KR20060047945A - 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액으로부터 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법을 제공한다.
본 발명은 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액으로부터 용해된 금속 성분을 분리하여 고순도의 옥살산 수용액을 회수하는 방법으로서, 옥살산 에칭 폐액과 음이온 교환 수지를 접촉 처리시키는 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법에 관한 것이다. 이 회수 방법에 의해 고순도의 옥살산 수용액을 회수할 수 있고, 그리고 에칭액으로서 재이용할 수 있기 때문에 에칭 처리에 있어서의 옥살산의 사용량을 경감할 수 있어, 그 결과 투명 전극의 제조 비용을 절감할 수 있다.
옥살산 수용액, 옥살산 에칭 폐액, 인듐 함유 피에칭재, 음이온 교환 수지

Description

고순도 옥살산 수용액의 회수 방법{A Method for Recovering Aqueous Oxalic Acid Solution with High Purity}
도 1은 처리액의 인듐, 주석 농도 변화를 나타낸 도면.
[문헌 1] 일본 특허 공개 2002-124506호 공보
본 발명은 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법에 관한 것이며, 자세하게는 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액으로부터 용해된 금속 성분을 분리하여 고순도의 옥살산 수용액을 회수하는 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치, 전계 발광 표시 장치 등의 투명 전극으로서는 인듐 함유 피에칭재, 예를 들면 산화 인듐-산화 주석 (Indium-Tin-Oxide, 이하 ITO라 함) 막을 소정의 패턴으로 에칭 처리한 것이 사용되고 있다.
즉, ITO 투명 전극은 유리 등의 기판상에 ITO막을 형성하고 레지스트 마스킹을 실시하여 ITO막을 에칭 처리함으로써 형성된다. 그리고, ITO막의 에칭액으로서 옥살산 수용액의 사용이 알려져 있다 (일본 특허 공개 2002-124506호 공보).
그러나, 상술한 방법에서는 에칭 폐액이 폐기 처리되기 때문에 에칭 처리 비용이 높아짐과 동시에 환경의 악화가 문제가 된다.
본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액으로부터 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 요지는, 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액으로부터 용해된 금속 성분을 분리하여 고순도의 옥살산 수용액을 회수함에 있어서, 옥살산 에칭 폐액과 음이온 교환 수지를 접촉 처리시킴으로써 이루어지는 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법에 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다. 본 발명의 회수 방법은 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액을 음이온 교환 수지와 접촉 처리시킴으로써, 용해된 금속 성분을 분리하여 고순도의 옥살산 수용액을 회수하는 방법이다.
구체적으로는, 에칭 공정으로부터 옥살산 에칭액의 전량 또는 일부를 추출하고 음이온 교환 수지와 접촉 처리하여 금속 성분 (예를 들면 인듐, 주석 등)을 음이온 교환 수지에 흡착시킴으로써 고순도 옥살산 수용액을 회수한다. 그리고, 회수된 고순도 옥살산 수용액은 옥살산 에칭액으로서 재이용한다.
본 발명에서 처리하는 옥살산 에칭 폐액은, ITO막 등의 인듐 함유 피에칭재를 옥살산 용액으로 에칭 처리하였을 때에 생기는 폐액이다. 이 옥살산 에칭 폐액 에는 인듐, 주석 등의 금속 성분이 음이온화되어 옥살산의 착체 화합물로서 존재한다.
옥살산 에칭 폐액에 있어서의 옥살산 농도는 통상 3 중량％ 이상, 바람직하게는 3 내지 10 중량％, 보다 바람직하게는 3 내지 7 중량％이다. 옥살산 농도가 3 중량％ 미만인 경우는 에칭 폐액에 포함되어 있는 금속 성분의 음이온화 착체 화합물의 생성이 불충분하여, 음이온 교환 수지에 의해서 고순도의 옥살산 수용액을 회수할 수 없다.
음이온 교환 수지와의 접촉 처리는, 칼럼에 충전된 음이온 교환 수지를 사용하여 행하는 것이 바람직하다. 또한, 사용되는 음이온 교환 수지는 강염기성 음이온 교환 수지 또는 약염기성 음이온 교환 수지 중의 어떤 것일 수도 있지만, 강염 기성 음이온 교환 수지가 바람직하고, 특히, 옥살산형 음이온 교환 수지가 바람직하다. 옥살산형 음이온 교환 수지는, 강염기성 음이온 교환 수지를 옥살산으로 접촉 처리함으로써 얻어진다.
강염기성 음이온 교환 수지로서 옥살산형 음이온 교환 수지를 사용함으로써, 폐액 처리의 처음부터 옥살산을 회수할 수 있고, 그 자체를 에칭액으로서 재이용할 수 있다.
강염기성 음이온 교환 수지로서는 4급 암모늄기를 교환기로서 갖는 수지를 사용할 수 있고, 예를 들면 미쯔비시 가가꾸(주) 제조의 다이아이온(Diaion) SA10A (상품명), 다이아이온 SA20A (상품명), 다이아이온 PA316 (상품명), 다이아이온 PA416 (상품명), 롬 앤드 하스사 제조의 암버라이트(Amberlite) IRA400 (상품명), 암버라이트 IRA410 (상품명), 암버라이트 IRA900 (상품명), 암버라이트 IRA910 (상품명), 더 다우 케미칼사 제조의 도웩스(Dowex) SBR (상품명), 도웩스 SAR (상품명), 도웩스 MSA-1 (상품명), 도웩스 MSA-2 (상품명)을 들 수 있다.
금속 성분의 흡착이 포화 상태가 된 음이온 교환 수지는 공지된 방법, 예를 들면 소성하여 금속 산화물로서 회수한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
5 ％ 옥살산 용액 1.0 L에 대하여 인듐 (In)을 1.64 g, 주석 (Sn)을 0.15 g의 비율로 용해하고, 인듐 농도 1.64 g/L, 주석 농도 0.15 g/L의 옥살산 용액을 제조하여 이것을 에칭 폐액으로 하였다.
별도로, 유리 칼럼 (내부 직경 15 mm × 높이 450 mm)에 OH형의 강염기성 음이온 교환 수지 (다이아이온 SAN-1, 미쯔비시 가가꾸(주) 제조) 30 ml를 충전하여, 표 1에 나타낸 바와 같은 조건으로 강염기성 음이온 교환 수지의 이온형을 OH형으로부터 옥살산형으로 변환하였다.
공정 사용액의 종류 유량 (mL/h) 용액 통과량 (m/L)
약액 주입 5 ％ 옥살산 60 300
약액 압출 순수 60 150
수세 순수 300 600
옥살산형으로 변환된 음이온 교환 수지에 대하여 에칭 폐액 1.5 L를 90 ml/h로 통과시키고, 유출된 처리액을 채취하였다. 처리액의 인듐, 주석 농도를 ICP-AES (유도 결합 플라즈마 발광 분석 장치)로 측정하였다. 처리액의 인듐, 주석 농도 변화를 도 1에 나타내었다. 또한, 횡축은 단위 수지량당의 처리액량 (L/L-수지)을 나타내고, 종축은 인듐 또는 주석의 처리액 농도 (mg/L)를 나타낸다. 도 1 중, 인듐의 농도 변화를 A-1로 나타내고, 주석의 농도 변화를 A-2로 나타내었다.
<비교예 1>
실시예 1에 있어서, 이온 교환 수지를 H형의 강산성 양이온 교환 수지 (SKN1, 미쯔비시 가가꾸(주) 제조)로 바꾼 것 (옥살산 처리는 행하지 않음) 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 에칭 폐액의 처리를 행하였다. 처리액의 인듐, 주석농도 변화를 도 1에 나타내었다. 도 1 중, 인듐의 농도 변화를 B-1로 나타내고, 주석의 농도 변화를 B-2로 나타내었다.
도 1로부터, 강염기성 음이온 교환 수지를 사용한 경우에는 옥살산 에칭 폐액 중의 금속 성분이 흡착ㆍ제거되지만, 양이온 교환 수지를 사용한 경우에는 거의 흡착되지 않음이 분명하다.
본 발명의 방법에 의하면 고순도의 옥살산 수용액을 회수할 수 있고, 그리고 에칭액으로서 재이용할 수 있기 때문에 에칭 처리에 있어서의 옥살산의 사용량을 경감할 수 있고, 그 결과 투명 전극의 제조 비용을 절감할 수 있다.

Claims (5)

  1. 인듐 함유 피에칭재를 처리한 옥살산 에칭 폐액으로부터 용해된 금속 성분을 분리하여 고순도의 옥살산 수용액을 회수하는 방법으로서, 옥살산 에칭 폐액과 음이온 교환 수지를 접촉 처리시키는 것을 특징으로 하는 고순도 옥살산 수용액의 회수 방법.
  2. 제1항에 있어서, 칼럼에 충전된 음이온 교환 수지를 사용하는 회수 방법.
  3. 제1항에 있어서, 음이온 교환 수지가 강염기성 음이온 교환 수지인 회수 방법.
  4. 제1항에 있어서, 음이온 교환 수지가 옥살산형 음이온 교환 수지인 회수 방법.
  5. 제1항에 있어서, 옥살산 에칭 폐액에 있어서의 옥살산 농도가 3 내지 10 중량％인 회수 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4643541B2 (ja) * 2006-10-17 2011-03-02 東亞合成株式会社 塩化第一鉄液中からのインジウム化合物の製造方法
JP5817123B2 (ja) * 2011-01-18 2015-11-18 栗田工業株式会社 シュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収装置、及びシュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収方法
CN102703699B (zh) * 2012-06-26 2013-12-04 西部鑫兴金属材料有限公司 一种高铅含铼钼精矿处理后酸性废液的循环利用方法
CN102935298A (zh) * 2012-11-28 2013-02-20 湖北益泰药业有限公司 一种草酸精制母液的回收方法
CN113929226A (zh) * 2021-10-29 2022-01-14 西安泰金工业电化学技术有限公司 一种草酸废液回收系统及回收方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2535962B2 (ja) * 1987-10-15 1996-09-18 住友化学工業株式会社 有機酸の回収方法
JPH05339197A (ja) * 1992-06-10 1993-12-21 Asahi Glass Co Ltd しゅう酸の分離回収方法
JP3323585B2 (ja) * 1993-05-10 2002-09-09 鶴見曹達株式会社 エッチング廃液処理方法
JPH07141932A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Kanto Chem Co Inc 透明導電膜のエッチング液組成物
JPH1192840A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd ジルコニウムの精製方法
JP4277375B2 (ja) * 1999-07-29 2009-06-10 住友化学株式会社 インジウムの回収・精製法
JP3589937B2 (ja) 2000-04-21 2004-11-17 シャープ株式会社 廃液晶パネルの処理方法
JP3445570B2 (ja) * 2000-10-12 2003-09-08 株式会社東芝 酸化インジウム錫膜用エッチング液およびエッチング方法
JP4027184B2 (ja) * 2001-08-28 2007-12-26 Ａｇｃエンジニアリング株式会社 陰イオン交換膜の製造方法
JP4069291B2 (ja) * 2002-10-09 2008-04-02 三菱マテリアル株式会社 金属錯体溶液からの金属イオンの分離方法

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