KR20060048366A - 카르보실란계 폴리머를 함유하여 이루어지는 피막 형성용조성물, 및 상기 조성물로부터 얻어진 피막 - Google Patents

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Abstract

(과제)
반도체 배선 형성에 사용되는 피막을 형성하기에 바람직한 피막 형성용 조성물과, 그 조성물을 사용하여 얻은 피막을 제공한다.
(해결 수단)
하기 화학식 (1)
[화학식 1]
Figure 112005031516780-PAT00001
(여기서, R1, R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼20 의 알킬기이며, m 은 0∼20 의 정수이다)
로 표시되는 반복 단위를 가지는 카르보실란계 폴리머 (A) 와, 용제 (B) 를 적어도 사용하여 피막 형성용 조성물을 구성한다. 또한, 이 피막 형성용 조성물로 형성된 도막을 경화시켜 피막을 얻는다.
반도체 배선, 카르보실란계 폴리머, 피막

Description

카르보실란계 폴리머를 함유하여 이루어지는 피막 형성용 조성물, 및 상기 조성물로부터 얻어진 피막 {COMPOSITION FOR FORMING COATING FILM COMPRISING CARBOSILANE BASED POLYMER AND COATING FILM OBTAINED FROM THE COMPOSITION}
본 발명은, 카르보실란계 폴리머를 함유하여 이루어지는 피막 형성용 조성물, 및 그 조성물로부터 얻어진 피막에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반도체의 다층 배선형성에서의 에칭 스톱퍼층이나 층간 절연층을 형성할 때 바람직하게 사용할 수 있는 피막 형성용 조성물, 및 상기 조성물로부터 얻어진 피막에 관한 것이다.
주지와 같이, 반도체 집적회로에 있어서의 기본적 배선구조는, 반도체 기판 상에 직접 또는 간접적으로 형성된 하층 배선층과, 이 하층 배선층 상에 층간 절연층을 통하여 형성된 상층 배선층이, 상기 층간 절연층을 관통하도록 형성된 비어 배선에 의해 접속되어 있는 구조이다. 이 배선구조를 복수화, 다층화함으로써, 반도체 집적회로의 다층 배선구조가 형성된다.
종래, 이 배선구조는 반도체 기판 상에 적층하는 도체층이나 층간 절연층 등의 각 층의 형성과 그들의 에칭에 의한 패턴화의 반복에 의해 실현되고 있다. 이러한 적층과 에칭을 반복하여 다층배선을 형성하는 순차 형성 방법은, 단계수가 많고, 제조 비용을 저감시키는 것이 곤란하였기 때문에, 현재는 다마신법으로 일반적으로 불려지고 있는 상감법이 채용되어 있다. 이 다마신법이란, 비어 배선이나 상층 배선층을 형성하기 위한 비어 홀이나 트렌치로 불려지는 배선 홈을 층간 절연층에 형성해 두고, 그 공간에 도체재료를 매립하는 배선 형성 방법이다.
이 다마신법에 있어서, 비어 배선과 상층 배선층을 동시에 형성하는 경우에는, 특히 듀얼 다마신 프로세스라고 불려진다. 이 다마신법을 채용함으로써, 종래에는 도체재료로 사용할 수 없었던 구리를 사용할 수 있게 되었다. 구리는, 미세 배선용의 도체재료로서 알루미늄에 비해서 일렉트로 마이그레이션 내성이 우수하기 때문에 바람직한 재료이며, 또한 이 듀얼 다마신 프로세스는 비어 배선과 트렌치 배선을 동시에 형성할 수 있고, 반도체 장치의 제조 비용을 저감시킬 수 있기 때문에, 일반적으로 보급되고 있다.
그리고 현재, 반도체 장치의 새로운 미세화를 향해서, 배선 재료 뿐만 아니라 배선층을 둘러싸는 층간 절연층에 있어서도, 보다 높은 특성을 가진 재료의 개발이 진행되고 있다. 상기 층간 절연층에는 우선, 저유전율 특성이 필요하고, 그 밖에 내열성, 내크랙성, 성막성 등의 물리적인 여러가지 특성이 필요로 되고 있으며, 그러한 여러가지 특성이 우수한 재료의 검토가 이루어지고 있다. 예를 들면 층간 절연층에 요구되는 저유전성, 내열성, 크랙 내성 등의 물리적 특성을 개선하기 위한 조성물이 제안되어 있다 (특허문헌 1, 2 참조).
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2003-77908호
[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 2003-297820호
그런데, 전술한 반도체 배선 형성에 있어서는, 층간 절연층 이외에도 다양한 국면에서 피막층이 이용되고, 그 피막층에 의해 반도체의 배선 형성에 있어서의 효율화와, 얻어지는 배선의 미세화, 고품질화를 꾀하고 있다. 이러한 피막층으로서는, 배선층인 트렌치 배선이나 비어 배선을 내부에 형성시키는 상기 층간 절연층이나, 트렌치나 비어 등의 배선 형성 공간을 에칭에 의해 형성할 경우에 하층의 층간 절연층과 그 상층의 층간 절연층 사이에 형성되는 에칭 스톱퍼층이나, 형성된 배선층을 보호하기 위한 커버막, 또한 패턴 배선층 등의 비평탄층 위에 형성함으로써 적층 평면을 평탄화하는 평탄화층 등을 들 수 있다.
상기 층간 절연층을 비롯한 각 피막층에는, 각 배선층과의 사이를 절연하는 역할이 필요하기 때문에 유전율이 낮은 것이 요구된다. 또한 에칭, 스톱퍼층에 사용하는 경우에는 에칭 내성이 높아야 한다. 또한, 배선층을 패터닝하기 위해서는 각 피막층상에 형성되는 레지스트층을 사용하여 패터닝된다. 그러나, 이들 피막층에서는 이 레지스트층을 노광할 때에 사용되는 노광광이 반사되어, 레지스트층의 양호한 패턴을 형성할 수 없다는 문제가 있다, 따라서, 이들 피막층은 노광광의 반사를 방지 (흡수) 하는 특성이 요구될 수 있다. 특히, 최근의 반도체소자의 미세화에 따라, 노광광의 파장은 단파장화되고 있고, 예를 들면 193nm 정도의 단파장 광선의 반사를 방지하는 것이 중요하다고 생각된다.
상기 특허문헌 1, 2 를 대표로 하는 종래 기술에서는, 층간 절연층에 필요한 저유전율 특성, 내열성, 열전도성, 기계강도, 저열팽창성 등의 개선에 대해서는 고려되어 있지만, 이들 특성에 더하여 내에칭성이나, 단파장광에 대한 반사 방지능 (단파장광의 흡수능) 등의 패터닝을 고려한 여러가지 특성의 개선은 이루어지지 않고 있다. 전술한 바와 같이, 반도체 배선 형성에는 층간 절연층 뿐만 아니라, 에칭 스톱퍼층이나, 평탄화층, 커버층 등 복수종의 피막층이 필요하고, 이들에는 공통적으로 저유전율 특성, 단파장광에 대한 반사 방지능, 에칭 내성, 평활성이 요구되고 있는 것이 현 실정이다. 그러나, 종래기술에서는 이들의 특성을 동시에 만족시키는 피막 형성 재료는 제공되지 않고 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 과제는 반도체 배선 형성에 사용할 수 있는 피막을 형성하기에 바람직한 피막 형성용 조성물과, 상기 조성물을 이용하여 얻은 피막을 제공하는 것에 있다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 저유전율 특성, 내열성이 우수하고, 그리고 단파장광에 대한 반사 방지능이 우수한 피막 형성용 조성물에 대하여 예의 연구를 진행시킨 바, 하기 화학식 (1) 에 나타내는 반복 단위를 가지는 신규 카르보실란계 폴리머를 함유하는 피막 형성용 조성물이 상기 여러가지 요구를 만족시키는 것을 발견하기에 이르렀다.
Figure 112005031516780-PAT00002
(여기서, R1, R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼20 의 알킬기이며, m 은 0∼20 의 정수이다.)
즉, 본 발명에 관계된 피막 형성용 조성물은 상기 화학식 (1) 로 표시되는 반복 단위를 가지는 카르보실란계 폴리머 (A) 와, 용제 (B) 를 적어도 함유하여 이루어지는 피막 형성용 조성물이다.
또한, 본 발명에 관계된 피막은 상기 피막 형성용 조성물로 형성된 도막을 경화시켜 얻어진 피막이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하에, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 관계된 피막 형성용 조성물은 상기 화학식 (1) 로 표시되는 반복 단위를 가지는 카르보실란계 폴리머 (A) 와, 용제 (B) 를 함유하여 이루어지는 피막 형성용 조성물이다.
상기 화학식 (1) 중의 R1 과 R2 가 서로 다른 것이 바람직하다. 그것은, R1 과 R2 가 서로 다르면, 이 폴리머 (A) 의 용제 (B) 에 대한 용해성을 컨트롤할 수 있기 때문이다. R1 과 R2 의 바람직한 조합은 R1 과 R2 의 탄소수의 차가 2 이상이 되는 조합이다. 또한 R1 및 R2 의 적어도 한쪽은, 탄소수가 10 이하인 것이 바람직하다. R1 과 R2 의 조합은 예를 들면 메틸기와 프로필기의 조합 등이 바람직하다.
이들의 조합에 의해, 폴리머 (A) 의 용제 (B) 에 대한 용해성을, 예를 들면 1∼2wt% 인 것을 10∼40wt% 정도로 컨트롤할 수 있다. 폴리머 (A) 중에서도, 용제 (B) 에 대한 용해성은 0.5wt%∼50wt% 인 것이 바람직하고, 1wt%∼20wt% 인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 피막 형성용 조성물로 형성되는 피막의 두께는, 종래의 피막과 동일하고, 용도에 따라 일률적으로 한정할 수는 없지만, 10nm 이상∼1000nm 이하, 바람직하게는 100nm 이상, 500nm 이하, 보다 바람직하게는 300nm 이하가 바람직하다.
또한, 상기 기술한 바와 같이 폴리머 (A) 의 용제 (B) 에 대한 용해성을 컨트롤 함으로써, 피막 형성용 조성물에서의 폴리머 농도의 조정이 가능해져, 이 폴리머 농도에 의해, 형성되는 피막의 두께를 조정하는 것이 용이해진다.
또한, 상기 화학식 (1) 중의 ｍ 은, 지나치게 크면 벤젠환의 수가 적어지기 때문에, 193nm 부근에서의 빛의 흡수량이 줄어든다. 특히 바람직한 것은, m=0 이다.
본 발명의 조성물에 사용되는 카르보실란계 폴리머 (A) 는, 중량 평균 분자 량이 1000∼10000 인 범위의 것이 바람직하다. 그것은 주로, 성막성, 막의 평탄성을 확보하는 것이 용이해지기 때문이며, 에칭 레이트 내성도 우수하기 때문이다. 특히 분자량이 지나치게 낮으면, 카르보실란계 폴리머 (A) 가 휘발되어, 막형성할 수 없을 가능성이 있다.
본 발명에 사용하는 용제 (B) 로서는, 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올 등의 １가 알코올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 헥산트리올 등의 다가 알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌클리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 다가 알코올의 모노 에테르류, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트 등의 에스테르류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로알킬케톤,
메틸이소아밀케톤 등의 케톤류, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜프로필에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르 (PGDM), 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 다가 알코올의 수산기를 전부 알킬 에테르화한 다가 알코올 에테르류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 시클로알킬케톤 또는 알킬렌글리콜디알킬에테 르가 보다 바람직하다. 또한, 알킬렌글리콜디메틸에테르로서는, PGDM (프로필렌글리콜디메틸에테르) 이 바람직하다. 이들의 유기용매는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 그 배합량은 70∼99 질량% 의 범위가 적당하다.
본 발명의 조성물에는, 상기 카르보실란계 폴리머 (A) 이외의 폴리머로서, 종래 관용의 폴리알릴렌에테르 등의 저유전성 폴리머를 혼합하여 사용할 수 있다.
그 경우의 혼합량은 혼합 후의 조성물의 단파장광에 대한 반사 방지능이 실용적인 범위에 들어가는 정도이어야 한다. 이 종래의 저유전성 폴리머의 혼합 비율에 의해 에칭 속도를 제어할 수 있고, 그에 따라서 본 발명의 조성물은 내에칭성이 높은 에칭 스톱퍼층 뿐만 아니라, 비교적 에칭 속도가 빠를 필요가 있는 층간 절연층으로서도 사용할 수 있게 된다. 또한, 알콕시실란의 가수분해 및/또는 축합물 등의 실록산 폴리머를 혼합해도 된다.
본 발명의 조성물은 용매에 의해 도포액으로 되어 있고, 목적에 따라서 소정의 층 또는 기판 위에 도포하여, 그 후 가열하고 건조, 소성함으로써 피막을 형성한다. 도포는 예를 들어 스프레이법, 스핀코팅법, 딥코팅법, 롤코팅법 등 임의의 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 피막 형성용 조성물에 의해, 예를 들어 층간 절연층, 에칭 스톱퍼층 등의 각종 피막을 형성할 수 있다. 막형성에 있어서의 건조 온도 등의 조건을 적당하게 조정함으로써, 각종 피막으로 최적화한다.
층간 절연막을 형성할 경우를 예로서 들면, 80∼300℃ 정도의 핫플레이트 상 에서 1∼6분 정도 가열한다. 바람직하게는 3 단계 이상, 단계적으로 온도 상승 시키는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 대기중 또는 질소 등의 불활성가스 분위기 중, 70∼120℃ 정도의 핫플레이트 상에서 30초∼2분 정도 제 1 회째의 건조 처리를 실시한 후, 130∼220℃ 정도로 30초∼2분 정도 제 2 회째의 건조 처리를 실시하고, 또한 150∼300℃ 정도에서 30초∼2분 정도 제 3 회째의 건조 처리를 실시한다. 이렇게 하여 3 단계 이상, 바람직하게는 3∼6 단계 정도의 단계적인 건조 처리를 실시함으로써 도막의 표면을 균일화할 수 있다.
상기 건조 처리된 도막은, 다음으로 소성처리가 실시된다. 소성은, 300∼400℃ 정도의 온도에서, 질소 분위기 중에서 실시된다. 이 소성온도가 300℃ 미만에서는, 피막이 에칭 스톱퍼층인 경우에는 에칭 내성이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 400℃를 초과하는 소성온도이면, 저유전율을 유지할 필요가 있는 각종 피막의 유전율을 낮게 유지하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
이러한 피막을 형성하는 방법에 의하면, 유전율이 3.0 이하의 저유전율 특성을 가지고, 에칭 특성도 우수하며 또한 단파장광에 대한 반사 방지능도 우수한 각종 피막을 형성할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명을 바람직하게 설명하기 위한 예시에 지나지 않고, 전혀 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
(실시예 1)
본 실시예에서는 하기 화학식 (2) 의 반복 단위를 가지는 카르보실란계 폴리머 (A1) 를 사용하였다.
Figure 112005031516780-PAT00003
이 폴리머 (A1) 1.0g 을 시클로펜탄온 99.0g 에 첨가하고, 초음파 장치에 2 시간 걸쳐 용해시켰다. 이에 의해 농도 1 질량%, 고형분 분자량 3000∼8000 의 도포액 (피막 형성용 조성물) 을 얻었다.
이 도포액을 사용하여, 하기의 피막 형성 방법에 의해 피막을 형성하였다. 얻어진 피막의 두께는 35nm 이었다. 계속해서, 이 피막의 에칭 속도（Å／분), 유전율, 193nm 파장광에 대한 흡광도 및 표면 평활성을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1 에 나타낸다.
[피막 형성 방법]
피막 형성용 도포액을 스핀코팅법에 의해 규소 웨이퍼상에 도포하고, 핫플레이트 상에서 대기 중, 80℃, 1 분간의 가열처리를 실시하였다. 이어서 150℃ 에서 1 분간, 또한 200℃ 에서 1 분간의 가열처리를 실시하였다 (건조처리).
이어서, 질소분위기 중, 350℃ 에서 30 분간의 가열처리 (소성처리) 를 실시 하여 피막을 얻었다.
[드라이 에칭 속도 측정 방법]
얻어진 피막에 대하여 드라이 에칭 처리를 실시하고, 처리 전후의 막두께 변화를 분광 엘립소메터「DHA-XA2」(미조지리 공학공업소사 제조 측정파장: 633nm) 을 이용하여 측정하고, 그 막두께 변화를 드라이 에칭 내성평가로 하였다.
상기 드라이 에칭 처리는 이하와 같이 하여 실시하였다.
하기 (1) (2) (3) 의 조성:
(1) CF4/CHF3=20/30, He:100 (cc/min),
(2) CF4/CHF3=25/25, He:100 (cc/min),
(3) CF4/CHF3=30/20, He:100 (cc/min),
로 이루어지는 산화막 에쳐 (제품명「TCE7612-XX」; 도쿄오카 공업주식회사 제조) 를 이용하여, 출력 400W, 압력 300ｍTorr 하의 조건 하에서, 30 초간의 드라이 에칭 평가를 실시하였다.
[유전율 측정 방법]
얻어진 피막에 대하여 유전율 측정 장치 SSM495 (니혼 SSM사 제품) 를 이용하여, 피막의 두께 방향의 진공에 대한 비유전율을 측정하였다.
[193nm 파장광의 흡수율의 측정 방법]
분광 엘립소메터「VUV-VASE」(J.A.WOOLLAM 제품, 측정 파장: 193nm) 을 이용하여 측정하고, 193nm 에서의 흡수율을 측정하였다.
[표면 평활성의 측정 방법]
분광 엘립소메터「DHA-XA2」(미조지리 공학공업소사 제조 측정파장: 633nm) 을 이용하여 면내 9 개소에 대해 측정하고, 그 막두께의 평균 분포（±%）를 표면 평활성으로 하였다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 하기 화학식 (3) 의 반복 단위를 가지는 카르보실란계 폴리머 (A2) 를 사용하였다.
Figure 112005031516780-PAT00004
폴리머 (A2) 1.0g 을 시클로펜탄온 99.0g 에 첨가하고, 초음파 장치에 2 시간 걸쳐 용해시켰다. 이에 의해 농도 1 질량%, 고형분 분자량 3000∼8000 의 도포액 (피막 형성용 조성물) 을 얻었다.
이 도포액을 사용하여, 상기 피막 형성 방법에 의해 피막을 형성하였다. 이어서, 상기 실시예 1 과 동일하게 얻어진 피막의 에칭 속도（Å／분), 유전율, 193nm 파장광에 대한 흡수 특성, 크랙 내성 및 표면 평활성을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1 에 나타낸다.
(비교예 1)
메틸실세스퀴옥산을 주성분 폴리머로 사용한 피막 형성용 조성물 (도쿄오카 공업사 제조, 제품명: OCD T-11) 을 도포액으로 사용하여 피막을 형성하였다.
이 도포액을 사용하여, 상기 피막 형성 방법에 의해 피막을 형성하였다.
상기 실시예 1 과 동일하게 얻어진 피막의 에칭 속도（Å／분), 유전율, 193nm 파장광에 대한 흡광도, 크랙 내성 및 표면 평활성을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1 에 나타낸다.
(비교예 2)
히드록시실세스퀴옥산을 주성분 폴리머로 사용한 피막 형성용 조성물 (도쿄오카 공업사 제조, 제품명: OCD T-12) 을 도포액으로 사용하고, 이 도포액을 사용하여, 상기 기술한 피막 형성 방법에 의해 피막을 형성하였다.
상기 실시예 1 과 동일하게 얻어진 피막의 에칭 속도（Å／분), 유전율, 193nm 파장광에 대한 흡광도, 크랙 내성 및 표면 평활성을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1 에 나타낸다.
에칭속도 (Å/분) 유전율 흡광도 평활성 (±%)
가스 (1) 가스 (2) 가스 (3)
실시예 1 128 242 376 2.8 0.6 2
실시예 2 144 252 391 2.8 0.6 2
비교예 1 396 679 1012 3.4 0 3
비교예 2 1302 3262 3848 3.0 0 1
실시예 1 및 실시예 2 로부터, 본 발명에 관계된 피막 형성용 조성물로 형성된 막은, 유전율이 낮고 평활성이 좋기 때문에, 층간 절연막으로서 충분히 사용할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 에칭 속도보다 에칭 내성이 높고, 에칭 스톱퍼층으로 사용할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 193nm 에서 흡수가 있고, 이 단파장 광선의 반사를 방지하는 효과를 가짐을 알 수 있다.
산업상 이용 가능성
이상, 설명한 바와 같이, 본 발명에 관계된 이 카르보실란계 폴리머와 용매를 적어도 함유하여 구성되는 조성물은, 단파장광에 대한 반사 방지능이 우수하고, 피막화한 경우에는, 유전율이 낮고 에칭 내성이 높다. 따라서, 미세한 반도체 배선을 형성할 경우에 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에 관계된 카르보실란계 폴리머를 함유하는 피막 형성용 조성물은, 피막화했을 경우에, 단파장광에 대한 반사 방지능이 우수하고, 유전율이 낮으며 에칭 내성도 우수하다. 따라서, 이 카르보실란계 폴리머와 용매를 적어도 함유하여 구성되는 조성물은, 미세한 반도체 배선을 형성하는 경우에 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 (1)
    [화학식 1]
    Figure 112005031516780-PAT00005
    (여기서, R1, R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼20 의 알킬기이며, m 은 0∼20 의 정수임)
    로 표시되는 반복 단위를 가지는 카르보실란계 폴리머 (A) 와,
    용제 (B)
    를 적어도 함유하여 이루어지는 피막 형성용 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 (1) 중의 R1 과 R2 가 서로 다른 것을 특징으로 하는 피막 형성용 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 화학식 (1) 중의 R1 과 R2 에서의 탄소원자수의 차가 2 이상인 것을 특징을 하는 피막 형성용 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 카르보실란계 폴리머 (A) 의 중량평균 분자량이 1000∼10000 인 것을 특징으로 하는 피막 형성용 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 용제 (B) 가 시클로알킬케톤 또는 알킬렌글리콜디알킬에테르를 함유하는 것을 특징으로 하는 피막 형성용 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 피막 형성용 조성물로 형성된 도막을 경화시켜 얻어진 피막.
  7. 제 6 항에 있어서, 반도체 배선 형성 공정에 있어서 층간 절연층의 사이에 형성되는 에칭 스톱퍼층인 것을 특징으로 하는 피막.
  8. 제 6 항에 있어서, 반도체 배선 형성 공정에 있어서 내부에 배선층이 형성되는 층간 절연층인 것을 특징을 하는 피막.
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