KR20060042991A - 레이저 다이싱용 점착 시이트 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

레이저광의 광흡수 삭마(abrasion)에 의해 피가공물의 내부에 개질 영역을 설치하여 개편화(個片化)할 때, 확실하면서도 생산 효율이 양호하게 피가공물을 소자 소편으로 개편화할 수 있는 레이저 다이싱용 점착 시이트 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 레이저 다이싱용 점착 시이트를 이용하여 확실하면서도 생산 효율이 양호하게 소자 소편을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
레이저광의 광흡수 삭마에 의해 피가공물의 내부에 개질 영역을 설치하여 개편화할 때 사용되는 레이저 다이싱용 점착 시이트에 있어서, 상기 점착 시이트는 기재의 한 면에 적어도 점착제층을 갖는 것으로, 적어도 점착제층과 접촉하지 않는 기재 표면에, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부가 없는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트.

Description

레이저 다이싱용 점착 시이트 및 그 제조 방법{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET FOR LASER DICING AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
도 1은 본 발명의 레이저 다이싱용 점착 시이트의 단면을 나타내는 개략도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법의 예를 나타내는 개략도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 기재 2 점착제층
3 세퍼레이터 4 레이저 다이싱용 점착 시이트
5 반도체 웨이퍼 6 흡착 스테이지
7 레이저 광 8 보호 시이트
9 다이싱 프레임
본 발명은, 레이저광의 광흡수 삭마(abrasion)에 의해 피가공물의 내부에 개 질 영역을 설치하여 개편화(個片化, 개별 조각화)할 때, 상기 피가공물을 지지 고정하기 위해서 사용되는 레이저 다이싱용 점착 시이트에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판 및 반도체 레이저 등의 발광 또는 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지 등의 각종 피가공물을 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 개편화하는 소자 소편의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 관련 제품의 제조 공정에서는 기판에 다양한 회로 형성 및 표면 처리를 실시한 후, 상기 반도체 기판 등을 절단 분리(다이싱)하여 소자 소편(예컨대, 반도체 소자 등)을 제조하고 있다. 구체적으로는, 기판에 점착 시이트를 부착하고, 블레이드를 이용하여 기판을 다이싱한 후, 점착 테이프를 팽창시킴으로써 소자 소편으로 분리하고 있다.
최근, 열손상이 적고, 고세밀 가공이 가능한 레이저광의 광흡수 삭마에 의한 반도체 기판 등의 다이싱 방법은, 정밀한 절단 방법으로서 주목받고 있다.
상기 기술로서는, 예컨대, 피가공물을 다이싱 시이트에 지지 고정하고, 레이저 빔에 의해 피가공물을 다이싱하는 방법이 제안되어 있다(일본 특허 공개 제 2002-343747호 공보). 그리고 상기 다이싱 시이트로서는, 지지 시이트를 포함하는 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 표면에 배치되는 점착제층으로 이루어지고, 상기 점착제층은 레이저 빔에 의해 절단할 수 있고, 상기 지지 시이트는 레이저 빔에 의해 절단할 수 없는 것이 개시되어 있다.
또한, 워터 마이크로 제트과 레이저를 조합시켜 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 방법도 제안되어 있다(일본 특허 공개 제 2003-34780호 공보). 그리고 기재의 한 면상에, 비방사선 경화형 점착제층 및 방사선 경화형 점착제층을 구비하여 이루어지고, 기재가 워터 제트의 제트 수류를 투과할 수 있는 것이고, 또한, 비방사선 경화형 점착제층이 기재와 방사선 경화형 점착제층 사이에 구비되어 있는 레이저 다이싱용 점착 테이프가 개시되어 있다.
또한, 표면에 점착성을 갖는 시이트상에 가공 대상물을 고정하는 공정과, 상기 가공 대상물의 내부에 집광점을 합쳐 레이저광을 조사하고, 상기 가공 대상물의 절단 예정 라인을 따라 상기 가공 대상물의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정을 구비하는 레이저 가공 방법이 제안되어 있다(일본 특허 공개 제 2003-33887호 공보).
그런데 레이저광을 조사할 때에는, 피가공물(가공 대상물)의 내부에 균일한 높이로 개질 영역을 형성하기 위해서, 그 부분에 레이저광을 고정밀도로 집광시킬 필요가 있다. 일반적인 블레이드를 이용한 다이싱에 있어서는, 수 μm 정도의 피가공물 두께의 편차는 큰 문제가 되지 않지만, 레이저 다이싱의 경우에는, 수 μm 정도의 피가공물 두께의 편차에 의해 레이저광의 집광 영역이 벗어나게 되어, 개질 영역의 높이가 균일해지지 않고, 이 개질 영역의 높이의 편차에 의해서 피가공물을 칩으로 개편화하기 어려워진다는 문제가 있었다.
레이저 다이싱 장치에는 높이 조정 기구가 부착되어 있고, 그와 같은 장치를 사용한 경우에는 상기와 같은 문제는 그다지 발생되지 않지만, 높이의 미세 조정에 시간이 걸리기 때문에, 생산 효율이 매우 나빠, 현실적으로 사용할 수 없다는 문제 가 있다. 또한, 큰 굴곡을 갖는 피가공물에 대해서는, 상기 레이저 다이싱 장치에 의해 어느 정도 대응할 수 있지만, 잔 요철을 갖는 피가공물에 대해서는 상기 레이저 다이싱 장치로는 대응할 수 없다.
또한, 팽창에 의해서 칩으로 분리할 때에, 사용되는 점착 시이트에 따라서는 시이트의 주변부만이 신장하여 중심부의 시이트가 충분히 신장되지 않기 때문에 중앙부의 칩이 개편화되지 않는다는 문제가 있었다.
본 발명은, 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 피가공물의 내부에 개질 영역을 설치하여 개편화할 때, 확실하면서도 생산 효율이 양호하게 피가공물을 소자 소편으로 개편화할 수 있는 레이저 다이싱용 점착 시이트 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 상기 레이저 다이싱용 점착 시이트를 이용하여 확실하면서도 생산 효율이 양호하게 소자 소편을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 하기 레이저 다이싱용 점착 시이트(이하, 점착 시이트라고도 한다)에 의해 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하고 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.
즉, 본 발명은, 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 피가공물의 내부에 개질 영 역을 설치하여 개편화할 때 사용되는 레이저 다이싱용 점착 시이트에 있어서, 상기 점착 시이트가 기재의 한 면에 적어도 점착제층을 갖는 것으로, 적어도 점착제층과 접촉하지 않는 기재 표면에, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부가 없는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트에 관한 것이다.
상기 점착 시이트는, 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 피가공물을 레이저 가공하기 전에 피가공물의 흡착 스테이지면측(레이저 광 출사면측) 또는 레이저 광 입사면측에 적층되어, 다이싱시 및 그 후의 각 공정에서 피가공물(소자 소편)을 지지 고정하기 위해서 사용되는 것이다.
본 발명자는 피가공물을 제대로 개편화할 수 없는 원인이 피가공물을 지지 고정하기 위해 사용되는 점착 시이트에 있다고 생각했다. 그리고 본 발명자는 점착 시이트의 기재 표면에 폭(W) 20mm 이내이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 또는 폭(W) 20mm 이내이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부가 있는 경우에는, 상기 점착 시이트를 피가공물에 부착했을 때, 그 요철부의 영향에 의해 피가공물의 평탄성이 손상되거나, 레이저광의 집광 영역을 벗어나기 때문에, 피가공물 내부에 형성된 개질 영역의 높이가 불균일해지고, 그 결과, 피가공물을 소편으로 제대로 개편화할 수 없게 된다는 것을 발견했다.
이들 요철부는 점착 시이트를 제조할 때 발생한다고 생각된다. 예컨대, 점착제의 특성을 안정화시키기 위해서 실시되는 가열 처리 공정에서, 기재가 부분적으로 수축함으로써 요철부가 발생한다고 생각된다. 또한, 롤 형상으로 만든 적층 시이트(점착 시이트)를 가열 처리하거나, 롤 형상으로 점착 시이트를 저장하는 경우, 점착제층과 접촉하지 않는 기재 표면이, 점착제층 표면을 보호하는 평활한 세퍼레이터에 밀착하여, 세퍼레이터에 압력이 가해짐에 따라 기재가 변형되어 요철부가 발생된다고 생각된다.
도 1은 본 발명의 점착 시이트의 단면을 나타내는 개략도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 볼록부의 폭(W)이란, 볼록부의 개시점과 종점과의 최대 간격(mm)을 말하는 것이고, 상기 오목부의 폭(W)이란, 오목부의 시점과 종점과의 최대 간격(mm)을 말한다. 또한 상기 볼록부의 높이(h)란 기재 표면에서의 볼록부의 최대 높이(μm)를 말하는 것이고, 상기 오목부의 깊이(d)란 기재 표면에서의 오목부의 최대 깊이(μm)를 말한다.
본 발명의 점착 시이트는 기재 표면에 폭(W) 20mm 이하의 상기 요철부가 없어야 한다. 폭(W) 20mm를 초과하는 오목부 또는 볼록부가 기재 표면에 있어도, 높이 조정 기구가 부착된 레이저 다이싱 장치를 사용함으로써 피가공물의 높이 변화에 충분히 대응할 수 있기 때문에 특별히 문제가 되지는 않는다.
본 발명의 점착 시이트는 점착제층을 형성하는 점착제가 방사선 경화형 점착제인 것이 바람직하다. 방사선 경화형의 점착제를 이용한 경우에는, 방사선(예컨대, 자외선) 조사에 의해서 점착제층의 접착력이 저하되기 때문에 개질 영역을 형성한 후에 점착제층에 방사선을 조사함으로써 점착 시이트의 박리를 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 점착 시이트는 기재가 네킹(necking)성을 갖지 않는 것이 바람직하다. 네킹성이란, 인장 시험에서 파단될 때까지 응력에 따라 신장하는 성질을 말한다. 팽창에 의한 칩으로의 개편화에 있어서는, 네킹성을 갖는 기재에서는 응력이 걸리는 부분만이 신장하여, 기재 전체에 응력이 충분히 전해지지 않기 때문에 중앙부의 칩이 개편화되지 않는다고 생각되기 때문이다. 네킹성을 갖지 않는 재료로서, 특히 폴리염화바이닐을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 점착 시이트는 상기 점착제층 상에 세퍼레이터가 구비되어 있는 것이 바람직하다. 세퍼레이터를 구비함으로써 적층 시이트(점착 시이트)를 롤 형상으로 만들어 가열 처리하거나 보관할 수 있다. 또한, 점착 시이트를 사용하기 전까지의 시간 동안, 점착제층의 표면을 먼지 등으로부터 보호할 수 있다.
본 발명은, 기재의 한 면에 적어도 점착제층을 설치한 적층 시이트에 가열 처리를 실시하지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트의 제조 방법에 관한 것이다. 적층 시이트에 가열 처리를 실시하지 않음으로써, 열에 의한 기재의 부분적인 변형을 방지할 수 있고, 그 결과, 기재 표면에 상기 요철부가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은 기재의 한 면에 점착제층을 설치하는 공정, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터를 설치하여 적층 시이트를 제작하는 공정, 상기 적층 시이트를 롤 형상으로 권취하여 롤 형상 적층 시이트를 제작하는 공정, 상기 롤 형상 적층 시이트에 가열 처리를 실시하는 공정을 포함하는 레이저 다이싱용 점착 시이트의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 기재의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.4μm 이상인 것이 바람직하다. 상기 적층 시이트를 롤 형상으로 권취하면, 기재의 표면과 세퍼레이터의 표면이 접하게 되지만, 기재의 표면이 지나치게 평활하면(Ra가 0.4μm 미만인 경우), 세퍼레이터 표면에 밀착하여 기재가 미끄럼 운동하기 어렵게 된다. 이러한 상태로 롤 형상 적층 시이트에 가열 처리를 실시하면 기재의 수축 뿐만 아니라 세퍼레이터에 압력이 가해짐으로써 기재 표면에 상기 요철부가 국소적으로 다량 발생하는 경향이 있다. 또한, 기재의 표면이 지나치게 평활하면, 기재와 흡착 스테이지와의 마찰력이 커지기 때문에 균일하게 팽창시킬 수 없어지고, 그 결과 피가공물을 확실하면서도 용이하게 소자 소편으로 개편화할 수 없게 되는 경향이 있다.
또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면은, 이지(梨地) 또는 요철 구조로 되어 있는 것이 바람직하다. 적층 시이트를 롤 형상으로 했을 때, 기재와 접촉하는 세퍼레이터의 표면을 이지 또는 요철 구조로 함으로써, 기재 표면과의 밀착성을 완화하여, 기재의 미끄럼 운동성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 가열 처리에 의해 기재가 수축된 경우에도, 기재와 세퍼레이터와의 미끄럼 운동성이 양호하기 때문에, 국소적인 변형이 억제되어, 기재 표면에 상기 요철부가 국소적으로 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, 피가공물의 한 면에 상기 레이저 다이싱용 점착 시이트의 점착제층을 첩부(貼付)하는 공정, 레이저광을 조사하여 피가공물의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정, 레이저 다이싱용 점착 시이트를 팽창시킴으로써 피가공물을 개편화하는 공정, 개편화한 피가공물로부터 레이저 다이싱용 점착 시이트를 박리하는 공 정을 포함하는 소자 소편의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에서 사용되는 레이저로서는, 다광자 흡수에 의해 피가공물의 내부에 개질 영역을 형성할 수 있는 레이저이면 특별히 제한되지 않고, 예컨대, 발신 파장 1064nm의 YAG 레이저, YVO4 레이저, YLF 레이저, 및 티탄 사파이어 레이저 등을 들 수 있다. 사용하는 레이저는 피가공물의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예컨대, 실리콘 웨이퍼의 경우에는 YAG 레이저를 사용하는 것이 바람직하다.
피가공물로서는, 상기 레이저에 의해 출력된 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 내부에 개질 영역을 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 시이트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저 등의 발광 또는 수광 소자 기판, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기판, 및 반도체 패키지 등을 들 수 있다.
본 발명의 레이저 다이싱용 점착 시이트는, 특히 반도체 웨이퍼의 레이저 다이싱에 바람직하게 이용할 수 있다.
상기 시이트 재료로서는, 예컨대, 폴리이미드계 수지, 폴리에스터계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 폴리스타이렌계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리아마이드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지 등으로 이루어지는 고분자 필름이나 부직포, 그들의 수지에 연신 가공, 함침 가공 등에 의해 물리적 또는 광학적인 기능을 부여한 시이트, 구리, 알루미늄, 스테인레스 등의 금속 시이트, 또는 상기 고분자 필름 및/또는 금속 시이트를 직접 또는 점착제 등을 통해서 적층한 것 등을 들 수 있다.
상기 회로 기판으로서는, 한 면, 양면 또는 다층 연성(flexible) 프린트 기판, 유리 에폭시, 세라믹, 또는 금속 코어 기판 등으로 이루어지는 경성(rigid) 기판, 유리 또는 폴리머상에 형성된 광회로 또는 광-전기 혼성 회로 기판 등을 들 수 있다.
본 발명의 점착 시이트(4)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 기재(1)의 한 면에 적어도 점착제층(2)을 갖는 것이다. 적층 시이트를 감아서 롤 형상으로 만들기 위해서, 점착제층(2) 상에는 세퍼레이터(3)가 구비될 수 있다.
기재의 형성 재료로서는, 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, (메트)아크릴계 폴리머, 폴리우레탄계 수지, 폴리노보넨계 수지, 폴리에틸렌글라이콜, 폴리테트라메틸렌글라이콜 등의 폴리알킬렌글라이콜계 수지, 실리콘계 고무, 및 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부타다이엔, 폴리바이닐알코올, 에틸렌-아세트산바이닐 공중합체(EVA), 폴리메틸펜텐, 폴리염화바이닐 등의 폴리올레핀계 수지 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
이들 중, 네킹성을 갖지 않는 폴리머를 이용하는 것이 바람직하고, 그들 폴리머로서는, 예컨대, 폴리부타다이엔, EVA, 및 폴리염화바이닐 등의 고무탄성을 갖는 폴리머, α-올레핀계 폴리머를 들 수 있다. 특히 기재가 연질 염화 바이닐에 의해서 형성되어 있는 것이 바람직하다.
기재는 단층일 수도 있고 복층일 수도 있다.
기재의 두께는, 피가공물로의 접합, 피가공물의 레이저 다이싱, 및 소자 소편의 박리나 회수 등의 각 공정에서의 조작성 및 작업성을 손상하지 않는 범위에서 적절히 조정할 수 있지만, 보통 50 내지 300μm 정도이고, 바람직하게는 50 내지 150μm이다. 기재의 한 면은, 점착제층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서 관용적인 표면 처리, 예컨대, 크롬산 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고압 전격 노출, 및 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 또는 하도제(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리가 실시될 수 있다. 또한, 기재의 타면측 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.4μm 이상인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.5μm 이상이다. 단, 상기 요철부의 형성을 방지하기 위해서 산술 평균 높이(Ra)는 1μm 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.9μm 이하이다.
점착제층의 형성 재료로서는, (메트)아크릴계 폴리머 또는 고무계 폴리머 등을 포함하는 공지된 점착제를 이용할 수 있다.
(메트)아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 성분으로서는, 예컨대, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 아이소부틸기, 아밀기, 아이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 및 도데실기 등의 탄소수 30 이하, 바람직하게는 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 1종 단독으로 이용할 수 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
상기 이외의 모노머 성분으로서는, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸(메트)아크릴레이트, 카복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 퓨마르산, 및 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머, 무수말레산 및 무수이타콘산 등의 산무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메타)아크릴산 4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴, 및 (4-하이드록시메틸사이클로헥실) 메틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아미드프로페인설폰산, 설포프로필 (메타)아크릴레이트, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머, 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 모노머 성분은 1종 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, (메트)아크릴계 폴리머의 가교 처리 등을 목적으로 다작용 모노머 등도 필요에 따라 공중합 모노머 성분으로서 이용할 수 있다.
다작용 모노머로서는, 예컨대, 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글라이콜 다이(메트))아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜 타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스터 (메트)아크릴레이트, 및 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용 모노머는 1종 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
다작용 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 관점에서 전체 모노머 성분의 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 15중량% 이하이다.
(메트)아크릴계 폴리머의 조제는, 예컨대 1종 또는 2종 이상의 모노머 성분을 포함하는 혼합물에 용액 중합 방식, 유화 중합 방식, 괴상 중합 방식, 또는 현탁 중합 방식 등의 적당한 방식을 적용하여 실시할 수 있다.
중합 개시제로서는, 과산화수소, 과산화벤조일, t-부틸퍼옥사이드 등의 과산화물계를 들 수 있다. 단독으로 이용하는 것이 바람직하지만, 환원제와 조합하여 레독스계 중합 개시제로서 사용할 수 있다. 환원제로서는, 예컨대, 아황산염, 아황산수소염, 철, 구리, 코발트염 등의 이온화 염, 트라이에탄올아민 등의 아민류, 알도즈, 케토즈 등의 환원당 등을 들 수 있다. 또한, 아조 화합물도 바람직한 중합 개시제이며, 2,2'-아조비스-2-메틸프로피오아미딘산염, 2,2'-아조비스-2,4-다이메틸발레로나이트릴, 2,2'-아조비스-N, N'-다이메틸렌아이소부틸아미딘산염, 2,2'-아조비스아이소뷰티로나이트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸-N-(2-하이드록시에틸)프로피온아미드 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 중합 개시제를 2종 이상 병용하여 사용할 수도 있다.
반응 온도는 보통 50 내지 85℃ 정도, 반응 시간은 1 내지 8시간 정도가 된다. 또한, 상기 제조법 중에서도 용액 중합법이 바람직하고, (메트)아크릴계 폴리머 용매로서는 일반적으로 아세트산에틸, 톨루엔 등의 극성 용제가 사용된다. 용액 농도는 보통 20 내지 80중량% 정도가 된다.
상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 (메트)아크릴계 폴리머의 수평균 분자량을 높이기 위해, 가교제를 적당히 첨가할 수 있다. 가교제로서는, 폴리아이소사이아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 무수 화합물, 폴리아민, 카복실기 함유 폴리머 등을 들 수 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 박리 접착력이 지나치게 감소하는 것을 고려하여, 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 0.01 내지 5중량부 정도 배합하는 것이 바람직하다. 또한 점착제층을 형성하는 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 이외에, 종래 공지된 각종 접착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용적인 첨가제를 함유시킬 수 있다.
피가공물로부터의 박리성을 향상시키기 위해서는, 점착제는 자외선, 전자선 등의 방사선에 의해 경화하는 방사선 경화형 점착제로 하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제로서 방사선 경화형 점착제를 이용하는 경우에는, 레이저 가공 후에 점착제층에 방사선이 조사되기 때문에 상기 기재는 충분한 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제로서는, 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 갖고, 또한 접착성을 나타내는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대, 전술한 (메트)아크릴계 폴리머에 방사선 경화성의 모노머 성분 또는 올리고머 성분을 배합한 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
배합하는 방사선 경화성 모노머 성분 또는 올리고머 성분으로서는, 예컨대, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부틸렌글라이콜 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
방사선 경화성 모노머 성분 및 올리고머 성분의 배합량은, 특별히 제한되지 않지만, 접착성을 고려하면, 점착제를 구성하는 (메트)아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대해, 5 내지 500중량부 정도인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 60 내지 150중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 이용할 수도 있다. 이러한 베이스폴리머로서는, (메트)아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우에 있어서는, 방사선 경화성의 모노머 성분 및 올리고머 성분을 특별히 첨가하지 않을 수 있고, 임의로 사용할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광 중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예컨대, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α-메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-다이에톡시아세토페논, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)페닐]-2-모폴리노프로페인-1 등의 아세토페논계 화합물, 아니조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 벤조인 메틸 에터 등의 벤조인 에터계 화합물, 2-메틸-2-하이드록시프로필페논 등의 α-케톨계 화합물, 벤질다이메틸케탈 등의 케탈계 화합물, 2-나프탈렌설폰일클로라이드 등의 방향족 설폰일클로라이드계 화합물, 1-페논-1,1-프로페인다이온-2-(o-에톡시카보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물, 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물, 싸이옥산톤, 2-클로로싸이옥산톤, 2-메틸싸이옥산톤, 2,4-다이메틸싸이옥산톤, 이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤, 2,4-다이에틸싸이옥산톤, 2,4-다이아이소프로필싸이옥산톤 등의 싸이옥산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로젠화 케톤, 아실포스핀옥사이드 및 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.
광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 (메타)아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부 정도인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.5 내지 10중량부 정도이다.
본 발명의 레이저 다이싱용 점착 시이트는, 예컨대, 상기 기재의 표면에 점착제 용액을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층을 형성함으로써 제조할 수 있다. 또한, 별도로, 박리 라이너에 점착제층을 형성한 후, 그것 을 기재에 접합하는 방법 등을 채용할 수 있다.
점착제층은, 피가공물에 대한 오염 방지 등의 점에서 저분자량 물질의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이러한 점에서 (메트)아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 30만 이상인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 40만 내지 300만이다.
점착제층의 두께는, 피가공물로부터 박리되지 않는 범위에서 적절히 선택할 수 있지만, 보통 4 내지 50μm 정도, 바람직하게는 5 내지 20mm 정도이다.
또한 점착제층의 접착력은, SUS304에 대한 상온(레이저 조사전)에서의 접착력(90도 박리값, 박리 속도 300mm/분)에 따라, 20N/20mm 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.001 내지 10N/20mm, 특히 바람직하게는 0.01 내지 8N/20mm이다.
본 발명의 레이저 다이싱용 점착 시이트의 점착제층의 표면에는, 라벨 가공하기 위해, 점착제층을 보호하기 위해, 또는 적층 시이트를 롤 형상으로 하여 가열 처리 및 저장을 용이하게 하기 위해서 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다.
세퍼레이터의 구성 재료로서는, 폴리에터에터케톤, 폴리에터이미드, 폴리알릴레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타다이엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화바이닐 필름, 염화바이닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스터 공중합체 필름, 폴리스타이렌 필름, 및 폴리카보네이트 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다
세퍼레이터의 한 면에는 점착제층으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시될 수 있다. 또한, 필요에 따라, 레이저 다이싱용 점착 시이트가 환경 자외선에 의해서 반응해 버리지 않도록, 자외선 투과 방지 처리 등이 실시될 수 있다. 세퍼레이터의 두께는, 보통 5 내지 200μm이고, 바람직하게는 25 내지 100μm, 더 바람직하게는 38 내지 60μm이다.
세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면은, 이지 또는 요철 구조로 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 형상은, 샌드 블라스트 또는 화학적 에칭에 의해 형성할 수 있다. 또한, 세퍼레이터의 제막시에 메탈 롤 또는 고무 롤을 이용하여 형성할 수 있다. 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.2 내지 2μm인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.3 내지 1.5μm이다. 산술 평균 높이(Ra)가 0.2μm 미만인 경우에는, 적층 시이트(점착 시이트)를 롤 형상으로 했을 때, 기재의 표면과의 밀착성이 증가하여, 기재가 세퍼레이터와 일체화되기 용이해진다. 이러한 상태로 롤 형상 적층 시이트에 가열처리를 실시하면, 기재의 수축 뿐만 아니라, 세퍼레이터에 압력이 가해짐으로써, 기재 표면에 상기 요철부가 국소적으로 다량 발생하는 경향이 있다. 한편, 산술 평균 높이(Ra)가 2μm를 초과하는 경우에는, 세퍼레이터의 상기 요철 형상이 기재 표면에 전사되어, 기재 표면에 높이(h) 1μm 이상의 볼록부 또는 깊이(d) 1μm 이상의 오목부가 형성될 우려가 있다.
점착제층 상에 세퍼레이터를 설치한 적층 시이트는 롤 형상으로 하여 가열 처리하는 것이 바람직하다. 적층 시이트를 가열 처리함으로써 점착제의 특성을 안정화시킬 수 있다. 가열 처리에 있어서의 온도는 30 내지 60℃ 정도이고, 처리 시간은 12 내지 100시간 정도이다. 이렇게 하여 제조된 점착 시이트는, 적어도 점착제층과 접촉하지 않는 기재 표면에, 폭(W) 20mm 이하이면서 높이(h) 1μm 이상의 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이면서 깊이(d) 1μm 이상의 오목부를 갖지 않는 것이다.
이하, 상기 점착 시이트를 이용한 레이저광의 광흡수 삭마에 의한 소자 소편의 제조 방법을 설명한다.
반도체 웨이퍼의 레이저 다이싱 가공의 경우는, 도 2와 같이 반도체 웨이퍼(5)의 한 면을 흡착 스테이지(6)상에 구비된 점착 시이트(4)에 부착하고, 소정의 레이저 발진기로부터 출력되는 레이저 광(7)을 렌즈에 의해 반도체 웨이퍼(5) 내부에 집광·조사하는 동시에, 그 레이저 조사 위치를 소정의 가공 라인상을 따라 이동시킴으로써 반도체 웨이퍼(5)의 내부에 개질 영역을 형성한다. 레이저광의 이동 수단으로서는 갈바노 스캔 또는 X-Y 스테이지 스캔, 마스크, 이미징 가공 등의 공지의 레이저 가공 방법이 사용된다. 또한, 반도체 웨이퍼(5)의 레이저 광 입사면측에는 보호 시이트(8)가 구비될 수 있다.
반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 점착 시이트를 팽창시킴으로써 상기 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼를 절단하고, 인접하는 소자 소편(반도체 칩)을 이격시킨다. 그 후, 종래부터 알려져 있는 다이본드 등의 장치에 의해 니들이라고 불리는 밀어올림핀을 이용하여 소자 소편을 픽업하거나, 또는 일본 특허 공개 제 2001-118862호 공보에 나타낸 방식 등의 공지의 방법으로 개개의 소자 소편을 픽업하여 회수할 수 있다.
본 발명의 소자 소편의 제조 방법에 있어서는, 팽창시킴으로써 소자 소편을 이격시킨 후에 점착 시이트(4)를 박리하여 소자 소편을 회수한다. 박리하는 방법은 제한되지 않지만, 박리시에 소자 소편이 영구 변형되는 응력이 걸리지 않도록 하는 것이 중요하다. 예컨대, 점착 시이트(4)의 점착제층(2)에 방사선 경화형 점착제를 이용한 경우에는, 점착제의 종류에 따라 방사선 조사에 의해 점착제층을 경화시켜 접착성을 저하시킨다. 방사선 조사에 의해, 점착제층의 접착성이 경화에 의해 저하되어 박리를 용이하게 할 수 있다. 방사선 조사 수단은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 자외선 조사 등에 의해 실시된다.
<실시예>
이하, 본 발명을 실시예에 따라서 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되지 않는다.
[수평균 분자량의 측정]
합성한 (메트)아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 이하의 방법으로 측정했다. 합성한 (메트)아크릴계 폴리머를 THF에 0.1wt%로 용해시켜, GPC(겔 투과크로마토그래피)를 이용하여 폴리스타이렌 환산에 의해 수평균 분자량을 측정했다. 자세한 측정 조건은 이하와 같다.
GPC 장치: 도소 제품, HLC-8120 GPC
칼럼: 도소 제품, (GMHHR-H)+(GMHHR-H)+(G2000HHR)
유량: 0.8 ml/min
농도: 0.1 wt%
주입량: 100μl
컬럼 온도: 40℃
용리액: THF
[산술 평균 높이(Ra)의 측정]
JIS B0601-2001에 준거하여 측정했다. 측정 장치는, 텐콜사 제품의 P-11(접촉식)을 이용했다.
실시예 1
메틸아크릴레이트 70중량부, 부틸아크릴레이트 30중량부, 및 아크릴산 5중량부를 아세트산에틸 중에서 공중합시켜 수평균 분자량 80만의 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 수득했다. 상기 용액에 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(카야라드 DPHA, 니혼카야쿠 주식회사 제품) 60중량부, 라디칼 중합 개시제(이르가큐어 651, 치바·스페셜티·케미컬사 제품) 5중량부, 및 폴리아이소사이아네이트 화합물(콜로네이트 L, 일본 폴리우레탄사 제품) 3중량부를 첨가하고 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다.
상기 점착제를 연질 염화바이닐필름(두께 80μm)의 한 면에 도포하고, 가열 건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 5μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라 S-10 #50, 점착제층 접합면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 접합하여 적층 시이트를 제조했다. 상기 연질 염화 바이닐 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.72μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.03μm였다.
그리고, 제작한 적층 시이트를 롤 형상으로 감아 적층 시이트 롤로 하고, 50℃에서 24시간 가열 처리를 실시했다. 가열 처리 후, 적층 시이트롤로부터 레이저 다이싱용 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 잘라내고, 연질 염화바이닐 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)를 측정한 결과, 최소치로 0.48μm였다.
상기 점착 시이트를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이면)에 부착하여, 레이저 현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 결과, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부는 없었다.
실시예 2
부틸아크릴레이트 70중량부, 2-에틸헥실아크릴레이트 30중량부, 및 아크릴산 5중량부를 톨루엔 중에서 공중합시켜 수평균 분자량 70만의 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 수득했다. 상기 용액에 다이옥틸프탈레이트 30중량부, 및 폴리아이소사이아네이트 화합물(콜로네이트 L, 일본폴리우레탄사 제품) 5중량부를 첨가하여 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다.
상기 점착제를 연질 염화바이닐 필름(두께 70μm)의 한 면에 도포하고, 가열 건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 10μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라 S-10 #50, 점착제층 접합면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 부착하여 적층 시이트를 제조했다. 상기 연질 염화바이닐 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.58μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면에는, 부착 전에 샌드 블라스트 처리에 의해 요철을 형성했다. 상기 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.33μm였다.
그리고, 제작한 적층 시이트를 롤 형상으로 감아 적층 시이트 롤로 하여, 50℃에서 24시간 가열 처리를 실시했다. 가열 처리 후, 적층 시이트 롤로부터 레이저 다이싱용 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 잘라내고, 연질 염화바이닐 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)를 측정한 결과, 최소치로 0.44μm였다.
상기 점착 시이트를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이면)에 접합하여, 레이저 현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 결과, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부는 없었다.
실시예 3
실시예 1과 동일한 방법으로 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다. 상기 점착제를 한 면에 코로나 처리가 실시된 폴리α-올레핀계 필름(두께 80μm)의 상기 표면에 도포하고, 가열 건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 5μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라 S-10 #50, 점착제층 부착면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 부착하여 레이저 다이싱용 점착 시이트를 제조했다. 상기 폴리α-올레핀계 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.55μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.03μm였다.
상기 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이면)에 부착하여, 레이저 현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 바, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부는 없었다.
실시예 4
실시예 2와 동일한 방법으로 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다. 상기 점착제를 한 면에 코로나 처리를 실시한 EVA 필름(두께 115μm)의 상기 표면에 도포하고, 가열 건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 10μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라 S-10 #50, 점착제층 접합면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 부착하여 레이저 다이싱용 점착 시이트를 제조했다. 상기 EVA 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.53μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.03μm였다.
상기 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이 면)에 부착하고, 레이저 현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 결과, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부는 없었다.
비교예 1
실시예 1과 동일한 방법으로 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다. 상기 점착제를 연질 염화바이닐 필름(두께 80μm)의 한 면에 도포하고, 가열 건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 5μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라 S-10 #50, 점착제층 접합면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 부착하여 적층 시이트를 제조했다. 상기 연질 염화바이닐 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.32μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.03μm였다.
그리고 제작한 적층 시이트를 롤 형상으로 감아 적층 시이트 롤로 하고, 50℃에서 24시간 가열 처리를 실시했다. 가열 처리 후, 적층 시이트 롤로부터 레이저 다이싱용 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 잘라내고, 연질 염화바이닐 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)를 측정한 결과, 최소치로 0.20μm였다.
상기 점착 시이트를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이면)에 부착하여, 레이저 현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 결과, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이 (d) 1μm 이상인 오목부가 각각 1개씩 있었다.
비교예 2
실시예 2와 동일한 방법으로 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다. 상기 점착제를 한 면에 코로나 처리를 실시한 EVA 필름(두께 115μm)의 상기 표면에 도포하여, 가열 건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 10μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라S-10 #50, 점착제층 접합면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 접합하여 적층 시이트를 제조했다. 상기 EVA 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.34μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 003μm였다.
그리고 제작한 적층 시이트를 롤 형상으로 감아 적층 시이트 롤로 하고, 50℃에서 24시간 가열 처리를 실시했다. 가열 처리 후, 적층 시이트 롤로부터 레이저 다이싱용 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 잘라내고, EVA 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)를 측정한 결과, 최소치로 0.18μm였다.
상기 점착 시이트를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이면)에 부착하고, 레이저현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 결과, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부가 각각 1개씩 있었다.
참고예 1
실시예 1과 동일한 방법으로 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 조제했다. 상기 점착제를 한 면에 코로나 처리를 실시한 폴리에틸렌 필름(두께 80μm)의 상기 표면에 도포하고, 가열건조하여 자외선 경화형 점착제층(두께 5μm)을 형성했다. 그 후, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터(도오레사 제품, 루미라S-10 #50, 점착제층 접합면에 박리 처리를 실시한 두께 38μm의 폴리에스테르 필름)을 부착하여 레이저 다이싱용 점착 시이트를 제조했다. 상기 폴리에틸렌 필름의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.68μm였다. 또한, 상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)는 0.03μm였다.
상기 점착 시이트(세로 100mm× 가로 100mm)를 실리콘 웨이퍼의 폴리쉬면(이면)에 부착하고, 레이저 현미경을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 접합한 점착 시이트의 기재 표면을 관찰한 결과, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부는 없었다.
[평가 시험]
실시예, 비교예 및 참고예에서 제작한 점착 시이트를 이용하여 하기의 평가 시험을 실시했다.
(1) 인장 시험
제작한 점착 시이트를 폭 10mm, 길이 100mm의 크기로 절단하고, 텐실에 의해 인장시의 응력 측정을 실시했다. 인장 속도는 300mm/min로 실시했다.
그 결과, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1, 2의 점착 시이트에서는, 인장량에 따라 응력이 증가하는 우상향 S-S 곡선이 수득되었다. 한편, 참고예 1의 점착 시 이트에서는 부분적으로 응력이 저하되는 이른바 네킹이 발생했다.
(2) 팽창 시험
제작한 점착 시이트를 실리콘 웨이퍼(두께 50μm)의 폴리쉬면(이면)에 부착하고, 레이저를 이용하여 실리콘 웨이퍼를 다이싱했다. 레이저에는, 파장 1064mm의 YAG 레이저를 사용했다. 집광용 렌즈를 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 내부에 집광 스폿이 발생하도록 했다. 그 후, 익스팬더를 이용하여 실리콘 웨이퍼를 20mm 팽창시켰다. 그 결과, 실시예 1 내지 4에서는, 개개의 소자 소편은 모두 깨끗히 분할되었지만, 비교예 1, 2에서는 부분적으로 분할되지 않는 소자 소편이 있었다. 참고예 1에서는 기재가 파열되어, 소자 소편을 회수할 수 없었다.
본 발명에 따른 레이저 다이싱용 점착 시이트를 사용하면, 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 피가공물의 내부에 개질 영역을 설치하여 개편화할 때 확실하면서도 생산 효율이 양호하게 피가공물을 소자 소편으로 개편화할 수 있다.

Claims (10)

  1. 레이저광의 광흡수 삭마에 의해 피가공물의 내부에 개질 영역을 설치하여 개편화(個片化)할 때 사용되는 레이저 다이싱용 점착 시이트에 있어서, 기재의 한 면에 적어도 점착제층을 갖고, 적어도 점착제층과 접촉하지 않는 기재 표면에, 폭(W) 20mm 이하이고 높이(h) 1μm 이상인 볼록부, 및 폭(W) 20mm 이하이고 깊이(d) 1μm 이상인 오목부가 없는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층을 형성하는 점착제가 방사선 경화형 점착제인 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재가 네킹(necking)성을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재가 수지 성분으로서 폴리염화바이닐을 함유하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층 상에 세퍼레이터가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기재의 한 면에 적어도 점착제층을 설치한 적층 시이트에 가열 처리를 실시하지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    기재의 한 면에 점착제층을 설치하는 공정, 상기 점착제층 상에 세퍼레이터를 설치하여 적층 시이트를 제작하는 공정, 상기 적층 시이트를 롤 형상으로 권취하여 롤 형상 적층 시이트를 제작하는 공정, 상기 롤 형상 적층 시이트에 가열 처리를 실시하는 공정을 포함하는 레이저 다이싱용 점착 시이트의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기재의 점착제층과 접촉하지 않는 표면의 산술 평균 높이(Ra)가 0.4μm 이상인 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트의 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터의 점착제층과 접촉하지 않는 표면이 이지(梨地) 또는 요철 구조로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 레이저 다이싱용 점착 시이트의 제조 방법.
  10. 피가공물의 한 면에 제 1 항 내지 제 5 항에 따른 레이저 다이싱용 점착 시이트의 점착제층을 첩부하는 공정, 레이저광을 조사하여 피가공물의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정, 레이저 다이싱용 점착 시이트를 팽창시킴으로써 피가공물을 개편화하는 공정, 개편화된 피가공물로부터 레이저 다이싱용 점착 시이트를 박리하는 공정을 포함하는 소자 소편의 제조 방법.
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
KR100865412B1 (ko) * 2004-05-18 2008-10-24 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 점접착 시트 및 그것을 이용한 반도체장치 및 그 제조 방법
JP4165467B2 (ja) * 2004-07-12 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 ダイシングシート、半導体装置の製造方法
CN102009270B (zh) 2005-06-27 2013-03-06 日东电工株式会社 激光材料加工用表面保护片
JP4762671B2 (ja) * 2005-10-26 2011-08-31 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ、および半導体ウェハダイシング方法
US20070111480A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
JP4927393B2 (ja) * 2005-11-30 2012-05-09 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ
JP4777761B2 (ja) * 2005-12-02 2011-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
TW200800584A (en) * 2006-04-03 2008-01-01 Gunze Kk Surface protective tape used for back grinding of semiconductor wafer and base film for the surface protective tape
JP2008279597A (ja) 2006-05-10 2008-11-20 Oji Paper Co Ltd 凹凸パターン形成シートおよびその製造方法、反射防止体、位相差板、工程シート原版ならびに光学素子の製造方法
JP4438961B2 (ja) * 2006-06-20 2010-03-24 電気化学工業株式会社 多層フィルム
JP2008060170A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nitto Denko Corp ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP4767144B2 (ja) * 2006-10-04 2011-09-07 日東電工株式会社 レーザ加工用粘着シート
US8114520B2 (en) * 2006-12-05 2012-02-14 Lintec Corporation Laser dicing sheet and process for producing chip body
JP5059559B2 (ja) * 2006-12-05 2012-10-24 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
US20090261084A1 (en) * 2006-12-05 2009-10-22 Lintec Corporation Laser Dicing Sheet and Manufacturing Method For Chip Body
JP5727688B2 (ja) * 2008-03-31 2015-06-03 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型重合体、エネルギー線硬化型粘着剤組成物、粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP5456642B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP4991024B1 (ja) * 2010-12-06 2012-08-01 株式会社きもと レーザーダイシング用補助シート
DE102011100608B4 (de) 2011-03-03 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Suspension zum Schutz eines Halbleitermaterials und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
JP5978051B2 (ja) * 2011-10-17 2016-08-24 日東電工株式会社 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ
WO2013146616A1 (ja) * 2012-03-28 2013-10-03 株式会社 きもと 機能性粘着シート
WO2013146617A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社 きもと 易剥離性粘着フィルム及び金属板の加工方法
JP6071712B2 (ja) * 2013-04-05 2017-02-01 日東電工株式会社 粘着テープ
US20150037915A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Wei-Sheng Lei Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process
US10147630B2 (en) * 2014-06-11 2018-12-04 John Cleaon Moore Sectional porous carrier forming a temporary impervious support
JP6399923B2 (ja) * 2014-12-24 2018-10-03 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
WO2018084021A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP6286014B2 (ja) * 2016-12-19 2018-02-28 パナック株式会社 工程用保護フィルム
CN110128958A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 日东电工株式会社 切割带
JP7141924B2 (ja) * 2018-02-09 2022-09-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ
CN112585733A (zh) * 2018-08-10 2021-03-30 琳得科株式会社 粘合片用基材及电子部件加工用粘合片
JP7319044B2 (ja) * 2018-12-14 2023-08-01 Tdk株式会社 素子アレイの製造装置と特定素子の除去装置
CN112620973B (zh) * 2020-12-18 2023-04-07 西安晟光硅研半导体科技有限公司 一种碳化硅晶片单向三层双向六级台阶切割工艺

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63310132A (ja) 1987-06-12 1988-12-19 F S K Kk ウエハ貼着用粘着シ−ト
JP3520996B2 (ja) * 1991-12-24 2004-04-19 三菱化学ポリエステルフィルム株式会社 半導体ウエハ貼着用粘着シート
JP3299601B2 (ja) * 1993-07-27 2002-07-08 リンテック株式会社 ウェハ貼着用粘着シート
JPH07221052A (ja) * 1994-02-04 1995-08-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP2601131Y2 (ja) * 1994-12-15 1999-11-08 日東電工株式会社 セパレータ付粘着シート
TW340967B (en) 1996-02-19 1998-09-21 Toray Industries An adhesive sheet for a semiconductor to connect with a substrate, and adhesive sticking tape for tab, an adhesive sticking tape for wire bonding connection, a substrate for connecting with a semiconductor and a semiconductor device
JPH1083975A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Omron Corp 導体ウエハの粘着テープおよび貼着方法
EP0882576B1 (en) * 1996-10-03 2004-04-14 Teijin Limited Release film
US5994205A (en) * 1997-02-03 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of separating semiconductor devices
JP3886225B2 (ja) * 1997-09-24 2007-02-28 日東電工株式会社 両面粘着シ―ト類
JP3763710B2 (ja) * 1999-09-29 2006-04-05 信越化学工業株式会社 防塵用カバーフィルム付きウエハ支持台及びその製造方法
JP4438973B2 (ja) * 2000-05-23 2010-03-24 アムコア テクノロジー，インコーポレイテッド シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2003033887A (ja) 2000-09-13 2003-02-04 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4109823B2 (ja) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2002173649A (ja) * 2000-12-04 2002-06-21 Asahi Rubber Kk 巻回テープ
JP4087144B2 (ja) 2001-04-23 2008-05-21 古河電気工業株式会社 レーザーダイシング用粘着テープ
JP4886937B2 (ja) 2001-05-17 2012-02-29 リンテック株式会社 ダイシングシート及びダイシング方法
JP4780855B2 (ja) 2001-05-24 2011-09-28 株式会社きもと 印刷用シート
US20030026932A1 (en) * 2001-07-30 2003-02-06 Johnson John R. Multilayer laminate
US20030107807A1 (en) * 2001-12-06 2003-06-12 Yuuji Saiki Optical member and liquid crystal display
JP3838637B2 (ja) * 2002-06-10 2006-10-25 日東電工株式会社 ガラス基板ダイシング用粘着シートおよびガラス基板ダイシング方法
JP2004051914A (ja) * 2002-07-24 2004-02-19 Lintec Corp 積層シートおよびその製造方法
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