KR20060043037A - 화상 입력 장치 및 검사 장치 - Google Patents

화상 입력 장치 및 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060043037A
KR20060043037A KR1020050014215A KR20050014215A KR20060043037A KR 20060043037 A KR20060043037 A KR 20060043037A KR 1020050014215 A KR1020050014215 A KR 1020050014215A KR 20050014215 A KR20050014215 A KR 20050014215A KR 20060043037 A KR20060043037 A KR 20060043037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light source
image
sensor
stage
Prior art date
Application number
KR1020050014215A
Other languages
English (en)
Inventor
히로무 이노우에
쯔네오 테라사와
신이치 이마이
다케히코 노무라
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바, 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20060043037A publication Critical patent/KR20060043037A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/28—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with deflection of beams of light, e.g. for direct optical indication
    • G01D5/30—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with deflection of beams of light, e.g. for direct optical indication the beams of light being detected by photocells
    • G01D5/305—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with deflection of beams of light, e.g. for direct optical indication the beams of light being detected by photocells controlling the movement of a following part
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95684—Patterns showing highly reflecting parts, e.g. metallic elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G01R31/2635—Testing light-emitting diodes, laser diodes or photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/768—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors for time delay and integration [TDI]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59—Transmissivity
    • G01N21/5907—Densitometers
    • G01N2021/5957—Densitometers using an image detector type detector, e.g. CCD
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Input (AREA)

Abstract

웨이퍼 W를 지지하는 스테이지(21)의 위치 결정을 하는 구동부(22)와, 스테이지(21)의 위치를 측정하는 레이저 간섭계(23)와, 발광 간격을 결정하는 동기 신호에 동기하여 펄스광을 발하는 펄스 광원(31)과, 펄스 광원(31)으로부터의 조명광을 웨이퍼 W에 조사하는 조명 광학계(32)와, 광학상을 화상 전기 신호로 변환하는 TDI 센서(24)와, 웨이퍼 W의 확대 투영상을 TDI 센서(24) 상에 결상하는 결상 광학계(25)와, 레이저 간섭계(23)의 위치 정보에 기초하여 펄스 광원(31)의 발광 간격과 TDI 센서(24)의 동기를 제어하는 동기 제어 회로(40)와, 펄스 광원(31)의 광량을 측정하는 광량 모니터(34)와, 광량 모니터(34)의 출력에 기초하여 화상 전기 신호를 보정하는 광량 보정 회로(50)를 구비한다.

Description

화상 입력 장치 및 검사 장치{IMAGE INPUT APPARATUS AND CHECK APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 화상 입력 장치의 구성을 도시하는 설명도.
도 2는 상기 화상 입력 장치에 삽입된 TDI 센서의 화소 구성을 도시하는 설명도.
도 3은 상기 TDI 센서의 데이터 판독 클록 신호를 도시하는 설명도.
도 4는 상기 화상 입력 장치에 삽입된 동기 제어 회로의 구성을 도시하는 블럭도.
도 5는 상기 화상 입력 장치에 삽입된 광량 보정 회로의 구성을 도시하는 블럭도.
도 6은 상기 동기 제어 회로에 의한 동기 제어를 한 경우의 결과를 도시하는 설명도.
도 7은 상기 동기 제어 회로에 의한 동기 제어를 하지 않는 경우의 결과를 도시하는 설명도.
도 8은 펄스광의 광량 추이와 광량의 적산(積算) 범위의 관계를 도시하는 설명도.
도 9는 펄스광의 광량의 적산 평균치의 추이를 나타내는 설명도.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 화상 입력 장치가 삽입된 마스크 검사 장치의 구성을 도시하는 설명도.
도 11은 마스크의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 12는 다층막 블랭크의 개괄을 도시하는 설명도.
도 13은 상기 다층막 블랭크의 결함 부위를 도시하는 설명도.
도 14는 종래의 화상 입력 장치의 일례를 도시하는 설명도.
도 15는 종래의 화상 입력 장치의 일례를 도시하는 설명도.
도 16은 종래의 화상 입력 장치의 일례를 도시하는 설명도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10 : 화상 입력 장치
20, 70 : 화상 입력부
21, 71 : 스테이지
23, 73 : 레이저 간섭계
24, 74 : TDI 센서
25 : 광학계 렌즈
26, 33 : 하프 미러
30, 80 : 조명부
31 : 펄스 광원
32 : 조명 광학계
34 : 광량 모니터
40, 90 : 동기 제어 회로
43 : 비교기
50, 100 : 광량 보정 회로
52 : 적산 회로
53 : 역수 변환기
54 : 승산기
60 : 마스크 검사 장치
83 : LPP 광원
110 : 결함 판정 처리부
본 발명은 피사체의 화상을 촬상하기 위한 화상 입력 장치 및 그 화상 입력 장치를 이용하여 피사체의 검사를 하는 검사 장치에 관한 것으로, 특히 미세한 패턴이 형성된 피사체에 관해서 이 피사체의 화상을 고정밀도로 촬상하는 장치 및 고정밀도로 검사·측정하는 장치에 관한 것이다.
포토마스크, 웨이퍼 등의 패턴 검사 장치는 결함 검출 감도를 향상시키기 위해서 자외역의 광원과 광학계를 이용하여 광학계의 해상도를 향상시켜 검사해야 한다. 자외역의 광원으로서는 레이저 광원 및 레이저 광원으로 여기한 플라즈마 광원이 이용된다. 이들 광원의 대다수는 펄스 광원이다. 한편, 피검사 대상의 포토마스 크, 웨이퍼의 화상 전기 신호를 얻는 센서로서는 영역 센서, 선형 센서, TDI 센서가 이용된다. 특히 TDI 센서는 고속으로 화상 입력이 가능하기 때문에 자외역의 감도 성능이 충족된다면 패턴 검사 장치로 사용하기에는 최적의 센서가 된다.
패턴 검사 장치로서는, 예컨대 도 14∼도 16에 도시하는 것이 알려져 있다. 예컨대, 도 14에 도시한 바와 같이 영역형 CCD 센서의 화상 취득 간격에 맞춰 펄스 레이저를 발광하는 기술이 알려져 있다(예컨대 일본 특허 공개 평08-334315호 공보). 도 14 중 200은 엑시머 레이저, 201은 발광 제어부, 202는 CCD 카메라, 203은 하프 미러, 204, 205는 렌즈, W는 검사 대상의 웨이퍼를 나타내고 있다. 본 장치에서는, 영역형 CCD 카메라(202)의 화상 취득 속도가 느리기 때문에 (이로 인해) 검사 속도가 율속되거나(늦어지거나) 또는 CCD 카메라의 화상 취득 중에 생기는 레이저 광량 변동의 보정이 필요해 지는 과제가 있다.
또한, 도 15에 도시한 바와 같이 일정 간격으로 펄스 레이저를 발광시키면서, TDI 센서에 동기를 거는 기술이 알려져 있다(예컨대 일본 특허 공개 평10-171965호 공보).
도 15 중 210은 펄스 레이저, 211은 동기 제어 회로, 212는 TDI 센서, 213은 스테이지, 214는 미러, 215, 216는 렌즈, M은 검사 대상의 포토마스크를 나타내고 있다. 이 경우, 스테이지(213)의 속도 변동이 생긴 경우, TDI 센서(212)로 얻어지는 화상의 해상도가 저하하는 과제가 있다.
또한, 도 16에 도시한 바와 같이 펄스 레이저의 발광 간격에 맞춰 스테이지의 구동량을 제어하는 기술이 알려져 있다(예컨대 일본 특허 공개 평11-311608호 공보 참조). 도 16 중 220은 펄스 레이저, 221은 제어계, 222는 TDI 센서, 223은 스테이지, 224는 미러, 225, 226은 렌즈, M은 검사 대상의 포토마스크를 나타내고 있다. 이 경우, 펄스 레이저의 발광 간격에 맞춰 스테이지(223)의 구동량을 제어하더라도 제어 지연이 있기 때문에 TDI 센서(222)의 구동 속도에 정확히 동기하는 것은 곤란하다.
전술한 패턴 검사 장치라면, 스테이지의 속도 변동과 펄스 광원의 광량 변동을 보정할 수 없기 때문에 센서 출력 신호의 해상성이 저하하거나 출력 레벨이 변동한다. 이 때문에, 반도체의 포토마스크, 웨이퍼 등이 미세한 패턴을 고정밀도로 검사하는 경우에 알맞지 않다.
본 발명은 미세한 패턴 등이 형성되어 있는 피사체의 영상을 고정밀도로 입력하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 피사체의 화상을 입력하여 전기 신호로서 출력하는 화상 입력 장치에 있어서, 상기 피사체를 지지하는 스테이지와, 이 스테이지의 위치 결정을 하는 구동부와, 상기 스테이지의 위치를 측정하는 레이저 간섭계와, 발광 간격을 결정하는 동기 신호에 동기하여 펄스 광을 발하는 광원과, 이 광원으로부터의 조명광을 상기 스테이지에 지지되는 피사체에 조사하는 조명 광학계와, 결상된 광학상을 화상 전기 신호로 변환하는 센서와, 상기 피사체의 확대 투영상을 상기 센서상에 결상하는 결상 광학계와, 상기 레이저 간섭계의 위치 정보에 기초하여 상기 광원의 발광 간격과 상기 센서의 동기를 제어하는 동기 제어 회로와, 상기 광원으로부터의 조명광의 광량을 측정하는 광량 모니터와, 이 광량 모니터의 출력에 기초하여 상기 화상 전기 신호를 보정하는 광량 보정 회로를 구비한다.
본 발명의 추가의 이점은 후술하는 설명에 개시될 것이고, 부분적으로는 상세한 설명으로부터 명백하거나, 또는 본 발명의 실시에 의해서 배울 수 있을 것이다. 본 발명의 이점은 이하에서 특히 지시하는 도구 및 조합에 의해서 실현되고 취득될 수 있다.
명세서에 합체되고 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 실시 형태를 나타내고, 전술한 일반적 설명 및 후술하는 실시 형태에 대한 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 화상 입력 장치(10)의 구성을 도시하는 설명도이다. 화상 입력 장치(10)는 피사체의 확대 광학상을 화상 전기 신호로서 출력하는 화상 입력부(20)와, 피사체를 조명하는 조명부(30)와, 레이저 간섭계(23)의 위치 데이터에 기초하여 TDl 센서(24)의 동기 제어 신호(스캔 클록)를 발생함과 동시에, 펄스 광원(31)의 발광 간격을 제어하는 동기 제어 회로(40)와, 광량의 레벨 변동을 상쇄하는 광량 보정 회로(50)를 구비하고 있다.
화상 입력부(20)는 피사체인 웨이퍼 W를 지지하는 스테이지(21)와, 스테이지(21)를 도 1 중 화살표 X 방향으로 이동하는 구동 장치(22)와, 스테이지(21)의 위치를 고정밀도로 검출하기 위한 레이저 간섭계(23)와, 스테이지(21)에 대향 배치된 TDI(Time Delay and Integration : 축적형) 센서(24)와, 스테이지(21)와 TDI 센서 (24) 사이에 배치된 결상 광학계 렌즈(25) 및 하프 미러(26)를 구비하고 있다.
TDI 센서(24)는 결상 광학계에 의해 얻어진 피사체의 미약한 확대 광학상을 전기적으로 축적하여 화상 전기 신호로 변환하여 출력하는 기능을 갖고 있다. TDI 센서(24)의 화소 구성에 관해서는 후술한다.
조명부(30)는 펄스 광원(31)과, 펄스 광원(31)으로부터의 조명광을 하프 미러(26)에 유도하는 조명 광학계(32)와, 조명 광학계(32)와 하프 미러(26) 사이에 설치된 하프 미러(33)와, 이 하프 미러(33)의 반사처에 배치된 광량 모니터(34)를 구비하고 있다.
펄스 광원(31)은 동기 제어 회로(40)로부터의 발광 제어 신호에 동기하여 펄스광을 발광하는 것으로, 레이저 광원 또는 레이저 광원으로부터 여기된 광원이 이용된다. 펄스 광원(31)으로부터 발광된 펄스광은 조명 광학계(32)를 통해 스테이지(21)상의 웨이퍼 W에 조사된다. 광량 모니터(34)는, 펄스광의 광량을 측정하여 광량 보정 회로(50)에 출력한다.
동기 제어 회로(40)는 레이저 간섭계(23)에 의해서 얻어진 스테이지(21)의 위치 데이터를 바탕으로 TDI 센서(24)의 동기 제어 신호를 발생함과 동시에, 펄스 광원(31)의 발광 간격을 제어하는 발광 제어 신호를 발생한다. 상세에 관해서는 후술한다.
광량 보정 회로(50)는 광량 모니터(34)의 출력에 기초하여 TDI 센서(24)의 출력 신호 레벨을 보정하여 광량 변동에 의한 화상 전기 신호의 레벨 변동을 상쇄하는 기능을 갖고 있다. 상세에 관해서는 후술한다.
다음에, TDI 센서(24)의 화소 구조에 관해서 설명한다. TDI 센서(24)는 화소 방향과는 직교하는 적산 방향으로 N 단 노광 영역이 있는 영역 센서로서, 스캔마다 전하를 적산 방향으로 1단씩 전송함으로써, 전하를 적산 단수 만큼 축적하여 출력할 수 있는 센서이다.
도 2는 화소 방향이 2048 화소, 축적 단수(적산 방향의 화소 수)가 512단 있는 TDI 센서(24)의 예로서, 적산 방향을 아래쪽으로 하여 전하를 하향으로 전송하도록 하고 있다. 또, 전송 방향을 전환함으로써 적산 방향을 상측으로 하여 전하를 상향으로 전송하도록 해도 좋다.
도 3은 TDI 센서(24)의 판독 클록을 설명하는 도이다. 동기 제어 신호는 센서의 적산 방향으로 전하를 전송하는 클록이다. 화소 방향의 판독 클록은 센서 출력단의 화소 방향의 데이터 판독 클록으로, 동기 제어 신호의 1 사이클 내에서 데이터 판독에 필요한 클록 펄스 수가 있다.
동기 제어 회로(40)는 도 4에 도시한 바와 같이 스캔 이동량을 발생하는 스캔 이동량 발생기(41)와, 스캔 이동량을 스캔마다 가산하여 갱신하는 스캔 위치 레지스터(42)와, 스캔 위치 레지스터(42)로부터 주어진 스캔 발생 위치(β)와 레이저 간섭계(23)로부터의 위치 데이터(α)를 비교하는 비교기(43)와, 이 비교기(43)에서 α≥β일 때 TDI 센서(24)의 동기 제어 신호를 발생하는 스캔 펄스 발생기(44)와, 동기 제어 신호에 기초하여 축적 단수/N 스캔마다 펄스 광원(31)의 발광 제어 신호를 유효하게 하는 펄스 광원 발광 간격 제어기(45)를 구비하고 있다. 여기서, N은 1이상의 정수이다.
이와 같이 구성된 동기 제어 회로(40)는 레이저 간섭계(23)의 위치 데이터에 기초하여 스테이지(21)의 이동 거리가 TDI 센서(24)의 화소 분해능에 대응하는 스캔 이동량에 도달한 시간에 TDI 센서(24)의 동기 제어 신호를 발생하고, 또한, 스테이지(21)가 축적 단수/N에 대응하는 거리를 이동한 시간간격으로 펄스 광원의 발광 제어를 할 수 있다.
광량 보정 회로(50)는 도 5에 도시한 바와 같이 광량 모니터(34)의 출력 신호를 A/D 변환하는 A/D 변환기(51)와, 이 A/D 변환기(51)로부터의 출력 데이터와 발광 제어 신호에 동기하여 TDI 센서(24)의 축적 단수 내의 발광 회수 만큼의 적산 평균치를 구하는 적산 회로(52)와, 이 적산 회로(52)에 의한 적산후의 광량 데이터를 역수 변환하여 광량 보정 데이터를 출력하는 역수 변환기(53)와, TDI 센서(24)의 A/D 출력 데이터와 광량 보정 데이터를 곱셈하는 승산기(54)를 구비하고 있다. 적산 회로(52로)에서는 TDI 센서(24)의 축적 단수 내의 펄스광의 광량을 적산하여 그것을 바탕으로 TDI 센서(24)의 출력 데이터를 보정함으로써 펄스광의 광량 변동에 의한 TDI 센서(24)의 출력 변동을 상쇄할 수 있다.
이와 같이 구성된 화상 입력 장치(10)에서는 다음과 같이 하여 웨이퍼 W의 화상을 취득한다.
즉, 포토마스크 등의 검사 피사체 M은 스테이지(21) 위에 고정되어 스테이지(21)의 움직임에 맞춰 이동한다. 스테이지(21)의 위치는 레이저 간섭계(23)에 의해 고정밀도로 측정되어 그 위치 데이터가 동기 제어 회로(40) 에 입력된다.
동기 제어 회로(40)는 이 위치 데이터를 바탕으로 스테이지(21)가 TDI 센서 (24)의 스캔 이동량, 즉 화소 분해능 만큼 이동하는 시간 간격에 동기하여 TDI 센서(24)의 동기 제어 신호를 발생시킨다. 또한, 동기 제어 회로(40)는 축적 단수/N 스캔마다의 시간 간격으로 펄스 광원(31)에 발광 제어 신호를 이송하고, 펄스 레이저광을 발생시킨다.
펄스 광원(31)으로부터 발하는 펄스 레이저광은 조명 광학계(32)를 통해 웨이퍼 W 상에 조사된다. 웨이퍼 W의 화상은 TDI 센서(24)에 입력되어 화상 전기 신호로 변환된 뒤 광량 보정 회로(50)에 입력된다.
광량 모니터(34)는 펄스 광원(31)으로부터의 광량을 발광 제어 신호에 동기한 간격으로 측정하여 웨이퍼 W에 조사하는 광량을 광량 보정 회로(50)에 출력한다. 광량 보정 회로(50)에서는 광량 모니터(34)로부터의 광량 데이터를 바탕으로 TDI 센서(24)의 축적 단수 내의 발광 회수 만큼의 적산 평균치를 구하고, TDI 센서(24)의 출력 데이터를 보정하여 펄스 레이저광의 광량변동에 의한 센서의 출력 변동을 보정한다.
스테이지(21)의 위치에 동기하여 축적되어 TDI 센서(24)의 웨이퍼 W의 화상 정보를 포함한 출력은 광량 변동 성분을 광량 보정한 화상 전기 신호가 된다. 이 화상 전기 신호는 광량 변동 성분이나 동기 어긋남이 없는 S/N의 좋은 데이터가 된다.
도 6 및 도 7은 화상을 동기 어긋나지 않게 받아들이기 위한 동기 제어 원리를 도시하는 것으로, 시각 T1∼T3에서의 피사체 X와 TDI 센서(24)의 화상 영역의 위치 관계를 도시하는 설명도이다. 또, 도 6은 동기 제어를 한 경우, 도 7은 비교 를 위해 동기 제어를 하지 않는 경우를 도시하고 있다. 또, 설명을 간략화하기 위해서 TDI 센서(24)의 적산 단수는 8단으로 하여 스캔마다 펄스광이 발광하는 경우를 도시하고 있다.
도 6에서는 시각 T1(발광 1회째와 스캔 1회째)에서 시각 T2(발광 2회째와 스캔 2회째)가 되어 피사체 X가 스캔 이동량(축적 단수 1단의 거리) 만큼 이동한 것을 나타내고 있다. 시각 T3(발광 3회째와 스캔 3회째)가 되더라도 스캔과 발광 간격이 정확히 동기하고 있는 것을 도시하고 있다.
이에 대하여, 도 7에서는 동기 제어를 하지 않기 때문에 시각 T1에서 피사체 X와 센서의 위치에 동기 어긋남은 없지만, 시각 T2에서는 스캔 이동량(축적 단수 1단의 거리)에 대하여 스캔과 발광 간격이 어긋나 있기 때문에 피사체 X가 아래쪽으로 동기 편차량 τ1만큼 어긋나 있다. 시각 T3에서는 다시 동기 편차량 T2 만큼 틀어져 그 양이 불어나는 것이 된다. 이 때문에 발광 간격과 스캔 간격과의 동기 제어를 하지 않는 상태로 TDI 센서(24) 상의 전하를 축적 단수 만큼 축적하여 출력하면 얻어지는 화상 전기 신호는 동기가 어긋난 만큼 흔들린 상태로 얻어지는 것이 된다.
전술한 바와 같이 TDI 센서(24) 상의 전하를 축적 단수 만큼 축적하여 출력함으로써 출력되는 화상 전기 신호는 동기 어긋남이 없는 매우 해상 성능이 좋은 상태로 얻어지게 된다. 또, 펄스광의 발광 간격을 스캔과 동기하는 시간 간격으로 했지만(축적 단수/N 스캔마다의 펄스 광원의 발광 제어로 N= 축적 단수의 경우에 해당한다), N을 축적 단수 이외의 정수치로 해도 좋다.
다음에, 화상 입력 장치(10)에 있어서 펄스광의 광량 변동 성분을 정확하게 구하기 위한 광량 보정 원리에 관하여 설명한다. 도 8은 스캔 간격과 펄스광의 발광 간격이 동일한 경우를 예로, 펄스광의 발광마다의 광량 모니터(34)의 출력 추이와, TDI 센서(24)의 축적단이 8단인 경우의 광량의 적산 범위를 도시하고 있다.
도 9는 도 8의 적산 범위의 광량을 적산 회로(52)로 적산하여 평균치를 스캔마다, 즉 발광 간격마다 산출한 결과를 나타내고 있다. 이 광량의 적산 평균치는 TDI 센서(24)로 축적한 시간의 총 광량에 대응하는 것으로, 이 적산 평균치의 역수를 구하여 TDI 센서(24)의 출력 데이터를 보정하는 것으로, 펄스광의 광량 변동 성분을 상쇄할 수 있다.
전술한 바와 같이 이 제1 실시 형태에 따른 화상 입력 장치(10)에 있어서는 동기 제어 신호와 펄스 광원 발광 제어 신호를 발생하는 것으로, 웨이퍼 W를 지지하는 스테이지(21)의 속도 변동을 상쇄함과 동시에, 웨이퍼 W를 조명하는 광원의 광량 변동을 상쇄함으로써 미세한 패턴 등이 형성되어 있는 피검사체의 영상을 고정밀도로 입력하는 것이 가능해진다.
또, 이 제1 실시 형태에 따른 화상 입력 장치(10)에서는, 웨이퍼 W를 피사체로 하여 반사한 광학상을 TDI 센서(24)에 투영하는 결상 광학계를 나타내고 있지만, 피사체가 포토마스크 등 투명한 물체인 경우는 피사체를 투과한 광학상을 TDI 센서(24)에 투영하는 결상 광학계로 해도 좋다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 EUV 마스크용 마스크 검사 장치(60)의 구성을 도시하는 설명도이다. 마스크 검사 장치(60)는 피사체의 확대 광학 상을 화상 전기 신호로서 출력하는 화상 입력부(70)와, 피사체를 조명하는 조명부(80)와, 레이저 간섭계(73)의 위치 데이터에 기초하여 TDI 센서(24)의 동기 제어 신호를 발생함과 동시에, LPP 광원(83)의 발광 간격을 제어하는 동기 제어 회로(90)와, 광량의 레벨 변동을 상쇄하는 광량 보정 회로(100)와, 구해진 화상 전기 신호에 기초하여 EUV 마스크의 결함 유무를 판정하는 결함 판정 처리부(110)를 구비하고 있다.
또, 화상 입력부(70)는 제1 실시 형태에 따른 화상 입력 장치(10)의 화상 입력부(20), 조명부(80)는 상기 화상 입력 장치(10)의 조명부(30), 동기 제어 회로(90)는 상기 화상 입력 장치(10)의 동기 제어 회로(40), 광량 보정 회로(100)는 상기 화상 입력 장치(10)의 광량 보정 회로(50)에 각각 대응하는 기능을 갖고 있다.
화상 입력부(70)는 피사체인 다층막 마스크 블랭크(E)를 지지하는 스테이지(71)와, 스테이지(71)를 도 10 중 화살표 X 방향으로 이동하는 구동 기구(72)와, 스테이지(71)의 위치를 고정밀도로 검출하기 위한 레이저 간섭계(73)와, 스테이지(71)에 대향 배치된 TDI(Time Delay and Integration) 센서(74)와, 스테이지(71)와 TDI 센서(74) 사이에 배치되어 정반사광을 차단하는 암시야 확대 결상 광학계(75)및 미러(76)를 구비하고 있다. TDI 센서(74)는 전술한 TDI 센서(24)와 마찬가지로 구성되어 있다. 암시야 확대 결상 광학계(75)는 2장의 구면 형상의 다층막 거울을 조합시킨 슈발쯔 실드 광학계를 채용하고 있다.
조명부(80)는 여기용 레이저 광원(81)과, 이 여기용 레이저 광원으로부터의 레이저광을 유도하는 광학계(82)와, 레이저광에 의해 여기되어 조명용 EUV 광을 발 하는 LPP 광원(레이저 여기 플라즈마 광원)(83)과, 이 LPP 광원(83)으로부터의 조명용 EUV 광을 미러(76)에 유도하는 조명 광학계(84)와, 조명 광학계(84)와 미러(76) 사이에 설치된 하프 미러(85)와, 이 하프 미러(85)의 반사처에 배치된 광량 모니터(86)를 구비하고 있다. 광량 모니터(86)는 펄스광의 광량을 측정하여 광량 보정 회로(100)에 출력한다.
동기 제어 회로(90)는 레이저 간섭계(73)의 위치 데이터를 바탕으로 TDI 센서(24)의 동기 제어 신호를 발생하는 기능과, 펄스 광원의 발광 간격을 제어하는 기능이 있다. 광량 보정 회로(100)는 광량 모니터(86)의 출력을 바탕으로 TDI 센서(74)의 출력 신호 레벨을 보정하여 광량 변동에 의한 센서 출력 신호의 레벨 변동을 상쇄하는 기능을 갖고 있다.
다음에, 검사 대상인 다층막 마스크 블랭크(E)에 관해서 설명한다. 도 11은 파장이 13.5 nm 부근인 극자외(EUV : Extreme Ultra Violet)광을 조명광으로서 반도체 기판상에 LSI 회로 패턴을 전사하기 위한 반사형 마스크 (M)를 제조하는 공정을 도시한 도이다.
높은 반사율을 얻기 위해서 거칠기가 거의 없는 초평활 기판(S)을 준비하고(공정 1), 그 위에 EUV 광을 반사시키기 위한 다층막 P를 형성한다(공정 2). 이 다층막 P는, 예컨대 실리콘과 몰리브덴의 박막을 교대로 적층시켜 형성한 것이다. 초평활 기판(S)의 표면에 다층막(P)를 형성한 것을 일반적으로 다층막 마스크 블랭크(E)라고 부른다. 다음에 버퍼층(B)을 사이에 두고 반사형 마스크(M)의 비반사부가 되는 흡수체(Q)를 형성한다(공정 3). 흡수체(Q)의 재료로서는 텅스텐, 탄탈, 금, 크롬, 티탄, 게르마늄, 니켈, 코발트 등의 금속, 반금속, 반도체 재료의 단체 혹은 화합물이 이용된다.
그 후, 원하는 흡수체 패턴을 형성하기 위해서 흡수체(Q) 위에 레지스트막(R)을 형성하여 전자선 빔 묘화 기술 혹은, 광, 레이저, X선, 이온 빔을 이용하는 리소그래피 기술로 레지스트 패턴을 형성한다(공정 4). 마지막으로, 레지스트 패턴이 형성된 레지스트막(R)을 마스크로서 흡수체(Q)를 반응성 이온 에칭 등에 의해 가공하고, 레지스트막(R)을 제거하여 흡수체 패턴을 형성한다(공정 5). 이 흡수체 패턴이 LSI 회로 패턴이 된다.
도 12는 공정 2에서 형성된 다층막 마스크 블랭크(E)를 도시한 도면이다. 도 12는 다층막 마스크 블랭크(E)의 개괄을 도시한 도면으로서, 그 표면에는 디바이스 패턴 영역(D)이 형성되어 있다. 또, Dx는 위상 결함부를 나타내고 있다. 또, 마스크 얼라이먼트 마크(E1), 마스크·웨이퍼 얼라이먼트 마크(E2)가 형성되어 있다. 다층막 마스크 블랭크(E)의 표면에 미세한 요철이 존재하면 이것이 위상 결함부(Dx)가 될 가능성이 있다.
도 13은 위상 결함부(Dx)의 단면을 도시한 도면이다. 표면의 미세한 요철은 초평활 기판(S)의 표면에 미소한 이물(Ex)이 존재한 채로 다층막 P를 형성한 경우 등에 발생할 가능성이 높다.
마스크 검사 장치(60)는 다음과 같이 하여 마스크(M)의 검사를 한다. 즉, 여기용 레이저 광원(81)으로부터 발하는 펄스 레이저광은 LPP 광원(83)에 있는 타겟을 조사하여 EUV 광을 발생한다. 이 EUV 광을 추출하여 조명용 EUV 광으로 하고, 다층막 마스크 블랭크(E) 상에 조사한다.
다층막 마스크 블랭크(E) 상에 위상 결함이 존재하면 조명용 EUV 광이 산란하여 암시야 확대 결상 광학계를 통해 TDI 센서(74)에 집광된다. 결함이 존재하지 않는 경우는, 다층막 마스크 블랭크(E) 상에서 산란하지 않고 정반사광만이 암시야 확대 결상 광학계로 향하지만, 정반사광은 차단되기 때문에 TDI 센서(74) 상에는 광이 닿지 않는다. 즉, 결함이 존재하는 부분에만 산란광이 결상되게 된다. 다층막 마스크 블랭크(E)를 지지하는 스테이지(71)는 구동부(72)에 의해 소정 방향으로 이동하기 때문에 TDI 센서(74)의 출력 데이터를 처리하는 것으로, 소정 영역의 결함 검사를 행할 수 있다.
스테이지(71)의 이동 위치는 스테이지(71)에 고정된 미러(71a)의 위치로서 레이저 간섭계(73)에 의해서 검출된다. 레이저 간섭계(73)는 소정의 위치 분해능으로 스테이지(71)의 위치 데이터를 구하여 동기 제어 회로(90)에 출력한다. 동기 제어 회로(90)는 이 위치 데이터를 바탕으로 스테이지(71)가 TDI 센서(74)의 스캔 이동량, 즉 화소 분해능 만큼 이동하는 시간 간격에 동기하여 TDI 센서(74)의 동기 제어 신호를 발생시킨다. 또한, 동기 제어 회로(90)는 축적 단수/N 스캔마다의 시간 간격으로 여기용 레이저 광원(81)에 발광 제어 신호를 이송하고, 여기용 레이저광을 발생시켜 LPP 광원(83)으로부터 EUV 광을 발광시킨다.
광량 모니터(86)는 LPP 광원(83)으로부터의 EUV 광의 광량을 여기용 레이저 광원(81)의 발광 제어 신호에 동기한 간격으로 측정하여 다층막 마스크 블랭크(E)를 조사하는 EUV 광의 광량을 광량 보정 회로(100)에 출력한다. 광량 보정 회로 (100)에서는 광량 모니터(86)로부터의 광량 데이터를 원래 TDI 센서의 축적 단수 내의 발광 회수 만큼의 적산 평균치를 구하고, TDI 센서(74)의 출력 데이터를 보정하여 EUV 광의 광량 변동에 의한 센서의 출력 변동을 보정한다.
스테이지(71)의 위치에 동기하여 축적되어 EUV 광의 광량 변동 성분을 광량 보정된 TDI 센서(74)의 출력은 다층막 마스크 블랭크 E의 결함 정보를 포함한 화상 데이터가 된다. 이 화상 데이터는 광량 변동 성분이나 동기 어긋남이 없는 S/N의 좋은 데이터이기 때문에 결함 판정 처리부(110)에서, 예컨대 일정하게 임계치 이상을 결함으로 하는 판정 처리를 함으로써 다층막 마스크 블랭크(E)의 결함 검사를 행할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명 제2 실시 형태에 따른 마스크 검사 장치(60)에 있어서는, 동기 제어 신호와 펄스 광원 발광 제어 신호를 발생하는 것으로, 다층막 블랭크(E)를 지지하는 스테이지(71)의 속도 변동을 상쇄함과 동시에, 다층막 블랭크(E)를 조명하는 LPP 광원(83)의 광량 변동을 상쇄함으로써 노이즈가 적은 화상 전기 신호를 결함 판정 처리부(110)에 입력할 수 있어 높은 정밀도로 결함을 발견하는 것이 가능해진다.
또, 전술한 실시 형태에서는 센서로서 TDI 센서를 이용했지만, 영역 센서와 펄스 광원을 이용하여 스테이지를 연속 이동하여 화상을 입력하는 경우, 축적 단수를 영역 센서의 스테이지 연속 이동 방향의 화소수로서, N을 1로 한 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 화상 입력 장치는 반도체 검사 장치의 적용을 전제로 기재하고 있지만, 고정밀도의 화상 계측, 검사를 하는 응용 사례에 적용할 수도 있 다.
또, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로에 한정되는 것은 아니며, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의하여 여러 가지의 발명을 형성할 수 있다. 예컨대, 실시 형태에서 보여지는 전체 구성 요소에서 몇 가지 구성 요소를 삭제해도 좋다. 또한, 다른 실시 형태에 따른 구성 요소를 적절하게 조합해도 좋다.
본 발명에 따르면, 피사체를 지지하는 스테이지의 속도 변동을 보정함과 동시에, 피사체를 조명하는 광원의 광량 변동을 보정함으로써 피사체의 화상을 고정밀도로 받아들이는 것이 가능해진다.
추가의 이점과 변형은 당업자에게 쉽게 이루어질 것이다. 그러므로, 더욱 넓은 실시 형태에서의 본 발명은 이 명세서에서 나타내고 설명한 특정한 세부 내용 및 대표적인 실시 형태에 한정되지 않는다. 따라서, 특허청구범위 및 그의 등가물에서 정의하는 총체적인 발명 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고서도 다양한 변형이 이루어질 수 있다.

Claims (7)

  1. 피사체의 화상을 입력하여 전기 신호로서 출력하는 화상 입력 장치로서,
    상기 피사체를 지지하는 스테이지와,
    이 스테이지의 위치 결정을 하는 구동부와,
    상기 스테이지의 위치를 측정하는 레이저 간섭계와,
    발광 간격을 결정하는 동기 신호에 동기하여 펄스광을 발하는 광원과,
    이 광원으로부터의 조명광을 상기 스테이지에 지지되는 피사체에 조사하는 조명 광학계와,
    결상된 광학상을 화상 전기 신호로 변환하는 센서와,
    상기 피사체의 확대 투영상을 상기 센서상에 결상하는 결상 광학계와,
    상기 레이저 간섭계의 위치 정보에 기초하여 상기 광원의 발광 간격과 상기 센서의 동기를 제어하는 동기 제어 회로와,
    상기 광원으로부터의 조명광의 광량을 측정하는 광량 모니터와,
    이 광량 모니터의 출력에 기초하여 상기 화상 전기 신호를 보정하는 광량 보정 회로
    를 포함하는 화상 입력 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 센서는 축적형 센서이며,
    상기 동기 제어 회로는, 상기 스테이지가 일정 거리 이동하는 시간 간격에 동기하여 펄스 광원의 발광 간격을 제어하는 펄스 광원 발광 간격 제어기와,
    상기 스테이지가 이동한 위치에 동기하여 상기 축적형 센서를 구동하는 스캔 펄스 발생기를 포함하는 것인 화상 입력 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 센서는 축적형 센서이며,
    상기 광량 보정 회로는 측정한 광량의 상기 축적형 센서 축적 시간 내의 적산 평균치를 구하여 상기 축적형 센서의 출력 신호 레벨을 보정하는 것인 화상 입력 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 센서는 축적형 센서이며,
    상기 동기 제어 회로는 상기 스테이지가 피사체 위에서 상기 축적형 센서의 축적 단수에 정수의 역수를 곱한 단수에 대응하는 거리를 이동한 시간 간격에 동기하여 펄스 광원을 발광시키는 것인 화상 입력 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광원은 레이저 광원 또는 레이저 광원에 의해 여기된 광원인 것인 화상 입력 장치.
  6. 피사체의 화상을 입력하여 전기 신호로서 출력하는 화상 입력 장치를 포함하는 검사 장치로서, 상기 화상 입력 장치는,
    피사체를 지지하는 스테이지와,
    이 스테이지의 위치 결정을 하는 구동부와,
    상기 스테이지의 위치를 측정하는 레이저 간섭계와,
    발광 간격을 결정하는 동기 신호에 동기하여 펄스광을 발하는 광원과,
    이 광원으로부터의 조명광을 상기 스테이지에 지지되는 피사체에 조사하는 조명 광학계와,
    결상된 광학상을 화상 전기 신호로 변환하는 센서와,
    상기 피사체의 확대 투영상을 상기 센서상에 결상하는 결상 광학계와,
    상기 레이저 간섭계의 위치 정보에 기초하여 상기 광원의 발광 간격과 상기 센서의 동기를 제어하는 동기 제어 회로와,
    상기 광원으로부터의 조명광의 광량을 측정하는 광량 모니터와,
    이 광량 모니터의 출력에 기초하여 상기 화상 전기 신호를 보정하는 광량 보정 회로와,
    보정된 상기 화상 전기 신호에 기초하여 피사체의 패턴 결함의 검출을 하는 결함 처리부
    를 포함하는 것인 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 피사체는 포토마스크 또는 반도체 웨이퍼인 것인 검사 장치.
KR1020050014215A 2004-02-24 2005-02-21 화상 입력 장치 및 검사 장치 KR20060043037A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004048117A JP2005241290A (ja) 2004-02-24 2004-02-24 画像入力装置及び検査装置
JPJP-P-2004-00048117 2004-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060043037A true KR20060043037A (ko) 2006-05-15

Family

ID=34908495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050014215A KR20060043037A (ko) 2004-02-24 2005-02-21 화상 입력 장치 및 검사 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20050196059A1 (ko)
JP (1) JP2005241290A (ko)
KR (1) KR20060043037A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180004007A (ko) * 2016-07-01 2018-01-10 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 포커싱 장치, 포커싱 방법 및 패턴 검사 방법

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7587080B1 (en) 2004-11-04 2009-09-08 Rockwell Automation Technologies, Inc. Image retention user interface
US7351980B2 (en) * 2005-03-31 2008-04-01 Kla-Tencor Technologies Corp. All-reflective optical systems for broadband wafer inspection
JP4361043B2 (ja) 2005-09-20 2009-11-11 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 パタン検査装置
JP4740705B2 (ja) * 2005-09-28 2011-08-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置
JP2007219130A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Renesas Technology Corp マスクブランクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにそれらを用いた半導体装置の製造方法
JP2009075068A (ja) * 2007-08-08 2009-04-09 Nuflare Technology Inc パターン検査装置及びパターン検査方法
DE102008031498B4 (de) * 2008-07-03 2012-03-08 Infineon Technologies Ag Taktbestimmung eines Sensors
JP4634427B2 (ja) * 2007-09-27 2011-02-16 株式会社東芝 照明装置及びパターン検査装置
JP4537467B2 (ja) * 2008-03-18 2010-09-01 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置及び試料検査方法
JP5022959B2 (ja) 2008-03-24 2012-09-12 株式会社日立製作所 反射屈折型対物レンズを用いた欠陥検査装置
JP5350121B2 (ja) * 2008-09-11 2013-11-27 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
US8593625B2 (en) * 2009-03-31 2013-11-26 Hitachi High-Technologies Corporation Examining apparatus and examining method
US8178860B2 (en) * 2009-08-20 2012-05-15 Kla-Tencor Corporation Image collection
JP5684628B2 (ja) * 2011-03-31 2015-03-18 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
US9279774B2 (en) * 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
US8947521B1 (en) * 2011-08-08 2015-02-03 Kla-Tencor Corporation Method for reducing aliasing in TDI based imaging
JP2013080810A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Lasertec Corp Ｅｕｖマスク検査装置及びｅｕｖマスク検査方法
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US9496425B2 (en) 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US8772731B2 (en) * 2012-04-15 2014-07-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for synchronizing sample stage motion with a time delay integration charge-couple device in a semiconductor inspection tool
US9426400B2 (en) 2012-12-10 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
DE102013204442A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Wellenleiter zur Führung von Beleuchtungslicht
JP6248460B2 (ja) * 2013-08-08 2017-12-20 株式会社島津製作所 励起光照射装置
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
US9410901B2 (en) 2014-03-17 2016-08-09 Kla-Tencor Corporation Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article
US9767986B2 (en) 2014-08-29 2017-09-19 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples
US9860466B2 (en) 2015-05-14 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems
US10462391B2 (en) 2015-08-14 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Dark-field inspection using a low-noise sensor
JP6502230B2 (ja) * 2015-10-05 2019-04-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP2017142245A (ja) * 2016-02-05 2017-08-17 株式会社ミツトヨ 画像測定機及びプログラム
US10313622B2 (en) 2016-04-06 2019-06-04 Kla-Tencor Corporation Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor
US10778925B2 (en) 2016-04-06 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology
JP6249513B1 (ja) 2017-03-27 2017-12-20 レーザーテック株式会社 補正方法、補正装置及び検査装置
JP6462843B1 (ja) 2017-12-28 2019-01-30 レーザーテック株式会社 検出方法、検査方法、検出装置及び検査装置
JP6371022B1 (ja) * 2018-02-08 2018-08-08 レーザーテック株式会社 照明方法、検査方法、照明装置及び検査装置
JP6440152B1 (ja) 2018-03-08 2018-12-19 レーザーテック株式会社 検査装置及び検査方法
CN108646526A (zh) * 2018-05-10 2018-10-12 山东临沂新华印刷物流集团有限责任公司 印刷制版方法、系统和装置
US11114489B2 (en) 2018-06-18 2021-09-07 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
CN109089013A (zh) * 2018-09-21 2018-12-25 中兴新通讯有限公司 一种多光源检测图像获取方法以及机器视觉检测系统
US11114491B2 (en) 2018-12-12 2021-09-07 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
US11293880B2 (en) * 2020-02-20 2022-04-05 Kla Corporation Method and apparatus for beam stabilization and reference correction for EUV inspection
US11848350B2 (en) 2020-04-08 2023-12-19 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer
WO2023219824A1 (en) * 2022-05-13 2023-11-16 Illumina, Inc. Apparatus and method of obtaining an image of a sample during non-uniform movements

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3858571B2 (ja) * 2000-07-27 2006-12-13 株式会社日立製作所 パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2003130808A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及びその装置
JP4041854B2 (ja) * 2002-04-05 2008-02-06 レーザーテック株式会社 撮像装置及びフォトマスクの欠陥検査装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180004007A (ko) * 2016-07-01 2018-01-10 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 포커싱 장치, 포커싱 방법 및 패턴 검사 방법
US10222341B2 (en) 2016-07-01 2019-03-05 Nuflare Technology, Inc. Focusing apparatus, focusing method, and pattern inspection method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005241290A (ja) 2005-09-08
US20050196059A1 (en) 2005-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20060043037A (ko) 화상 입력 장치 및 검사 장치
JP5849137B2 (ja) マイクロリソグラフィ用投影露光装置および方法
JP5330019B2 (ja) マスクパターンの検査方法およびマスクパターン検査装置
TWI592654B (zh) Inspection equipment and inspection methods
KR100751280B1 (ko) 검사 장치, 촬상 장치 및 검사 방법
US6975384B2 (en) Exposure apparatus and method
JP5399226B2 (ja) Ｅｕｖマスク検査
KR101882837B1 (ko) 패턴 검사 장치
EP3096346A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP3729156B2 (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
US6744512B2 (en) Position measuring apparatus and exposure apparatus
US8023759B2 (en) Focus monitoring method
JP2005337912A (ja) 位置計測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2009075068A (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
US20140022377A1 (en) Mark detection method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4324848B2 (ja) 走査露光特性の評価方法及び露光装置
JP2008021830A (ja) 計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP2007027219A (ja) 最適化方法及び表示方法
JP5370708B2 (ja) 工具物体、計測装置及び露光装置、並びに計測方法及び調整方法
JPH10281729A (ja) マーク位置検出装置および方法
JP3495868B2 (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US20240134286A1 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
US12032298B2 (en) Measurement tool and method for lithography masks
US20240231238A9 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
US20220011679A1 (en) Measurement tool and method for lithography masks

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application