KR20060015298A - 투명도전막 부착 투광성 기판 - Google Patents
투명도전막 부착 투광성 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060015298A KR20060015298A KR1020057022473A KR20057022473A KR20060015298A KR 20060015298 A KR20060015298 A KR 20060015298A KR 1020057022473 A KR1020057022473 A KR 1020057022473A KR 20057022473 A KR20057022473 A KR 20057022473A KR 20060015298 A KR20060015298 A KR 20060015298A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive film
- film
- transparent conductive
- substrate
- transparent
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 title abstract 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 24
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 38
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 7
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 2
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L (z)-but-2-enedioate;dibutyltin(2+) Chemical compound [O-]C(=O)\C=C/C([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC ZBBLRPRYYSJUCZ-GRHBHMESSA-L 0.000 description 1
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(prop-2-enyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound C=CCN1C(=O)N(CC=C)C(=O)N(CC=C)C1=O KOMNUTZXSVSERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEERVPDNCOGWJF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenyl)benzene Chemical compound C=CC1=CC=C(C=C)C=C1 WEERVPDNCOGWJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzoyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC=C1Cl ONIKNECPXCLUHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- MURCDOXDAHPNRQ-ZJKZPDEISA-N L-685,458 Chemical compound C([C@@H]([C@H](O)C[C@H](C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(N)=O)CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 MURCDOXDAHPNRQ-ZJKZPDEISA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKNALXSEDPJVFW-UHFFFAOYSA-J [Sn].[Sn](Cl)(Cl)(Cl)Cl Chemical compound [Sn].[Sn](Cl)(Cl)(Cl)Cl QKNALXSEDPJVFW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L [acetyloxy(dibutyl)stannyl] acetate Chemical compound CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCCC[Sn+2]CCCC JJLKTTCRRLHVGL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L dibutyl(dichloro)stannane Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)CCCC RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N dibutyltin Chemical compound CCCC[Sn]CCCC AYOHIQLKSOJJQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L dichloro(dimethyl)stannane Chemical compound C[Sn](C)(Cl)Cl PKKGKUDPKRTKLJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021474 group 7 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,3-diene Chemical compound CCC=CC=C AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical group CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000005474 octanoate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N phenyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
- C23C18/1258—Spray pyrolysis
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 충분히 고투명한 투명도전막 부착 투광성 기판을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이러한 투광성 기판은 투광성 기판 상에 막두께가 12∼2㎚ 의 연속하는 투명도전막을 형성하여 이루어지는 투명도전막 부착 투광성 기판으로서, 바람직하게는 투명도전막이 주상 단결정의 집합체이고, 투명도전막의 최대 표면조도가 1∼20㎚ 의 범위이고, 투명도전막의 평균 표면조도가 0.1∼10㎚ 의 범위이고, 투명도전막은 주석도핑 산화인듐의 박막이고, 주석도핑 산화인듐의 박막 중에 주석원자가 균일하게 분포되어 있고, 파장 400㎚ 의 광에 대한 투과율이 88% 이상이고, 파장 350㎚ 의 광에 대한 투과율이 85% 이상이고, 전광선 투과율이 90% 이상인 투명도전막 부착 투광성 기판이다.
투명도전막, 표면조도, 투광성 기판
Description
기술분야
본 발명은 고투명 (高透明) 한 도전막이 부착된 투광성 기판에 관한 것이다.
종래기술
박막 투명도전막 부착 투광성 기판으로는, 일본 공개특허공보 평7-242442호에는 주석도핑 산화인듐 (ITO) 의 막두께가 23㎚ 이고 550㎚ 의 투과율이 95.1% (도 1 에서 400㎚ 의 투과율은 87.6% 라 생각됨) 인 것이 기재되어 있고, 일본 공개특허공보 평7-242443호에는 ITO 의 막두께가 20㎚ 이고 투과율이 400㎚ 에서 86.8%, 500㎚ 에서 92.2% 인 것이 기재되어 있다. 한편, 투명도전막 부착 투광성 기판의 도전막은 ㎚ 레벨의 극박막 (極薄膜) 으로 하면 연속막이 되지는 않는다고 생각되고 있었다.
발명의 개시
고투명한 투명도전막 부착 투광성 기판이 요망되고 있으나, 상기한 공보의 ITO 막에서도 가시광역 (380∼780㎚) 에서 반드시 충분히 고투명하다고는 할 수 없다.
본 발명은 충분히 고투명한 투명도전막 부착 투광성 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 연구한 결과, 투명 도전막 부착 투광성 기판의 도전막을 ㎚ 레벨의 극박막의 연속막을 얻는 것에 성공하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 이하와 같다.
(1) 투광성 기판 상에 막두께가 12∼2㎚ 인 연속하는 투명도전막을 형성하여 이루어지는 투명도전막 부착 투광성 기판.
(2) 투명도전막이 주상 (柱狀) 단결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 (1) 에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(3) 투명도전막의 최대 표면 조도 (粗度) 가 1∼20㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 (1)∼(2) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(4) 투명도전막의 평균 표면조도가 0.1∼10㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(5) 투명도전막이 주석도핑 산화인듐의 박막인 것을 특징으로 하는 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(6) 주석도핑 산화인듐의 박막 중에 주석원자가 균일하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 (5) 에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(7) 투명도전막이 기판 상에 스프레이 열분해법 또는 파이로졸법으로 제조된 도전막인 것을 특징으로 하는 (1)∼(6) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(8) 도전막을 기판 상의 온도가 400∼750℃ 인 범위에서 막형성하는 것을 특징으로 하는 (7) 에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(9) 파장 400㎚ 의 광에 대한 투과율이 88% 이상인 것을 특징으로 하는 (1)∼(8) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(10) 파장 350㎚ 의 광에 대한 투과율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 (1)∼(9) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
(11) 전광선 (全光線) 투과율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 (1)∼(10) 중 어느 하나에 기재된 투명도전막 부착 투광성 기판.
본 발명에 있어서, 투광성 기판은 입수하기 쉽고, 광투과성이나 그 밖의 물성 (物性) 면에서 우수한 유리기판 또는 수지기판이 바람직하다. 유리기판은 알칼리 유리와 무알칼리 유리로 크게 나눌 수 있다. 알칼리 유리는 저렴하고 입수가 용이하기 때문에 비용적 장점이 크지만, 알칼리 금속 산화물을 13∼14% 정도 함유하여, 이들 알칼리 금속으로부터의 오염을 방지하는 대책이 필요한 점, 내열성이 떨어지는 점 등의 결점이 있다. 한편, 무알칼리 유리는 알칼리 금속의 오염 염려가 없으며 내열성이 있으므로 바람직하다.
알칼리 유리로는, 예를 들어 SiO2：72중량%, Al2O3：2중량%, CaO：8중량%, MgO：4중량%, Na2O：13.5중량% 조성의 소다석회유리 등이 알려져 있고, 무알칼리 유리로는, 예를 들어 SiO2：49중량%, Al2O3：10중량%, B2O3：15중량%, BaO：25중량% 조성의 붕규산 (7059) 유리나, SiO2：53중량%, Al2O3：11중량%, B2O3：11중량%, CaO：2중량%, MgO：2중량%, BaO：15중량%, ZnO：6중량% 조성의 붕규산 (AN) 유리, SiO2： 54중량%, Al2O3：14중량%, B2O3：15중량%, MgO：25중량% 조성의 붕규산 (NA-40) 유리, 붕규산 (BLC) 유리, 무알칼리 (OA-10) 유리 등이 알려져 있다.
이들 유리 등의 기판의 표면조도에 있어서, 평균 표면조도 Ra≤10㎚, 최대 표면조도 Rmax≤50㎚ 가 되도록 연마하는 것이 바람직하다. 특히 알칼리 유리를 사용한 기판에서는, 평균 표면조도 Ra≤10㎚, 최대 표면조도 Rmax≤50㎚, 무알칼리 유리를 사용한 기판에서는, 평균 표면조도 Ra≤5, 최대 표면조도 Rmax≤20㎚ 가 바람직하다. 그 하한치로는 특별히 규제되는 것이 아니지만, 통상 평균 표면조도 Ra≥0.1㎚, 최대 표면조도 Rmax≥0.5㎚ 정도이다. 유리기판의 표면조도를 상기 범위 내로 조정하는 방법으로는, 다이아몬드, 산화세륨 등을 사용한 경면 연마 등을 하면 된다.
수지로서 구체적으로는, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리알릴레이트 등의 폴리에스테르, 폴리에테르술폰계 수지, 아몰퍼스폴리올레핀, 폴리스티렌, 아크릴수지 등으로 이루어지는 필름, 시트, 또는 판을 예시할 수 있다. 특히 투명성 및 성형성의 관점에서 폴리올레핀계의 투명 열경화성 수지로 이루어지는 것이 바람직하고, 불포화기를 2개 이상 갖는 다관능 단량체를 함유한 조성물을 중합시켜서 이루어지는 폴리올레핀계 공중합체가 더욱 바람직하게 사용된다.
불포화기를 2개 이상 갖는 상기 다관능 단량체의 구체적인 예로서, (ⅰ) 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메 트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등의 다가 알코올의 디-, 트리-, 테트라-(메트)아크릴레이트류, (ⅱ) p-디비닐벤젠, o-디비닐벤젠 등의 방향족 다관능 단량체, (ⅲ) (메트)아크릴산비닐에스테르, (메트)아크릴산알릴에스테르 등의 에스테르류, (ⅳ) 부타디엔, 헥사디엔, 펜타디엔 등의 디엔류, (ⅴ) 디클로로포스파젠을 원료로 하여 중합 다관능기를 도입한 포스파젠 골격을 갖는 단량체, (ⅵ) 트리알릴이소시아누레이트 등의 이원자 환상 골격을 갖는 다관능 단량체 등이 있다.
전술한 투명 열경화성 수지는, 내광성, 내산화 열화성 및 대전방지성의 각 관점에서 각종 자외선 흡수제, 산화방지제 및 대전방지제를 함유한 것이 바람직하다. 투명 열경화성 수지가 상기 폴리올레핀계 공중합체인 경우, 그 폴리올레핀계 공중합체는, 자외선 흡수성 또는 산화방지성을 갖는 단량체를 사용한 것이 바람직하다. 이러한 단량체의 바람직한 예로서, 불포화 이중결합을 갖는 벤조페논계 자외선 흡수제, 불포화 이중결합을 갖는 페닐벤조에이트계 자외선 흡수제, 힌더드아미노기를 치환기로서 갖는 (메트)아크릴산 단량체 등이 있다. 이들 단량체는 목적으로 하는 폴리올레핀계 공중합체를 얻기 위해 사용하는 단량체의 전량에 대하여 0.5∼20wt% 의 범위에서 사용되는 것이 바람직하다.
사용하는 수지 기판의 표면상태는, 표면조도의 제곱 평균값이 30㎚ 이하이고, 또한 그 평탄면 상에서의 500㎛×500㎛ 의 영역 내에 존재하는 60㎚ 이상의 돌 기 수가 20개 이하의 면인 것이 바람직하다. 또한, 평탄면에 대하여 본 발명에서 말하는 「표면조도의 제곱평균값」이란 표면의 요철에 대하여 그 높이의 평균값에서 시프트하는 제곱평균값이며, 표면의 요철 크기의 정도를 의미한다. 또한, 본 발명에서 말하는 「평탄면 상에서의 500㎛×500㎛ 의 영역 내에 존재하는 60㎚ 이상의 돌기 수」란 상기 평탄면 상의 10곳에 임의로 설정한 500㎛×500㎛ 의 영역 각각에 존재하는 높이 60㎚ 이상의 돌기 수의 평균값을 의미한다. 각 영역 내의 돌기의 높이 및 그 수는 전자현미경, 원자간력 현미경 등을 사용하여 구할 수 있다.
전술한 평탄면을 갖는 것이라면 어떠한 중합방법 및 성형방법에 의해 얻어진 것이든 상관없다. 또한, 그 두께는 목적으로 하는 용도 등에 따라 적절히 선택될 수 있지만, 그 투명 열경화성 수지 기판이 전술한 폴리올레핀계 공중합체로 이루어지는 경우에, 그 두께는 기계적 특성을 고려하여 0.1∼1.5㎜ 인 것이 바람직하고, 0.1∼1.0㎜ 인 것이 더욱 바람직하다.
투광성 기판과 투명도전막 사이에는 필요에 따라 투명도전막에 알칼리 성분 등이 침입하는 것을 방지하기 위해 무기 산화물막을 형성할 수 있다. 무기 산화물막으로서 구체적으로, 규소 산화물 (SiOx), 알루미늄 산화물 (Al2Ox), 티탄 산화물 (TiOx), 지르코늄 산화물 (ZrOx), 이트륨 산화물 (Y2Ox), 이테르븀 산화물 (Yb2Ox), 마그네슘 산화물 (MgOx), 탄탈 산화물 (Ta2Ox), 세륨 산화물 (CeOx) 또는 하프늄 산화물 (HfOx), 유기 폴리실란 화합물로 형성되는 폴리실란막, MgF2 막, CaF2 막, SiOx 와 TiOx 의 복합 산화물 등으로 이루어지는 막을 예시할 수 있다.
무기 산화물막의 막두께는 재질에 따라 적절히 변경할 수 있지만, 대략 2∼20㎚ 의 범위 내이다. 막두께가 너무 얇으면 알칼리 성분 등이 침입하는 것을 방지할 수 없다. 한편, 막두께가 너무 두꺼우면 광투과성이 저하한다.
무기 산화물막 표면의 평탄성은, 그 무기 산화물막의 하지 (下地) 인 전술한 기판에서의 평탄면의 평탄성과 같은 정도로 높은 것이 바람직하다. 이러한 평탄성을 갖는 무기 산화물막은, 직류 방식, 마그네트론 방식, 고주파 방전 방식 등의 스퍼터링법이나, 진공증착법, 이온플레이팅법, 플라즈마 CVD 법, 딥법, 스프레이 열분해법, 파이로졸법 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 어떤 방법으로 무기 산화물막을 형성하더라도, 막형성시의 기판온도는 전술한 기판이 실질적으로 열변형을 일으키지 않는 온도로 하는 것이 바람직하다.
투명도전막으로서 주석도핑 산화인듐 (ITO), 아연도핑 산화인듐 (IZO), 알루미늄도핑 산화아연, FTO, ATO, ZnO, SnO2, In2O3 등의 막이 있을 수 있으며, 바람직하게는 ITO 막이다. 투명도전막은 광투과율을 높이고자 하는 경우 얇으면 얇을수록 좋지만 섬 구조가 되지 않는 연속막일 필요가 있으므로, 막두께는 12∼2㎚, 바람직하게는 10∼2㎚, 광투과율을 높이기 위해서는 9∼2㎚, 광투과율을 더 높이기 위해서는 8∼2㎚ 가 바람직하다. 본 발명의 투명도전막 부착 투광성 기판의 광투과율은 파장 400㎚ 인 광에 대한 투과율이 바람직하게는 88% 이상, 더 바람직하게는 90% 이상, 전광선 투과율이 바람직하게는 90%이상, 더 바람직하게는 92% 이 상, 더욱 바람직하게는 93% 이상이다. 또한, 투명도전막 부착 투광성 기판은 더욱 단파장인 파장 350㎚ 인 광에 대한 투과율도 바람직하게는 85% 이상이고, 큰 것이 바람직하다.
투명도전막으로서 ITO 를 사용한 경우, 통상 In2O3 과 SnO2 를 화학량론 조성으로 함유하는데, 산소량은 다소 여기에서 편의 (偏倚) 되어 있어도 된다. InOX·SnOY 로 하면, X 는 1.0∼2.0, Y 는 1.6∼2.4 의 범위가 바람직하다. In2O3 에 대하여 SnO2 의 혼합비는 0.05∼40중량% 의 범위가 바람직하고, 또한 1∼20중량%, 나아가 5∼12중량% 의 범위가 더욱 바람직하다. SnO2 의 비율이 높으면 열적 안정성이 증가한다.
투명도전막의 제조방법으로는 기판 상에 박막을 막형성하는 방법이라면 특별히 제한되지 않고, 구체적으로는 스퍼터법, 전자빔법, 이온플레이팅법, 스크린인쇄법 또는 화학적 기상성장법 (CVD 법), 스프레이 열분해법, 파이로졸법 등을 예시할 수 있지만, 특히 스프레이 열분해법, 파이로졸법을 바람직하게 예시할 수 있다.
더욱 구체적으로, 스퍼터법에 의하면 금속 (예를 들어 인듐, 아연 등) 및 도핑되는 금속 (예를 들어 주석, 불소, 불소 화합물, 알루미늄 등) 의 혼합물 및 산소가스 또는 금속 산화물 (예를 들어 산화 인듐, 산화 아연 등) 을 소결 (燒結) 시킨 것 등을 타겟으로 사용하고, 전자빔법이나 이온플레이팅법에 의하면 금속 (예를 들어 인듐, 아연 등) 및 도핑되는 금속 (예를 들어 주석, 불소, 불소 화합물, 알루 미늄 등) 의 혼합물 및 산소가스, 또는 금속 산화물 (예를 들어 산화 인듐, 산화 아연 등) 을 소결시킨 것 등을 증발물질로서 사용함으로써 상기 투명도전막을 막형성할 수 있다.
스퍼터법을 사용하여 ITO 로 이루어지는 도전막을 형성하는 경우, 바람직하게는 SnO2 를 In2O3 에 도핑한 타겟을 사용한 DC 스퍼터 또는 RF 스퍼터법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
스퍼터 가스는 특별히 한정되지 않으며 Ar, He, Ne, Kr, Xe 등의 불활성 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하면 된다. 또한, 이들 가스에 O2 가 20% 이하로 함유될 수도 있다. 이러한 스퍼터 가스의 스퍼터시의 압력은 통상 0.1∼20Pa 정도이면 된다.
막형성시의 기판온도는 바람직하게는 150∼500℃ 이며, 특히 200∼400℃ 의 범위가 바람직하다.
ITO 등의 도전막 형성 후에 원한다면 가열처리할 수 있다. 가열처리의 온도는, 바람직하게는 100∼550℃ 이며, 150∼300℃ 의 범위가 더욱 바람직하고, 그 처리시간은 바람직하게는 0.1∼3시간이며, 0.3∼1시간이 더욱 바람직하다. 처리 분위기는 대기, 질소, 산소, 수소첨가 질소 분위기, 유기용매첨가 대기 또는 질소 분위기 등이 바람직하다.
CVD 법, 스프레이 열분해법, 파이로졸법 등에 사용하는 인듐 화합물은 열분해하여 산화인듐이 되는 물질이 바람직하고, 구체적으로 인듐트리스아세틸아세토네 이트 (In(CH3COCHCOCH3)3), 인듐트리스벤조일메타네이트(In(C6H5COCHCOC6H5)3), 3염화인듐 (InCl3), 질산인듐 (In(NO3)3), 인듐트리이소프로폭시드 (In(OPr-i)3) 등을 예시할 수 있고 바람직하게는 인듐트리스아세틸아세토네이트이다.
또한, 주석 화합물은 열분해하여 산화 제 2 주석이 되는 것을 바람직하게 사용할 수 있고, 구체적으로 염화 제 2 주석, 디메틸주석디클로라이드, 디부틸주석디클로라이드, 테트라부틸주석, 스타니아스옥토에이트 (Sn(OCOC7H15)2), 디부틸주석말레에이트, 디부틸주석아세테이트, 디부틸주석비스아세틸아세토네이트 등이 있다.
또한, 전술한 인듐 화합물 및 주석 화합물에 추가하여, 제 3 성분으로, Mg, Ca, Sr, Ba 등의 주기율표 제 2 족 원소, Sc, Y 등의 제 3 족 원소, La, Ce, Nd, Sm, Gd 등의 란타노이드, Ti, Zr, Hf 등의 제 4 족 원소, V, Nb, Ta 등의 제 5 족 원소, Cr, Mo, W 등의 제 6 족 원소, Mn 등의 제 7 족 원소, Co 등의 제 9 족 원소, Ni, Pd, Pt 등의 제 10 족 원소, Cu, Ag 등의 제 11 족 원소, Zn, Cd 등의 제 12 족 원소, B, Al, Ga 등의 제 13 족 원소, Si, Ge, Pb 등의 제 14 족 원소, P, As, Sb 등의 제 15 족 원소, Se, Te 등의 제 16 족 원소 등의 단체 또는 이들 화합물을 첨가하여 ITO 막을 형성하는 것도 바람직하다.
이들 원소의 첨가비율은 인듐에 대하여 0.05∼20원자% 정도가 바람직하고, 첨가원소에 따라 첨가비율은 다르며, 목적으로 하는 저항값에 맞는 원소 및 첨가량을 적절히 선정할 수 있다.
파이로졸법 또는 스프레이 열분해법에 의해 유리기판 상에 ITO 막을 막형성 하는 방법으로서, 전술한 인듐 화합물 및 주석 화합물을 메탄올, 에탄올 등의 알코올류, 아세톤, 메틸부틸케톤, 아세틸아세톤 등 케톤류 등의 유기용매에 용해시켜 혼합용액으로 한 후, 그 혼합 용액을 캐리어 가스 속에 미립자화하여 분산시켜 미리 400∼750℃, 바람직하게는 400∼550℃ 로 가열한 유리기판과 상압 (常壓) 하에서 접촉시키는 방법에 의해 제조할 수 있다. 그 혼합 용액의 미립자화는 초음파 무화 (霧化) 법, 스프레이법 등에 의해 실시할 수 있고, 균일한 입경 (粒徑) 의 미립자를 안정적으로 발생시킬 수 있는 초음파 무화법이 바람직하다. 캐리어 가스로는, 산화성 가스, 보통 공기가 사용된다.
이러한 파이로졸법을 사용한 경우, 그 혼합 용액의 미립자와 가열된 유리기판의 접촉에 의해 유리기판 상에 IT0 막 조성을 갖는 결정핵이 생성되고, 그 핵이 성장함에 따라 인접하는 핵과 접촉하여 그 접촉핵은 서로 구속되기 때문에 성장은 기판면에 대하여 수직방향이 주류가 되고, 그 결과 배향한 주상 단결정의 복합체인 ITO 막을 쉽게 얻을 수 있어 이러한 ITO 막은 에칭성이 좋다. 파이로졸법으로 ITO 막을 막형성한 경우에, 주석원자가 기판에서 막표면을 향해 막 중에 균일하게 분포하므로, 이러한 경우 얻어진 막을 균일화하기 위해 연마하지 않아도 된다. 이 경우, 균일하다는 것은 주석원자가 막표면에 편석 (偏析) 되지 않은 것을 말하며, 주석/인듐의 원자비에서 막표면 값이 막 중 평균값의 2배를 넘지 않는 것을 말한다.
투명도전막은 결정질 도전막인 것이 바람직하다. 그 막구조는 특별히 제한되는 것은 아니며, 괴상 (塊狀) 결정이 적층된 구조이어도 되지만, 그 중에서도 주상 단결정의 집합체인 것이 바람직하다. 투명도전막은, 그레인 사이즈가 20∼100㎚ 의 범위인 것이 바람직하다. 결정자의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 구형 또는 회전타원형이 바람직하고, 돌기, 각이 적은 것이 바람직하다. 또한, 결정자의 형상 및 크기는 투과형 현미경 (TEM) 을 사용하여 표면을 관찰함으로써 평가할 수 있다. 또한, 본 발명의 투명도전막은, 최대 표면조도 Rmax 가 바람직하게는 1∼20㎚ 이고, 더욱 바람직하게는 1∼15㎚ 의 범위이며, 평균 표면조도 Ra 는 바람직하게는 0.1∼10㎚ 이고, 더욱 바람직하게는 0.1∼1㎚ 의 범위이다.
이상과 같이, 기판 상에 막형성된 도전막에 대하여 필요에 따라 추가로 UV 오존 조사 (照射) 또는 산소 이온, 질소 이온, 아르곤 이온 등의 이온을 조사해도 된다. UV 오존 조사의 조건은 예를 들어, 광원의 주파장 2537Å, 1849Å, 조사조 내의 산소가스 도입량 10리터/분, 기판온도 10∼30℃, 조사시간 10분∼5시간이다. 또한 이온 조사의 조건은 예를 들어 조사조 내압 10-6∼10-1Pa, 조사 드라이브 전압 10∼1000V, 조사시간 10초∼1시간이다. 또한, 전술한 UV 오존 조사 및 이온 조사는 원하는 표면 요철을 갖는 도전막에 대하여 실시해도 된다. UV 오존 조사나 이온 조사를 한 경우에는, 기판을 손상시키지 않고 도전막 표면의 청정화를 달성할 수 있다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 실시예 1∼4 에서 제작한 ITO 유리의 분광 (分光) 특성 (투과율) 을 나타낸다.
도 2 는 실시예 1∼4 에서 제작한 ITO 유리의 분광특성 (반사율) 을 나타낸다.
도 3 은 실시예 3 에서 제작한 ITO 유리의 원자간력 현미경으로 얻어진 표면사진이다.
도 4 는 실시예 5∼6 에서 제작한 ITO 유리의 ESCA 에 의해 ITO 막의 깊이 방향에서의 인듐과 주석 함유량을 측정한 결과를 나타낸다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 실시예를 사용하여 본 발명을 더 상세하게 설명하는데, 본 발명의 범위는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
파이로졸법에 의해 ITO 막을 유리기판에 제작한다. 즉, SiO2 막 (막두께 10㎚) 을 프리코팅한 붕규산 (BLC) 유리 연마기판 (260×220×0.4㎜) 을 500℃ 로 가열한 컨베이어로 속에 벨트 컨베이어로 투입하고, 원자비가 12% 인 주석원자를 포함하는, 염화 제 2 주석-인듐아세틸아세토네이트의 아세틸아세톤 용액을 스프레이 형태로 하여 공기를 캐리어 가스로서 컨베이어로 속에 스프레이하고, 유리기판의 표면에 접촉시켜 열분해시킴으로써 막두께 12㎚ 의 ITO 막을 형성시킨다. 얻어진 ITO 막의 표면 저항치는 1.7KΩ/□ 이다. 또한, 원자간력 현미경 (AFM) 으로 막표면을 관찰한 결과, 평균 표면조도 Ra 는 0.7㎚, 최대 표면조도 Rmax 는 12㎚ 이다. 얻어진 ITO 유리의 분광특성의 투과율을 도 1 에, 반사율을 도 2 에 나타낸다.
실시예 2
벨트 컨베이어 속도 및 약제 무화량을 조정하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 막두께가 10㎚ 인 ITO 막을 형성시킨다.
얻어진 ITO 유리의 분석결과를 표 1 에, 분광특성의 투과율을 도 1 에, 반사율을 도 2 에 나타낸다.
실시예 3
파이로졸법에 의해 ITO 막을 유리기판에 제작한다. 즉, SiO2막 (막두께 10㎚) 을 프리코팅한 붕규산 (BLC) 유리 연마기판 (260×220×0.4㎜) 을 500℃ 로 가열한 컨베이어로 속에 벨트 컨베이어로 투입하고, 원자비가 12% 인 주석원자를 포함하는, 염화 제 2 주석-인듐아세틸아세토네이트의 아세틸아세톤 용액을 스프레이 형태로 하여 공기를 캐리어 가스로서 컨베이어로 속에 스프레이하고, 유리기판의 표면에 접촉시켜 열분해시킴으로써 막두께 8㎚ 의 ITO 막을 형성시킨다. AFM 으로 막표면을 관찰한 결과, 평균 표면조도 Ra 는 0.8㎚, 최대 표면조도 Rmax 는 13㎚ 이다. 얻어진 ITO 유리의 분광특성의 투과율을 도 1 에, 반사율을 도 2 에 나타낸다.
실시예 4
벨트 컨베이어 속도 및 약제 무화량을 조정하는 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 막두께가 6㎚ 인 ITO 막을 형성시킨다.
얻어진 ITO 유리의 분석결과를 표 1 에, 분광특성의 투과율을 도 1 에, 반사율을 도 2 에, AFM 으로 얻어진 표면사진을 도 3 에 나타낸다.
| 실시예 | ITO 막두께 (㎚) | Ra (㎚) | Rmax (㎚) | 투과율 | 전광선 투과율 | 저항값 (kΩ/□) | 도통 유무 | |
| (400㎚) | (550㎚) | |||||||
| 1 | 12 | 0.7 | 12 | 90 | 92 | 93 | 1.7 | 유 |
| 2 | 10 | 0.9 | 14 | 90 | 92 | 93 | 4.8 | 유 |
| 3 | 8 | 0.8 | 13 | 91 | 92 | 93 | 유 | |
| 4 | 6 | 0.6 | 9 | 92 | 93 | 93 | 유 | |
실시예 1∼4 에서 얻어진 ITO 유리는 세정하더라도 ITO 막이 박리되지 않고 알칼리 박리에도 침식되지 않는다.
실시예 5
약제를 원자비가 5% 인 주석원자를 포함하는 염화 제 2 주석-인듐아세틸아세토네이트의 아세틸아세톤 용액으로 하여 벨트 컨베이어 속도 및 약제 무화량을 조정하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 막두께가 10㎚ 인 ITO 막을 형성시킨다.
얻어진 ITO 유리의 전광선 투과율은 93% 이다. 막 중의 금속원자의 조성을 ESCA 를 사용하여 측정한 결과, 표면에서 기판을 향해 막 중에 주석원자가 편석되지 않고 균일하게 존재한다. 측정결과를 도 4 에 나타낸다.
실시예 6
벨트 컨베이어 속도 및 약제 무화량을 조정하는 것 이외에는 실시예 5 와 동일하게 하여 막두께가 8㎚ 인 ITO 막을 형성시킨다. 얻어진 ITO 유리의 전광선 투과율은 93% 이다. 막 중 금속원자의 조성을 ESCA 를 사용하여 측정한 결과, 표면에서 기판을 향해 막 중에 주석원자가 편석되지 않고 균일하게 존재한다. 측정결과를 도 4 에 나타낸다.
산업상이용가능성
본 발명의 투명도전막 부착 투광성 기판은, 고투명이고, 디바이스의 광량 절약·에너지 절약화가 가능하고, 액정 디스플레이 (LCD), 액정조광장치, LCD 렌즈 등의 전극으로서 바람직하여 산업상의 이용가치가 높다.
Claims (11)
- 막두께가 12∼2㎚ 인 연속하는 투명도전막을 투광성 기판 상에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명도전막은 주상 단결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투명도전막의 최대 표면조도는 1∼20㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명도전막의 평균 표면조도는 0.1∼10㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명도전막은 주석도핑 산화인듐의 박막인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 5 항에 있어서,주석원자가 상기 주석도핑 산화인듐의 박막 중에 균일하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명도전막은 기판 상에 스프레이 열분해법 또는 파이로졸법으로 제조된 도전막인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 7 항에 있어서,상기 도전막을 기판 상의 온도가 400∼750℃ 인 범위에서 막형성하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,파장 400㎚ 의 광에 대한 투과율이 88% 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,파장 350㎚ 의 광에 대한 투과율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,전광선 투과율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 투명도전막 부착 투광성 기판.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2003-00147265 | 2003-05-26 | ||
| JP2003147265 | 2003-05-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060015298A true KR20060015298A (ko) | 2006-02-16 |
| KR100743417B1 KR100743417B1 (ko) | 2007-07-30 |
Family
ID=33475365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057022473A KR100743417B1 (ko) | 2003-05-26 | 2004-05-26 | 투명도전막 부착 투광성 기판 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060285213A1 (ko) |
| EP (1) | EP1628310A4 (ko) |
| JP (1) | JP4538410B2 (ko) |
| KR (1) | KR100743417B1 (ko) |
| CN (1) | CN1795516B (ko) |
| WO (1) | WO2004105055A1 (ko) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601406B2 (en) | 2002-06-13 | 2009-10-13 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
| US7736693B2 (en) | 2002-06-13 | 2010-06-15 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
| US7566360B2 (en) | 2002-06-13 | 2009-07-28 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Nano-powder-based coating and ink compositions |
| US7864398B2 (en) | 2004-06-08 | 2011-01-04 | Gentex Corporation | Electro-optical element including metallic films and methods for applying the same |
| JP2006024535A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 有機薄膜素子の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| DE102004045883A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Diehl Bgt Defence Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Spiegels aus einem Werkstoff auf Titanbasis, sowie Spiegel aus einem solchem Werkstoff |
| KR101300442B1 (ko) | 2005-06-10 | 2013-08-27 | 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 | 강화 투명 전도성 코팅 및 이의 제조 방법 |
| JP4971618B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2012-07-11 | ジオマテック株式会社 | 表示用電極パターン製造方法 |
| US8169681B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-05-01 | Gentex Corporation | Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements |
| US8274729B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-09-25 | Gentex Corporation | Thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements |
| US8368992B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-02-05 | Gentex Corporation | Electro-optical element including IMI coatings |
| EP2426552A1 (en) * | 2006-03-03 | 2012-03-07 | Gentex Corporation | Electro-optic elements incorporating improved thin-film coatings |
| CA2644218C (en) | 2006-03-03 | 2014-12-02 | Gentex Corporation | Improved thin-film coatings, electro-optic elements and assemblies incorporating these elements |
| JP5099893B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
| CN102067243B (zh) * | 2008-06-24 | 2012-06-13 | 日本曹达株式会社 | 具有fto/ito层叠体的透明导电膜 |
| JP5275346B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-08-28 | パナソニック株式会社 | 色素増感太陽電池 |
| JP5431186B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2014-03-05 | 株式会社Ｎｓｃ | 表示装置の製造方法 |
| JP5101719B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
| CN102157609A (zh) * | 2011-01-21 | 2011-08-17 | 南开大学 | 一种改善ZnO透明导电薄膜形貌的方法 |
| JP6207500B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2017-10-04 | Hoya株式会社 | 眼鏡レンズの製造方法 |
| JP5498537B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2014-05-21 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
| JP6129769B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2017-05-17 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル用透明導電膜、透明導電膜の製造方法、タッチパネル及び表示装置 |
| KR20160146638A (ko) * | 2014-04-30 | 2016-12-21 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 필름 |
| JP5860558B1 (ja) * | 2015-03-20 | 2016-02-16 | 積水化学工業株式会社 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有するタッチパネル |
| CN111354508B (zh) * | 2016-07-15 | 2022-08-19 | 昇印光电（昆山）股份有限公司 | 一种柔性电极薄膜及应用 |
| JP7073589B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2022-05-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電層および透明導電性フィルム |
| CN113913764B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-05-16 | 浙江师范大学 | 一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774085B2 (ja) * | 1986-09-30 | 1995-08-09 | 日本曹達株式会社 | 導電性ガラス板 |
| DE3881974T2 (de) * | 1987-07-17 | 1993-11-11 | Lucas Ind Plc | Durchsichtige Gegenstände. |
| JPS6453148A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Sharp Kk | Inspecting device for liquid crystal display device |
| DE4427215A1 (de) * | 1993-08-02 | 1995-02-23 | Agency Ind Science Techn | Transparente und leitfähige ultradünne Filme und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JPH07173610A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-07-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 透明導電性超薄膜及びその製造方法 |
| JP3655330B2 (ja) * | 1994-06-08 | 2005-06-02 | 株式会社河合楽器製作所 | 酸化スズ（ｉｖ）膜の成膜方法 |
| JP3271906B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2002-04-08 | 科学技術振興事業団 | 酸化錫三元機能薄膜及びその製造方法 |
| JPH1167460A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH11126689A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
| JP3953161B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2007-08-08 | 藤森工業株式会社 | 透明導電性シートの製造法 |
| JPH11282383A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | 電極基板およびその製造方法 |
| JP2000113732A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-04-21 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜とその製造方法、透明導電膜付き基板およびタッチパネル |
| DE69942501D1 (de) * | 1998-07-06 | 2010-07-29 | Nissha Printing | Durchsichtige leitfähige folie für durchsichtige berührungsempfindliche tafel, durchsichtige berührungsempfindliche tafel mit durchsichtiger leitfähiger folie und verfahren zur herstellung einer durchsichtige leitfähige folie |
| JP3723366B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2005-12-07 | 住友重機械工業株式会社 | Ｉｔｏ透明導電膜付き基板およびｉｔｏ透明導電膜の成膜方法 |
| JP4377003B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2009-12-02 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 |
| JP3345638B2 (ja) * | 1999-11-11 | 2002-11-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 透明導電性膜およびその製造方法 |
| CN1257135A (zh) * | 1999-12-23 | 2000-06-21 | 复旦大学 | 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法 |
| JP2002041243A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜 |
| JP2002047559A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｉｔｏ膜及びその成膜方法 |
| JP4522566B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2010-08-11 | 日本曹達株式会社 | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法 |
| JP4586263B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2010-11-24 | 旭硝子株式会社 | 導電膜付き基体およびその製造方法 |
| JP2002194287A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 透明導電膜形成用塗料および透明導電膜と表示装置 |
| JP2002328439A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 原稿台ガラス |
| JP4319790B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2009-08-26 | 尾池工業株式会社 | 透明導電性積層体 |
| EP1450588B1 (en) * | 2001-11-22 | 2012-08-22 | Nippon Soda Co., Ltd. | El device |
-
2004
- 2004-05-26 KR KR1020057022473A patent/KR100743417B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-05-26 JP JP2005506440A patent/JP4538410B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-26 CN CN200480014274.0A patent/CN1795516B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-26 US US10/558,727 patent/US20060285213A1/en not_active Abandoned
- 2004-05-26 EP EP04734901A patent/EP1628310A4/en not_active Withdrawn
- 2004-05-26 WO PCT/JP2004/007543 patent/WO2004105055A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004105055A1 (ja) | 2004-12-02 |
| CN1795516B (zh) | 2014-10-22 |
| JPWO2004105055A1 (ja) | 2006-07-20 |
| EP1628310A1 (en) | 2006-02-22 |
| KR100743417B1 (ko) | 2007-07-30 |
| EP1628310A4 (en) | 2009-01-21 |
| JP4538410B2 (ja) | 2010-09-08 |
| CN1795516A (zh) | 2006-06-28 |
| US20060285213A1 (en) | 2006-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100743417B1 (ko) | 투명도전막 부착 투광성 기판 | |
| EP2128876B1 (en) | Process for producing electroconductor | |
| EP1633902B1 (en) | Physical vapor deposition of titanium-based films | |
| US6689477B2 (en) | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent electroconductive film | |
| EP1720175B1 (en) | Transparent conductive film and transparent conductive base material utilizing the same | |
| KR20050086413A (ko) | 발광 디스플레이 디바이스 제조용 물질 | |
| EP1450588B1 (en) | El device | |
| WO1991002102A1 (en) | Film based on silicon dioxide and production thereof | |
| KR20070084121A (ko) | 도전막 부착 기체 및 그 제조 방법 | |
| WO2016102401A1 (en) | Translucent conductive substrate for an organic light emitting device and method for its production | |
| CN1311286C (zh) | 改善了光学性能和电性能的功能薄膜 | |
| KR20150009858A (ko) | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 | |
| Yu et al. | Investigation of low resistance transparent F-doped SnO2/Cu bi-layer films for flexible electronics | |
| JP4168689B2 (ja) | 薄膜積層体 | |
| JPH07325313A (ja) | 導電性積層体 | |
| JP2001035273A (ja) | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 | |
| KR20150080849A (ko) | 복합체 투명 전극 | |
| JP2001015787A (ja) | 透明導電膜付き基体、その製造方法および太陽電池 | |
| JPH0952733A (ja) | 機能性物品 | |
| KR970000382B1 (ko) | 저반사 코팅유리 및 그 제조방법 | |
| KR102315283B1 (ko) | 몰리브덴 산화물을 주된 성분으로 하는 금속 산화물 박막 및 이러한 박막이 형성된 박막트랜지스터와 디스플레이 장치 | |
| JP7478721B2 (ja) | 透明電極付き基板の製造方法 | |
| JPH08227614A (ja) | 亜鉛−インジウム酸化物を含む透明導電体及び薄膜の作製方法 | |
| JPH06191894A (ja) | 電導性ガラス及びその製造方法 | |
| JP2000273618A (ja) | 透明導電性薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130712 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140711 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150710 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |