。コンタクトスプリング50の材料は耐熱性等を考慮してインコネルが使用され、厚さは0.1mmである。
アノード基板2にはコンタクトスプリング50と接触するためのアノード端子26が形成されている。アノード端子26には比較的大きな電流が流れるために、信頼性が重要である。本実施例ではアノード端子26部分の構造は次のようになっている。アノード基板2上にはクロムと酸化クロムのBM24が形成され、これを覆ってAlによるメタルバック25が形成されている。これは画面の有効面と同じ構成である。本実施例ではメタルバック25の上に、アノード端子26として導電膜が厚さ10μmから30μmで形成される。本実施例では導電膜は銀ペーストを印刷によって塗布し、その後、焼成することによって形成される。この導電膜の焼成は特別なプロセスを設ける必要は無く、例えば、スペーサ4を固着するときの焼成プロセスと同時に行なえばよい。
銀ペーストは直径1μmから数μmの銀粒子を粘度の高い有機溶媒に分散させたものである。焼成後、銀粒子同士がつながることによって導電性を持つことになる。導電膜はある程度の抵抗を持ったほうが良い場合もある。このような場合は通常の銀ペーストにさらにフリットガラス用のペーストを混合して抵抗を調整することができる。なお、導電膜の材料としては、銀ペーストに限る必要は無く、Ni粒子を分散させたNiペースト、Al粒子を分散させたAlペースト等を用いることもできる。また、バインダによって結合した黒鉛膜を用いることも出来る。この場合の黒鉛はグラファイトが好適である。黒鉛膜の抵抗は、例えば、黒鉛にベンガラ(酸化鉄)を混合することによって調整することができる。
導電膜を10μmから30μmと厚く形成することによって、コンタクトスプリング50と導電膜の接触を安定に行なうことができる。すなわち金属膜であれば、コンタクトスプリング50と金属膜とは点接触となり、この点接触部分に電流が集中して導電膜が破壊する危険が大きいが、本実施例のような導電膜であれば、導電膜とコンタクトスプリング50とは金属膜の場合と比較して接触面積を大きくとることができ、面接触に近い状態となり、接触が安定する。また、本実施例のような導電膜であれば、金属に比べて抵抗が大きいため、コンタクト部に大電流が流れることを抑止することができる。この点からも接触による導通の安定性を向上することが出来る。
排気基板6には排気基板排気孔81が形成され、この排気基板排気孔81には排気管8が封着材32としてのフリットガラスを介して設置される。排気管8を通して表示装置の内部が真空排気され、その後、排気管8はチップオフされて表示装置の内部は真空に保持される。図5は排気管8がチップオフされた状態を示している。
図5において、排気孔10には面取り101が形成されている。面取り101を形成することによって、従来例である図24(b)に示すシャープなエッジSを防止することが出来る。また、面取り101を形成することによって図24(c)に示すような排気孔10の端面における微小クラック105を防止することが出来る。面取り101によって端面が直角ではなく、鈍角となるために微小クラックが生じにくいからである。カソード基板1とアノード基板2との間には約2.8mmのスペースを挟んで8KVから10KVの高電圧が印加されているので、シャープなエッジが存在するとここを起点にスパークが生ずるが、本発明のように、排気孔10に面取り101を形成することによって電界集中を防止することが出来る。
また、排気孔10に対して面取り101を形成する他の利点は従来例に示したような排気孔10の周辺における微小クラックを防止することが出来るという点である。微小クラックが存在していると表示装置完成後、この微小クラックが脱落して微小ガラス粉となる場合がある。このような管内異物は表示装置の耐電圧を著しく低下させる。本発明のように、面取り101を形成することによって、このような、管内異物は大幅に減らすことが出来、耐電圧の向上に大きな効果がある。
排気孔10に対して面取り101を形成するさらに他の利点は、本発明の課題で述べたような、排気孔付近における金属膜等の残渣を防止することが出来ることである。金属膜等の残渣が形成される大きな原因は排気孔10の端面において、表面張力によってレジスト250の厚い部分が形成されるということである。本発明のように、排気孔端面に面取り101を形成することによってレジスト250が排気孔端部に厚く溜まることを防止することが出来る。
図7はこの様子を示す模式図である。図7において、金属膜MTはスパッタリング等で形成されるが、排気孔10の面取り101の部分にも薄く形成される。排気孔10の端面には面取り101が形成されていることによって、レジスト250がスムースに流れ、部分的に厚くなることが無い。したがって、レジスト250を現像するときに排気孔10の端面にレジスト250が残って、その結果金属膜等の残渣が残るということを防止することが出来る。
図6はいわゆるC面取りの場合であるが、この形状は色々な寸法をとることが出来る。一般には図6におけるC1=C2とするのが良いが、耐電圧特性、フォト工程のレジスト
形成の状況に応じてC1とC2を変えてもよい。面取り101はわずかな量を形成するだけでも大きな効果を発揮する。例えば、図6におけるC1とC2が0.05mm以上あれば効果を発揮する。より好ましくは図6におけるC1とC2は0.5mm以上とするのが良い。
形成の状況に応じてC1とC2を変えてもよい。面取り101はわずかな量を形成するだけでも大きな効果を発揮する。例えば、図6におけるC1とC2が0.05mm以上あれば効果を発揮する。より好ましくは図6におけるC1とC2は0.5mm以上とするのが良い。
図8は排気孔10に対する面取り101の形成方法である。図8に示すように、グラインダGRを回転させて排気孔端部に接触させるだけで簡単に面取り101を形成することが出来る。研磨は冷却のために水をかけながら行う。図6におけるC1とC2の割合は、図8におけるグラインダGRのθを変えることによって簡単に変えることが出来る。また、C1またはC2の量はグラニインダGRをどの程度排気孔10に差し込むかによって変えることが出来る。
図5はカソード基板1に形成された排気孔10に対して両側に面取り101が形成されている場合である。面取り101は図5のようにカソード基板1の両側に形成することが望ましいが、製作プロセス上、面取りを片面のみに形成する場合は、カソード基板1の陽極基板2と対向する面に形成することが必要である。
以上はカソード基板1に形成された排気孔10について説明した。しかし、スパークによる耐電圧の問題は図5における排気基板6に形成された高電圧導入ボタン孔82、排気基板排気孔81についても同様である。本実施例においては、図5に示すように、排気基板6に形成された高電圧導入ボタン孔82、排気基板排気孔81についてもカソード基板1に形成された排気孔10と同様な面取りを形成している。排気基板6はフォト工程を経ないために、高電圧導入ボタン孔82と排気基板排気孔81の面取りとカソード基板1に形成された排気孔10の面取り101とは寸法を変えてもよい。
なお、カソード基板1に形成された孔が排気孔10ではなくゲッタ孔9である場合も同様である。この場合、ゲッタは図5におけるカンソード基板1、排気基板6、および排気基板用枠体71で囲まれた空間に設置される。この場合は、図5における排気孔10がゲッタ孔9になるだけで、以上述べた構成を適用することが出来る。ゲッタは独立に設置してもよいし、図5に示すように高電圧導入のためのコンタクトスプリング50、排気基板排気孔81等が設置される空間と同じ空間に設置しても良い。
図8から図20は本発明によって形成したカソード基板用のガラスを用いてカソード基板1を形成するプロセスである。以下の説明はMIM電子源を用いたカソード基板1について説明する。この場合、データ信号線12はMIM電子源においては下部電極となっているために、以下の説明ではデータ信号線12の代わりに下部電極という言葉を用いる。
先ず、図9に示したように、カソード基板1上に下部電極110用の金属膜を成膜する。下部電極110の材料としてAl系材料を用いる。Al系材料を用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できるからである。ここでは、Ndを2原子量%ドープしたAl−Nd合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は600nmとした。
成膜後はパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の下部電極110を形成した(図10)。下部電極110の電極幅は画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体100〜200ミクロン程度とする。この電極は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うことができる。
また、下部電極110は陰極基板の最下層膜であり、その上に種々の膜を積層するため、端面はテーパー状に加工することが望ましい。そこでエッチング液はリン酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。硝酸の比率を高めることによりエッチング中のレジスト後退を促進し、加工端面をテーパー状に仕上げることができる。
次に、電子放出部を制限し、下部電極110エッジへの電界集中を防止する保護絶縁層140と、絶縁層120を形成する。まず、図11に示した下部電極110上の電子放出部となる部分をレジスト膜250でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化して保護絶縁層140とする。化成電圧を200Vとすれば、厚さ約280nmの保護絶縁層140が形成される。その後、レジスト膜250を除去して残りの下部電極110の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を4Vとすれば、下部電極110上に厚さ約8nmの絶縁層(トンネル絶縁層)12が形成される(図12)。
次に、層間膜(層間絶縁膜)と、上部電極130への給電線となる上部バス電極170となる金属膜を例えばスパッタリング法等で成膜する(図13)。層間膜としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜などを用いることができる。ここでは、シリコン窒化膜150とシリコン膜160の積層膜を用い膜厚はそれぞれ200nmと300nmとした。このシリコン窒化膜150は、陽極酸化で形成する保護絶縁層140にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極110と上部バス電極170間の絶縁を保つ役割を果たす。またシリコン膜160は、後ほど上部バス電極170の側面にアンダーカット190を形成し、上部電極130を分離するために用いる。
上部バス電極170となる金属膜をスパッタリング等で成膜する。上部バス電極170は走査電極として用いるため、データ電極となる下部電極13より抵抗が低い必要があり、ここでは比抵抗の低い純Alを用い、膜厚は配線抵抗を低減するため、4.5μmとした。
次に上部バス電極170の加工を行う。上部バス電極170は下部電極110とは直交し、電子放出部の横に配置する。エッチングは例えばリン酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる(図14)。
続いて上部バス電極170とトンネル絶縁層13の間のフィールド絶縁膜14上の層間膜にスルーホールを開口する。エッチングは、例えばCF4やSF6を主成分とするエッチングガスを用いたドライエッチングによって、シリコン窒化膜150とシリコン膜160を同時にエッチングして行うことができる(図15)。
続いて、上部バス電極と上部電極を電気的に接続する部分となるコンタクト電極用の金属膜をスパッタで形成する。コンタクト電極用の金属膜は、下部電極と同様にNdを2原子量%ドープしたAl−Nd合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は300nmとした(図16)。
続いて、コンタクト電極180の加工を行う(図17)。コンタクト電極180は下部電極110と同様にテーパー加工するため、エッチング液はリン酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。硝酸の比率を高めることによりエッチング中のレジスト後退を促進し、加工端面をテーパー状に仕上げることができる。
加工形状は図17に示すように、トンネル絶縁層13側の端面はスルーホール内を交差するようにし、トンネル絶縁層13と反対側の端面は上部バス電極16上になるようにする。スルーホール内にコンタクト電極180の端面を形成することで、コンタクト部をフィールド絶縁膜14上に形成することができ、この後形成する上部電極130をシリコン窒化膜150とシリコン膜160の段差を経ずに上部バス電極16からフィールド絶縁層14まで下ろすことが可能である。したがって、上部電極130の段切れを防止することが可能である。
続いて、層間膜のシリコン膜160をシリコン窒化膜150に対して高い選択比でドライエッチングすることにより、上部バス電極170の反対側の側面下にアンダーカット190を形成する(図18)。ドライエッチは、CF4とO2の混合ガス、またはSF6とO2の混合ガスにより行った。これらのガスはSiとSiNをともにエッチングするが、O2の比率を最適化(例えばCF4:O2=2:1)することにより、Siのエッチング選択比を高めることができる。このアンダーカット190は後ほど上部電極130を成膜した際に上部電極130を各上部バス電極170(各走査線)毎に分離する機能を持つ。
続いて、電子放出部上のシリコン窒化膜150を加工し、電子放出部を開口する。エッチングは、例えばCF4やSF6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる(図19)。
次に、図20に示すように、上部電極130の成膜をスパッタ法等で行う。上部電極130としては、ホットエレクトロンの透過率の高い8族の白金族、1b族の貴金属が有効である。特にPd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Au、Agやそれらの積層膜などが有効である。ここでは例えばIr、Pt、Auの積層膜を用い、膜厚比を1:3:3とし、膜厚は例えば3nmとした。上部電極の形成は膜をスパッタリングによって形成するのみであり、フォト工程は用いない。
以上のようにカソード基板1の形成には多くの微細加工が必要であり、多くのフォト工程を必要とする。本発明のようにカソード基板1に面取りのある排気孔10、またはゲッタ孔9を用いることにより、排気孔10等の周辺における金属膜の残渣等を防止することが出来る。さらにプロセス中における排気孔10またはゲッタ孔9等の端部からのガラス欠け等によるガラス粉末が薄膜中に混入すること等も防止することが出来る。
実施例1は排気孔10に対していわゆるC面取りを形成した場合である。本実施例はカソード基板1の排気孔10にいわゆるR面取り102を形成した場合である。R面取り1−2はC面取りと比較してエッジ部がないために、電界集中を防止してスパークを抑制する効果はさらに大きい。また、R面取り102を形成することによって図31(c)に示すような排気孔10の端面における微小クラックを防止して、微小ガラス粉末の発生を防止することが出来ることは同様である。
排気孔10に対してR面取り102を形成する利点として、本発明の課題で述べたような、排気孔付近における金属膜等の残渣を防止することが出来るという点があるが、R面取り102の場合はエッジ部が無いためにC面取り101の場合よりもさらに効果が大きい。R面取り102であればエッジ部にレジスト250が厚く形成されるということをより効果的に防止できるからである。
図22はこの様子を示す模式図である。図22において、金属膜MTはスパッタリング等で形成されるが、排気孔10のR面取り102の部分にも薄く形成される。排気孔10の端面にはR面取り102が形成されていることによって、レジスト250がスムースに流れ、部分的に厚くなることが無い。したがって、レジスト250を現像するときに排気孔10の端面にレジスト250が残って、その結果金属膜等の残渣が残るということを防止することが出来る。
図21に示すR面取り102のRは耐電圧、プロセス中でのレジスト溜まりの状態等を考慮して色々な値をとることが出来る。わずかにR面取り102を形成するだけでも大きな効果を発揮することが出来る。例えば、図21に示すRは0.05以上あれば効果がある。また、Rが0.5mm以上あればさらに効果を発揮することができる。
図23は排気孔10に対するR面取り102の形成方法である。図23に示すように、グラインダGRを回転させて排気孔端部に接触させるだけで簡単にR面取りを形成することが出来る。研磨は冷却のために水をかけながら行う。図21におけるR面取り102のRは図23のグラインダGRの側面の曲率Rによって形成することが出来る。また、R面取りの量も、グラニインダGRをどの程度排気孔10に差し込むかによって変えることが出来る。
以上はカソード基板1に形成された排気孔10について説明した。しかし、図5における排気基板に形成されている、高電圧導入端子孔82、排気基板排気孔81、さらには、カソード基板1に形成されるゲッタ孔9等についても同様に適用できることは実施例1で説明したとおりである。
1・・・カソード基板、2・・・アノード基板、3・・・封着部、4・・・スペーサ、5・・・端子、6・・・排気基板、7・・・排気基板封着部、8・・・排気管、9・・・ゲッタ孔、10・・・排気孔、11・・・走査線、12・・・データ信号線、13・・・絶縁膜、14・・・電子源、15・・・電子ビーム、21・・・赤蛍光体、22・・・緑蛍光体、23・・・青蛍光体、24・・・ブラックマトリクス、25・・・メタルバック、26・・・アノード端子、50・・・コンタクトスプリング、60・・・高電圧導入ボタン、81・・・排気基板排気孔、82・・・高電圧導入ボタン孔、101・・・排気孔面取り、102・・・排気孔R面取り、110・・・下部電極、120・・・トンネル絶縁膜、130・・・上部電極、140・・・保護絶縁膜、150・・・シリコン窒化膜、160・・・シリコン膜、170・・・上部バス電極、180・・・コンタクト電極、190・・・アンダーカット、250・・・レジスト。
Claims (12)
- 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板には貫通孔が形成され、前記貫通孔の前記アノード基板側に対向する端部には面取りが形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記面取りは0.05mm以上のC面取りであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記面取りは0.5mm以上のC面取りであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記面取りは半径0.05mm以上のR面取りであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記面取りは半径0.5mm以上のR面取りであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記貫通孔は前記表示装置を真空に排気するための排気孔であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記貫通孔の両端に面取りが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 電子放出源がマトリクス状に形成されたカソード基板と、前記カソード基板と対向し、アノード電圧が印加され、前記電子放出源と対応する場所に蛍光体が形成されたアノード基板を備え、内部が真空に保持される表示装置であって、
前記カソード基板には貫通孔が形成され、前記カソード基板の前記アノード基板と反対側の面で前記貫通孔を含む部分には真空気密を保って箱部が形成され、
前記カソード基板に形成された前記貫通孔の前記アノード基板側に対向する端部には面取りが形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記箱部には前記表示装置の内部を真空に排気するための排気孔が形成されおり、前記排気孔の端部には面取りが形成されていることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
- 前記箱部には前記表示装置に陽極電圧を供給するための高電圧導入端子挿入孔が形成されており、前記高電圧導入端子挿入孔の端部には面取りが形成されていることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
- 前記高電圧導入端子には前記アノード基板と導通するためのコンタクトスプリングが接続され、前記コンタクトスプリングは前記カソード基板に形成された前記貫通孔を通ることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
- 前記箱部には前記表示装置を真空に保つためのゲッタが設置されていることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
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