JP5849137B2 - マイクロリソグラフィ用投影露光装置および方法 - Google Patents
マイクロリソグラフィ用投影露光装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5849137B2 JP5849137B2 JP2014189042A JP2014189042A JP5849137B2 JP 5849137 B2 JP5849137 B2 JP 5849137B2 JP 2014189042 A JP2014189042 A JP 2014189042A JP 2014189042 A JP2014189042 A JP 2014189042A JP 5849137 B2 JP5849137 B2 JP 5849137B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- detector
- measurement
- exposure apparatus
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Description
xW=β・xM+ΔxWおよび yW=β・yM+ΔyW(4)
を有し、この場合、βは投影光学系26の光学倍率である。ΔxWおよびΔyWは、スキャンプロセス中の目標位置からの基板保持手段36の位置のずれを記述しており、これをステージ位置決めエラーとも呼ぶ。これらのステージ位置決めエラーは、系統的なものであってもランダムなものであってもよい。系統的なステージ位置決めエラーは、基板30にプリントされた構造の歪みをもたらす。ランダムなステージ位置決めエラーは、プリントされた構造の不鮮明化、ひいては臨界寸法(CD)とも呼ばれるプリントされた構造の広幅化およびコントラストの低下をもたらす。
xI=β・xO+ΔxIおよび yI=β・yO+ΔyI(5)
で表され、この場合、ΔxIおよびΔyIは図14に示した目標位置からの像点の実際位置とのずれを記述している。換言すれば、ΔxIおよびΔyIは、物点および像点間の目標とする関係からのずれを記述している。これらのずれは、投影光学系26の像特性における不安定性により生じる。ΔxIおよびΔyIは、いわゆる「視線センサ」の形態の測定手段40によって測定された検出器52における目標位置からの測定構造48の像の側方位置のずれに対応する。
ΔyS=xI−xW=ΔxI−ΔxW および ΔyS=yI-yW=Δyi-ΔyW (6)
で表すような一因となり、
この場合、xM=xO および yM=yOが成り立つ。
12 マスクテーブル
14 マスク保持手段
16 基準フレーム
17 可動支承部
18 マスク
19 機械的に堅固な実量器
20 マスク構造
23 第1照射源
24 照明光学系
25 照明光線
25a 照明光線の伝搬ベクトル
26 投影光学系
27 光軸
28 反射性光学素子
30 基板
32 フォトレジスト
34 基板テーブル
36 基板保持手段
38 基準フレーム
40 測定手段
42 第2照明システム
44 第2照射源
46 照明光学系
47 測定照明光線
48 測定構造
50 測定構造の光路
51 検出面
52,52a,52b 検出器
53 x/y移動
56 像視野
58 演算ユニット
60 側方の像位置
62 位置信号生成ユニット
64 位置信号
66 光ファイバー
70 真空遮断器
71 光線偏向手段
72 ミラー
74 検出器格子
76a 空間分解式2次元センサ
76b 空間分解式2次元センサ
76c 空間分解式2次元センサ
78 プリズム
80 顕微鏡レンズ
82 偏向ミラー
84 測定格子の空中画像
86 モアレパターン
88 部分格子
89 分岐手段
90 連結/分離手段
92 測定ミラー
93 分岐していない部分光線
94 分岐した部分光線
95 反射された光線
95a 反射された光線の伝搬ベクトル
96 測定光線
98 量子コンバータ
99 CCDカメラ
100 結像に使用される領域
102 照射量測定に使用される領域
110 投影露光装置
149 ミラー
210 投影露光装置
249 ミラー
250a 測定構造の入射光路
249b 測定構造の射出光路
255 像平面
257 キャッツアイ反射器
274 検出器格子
410 投影露光装置
412 マスクのスキャン方向
414 基板のスキャン方向
416 基準素子
417 共通の基準構造
418 マスクステージセンサ
420 基板ステージセンサ
422,423 基準面
425 露光光線
426 ハウジング
440a 測定装置のマスク側部分
440b 測定装置の基板側部分
450,450a,450b 距離センサ
511 供給手段
512 光ファイバー
513 連結素子
514 偏向プリズム
518 マスクステージセンサ
520 基板ステージセンサ
612 保持フレーム
614 ばね素子
616 対向質量体
618 位置決め手段
712 ベース部
714 調整部
716 旋回部
810 投影露光装置
822 パルス照射源
824 照明光学系
825 トリガ手段
826 トリガパルス
828 許容差
Claims (5)
- マイクロリソグラフィ用投影露光装置であって、
マスク構造を配置した反射マスクを保持するためのマスク保持手段と、
基板に前記マスク構造を結像するための投影光学系と、
前記反射マスクにおける照明光線の反射によって生成され、投影光学系に向けられた反射光線の伝搬方向が照明光線の反対の伝搬方向に対して傾斜して前記反射マスクに斜めに入射する照明光線を生成するように構成された光線源と、
前記照明光線から測定光線を分岐させるための分岐手段とを備え、
該分岐手段が、連結/分離手段と、測定構造を有する測定ミラーとを備え、
前記連結/分離手段および前記測定ミラーが、前記投影露光装置の作動時に前記照明光線の部分光線が連結/分離手段によって測定ミラーの測定構造に向けられるように、前記照明光線の光路に配置されており、そこから前記連結/分離手段に反射して戻され、前記反射マスクによって反射された光線の光路に測定光線として連結されることを特徴とするマイクロリソグラフィ用投影露光装置。 - 請求項1に記載の投影露光装置において、
前記投影露光装置が、前記投影光学系の結像特性を監視するための測定手段を有し、該測定手段が、分岐手段と、検出器であって、前記投影光学系を通過した後に前記測定光線によって前記検出器に生成された前記測定構造の像を検出するための検出器と、該検出器によって検出された前記測定構造の像から前記投影光学系の結像特性を検出するように構成された評価手段とを備えている投影露光装置。 - 請求項2に記載の投影露光装置において、
前記測定構造および前記検出器が、前記投影露光装置の作動時に前記基板への前記マスク構造の結像および前記検出器への前記測定構造の結像がそれぞれ投影光学系によって同時に行われるように配置されている投影露光装置。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の投影露光装置において、
前記連結/分離手段が、該連結/分離手段によって前記測定構造に向けられた前記部分光線が、前記照明光線の伝搬ベクトルと傾斜した反射光線の伝搬ベクトルとによってなる平面に対して傾斜されているように配置されており、測定ミラーが、前記反射マスクによって反射された光線の光路の外部に配置されている投影露光装置。 - 基板で生成された像の特性を決定する方法において、
マスク構造を配置した反射マスクを保持するステップと、
光線源によって照明光線を生成し、前記反射マスクに前記照明光線を斜めに照射し、これにより、前記反射マスクにおける前記照明光線の反射により、前記照明光線の反対の伝搬方向に対して傾斜した反射光線を生成するステップと、
連結/分離手段ならびに測定ミラーを前記照明光線の光路に配置することにより前記照明光線から測定光線を分岐させ、これにより、前記照明光線の部分光線を前記連結/分離手段によって反射して戻し、前記連結/分離手段によって、前記反射マスクによって反射された光線の光路に前記測定光線として連結するステップとを含む方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1131308P | 2008-01-16 | 2008-01-16 | |
DE102008004762A DE102008004762A1 (de) | 2008-01-16 | 2008-01-16 | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung |
DE102008004762.7 | 2008-01-16 | ||
US61/011,313 | 2008-01-16 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010542560A Division JP5619624B2 (ja) | 2008-01-16 | 2009-01-02 | 測定手段を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015029121A JP2015029121A (ja) | 2015-02-12 |
JP5849137B2 true JP5849137B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=40794206
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010542560A Active JP5619624B2 (ja) | 2008-01-16 | 2009-01-02 | 測定手段を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
JP2014189042A Active JP5849137B2 (ja) | 2008-01-16 | 2014-09-17 | マイクロリソグラフィ用投影露光装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010542560A Active JP5619624B2 (ja) | 2008-01-16 | 2009-01-02 | 測定手段を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9001304B2 (ja) |
JP (2) | JP5619624B2 (ja) |
KR (1) | KR101625695B1 (ja) |
CN (1) | CN101978323B (ja) |
DE (1) | DE102008004762A1 (ja) |
TW (1) | TWI451204B (ja) |
WO (1) | WO2009089999A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008029970A1 (de) | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zum Überwachen einer lateralen Abbildungsstabilität |
EP2228685B1 (en) * | 2009-03-13 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Level sensor arrangement for lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8675210B2 (en) | 2009-03-13 | 2014-03-18 | Asml Netherlands B.V. | Level sensor, lithographic apparatus, and substrate surface positioning method |
NL2006130A (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN102870030B (zh) * | 2010-04-22 | 2015-04-08 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统和具有这种成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备 |
DE102010026169B4 (de) * | 2010-07-06 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem |
DE102010038697B4 (de) | 2010-07-30 | 2012-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung einer Optik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
RU2612361C2 (ru) * | 2011-03-30 | 2017-03-07 | МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. | Система литографии с модулем дифференциального интерферометра |
DE102011006468B4 (de) * | 2011-03-31 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vermessung eines abbildenden optischen Systems durch Überlagerung von Mustern |
TW201248336A (en) | 2011-04-22 | 2012-12-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
EP2699967B1 (en) | 2011-04-22 | 2023-09-13 | ASML Netherlands B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
US9383662B2 (en) * | 2011-05-13 | 2016-07-05 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
DE102011077223B4 (de) | 2011-06-08 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messsystem |
CN103748669B (zh) * | 2011-08-16 | 2016-08-24 | 应用材料公司 | 用于在腔室内感测基板的方法及设备 |
NL2009372A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Methods to control euv exposure dose and euv lithographic methods and apparatus using such methods. |
DE102012205096B3 (de) | 2012-03-29 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Manipulator |
US20130271827A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Kla-Tencor Corporation | Indexing optics for an actinic extreme ultra-violet (euv) reticle inspection tool |
CN103376288A (zh) * | 2012-04-16 | 2013-10-30 | 中国科学院化学研究所 | 极紫外光刻胶曝光检测装置与方法 |
DE102012207865B3 (de) * | 2012-05-11 | 2013-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe für die EUV-Lithographie |
CN109976103A (zh) * | 2012-11-20 | 2019-07-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置、移动体装置以及器件制造方法 |
DE102013218991A1 (de) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zum Bestimmen einer optischen Eigenschaft eines optischen Abbildungssystems |
JP5932859B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 検出装置、インプリント装置、および物品の製造方法 |
DE102014226269A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Wellenfrontmesseinrichtung, Projektionsobjektiv mit einer solchen Messeinrichtung und mit einer solchen Messeinrichtung zusammenwirkender optischer Wellenfrontmanipulator |
JP6521637B2 (ja) * | 2015-01-09 | 2019-05-29 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
JP6661270B2 (ja) | 2015-01-16 | 2020-03-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光システム、および物品の製造方法 |
DE102015209259A1 (de) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Positonssensorvorrichtung und verfahren zum ermitteln einer position zumindest eines spiegels einer lithographieanlage |
KR101693498B1 (ko) * | 2015-06-17 | 2017-01-17 | 주식회사 옵티레이 | 노광 장치에서의 카메라 조명 및 제어 방법 |
DE102015211286A1 (de) | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildungssystem und verfahren |
WO2017063789A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Topography measurement system |
DE102016212477A1 (de) * | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems |
DE102016215543A1 (de) | 2016-08-18 | 2018-02-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Messvorrichtung zur Überwachung einer lateralen Abbildungsstabilität |
DE102017200428B3 (de) | 2017-01-12 | 2018-06-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers |
JP6803483B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2020-12-23 | ズース マイクロテック フォトニック システムズ インコーポレイテッド | 光学系における倍率補正及び/又はビームステアリング |
US11175487B2 (en) | 2017-06-19 | 2021-11-16 | Suss Microtec Photonic Systems Inc. | Optical distortion reduction in projection systems |
US10351294B2 (en) * | 2017-07-21 | 2019-07-16 | Sonoco Development, Inc. | Tamper evident hybrid resealable container |
JP2019028331A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
JP6876218B2 (ja) * | 2017-09-05 | 2021-05-26 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
DE102017217251A1 (de) | 2017-09-27 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems |
DE102018208644A1 (de) * | 2018-05-30 | 2019-06-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit einer Messvorrichtung zur Überwachung einer lateralen Abbildungsstabilität |
KR20210092130A (ko) * | 2020-01-15 | 2021-07-23 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 및 물품의 제조 방법 |
US11226194B1 (en) | 2020-06-25 | 2022-01-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for measuring distance between fiducial features, such as magnetic transducers, to an accuracy of within one nanometer |
Family Cites Families (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07107892B2 (ja) | 1986-03-31 | 1995-11-15 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム描画装置 |
US4697087A (en) | 1986-07-31 | 1987-09-29 | The Perkin-Elmer Corporation | Reverse dark field alignment system for scanning lithographic aligner |
AT393925B (de) | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
US4855792A (en) | 1988-05-13 | 1989-08-08 | Mrs Technology, Inc. | Optical alignment system for use in photolithography and having reduced reflectance errors |
US4985634A (en) | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
JP2890882B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1999-05-17 | キヤノン株式会社 | 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH0547631A (ja) * | 1991-08-08 | 1993-02-26 | Hitachi Ltd | 半導体露光方法およびその装置 |
JP3301153B2 (ja) * | 1993-04-06 | 2002-07-15 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法 |
JPH06310400A (ja) | 1993-04-12 | 1994-11-04 | Svg Lithography Syst Inc | 軸上マスクとウェーハ直線配列システム |
US6753948B2 (en) * | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
KR950033689A (ko) | 1994-03-02 | 1995-12-26 | 오노 시게오 | 노광장치 및 이를 이용한 회로패턴 형성방법 |
JP3448673B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
KR970002483A (ko) * | 1995-06-01 | 1997-01-24 | 오노 시게오 | 노광 장치 |
JP3551570B2 (ja) * | 1995-08-09 | 2004-08-11 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び露光方法 |
US5841520A (en) | 1995-08-09 | 1998-11-24 | Nikon Corporatioin | Exposure apparatus and method that use mark patterns to determine image formation characteristics of the apparatus prior to exposure |
JP2787303B2 (ja) * | 1996-11-05 | 1998-08-13 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置、露光装置及び露光方法 |
TW357396B (en) * | 1997-01-17 | 1999-05-01 | Nicon Corp | Exposure device |
JP3532742B2 (ja) | 1997-08-29 | 2004-05-31 | 株式会社東芝 | X線リソグラフィ装置およびx線露光方法 |
JP3466893B2 (ja) * | 1997-11-10 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置 |
AU2549899A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
JPH11251226A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Nikon Corp | X線投影露光装置 |
EP0955565A3 (en) | 1998-05-08 | 2001-05-30 | Nikon Corporation | Mirror for soft x-ray exposure apparatus |
US6100978A (en) * | 1998-10-21 | 2000-08-08 | Naulleau; Patrick P. | Dual-domain point diffraction interferometer |
US6529262B1 (en) | 1999-04-14 | 2003-03-04 | Ball Semiconductor, Inc. | System and method for performing lithography on a substrate |
TW556296B (en) | 2000-12-27 | 2003-10-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of measuring alignment of a substrate with respect to a reference alignment mark |
DE10120446C2 (de) | 2001-04-26 | 2003-04-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie |
DE10154125A1 (de) * | 2001-10-25 | 2003-05-22 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Messverfahren und Messsystem zur Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildunsgssystems |
JP4006217B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP1321822A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6906785B2 (en) | 2002-04-23 | 2005-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US20030234993A1 (en) | 2002-06-21 | 2003-12-25 | Hazelton Andrew J. | Adaptive optic off-axis metrology |
US6880942B2 (en) | 2002-06-20 | 2005-04-19 | Nikon Corporation | Adaptive optic with discrete actuators for continuous deformation of a deformable mirror system |
US7079249B2 (en) * | 2002-06-21 | 2006-07-18 | Therma-Wave, Inc. | Modulated reflectance measurement system with fiber laser technology |
EP1383007A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and device manufacturing method |
JP4005881B2 (ja) | 2002-08-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法 |
US7239370B2 (en) | 2002-12-23 | 2007-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004266264A (ja) | 2003-02-13 | 2004-09-24 | Canon Inc | 光学系、露光装置、デバイス製造方法 |
JP4532927B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7154582B2 (en) | 2003-02-14 | 2006-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4143438B2 (ja) | 2003-02-24 | 2008-09-03 | キヤノン株式会社 | 支持装置、露光装置、デバイス製造方法 |
US7221463B2 (en) | 2003-03-14 | 2007-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus, and method for producing device |
JP2004281654A (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 駆動機構及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法 |
EP1496398A1 (de) | 2003-07-05 | 2005-01-12 | Carl Zeiss SMT AG | Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung, optisches Abbildungssystem und Kalibrierverfahren |
JP2005032889A (ja) | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Nikon Corp | Euv露光方法及びeuv露光装置 |
US7108946B1 (en) | 2004-01-12 | 2006-09-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of lithographic image alignment for use with a dual mask exposure technique |
JP2005203567A (ja) | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Canon Inc | 駆動装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7423765B2 (en) | 2004-07-31 | 2008-09-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US7307262B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101346957B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2014-01-02 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학 결상 장치 |
JP2007005507A (ja) | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Canon Inc | 露光装置 |
DE102005062618B4 (de) | 2005-12-23 | 2008-05-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren mit Bestimmung von Abbildungsfehlern |
US20080137055A1 (en) | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2008
- 2008-01-16 DE DE102008004762A patent/DE102008004762A1/de not_active Ceased
-
2009
- 2009-01-02 KR KR1020107018019A patent/KR101625695B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-02 JP JP2010542560A patent/JP5619624B2/ja active Active
- 2009-01-02 WO PCT/EP2009/000006 patent/WO2009089999A1/en active Application Filing
- 2009-01-02 CN CN200980109261.4A patent/CN101978323B/zh active Active
- 2009-01-16 TW TW098101510A patent/TWI451204B/zh active
-
2010
- 2010-07-16 US US12/838,393 patent/US9001304B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-17 JP JP2014189042A patent/JP5849137B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-06 US US14/679,221 patent/US9696639B2/en active Active
-
2017
- 2017-06-30 US US15/639,722 patent/US10042271B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-03 US US16/054,411 patent/US20190129318A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150212431A1 (en) | 2015-07-30 |
JP5619624B2 (ja) | 2014-11-05 |
CN101978323B (zh) | 2014-07-09 |
WO2009089999A1 (en) | 2009-07-23 |
US20180024445A1 (en) | 2018-01-25 |
KR101625695B1 (ko) | 2016-05-30 |
US9696639B2 (en) | 2017-07-04 |
US20110013171A1 (en) | 2011-01-20 |
CN101978323A (zh) | 2011-02-16 |
DE102008004762A1 (de) | 2009-07-30 |
JP2011510494A (ja) | 2011-03-31 |
KR20100110364A (ko) | 2010-10-12 |
US20190129318A1 (en) | 2019-05-02 |
JP2015029121A (ja) | 2015-02-12 |
US10042271B2 (en) | 2018-08-07 |
TW200937140A (en) | 2009-09-01 |
US9001304B2 (en) | 2015-04-07 |
TWI451204B (zh) | 2014-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5849137B2 (ja) | マイクロリソグラフィ用投影露光装置および方法 | |
US7599071B2 (en) | Determining positional error of an optical component using structured light patterns | |
KR100911223B1 (ko) | 측정장치, 노광장치 및 방법, 그리고 디바이스의 제조방법 | |
US8593615B2 (en) | Height measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method | |
KR20060043037A (ko) | 화상 입력 장치 및 검사 장치 | |
US20110058151A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
US8416423B2 (en) | Interferometric apparatus for detecting 3D position of a diffracting object | |
US10520839B2 (en) | Control method of movable body, exposure method, device manufacturing method, movable body apparatus, and exposure apparatus | |
JP2013541210A (ja) | マイクロリソグラフィのための投影露光ツール及びマイクロリソグラフィ結像の方法 | |
KR20090084754A (ko) | 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 | |
US8077391B2 (en) | Wavefront aberration measuring method, mask, wavefront aberration measuring device, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US5838450A (en) | Direct reticle to wafer alignment using fluorescence for integrated circuit lithography | |
US5978069A (en) | Exposure apparatus and methods | |
US20230152083A1 (en) | Measuring device, exposure device, and measurement method | |
JP4099122B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイスの製造方法 | |
JP5481475B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための投影露光システムおよび側方結像安定性監視方法 | |
US8223313B2 (en) | Light intensity distribution measurement apparatus and measurement method, and exposure apparatus | |
JP3203676B2 (ja) | 投影露光装置 | |
KR20090103845A (ko) | 위치 검출 장치, 위치 검출 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
WO2012041458A2 (en) | Projection exposure tool for microlithography and method for microlithographic exposure | |
JP2021110905A (ja) | 露光装置、および物品の製造方法 | |
US20050286050A1 (en) | Real-time through lens image measurement system and method | |
JPH10208990A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151015 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5849137 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |