KR20050116151A - 메쉬 전극을 갖는 광전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메쉬 전극을 갖는 광전지 뿐만 아니라, 관련 시스템, 방법 및 성분들이 개시되어 있다.

Description

메쉬 전극을 갖는 광전지{PHOTOVOLTAIC CELL WITH MESH ELECTRODE}
본 발명은 메쉬 전극을 갖는 광전지 뿐만 아니라, 관련 시스템, 방법 및 성분들에 관한 것이다.
광전지는 빛 형태의 에너지를 전기 형태의 에너지로 전환하는 데 흔히 사용된다. 전형적인 광전지는 두 전극 사이에 배치된 광활성 물질을 포함한다. 일반적으로, 빛은 하나 또는 양쪽 모두의 전극을 통과하여 광활성 물질과 상호작용한다. 따라서, 하나 또는 양쪽 모두의 전극의 빛(예를 들어, 광활성 물질에 의해 흡수된 하나 이상의 파장에서의 빛)을 전송하는 능력은 광전지의 전체 효율을 제한할 수 있다. 많은 광전지에서, 빛이 통과하는 전극(들)을 형성하기 위해 반도체 물질(인듐 주석 산화물)의 막을 사용하는데, 이는 반도체 물질이 전기 전도성 물질보다 더 낮은 전기 전도성을 가지지만, 반도체 물질은 전기 전도성 물질들보다 더 많은 빛을 전송할 수 있기 때문이다.
화석 연료 기재의 에너지원에 대한 의존과 소비의 감소에 대한 요망에 우선적으로 기인하여 광전지 기술의 개발에 대한 관심이 증대되고 있다. 광전지 기술은 또한 다수에 의해 환경 친화적인 에너지 기술로서 간주된다. 그러나, 시판가능한 에너지 기술을 향한 광전지 기술을 위해서는, 광전지 시스템(빛을 전기에너지로 전환시키는 하나 이상의 광전지를 사용하는 시스템)의 재료 및 제조 비용이 어느 정도 적당한 시간의 주기에 대해 회복가능한 것이어야 한다. 하지만, 일부의 경우에서 실제 고안된 광전지 시스템과 관련된 비용(예를 들어, 재료 및/또는 제조 비용)이 이의 유용성 및 사용을 제한하고 있다.
개 요
본 발명은 메쉬 전극을 갖는 광전지 뿐만 아니라, 관련 시스템, 방법 및 성분들에 대한 것이다. 메쉬 전극은 양호한 전기 전도성(보통 전기 전도성 물질이지만, 반도체 물질 또한 사용될 수 있음)을 제공하는 물질로 이루어지고, 메쉬 전극은 충분한 빛을 전송하기에 충분히 넓은 개방된 영역을 가지고 있어 광전지가 빛을 전기에너지로 전환하는데 있어서 상대적으로 효율적이다.
한 측면에서, 본 발명은 다수의 광전지를 포함하는 광전지를 특징으로 하며, 여기서 각각의 광전지는 두 개의 전극과 전극 사이에 활성층을 포함한다. 하나 이상의 전극은 메쉬 형태이다. 활성층은 전자 수용체 물질 및 전자 공여 물질을 포함한다.
다른 측면에서, 본 발명은 두 전극 및 전극 사이의 활성층을 포함하는 각각의 광전지를 갖는, 다수의 광전지를 포함하는 시스템을 특징으로 한다. 하나 이상의 전극은 메쉬 형태이다. 활성층은 전자 수용체 물질 및 전자 공여 물질을 포함한다. 일부 구체예에서, 두 개 이상의 광전지들은 전기적으로 병렬로 연결되어 있다. 특정한 구체예에서, 두 개 이상의 광전지들은 전기적으로 직렬로 연결되어 있다. 특정 구체예에서, 두 개 이상의 광전지들은 전기적으로 병렬로 연결되고, 두 개 이상의 다른 광전지들은 전기적으로 직렬로 연결되어 있다.
추가의 측면에서, 본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 활성층, 제 1 전극과 활성층 사이의 정공방지층(hole blocking layer), 및 메쉬 전극과 활성층 사이의 정공운반층(hole carrier layer)을 포함하는 광전지를 특징으로 한다. 하나 이상의 전극은 메쉬 형태이다. 활성층은 전자 수용체 물질 및 전자 공여 물질을 포함한다.
다른 측면에서, 본 발명은 다수의 광전지를 포함하는 시스템을 특징으로 하며, 여기서 제 1 전극과 제 2 전극, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 활성층, 제 1 전극과 활성층 사이의 정공방지층, 및 메쉬 전극과 활성층 사이의 정공운반층을 포함한다. 하나 이상의 전극은 메쉬 형태이다. 활성층은 전자 수용체 물질 및 전자 공여 물질을 포함한다. 일부 구체예에서, 두 개 이상의 광전지들은 전기적으로 병렬로 연결되어 있다. 특정 구체예에서, 두 개 이상의 광전지들은 전기적으로 직렬로 연결되어 있다. 특정 구체예에서, 두 개 이상의 광전지들은 전기적으로 병렬로 연결되고, 두 개 이상의 다른 광전지들은 전기적으로 직렬로 연결되어 있다.
구체예들은 하나 이상의 하기 양상을 포함할 수 있다.
메쉬 전극은 캐쏘드 또는 애노드일 수 있다. 일부 구체예에서, 광전지는 메쉬 캐쏘드 및 메쉬 애노드를 가진다.
메쉬 전극은 와이어로 형성될 수 있다. 와이어는 전기 전도성 물질, 예컨대 전기 전도성 금속, 전기 전도성 합금, 또는 전기 전도성 중합체로 형성될 수 있다. 와이어는 전기 전도성 물질(전기 전도성 금속, 전기 전도성 합금, 또는 전기 전도성 중합체)의 코팅을 포함할 수 있다.
메쉬 전극은 예를 들어, 팽창된(expaned) 메쉬 또는 직조된(woven) 메쉬일 수 있다. 메쉬는 전기 전도성 물질(전기 전도성 금속, 전기 전도성 합금, 또는 전기 전도성 중합체)로 형성될 수 있다. 메쉬는 전기 전도성 물질(전기 전도성 금속, 전기 전도성 합금, 또는 전기 전도성 중합체)의 코팅을 포함할 수 있다.
전자 수용체 물질은 예를 들어, 플러렌(fullerene), 무기 나노입자, 원반상형 액정(discotic liquid crystal), 탄소 나노막대, 옥사디아졸, 또는 전자를 수용하거나 안정된 음이온을 형성할 수 있는 부분을 포함하는 중합체(예를 들어, CN 기를 포함하는 중합체, CF3 기를 포함하는 중합체)로 형성될 수 있다. 일부 구체예에서, 전자 수용체 물질은 치환된 플러렌이다.
전자 공여 물질은 원반상형 액정, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐비닐렌 및/또는 폴리이소티아나프탈렌으로 형성될 수 있다. 일부 구체예에서, 전자 공여 물질은 폴리(3-헥실티오펜)이다.
광전지는 활성층과 애노드(예를 들어, 메쉬 애노드 또는 비-메쉬 애노드) 사이에 정공방지층을 추가로 포함할 수 있다. 정공방지층은 예를 들어, LiF 또는 금속 산화물로 형성될 수 있다.
광전지는 또한 활성층과 캐쏘드(예를 들어, 메쉬 캐쏘드 또는 비-메쉬 캐쏘드) 사이에 정공운반층을 포함할 수 있다. 정공운반층은 예를 들어, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 및/또는 폴리비닐카바졸, 또는 하나 이상의 이러한 중합체들의 다중이온으로 형성될 수 있다.
일부 구체예에서, 정공운반층은 캐쏘드를 지지하는 기판과 접촉되어 있다.
특정 구체예에서, 광전지는 캐쏘드를 지지하는 기판과 정공운반층 사이에 접착성 물질을 추가로 포함한다. 일반적으로, 접착성 물질은 광전지의 표준 작업 조건 동안에 접착제와 접촉하고 있는 물질층에 부착할 수 있다. 일부 구체예에서, 접착제는 하나 이상의 열가소성 물질, 열경화성 수지, 또는 감압 접착제를 포함한다.
일부 구체예에서, 광전지 또는 광전지 시스템은 외부 부하에 전기적으로 연결되어 있다.
구체예들은 하나 이상의 하기의 이점을 제공할 수 있다.
일부 구체예에서, 메쉬 전극은 전기 전도성 물질(반도체 물질에 대립하는 것)로 형성되어 있기 때문에 양호한 전기 전도성을 제공할 수 있는 한편, 동시에 그를 통해 충분한 양의 빛을 허용하는 구조를 가져 광전지가 빛을 전기에너지로 전환하는데 있어서 보다 효율적이다.
특정 구체예에서, 메쉬 전극은 충분히 연질성(flexible)이어서 상기 메쉬 전극이 연속식의, 롤투롤(roll-to-roll) 제조 공정을 사용하여 광전지 내에 포함될 수 있도록 허용하기에, 상대적으로 높은 작업 처리량의 광전지의 제조를 가능하게 한다.
하나 이상의 메쉬 전극을 사용하여 광전지 제조와 관련된 비용 및/또는 복잡성을 감소시킬 수 있다.
하나 이상의 메쉬 전극을 갖는 광전지는, 특정 반도체 전극과 비교하여 보다 효율적인 방식으로 빛 형태의 에너지를 전기 형태의 에너지로 전환할 수 있다.
다른 특징 및 이점들은 하기 설명, 도면 및 청구항들로부터 명백해질 것이다.
도 1 은 광전지 구체예의 횡단면도이고;
도 2 는 메쉬 전극 구체예의 정면도이고;
도 3 은 도2의 메쉬 전극의 횡단면도이고;
도 4 는 메쉬 전극 일부의 횡단면도이고;
도 5 는 광전지의 다른 구체예의 횡단면도이고;
도 6 은 전기적으로 직렬로 연결된 다중 광전지를 포함하는 시스템의 사시도이며;
도 7 은 전기적으로 직렬로 연결된 다중 광전지를 포함하는 시스템의 사시도이다.
도 1 은 투명 기판(110), 메쉬 캐쏘드(120), 정공운반층(130), 광활성층(140)(전자 수용체 물질 및 전자 공여 물질을 포함), 정공방지층(150), 애노드(160), 및 기판(170) 을 포함하는 광전지(100)의 횡단면도를 나타낸다.
일반적으로, 사용시, 빛은 기판(110)의 표면에 충돌하여, 기판(110), 캐쏘드(120)의 개구 및 정공운반층(130)을 통과한다. 이후 상기 빛은 광활성층(140)과 상호 작용하여, 층(140)의 전자 공여 물질로부터 층(140)의 전자 수용체 물질로의 전자의 이동을 초래한다. 이후 전자 수용체 물질은 전자를 정공방지층(150)을 통해 애노드(160)으로 운반하며, 전자 공여 물질은 정공을 정공운반층(130)을 통해 메쉬 캐쏘드(120)으로 운반한다. 애노드(160) 및 메쉬 캐쏘드(120)은 외부 부하를 통해 전기적으로 연결되어 있어 전자는 애노드(160)을 지나, 상기 부하를 통해, 캐쏘드(120)으로 이동한다.
도 2 및 3 에서와 같이, 메쉬 캐쏘드(120)은 중실(solid) 영역(122) 및 개방 영역(124)를 포함한다. 일반적으로, 영역(122)는 전기 전도성 물질로 형성되어 있어서 메쉬 캐쏘드(120)은 빛이 영역(124)를 통해 이를 통과할 수 있게 해 주며 영역(122)를 통해 전자를 전도할 수 있게 한다.
개방 영역(124)(메쉬 캐쏘드(120)의 개방 영역)로 점유된 메쉬 캐쏘드(120)의 영역은 필요에 따라 선택될 수 있다. 일반적으로, 메쉬 캐쏘드(120)의 개방 면적은 메쉬 캐쏘드(120)의 총 면적의 약 10% 이상(예를 들어, 약 20% 이상, 약 30% 이상, 약 40% 이상, 약 50% 이상, 약 60% 이상, 약 70% 이상, 약 80% 이상) 및/또는 약 99% 이하(예를 들어, 약 95% 이하, 약 90% 이하, 약 85% 이하)이다.
메쉬 캐쏘드(120)은 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 일부 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)은 중실 영역(122)를 형성하는 물질의 와이어를 직조하여 형성된 직조된 메쉬이다. 와이어는 예를 들어, 평직(plain weave), 더치(Dutch), 직조, 능직(twill weave), 더치 능직(Dutch twill weave), 또는 이의 조합을 사용하여 직조질 수 있다. 특정 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)은 용접된 와이어 메쉬로 형성된다. 일부 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)은 팽창된 메쉬로 형성된다. 팽창된 금속 메쉬는 예를 들어, 영역(124)를 물질(예를 들어 금속과 같은, 전기 전도성 물질)의 시트로부터 제거(예를 들어, 레이저 제거, 화학 에칭, 천공을 통한 제거)하고, 이어서 시트를 연신시킴(예를 들어, 시트를 2차원으로 연신시킴)으로써 제조될 수 있다. 특정 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)은 시트의 후속 연신 없이 영역(124)를 제거(예를 들어, 레이저 제거, 화학 에칭, 천공을 통한 제거)함으로써 형성된 금속 시트이다.
특정 구체예에서, 중실 영역(122)는 전적으로 전기 전도성 물질(예를 들어, 영역(122)는 전기 전도성인 실질적으로 균질한 물질로 형성된다)로 형성된다. 영역(122)에 사용될 수 있는 전기 전도성 물질의 예로서는 전기 전도성 금속, 전기 전도성 합금 및 전기 전도성 중합체를 포함한다. 대표적인 전기 전도성 금속으로는 금, 은, 구리, 니켈, 팔라듐, 플래티늄 및 티타늄을 포함한다. 대표적인 전기 전도성 합금으로는 스테인리스강(예를 들어, 332 스테인리스강, 316 스테인리스강), 금 합금, 은 합금, 구리 합금, 니켈 합금, 팔라듐 합금, 플래티늄 합금 및 티타늄 합금을 포함한다. 대표적인 전기 전도성 중합체로는 폴리티오펜(예를 들어, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)), 폴리아닐린(예를 들어, 도핑된 폴리아닐린), 폴리피롤(예를 들어, 도프된 폴리피롤)을 포함한다. 일부 구체예에서, 전기 전도성 물질의 조합이 사용된다.
도 4 에서와 같이, 일부 구체예에서, 중실 영역(122)는 다른 물질(304)(예를 들어, 금속화, 기상 증착을 이용)로 코팅된 물질(302)로 형성된다. 일반적으로, 물질(302)는 임의의 바람직한 물질(예를 들어, 전기 절연성 물질, 전기 전도성 물질, 또는 반도체 물질)로 형성될 수 있으며, 물질(304)는 전기 전도성 물질이다. 물질(302)를 형성할 수 있는 전기 절연성 물질의 예로서는 직물, 광섬유 물질, 중합성 물질(예를 들어, 나일론) 및 천연 물질(예를 들어, 아마, 면, 모, 실크)을 포함한다. 물질(302)를 형성할 수 있는 전기 전도성 물질의 예로서는 상기 개시된 전기 전도성 물질을 포함한다. 물질(302)를 형성할 수 있는 반도체 물질의 예로서는 인듐 주석 산화물, 플루오로화 주석 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물을 포함한다. 일부 구체예에서, 물질(302)는 섬유의 형태이고, 물질(304)는 물질(302) 상에 코팅된 전기 전도성 물질이다. 특정 구체예에서, 물질(302)는 메쉬로 형성된 후에, 물질(304)로 코팅된 메쉬(상기 설명 참조)의 형태이다. 예로서, 물질(302)는 팽창된 금속 메쉬일 수 있고, 물질(304)는 상기 팽창된 금속 메쉬 상에 코팅된 PEDOT일 수 있다.
일반적으로, 메쉬 캐쏘드(120)의 최대 두께(즉, 메쉬 캐쏘드(120)과 접촉하고 있는 기판(110)의 표면에 실질적으로 직각인 방향의 메쉬 캐쏘드(120)의 최대 두께)는 정공운반층(130)의 총 두께 미만이어야 한다. 보통, 메쉬 캐쏘드(120)의 최대 두께는 0.1 마이크론 이상(예를 들어, 약 0.2 마이크론 이상, 약 0.3 마이크론 이상, 약 0.4 마이크론 이상, 약 0.5 마이크론 이상, 약 0.6 마이크론 이상, 약 0.7 마이크론 이상, 약 0.8 마이크론 이상, 약 0.9 마이크론 이상, 약 1 마이크론 이상) 및/또는 약 10 마이크론 이하(예를 들어, 약 9 마이크론 이하, 약 8 마이크론 이하, 약 7 마이크론 이하, 약 6 마이크론 이하, 약 5 마이크론 이하, 약 4 마이크론 이하, 약 3 마이크론 이하, 약 2 마이크론 이하)이다.
직사각 형태를 갖는 것으로서 도 2 에 보여진 바와 같이, 개방 영역(124)는 보통 임의의 바람직한 형태(예를 들어, 사각형, 원형, 반원형, 삼각형, 다이아몬드형, 타원형, 사다리꼴형, 부정형)를 가질 수 있다. 일부 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120) 내의 다른 개방 영역(124)는 다른 형태들을 가질 수 있다.
사각 횡단면 형태를 갖는 것으로서 도 3 에 보여진 바와 같이, 중실 영역(122)는 보통 임의의 바람직한 형태(예를 들어, 사각형, 원형, 반원형, 삼각형, 다이아몬드형, 타원형, 사다리꼴형, 부정형)를 가질 수 있다. 일부 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120) 내의 다른 중실 영역(122)는 다른 형태들을 가질 수 있다.
일부 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)는 연질성이다(예를 들어, 연속식의, 롤투롤 제조 공정을 사용하여 광전지(100) 내에 포함되기에 충분히 연질성이다). 특정 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)은 반경질성 또는 비연질성이다. 일부 구체예에서, 메쉬 캐쏘드(120)의 다른 영역은 연질성, 반경질성 또는 비연질성(예를 들어, 하나 이상의 연질성인 영역 및 하나 이상의 다른 반경질성 영역, 하나 이상의 연질성 영역 및 하나 이상의 다른 비연질성 영역)일 수 있다.
기판(110)은 일반적으로 투명성 물질로 이루어진다. 본원에서, 투명성 물질은 광전지(100)에서 사용된 두께에서, 광전지의 작동 중에 사용된 파장 또는 파장 범위에서 입사광의 약 60% 이상(예를 들어, 약 70% 이상, 약 75% 이상, 약 80% 이상, 약 85% 이상)을 투과하는 물질이다. 기판(110)을 형성하는 대표적인 물질로서는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 중합성 탄화수소, 셀룰로오스 중합체, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리에테르 및 폴리에테르 케톤을 포함한다. 특정 구체예에서, 중합체는 플루오로화 중합체이다. 일부 구체예에서, 중합성 물질의 조합이 사용된다. 특정 구체예에서, 기판(110)의 다른 영역이 다른 물질들로 형성될 수 있다.
일반적으로, 기판(110)은 연질성, 반경질성 또는 경질성(예를 들어, 유리)일 수 있다. 일부 구체예에서, 기판(110)은 약 5,000 메가파스칼 미만의 굴곡 탄성률을 가진다. 특정 구체예에서, 기판(110)의 다른 영역들은 연질성, 반경질성 또는 경질성(예를 들어, 하나 이상의 연질성 영역 및 하나 이상의 다른 반경질성 영역, 하나 이상의 연질성 영역 및 하나 이상의 다른 경질성 영역)일 수 있다.
보통, 기판(110)은 약 1 마이크론 이상(예를 들어, 약 5 마이크론 이상, 약 10 마이크론 이상)의 두께 및/또는 약 1,000 마이크론 이하(예를 들어, 약(500) 마이크론 두께 이하, 약 300 마이크론 두께 이하, 약 200 마이크론 두께 이하, 약(100) 마이크론 이하, 약 50 마이크론 이하)의 두께이다.
일반적으로, 기판(110)은 착색 또는 비착색될 수 있다. 일부 구체예에서, 하나 이상의 기판(110)의 일부가 착색되는 한편 하나 이상의 기판(110)의 다른 일부는 비착색된다.
기판(110)은 하나의 2차원 표면(예를 들어, 빛이 작용하는 표면), 두 개의 2차원 표면(예를 들어, 빛이 작용하는 표면 및 그 반대 표면)을 가질 수 있거나, 2 차원 표면을 가지지 않는다. 비 2차원 표면의 기판(110)은 예를 들어, 구부러지거나 단이 새겨질 수 있다. 일부 구체예에서, 비 2차원 표면의 기판(110)은 패턴화되어 있다(예를 들어, 프레넬 렌즈(Fresnel lens), 렌티큘러 렌즈(lenticular lens) 또는 렌티큘러 프리즘(lenticular prism)를 형성하는 패턴화된 단계를 가진다).
정공운반층(130)은 일반적으로 광전지(100)에서 사용된 두께에서, 정공을 메쉬 캐쏘드으로 전달하고 실질적으로 메쉬 캐쏘드(120)으로의 전자의 이동을 방지하는 물질로 이루어진다. 층(130)을 형성할 수 있는 물질의 예로서는 폴리티오펜(예를 들어, PEDOT), 폴리아닐린, 폴리비닐카바졸, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐렌비닐렌 및/또는 폴리이소티아나프탈렌을 포함한다. 일부 구체예에서, 정공운반층(130)은 정공 운반 물질의 조합을 포함할 수 있다.
일반적으로, 정공운반층(130)의 상부 표면(즉, 활성층(140)과 접하고 있는 정공운반층(130)의 표면)과 기판(110)의 상부 표면(즉, 메쉬 전극(120)과 접해 있는 기판(110)의 표면) 사이의 거리는 필요에 따라 다양할 수 있다. 보통, 정공운반층(130)의 상부 표면과 메쉬 캐쏘드(120)의 상부 표면 사이의 거리는 0.01 마이크론 이상(예를 들어, 약 0.05 마이크론 이상, 약 0.1 마이크론 이상, 약 0.2 마이크론 이상, 약 0.3 마이크론 이상, 약 0.5 마이크론 이상) 및/또는 약 5 마이크론 이하(예를 들어, 약 3 마이크론 이하, 약 2 마이크론 이하, 약 1 마이크론 이하)이다. 일부 구체예에서, 정공운반층(130)의 상부 표면과 메쉬 캐쏘드(120)의 상부 표면 사이의 거리는 약 0.01 마이크론 내지 약 0.5 마이크론이다.
활성층(140)은 일반적으로 전자 수용체 물질 및 전자 공여 물질을 포함한다.
전자 수용체 물질의 예로서는 플러렌, 옥사디아졸, 탄소 나노막대, 원반상형 액정, 무기 나노입자(예를 들어, 아연 산화물, 텅스텐 산화물, 인듐 인화물, 카드뮴 셀렌화물 및/또는 납 황화물로 형성된 나노입자), 무기 나노막대(예를 들어, 아연 산화물, 텅스텐 산화물, 인듐 인화물, 카드뮴 셀렌화물 및/또는 납 황화물로 형성된 나노막대), 또는 전자를 수용하거나 안정한 음이온을 형성할 수 있는 부분을 포함하는 중합체(예를 들어, CN 기를 포함하는 중합체, CF3 기를 포함하는 중합체)로 형성된 물질을 포함한다. 일부 구체예에서, 전자 수용체 물질은 치환된 플러렌이다(예를 들어, PCBM). 일부 구체예에서, 활성층(140)은 전자 수용체 물질의 조합을 포함할 수 있다.
전자 공여 물질의 예로서는 원반상형 액정, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐비닐렌, 및 폴리이소티아나프탈렌을 포함한다. 일부 구체예에서, 전자 공여 물질은 폴리(3-헥실티오펜)이다. 특정 구체예에서, 활성층(140)은 전자 공여 물질의 조합을 포함할 수 있다.
일반적으로, 활성층(140)은 충분히 두꺼워 그 위에 작용하는 광자를 흡수하는데 있어서 상대적으로 효율적이어서 상응하는 전자 및 정공을 형성하며, 충분히 얇아서 정공과 전자를 각각 층(130)과 층(150)으로 운반하는데 있어서 상대적으로 효율적이다. 특정 구체예에서, 층(140)은 0.05 마이크론 이상(예를 들어, 약 0.1 마이크론 이상, 약 0.2 마이크론 이상, 약 0.3 마이크론 이상)의 두께 및/또는 약 1 마이크론 이하(예를 들어, 약 0.5 마이크론 이하, 약 0.4 마이크론 이하)의 두께이다. 일부 구체예에서, 층(140)은 약 0.1 마이크론 내지 약 0.2 마이크론의 두께이다.
정공방지층(150)은 광전지(100)에서 사용되는 두께에서, 전자를 애노드(160)으로 운반하고 애노드(160)으로의 정공의 운반을 실질적으로 방지하는 물질로 일반적으로 형성된다. 층(150)을 형성하는 물질의 예로서는 LiF 및 금속 산화물(예를 들어, 아연 산화물, 티타늄 산화물)이 있다.
보통, 정공방지층(150)은 0.02 마이크론 이상(예를 들어, 약 0.03 마이크론 이상, 약 0.04 마이크론 이상, 약 0.05 마이크론 이상)의 두께 및/또는 약 0.5 마이크론 이하(예를 들어, 약 0.4 마이크론 이하, 약 0.3 마이크론 이하, 약 0.2 마이크론 이하, 약 0.1 마이크론 이하)의 두께이다.
애노드(160)은 일반적으로 전기 전도성 물질, 예컨대 상기 언급된 하나 이상의 전기 전도성 물질로 형성된다. 일부 구체예에서, 애노드(160)은 전기 전도성 물질들의 조합으로 형성된다.
기판(170)은 투명성 물질 또는 비투명성 물질로 이루어진다. 예를 들어, 광전지가 사용시 애노드(160)을 통과하는 빛을 사용하는 구체예에서, 기판(170)은 바람직하게는 투명성 물질로 형성된다.
기판(170)을 형성하는 대표적인 물질로서는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 중합성 탄화수소, 셀룰로오스 중합체, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리에테르 및 폴리에테르 케톤을 포함한다. 특정 구체예에서, 중합체는 플루오로화 중합체이다. 일부 구체예에서, 중합성 물질들의 조합이 사용된다. 특정 구체예에서, 기판(110)의 다른 영역이 다른 물질들로 형성될 수 있다.
일반적으로, 기판(170)은 연질성, 반경질성 또는 경질성일 수 있다. 일부 구체예에서, 기판(170)은 약 5,000 메가파스칼 미만의 굴곡 탄성률을 가진다. 특정 구체예에서, 기판(170)의 다른 영역들은 연질성, 반경질성 또는 경질성(예를 들어, 하나 이상의 연질성 영역 및 하나 이상의 다른 반경질성 영역, 하나 이상의 연질성 영역 및 하나 이상의 다른 경질성 영역)일 수 있다. 보통, 기판(170)은 실질적으로 비분산성이다.
보통, 기판(170)은 약 1 마이크론 이상(예를 들어, 약 5 마이크론 이상, 약 10 마이크론 이상)의 두께 및/또는 약 200 마이크론 이하(예를 들어, 약(100) 마이크론 이하, 약 50 마이크론 이하)의 두께이다.
일반적으로, 기판(170)은 착색 또는 비착색될 수 있다. 일부 구체예에서, 하나 이상의 기판(170)의 일부가 착색되는 한편 하나 이상의 기판(170)의 다른 일부는 비착색된다.
기판(170)은 하나의 2차원 표면(예를 들어, 애노드(160)을 통과하는 빛을 사용하는 광전지(100)을 사용 중인 구체예에서 빛이 작용하는 기판(170)의 표면), 두 개의 2차원 표면(예를 들어, 애노드(160)을 통과하는 빛을 사용하는 광전지(100)을 사용 중인 구체예에서 빛이 작용하는 기판(170)의 표면 및 기판(170)의 반대 표면)을 가질 수 있거나, 2 차원 표면을 가지지 않는다. 비 2차원 표면의 기판(170)은 예를 들어, 구부러지거나 단이 새겨질 수 있다. 일부 구체예에서, 비 2차원 표면의 기판(170)은 패턴화되어 있다(예를 들어, 프레넬 렌즈, 렌티큘러 렌즈 또는 렌티큘러 프리즘을 형성하는 패턴화된 단계를 가진다).
도 5는 기판(110)과 정공운반층(130) 사이의 접착층(410)을 포함하는 광전지(400)의 횡단면도를 보여준다.
일반적으로, 적절히 메쉬 캐쏘드(130)을 지닐 수 있는 임의의 물질이 접착층(410)에 사용될 수 있다. 일반적으로, 접착층(410)은 광전지(400)에서 사용되는 두께에서 투명성 물질로 형성된다. 접착제의 예로서는 에폭시 및 우레탄을 포함한다. 접착층(410)에 사용될 수 있는 시판되는 물질의 예로서는 BynelTM 접착제 (DuPont) 및 615 접착제(3M)를 포함한다. 일부 구체예에서, 층(410)은 플루오로화 접착제를 포함할 수 있다. 특정 구체예에서, 층(410)은 전기 전도성 접착제를 포함한다. 전기 전도성 접착제는 예를 들어, 본래 전기 전도성인 중합체, 예컨대 상기 개시된 바와 같은 전기 전도성 중합체(예를 들어, PEDOT)로 형성될 수 있다. 전기 전도성 접착제는 하나 이상의 전기 전도성 물질(예를 들어, 전기 전도성 입자)을 포함하는 중합체(예를 들어, 본래 전기 전도성이 아닌 중합체)로 형성될 수 있다. 일부 구체예에서, 층(410)은 하나 이상의 전기 전도성 물질을 포함하는 본래 전기 전도성인 중합체를 포함한다.
일부 구체예에서, 층(410)의 두께(즉, 층(410)에 접해 있는 기판(110)의 표면에 실질적으로 직각인 방향의 층(410)의 두께)는 메쉬 캐쏘드(120)의 최대 두께보다 덜 두껍다. 일부 구체예에서, 층(410)의 두께는 메쉬 캐쏘드(120)의 최대 두께의 약 90% 이하(예를 들어, 약 80% 이하, 약 70% 이하, 약 60% 이하, 약 50% 이하, 약 40% 이하, 약 30% 이하, 약 20% 이하)이다. 그러나, 특정 구체예에서는, 층(410)의 두께는 메쉬 캐쏘드(130)의 최대 두께와 거의 같거나 그보다 초과이다.
일반적으로, 메쉬 캐쏘드를 가지는 광전지는 목적하는 바에 따라 제조될 수 있다.
일부 구체예에서, 광전지는 하기와 같이 제조될 수 있다. 전극(160)은 통상적인 기술을 사용하여 기판(170) 상에 형성되고, 정공방지층(150)은 전극(160) 상에 형성된다(예를 들어, 진공 증착 공정 또는 용액 코팅 공정을 사용). 활성층(140)은 정공방지층(150) 상에 형성된다(예를 들어, 용액 코팅 공정, 예컨대 슬롯 코팅, 스핀 코팅 또는 그라비아 코팅을 사용). 정공운반층(130)은 활성층(140) 상에 형성된다(예를 들어, 용액 코팅 공정, 예컨대 슬롯 코팅, 스핀 코팅 또는 그라비아 코팅을 사용). 메쉬 캐쏘드(120)은 정공운반층(130) 내에 부분적으로 배치된다(예를 들어, 메쉬 캐쏘드(120)을 정공운반층(130)의 표면 상에 배치하고, 메쉬 캐쏘드(120)을 가압한다). 이후 기판(110)을 통상적인 방법을 사용하여 메쉬 캐쏘드(120) 및 정공운반층(130) 상에 형성시킨다.
특정 구체예에서, 광전지는 하기와 같이 제조될 수 있다. 전극(160)은 통상적인 기술을 사용하여 기판(170) 상에 형성되고, 정공방지층(150)은 전극(160) 상에 형성된다(예를 들어, 진공 증착 공정 또는 용액 코팅 공정을 사용). 활성층(140)은 정공방지층(150) 상에 형성된다(예를 들어, 용액 코팅 공정, 예컨대 슬롯 코팅, 스핀 코팅 또는 그라비아 코팅을 사용). 정공운반층(130)은 활성층(140) 상에 형성된다(예를 들어, 용액 코팅 공정, 예컨대 슬롯 코팅, 스핀 코팅 또는 그라비아 코팅을 사용). 활성층(410)은 통상적인 방법을 사용하여 정공운반층(130) 상에 배치된다. 메쉬 캐쏘드(120)은 접착층(410) 및 정공운반층(130) 내에 부분적으로 배치된다(예를 들어, 메쉬 캐쏘드(120)을 접착층(410)의 표면 상에 배치하고, 메쉬 캐쏘드(120)을 가압한다). 이후 기판(110)을 통상적인 방법을 사용하여 메쉬 캐쏘드(120) 및 접착층(410) 상에 형성시킨다.
앞서 말한 방법들이 정공운반층(130)에 메쉬 캐쏘드(120)을 부분적으로 배치하는 것에 관계하는 한편, 일부 구체예에서는, 메쉬 캐쏘드(120)은 운반층(130) 또는 접착층(410)의 표면상에 캐쏘드 물질을 인쇄함으로써 형성되어, 도면에 보여진 개방형 구조를 갖는 전극을 제공한다. 예를 들어, 메쉬 전극(120)은 잉크젯 프린터, 스크린 프린터, 또는 그라비아 프린터를 이용하여 인쇄될 수 있다. 캐쏘드 물질은 가열 또는 복사(예를 들어, UV 복사, 가시광선 복사, IR 복사, 전자빔 복사)로 고형화하는 페이스트로 배치될 수 있다. 캐쏘드 물질은 예를 들어, 스크린을 통해 메쉬 패턴으로 진공 증착될 수 있거나 증착 후에 사진석판술에 의해 패턴화될 수 있다.
복수의 광전지들이 광전지 시스템을 형성하기 위해 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 도 6은 광전지(520)을 포함하는 모듈(510)을 갖는 광전지 시스템(500)의 사시도이다. 전지(520)은 전기적으로 직렬로 연결되어 있고, 시스템(500)은 부하에 전기적으로 연결되어 있다. 다른 예로서, 도 7은 광전지(620)를 포함하는 모듈(610)을 갖는 광전지 시스템(600)의 사시도이다. 전지(620)은 전기적으로 병렬로 연결되어 있고, 시스템(600)은 부하에 전기적으로 연결되어 있다. 일부 구체예에서, 광전지 시스템의 일부(예를 들어, 모든)의 광전지는 하나 이상의 공통 기판을 가진다. 특정 구체예에서, 광전지 시스템의 일부 광전지들은 전기적으로 직렬로 연결되어 있고, 광전지 시스템의 일부의 광전지는 전기적으로 병렬로 연결되어 있다.
특정 구체예들이 개시되어 있지만, 다른 구체예들 또한 가능하다.
다른 예로써, 메쉬로 형성된 캐쏘드가 기술되어 있는 한편, 일부 구체예에서 메쉬 애노드가 사용될 수 있다. 이는 예를 들어, 애노드에 의해 전달된 빛이 사용되는 경우에 바람직할 수 있다. 특정 구체예에서, 메쉬 캐쏘드과 메쉬 애노드 모두가 사용된다. 이는 예를 들어, 캐쏘드과 애노드 모두에 의해 전달되는 빛이 사용되는 경우에 바람직할 수 있다.
예로써, 구체예들이 전지의 캐쏘드쪽을 통해 전달되는 빛이 사용되는 것을 일반적으로 기술하고 있는 반면, 특정 구체예에서 전지의 애노드쪽에 의해 전달되는 빛이 사용된다(예를 들어, 메쉬 애노드가 사용되는 경우). 일부 구체예에서, 전지의 캐쏘드과 애노드 모두에 의해 전달된 빛이 사용된다(메쉬 캐쏘드과 메쉬 애노드가 사용되는 경우).
추가의 예로써, 전극(예를 들어, 메쉬 전극, 비-메쉬 전극)들이 전기 전도성 물질로 형성되는 것으로 기술되는 한편, 일부 구체예에서 광전지는 반도체 물질로 형성된 하나 이상의 전극(예를 들어, 하나 이상의 메쉬 전극, 하나 이상의 비-메쉬 전극)을 포함할 수 있다. 반도체 물질의 예로써 인듐 주석 산화물, 플루오로화 주석 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물을 포함한다.
추가의 예로써, 일부 구체예에서, 하나 이상의 반도체 물질이 메쉬 전극의 개방 영역에 배치될 수 있다(예를 들어, 메쉬 캐쏘드의 개방 영역, 메쉬 애노드의 개방 영역, 메쉬 캐쏘드의 개방 영역 및 메쉬 애노드의 개방 영역). 반도체 물질의 예로써 주석 산화물, 플루오로화 주석 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물을 포함한다. 보통, 메쉬 전극의 개방 영역에 배치된 반도체 물질은 광전지에 사용된 두께에서 투명하다.
다른 예로써, 특정 구체예에서, 보호층은 하나 또는 두 개의 기판에 적용될 수 있다. 보호층은 예를 들어, 광전지를 오염물(예를 들어, 먼지, 물, 산소, 화학물질)로부터 차단하고/하거나 전지의 내구성을 높이는 데 사용될 수 있다. 특정 구체예에서, 보호층은 중합체(예를 들어, 플루오로화 중합체)로 형성될 수 있다.
추가의 예로써, 특정 유형의 광전지가 하나 이상의 메쉬 전극을 가지는 것으로 기술되는 한편, 하나 이상의 메쉬 전극(메쉬 캐쏘드, 메쉬 애노드, 메쉬 캐쏘드과 메쉬 애노드)이 다른 유형의 광전지에서도 사용될 수 있다. 이러한 광전지의 예로써 비정질 실리콘, 카드뮴 셀렌화물, 카드뮴 텔루라이드, 구리 인듐 황화물, 및 구리 인듐 갈륨 비화물로 형성된 활성 물질을 갖는 광전지를 포함한다.
추가의 예로써, 다른 물질들로 형성되는 것으로 기술되는 한편, 일부 구체예에서 물질(302 및 304)은 동일한 물질로 형성된다.
다른 예로써, 다른 물질 상에 코팅된 하나의 물질로 형성되는 것으로 도 4에 보여지지만, 일부 구체예에서 중실 영역(122)는 2개 이상의 코팅 물질로 형성될 수 있다(예를 들어, 3개의 코팅 물질, 4개의 코팅 물질, 5개의 코팅 물질, 6개의 코팅 물질).
다른 구체예들은 청구항에 기재된다.
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2003년 3월 24일 출원되고, 제목이 "메쉬 전극을 이용한 광전지" 인, 미국 특허 출원 일련번호 제 10/395,823 호의 일부 계속 출원으로, 35 U.S.C. 제120조에 따른 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용이 본원에 참고로서 포함된다.

Claims (52)

  1. 제 1 전극; 메쉬 전극; 및 제 1 전극과 메쉬 전극 사이의 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 전자 수용체 물질; 및 전자 공여 물질을 포함하는 것인 광전지.
  2. 제 1 항에 있어서, 메쉬 전극이 캐쏘드인 것인 광전지.
  3. 제 1 항에 있어서, 메쉬 전극이 애노드인 것인 광전지.
  4. 제 1 항에 있어서, 메쉬가 전기 전도성 물질로 이루어지는 것인 광전지.
  5. 제 4 항에 있어서, 전기 전도성 물질이 금속, 합금, 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 광전지.
  6. 제 1 항에 있어서, 메쉬 전극이 와이어로 이루어지는 것인 광전지.
  7. 제 6 항에 있어서, 와이어가 전기 전도성 물질로 이루어지는 것인 광전지.
  8. 제 7 항에 있어서, 전기 전도성 물질이 금속, 합금, 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 광전지.
  9. 제 6 항에 있어서, 와이어가 전기 전도성 물질을 포함하는 코팅으로 이루어지는 것인 광전지.
  10. 제 9 항에 있어서, 전기 전도성 물질이 금속, 합금, 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 광전지.
  11. 제 1 항에 있어서, 메쉬 전극이 팽창된 메쉬를 포함하는 것인 광전지.
  12. 제 1 항에 있어서, 메쉬 전극이 직조된 메쉬를 포함하는 것인 광전지.
  13. 제 1 항에 있어서, 전자 수용체 물질이 플러렌, 무기 나노입자, 옥사디아졸, 원반상형 액정, 탄소 나노막대, 무기 나노막대, CN 기를 포함하는 중합체, CF3 기를 포함하는 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 광전지.
  14. 제 1 항에 있어서, 전자 수용체 물질이 치환된 플러렌을 포함하는 것인 광전지.
  15. 제 1 항에 있어서, 전자 공여 물질이 원반상형 액정, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐비닐렌 및 폴리이소티아나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 광전지.
  16. 제 1 항에 있어서, 전자 공여 물질이 폴리(3-헥실티오펜)을 포함하는 것인 광전지.
  17. 제 1 항에 있어서, 활성층과 제 1 전극 사이에 정공방지층을 추가로 포함하는 것인 광전지.
  18. 제 17 항에 있어서, 정공방지층이 LiF, 금속 산화물 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 광전지.
  19. 제 1 항에 있어서, 활성층과 메쉬 전극 사이에 정공방지층을 추가로 포함하는 것인 광전지.
  20. 제 19 항에 있어서, 정공방지층이 LiF, 금속 산화물 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 광전지.
  21. 제 1 항에 있어서, 활성층과 메쉬 전극 사이에 정공운반층을 추가로 포함하는 것인 광전지.
  22. 제 21 항에 있어서, 정공운반층이 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리비닐카바졸, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리이소티아나프탈렌 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 광전지.
  23. 제 1 항에 있어서, 활성층과 제 1 전극 사이에 정공운반층을 추가로 포함하는 것인 광전지.
  24. 제 23 항에 있어서, 정공운반층이 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리비닐카바졸, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리이소티아나프탈렌 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 광전지.
  25. 제 1 항에 있어서, 제 1 전극이 메쉬 전극을 포함하는 것인 광전지.
  26. 제 1 전극; 메쉬 전극; 제 1 전극과 메쉬 전극 사이의 활성층; 제 1 전극과 활성층 사이의 정공방지층; 및 메쉬 전극과 활성층 사이에 정공운반층을 포함하며, 상기 활성층은 전자 수용체 물질; 및 전자 공여 물질을 포함하는 것인 광전지.
  27. 제 26 항에 있어서, 메쉬가 전기 전도성 물질로 이루어지는 것인 광전지.
  28. 제 27 항에 있어서, 전기 전도성 물질이 금속, 합금, 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 광전지.
  29. 제 26 항에 있어서, 정공운반층이 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리비닐카바졸, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리실란, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리이소티아나프탈렌 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 광전지.
  30. 제 29 항에 있어서, 정공방지층이 LiF, 금속 산화물 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 광전지.
  31. 제 26 항에 있어서, 정공방지층이 LiF, 금속 산화물 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 광전지.
  32. 제 26 항에 있어서, 메쉬 전극이 와이어로 이루어지는 것인 광전지.
  33. 제 32 항에 있어서, 와이어가 전기 전도성 물질로 이루어지는 것인 광전지.
  34. 제 33 항에 있어서, 전기 전도성 물질이 금속, 합금, 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 광전지.
  35. 제 32 항에 있어서, 와이어가 전기 전도성 물질을 포함하는 코팅을 포함하는 것인 광전지.
  36. 제 35 항에 있어서, 전기 전도성 물질이 금속, 합금, 중합체 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 광전지.
  37. 제 26 항에 있어서, 메쉬 전극이 팽창된 메쉬를 포함하는 것인 광전지.
  38. 제 26 항에 있어서, 메쉬 전극이 직조된 메쉬를 포함하는 것인 광전지.
  39. 제 26 항에 있어서, 제 1 전극이 메쉬 전극으로 이루어지는 것인 광전지.
  40. 제 26 항에 있어서, 메쉬 전극을 지지하는 기판을 추가로 포함하는 것인 광전지.
  41. 제 40 항에 있어서, 기판과 정공운반층 사이에 접착 물질을 추가로 포함하는 것인 광전지.
  42. 제 40 항에 있어서, 정공운반층이 기판과 접해 있는 것인 광전지.
  43. 제 1 항에 따른 복수 개의 광전지를 포함하며, 여기서 복수 개의 광전지의 적어도 일부는 전기적으로 연결되는 것을 포함하는 것인 광전지 시스템.
  44. 제 43 항에 있어서, 모든 복수 개의 광전지가 전기적으로 연결된 것인 광전지 시스템.
  45. 제 43 항에 있어서, 전기적으로 연결된 광전지의 적어도 일부가 전기적으로 병렬로 연결된 것인 광전지 시스템.
  46. 제 43 항에 있어서, 전기적으로 연결된 광전지의 적어도 일부가 전기적으로 직렬로 연결된 것인 광전지 시스템.
  47. 제 43 항에 있어서, 전기적으로 연결된 광전지의 적어도 일부가 부하에 전기적으로 연결된 것인 광전지 시스템.
  48. 제 24 항에 따른 복수 개의 광전지를 포함하며, 여기서 복수 개의 광전지의 적어도 일부는 전기적으로 연결되는 것을 포함하는 것인 광전지 시스템.
  49. 제 48 항에 있어서, 모든 복수 개의 광전지가 전기적으로 연결된 것인 광전지 시스템.
  50. 제 48 항에 있어서, 전기적으로 연결된 광전지의 적어도 일부가 전기적으로 병렬로 연결된 것인 광전지 시스템.
  51. 제 48 항에 있어서, 전기적으로 연결된 광전지의 적어도 일부가 전기적으로 직렬로 연결된 것인 광전지 시스템.
  52. 제 48 항에 있어서, 전기적으로 연결된 광전지의 적어도 일부가 부하에 전기적으로 병렬로 연결된 것인 광전지 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326539B1 (ko) * 2012-01-03 2013-11-08 한국기계연구원 Ｗｏ3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US20070251570A1 (en) * 2002-03-29 2007-11-01 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
EP1447860A1 (en) * 2003-02-17 2004-08-18 Rijksuniversiteit Groningen Organic material photodiode
JP5350587B2 (ja) * 2003-03-24 2013-11-27 メルク パテント ゲーエムベーハー メッシュ電極を備える光電セル
DE102004035965B4 (de) 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
DE102004042461A1 (de) 2004-08-31 2006-03-30 Novaled Gmbh Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren
EP1672653B1 (en) * 2004-12-20 2019-07-17 Merck Patent GmbH Patterned photovoltaic cell
JP5335414B2 (ja) * 2005-03-21 2013-11-06 メルク パテント ゲーエムベーハー 光電池およびそれを備えるモジュール
US20070224464A1 (en) * 2005-03-21 2007-09-27 Srini Balasubramanian Dye-sensitized photovoltaic cells
US7749794B2 (en) * 2005-06-24 2010-07-06 Konarka Technologies, Inc. Method of preparing electrode
CN101496182B (zh) * 2005-07-15 2013-10-16 默克专利有限责任公司 衍射箔
WO2007022106A2 (en) * 2005-08-15 2007-02-22 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells with interconnects to external circuit
US20070193621A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-23 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
WO2007121252A2 (en) 2006-04-11 2007-10-25 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
JP2007299557A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Oki Electric Ind Co Ltd 色素増感太陽電池
US8558105B2 (en) * 2006-05-01 2013-10-15 Wake Forest University Organic optoelectronic devices and applications thereof
AU2007248170B2 (en) 2006-05-01 2012-08-16 Arrowhead Center, Inc. Fiber photovoltaic devices and applications thereof
KR100785954B1 (ko) * 2006-05-04 2007-12-14 부산대학교 산학협력단 에너지 변환 효율이 개선된 유기 광기전력 장치 및 이의제조 방법
US20080149178A1 (en) * 2006-06-27 2008-06-26 Marisol Reyes-Reyes Composite organic materials and applications thereof
EP2050151B1 (en) 2006-08-07 2011-10-12 Wake Forest University Method of producing composite organic materials
TWI487124B (zh) 2006-08-25 2015-06-01 Sanyo Electric Co 太陽電池模組及太陽電池模組的製造方法
US8319092B1 (en) 2006-11-03 2012-11-27 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
US9112447B2 (en) * 2006-11-03 2015-08-18 Solera Laboratories, Inc. Nano power cell and method of use
DE102006052608B4 (de) * 2006-11-08 2009-04-16 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Solarzelle auf Polymerbasis
JP4832283B2 (ja) * 2006-12-28 2011-12-07 富士フイルム株式会社 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、固体撮像素子
US9184317B2 (en) * 2007-04-02 2015-11-10 Merck Patent Gmbh Electrode containing a polymer and an additive
EP3249709A1 (en) 2007-04-27 2017-11-29 Merck Patent GmbH Organic photovoltaic cells
JP2009076668A (ja) * 2007-09-20 2009-04-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池
CA2704554A1 (en) * 2007-11-01 2009-05-07 Wake Forest University Lateral organic optoelectronic devices and applications thereof
US20090229667A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Solarmer Energy, Inc. Translucent solar cell
CN101978524A (zh) * 2008-03-25 2011-02-16 住友化学株式会社 组合物及使用其的光电转换元件
JP5340656B2 (ja) * 2008-07-02 2013-11-13 シャープ株式会社 太陽電池アレイ
US8367798B2 (en) 2008-09-29 2013-02-05 The Regents Of The University Of California Active materials for photoelectric devices and devices that use the materials
JP4985717B2 (ja) * 2008-12-04 2012-07-25 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2010141250A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
DE202008017971U1 (de) * 2008-12-20 2011-04-14 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Dünnschichtsolarzelle mit Leiterbahnenelektrode
WO2010083161A1 (en) 2009-01-13 2010-07-22 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module
JP2010177615A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロニクス素子の製造方法
WO2010102116A2 (en) 2009-03-05 2010-09-10 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell having multiple electron donors
KR20110129959A (ko) 2009-03-17 2011-12-02 코나르카 테크놀로지, 인코포레이티드 염료 감응형 전지용 금속 기판
US20100276071A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Solarmer Energy, Inc. Tandem solar cell
WO2010138414A1 (en) 2009-05-27 2010-12-02 Konarka Technologies, Inc. Reflective multilayer electrode
US8440496B2 (en) * 2009-07-08 2013-05-14 Solarmer Energy, Inc. Solar cell with conductive material embedded substrate
US8372945B2 (en) * 2009-07-24 2013-02-12 Solarmer Energy, Inc. Conjugated polymers with carbonyl substituted thieno[3,4-B]thiophene units for polymer solar cell active layer materials
US8399889B2 (en) 2009-11-09 2013-03-19 Solarmer Energy, Inc. Organic light emitting diode and organic solar cell stack
EP3134458B1 (en) 2010-01-05 2023-11-01 Raynergy Tek Inc. Photovoltaic cell with benzodithiophene-containing polymer
JP4935910B2 (ja) * 2010-01-07 2012-05-23 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池
JP2013522879A (ja) 2010-03-09 2013-06-13 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド 緩衝層を備える光起電力モジュール
JP2013524536A (ja) * 2010-04-06 2013-06-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 新規な電極
WO2011160021A2 (en) 2010-06-17 2011-12-22 Konarka Technologies, Inc. Fullerene derivatives
CN103249799B (zh) 2010-09-02 2016-07-06 默克专利股份有限公司 含新型光活性聚合物的光伏电池
CN103229313A (zh) * 2010-09-14 2013-07-31 密歇根大学董事会 作为无机太阳能电池窗口层的有机半导体
JP5484279B2 (ja) * 2010-09-17 2014-05-07 富士フイルム株式会社 太陽電池
EP2702048B1 (en) 2011-04-28 2019-01-23 Merck Patent GmbH Novel photoactive polymers
KR20140024013A (ko) 2011-05-09 2014-02-27 메르크 파텐트 게엠베하 탠덤 광기전 셀
JP5814843B2 (ja) * 2011-09-02 2015-11-17 富士フイルム株式会社 フレキシブル有機電子デバイス
JP2011244020A (ja) * 2011-09-09 2011-12-01 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池
JP5146584B2 (ja) * 2011-10-28 2013-02-20 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池
KR101382898B1 (ko) * 2011-12-22 2014-04-09 엘지이노텍 주식회사 씨스루형 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
WO2013144687A1 (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Jawaharlal Nehru Centre For Advanced Scientific Research An organic solar cell and methods thereof
WO2013148501A1 (en) * 2012-03-26 2013-10-03 San Diego State University Research Foundation Electrostatically coated wire mesh architectured electrodes for high-efficiency flexible polymer pvs and oleds
US20130263925A1 (en) 2012-04-05 2013-10-10 Merck Patent Gmbh Hole Carrier Layer For Organic Photovoltaic Device
CN102637826A (zh) * 2012-05-04 2012-08-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种大面积有机太阳能电池结构及其制备方法
JP5774566B2 (ja) * 2012-09-19 2015-09-09 富士フイルム株式会社 有機薄膜太陽電池
KR20150063449A (ko) 2012-09-26 2015-06-09 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 무기 태양 전지 효율을 증가시키기 위한 엑시톤 에너지 전달
US20160111670A1 (en) * 2013-06-14 2016-04-21 Lg Chem, Ltd. ORGANIC SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (As Amended)
EP2999017B1 (en) * 2013-06-14 2019-11-06 LG Chem, Ltd. Organic photovoltaic cell
DE102013107693B4 (de) * 2013-07-18 2021-05-06 Pictiva Displays International Limited Verfahren zum Ausbilden einer Leiterbahnstruktur auf einer Elektrodenfläche eines elektronischen Bauelementes
KR101857049B1 (ko) * 2013-11-20 2018-05-11 서강대학교산학협력단 아말감 전극, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 이산화탄소의 전기화학적 환원 방법
CN105849931A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 默克专利有限公司 光伏电池
KR101646371B1 (ko) * 2014-11-03 2016-08-05 현대자동차주식회사 윈도우용 태양전지
WO2016199118A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Solarpaint Ltd. Photovoltaic device and components
WO2018065352A1 (en) 2016-10-05 2018-04-12 Merck Patent Gmbh Organic photodetector
US20190267562A1 (en) * 2018-02-28 2019-08-29 The Diller Corporation Laminate comprising photovoltaic cell
US11978815B2 (en) 2018-12-27 2024-05-07 Solarpaint Ltd. Flexible photovoltaic cell, and methods and systems of producing it
CN111326659B (zh) * 2020-02-24 2023-08-15 杭州电子科技大学 一种金属透明电极及有机太阳能电池
EP4012793A1 (en) 2020-12-14 2022-06-15 Raynergy Tek Incorporation Photodiode
CH719603A1 (fr) * 2022-04-12 2023-10-31 Graphenaton Tech Sa Structure opto-electronique multicouche flexible.

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL192903A (ko) * 1954-03-05
US3253173A (en) * 1961-10-03 1966-05-24 Gen Electric Electroluminescent cells with phosphor-conductor adhesion and manufacture thereof
US3442007A (en) * 1966-12-29 1969-05-06 Kewanee Oil Co Process of attaching a collector grid to a photovoltaic cell
US3597072A (en) * 1968-10-03 1971-08-03 Owens Illinois Inc Electrode configuration for electrophotography
DE2112812C2 (de) * 1971-03-17 1984-02-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiterbauelement mit gitterförmiger Metallelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
US3788684A (en) * 1972-03-30 1974-01-29 D Johnson Removable grain body sides for flat load bed
US3786307A (en) * 1972-06-23 1974-01-15 Atronics Corp Solid state electroluminescent x-y display panels
NL7309000A (ko) * 1973-06-28 1974-12-31
NL7412756A (nl) * 1974-09-27 1976-03-30 Philips Nv Televisieopneembuis.
US4105470A (en) * 1977-06-01 1978-08-08 The United States Government As Represented By The United States Department Of Energy Dye-sensitized schottky barrier solar cells
GB2018513B (en) * 1978-02-28 1982-05-06 Snia Viscosa Process and cell for directly converting radiant energy toelectrical energy
JPS5536950A (en) * 1978-09-05 1980-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd Manufacturing of thin film photocell
US4166919A (en) * 1978-09-25 1979-09-04 Rca Corporation Amorphous silicon solar cell allowing infrared transmission
US4239555A (en) * 1979-07-30 1980-12-16 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Encapsulated solar cell array
DE3013991A1 (de) * 1980-04-11 1981-10-15 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Grossflaechige photovoltaische zelle
US4380112A (en) * 1980-08-25 1983-04-19 Spire Corporation Front surface metallization and encapsulation of solar cells
US4419424A (en) * 1981-07-14 1983-12-06 Julian John D Electrodes for electrochemical cells current generating cells and rechargeable accumulators
US4518894A (en) * 1982-07-06 1985-05-21 Burroughs Corporation Display panel having memory
US4501808A (en) * 1982-08-30 1985-02-26 Canon Kabushiki Kaisha Recording medium and process employing a photosensitive organic film
JPS5983327A (ja) * 1982-11-04 1984-05-14 Hitachi Ltd 光電変換装置
JPS5996639A (ja) * 1982-11-26 1984-06-04 Hitachi Ltd 撮像管
US4563617A (en) * 1983-01-10 1986-01-07 Davidson Allen S Flat panel television/display
US4589194A (en) * 1983-12-29 1986-05-20 Atlantic Richfield Company Ultrasonic scribing of thin film solar cells
JPH07101598B2 (ja) * 1986-06-27 1995-11-01 株式会社日立製作所 撮像管
JPS63289874A (ja) * 1987-05-21 1988-11-28 Ricoh Co Ltd 光電変換素子
EP0440869A1 (de) * 1990-02-09 1991-08-14 Bio-Photonics, Inc. Photovoltaisches Bauelement zur Umwandlung des Sonnenlichts in elektrischen Strom und photoelektrische Batterie
US5732367A (en) * 1990-03-16 1998-03-24 Sevenson Environmental Services, Inc. Reduction of leachability and solubility of radionuclides and radioactive substances in contaminated soils and materials
US5131065A (en) * 1991-03-06 1992-07-14 The Boeing Company High luminance and contrast flat display panel
US5293564A (en) * 1991-04-30 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Address match scheme for DRAM redundancy scheme
US5287169A (en) * 1991-05-03 1994-02-15 Brooklyn College Research And Development Foundation Contractless mode of electroreflectance
JPH0563218A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Canon Inc 太陽電池及びその製造方法
US5240510A (en) * 1991-09-23 1993-08-31 Development Products Inc. Photovoltaic cell
FR2694451B1 (fr) * 1992-07-29 1994-09-30 Asulab Sa Cellule photovoltaïque.
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
JPH06176704A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 撮像装置及びその動作方法
US5455899A (en) * 1992-12-31 1995-10-03 International Business Machines Corporation High speed image data processing circuit
US5617203A (en) * 1993-10-01 1997-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Optical detector employing an optically-addressed spatial light modulator
JP3304006B2 (ja) * 1993-11-01 2002-07-22 日本電信電話株式会社 光化学２次電池
US5688366A (en) * 1994-04-28 1997-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Etching method, method of producing a semiconductor device, and etchant therefor
JPH07302926A (ja) * 1994-04-30 1995-11-14 Canon Inc 太陽電池モジュール
JP2992464B2 (ja) * 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
US5814420A (en) * 1994-11-23 1998-09-29 Polyplus Battery Company, Inc. Rechargeable positive electrodes
US6342875B2 (en) * 1997-03-21 2002-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Image-forming apparatus
JPH10321883A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 太陽電池およびその作製方法
DE29720192U1 (de) * 1997-11-14 1999-03-25 Eduard Küsters, Maschinenfabrik, GmbH & Co. KG, 47805 Krefeld Kalander zum Behandeln einer Bahn
US6077712A (en) * 1997-12-03 2000-06-20 Trw Inc. Semiconductor chemical sensor
GB9806066D0 (en) * 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
US6078643A (en) * 1998-05-07 2000-06-20 Infimed, Inc. Photoconductor-photocathode imager
US6444189B1 (en) * 1998-05-18 2002-09-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making and using titanium oxide particles
US6538194B1 (en) * 1998-05-29 2003-03-25 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photoelectric cell and process for producing metal oxide semiconductor film for use in photoelectric cell
US6451415B1 (en) * 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
DE19905694A1 (de) * 1998-11-27 2000-08-17 Forschungszentrum Juelich Gmbh Bauelement
EP1028475A1 (en) * 1999-02-09 2000-08-16 Sony International (Europe) GmbH Electronic device comprising a columnar discotic phase
JP2000243990A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Dainippon Printing Co Ltd 太陽電池用カバーフィルムおよびその製造方法、およびそのカバーフィルムを用いた太陽電池モジュール
US6291763B1 (en) * 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
GB9909440D0 (en) * 1999-04-23 1999-06-23 Unilever Plc Package for dispensing a flowable cosmetic composition and product
DE19921515A1 (de) * 1999-05-10 2000-11-30 Ist Inst Fuer Solartechnologie Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ia/IIIb/VIa- Verbindungshalbleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
AU774443B2 (en) * 1999-06-30 2004-06-24 Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. Photoelectric cell
EP1075005B1 (en) * 1999-08-04 2006-04-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrolyte composition, and photo-electro-chemical cell
US6444400B1 (en) * 1999-08-23 2002-09-03 Agfa-Gevaert Method of making an electroconductive pattern on a support
JP3614335B2 (ja) * 1999-12-28 2005-01-26 三星エスディアイ株式会社 有機ｅｌ表示装置ならびにその製造方法
JP2002014343A (ja) * 2000-04-26 2002-01-18 Nec Corp 液晶表示装置、発光素子、液晶表示装置の製造方法
US20050257827A1 (en) * 2000-04-27 2005-11-24 Russell Gaudiana Rotational photovoltaic cells, systems and methods
SE0103740D0 (sv) * 2001-11-08 2001-11-08 Forskarpatent I Vaest Ab Photovoltaic element and production methods
US7022910B2 (en) * 2002-03-29 2006-04-04 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells utilizing mesh electrodes
US7586035B2 (en) * 2004-02-19 2009-09-08 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with spacers
US6913713B2 (en) * 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
US6706963B2 (en) * 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
US20020036291A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-28 Parker Ian D. Multilayer structures as stable hole-injecting electrodes for use in high efficiency organic electronic devices
US6355873B1 (en) * 2000-06-21 2002-03-12 Ball Semiconductor, Inc. Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly
JP2002008549A (ja) * 2000-06-27 2002-01-11 Nec Corp プラズマディスプレイパネル
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
EP1174891A3 (en) * 2000-07-19 2004-02-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Dye sensitized photoelectrochemical cell
US6420648B1 (en) * 2000-07-21 2002-07-16 North Carolina State University Light harvesting arrays
US6407330B1 (en) * 2000-07-21 2002-06-18 North Carolina State University Solar cells incorporating light harvesting arrays
US7057102B2 (en) * 2000-11-10 2006-06-06 Citizen Watch Co., Ltd. Solar cell module and portable electronic apparatus with it
JP4461656B2 (ja) * 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
US6798464B2 (en) * 2001-05-11 2004-09-28 International Business Machines Corporation Liquid crystal display
JP2003037277A (ja) * 2001-05-15 2003-02-07 Canon Inc 光起電力素子及び光起電力素子の製造方法
US7323635B2 (en) * 2001-06-15 2008-01-29 University Of Massachusetts Photovoltaic cell
US20030108664A1 (en) * 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
JP2003174178A (ja) * 2001-12-05 2003-06-20 Shirouma Science Co Ltd 網入り太陽電池パネル
JP3825344B2 (ja) * 2002-03-15 2006-09-27 富士写真フイルム株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
US20050194038A1 (en) * 2002-06-13 2005-09-08 Christoph Brabec Electrodes for optoelectronic components and the use thereof
US6852920B2 (en) * 2002-06-22 2005-02-08 Nanosolar, Inc. Nano-architected/assembled solar electricity cell
US6946597B2 (en) * 2002-06-22 2005-09-20 Nanosular, Inc. Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template
US7291782B2 (en) * 2002-06-22 2007-11-06 Nanosolar, Inc. Optoelectronic device and fabrication method
US7825330B2 (en) * 2002-07-09 2010-11-02 Fujikura Ltd. Solar cell
US20040201878A1 (en) * 2002-07-25 2004-10-14 Enki Technologies Llc Electrooptic devices
JP4292154B2 (ja) * 2002-08-22 2009-07-08 アグフア−ゲヴエルト 実質的に透明な伝導層構成の製造方法
WO2004023527A2 (en) * 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
JP2004158661A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機光電変換素子及びその製造方法
US7368659B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 General Electric Company Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices
US7179988B2 (en) * 2002-12-11 2007-02-20 General Electric Company Dye sensitized solar cells having foil electrodes
US7019209B2 (en) * 2002-12-11 2006-03-28 General Electric Company Structured dye sensitized solar cell
US7145071B2 (en) * 2002-12-11 2006-12-05 General Electric Company Dye sensitized solar cell having finger electrodes
US7011983B2 (en) * 2002-12-20 2006-03-14 General Electric Company Large organic devices and methods of fabricating large organic devices
US20040118444A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 General Electric Company Large-area photovoltaic devices and methods of making same
JP5350587B2 (ja) * 2003-03-24 2013-11-27 メルク パテント ゲーエムベーハー メッシュ電極を備える光電セル
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
CN100411195C (zh) * 2003-04-11 2008-08-13 索尼株式会社 光电转换器件的制作方法
US7390438B2 (en) * 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
US7605327B2 (en) * 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template
US7462774B2 (en) * 2003-05-21 2008-12-09 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template
US7309833B2 (en) * 2003-07-29 2007-12-18 Air Products And Chemicals, Inc. Photovoltaic devices comprising layer(s) of photoactive organics dissolved in high Tg polymers
JP4232597B2 (ja) * 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
US6924674B2 (en) * 2003-10-27 2005-08-02 Agere Systems Inc. Composite source follower
US7329709B2 (en) * 2004-06-02 2008-02-12 Konarka Technologies, Inc. Photoactive materials and related compounds, devices, and methods
KR101117690B1 (ko) * 2005-01-24 2012-02-29 삼성전자주식회사 코어쉘 구조의 금속 산화물을 포함하는 광흡수층 및 이를구비한 태양전지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101326539B1 (ko) * 2012-01-03 2013-11-08 한국기계연구원 Ｗｏ3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지

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