KR20060018222A - 냉각판을 구비하는 마그네트론-스퍼터링 음극 - Google Patents
냉각판을 구비하는 마그네트론-스퍼터링 음극 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060018222A KR20060018222A KR1020057021615A KR20057021615A KR20060018222A KR 20060018222 A KR20060018222 A KR 20060018222A KR 1020057021615 A KR1020057021615 A KR 1020057021615A KR 20057021615 A KR20057021615 A KR 20057021615A KR 20060018222 A KR20060018222 A KR 20060018222A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plate
- sputtering
- magnetron
- sputtering target
- cooling
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 진공실벽의 개구부(6)에 삽입됨으로써, 그 개구부(6)를 기밀하게 폐쇄하여 주고, 상기 진공실벽으로부터 전기적으로 절연되어 있는 하나의 폐쇄판과, 상기 폐쇄판의 진공측면에 설치된 하나의 스퍼터링 타깃(4)과, 상기 폐쇄판의 대기측면에 다수의 자석들로 이루어지는 하나의 자석장치(5)와, 상기 스퍼터링 타깃(4)을 냉각시키기 위하여 냉각제를 순환시키는 하나의 냉각판을 구비하는 마그네트론-스퍼터링 음극에 있어서,상기 진공측면의 냉각판은 하나의 지지판(2)으로서 형성된 폐쇄판과 상기 스퍼터링 타깃(4) 사이에 장치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제1항에 있어서,상기 지지판(2) 내부에는 냉각제 도관들이 장치되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 냉각판은 내부에 냉각관(15)들이 장치되어 있고, 상기 스퍼터링 타깃(4)의 배면판(3)을 형성하는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제3항에 있어서,상기 냉각관(15)들은 상기 냉각판 내부에서 폐쇄된 단면을 가지고 있으며, 상기 스퍼터링 타깃(4)에 대한 연속된 접촉면을 이루는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제1, 2, 3 또는 4항에 있어서,상기 배면판(3)과 지지판(2) 사이에 스페이서들을 설치하고, 상기 스퍼터링 타깃(4)의 반대쪽 배면판(3)의 뒷면 가장자리를 상기 스페이서들과 면접/고정 시킴으로써, 상기 배면판(3)의 중앙부위와 상기 지지판(2) 사이에 공극을 형성시키는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제5항에 있어서,상기 스페이서들은 상기 지지판(2)과 일체로 형성된 웨브(13)들로서 형성되며, 냉각제 도관은 상기 웨브(13)들의 내부를 관통하여 장치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 선행 청구항들 중 하나에 있어서,상기 지지판(2)은 대기측면의 양쪽 가장자리에 형성된 2개의 직립형 보강리브(11)들을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제7항에 있어서,각각 1개씩의 배면판(3)을 가지고 있는 최소 2개 이상의 장방형 스퍼터링 타깃(4)들이 상기 지지판(2) 위에 나란히 장치되고, 각 스퍼터링 타깃(4)에는 각각 하나의 경주트랙 모양의 자계(磁界)를 발생시키는 자석장치(5)가 배치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 선행 청구항들 중 하나에 있어서,각 스퍼터링 타깃(4)은 서로 맞대어 장치된 복수의 스퍼터링 타깃 부분들로 조립되는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
- 제9항에 있어서,각각의 스퍼터링 타깃 부분에는 독립적으로 개별 배면판이 장치되며, 이 개별 배면판은 독자적인 냉각수 공급관을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론-스퍼터링 음극.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10323258A DE10323258A1 (de) | 2003-05-23 | 2003-05-23 | Magnetron-Sputter-Kathode |
DE10323258.3 | 2003-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060018222A true KR20060018222A (ko) | 2006-02-28 |
KR100760900B1 KR100760900B1 (ko) | 2007-09-21 |
Family
ID=33482095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057021615A KR100760900B1 (ko) | 2003-05-23 | 2004-02-07 | 냉각판을 구비하는 마그네트론-스퍼터링 음극 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8715471B2 (ko) |
EP (1) | EP1627414B1 (ko) |
JP (1) | JP4532475B2 (ko) |
KR (1) | KR100760900B1 (ko) |
CN (1) | CN1795531B (ko) |
AT (1) | ATE493750T1 (ko) |
DE (2) | DE10323258A1 (ko) |
TW (1) | TWI258788B (ko) |
WO (1) | WO2004112079A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019027133A1 (ko) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | 한국알박(주) | 전자석 어셈블리의 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006336029A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fts Corporation:Kk | 連続スパッタ装置および連続スパッタ方法 |
ES2353102B1 (es) * | 2009-08-14 | 2011-12-30 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Dispositivo magnetron y procedimiento de erosion uniforme de un blanco empleando dicho dispositivo |
DE102012110284B3 (de) * | 2012-10-26 | 2013-11-14 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sputterbeschichtungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsanlage |
JP5950866B2 (ja) | 2013-05-15 | 2016-07-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置及び成膜方法 |
CN206858649U (zh) | 2014-07-22 | 2018-01-09 | 应用材料公司 | 靶材布置和处理设备 |
CN104611674B (zh) * | 2014-11-10 | 2017-08-25 | 芜湖真空科技有限公司 | 平面磁控阴极 |
CN112144034B (zh) * | 2019-06-27 | 2022-12-30 | 昆山世高新材料科技有限公司 | 一种冷却背板 |
JP7362327B2 (ja) | 2019-07-18 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ターゲット構造体及び成膜装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68908439T2 (de) | 1988-03-01 | 1993-12-23 | Unilever Nv | Quatenäre-Ammonium-Verbindungen zur Verwendung in Bleich-Systemen. |
JPH0287836A (ja) | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Matsushita Electric Works Ltd | データ伝送システム |
JPH0295782A (ja) | 1988-09-30 | 1990-04-06 | Toshiba Seiki Kk | 往復揺動型ピストンポンプ |
DE4106770C2 (de) * | 1991-03-04 | 1996-10-17 | Leybold Ag | Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats |
US5458759A (en) * | 1991-08-02 | 1995-10-17 | Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode apparatus |
DE4127260C1 (en) * | 1991-08-17 | 1992-04-16 | Forschungsgesellschaft Fuer Elektronenstrahl- Und Plasmatechnik Mbh, O-8051 Dresden, De | Magnetron sputter source |
DE4127262C1 (en) * | 1991-08-17 | 1992-06-04 | Forschungsges Elektronenstrahl | Sputtering equipment for coating large substrates with (non)ferromagnetic material - consisting of two sub-targets electrically isolated and cooling plates whose gap in between is that in region of pole units |
DE4127261C1 (en) * | 1991-08-17 | 1992-06-04 | Forschungsges Elektronenstrahl | Sputtering equipment for coating large substrates with ferromagnetic and non-magnetic material - has cathode target comprising sub-targets, and cooling plates contg. magnet unit and poles shoes |
JPH05263224A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-12 | Shincron:Kk | スパッタ電極 |
US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
DE4413655A1 (de) * | 1994-04-20 | 1995-10-26 | Leybold Ag | Beschichtungsanlage |
JP3877230B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2007-02-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
DE19506513C2 (de) * | 1995-02-24 | 1996-12-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur reaktiven Beschichtung |
JPH093637A (ja) * | 1995-06-23 | 1997-01-07 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 分割スパッタリングターゲット |
JP3628395B2 (ja) * | 1995-09-25 | 2005-03-09 | 株式会社アルバック | スパッタカソード |
JP3863932B2 (ja) * | 1995-10-02 | 2006-12-27 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング方法 |
DE19746988A1 (de) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
JPH11350123A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Hitachi Ltd | 薄膜製造装置および液晶表示基板の製造方法 |
KR100291330B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2001-07-12 | 윤종용 | 반도체장치제조용스퍼터링설비및이를이용한스퍼터링방법 |
JP2000192234A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
DE19947935A1 (de) * | 1999-09-28 | 2001-03-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zum Magnetronzerstäuben |
AU2001277271A1 (en) * | 2000-07-27 | 2002-02-13 | Atf Technologies, Inc. | Low temperature cathodic magnetron sputtering |
JP2002105634A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置 |
US6494999B1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-12-17 | Honeywell International Inc. | Magnetron sputtering apparatus with an integral cooling and pressure relieving cathode |
-
2003
- 2003-05-23 DE DE10323258A patent/DE10323258A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-02-07 JP JP2006508101A patent/JP4532475B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-07 EP EP04709126A patent/EP1627414B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-07 DE DE502004012062T patent/DE502004012062D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-07 WO PCT/DE2004/000208 patent/WO2004112079A1/de active Application Filing
- 2004-02-07 KR KR1020057021615A patent/KR100760900B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-07 CN CN2004800140586A patent/CN1795531B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-07 AT AT04709126T patent/ATE493750T1/de active
- 2004-03-17 TW TW093107070A patent/TWI258788B/zh active
-
2005
- 2005-11-21 US US11/284,439 patent/US8715471B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019027133A1 (ko) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | 한국알박(주) | 전자석 어셈블리의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004112079A1 (de) | 2004-12-23 |
CN1795531B (zh) | 2011-12-21 |
JP2006526073A (ja) | 2006-11-16 |
DE10323258A1 (de) | 2004-12-23 |
EP1627414A1 (de) | 2006-02-22 |
EP1627414B1 (de) | 2010-12-29 |
TWI258788B (en) | 2006-07-21 |
KR100760900B1 (ko) | 2007-09-21 |
CN1795531A (zh) | 2006-06-28 |
JP4532475B2 (ja) | 2010-08-25 |
US8715471B2 (en) | 2014-05-06 |
DE502004012062D1 (de) | 2011-02-10 |
US20060118412A1 (en) | 2006-06-08 |
TW200428453A (en) | 2004-12-16 |
ATE493750T1 (de) | 2011-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4100055A (en) | Target profile for sputtering apparatus | |
EP0205874B1 (en) | Sputter device | |
US8715471B2 (en) | Magnetron sputter cathode | |
US20020153103A1 (en) | Plasma treatment apparatus | |
US4749912A (en) | Ion-producing apparatus | |
IE49129B1 (en) | Sputtering cathode and system for sputter-coating large area substrates | |
EP2057300A2 (en) | Ion source with recess in electrode | |
US20060103319A1 (en) | Ion source with substantially planar design | |
CN101903969B (zh) | 线性电子源和使用线性电子源的蒸发器以及电子源的应用 | |
US5277779A (en) | Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source | |
KR101330651B1 (ko) | 타깃 조립체 및 이 타깃 조립체를 구비한 스퍼터링 장치 | |
CN111433459B (zh) | 压力梯度泵 | |
CN213652624U (zh) | 一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源 | |
CN111471968B (zh) | 一种狭缝聚焦型超高真空运行的磁偏转电子束蒸发源 | |
EP2811507A1 (en) | Magnetic configuration for a magnetron sputter deposition system | |
US3416722A (en) | High vacuum pump employing apertured penning cells driving ion beams into a target covered by a getter sublimator | |
US3487000A (en) | Sputtering apparatus | |
KR100951007B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
KR100963413B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
JP2010031371A (ja) | スパッタリング装置、およびスパッタリング装置を介してターゲットから基板上へ材料をスパッタリングする方法 | |
KR102102812B1 (ko) | 스퍼터링 장치용 성막 유닛 | |
KR102513986B1 (ko) | 이온 소스 및 호일 라이너 | |
JP2714826B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
CN219315054U (zh) | 一种磁控溅射设备及其阳极 | |
KR20110104365A (ko) | 스퍼터 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120910 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130905 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140904 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150903 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160908 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170907 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190906 Year of fee payment: 13 |