KR20050115921A - 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050115921A KR20050115921A KR1020057017604A KR20057017604A KR20050115921A KR 20050115921 A KR20050115921 A KR 20050115921A KR 1020057017604 A KR1020057017604 A KR 1020057017604A KR 20057017604 A KR20057017604 A KR 20057017604A KR 20050115921 A KR20050115921 A KR 20050115921A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hydrogen
- containing gas
- gas
- oxygen
- substrates
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
- H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
- H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
- H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Abstract
Description
Claims (24)
- 복수 매의 기판을 처리실 내에 반입하는 공정과,상기 처리실 내에 반입된 상기 복수 매의 기판보다도 상류측에서 산소함유 가스를 공급하는 공정과,상기 처리실 내에 반입된 상기 복수 매의 기판이 존재하는 영역에 대응하는 도중의 적어도 1개소에서 수소함유 가스를 공급하는 공정과,상기 처리실 내에서 상기 산소함유 가스와 상기 수소함유 가스를 반응시켜 상기 복수 매의 기판을 산화하는 공정과,처리 후의 상기 기판을 상기 처리실에서 반출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소함유 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 복수 매의 기판보다도 상류측에서 수소함유 가스도 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수소함유 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 복수 매의 기판이 존재하는 영역에 대응하는 도중의 복수 개소에서 상기 수소함유 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 수소함유 가스를 공급하는 공정에서는, 각 공급 개소에서 공급하는 수소함유 가스의 유량을 각각 다르게 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 수소함유 가스를 공급하는 공정에서는, 최상류의 수소함유 가스 유량을 가장 많게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 산화하는 공정은, 상기 처리실 내의 압력을 대기압보다도 낮게 한 상태에서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소함유 가스는, 산소 가스 및 아산화질소 가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 가스이고, 상기 수소함유 가스는, 수소 가스, 암모니아 가스 및 메탄 가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소함유 가스는 산소 가스이고, 상기 수소함유 가스는 수소 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 표면은 다른 결정 방위면을 갖거나, CVD에 의한 다결정 실리콘, 또는 실리콘 질화물을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소함유 가스에 대한 상기 수소함유 가스의 유량비를 0.1∼0.5로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 산소함유 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 복수 매의 기판보다도 상류측에서 상기 처리실 외에서 혼합한 산소함유 가스와 수소함유 가스의 혼합 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 복수 매의 기판이 존재하는 영역에 대응하는 도중의 적어도 1개소에서 공급하는 수소함유 가스는, 처리실 내벽측을 향하여 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 복수 매의 기판을 처리하는 처리실과,상기 처리실 내에서 상기 복수 매의 기판을 유지하는 유지기구와,상기 복수 매의 기판보다도 상류측에서 상기 복수 매의 기판에 대하여 산소함유 가스를 공급하는 산소함유 가스공급 라인과,상기 복수 매의 기판이 존재하는 영역에 대응하는 도중의 적어도 1개소에서 상기 기판에 대하여 수소함유 가스를 공급하는 수소함유 가스공급 라인과,상기 처리실 내를 배기하는 배기 라인을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 복수 매의 기판의 상류측에서 기판에 대하여 수소함유 가스를 공급하는 수소함유 가스공급 라인을 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 수소함유 가스공급 라인은, 상기 복수 매의 기판이 존재하는 영역에 대응하는 도중의 복수 개소에서 수소함유 가스를 공급하는 복수의 공급 라인으로 이루어지고, 각각의 공급 라인은 독립하여 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 각 공급 라인에는 각각 매스 플로우 콘트롤러가 설치되고, 각 공급 개소에서 공급하는 수소함유 가스의 유량을 각각 다르게 하도록 제어하는 제어수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 각 공급 라인에는 각각 매스 플로우 콘트롤러가 설치되고, 최상류의 공급 라인으로부터 공급하는 수소함유 가스 유량이 가장 많아지도록 제어하는 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 처리실 내의 압력이 대기압보다도 낮은 압력으로 되도록 제어하는 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 산소함유 가스는, 산소 가스 및 아산화질소 가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 가스이고, 상기 수소함유 가스는, 수소 가스, 암모니아 가스 및 메탄 가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 산소함유 가스는 산소 가스이고, 상기 수소함유 가스는 수소 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 수소함유 가스공급계 라인은, 길이가 다른 복수개의 독립한 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 수소함유 가스공급 라인은, 측면에 적어도 2개 이상의 구멍이 설치된 다공 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 복수 매의 기판보다도 상류측에서 상기 기판에 대하여 상기 산소함유 가스, 상기 수소함유 가스를 각각 공급하는 산소함유 가스공급 라인, 수소함유 가스공급 라인과 상기 처리실의 사이에 각 라인에서 공급하는 상기 산소함유 가스와 상기 수소함유 가스를 혼합하는 혼합부를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 복수 매의 기판이 존재하는 영역에 대응하는 도중의 적어도 1개소로부터 상기 기판에 대하여 상기 수소함유 가스를 공급하는 상기 수소함유 가스공급 라인의 가스분출구는, 처리실 내벽측을 향하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003301982 | 2003-08-26 | ||
JPJP-P-2003-00301982 | 2003-08-26 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077017726A Division KR100771782B1 (ko) | 2003-08-26 | 2004-08-25 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050115921A true KR20050115921A (ko) | 2005-12-08 |
KR100766196B1 KR100766196B1 (ko) | 2007-10-10 |
Family
ID=34213923
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077017726A KR100771782B1 (ko) | 2003-08-26 | 2004-08-25 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
KR1020057017604A KR100766196B1 (ko) | 2003-08-26 | 2004-08-25 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077017726A KR100771782B1 (ko) | 2003-08-26 | 2004-08-25 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7534730B2 (ko) |
JP (4) | JP4164092B2 (ko) |
KR (2) | KR100771782B1 (ko) |
CN (2) | CN101807525B (ko) |
WO (1) | WO2005020309A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100935289B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2010-01-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101807525B (zh) | 2003-08-26 | 2012-05-23 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
JP4586544B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP4609098B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2011-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
KR100609065B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2006-08-10 | 삼성전자주식회사 | 산화막 형성 장치 및 방법 |
JP2007019191A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2007081147A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP4733738B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-07-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US7910494B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-03-22 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing furnace, gas delivery system therefor, and methods for delivering a process gas thereto |
JP2008053683A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜形成方法、半導体装置、および基板処理装置 |
JP4983159B2 (ja) | 2006-09-01 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法、酸化装置及び記憶媒体 |
JP4899744B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化装置 |
JP5211464B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化装置 |
JP4961218B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2012-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008186865A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP5575582B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2014-08-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
KR101431197B1 (ko) * | 2008-01-24 | 2014-09-17 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법 |
TWI415206B (zh) * | 2008-01-31 | 2013-11-11 | Hitachi Int Electric Inc | A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device |
US20090197424A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009283641A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 流量算出ツール及び流量算出方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP5383332B2 (ja) | 2008-08-06 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5665289B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2015-02-04 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP2010147265A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2010239115A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
TWI419275B (zh) * | 2009-03-25 | 2013-12-11 | Unimicron Technology Corp | 封裝基板結構及其製法 |
JP2011066219A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5610438B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2012018008A1 (ja) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
US9512520B2 (en) * | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
KR101879175B1 (ko) * | 2011-10-20 | 2018-08-20 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
KR101408084B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-07-04 | 주식회사 유진테크 | 보조가스공급포트를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN103377902B (zh) * | 2012-04-28 | 2016-05-04 | 无锡华润上华科技有限公司 | 热氧化晶圆生成氧化层的方法 |
JP6230809B2 (ja) * | 2013-04-22 | 2017-11-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6151789B2 (ja) * | 2013-10-10 | 2017-06-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP5971870B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-08-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
KR102354460B1 (ko) | 2015-02-12 | 2022-01-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP2017168788A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6710149B2 (ja) | 2016-11-21 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102203745B1 (ko) | 2017-02-23 | 2021-01-18 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 컴퓨터 프로그램 및 반응관 |
US10170889B1 (en) * | 2017-08-14 | 2019-01-01 | Lumentum Operations Llc | Controlling uniformity of lateral oxidation of wafer surface features using a vertical stack of horizontal wafers |
EP3599290A3 (en) * | 2018-07-24 | 2020-06-03 | Lg Electronics Inc. | Chemical vapor deposition equipment for solar cell and deposition method thereof |
KR102501650B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2023-02-21 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN112740377A (zh) * | 2018-09-21 | 2021-04-30 | 株式会社国际电气 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 |
CN109188751B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-11-05 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 |
CN109950143B (zh) * | 2019-03-26 | 2022-05-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆加工装置 |
JP7418287B2 (ja) | 2020-05-29 | 2024-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7365973B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7315607B2 (ja) * | 2021-03-16 | 2023-07-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6430234A (en) | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electronics Corp | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
JP2563497B2 (ja) | 1988-07-19 | 1996-12-11 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
JP3129777B2 (ja) * | 1990-11-16 | 2001-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP3056241B2 (ja) * | 1990-11-20 | 2000-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5648282A (en) * | 1992-06-26 | 1997-07-15 | Matsushita Electronics Corporation | Autodoping prevention and oxide layer formation apparatus |
JP3318067B2 (ja) * | 1993-07-27 | 2002-08-26 | 株式会社日立国際電気 | 燐ドープシリコン膜生成方法及び半導体製造装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP3242244B2 (ja) * | 1993-11-19 | 2001-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化処理装置及び酸化処理方法 |
JP3373990B2 (ja) * | 1995-10-30 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びその方法 |
JPH09134913A (ja) | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
KR970072061A (ko) * | 1996-04-16 | 1997-11-07 | 김광호 | 반도체 제조 공정에 사용되는 확산로 |
KR100252213B1 (ko) * | 1997-04-22 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체소자제조장치및그제조방법 |
JPH11121389A (ja) | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Nec Kyushu Ltd | 縦型拡散炉および拡散方法 |
JPH11204511A (ja) | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Kokusai Electric Co Ltd | シリコン熱酸化膜の形成装置 |
JP3436256B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2003-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法及び酸化装置 |
KR100560867B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2006-03-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 산화방법 및 산화시스템 |
DE10222083B4 (de) * | 2001-05-18 | 2010-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Isolationsverfahren für eine Halbleitervorrichtung |
JP2003100735A (ja) | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板成膜装置 |
JP2003163212A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3578155B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の酸化方法 |
JP3853302B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2006-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
CN101807525B (zh) * | 2003-08-26 | 2012-05-23 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
US6869892B1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-03-22 | Tokyo Electron Limited | Method of oxidizing work pieces and oxidation system |
-
2004
- 2004-08-25 CN CN2010101456066A patent/CN101807525B/zh active Active
- 2004-08-25 CN CN2004800075197A patent/CN1762043B/zh active Active
- 2004-08-25 KR KR1020077017726A patent/KR100771782B1/ko active IP Right Grant
- 2004-08-25 WO PCT/JP2004/012214 patent/WO2005020309A1/ja active Application Filing
- 2004-08-25 JP JP2005513354A patent/JP4164092B2/ja active Active
- 2004-08-25 KR KR1020057017604A patent/KR100766196B1/ko active IP Right Grant
- 2004-08-25 US US10/549,938 patent/US7534730B2/en active Active
-
2007
- 2007-01-29 JP JP2007017808A patent/JP4374030B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-13 US US12/404,003 patent/US8084369B2/en active Active
- 2009-03-13 US US12/403,974 patent/US7871938B2/en active Active
- 2009-03-18 JP JP2009066032A patent/JP4838868B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-25 JP JP2011183814A patent/JP5237420B2/ja active Active
- 2011-11-21 US US13/301,211 patent/US20120064730A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100935289B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2010-01-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070091228A (ko) | 2007-09-07 |
CN101807525A (zh) | 2010-08-18 |
CN1762043A (zh) | 2006-04-19 |
KR100766196B1 (ko) | 2007-10-10 |
US7871938B2 (en) | 2011-01-18 |
US20090239387A1 (en) | 2009-09-24 |
US7534730B2 (en) | 2009-05-19 |
JP4164092B2 (ja) | 2008-10-08 |
JP2012015536A (ja) | 2012-01-19 |
US8084369B2 (en) | 2011-12-27 |
JP5237420B2 (ja) | 2013-07-17 |
US20070157882A1 (en) | 2007-07-12 |
JP4374030B2 (ja) | 2009-12-02 |
WO2005020309A1 (ja) | 2005-03-03 |
JP2007110168A (ja) | 2007-04-26 |
CN1762043B (zh) | 2010-05-05 |
CN101807525B (zh) | 2012-05-23 |
JP2009135546A (ja) | 2009-06-18 |
US20090233452A1 (en) | 2009-09-17 |
KR100771782B1 (ko) | 2007-10-30 |
JP4838868B2 (ja) | 2011-12-14 |
US20120064730A1 (en) | 2012-03-15 |
JPWO2005020309A1 (ja) | 2006-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100766196B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
TWI436423B (zh) | 半導體處理用之氧化裝置及方法 | |
KR101097725B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR101132233B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
JPH09129562A (ja) | 成膜装置及びその方法 | |
US7926445B2 (en) | Oxidizing method and oxidizing unit for object to be processed | |
US7335266B2 (en) | Method of forming a controlled and uniform lightly phosphorous doped silicon film | |
WO2019003662A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
WO2002001615A2 (en) | Crystal structure control of polycrystalline silicon in a single wafer chamber | |
JP2009245984A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007081147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005072377A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
KR20180054448A (ko) | 성막 장치 | |
JPH07307292A (ja) | 成膜方法およびこれに用いる減圧cvd装置 | |
WO2022245641A1 (en) | Flowable cvd film defect reduction | |
KR20010008509A (ko) | 반도체장치의 텅스텐 게이트전극 제조방법 | |
US20080206968A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130924 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150918 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160921 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170920 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180920 Year of fee payment: 12 |