KR100767904B1 - 화상표시장치 - Google Patents

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KR100767904B1
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요시유키 시마다
히로마사 미타니
가즈유키 세이노
다카시 니시무라
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 의하면, 다수의 전자방출소자로 이루어진 전자원과, 이 전자원으로부터의 전자에 의해 조사되어 화상표시를 위해 발광하는 형광막을 가지는 진공용기로 이루어진 화상표시장치에 있어서, 자기형성부의 작용에 의해 진공용기를 연통로를 통해 배기하는 이온펌프가 설치된다. 그리고, 이온펌프와 전자방출소자가 서로 연통하는 공간에는 자기실드부재가 설치되고, 이에 의해 자기형성부에 의해 발생된 자장이 상기 전자방출소자중 어느 하나로부터 방출된 전자의 궤도에 대한 영향과, 이 영향에 따르는 표시휘도의 불균일을 제거한다.

Description

화상표시장치{IMAGE DISPLAY APPARATUS}
도 1은 본 발명에 따른 화상표시장치를 표시하는 구성 단면도
도 2A, 2B-1 및 2B-2는 각각 제 1의 자기실드부재를 표시하는 도면
도 3은 본 발명이 적용되는 화상표시장치의 구성 개략도
도 4A 및 4B는 전자원을 설명하는 도면
도 5는 포밍ㆍ활성화 공정을 설명하는 도면
도 6은 화상표시장치의 제조에 이용되는 진공처리장치의 구성 개략도
도 7은 진공처리실에서의 베이킹, 게터플래쉬 및 봉합 공정을 설명하는 도면.
<도면의 주요주분에 대한 부호의 설명>
101: 리어플레이트 102: 상배선
103: 하배선 104, 405: 도전성 박막
105: 지지체 106: 프릿유리
107: 연통로 108: 애노드전극
109: 캐소드전극 110: 애노드접속단자
111: 캐소드접속단자 112: 이온펌프 케이싱
113: Ti전극 120: 표면전도형 전자방출소자
201: 페이스플레이트 202: 형광막
203: 메탈백 막 204: 게터막
205: 인듐 206: 스페이서
207: 이온펌프 전원 208: 자석(마그네트)
209: 이온펌프 210: 자기실드 케이스
211: 자기실드 케이스 저판 221: 메쉬 형상 부재
222: 스트라이프 형상 부재 401: 층간절연층
402, 403: 소자 전극 404: 전자방출부
501: 진공 용기 502: O링
503: 기판 스테이지 504: 정전 척
505: 터보 분자펌프 506: 전원
507: 컨덕턴스 밸브 508: 매스 플로우 콘트롤러
509: 홈 510: ITO막
601: 반출입구 602: 로드실
603: 진공 처리실 604: 반송치구
605: 게이트 밸브 606: 배기 수단 1
607: 배기수단 2 701: 지지기둥
702: 게터 배선 703: 덮개형상치구
704: 게터 배선단자 705: 게터 브러쉬 형상 접촉 전극
706: 상가열판 707: 하가열판
본 발명은 전자방출소자를 이용한 화상 표시장치에 관한 것이다.
전자원으로서 다수의 전자방출소자를 평면 기판상에 배열하고, 전자원으로부터 방출한 전자빔을 대향하는 기판상의 화상 형성 부재인 형광체에 조사해서 형광체를 발광시켜 화상을 표시하는 평면형상 디스플레이에 있어서는, 전자원과 화상 형성 부재를 내포하는 진공 용기의 내부를 고진공으로 유지할 필요가 있다. 진공 용기 내부에 가스가 발생해서 용기 내의 압력이 상승하면, 그 영향의 정도는 가스의 종류에 따라 다르지만, 전자원에 악영향을 미쳐서 전자방출량을 저하시키고, 이에 의해 선명한 화상의 표시를 할 수 없게 한다.
특히, 평면형상 디스플레이에 있어서는, 화상 표시부재로부터 발생한 가스가 화상 표시 영역 외에 설치된 게터에 도달하기 전에 전자원 근방에서 집적해서, 국소적인 압력 상승과 거기에 따르는 전자원의 열화가 발생하는 특징적인 문제점이 있다. 일본국 특개평 9-82245호 공보에는, 화상 표시 영역 내에 게터를 배치해서 발생한 가스를 즉시 흡착하고, 이에 의해서 소자의 열화나 파괴를 억제하는 것이 기재되어 있다. 또 일본국 특개 2000-133136호 공보에는, 화상 표시 영역 내에 비증발형 게터를 배치하고, 화상 표시 영역 외에 증발형 게터를 배치하는 구성에 대해서 기재되어 있다. 또, 일본국 특개 2000-315458호 공보는, 진공실 내에서 탈가스, 게터 형성 및 봉합(진공 용기화)으로 이루어지는 일련의 작업을 행하는 것을 제안하고 있다.
게터는 증발형 게터와 비증발형 게터로 분류되며, 증발형 게터는 물이나 산소에 대한 배기 속도는 아주 크지만, 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스에 대해서는 증발형 게터와 비증발형 게터 모두 배기 속도가 0에 가깝다. 아르곤 가스는 전자빔에 의해 전리되어 플러스 이온을 발생하고, 이 플러스 이온은 전자를 가속하기 위한 전계 중에서 가속되어 전자원에 충돌하는 것에 의해, 전자원에 손상을 준다. 또, 아르곤 이온은 장치의 내부에서 방전을 일으키게 하는 경우도 있어서, 장치를 파괴하는 일도 있다.
한편, 일본국 특개평 5-121012호 공보에는, 평면 디스플레이의 진공 용기에 스퍼터 이온펌프를 접속해서 고진공을 장시간 유지하는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 상기 방법은 강력한 자석을 필요로 하기 때문에, 자계 내에서 디스플레이의 전자 궤도가 구부러져 버리고, 이에 의해 화상에 영향을 준다.
본 발명은 이러한 과제에 비추어서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 이온펌프를 이용하는 경우에 있어서, 자계의 영향을 저감 하고, 화상 형성 영역 내에서 자계의 영향에 의한 휘도의 불균일이 적으며, 휘도의 경시 변화가 적은 화상 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따르면, 적어도, 다수의 전자방출소자가 배열된 전자원 기판과, 이 전자원 기판과 대향해서 배치되고 형광막 및 애노드전극막을 가지는 화 상 형성 기판으로 이루어지는 진공 용기를 포함하는 화상 표시장치로서, (a) 상기 전자원 기판 및 상기 화상 형성기판의 적어도 한 쪽에 설치된 연통로를 통해 상기 진공 용기와 접속되어 내부가 감압으로 유지되는 이온펌프 케이싱 및 자장 형성 수단을 가지는 이온펌프와, (b) 상기 이온펌프와 상기 전자방출소자가 서로 연통하고 있는 공간에 설치된 제 1의 자기실드 부재를 구비한 화상 표시장치가 제공된다.
본 발명은, 적어도, 다수의 전자방출소자가 배열된 전자원 기판과, 이 전자원 기판과 대향해서 배치되고, 형광막 및 애노드전극막을 가지는 화상 형성 기판으로 이루어지는 진공 용기를 포함하는 화상 표시장치로서, (a) 상기 전자원 기판 및 상기 화상 형성기판의 적어도 한 쪽에 설치된 연통로를 통해 상기 진공 용기와 접속되어 내부가 감압으로 유지되는 이온펌프 케이싱 및 자장 형성 수단을 가지는 이온펌프와, (b) 상기 이온펌프와 상기 전자방출소자가 서로 연통하고 있는 공간에 설치된 제 1의 자기실드 부재를 구비한 화상 표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 있어서는, 상기 제 1의 자기실드 부재는, 상기 진공 용기와 상기 이온펌프 케이싱의 사이에서 기체의 유통이 가능하도록 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 화상표시장치의 구성에 의하면, 전자방출소자와 이온펌프 사이의 진공중에 자기실드 부재가 설치되어 있으므로, 이온펌프 케이싱가 장착되어 있는 연통로 및 그 부근으로부터 누설하는 자장이 전자에 대해서 주는 영향을 아주 작게 억제할 수 있다. 따라서, 전자방출소자로부터 형광체로 향하는 전자 궤도가 구부러지지 않고, 휘도의 저하가 거의 없으며, 휘도의 불균일이 적은 화상 표시장치를 제공할 수 있다.
또, 진공 용기와 이온펌프 케이싱의 사이에서 기체의 유통이 가능하므로, 이온펌프에 필요한 배기속도를 얻을 수 있고, 소자 특성의 경시변화를 억제할 수 있다.
이하 도면을 참조해서 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 화상 표시장치를 도 1 내지 도 7을 참조해서 설명한다. 이하의 설명에서, 전자원 기판을 리어플레이트로, 그리고 화상 형성 기판을 페이스플레이트로 칭한다.
<이온펌프의 자기실드의 설명>
도 1 내지 도 3은 각각, 본 발명의 화상 표시장치의 구성예를 개략적으로 표시한다. 도 1에 표시한 바와 같이, 리어플레이트(101)은, 투명한 유리기판의 내부에 형성된, 상배선(上配線)(102), 하배선(下配線)(103) 및 전자방출부가 형성된 전자 방출 부재인 표면전도형 전자방출소자(전자원)(120)을 포함하고, 페이스플레이트(201)은 투명한 유리 기판의 안쪽에 도포된 형광막(202)과, 애노드전극막인 메탈백 막(203)과, 게터막(204)를 가지며, 지지체(105)는 리어플레이트(101)에 프릿유리(106)를 개재해서 접속되어 있다. 이온펌프(209)는 리어플레이트(101)의 배기구(107)에 프릿유리(106)로 접속되어 있고, 지지체(105)와 페이스플레이트(201)를 인듐(205) 등의 금속에 의해 진공중에서 가열, 봉합해서 진공 용기인 외위기를 구성한다.
이온펌프(209)는, 애노드전극(109), 캐소드전극(109), 애노드접속단자(110) 및 캐소드접속단자(111)를 가지며, 이들은 이온펌프 케이싱(112)의 내부에 고정되어 내포되고, 이온펌프 케이싱(112)의 외측에는 자석(208)이 위치하고 있다. 애노 드접속단자(110)와 캐소드접속단자(111)는 이온펌프 구동용의 이온펌프 전원(207)에 배선, 접속되어 있다. 자석(208)은 자장 형성 수단이며, 본 예에서는 영구자석을 사용하고 있지만, 전자석과 같은 자장 형성 수단을 이용해도 된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 자장 형성 수단은 통상 이온펌프 케이싱의 외부에 배치되어 있고, 그 외측을, 제 2의 자기실드 부재인 실드 케이스(210)가 둘러싸고 있다. 실드 케이스의 저판(211)은 본 발명의 제 1의 자기실드 부재에 상당하고, 진공 용기(본 예에서는 리어플레이트)에 설치된 배기용의 연통로(107)와 연통해서 기체의 유통이 가능하며, 이온펌프의 기능이 발휘되고 있다. 연통로(107)에 연통하는 부분은 기체의 유통이 가능하도록 1개 이상의 유통구를 가지고 있다. 이 유통구는 자기실드 기능을 저해하지 않고 기체의 유통이 가능하면 어떠한 형상이어도 된다. 유통구의 형태로서는, 예를 들면 도 2A에 표시한 바와 같은 메쉬 형상 부재(221) 및 도 2B-1에 표시한 바와 같은 스트라이프형상 부재(222)를 들 수가 있다. 충분한 실드(shield) 능력과 배기 능력을 확보하기 위해서는, 메쉬의 오프닝 간격은, 예를 들면 0.1㎜ 내지 5㎜가 바람직하고, 0.5㎜ 내지 3㎜가 더욱 바람직하다. 스트라이프의 간격은 0.3㎜ 내지 30㎜가 바람직하고, 1㎜ 내지 10㎜가 더욱 바람직하다. 또, 메쉬 형상 부재 또는 스트라이프 형상 부재를 두께 방향(도 2A 및 2B-1의 지면에 수직 방향)으로 두껍게 하는 것도 유효하고, 그 두께는 예를 들면 0.3㎜ 내지 30㎜가 바람직하고, 1㎜ 내지 10㎜가 더욱 바람직하다. 두께를 두껍게 하는 것에 의해, 자기 누설을 보다 방지할 수 있고, 개구율을 크게 할 수 있다. 특히, 도 2B-2에 도시한 바와 같이, 스트라이프의 간격을 두께와 동등하게 하거나, 그보다 짧게 하는 것이 바람직하다. 자기실드 능력은, 예를 들면 -20dbV 정도이면 충분히 사용 가능하다.
제 1의 자기실드 부재의 설치 방법으로서는, 예를 들면, 도 1 및 도 2A에 도시한 바와 같이, 연통로(107)을 덮도록 제 1의 자기실드 부재를 연통로와 밀착해서 배치하고, 기밀을 유지하기 위해서 유통구가 없는 부분을 연통로(107) 주위의 진공 용기와 접착하는 방법을 들 수 있다. 또는, 도 2B-1 및 2B-2에 표시한 바와 같이, 제 1의 자기실드 부재를 연통로(107)의 구멍에 삽입해도 되고, 또, 리어플레이트 또는 페이스플레이트의 두께를 넘어 진공 용기의 내부까지 도달해도 된다.
상기한 바와 같이, 제 1의 자기실드 부재는, 평판의 개구에 메쉬 부재나 스트라이프 부재와 같은 유통구를 가지는 부재가 설치되고, 연통로의 주변에서 평판의 개구가 아닌 부분이 직접 진공 용기에 기밀하게 접착되는 것이 바람직하다.
제 2의 자기실드 부재인 실드 케이스는, 전자방출소자에 대한 자장 형성 수단으로부터의 자장의 영향을 저감하도록 구성되어 있으면 되고, 판 형상의 재료외에, 메쉬 등의 유동성이 있는 재료라도 재료로부터 필요한 실드 효과가 나오는 것이면 사용할 수가 있다. 본 발명의 제 1실시예에 있어서는, 캐소드단자 또는 애노드단자의 인출부 등의 외부와의 접속이 필요한 부분을 제외하고는, 제 2의 자기실드 부재에 의해 자장 형성 수단과 이온펌프 케이싱를 외측으로부터 덮는 것이 바람직하다.
제 2의 자기실드 부재는 제 1의 자기실드 부재와 접착되는 것이 바람직하고, 특히 이들 2개의 자기실드 부재가 협동해서 자장 형성 수단을 둘러싸는 것이 바람 직하다.
바람직한 실시예에 있어서는, 도 1에 표시한 바와 같이, 제 1의 자기실드 부재는 실드 케이스의 저판이고, 제 2의 실드 부재는 실드 케이스이며, 저판에 이온펌프 케이싱가 접착되고, 이온펌프 케이싱와 자장 형성 수단을 실드 케이스로 둘러싸며, 실드 케이스와 저판이 접속된다. 자기적인 관점에서는, 실드 케이스와 저판은, 자기 누설이 적게 되도록(바람직하게는, 거의 없도록) 근접 또는 접촉하고 있으면 된다. 기계적인 관점에서는, 실드 케이스와 저판은 서로 접착되어 고정되는 것이 바람직하다. 이러한 실시예에 있어서는, 제 1의 자기실드와 제 2의 자기실드가 협동해서 자장 형성 수단을 공간적으로 둘러싸게 된다. 여기서 공간적으로 둘러싼다는 것은 반드시 밀폐해서 덮는 것을 의미하는 것이 아니라, 상술한 바와 같이, 제 1의 실드 부재로서는 메쉬 또는 스트라이프가 사용되고, 또 제 2의 자기실드 부재로서는 메쉬재 등이 사용되는 경우가 있으며, 요컨데, 자장형성수단은 자기 누설이 적게 되도록 상기 부재로 둘러싸여 있다. 자기실드 케이스의 저판(211)은 이온펌프(209)와는 독립적으로 미리 리어플레이트(101) 등에 접합되어도 되고, 또는 이온펌프를 저판에 취부하고 나서 리어플레이트 등에 접합되어도 되며, 또는 저판과 이온펌프를 동일한 공정에서 접합해도 된다.
제 1의 자기실드 부재 및 제 2의 자기실드 부재를 구성하는 재료는, 자기실드 작용이 있는 재료로부터 적당히 선택할 수 있다. 제 1의 자기실드 부재가 도 1에 도시한 바와 같이 저판의 형태로 진공 용기와 접합되는 경우에는, 접합이 프릿유리 등의 고온의 작업이 필요한 재료로 행해질 때는, 내열성이 높은 재료가 바람 직하고, 이러한 바람직한 재료로서는, 예를 들면, 퍼멀 로이를 들 수 있다. 그 외에, 연자성 철바(iron bar) 및 연자성 철판, 전해철박, 규소 강판, 아몰퍼스(amorphous) 합금, 나노결정 연자성 재료 등을 이용해도 된다. 상기 재료들 중 어느 하나를 사용하는 경우에는, 비교적 저온에서 접착하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.
<화상 표시장치의 전체 설명>
다음에, 화상 표시장치 전체에 대해 설명한다. 도 3에 있어서, 용기외부단자(도시하지 않음)로부터 변조 신호 입력을 하배선(103)을 통해서 인가하고, 주사 신호 입력을 상배선(102)를 통해 인가하며, 고압단자(Hv)(도시하지 않음)에서 고압을 인가해서 화상을 표시하는 것이다. 이온펌프(209)는, 배기구(107)를 통해 진공 용기와 접속되어 있으며, 이온펌프용 구동용 전원(도시하지 않음)으로 구동되어 방출가스의 배기를 행한다. 동 도면에 있어서, 표면전도형 전자방출소자(120)는 전자원으로서 기능하며, 상배선(Y방향 배선) 및 하배선(X방향 배선)(102) 및 (103)은 표면전도형 방출 소자의 한 쌍의 소자 전극과 접속되어 있다.
도 4A는, 리어플레이트(101)상에 설치된 전자원으로서의 표면전도형 전자방출소자(120) 및 동전자원을 구동하기 위한 배선 등의 일부를 표시한 개략도이다. 동 도면에 있어서, (103)은 하배선, (102)는 상배선, (401)은 상배선(102)와 하배선(103)을 서로 전기적으로 절연하는 층간 절연체를 표시하고 있다.
도 4B는 도 4A의 표면전도형 전자방출소자(120)의 구조의 4B-4B의 선을 따른 단면에 대한 확대도면이고, (402) 및 (403)은 각각 소자 전극이며, (405)는 도전성 박막, (404)는 전자방출부이다.
먼저, 표면전도형 전자방출소자를 이용한 화상 표시장치의 일 예에 대해 설명한다.
도 2A, 2B-1, 2B-2 및 도 3의 각각에 도시한 구성에 있어서, 리어플레이트(101)로서는, 소다 유리, 붕규산유리, 석영 유리, SiO2 등을 표면에 형성한 유리 기판, 또는 세라믹 기판(예를 들면, 알루미나) 등의 절연성 기판이 이용되고, 페이스플레이트(201)로서는, 투명한 소다 유리 등의 유리 기판이 이용된다.
표면전도형 전자방출소자(120)의 소자 전극(도 4A 및 도 4B의 (402) 및 (403)에 상당)의 재료로서는 일반적인 도전체가 사용되고, 예를 들면, Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pb 등의 금속 또는 이들의 합금, Pd, Ag, Au, RuO2, Pd-Ag 등의 금속 또는 이들의 산화물과 유리로 구성되는 인쇄 도체, In2O3-SnO2 등의 투명 도전체, 및 폴리 실리콘 등의 반도체 재료 등으로부터 선택된다.
소자 전극은, 진공 증착법, 스퍼터법, 화학 기상 퇴적법 등에 의해서 상기 전극 재료 중의 어느 하나를 성막하고, 포토리소그래피기술(에칭, 리프트 오프 등의 가공 기술을 포함한다) 및 그 외의 인쇄법중 어느 하나에 의해 소망한 형상으로 가공함으로써 제작 가능하다. 요컨데, 상기의 소자 전극 재료 중의 어느 하나를 소망의 형상으로 형성할 수 있으면 되고, 소자 전극의 제법은 특히 한정되지 않는다.
도 4A에 도시한 소자 전극 간격(L)은 수백 ㎚ 내지 수백 ㎛ 인것이 바람직하고, 소자 전극은 재현성 좋게 제작되는 것이 요구되기 때문에, 소자 전극간격(L)은 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 소자 전극 길이(W)는 전극의 저항값, 전자 방출 특성 등의 견지에서 볼 때 수 ㎛ 내지 수백 ㎛ 가 바람직하고, 또 각 소자 전극(402), (403)의 막두께는 수십 ㎚ 내지 수 ㎛ 가 바람직하다. 또, 도 4B에 표시한 구성뿐만이 아니라, 리어플레이트(101)상에 도전성 박막(405), 소자 전극(402), (403)의 전극 순서로 형성해도 된다.
도전성 박막(405)는 양호한 전자 방출 특성을 얻기 위해서는 미립자로 구성된 미립자막이 특히 바람직하고, 도전성막박(405)의 막두께는, 소자 전극(402), (403)에의 스텝 카버리지, 소자 전극(402), (403)간의 저항값 및 후술하는 통전 포밍 조건 등에 의해 설정되지만 0.1㎚ 내지 수백 ㎚ 인 것이 바람직하고, 1㎚ 내지 50㎚ 인 것이 특히 바람직하다. 도전성 박막의 저항값(Rs)은 102 내지 107Ω/㎛의 범위에 있으며, 저항(Rs)의 값은, R를 두께가 t, 폭이 w, 길이가 1인 박막의 저항이라 할 때, R=Rs(1/w) 의 관계를 만족한다.
또, 도전성 박막(405)를 구성하는 재료의 예로서는, Pd, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb 등의 금속, PdO, SnO2, In2O3, PbO, Sb2O3 등의 산화물, HfB2, ZrB2, LaB6, CeB6, YB4, GdB4 등의 붕화물, TiC, ZrC, HfC, TaC, SiC, WC 등의 탄화물, TiN, ZrN, HfN 등의 질화물, Si, Ge 등의 반도체, 카본 등을 들 수 있다.
또, 여기서 말하는 "미립자막"이란, 다수의 미립자가 집합해서 형성된 막이며, 그 막의 미세 구조는, 미립자가 개개로 분산되어 배치된 상태 이어도 되고, 미 립자가 서로 인접하거나, 또는 서로 겹친 상태(섬 형상의 막을 포함한다)이어도 된다. 미립자의 직경은 각각 0.1㎚ 내지 수백 ㎚이며, 1㎚ 내지 20㎚ 인 것이 바람직하다.
도전성 박막(405)의 제작법은, 소자 전극(402), (403)을 설치한 리어플레이트(101)에 유기 금속 용액을 도포하고, 도포한 용액을 건조시키는 것에 의해 유기 금속 박막을 형성함으로써 제작한다. 여기서 말하는 "유기 금속 용액"이란, 상기 도전성 박막(405)를 형성하는 금속을 주성분으로 하는 유기 금속 화합물의 용액을 말한다.
그 후, 유기 금속 박막을 가열, 소성처리하고, 리프트 오프, 에칭 등에 의해 패터닝을 행해서 도전성 박막(405)를 형성한다. 또, 도전성 박막(405)의 형성법으로서 유기 금속 용액의 도포법을 설명했지만, 이에 한정하는 것은 아니고, 진공 증착법, 스퍼터법, 화학 기상 퇴적법, 분산 도포법, 디핑법, 스피너법 등에 의해 형성해도 된다. 전자방출부(404)는 도전성 박막(405)의 일부에 형성된 고저항의 균열이며, 통전 포밍으로 불리우는 처리에 의해 형성된다. 통전 포밍은, 소자 전극(402), (403)사이의 공간을 전극(도시하지 않음)에 의해 통전을 실시하고, 도전성 박막(405)를 국소적으로 파괴, 변형 혹은 변질시켜서 구조를 변화시키고 형성하는 것이다. 통전시의 전압 파형은 펄스 파형이 바람직하고, 펄스 파고치가 일정한 전압 펄스를 연속적으로 인가해도 되고, 펄스 파고치를 증가시키면서 전압 펄스를 인가해도 된다. 포밍 처리는 통전 처리에 한정되는 것은 아니고, 도전성 박막(405)에 균열 등의 간격을 발생하게 해서 고저항 상태를 형성하는 처리를 이용해도 된다.
통전 포밍이 종료한 소자에는 활성화로 불리우는 처리를 행하는 것이 바람직하다. 활성화 처리란, 소자 전류(소자 전극(402), (403) 사이에 흐르는 전류) 및 방출 전류(전자방출부(404)로부터 방출되는 소자 전류)를 현저하게 변화시키는 처리이다. 예를 들면, 유기물질가스 등의 탄소화합물 가스를 함유하는 분위기하에서 통전 포밍의 경우와 마찬가지로 펄스의 인가를 반복하는 것에 의해 활성화처리를 행할 수 있다. 이 때의 바람직한 유기물질의 압력은, 소자를 배치하는 진공 용기의 형상이나 유기물질의 종류 등에 의해 다르기 때문에, 경우에 따라서 적당히 설정된다.
활성화 처리에 의해, 분위기 중에 존재하는 유기물질로부터 탄소 혹은 탄소화합물로 이루어진 유기 박막이 도전성 박막(405)상에 퇴적한다.
활성화 처리는 소자 전류와 방출 전류를 측정하면서 행해지고, 예를 들면, 방출 전류가 포화한 시점에서 종료한다. 인가하는 전압 펄스는 화상표시시의 동작 구동 전압이나, 그것보다 큰 전압으로 인가하는 것이 바람직하다.
형성된 균열 내에는 각각 0.1㎚ 내지 수십 ㎚의 입자직경을 가진 도전성 미립자를 가지는 일도 있다. 도전성 미립자는 도전성 박막(405)를 구성하는 물질의 적어도 일부의 원소를 포함하고 있다. 또, 전자방출부(404) 및, 그 근방의 도전성 박막(405)는 탄소 및 탄소화합물을 가지는 일도 있다. 또, 표면전도형 전자방출소자(120)는, 리어플레이트(101)의 면상에 평면형상으로 표면전도형 전자방출소자(120)을 형성한 평면형 대신에, 리어플레이트(101)에 수직인 면상에 형성한 수직형이어도 되고, 또, 전자원은, 전자방출소자를 이용한 화상 표시장치를 예로 한다면, 전자를 방출하는 소자이면 특히 한정되지 않으며, 이러한 전자원의 예로서는 열캐소드을 이용한 열전자원 및 전계방출형 전자방출소자를 들 수 있다.
다음에 도 3, 도 4A 및 도 4B를 참조해서, 표면전도형 전자방출소자(120)의 배열 및 동소자에 화상 표시용의 전기(전력) 신호를 공급하는 배선을 설명한다.
배선의 예로서는, 각각 직교환 2개의 배선(Y: 상배선(102) 및 X: 하배선(103), 이들을 단순 매트릭스 배선이라고 칭한다)을 이용할 수 있고, 표면전도형 전자방출소자(120)의 소자 전극(402), (403)에는 각각 상배선(102)과 하배선(103)이 접속되어 있다. 상배선(102) 및 하배선(103)의 각각은, 예를 들면, 진공 증착법, 스크린 인쇄법 또는 오프셋 인쇄법(offset printing)등의 인쇄법, 스퍼터법 등을 이용해서 형성된 도전성 금속 등으로 구성할 수 있고, 각 배선의 재료, 두께 및 폭은 적당히 설정된다. 그 중에서도, 제조코스트가 싸고, 취급이 용이한 인쇄법을 이용하는 것이 바람직하다.
사용하는 도선정 페이스트는 Ag, Au, Pd, Pt 등의 귀금속과, Cu,Ni 등의 비(금속(卑金屬)의 단독, 또는 이들을 임의로 조합한 금속을 포함하고, 인쇄기로 배선 패턴을 인쇄한 후, 500℃이상의 온도에서 소성한다. 예를 들면, 형성된 상하 인쇄배선의 각각의 두께는 수 ㎛ 내지 수백 ㎛ 정도이다. 또, 적어도 상배선(102)과 하배선(103)이 겹치는 부분에는, 유리 페이스트를 인쇄하고 소성(500℃ 이상의 온도에서)해서 얻어진 두께 수 ㎛ 내지 수백 ㎛ 정도의 층간 절연체(401)를 개재시켜서 전기적인 절연을 취한다.
Y방향의 상배선(102)의 단부는, 표면전도형 전자방출소자(120)의 Y측의 행을 입력 신호에 응해서 주사하기 위한 화상 표시 신호인 주사 신호를 인가하기 때문에, 주사측 전극 구동 수단으로서의 구동 회로부와 전기적으로 접속된다. 한편, X방향의 하배선의 단부는, 표면전도형 전자방출소자(104)의 각 열을 입력 신호에 응해서 변조하기 위한 화상 표시 신호인 변조 신호를 인가하기 때문에, 변조 신호 구동 수단으로서의 구동 회로부와 전기적으로 접속된다.
페이스플레이트(201)의 안쪽에 도포된 형광막(202)는 모노 크롬의 경우는 단일의 형광체만으로부터 구성되지만, 형광막(202)이 칼라 화상을 표시하는 경우에는, 3원색(적, 녹, 청)을 발광하는 형광체를 흑색 도전재로 분리한 구조로 한다. 흑색 도전재는 그 형상에 따라, 블랙 스트라이프, 블랙 매트릭스 등으로 불리운다. 형광막의 제작법의 예로서는 각각 형광체 슬러리를 이용한 포트리소그래피법 이나 인쇄법을 들 수 있고, 상기 각 방법에 의해서 소망한 크기의 화소로 형광체슬러리를 패터닝해서, 각각의 색의 형광체를 형성한다.
형광막(202)상에는 애노드전극막인 메탈백 막(203)이 형성되어 있다. 메탈백 막(203)은 A1등의 도전성 박막에 의해 구성되어 있다. 메탈백 막(203)은, 형광막(202)에서 발생한 광중, 전자원으로 되는 리어플레이트(101)의 방향으로 나아가는 광을 반사해서 휘도를 향상시킨다. 또, 메탈백 막(203)은 페이스플레이트(201)의 화상 표시 영역에 도전성을 주어 전하가 축적되는 것을 방지하고, 리어플레이트(101)의 표면전도형 전자방출소자(120)에 대해서 애노드전극으로서의 역할을 완수한다.
메탈백 막(203)은, 예를 들면 페이스플레이트(201) 및 화상 표시 장치 내에 잔류한 가스가 전자선으로 전리되어 생성하는 이온에 의해 형광막(202)가 손상하는 것을 방지하는 기능도 가지고 있다.
메탈백 막(203)에는 고전압을 인가하기 때문에, 고압 인가 장치와 전기적으로 접속된다.
지지체(105)는 페이스플레이트(201)와 리어플레이트(101)과의 사이의 공간을 기밀하게 밀봉한다. 지지체(105)는 페이스플레이트(201)에 대해서는 인듐(In)(205)에 의해 접속되고, 리어플레이트(101)에 대해서는 프릿유리(106)에 의해 접속되는 것에 의해서 외위기로서의 밀봉 용기가 구성된다. 또, 리어플레이트(101)와 지지체(105)를 In으로 서로 접속하는 것도 가능하다. 지지체(105)는 페이스플레이트(201) 및 리어플레이트(101)와 동일한 재질로 형성해도 되고, 또는 이들과 거의 동일한 정도의 열팽창률을 가지는 유리, 세라믹스 또는 금속 등으로 형성해도 된다.
지지체(105)와 이온펌프 케이싱(112)는, 전자방출부(404)가 형성되기 전, 즉 포밍·활성화하기 전에 리어플레이트(101)에 프릿유리(106)에 의해 접속해 두는 것이 바람직하다. 지지체(105)를 리어플레이트(101)에 In으로 접속하는 경우는, 페이스플레이트(201)와, 리어플레이트(101)와, 지지체(105)로 밀봉용기를 작성할 때에 접속하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 프릿유리(106)에 의해 지지체(105)를 리어플레이트(101)에 접속한다.
본 발명에 이용될 수 있는 프릿유리는, 그 성분계에 따라서 SiO2계, Te계, PbO계, V2O5계, Zn계 프릿유리로 분류할 수 있고, 내화물(耐火物)필러를 혼입해서 열팽창 계수α를 조절한 프릿유리들 중 어느 하나를 적당히 이용할 수 있다. 상기 내화물 필러의 예서는, PbTiO3, ZrSiO4, Li2O-A12O3-2SiO2, 2MgO-2Al2O3-5SiO2, Li2O-Al2O3-4SiO3, A12O3-TiO2, 2ZnO-SiO2, SiO2, SnO2 등을 들 수 있고, 이들 필러의 한종류 또는 수 종류를 혼합한 프릿유리를 적당히 이용할 수 있다.
진공 분위기에 있어서의 소성에서는 발포를 수반해서, 접착 강도나 기밀성을 확보할 수 없기 때문에, 대기 분위기 중에서 가소성을 행하고, 진공 분위기 중에서 가열해서 프릿유리를 탈포시킨 다음에, 접합하는 것이 바람직하다.
프릿유리는 분말이기 때문에, 유기 바인더를 사용해서 페이스트화하고, 이 페이스트를 접속부에 도포한다. 페이스트화한 프릿유리의 도포방법으로서는, 공기압을 이용한 디스펜스법(dispense method)이 일반적으로 이용되지만, 디핑법, 인쇄법 등을 적당히 이용할 수 있다. 또 미리 프릿유리를 링 또는 슬롯형상의 시트로 형성하고, 이것에 가소성 및 탈 가스 처리를 해서 얻은 프리폼품(pre-form produet)도 이용할 수 있다.
프릿유리의 소성시에는, 프릿유리가 소성온도에서 딱딱한 물엿형상이 되기 때문에, 이것을 누르기 위한 꽉 누르는 압력이 필요하고, 0.5 g/㎟ 이상의 누르는 압력이 적합하게 이용된다.
이온펌프 케이싱(112) 및 자기실드 케이스의 저판(211)도 지지체(105)와 마찬가지로 프릿유리(106)에 의해 리어플레이트(101)에 접속한다.
여기에서는, 프릿유리(106)을 이용하여 고온에서 저판(211)을 접착하는 예를 설명하고 있기 때문에, 자기실드 케이스의 저판(211)의 재료로서 퍼멀로이를 이용했지만, 그 외의 저온에서의 접착방법을 이용하면, 연자성철판, 전해철박, 규소 강판, 아몰퍼스합금, 나노 결정 연자성 재료 등을 포함하는 여러가지 자기 시일 재료 중의 어느 하나를 이용할 수 있다.
이온펌프 케이싱(112)에 대해서도 진공시일이 양호하면 여러가지 재료 및 접착방법중 어느 하나를 이용할 수 있다.
지지체(105) 및 이온펌프 케이스(112)를 접속한 리어플레이트(101)와, 페이스플레이트(201)를 준비한 후, 전자선에 의한 기판의 세정, 증착에 의한 게터막(204)의 형성, 외위기로서의 밀봉 용기의 형성(지지체(105) 및 이온펌프 케이스(112)를 접속한 리어플레이트(101)와, 페이스플레이트(201)과의 접속)을, 진공 분위기를 유지한 상태에서 실시한다.
도 6은 본 발명에서 이용하는 진공 처리 장치의 전체 개략도이다. 로드실(602)는 기판을 반입, 반출하기 위해서 이용되고, 진공 처리실(603) 내에서는 베이킹, 게터 성막, 봉합 등의 처리를 실시한다. 게이트 밸브(605)는 로드실(602)과 진공 처리실(603)을 나누기 위해 사용되며, 반송 치구(604)에 의해 기판을 반송한다. 배기 수단 1(606)에 의해 로드실(602)를 진공 배기하고, 배기 수단 2(607)에 의해 진공 처리실(603)을 진공 배기한다. 반출입구(601)에 의해 기판을 반출입한다.
도 7은 진공 처리실(603)에서 실시되는 공정 개략도를 나타내고, 여기서 (706)은 상가열판(upper hot plate), (707)은 하가열판(lower hot plate)를 나타내며, 전술한 것과 동일한 다른 구성 부재는 동일한 참조번호로 표시한다.
도 6에 표시한 바와 같이, 대기에 개방된 로드실(602)의 반출입구(601)를 열고, 형광막(202) 및 메탈백 막(203)이 형성된 페이스플레이트(201)과, 지지체(105) 및 이온펌프 케이싱(112)를 접속한 리어플레이트(101)을 반송 치구(604)에 장착하며, 로드실(602)의 압력을 10-4Pa 이하 정도까지 배기한다. 다음에, 미리 압력을 배기 수단2(607)으로 10-5Pa정도까지 배기해 둔 진공 처리실(603)에 통하는 게이트 밸브(605)를 열고, 진공 처리실(603)에 반송 치구(604)를 반송한 후, 게이트 밸브(605)를 닫는다.
게터막의 재료로서는 Ba, Mg, CA, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W 등의 금속 및 이들의 합금 중 어느 하나를 이용할 수 있지만, 바람직하게는 증기압이 낮고 취급하기 쉬운 알칼리 토류 금속인 Ba, Mg, Ca 및 이들의 합금 중 어느 하나가 적당히 이용된다. 그 중에서도, 염가이고, 게터 재료를 보관 유지하고 있는 금속제 캡슐로부터 용이하게 증발할 수 있으며, 공업적으로 제조가 용이한 Ba 또는 Ba를 포함한 합금이 바람직하다.
다음에, 진공 처리실(603)에서 실시되는 제조 공정의 개요를 도 7에 나타낸다. 도면에 표시한 바와 같이, 진공 처리실(603)에 반입된 페이스플레이트(201)와 리어플레이트(101)을 상가열판(706)와 하가열판(707)로 각각 유지하고, 베이킹에 의해 탈가스 처리한다. 이때, 리어플레이트(101)은 상가열판(706) 쪽에 있고, 리어플레이트(101)의 이면에 접속된 이온펌프 케이싱(112)가 파손되지 않도록 클리어런스부(clearance portion)(708)이 상가열판(706)에 형성되어 있다. 베이킹의 온도는 50℃ 내지 400℃의 범위에서 적당히 선택할 수 있고, 부재의 내열성이 허락하는 한, 고온에서 처리하는 것이 바람직하다. 다음에, 가열판의 수직방향의 이탈과 동시에 리어플레이트(101)도 상승시켜서 페이스플레이트(201) 상면에 공간을 마련한다. 그리고, 한쪽 편의 덮개 형상 치구(703)을 페이스플레이트(201) 상에 존재하는 공간으로 이동시킨다. 외부의 전원으로부터 게터브러시형상 접촉 전극(705), 게터 배선단자(704) 및 게터 배선(702)를 통해서 전류를 공급하고, 게터를 가열하는 것에 의해 게터를 플래시 시키고, 이와 같이 해서 게터막(204)를 페이스플레이트(201)의 한쪽 반면(半面)에 성막한다.
마찬가지로, 다른쪽의 반면에도 게터막(204)를 성막한다. 다음에, 덮개형상치구(703)을 이탈시키고, 상가열판(706)와 하가열판(707)의 사이의 소정의 위치에 In합금 등을 충전한 페이스플레이트(201), 및 미리 지지체(105) 및 이온펌프 케이싱(112)에 접속되어 있는 리어플레이트(101)를 끼워넣고, 플레이트를 가열하면서 플레이트에 하중을 가하는 것에 의해, In합금을 용해한다. 이와 같이 해서, 페이스플레이트(201)와, 리어플레이트(101)와, 지지체(105)에 의해 둘러싸인 진공용기(진공 외위기)를 제작한다.
또, 칼라 표시를 위한 화상 표시장치의 경우에는, 표면전도형 전자방출소자(104)는 형광막(202)의 화소(도시하지 않음)와 일대일로 대응하기 때문에, 페이스플레이트(201)와 리어플레이트(101)를 진공봉합 전에 서로 위치 맞춤한다. 그리고, 봉합 후, 실온 정도까지 냉각한다. 다음에, 다시 상가열판(706)와 하가열판(707)을 각각 상하로 도출(逃出)시키고, 밀봉 용기를 로드실(602)에 반송해서, 반출입구 (601)로부터 밖으로 꺼낸다.
이상의 공정에 의해, 리어플레이트(101), 지지체(105) 및 페이스플레이트(201)로 둘러싸이는 공간은, 내부의 압력을 대기압 이하의 압력으로 밀봉 유지 가능한 진공 용기로서 형성된다.
상기까지의 공정에서 자기실드 케이스의 저판 및 이온펌프 케이싱가 리어플레이트에 장착되어 있고, 다음에, 자석(208)이 부착된 자기실드 케이스(210)를 이온펌프 케이싱(112)의 외측으로부터 씌우고, 저판(211)과 접속한다. 그 다음에, 이온펌프 전원(207)과, 애노드접속단자(110) 및 캐소드접속단자(111)을 배선 접속한다.
상술한 일련의 처리에 의해, 진공 용기는 화상 표시장치로서 기능한다. 상술한 바와 같이 제작한 화상 표시장치에 있어서는, 이온펌프 전원(207)의 전원을 넣어서, 이온펌프(209)를 가동한다. 다음에, 상배선(102)에 접속된 주사 구동 수단 및 하배선(103)에 접속된 변조 구동 수단에 의해 각 표면전도형 전자방출소자(104)에 화상 신호인 주사 신호와 변조 신호를 제공한다.
구동 전압, 즉 전기신호가 도전성 박막(405)을 통해 전류를 흐르게 하는 신호사이의 전압차로서 인가되고, 그 일부가 균열인 전자방출부(404)로부터 전기신호에 따른 전자빔으로서 전자가 방출되며, 이 전자빔은 메탈백 막(203) 및 형광막(202)에 인가된 고전압(1 내지 10kV)에 의해 가속되어 형광막(202)에 충돌하고, 형광체를 발광시켜서 화상을 표시한다.
또, 여기서의 메탈백 막(203)의 목적은, 형광체의 내면을 향해 진행하는 광 을 페이스플레이트(201)측으로 경면 반사하는 것에 의해 휘도를 향상하는 것, 전자빔 가속 전압을 인가하기 위한 전극으로서 작용하는 것, 및 상기 밀봉 용기 내에서 발생한 음이온의 충돌에 의한 손상으로부터 형광막(202)을 보호하는 것 등을 포함한다.
이온펌프(209)는 인가 전압이 1kV전후로부터 동작을 시작하고, 인가전압이 오르는 만큼 배기 능력이 증대한다. 인가 전압이 오르면 소비 전력이 증가하고, 절연 대책을 확실히 해야한다고 하는 큰 문제점이 있다. 이러한 관점에서, 효율적으로 이온펌프(209)를 구동하는 전압으로서는 2 내지 5kV 의 전압이 적합하게 이용된다.
화상이 표시되면, 전자가 방출되고 화상 표시장치 내의 부재로부터 가스가 방출된다. 이러한 가스 중, 전자방출소자에 손상을 주기 쉬운 H2, O2, CO, CO2 등의 가스는 게터막(204)에 의해 흡착된다. 한편, 불활성 가스인 Ar은, 게터막(204)에 의해 흡착되지 않지만, 리어플레이트(101)에 장착된 이온펌프(209)에 의해 배기되어, Ar분압을 소자에 영향이 있는 압력인 10-6Pa 이하로 억제할 수 있고, 따라서 Ar에 의한 소자에의 손상(주로 전리한 Ar의 이온 스퍼터에 의한 소자 파괴)을 억제한다. 따라서, 장시간 화상 표시를 해도 휘도 열화가 없는 장수명의 화상 표시장치를 얻을 수 있다.
또, 본 발명에 따르면, 상술한 바와 같이, 이온펌프(209)의 자석은 자기실드 케이스(210)에 의해 자기실드 되고 있고, 또 화상 표시부와의 연통로도 자기실드 되고 있으며, 그 결과, 전자빔의 궤도가 구부러지는 주파수가 지극히 낮고, 따라서 양호한 화상 표시 특성을 유지할 수 있게 된다. 또, 사용되는 이온펌프는 소형·경량이며, 프릿유리에 의해 리어플레이트 등의 진공 용기에 직접 접속되고 있으므로, 화상 표시장치는 얇고, 경량으로 된다.
상기의 설명에서는, 진공 용기가 완성되고 나서 자기실드 케이스를 취부하는 예를 설명했지만, 이온펌프(209)의 자석의 내열성이 충분하면, 자석을 취부한 자기실드 케이스를 진공 중에 봉합해서 이온펌프 케이싱에 취부해도 된다. 또 실드 케이스는, 필요에 의해 진공 시일 특성이 좋은 접착제나 그 외의 방법으로 취부해도 된다.
또, 도 1에 있어서는, 자기실드 케이스의 저판(211)과 이온펌프 케이싱(112)는 프릿유리(106)에 의해 접합되고 있지만, 이들을 일체로 형성해도 되고, 프릿유리 이외의 접착 수단에 의해 접착해도 된다. 이온펌프 케이싱(112)는, 진공에 견딜 수 있으면 금속 및 유리와 같은 비금속 재료 중 어느 하나를 이용해도 된다.
상술한 전자원으로서의 표면전도형 전자 방출소자 대신에 전계 방출형 전자방출소자를 이용한 화상표시장치나, 또는 단순 매트릭스형 대신에 전자원으로부터 나온 전자빔을 제어 전극(그리드 전극 배선)에 의해 제어해서 화상을 표시하는 화상 표시장치 등에 있어서도, 본 발명의 화상 표시장치의 구성은 유효하다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지로부터 벗어나지 않는 한 적당히 변경할 수 있는 것이다.
<실시예 1>
이하, 전자방출소자와 이온펌프 사이에 자기실드 부재를 배치한 이온펌프 부착 화상 표시장치의 구성을 도 1, 도 2A, 도 2B-1 및 도 2B-2를 참조해서 설명하고, 상기 화상 표시장치로서의 진공 용기의 작성 방법에 대해 도 3 내지 도 7을 참조해서 설명한다.
먼저, 화상 표시장치로서의 밀봉 용기의 작성 방법에 대해 설명한다. 리어플레이트(101)으로서는 두께 2.8mm, 크기 240mm × 320mm의 소다 유리(SL: 일본판유리사제)를 이용하고, 페이스플레이트(201)로서는 두께 2.8mm, 크기 190mm ×270mm의 소다 유리(SL: 일본판유리사제)를 이용하였다. 그리고, 리어플레이트(101)에는 화상 영역의 외부이고 유리 프레임(105)의 안쪽이 되는 위치에 8mmφ의 배기구(107)를 열었다.
리어플레이트(101) 상에 백금을 증착법에 의해 성막하고, 포토리소그래피기술(에칭, 리프트 오프법 등의 가공 기술을 포함한다)에 의해, 막두께 100nm, 전극 간격 L=2㎛, 소자 전극 길이 W=300㎛의 형상으로 가공해서 전자원인 표면전도형 전자방출소자(120)의 소자 전극(402) 및 (403)을 제작했다
다음에, 리어플레이트(101)에 폭이 500㎛, 두께가 12㎛인 상배선(102)(100개)과, 폭이 300㎛, 두께가 8㎛인 하배선(103)(600개)을, Ag-페이스트 잉크를 인쇄하고 소성해서 형성했다. 외부의 구동 회로로의 인출 단자도 마찬가지로 제작했다. 층간 절연체(401)를, 유리 페이스트를 인쇄하고 소성(소성온도 550℃)해서 제조하 고, 두께는 20㎛로 했다.
다음에, 상기 리어플레이트(101)을 세정하고, 디메틸디에톡시실란(DDS: 신에츠 화학사제)의 에틸 알코올 희석 용액을, 스프레이법으로 플레이트에 살포한 후, 전체를 120℃에서 가열, 건조했다. 65㎛Φ의 도전성박막(405)을, 물 85% 및 이소프로필 알코올 15%로 이루어진 수용액에 팔라듐-프로린 착체 0.15Wt%를 용해하고, 유기 팔라듐 함유액을 잉크젯 도포 장치로 도포한 후, 도포된 용액을 350℃에서 10분간 가열 처리해서, 도전성막(405)으로서 산화 팔라듐(PdO)으로 이루어진 미립자막을 형성함으로써 제조했다.
지지체(105)의 형상은, 두께 2mm, 외형 150mm × 230mm, 폭 10mm이었고, 재질은 소다 유리(SL;일본 판유리산제)를 이용했다. 리어플레이트 (101)에 접속하는 지지체(105)의 면에 프릿유리인 LS7305(일본 일렉트릭 글라스사제)를 디스펜서를 사용해서 도포했다. 그 후 430℃, 30분간 가열, 소성하였다.
본 실시예에서 이용한 이온펌프는 2극형 이온펌프이며, 이 이온펌프에서는, 원통 형상의 애노드전극(108)과 원통의 평판부와 대향하는 평판 형상의 캐소드전극 (109)가 SUS로 형성되어 있으며, 막대 모양의 Ti전극(113)이 캐소드전극(109)의 중심부에 접속되어 있다. 이들 전극은 소다 유리로 이루어진 이온펌프 케이싱(112)에 배치되고, 캐소드전극(109)과 애노드전극(108)의 각각에 접속된 캐소드접속단자(111)와 애노드접속단자(110)는 이온펌프 케이싱(112)의 외측에 인출되어 있다.
이온펌프 케이싱(112)로는, 상기 캐소드전극(109)과 상기 애노드전극(108)을 수납할 수 있는 크기(W15mm × D25mm × H25mm)로 성형 가공한 소다 유리를 이용했 다. 캐소드접속단자(111)와 애노드접속단자(110)은 프릿으로 고정해서 외측으로부터 전류가 도입되도록 했다.
자기실드 케이스의 저판(211)은, 도 2(A)에 도시한 바와 같이, 구멍이 열려있는 1.5mm두께의 퍼멀로이판에 0.3mmφ, 1mm간격의 퍼멀로이로 이루어진 메쉬재(메쉬 형상 부재(221))를 스포트 용접해서 제조했다.
다음에, 프릿유리(106)을 도포한 지지체(105), 자기실드의 저판(211) 및 이온펌프 케이싱(112)를 소정의 치구로 고정하고, 이들을 지지하는 펄크럼(fulcrum)에 하중을 가하고, 이것을 오븐으로 430℃로 가열하고, 이 온도에서 30분간 유지해서, 리어플레이트(101)에 지지체(105), 자기실드의 메쉬부의 저판(211) 및 이온펌프 케이싱(112)를 접착했다.
이상과 같이 작성한 리어플레이트(101)에 도 5에 나타내는 진공 배기 장치에 의해, 이하의 포밍과 활성화를 실시했다. 먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 스테이지(503) 상에 설치된 리어플레이트(101)의 인출 전극(도시하지 않음)을 제외한 영역을 O링 (502)에 의해 시일하고, 진공 용기(501)로 덮었다. 기판 스테이지 (503)에는, 이온펌프 케이싱(112)와 접촉하지 않도록 클리어런스부(도시하지 않음)를 형성하였고, 이 클리어런스부는 리어플레이트(101)을 스테이지 상에 고정하기 위한 정전 척(504)를 가지고 있으며, 리어플레이트(101)의 이면에 형성된 ITO막 (510)과 정전 척 내부의 전극사이에 1kV의 전압을 인가해서, 리어플레이트(101)을 척(chuck)했다.
다음에 진공 용기의 내부를 자기 부상형 터보 분자펌프(505)로 배기하고, 포 밍공정 이후의 공정을 이하와 같이 행하였다.
먼저, 진공 용기의 내부를 10-4Pa 이하 배기하고, 펄스폭 1msec의 구형 파형을 스크롤 주파수 10Hz와 전압 12V로, 상배선(102)에 순차적으로 인가하였다. 또, 하배선(103)은 그라운드(ground)에 접속했다. 진공 용기 내부에는 수소와 질소의 혼합 가스(2%H2, 98%N2)를 도입하고, 가스의 압력은 1000Pa로 유지했다. 가스 도입은 매스 플로우 콘트롤러(508)에 의해 제어하였다. 한편, 진공 용기로부터의 배기 유량은 배기 장치와 유량 제어용의 컨덕턴스 밸브(507)에 의해 제어했다. 도전성박막(405)에 흐르는 전류치가 거의 0이 되었을 때, 전압 인가를 중지했다. 진공 용기 내부의 H2와 N2의 혼합 가스를 배기하고, 포밍을 완료하였으며, 리어플레이트 (101)의 모든 도전성박막(405)에 균열을 형성하는 것에 의해 전자방출부(404)를 형성했다.
다음에, 활성화 공정을 실시했다. 진공 용기(5O1)를 1O-5Pa까지 배기하고, 진공 용기 내에 톨루니트릴(분자량:117)을 분압으로 해서 1 × 1O-3Pa까지 도입했다. 상배선(102)의 10라인에 시분할(스크롤)로 전압을 인가했다. 파고치±14V, 펄스폭 1msec의 전압인가 조건하에서 양전극의 구형파를 이용해서 모든 소자를 활성화했다.
활성화 종료후, 진공 용기(501)에 잔존하는 톨루니트릴을 배기한 다음에, 대기압으로 압력을 되돌리고 리어플레이트(101)을 꺼냈다.
다음에, 지지체(105) 상에 In을 도포하고, 상배선(102) 상에 20라인 마다 스페이서(206)을 설치했다. 스페이서(206)을, 화상 표시영역의 외측에 배치된 절연성의 받침대에 아론 세라믹 W(동아합성사제)로 접착, 고정했다.
한편, 페이스플레이트(201)에는 형광막(202)으로서 스트라이프형상의 형광체(R, G, B)와 흑색 도전재(블랙 스트라이프)를 교대로 형성하였다. 알루미늄 박막으로 이루어지고 두께가 200nm인 메탈백 막(203)을 형광막에 형성했다. 다음에, 페이스플레이트(201) 주변부에 미리 배치된 은-페이스트 패턴에 In을 도포했다.
상기 지지체(105)와 이온펌프 케이싱(112)를 프릿에 의해 접속한 리어플레이트(101)과, In을 도포한 페이스플레이트(201)을 반송치구(604)에 세트하였다. 도 6에 표시한 진공 처리 장치의 반출입구(601)을 열고, 치구를 대기압의 로드실 (602)에 투입하였다. 반출입구(601)을 닫은 후, 로드실(602)의 압력을 3 × 10-5Pa정도까지 내렸으며, 게이트 밸브(605)를 열어 반송치구(604)를 미리 1 × 10-5Pa정도까지 배기 수단(2)에 의해 압력을 내린 진공 처리실(603)에 반입하고, 게이트 밸브(605)를 닫았다. 반송치구(604)가 소정의 위치에 들어간 후, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 리어플레이트(101)는 상가열판(706)을 밀착시키고, 페이스플레이트(201)에는 하가열판(707)을 밀착시켜서, 전체를 300℃에서 1시간 동안 가열했다.
다음에, 리어플레이트(101)와 그것을 지지하는 반송치구(604)의 일부를 상가열판(706)과 함께 30cm 정도 상승시켰다. 다음에, 리어플레이트(101)와 페이스플레이트(201)의 사이의 공간에서, 다른 편의 덮개형상치구(703)을 페이스플레이트 (201) 상으로 이동시켰다. 덮개형상치구(703)의 안쪽 천정에 설치되어 있는 Ba게터의 용기에 12A의 전류를 10초 간씩 차례차례 인가해서, Ba막을 페이스플레이트(201)의 메탈백 막(203) 상에 50nm부착시켰다. 덮개형상의 치구(703)를 원래의 위치로 되돌리고, 다른 편의 덮개형상치구(703)에 있어서도 동일한 조작을 실시했다.
다음에, 덮개형상치구(703)을 원래의 위치에 되돌리고, 리어플레이트(101),반송치구(604)의 일부인 지지체 및 상가열판(706)을 내리고, 상가열판(706) 및 하가열판(707)을 180℃로 가열했다. 180℃에서 3시간 동안 보관 유지한 후, 리어플레이트(101), 반송치구(604)의 일부인 지지체 및 상가열판(706)을 더욱 내려서 리어플레이트(101), 페이스플레이트(201) 및 지지체(105)에 60Kg/㎠의 하중을 가했다. 이 상태에서 가열을 멈추고, 전체를 실온까지 자연 냉각해서 봉합을 완료했다.
게이트 밸브(605)를 열고 진공 처리실(603)으로부터 로드실(602)로 진공 용기를 반출하였다. 게이트 밸브(605)를 닫은 후, 로드실(602)의 압력을 대기압까지 되돌리고, 반출입구(601)로부터 밀봉 용기를 반출했다. 상기 설명한 바와 같이 제작한 밀봉 용기에는 크랙이나 균열 등이 전혀 없었다.
다음에, 이온펌프의 외측에, 마그넷(208)을 접착한 자기실드 케이스(210)을 씌웠다. 자기실드 케이스(210)은 두께 1.5mm의 퍼멀로이판으로 형성하고, 퍼멀로이의 저판(211)과 스포트 용접으로 접합했다.
또, 밀봉 용기를 화상 표시 가능하도록 전압 인가 장치 및 고압 인가 장치와 케이블로 접속하고, 또, 이온펌프 케이싱(112)의 애노드접속단자(110)와 캐소드접속단자(111)을 배선에 의해 이온펌프 전원(207)에 배선, 접속해서 화상 표시장치를 조립했다.
다음에, 이온펌프 전원(207)에 3kV가 전압을 인가해서 이온펌프(209)를 구동했다. 또, 화상 표시 장치에 접속된 전압 인가 장치로부터 화상 신호를 전자방출소자에 공급하고, 이와 동시에, 고압 인가 장치에 의해 10kV의 고압을 인가해 표면전도형 전자방출소자(104)를 발광시키고, 이에 의해 화상 표시장치가 화상을 표시하도록 하였다.
상기 화상 표시 장치의 휘도 분포를 측정한 결과, 이온펌프의 근방에서도 화상 표시 영역의 중앙 부분과 비교해, 휘도의 저하가 6% 이하로 억제되었다. 자기실드용의 메쉬 부재를 이용하지 않았던 경우는(이 경우는 비교예에 상당한다), 이온펌프의 근방에서, 화상 표시 영역의 중앙 부분과 비교해 최대 25%의 휘도의 저하가 관찰되었다. 본 발명에 있어서, 이온펌프 근방의 화소의 휘도 저하가 작은 이유는, 누설된 자장의 영향으로 전자빔의 궤도가 구부러지는 정도가 억제되기 때문이다.
또, 장치의 수명 평가를 위해서 화상 표시장치가 화상을 연속적으로 표시하도록 하고, 휘도가 반이 될 때까지 소요되는 시간을 측정한바, 소요되는 시간은 15,000시간이었다. 또, 이온펌프 근방에서 얼룩짐이 발생하지 않았다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서 제작한 화상 표시 장치는, 휘도의 불균일이 적고, 균일한 표시를 하였으며, 이온펌프의 효과에 의해, 소형, 경량, 고신뢰성, 저비용으로 수명이 긴 화상 표시장치를 제작할 수 있었다.
<실시예 2>
도 2B-1 및 2B-2에 표시한 바와 같이, 1.5mm두께의 퍼멀로이의 판에 구멍을 형성하고, 이 구멍의 부분에 두께 0.3mm, 폭 3mm의 스트라이프형상 퍼멀로이판 4매를, 폭방향이 저판의 면에 수직이 되도록 하여 스포트 용접에 의해 장착하는 것에 의해, 자기실드 케이스의 저판을 제작하였다. 각 스트라이프 형상판의 길이는, 리어플레이트에 형성한 연통로(107)에 들어가는 길이로 했다. 그리고, 스트라이프 형상판의 부분이 리어플레이트에 형성한 연통로 내에 들어가고, 저판을 프릿유리로 접착한 것을 제외하고는, 실시예 1과 같은 방법으로 화상 표시장치와 이온펌프를 제작하였다.
실시예 2에서 제작한 화상 표시장치의 휘도 분포를 측정한 바, 이온펌프의 근방에서도 휘도의 저하가 4% 이하로 억제되었다.
<실시예 3>
실시예 1 및 2의 각각에서는, 이온펌프 케이싱(112)를 리어플레이트(101)에 프릿유리(106)을 이용해서 접속하기 때문에, 이온펌프 케이싱(112)는 프릿유리와 열팽창율이 가까운 유리 부재를 이용했다. 유리를 이용하는 경우는, 애노드접속단자(110)의 전기적인 절연을 취할 필요는 없지만, 프릿유리 등으로 단자를 진공 시일할 필요가 있다.
실시예 3에서는, 이온펌프 케이싱(112)로서 스텐레스의 케이싱를 이용했다. 이 경우는, 애노드접속단자(110)의 전기적인 절연을 취하기 위해서, 알루미나제의 절연 애자를 이용하였다.
퍼멀로이 자기실드 케이스의 저판(211)과 리어플레이트(101)의 접착 및 이온펌프 케이싱(112)과 저판(211)과의 접착은, 각각 에폭시계의 접착제를 이용해서 접 속을 하였다. 리어플레이트와 페이스플레이트의 진공 봉합은 진공중에서 10O℃에서 행했다. 그 이외는 실시예 1과 같은 방법으로 화상 표시장치 및 이온펌프를 제작하였다.
실시예 3에서 제작한 화상 표시 장치의 휘도 분포를 측정한 바, 이온펌프의 근방에서도 휘도의 저하가 5% 이하로 억제되었고, 따라서 저판의 자기실드 효과는 마찬가지로 관찰되었다. 또, 장치의 수명 평가를 위해서 화상 표시장치가 화상을 연속적으로 표시하도록 하였으며, 휘도가 반이 될 때까지 소요되는 시간을 측정한 바, 소요되는 시간은 10,000시간이었다. 또, 이온펌프 근방에서 얼룩짐이 발생하지 않았다.
본 발명에 의한 화상표시장치의 구성에 의하면, 전자방출소자와 이온펌프 사이의 진공중에 자기실드 부재가 설치되어 있으므로, 이온펌프 케이싱가 장착되어 있는 연통로 및 그 부근으로부터 누설하는 자장이 전자에 대해서 주는 영향을 아주 작게 억제할 수 있다. 따라서, 전자방출소자로부터 형광체로 향하는 전자 궤도가 구부러지지 않고, 휘도의 저하가 거의 없으며, 휘도의 불균일이 적은 화상 표시장치를 제공할 수 있다.
또, 진공 용기와 이온펌프 케이싱의 사이에서 기체의 유통이 가능하므로, 이온펌프에 필요한 배기속도를 얻을 수 있고, 소자 특성의 경시변화를 억제할 수 있다.

Claims (9)

  1. 적어도, 다수의 전자방출소자가 배열된 전자원 기판과, 이 전자원 기판과 대향해서 배치되고, 형광막과 애노드전극막을 가지는 화상 형성 기판으로 형성되는 진공 용기를 포함하는 화상 표시장치로서,
    (a) 상기 전자원 기판 및 상기 화상 형성 기판의 적어도 한쪽에 설치된 연통로를 통해서 상기 진공 용기와 접속되어 내부의 압력이 감압으로 유지되는 이온펌프 케이싱과 자장 형성 수단을 가지는 이온펌프와,
    (b) 상기 이온펌프와 상기 전자방출소자가 서로 연통하고 있는 공간에 설치된 제1의 자기실드 부재를 구비하고,
    상기 제 1의 자기실드 부재는 상기 진공 용기와 상기 이온펌프 케이싱의 사이에서 기체의 유통이 가능하도록 하고,
    상기 제 1의 자기실드 부재는 1개 이상의 유통구를 가지는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 자기실드 부재는, 상기 이온펌프와 상기 전자방출소자가 연통하는 공간에 메쉬 형상 부재 또는 스트라이프 형상 부재중 하나를 가지고,
    상기 메쉬 형상 부재 및 상기 스트라이프 형상 부재중 하나는 이를 통해서 기체의 유통이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 메쉬 형상 부재 및 상기 스트라이프 형상 부재중 하나는 상기 연통로의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 메쉬 형상 부재 및 상기 스트라이프 형상 부재중 하나는 상기 연통로의 내부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1의 자기실드 부재는 평판의 개구에 설치된 상기 메쉬 형상 부재 및 상기 스트라이프 형상 부재중 하나를 가지고, 상기 평판의 상기 개구가 없는 부분은 상기 진공 용기에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4455229B2 (ja) * 2004-08-27 2010-04-21 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2006066273A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Canon Inc 画像表示装置
JP4475646B2 (ja) * 2004-08-27 2010-06-09 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2006066265A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Canon Inc 画像表示装置
JP2006066267A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Canon Inc 画像表示装置
KR101201305B1 (ko) * 2005-06-28 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20070188075A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Matsushita Toshiba Picture Display Co., Ltd. Field-emission electron source apparatus
JP2008053026A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
US7993457B1 (en) * 2007-01-23 2011-08-09 Novellus Systems, Inc. Deposition sub-chamber with variable flow
JP2009244625A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Canon Inc 画像表示装置およびその駆動方法
US8439649B2 (en) * 2009-11-02 2013-05-14 Duniway Stockroom Corp. Sputter ion pump with enhanced anode
CN102433536A (zh) * 2011-12-05 2012-05-02 沈阳理工大学 低碳钢表面高结合强度tin陶瓷膜的制备方法
US9353439B2 (en) 2013-04-05 2016-05-31 Lam Research Corporation Cascade design showerhead for transient uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05121012A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Sony Corp 薄型平面表示装置
JPH07142019A (ja) * 1993-09-20 1995-06-02 Toshiba Corp Ｘ線イメージ増強管

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3423511B2 (ja) 1994-12-14 2003-07-07 キヤノン株式会社 画像形成装置及びゲッタ材の活性化方法
JPH09213261A (ja) 1996-02-01 1997-08-15 Hamamatsu Photonics Kk イオンポンプ
JP3320387B2 (ja) 1998-09-07 2002-09-03 キヤノン株式会社 電子源の製造装置及び製造方法
JP2000133136A (ja) 1998-10-27 2000-05-12 Canon Inc 画像形成装置とその製造方法
US6582268B1 (en) * 1999-02-25 2003-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Electron-emitting device, electron source and manufacture method for image-forming apparatus
JP2000315458A (ja) 1999-04-28 2000-11-14 Toshiba Corp 平面型画像表示装置の製造方法、および平面型画像表示装置の製造装置
JP3492325B2 (ja) * 2000-03-06 2004-02-03 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造方法
JP2001332209A (ja) 2000-03-13 2001-11-30 Ulvac Japan Ltd スパッタイオンポンプ
KR100448663B1 (ko) 2000-03-16 2004-09-13 캐논 가부시끼가이샤 화상표시장치의 제조방법 및 제조장치
US7091662B2 (en) 2002-07-23 2006-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Image display device and method of manufacturing the same
JP4349964B2 (ja) * 2003-09-10 2009-10-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 小型電子銃
JP2006066267A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Canon Inc 画像表示装置
JP2006066265A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Canon Inc 画像表示装置
JP4455229B2 (ja) 2004-08-27 2010-04-21 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP4475646B2 (ja) 2004-08-27 2010-06-09 キヤノン株式会社 画像表示装置
JP2006066273A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Canon Inc 画像表示装置
JP4817641B2 (ja) * 2004-10-26 2011-11-16 キヤノン株式会社 画像形成装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05121012A (ja) * 1991-10-29 1993-05-18 Sony Corp 薄型平面表示装置
JPH07142019A (ja) * 1993-09-20 1995-06-02 Toshiba Corp Ｘ線イメージ増強管

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