DE4127260C1 - Magnetron sputter source - Google Patents

Magnetron sputter source

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Abstract

Magnetron sputter source has a base plate (1) of non-magnetic material, attached via seals (3) to the vessel wall (2) and mounting an electrically insulated cooling plate (4), with the target attached to it. The target (5) is surrounded by an anode (6), with which it forms a plane. On the atmos. side, under the base plate is the magnet system (7), the distance from the base plate being variable. Cooling water is circulated via insulated connections (9), which also supply voltage to the target.

Description

Die Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputterquelle für Gleichstrom- oder Hochfrequenz-Betrieb in HV- und UV-Beschichtungsanla­ gen. Sie ist besonders geeignet als Zweiring-Sputterquelle zur Beschichtung großer runder Substrate.The invention relates to a magnetron sputter source for DC or high frequency operation in HV and UV coating systems It is particularly suitable as a two-ring sputter source for coating large, round substrates.

Eine gegenwärtig häufig ausgeführte Bauform von Planar-Magne­ trons zeichnet sich durch die Anordnung des Magnetsystems unmittelbar hinter der Kühlplatte und im Vakuumraum des Magne­ trons aus. Kühlplatte und Magnetsystem besitzen dabei das gleiche elektrische Potential. Die Umkleidung des Magnetsy­ stems und die vakuumdichte Befestigung des Magnetrons im Re­ zipienten erfordern ein kompliziertes, das Magnetsystem um­ hüllendes topfförmiges Gehäuseteil. (DD-PS 2 65 764; DE-OS 40 08 119) Nachteilig an dieser Bauform sind das kompliziert gestaltete und aufwendig zu fertigende Gehäuseteil, die große vakuumseitige Oberfläche mit relativ engen, die Entlüftung erschwerenden und verzögernden Spalten zwischen dem Magnet­ system und dem Gehäuse und die erschwerte Zugänglichkeit des Magnetsystems. Eine Regulierung der Magnetfeldstärke über dem Target durch das Magnetsystem ist in diesen Ausführungen nicht vorgesehen.A current design of Planar-Magne trons is characterized by the arrangement of the magnet system immediately behind the cooling plate and in the vacuum area of the Magne trons out. The cooling plate and magnet system have that same electrical potential. The cladding of the Magnetsy stems and the vacuum-tight attachment of the magnetron in the right recipients require a complicated magnetic system enveloping cup-shaped housing part. (DD-PS 2 65 764; DE-OS 40 08 119) The disadvantage of this design is that it is complicated designed and complex to manufacture housing part, the large vacuum side surface with relatively narrow, the vent aggravating and retarding gaps between the magnet system and the housing and the difficult accessibility of the Magnet system. A regulation of the magnetic field strength above that The target by the magnet system is in these versions not provided.

Es ist auch eine weitere Bauform von Magnetrons bekannt, de­ ren charakteristisches Bauelement eine erweiterte Targetträ­ gerbaugruppe ist, die neben der Aufnahme und Kühlung des Tar­ gets die Teilfunktion der Vakuumabdichtung übernimmt. Hierfür wird diese Baugruppe meist topfförmig mit Dichtflansch am Außenumfang ausgeführt. Die Targetträgerbaugruppe ist immer spannungsführend. Deshalb bedingt diese Magnetron-Bauform immer einen großen Isolationskörper, der mit zwei Dichtungen zwischen Targetträgerbaugruppe und Isolationskörper sowie zwischen Isolationskörper und Rezipient eine elektrisch iso­ lierte Halterung des Magnetrons ermöglicht. Die Anordnung des Magnetsystems erfolgt an der belüfteten Rückseite der Target­ trägerbaugruppe. (US-PS 44 01 539; US-PS 45 00 409; DE-PS 37 27 901; DE-OS 39 08 252) Darüber hinaus ist es bekannt, den Magneten mechanisch zu verstellen, um die Magnetfeld­ stärke über dem Target zu verändern. (DE-OS 30 47 113) Nach­ teilig an diesen Ausführungen ist der hohe Fertigungsaufwand der Targetträgerplatte, die durch ihre im Vergleich zum Tar­ get großen Abmaße einen Targetwechsel erschweren. Ein Ersatz dieser Baugruppe hat relativ hohe Kosten zur Folge. Weiter­ hin ist bei dieser Magnetron-Bauform, insbesondere bei grö­ ßeren Targetabmessungen, der Isolationskörper wegen der dop­ pelten Dichtungslänge und somit einer unvermeidlich erhöhten Leckrate sowie der "weichen" Dichtflächen auf dem Isolations­ material als kritisch einzuschätzen. Des weiteren weist die große vakuumseitige Isolatoroberfläche eine im Vergleich zu den metallischen Flächen erhöhte Gasabgabe und Permeation auf. Als weiteren Nachteil dieser Bauform müssen die großen spannungsführenden, atmosphärenseitigen Flächen des Magne­ trons angesehen werden, die im besonderen Maße Isolations- und Umhausungsbaugruppen erforderlich machen.Another type of magnetron is also known, de ren characteristic component an extended target carrier gerbaugruppe is, in addition to the inclusion and cooling of the Tar gets the partial function of the vacuum seal. Therefor this assembly is usually cup-shaped with a sealing flange on Executed outer circumference. The target carrier assembly is always energizing. This is why this magnetron design is necessary always a large insulation body with two seals between target carrier assembly and insulation body as well an electrically iso between the insulating body and the recipient bracket of the magnetron. The arrangement of the Magnetic system takes place on the ventilated rear of the target carrier assembly. (US-PS 44 01 539; US-PS 45 00 409; DE-PS 37 27 901; DE-OS 39 08 252) It is also known  to mechanically adjust the magnet to the magnetic field change strength over the target. (DE-OS 30 47 113) After Part of these designs is the high manufacturing effort the target carrier plate, which by its compared to the Tar get large dimensions complicate a target change. A replacement this assembly has relatively high costs. Next down with this magnetron design, especially with large Outer target dimensions, the insulation body because of the dop seal length and thus an inevitably increased Leakage rate and the "soft" sealing surfaces on the insulation assess material as critical. Furthermore, the large vacuum-side insulator surface compared to the metallic surfaces increased gas release and permeation on. Another disadvantage of this design is the large size live, atmospheric surfaces of the Magne trons that are particularly insulated and require housing assemblies.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Magnetron- Sputterquelle zu schaffen, deren Oberflächenanteil im Vakuum relativ klein ist und deren spannungsführenden Bauteile ge­ genüber der Grundplatte und dem Magnetsystem isoliert ange­ ordnet sind. Der Aufbau der Sputterquelle soll einfach sein und Modifikationen der Hauptbaugruppen, wie Magnetsystem, Targetträger, Isolationskörper, zulassen. Die Einsatzparame­ ter für den Betrieb der Sputterquelle sollen verbessert wer­ den, um den Einsatz im Hoch- und Ultrahochvakuum zu gewähr­ leisten.The invention has for its object to provide a magnetron To create a sputtering source, the surface portion of which in a vacuum is relatively small and their live components ge isolated from the base plate and the magnet system are arranged. The structure of the sputter source should be simple and modifications of the main assemblies, such as magnet system, Allow target carrier, insulation body. The operational parameters ter for the operation of the sputter source should be improved to guarantee use in high and ultra high vacuum Afford.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit den Merkmalen des Kenn­ zeichens des Patentanspruches 1 gelöst. Weitere Ausgestal­ tungen sind Gegenstand der Unteransprüche. Die Vorteile der erfindungsgemäßen Magnetron-Sputterquelle im Vergleich zu den bekannten Ausführungen liegt in der Kombination und Funk­ tionszuordnung der beschriebenen Bauteile und Baugruppen, wie die Ausführung der Grundplatte als spannungsfreies Bauteil und der ebenfalls spannungsfreien Anordnung des Magnetsystems außerhalb des Vakuumraumes. Hieraus resultieren die wesentli­ chen Vorteile dieses Aufbaus wie die sehr geringen Bauteil­ oberflächen im Vakuum und damit die besondere Eignung für den Einsatz im UV-Bereich, die Anordnung der Vakuumdichtungen und der elektrischen Isolationsteile sowie die leichte Zugäng­ lichkeit des Magnetsystems. Weiterhin ist durch den verein­ fachten Aufbau eine erhebliche Fertigungskostensenkung mög­ lich. Durch den spannungsfreien Aufbau aller großflächigen Bauteile an der belüfteten Seite des Magnetrons wird ein fast vollständiger Berührungsschutz spannungsführender Bauteile erreicht. Dadurch können Aufwendungen zur bedienersicheren Ausführung wie z. B. Abdeckungen, Umhausungen u. a. Maßnahmen stark vereinfacht bzw. vollständig eingespart werden.According to the invention the task with the features of the characteristic character of claim 1 solved. Further design are subject of the subclaims. The advantages of Magnetron sputter source according to the invention compared to the known versions lie in the combination and radio tion assignment of the described components and assemblies, such as the execution of the base plate as a stress-free component and the tension-free arrangement of the magnet system outside the vacuum space. This results in the essential  Chen advantages of this structure such as the very small component surfaces in a vacuum and thus the special suitability for the Use in the UV range, the arrangement of the vacuum seals and the electrical insulation parts as well as the easy access of the magnet system. Furthermore, the association construction, a considerable reduction in production costs is possible Lich. Due to the tension-free construction of all large areas Components on the ventilated side of the magnetron become an almost complete protection against contact with live components reached. This can save expenses for the operator Execution such. B. covers, enclosures u. a. activities greatly simplified or completely saved.

Der Gegenstand der Erfindung wird an einigen Ausführungsbei­ spielen näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zei­ gen:The subject of the invention is illustrated in some embodiments play explained in more detail. In the accompanying drawings gene:

Fig. 1 einen Schnitt durch eine Magnetron-Sputterquelle, Fig. 1 shows a section through a magnetron sputtering source,

Fig. 2 einen Schnitt durch eine Magnetron-Sputterquelle, mit auf jeder Seite unterschiedlich angeordnetem Magnetsystem, Fig. 2 shows a section through a magnetron sputtering, on each side with differently arranged magnet system,

Fig. 3 einen Schnitt durch eine Zweiring-Magnetron-Sputter­ quelle. Fig. 3 shows a section through a two-ring magnetron sputter source.

Das Grundprinzip der erfindungsgemäßen Sputterquelle zeigt die Fig. 1. Die Grundplatte 1 aus unmagnetischem Material ist auf der Wand 2 des Rezipienten unter Zwischenschaltung von Dichtungen 3 vakuumdicht und elektrisch isoliert über einer Öffnung angeordnet, die damit verschlossen ist. Auf der Grundplatte 1 ist ebenfalls elektrisch isoliert die Kühl­ platte 4 mit dem mit ihr galvanisch verbundenen Target aus­ wechselbar befestigt. Das Target 5 ist von einer Anode 6 um­ geben und bildet mit ihr eine Ebene. Diese ringförmige Anode 6 kann von der Grundplatte 1 isoliert angeordnet sein. Unter der Grundplatte 1 ist atmosphärenseitig das Magnetsystem 7 angebracht. Es ist in seinem Abstand zur Grundplatte 1 ver­ stellbar; im einfachsten Fall mittels Stellschraube 8. The basic principle of the sputtering source according to the invention is shown in FIG. 1. The base plate 1 made of non-magnetic material is arranged on the wall 2 of the recipient with the interposition of seals 3 in a vacuum-tight and electrically insulated manner via an opening which is thus closed. On the base plate 1 is also electrically insulated, the cooling plate 4 with the target galvanically connected to it interchangeably attached. The target 5 is given by an anode 6 and forms a plane with it. This annular anode 6 can be arranged insulated from the base plate 1 . The magnet system 7 is attached under the base plate 1 on the atmosphere side. It is adjustable in its distance from the base plate 1 ; in the simplest case using the adjusting screw 8 .

Durch die Verstellung ist die Feldstärke variierbar. Die Zu­ führung des Kühlwassers und die Ableitung erfolgt über An­ schlüsse 9, die elektrisch von der Grundplatte 1 und vom Mag­ netsystem 7 isoliert sind. Diese Anschlüsse 9 dienen gleich­ zeitig der Zuführung der Spannung für das Target 5.The field strength can be varied by the adjustment. The supply of the cooling water and the discharge takes place via connections 9 , which are electrically insulated from the base plate 1 and from the magnet system 7 . These connections 9 serve simultaneously to supply the voltage for the target 5 .

In Fig. 2 ist gezeigt, wie zum besseren Durchgriff des Mag­ netfeldes das Magnetsystem 7 angeordnet sein kann. Linkssei­ tig sind in die Grundplatte 1 Polschuhe 10 eingelassen, auf welche das Magnetsystem 7 aufgesetzt ist. Rechtsseitig be­ sitzt die Grundplatte 1 Aussparungen 11, in welchen das Mag­ netsystem 7 angeordnet ist. Der Spalt zwischen der Kühlplatte 4 und der Grundplatte 1 ist durch eine Isolierplatte 12 aus­ gefüllt.In Fig. 2 it is shown how the magnet system 7 can be arranged for better penetration of the magnetic field. Left side are in the base plate 1 pole shoes 10 , on which the magnet system 7 is placed. On the right side, the base plate 1 has recesses 11 in which the magnet system 7 is arranged. The gap between the cooling plate 4 and the base plate 1 is filled by an insulating plate 12 .

Fig. 3 zeigt eine Zweiring-Magnetron-Sputterquelle. Bei die­ ser ist die Grundplatte 1 auf der Rezipientwand 2 auf der Atmosphärenseite vakuumdicht aufgesetzt. Es ist zum vakuum­ dichten Verbinden der Grundplatte 1 mit der Rezipientenwand eine übliche Dichtung dazwischen angeordnet, die beide Teile jedoch nicht voneinander isoliert. Die galvanische Verbindung, d. h. der metallische Kontakt, soll gewährleistet sein. In der Mitte der Anordnung ist auf der Grundplatte 1 eine Bau­ gruppe als funktionsfähige Sputterquelle, bestehend aus der Kühlplatte 4, dem darauf befestigten Target 5, angeordnet. Auf der Gegenseite, d. h. außerhalb des Vakuums sind das Mag­ netsystem 7 mit den Anschlüssen 9 für das Kühlwasser in be­ reits beschriebener Weise vorgesehen. Um diese innere Sput­ terquelle ist konzentrisch eine weitere ringförmige Sputter­ quelle, aus der Kühlplatte 4′, dem Target 5′, Magnetsystem 7′ mit Anschlüssen 9′ angeordnet. Die ringförmige Sputterquelle bildet mit der inneren Sputterquelle ein gesamtes System, die Zweiring-Magnetron-Sputterquelle, die von einem ebenfalls ge­ kühlten Plasmaschirm 10 umgeben ist. Alle Anschlüsse 9 sind zur Grundplatte 1 isoliert ausgeführt, da diese außer dem Kühlwasserzu- und -abfluß auch der Spannungszuführung dienen. Figure 3 shows a two ring magnetron sputter source. In the water, the base plate 1 is placed vacuum-tight on the recipient wall 2 on the atmosphere side. For the vacuum-tight connection of the base plate 1 to the recipient wall, a conventional seal is arranged between them, but the two parts are not insulated from one another. The galvanic connection, ie the metallic contact, should be guaranteed. In the middle of the arrangement on the base plate 1 is a construction group as a functional sputtering source, consisting of the cooling plate 4 , the target 5 attached thereon. On the opposite side, ie outside the vacuum, the mag netsystem 7 with the connections 9 for the cooling water are provided in a manner already described. Around this inner sputter terquelle is another annular sputter source, from the cooling plate 4 ', the target 5 ', magnet system 7 'with connections 9 ' arranged. The ring-shaped sputter source forms an entire system with the inner sputter source, the two-ring magnetron sputter source, which is surrounded by a plasma screen 10 which is also cooled. All connections 9 are designed to be insulated from the base plate 1 since, in addition to the cooling water inflow and outflow, they also serve to supply voltage.

Claims (10)

1. Magnetron-Sputterquelle, bestehend aus einem Magnetsystem, gekühltem Target und Anode, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - auf einer Grundplatte (1) isoliert mindestens eine Kühl­ platte (4) mit dem darauf befestigten, galvanisch ver­ bundenen Target (5) angeordnet ist,
  • - die Anode (6), das Target (5) und die Kühlplatte (4) umgebend, auf der Grundplatte befestigt ist,
  • - die Grundplatte (1), vakuumdicht eine Öffnung im Rezi­ pienten verschließend, lösbar befestigt ist und aus un­ magnetischem Material besteht,
  • - das Magnetsystem (7) an der Grundplatte (1) atmosphä­ renseitig angeordnet ist,
  • - durch die Grundplatte (1) isoliert Anschlüsse (9) für die Zu- und Ableitung des Kühlwassers in die Kühlplatte (4) angeordnet sind.
1. Magnetron sputter source, consisting of a magnet system, cooled target and anode, characterized in that
  • - On a base plate ( 1 ) isolated at least one cooling plate ( 4 ) with the attached, galvanically connected target ( 5 ) is arranged,
  • - The anode ( 6 ) surrounding the target ( 5 ) and the cooling plate ( 4 ) is attached to the base plate,
  • - The base plate ( 1 ), vacuum-tightly closing an opening in the recipient, detachably fastened and made of un magnetic material,
  • - The magnet system ( 7 ) on the base plate ( 1 ) is arranged on the atmosphere side,
  • - Connected by the base plate ( 1 ) connections ( 9 ) for the supply and discharge of the cooling water in the cooling plate ( 4 ) are arranged.
2. Magnetron-Sputterquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Grundplatte (1) unter Zwischenschaltung von Dichtungen isoliert vom Rezipienten angeordnet ist.2. Magnetron sputter source according to claim 1, characterized in that the base plate ( 1 ) is arranged with the interposition of seals isolated from the recipient. 3. Magnetron-Sputterquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Grundplatte (1) mit dem Rezipienten gal­ vanisch verbunden ist.3. Magnetron sputter source according to claim 1, characterized in that the base plate ( 1 ) is connected to the recipient gal vanisch. 4. Magnetron-Sputterquelle nach Anspruch 1 und 2 oder 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Kühlplatte (4) mit dem mit ihr verbundenen Target (5) durch einen Spalt oder eine elektrisch isolierende Zwischenschicht gegenüber der Grundplatte (1) und dem Magnetsystem (7) elektrisch ge­ trennt ist.4. Magnetron sputter source according to claim 1 and 2 or 3, characterized in that the cooling plate ( 4 ) with the target connected to it ( 5 ) through a gap or an electrically insulating intermediate layer relative to the base plate ( 1 ) and the magnet system ( 7 ) is electrically separated. 5. Magnetron-Sputterquelle nach mindestens einem der Ansprü­ che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Pole des Magnetsystems (7) in Aussparungen (11) der Grundplatte (1) ragen. 5. Magnetron sputter source according to at least one of Ansprü che 1 to 4, characterized in that the poles of the magnet system ( 7 ) in recesses ( 11 ) of the base plate ( 1 ) protrude. 6. Magnetron-Sputterquelle nach mindestens einem der An­ sprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in die Grundplatte (1) stoff- und/oder formschlüssig Polschuhe (10) eingelassen sind, auf welche die Pole des Magnet­ systems (7) aufgesetzt sind.6. Magnetron sputtering source according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that in the base plate ( 1 ) material and / or form-fitting pole shoes ( 10 ) are inserted, on which the poles of the magnet system ( 7 ) are placed . 7. Magnetron-Sputterquelle nach Anspruch 1 und 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand des Magnetsystems (7) von der Grundplatte (1) mit einer Verstelleinrichtung veränderbar ist.7. magnetron sputtering source according to claim 1 and 5 or 6, characterized in that the distance of the magnet system ( 7 ) from the base plate ( 1 ) is variable with an adjusting device. 8. Magnetron-Sputterquelle nach mindestens einem der Ansprü­ che 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Grund­ platte (1) eine Kühlplatte (4) mit Target (5) und auf der Gegenseite ein Magnetsystem (7) angeordnet ist, welches konzentrisch von einer weiteren Kühlplatte (4′) mit dar­ auf befestigtem Target (5′) und auf der Gegenseite ange­ ordnetem Magnetsystem (7′) umgeben ist, und dieses Tar­ get (5′) von einem gekühlten, auf der Grundplatte (1) isoliert befestigten, als Anode wirkenden Plasmaschirm (10) umgeben ist.8. Magnetron sputtering source according to at least one of claims 1 to 7, characterized in that on the base plate ( 1 ) a cooling plate ( 4 ) with target ( 5 ) and on the opposite side a magnet system ( 7 ) is arranged, which is concentric surrounded by a further cooling plate ( 4 ') with a fixed target ( 5 ') and on the opposite side arranged magnet system ( 7 '), and this target get ( 5 ') from a cooled, isolated on the base plate ( 1 ) attached, acting as an anode plasma screen ( 10 ) is surrounded. 9. Magnetron-Sputterquelle nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Plasmaschirm (10) mit durch die Grund­ platte (1) isoliert geführten Anschlüssen (9) verbunden ist.9. magnetron sputter source according to claim 8, characterized in that the plasma screen ( 10 ) with the base plate ( 1 ) insulated leads ( 9 ) is connected. 10. Magnetron-Sputterquelle nach mindestens einem der Ansprü­ che 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Target (5) mit seiner Kühlplatte (4) jede beliebige geometrische Form in Anpassung an die Beschichtungsaufgabe hat.10. Magnetron sputtering source according to at least one of claims 1 to 9, characterized in that the target ( 5 ) with its cooling plate ( 4 ) has any geometric shape in adaptation to the coating task.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0634500A1 (en) * 1993-07-13 1995-01-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
DE19506513A1 (en) * 1995-02-24 1996-08-29 Fraunhofer Ges Forschung Reactive coating device
WO1999031290A1 (en) * 1997-12-17 1999-06-24 Unaxis Trading Ag Magnetron sputtering source
DE19813075A1 (en) * 1998-03-25 1999-09-30 Leybold Ag Device for coating a substrate
DE19947932C1 (en) * 1999-09-28 2001-04-26 Fraunhofer Ges Forschung Device for magnetron sputtering has an outer plasma electrode with a first potential arranged between a target and a counter electrode with a second potential
DE10010448C1 (en) * 2000-03-03 2002-04-25 Multi Media Machinery Gmbh Cathode used for coating a substrate comprises yoke sides with magnets surrounding a yoke plate
DE10323258A1 (en) * 2003-05-23 2004-12-23 Applied Films Gmbh & Co. Kg Magnetron sputter cathode has cooling plate on vacuum side located between substrate plate and sputter target
US7588668B2 (en) * 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP-A 55-1 00 981, Pat. Abstr. JP C-29, 29.10.80, Vol. 4, No. 155 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0634500A1 (en) * 1993-07-13 1995-01-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
DE19506513A1 (en) * 1995-02-24 1996-08-29 Fraunhofer Ges Forschung Reactive coating device
WO1999031290A1 (en) * 1997-12-17 1999-06-24 Unaxis Trading Ag Magnetron sputtering source
DE19813075A1 (en) * 1998-03-25 1999-09-30 Leybold Ag Device for coating a substrate
DE19947932C1 (en) * 1999-09-28 2001-04-26 Fraunhofer Ges Forschung Device for magnetron sputtering has an outer plasma electrode with a first potential arranged between a target and a counter electrode with a second potential
DE10010448C1 (en) * 2000-03-03 2002-04-25 Multi Media Machinery Gmbh Cathode used for coating a substrate comprises yoke sides with magnets surrounding a yoke plate
DE10323258A1 (en) * 2003-05-23 2004-12-23 Applied Films Gmbh & Co. Kg Magnetron sputter cathode has cooling plate on vacuum side located between substrate plate and sputter target
US8715471B2 (en) 2003-05-23 2014-05-06 Applied Materials Gmbh & Co Kg Magnetron sputter cathode
US7588668B2 (en) * 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers

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