KR20050062433A - 빛 생성 장치, 발광 디바이스 및 백색 발광 디바이스 - Google Patents

빛 생성 장치, 발광 디바이스 및 백색 발광 디바이스 Download PDF

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Abstract

회백색 발광 다이오드(LED)를 사용하는 백색 발광 디바이스. 백색 방출 디바이스는, 단지 순백색 LED를 사용하는 것이 아니라, 이러한 회백색 LED로부터 발산되는 빛이 혼합되어, 실질적으로, 인간의 눈에는 순백으로 보이는 복사선을 생성하는 방식으로, 회백색을 나타내는 LED를 배열한다.

Description

빛 생성 장치, 발광 디바이스 및 백색 발광 디바이스{A METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING UNTAINTED WHITE LIGHT USING OFF-WHITE LIGHT EMITTING DIODES}
본 발명은 회백색(off-white) 발광 다이오드(LED)를 이용하여 오염되지 않은 백색광을 생성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 상보적 LED로부터 백색광의 각기 다른 색조(hues)를 혼합하여 더욱 "순수한" 백색광을 생성하는 방법과 관련된다.
백색 LED는 2개의 발광 물질을 연결한다. 첫 번째 물질은, 전류가 흐를 때, 복사선(즉, 최초 복사선)을 발광할 수 있는 반도체 물질로 만들어진 청색 발광 다이오드이다. 두 번째 물질은, 최초 복사선의 일부를 흡수하고 최초 복사선과는 다른 파장의 빛(즉, "제 2 복사선")을 방출하는 황색 형광성(fluorescent) 또는 냉광성(luminescent) 파장 변환 물질이다. 생성된 빛은 최초 복사선의 변화하지 않은 부분과 제 2 복사이 혼합된 것이다. 백색 LED에서, 다이오드는 최초 복사선으로서 청색광을 방출하고, 파장 변환 물질은 제 2 복사선으로서 황색광을 방출한다.
백색 LED에서 생성되는 바람직한 복사선은 오염되지 않은 백색광이다. 백색광으로는, 예를 들어, 차가운 백색(cool-white)으로도 알려져 있는 청백색, 따뜻한 백색(warm-white)으로도 알려져 있는 황백색 등, 많은 종류가 있다. "순수한" 백색광, 즉, 오염되지 않은 백색광은, 화상 캡쳐용 디바이스를 위한 플래시와 같이, 일광(daylight)과 동등한 상황이 필요한 경우에 요망된다. "순수한" 백색광은 정량화되고 있다. 도 1은 1931 CIE(Commision International d'Elchairge) 색도도(Chromaticity diagram)이다. 점선(110)은 흑체 곡선(black body curve)을 나타낸다. 흑체로부터의 복사선의 색은 온도에만 의존한다. 조명 산업부문에서는, 백색을 그 연관 색 온도로 나타내는 것이 보편적이다. 포인트(100)는 "순수한" 오염되지 않은 백색광이고, 그 연관 색 온도는 6500켈빈(Kelvins)이다. 덧붙여 말하자면, 이것이 텔레비전 방송 규격 심의 위원회(National Television System Committee)에서의 기준 백색이다. 포인트(100)는 화상 캡쳐용 디바이스와 같은 백색 발광 디바이스에 대해 바람직한 색조이다.
대부분의 백색 LED는 세륨 활성 이트륨 알미늄 가닛(YAG: Ce)과 같은 일반적인 황색 형광체(phosphor)를 파장 변환 물질로서 사용한다. 이 형광체를 사용하여, 오염되지 않은 백색광을 얻기 위해서는, 일반적으로, 청색 최초 복사선이 465㎚에서 470㎚ 사이의 파장을 갖는다. 최초 복사선이 너무 녹청색(즉, 470㎚ 이상)인 경우에는, 생성된 백색광이 녹색을 띠게 될 것이다. 최초 복사선이 너무 자청색(즉, 465㎚ 이하)인 경우에는, 생성된 백색광이 자주색을 띠게 될 것이다. 이러한 오염된 색조의 백색 모두는 인간의 눈에 인식될 수 있고, "불순한" 백색으로 알려져 있다. 이러한 오염된 색조는 도 1에서의 흑체 곡선에서 멀리 떨어진 색 좌표를 갖는다. 이러한 불순한 백색광 중의 어느 하나가 화상 캡쳐용 디바이스를 위한 플래시에 사용된다면, 생성 화상도 또한 오염될 것이다.
적층 반도체 성장 프로세스로 제작한 청색 반도체 물질이 방출한 청색광의 색은, 제어 프로세스가 있음에도 불구하고, 그 범위가 460-480㎚이다. 결과적으로, 이 프로세스로 제작된 유용한 청색 반도체 물질의 약 25%만이 "순수한" 백색 LED용 다이오드에 사용될 수 있다. 나머지 75%는 너무 청색을 띠거나 자주색을 띠는 청색광을 방출하여 이 목적에는 사용될 수 없다. 이에 따라, "순수한" 백색 LED의 생산비용이 매우 높다.
따라서, 보다 경제적으로 실현할 수 있는 방식으로, LED로부터의 오염되지 않은 백색광을 생성하는 방법 또는 장치가 산업적으로 필요하다. 본 발명은 이 문제에 대한 유일한 신규 해결책을 제공한다.
회백색 발광 다이오드(LED)를 이용한 백색 발광 디바이스가 개시된다. 백색광 방출 디바이스는, 단지 순수한 백색 LED를 사용하는 것으로 제한되는 것이 아니라, 회백색을 나타내는 LED를 배열하되, 이러한 회백색 LED로부터 발산되는 빛을 혼합하여, 실질적으로, 인간의 눈에는 순백으로 보이는 복사선을 생성하는 방식으로 배열한다.
본 발명은, 첨부한 도면의 각 도에서, 제한사항으로서가 아니라, 예로서 설명되고 있는 것으로, 동일한 참조 부호는 동일한 소자를 지칭한다.
본 발명은, 첨부한 도면의 각 도에서, 제한사항으로서가 아니라, 예로서 설명되고 있는 것으로, 동일한 참조 부호는 동일한 소자를 지칭한다.
LED에서의 최초 및 제 2 복사선을 혼합한 결과는 색도도(도 1) 상에 나타내어질 수 있다. 라인이 최초 복사선 및 제 2 복사선의 색을 나타내는 포인트들, 이 경우에는, 각각, 청색 및 황색을 나타내는 포인트들 사이에 그려진다. 생성된 빛은 이 라인 상에 있는 색 좌표 포인트를 갖는다. 포인트 "B"는 청색이다. 포인트 "Y"는 황색이다. "순수한" 백색광의 색 좌표 포인트는 흑체 곡선 근처의 라인 B-Y 상에 있다. 포인트 "GB"는 녹청색광이다. 포인트 "GW", 즉, 녹백색광은 라인 GB-Y 상에 있다. 포인트 "PB"는 자청색광이다. 포인트 "PW", 즉, 자백색광은 라인 PB-Y 상에 있다.
본 발명의 일 실시예에서, LED는, 흑체 곡선의 한 측면 상에 색 좌표를 갖는 LED가 흑체 곡선의 다른 측면 상에 색 좌표를 갖는 다른 LED에 근접하게 배열되도록 선택된다. 생성된 색은 이러한 색 좌표를 연결하는 직선의 궤적 상에 있으며, 그에 따라, 흑체 곡선에 더욱 가깝다. 녹백색 및 자백색을 띠는 백색 LED는 적절하게 배열되어, 실질적으로, 눈에는 백색으로 보이는 복사선을 생성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 녹백색 LED는 480㎚의 색을 띠는 청색 다이오드를 사용하여 제작되고, 자백색 LED는 460㎚의 색을 띠는 청색 다이오드를 사용하여 제작된다. 대안적인 실시예에서, 녹백색 LED는 475㎚의 색을 띠는 청색 다이오드를 사용하여 제작되고, 자백색 LED는 465㎚의 색을 띠는 청색 다이오드를 사용하여 제작된다.
이 방식에서는, 사용될 수 있는 청색 다이오드의 범위가 5㎚보다 더 넓다. 결과적으로, 청색 다이오드의 활용 비율이 증가하고 생산비용이 감소한다.
도 1을 이용하면, 색도도 상에서 임의의 2개의 포인트를 결합한 경우의 색 좌표는 이러한 2개의 포인트를 연결한 라인 상에 있다. 따라서, 포인트(100)는 흑체 곡선 근처의 GW-PW 라인 상에 있으며, 실질적으로 "순수한" 백색광이다. 녹백색광과 자백색광의 비율은, 포인트(100)에서 백색광을 생성하거나, 흑체 곡선에서 또는 그 가까이에서 백색광을 생성하도록 적절히 선택된다.
도 2a는 방출하는 빛의 파장에 따라 청색 다이오드를 분류하는 시스템을 설명한다. 백색 LED는 분류된 청색 다이오드를 사용하여 조립된다. 그 후, 상기 LED는 혼합광이 오염되지 않은 백색이도록 디바이스 상에 배열된다. 따라서, 백색 LED는 통상적인 프로세스로 생성된 100% 청색 반도체 물질을 사용하여 만들어질 수 있다. 청색 다이오드는, 각각의 청색광의 파장에 따라, 3개의 그룹, 즉, PB, B 및 GB로 분류된다. 그룹 PB는 460-465㎚ 범위의 빛을 방출하는 자청색 다이오드로 구성된다. 그룹 B는 465-470㎚ 범위의 빛을 방출하는 청색 다이오드로 구성된다. 그룹 GB는 470-480㎚ 범위의 빛을 방출하는 녹청색 다이오드로 구성된다.
도 2b는 회백색 및 백색 LED를 분류하여 "순수한" 백색광을 생성하는 데 사용되는 대안 시스템을 나타낸다. 이 방식에서, 백색 LED는 통상적인 프로세스로 생성된 100% 청색 반도체 물질을 사용하여 만들어질 수 있다. 백색 LED는, 각 LED의 백색 생성광의 색 좌표에 따라, 3개의 그룹, 즉, PW, W 및 GW로 분류된다. 그룹 PW는 460-465㎚ 범위의 빛을 방출하는 다이오드로 만든 자백색 LED로 구성된다. 그룹 W는 465-470㎚ 범위의 빛을 방출하는 다이오드로 만든 백색 LED로 구성된다. 그룹 GW는 470-480㎚ 범위의 빛을 방출하는 다이오드로 만든 녹백색 LED로 구성된다.
도 3은 각 그룹 중의 하나인 3개의 백색광의 가능한 배열을 나타낸다. 어레이(300)는 1x3 행렬이다. 바람직한 실시예에서, LED(310)는 그룹 GW의 것이고, LED(320)은 그룹 PW의 것이며, LED(330)는 그룹 W의 것이다(도 2 참조). 이러한 3개의 LED의 빛의 혼합은, 색도도 상에 나타낸 바와 같이, 순수한 백색광이다. 실험은, LED(310, 320, 330)의 실제 배열은 문제가 되지 않는다는 것, 즉, 임의의 배열의 생성광이 순백색이라는 것을 보여주고 있다.
도 3에서, 다이오드는 전기 전도성 트레이스(도시하지 않음)를 갖는 기판(302)과 연결된다. 본드 와이어(304)는 LED 단자의 일 끝단에서부터 상기 기판 상의 전도성 트레이스까지 이어진다. 밀봉제 및 형광체의 혼합층(306)은 다이오드를 덮은다.
도 4는 2x2 행렬로 배열된 4개의 백색 LED 어레이(400)를 나타낸다. 바람직한 실시예에서, LED(410, 420)가 그룹 GW의 것인 반면, LED(430, 440)는 그룹 PW의 것이다(도 2 참조). 바람직한 실시예에서, 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 행에는 LED(410, 430)이 배열되고, 제 2 행에는 LED(420, 440)이 배열된다. 실험은, LED(410, 420, 430, 440)의 실제 배열은 문제가 되지 않는다는 것, 즉, 이러한 4개의 LED의 임의의 배열의 생성광이 순백색이라는 것을 보여주고 있다.
도 4에서, LED의 다이오드는 전기 전도성 트레이스(도시하지 않음)를 갖는 기판(402)과 연결된다. 본드 와이어(404)는 LED 단자의 일 끝단에서부터 상기 기판 상의 전도성 트레이스까지 이어진다. 밀봉제 및 형광체의 혼합층(406)은 다이오드를 덮는다.
도 5는 바람직한 다른 실시예를 나타내고 있는 것으로서, 다이오드가 기판의 공동부(cavities)에 위치한다. 공동부는 반사기로서 작용하여, 빛을 모으고 희망 방향으로 배출한다. 상기 공동부는 또한 저장부(receptacle)로서 작용하여 밀봉제/형광체 혼합물로 먼저 채워질 수 있으며, 다이오드는 이 공동부와, 밀봉제만으로 이루어진 렌즈 사이에 놓이게 된다. 제 2의 광학 렌즈는, 유리하게는 다이오드 위에 위치하고, 빛의 방사형 패턴을 제어 및 개선한다. 바람직한 실시예에서는, 프레스넬 렌즈(fresnel lens)가 사용된다.
밀봉제는 에폭시 물질인 것이 바람직하지만, 일반적으로, 열가소성 플라스틱(theremoplastics) 및 열경화성 플라스틱(thermosets)과 같은 폴리머가 적합하다. 또한, 실리콘 또는 유리도 사용될 수 있다. 밀봉제는, 바람직하게는, 사출 성형(injection molding) 또는 이송 성형(transfer molding)으로 생산된다. 또한, 캐스팅 프로세스도 이용될 수 있다. 대안으로, 밀봉제는 다이오드 위에 위치하는 캡일 수 있다.
도 5에서, 다이오드는 전기 전도성 트레이스(도시하지 않음)를 갖는 기판(502)과 연결된다. 상기 기판은 반사기로서 작용하는 공동부(501)를 갖는다. 본드 와이어(504)는 LED 단자의 일 끝단에서부터 상기 기판 상의 전도성 트레이스까지 이어진다. 밀봉제/형광체 혼합층은 다이오드를 덮으며, 공동부를 적어도 부분적으로 채운다. 밀봉제만으로 이루어진 제 2 렌즈 형상층(506)이 각 다이오드를 적어도 부분적으로 덮는다. 대안으로, 밀봉제(506)는 밀봉제/형광체 혼합물을 포함한다. 제 2 렌즈(508)가 LED 어레이의 렌즈 측면에 조립된다.
LED의 배열은 1x3 또는 2x2 행렬로 제한되지 않는다. 그룹 PW로부터의 LED가 그룹 GW로부터의 LED와 상보적인 한, m x n 행의 임의의 어레이가 사용될 수 있으며, 그 반대도 마찬가지이다(도 2 참조). 최소는 1x2 행렬로 배열되는 2개의 LED이다. 그룹 W로부터의 LED는, 그 자체에서 순수한 백색광을 생성하기 때문에, 상보적 LED를 요구하지 않는다. 또한, 본 발명은 규치적인 행-및-열 어레이로 제한되지 않으나, 임의의 규칙적인 2 차원 또는 3차원 분류의 LED 어레이에서 동일하게 효율적이다.
상보적 백색 LED는 리드프레임(leadframe), 인쇄회로기판, 플렉시블 기판, 유리 또는 세라믹과 같은 기판 상에 배열될 수 있다. 대안으로, 스루홀 타입이나 칩LED 램프 및 표면 탑재형 PLCC와 같은 다수의 상보적 백색 LED 디바이스 소자는 인쇄회로기판과 같은 다른 기판 상에 배열되어, 순수한 백색광을 생성할 수 있다. 일반적으로, 이러한 소자는 자동 선택 및 위치 장비를 이용하여 기판 상에 놓인 후, 열에 노출시켜 적소에 납땜된다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예인 화상 캡쳐용 디바이스를 나타낸 것이다. 여기에 도시한 화상 캡쳐용 디바이스는 디지털 카메라를 장착하고 있는 휴대폰이다. 1x3 어레이(601)(도 3 참조)는, 흐리거나 어둡거나 야간의 조건에서 사진을 찍을 수 있을 정도의 플래시 빛을 제공한다.
본 발명은 회백색 발광 다이오드(LED)를 이용하여 오염되지 않은 백색광을 생성하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 상보적 LED로부터 각기 다른 색조(hues)의 백색광을 혼합하여 더욱 "순수한" 백색광을 생성한다.
도 1은 1931 CIE(Commission International d'Elchairge) 색도(chromaticity)도 표현,
도 2a는 청색 다이오드를 분류하고, 백색 LED를 청색 다이오드와 조립하여, LED를 그 혼합광이 "순수한" 백색광이도록 배열하는 프로세스를 설명한 순서도,
도 2b는 회백색(off-white) LED를 분류하고 LED를 그 혼합광이 "순수한" 백색광이도록 배열하는 프로세스를 설명한 순서도,
도 3(a)은 기판 상에서의 백색 LED의 1x3 어레이 상측도,
도 3(b)은 기판 상에서의 백색 LED의 1x3 어레이 측면도,
도 4(a)는 기판 상에서의 백색 LED의 2x2 어레이 상측도,
도 4(b)는 기판 상에서의 백색 LED의 2x2 어레이 측면도,
도 5(a)는 기판 상의 공동부(cavities)에 있는 백색 LED의 어레이 상측도,
도 5(b)는 기판 상의 공동부에 있는 백색 LED의 어레이 측면도,
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예인 화상 캡쳐용 디바이스에 대한 도면이다. 이 경우, 화상 캡쳐용 디바이스는 카메라가 부착된 휴대폰으로서, 그 플래시는 도 3에서와 같은 1x3의 LED이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
300: 어레이 302: 기판
304: 본드 와이어 306: 혼합층
310, 320, 330: LED

Claims (27)

  1. 제 1 주파수 대역에서 빛을 방출하는 제 1 발광 다이오드와,
    제 2 주파수 대역에서 빛을 방출하는 제 2 발광 다이오드를 포함하되,
    상기 제 1 발광 다이오드와 상기 제 2 발광 다이오드로부터 발산된 빛의 혼합은 실질적으로 인간의 눈에 백색으로 보이는
    빛 생성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 발광 다이오드는 상기 제 1 주파수 대역에 대응하는 자백색광을 방출하고, 상기 제 2 발광 다이오든 상기 제 2 주파수 대역에 대응하는 녹백색광을 방출하는
    빛 생성 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 발광 다이오드는 흑체 곡선의 한 측면에 있는 색 좌표를 갖고, 상기 제 2 발광 다이오드는 상기 흑체 곡선의 다른 측면에 있는 색 좌표를 갖는
    빛 생성 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 자백색광을 발산하는 상기 제 1 발광 다이오드로부터의 빛과 상기 녹백색광을 발산하는 상기 제 2 발광 다이오드로부터의 빛의 상기 혼합은 순수한 백색광이 되는
    빛 생성 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 발광 다이오드는 황색 형광체 파장 변환 물질을 함유하는 밀봉제로 덮여 있는 청색 발광 다이오드를 포함하는
    빛 생성 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 발광 다이오드는 상기 황색 형광체 파장 변환 물질을 함유하는 밀봉제로 덮여 있는
    빛 생성 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    제 1 발광 다이오드는 460-465㎚ 사이의 상기 자청색광의 파장을 포함하는
    빛 생성 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    제 2 발광 다이오드는 470-480㎚ 사이의 상기 녹청색광의 파장을 포함하는
    빛 생성 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 자백색광을 보완하여 상기 순수한 백생광을 생성하는 방식으로 배열된 다수의 자백색 발광 다이오드 및 동일한 수의 녹백색 발광 다이오드를 더 포함하는
    빛 생성 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 발광 다이오드에 의해 생성된 빛은 화상 캡쳐용 디바이스에서 객체를 비추는 데 사용되는
    빛 생성 장치.
  11. 흑체 곡선의 한 측면에 있는 색 좌표를 갖는 발광 다이오드는 상기 흑체 곡선의 다른 측면에 있는 색 좌표를 갖는 발광 다이오드 근처에 위치하고, 생성된 색이 상기 색 좌표들을 결합하는 직선의 궤적 상에 있도록 배열된 발광 다이오드를 포함하는
    발광 디바이스.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 색 좌표들은 CIE에 의해 설정된 색측정(colorimetry) 표준과 일치하는
    발광 디바이스.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드에 의해 생성된 빛은 상보적 복사선인
    발광 디바이스.
  14. 제 11 항에 있어서,
    녹백색 및 자백색을 갖는 백색 발광 다이오드는 상기 어레이에 배열되어 인간의 눈에 실질적으로 백색으로 보이는 복사선을 생성하는
    발광 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    백색광은 대략 6500켈빈 또는 9300켈빈 중의 하나인 색 온도를 갖는
    발광 디바이스.
  16. 제 11 항에 있어서,
    녹백색 발광 다이오드는 480㎚의 색을 띠는 청색 발광 다이오드로 구성되고, 자백색 발광 다이오드는 460㎚의 색을 띠는 청색 발광 다이오드를 포함하는
    발광 디바이스.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 녹백색 발광 다이오드는 470㎚ 이상의 색을 띠는 청색 발광 다이오드로 구성되고, 상기 자백색 발광 다이오드는 465㎚ 이하의 색을 띠는 청색 발광 다이오드를 포함하는
    발광 디바이스.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 어레이는, 상기 흑체 곡선의 상단에 있는 색 좌표를 갖는 제 1 발광 다이오드와, 상기 흑체 곡선에 가까이 있는 색 좌표를 갖는 제 2 발광 다이오드와, 상기 흑체 곡선의 하단에 있는 색 좌표를 갖는 제 3 발광 다이오드를 구비하고 있는
    발광 디바이스.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 어레이는,
    흑체 곡선의 상단에 있는 색 좌표를 갖는 제 1 발광 다이오드와, 상기 흑체 곡선의 하단에 있는 색 좌표를 갖는 제 2 발광 다이오드를 구비하고 있는 적어도 1x2 행렬의 발광 다이오드를 포함하는
    발광 디바이스.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 어레이는 LED 디바이스 소자를 포함하는
    발광 디바이스.
  21. 제 11 항에 있어서,
    상기 어레이는,
    상기 흑체 곡선의 상단에 있는 색 좌표를 갖는 좌측 상단 구석의 제 1 발광 다이오드와,
    상기 흑체 곡선의 상기 상단에 있는 색 좌표를 갖는 우측 하단 구석의 제 2 발광 다이오드와,
    상기 흑체 곡선의 상기 하단에 있는 색 좌표를 갖는 우측 상단 구석의 제 3 발광 다이오드와,
    상기 흑체 곡선의 상기 하단에 있는 색 좌표를 갖는 좌측 바닥 구석의 제 4 발광 다이오드를 구비하고 있는 2x2 행렬의 발광 다이오드를 포함하는
    발광 디바이스.
  22. 흑체 곡선으로부터 멀리 떨어진 색 좌표를 갖는 백색 발광 다이오드 어레이를 포함하되, 혼합광이 상기 흑체 곡선으로부터 보다 멀리 떨어져 있지 않은 색 좌표를 갖는
    발광 디바이스.
  23. 전기 전도성 트레이스를 갖는 기판과,
    적어도 하나의 녹청색 LED와 각각의 녹청색 LED를 위한 하나의 자청색 LED를 포함하되, 상기 녹청색 LED와 상기 자청색 LED는 상기 가판에 부착되어 있는 어레이와,
    각각의 LED를 변환하는, 황색 형광체 파장 변환 물질을 함유한 밀봉제와,
    각각의 LED에 전류를 제공하는 회로를 포함하는
    백색 발광 디바이스.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 녹청색 LED와 상기 자청색 LED가 배치되어 있는 공동부(cavities)를 가지며, 상기 공동부는 반사기로서 작용하여 빛을 수집하고 희망 방향으로 배출하는
    백색 발광 디바이스.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 밀봉제 및 상기 황색 형광체 파장 변환 물질은 방출된 빛의 희망 방사형 패턴을 전달하는 렌즈 형상으로 형성되는
    백색 발광 디바이스.
  26. 제 23 항에 있어서,
    방출된 빛의 방사형 패턴을 개선하는 데 사용되는 상기 LED 어레이 위에 위치하는 광학 렌즈를 더 포함하는
    백색 발광 디바이스.
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 녹청색 LED 및 상기 자청색 LED에 의해 생성된 빛은 화상 캡쳐용 디바이스에서 객체를 비추는 데 사용되는
    백색 발광 디바이스.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771811B1 (ko) * 2005-12-27 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
KR100818162B1 (ko) * 2007-05-14 2008-03-31 루미마이크로 주식회사 색온도 조절이 가능한 백색 ｌｅｄ 장치
KR100965993B1 (ko) * 2007-03-26 2010-06-24 아바고 테크놀로지스 이씨비유 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 고체 상태 광원 및 그 광원을 제조하는 방법
KR20110035114A (ko) * 2009-09-29 2011-04-06 엘지디스플레이 주식회사 백색 광원모듈 및 이를 적용한 액정표시장치
KR20110108705A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20130016815A (ko) * 2011-08-09 2013-02-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지, 발광 장치 및 조명 장치
KR101280390B1 (ko) * 2008-05-13 2013-07-01 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 이용한 액정표시장치모듈
WO2016036054A1 (ko) * 2014-09-03 2016-03-10 송인실 혼합광 생성장치
US10136499B2 (en) 2015-02-02 2018-11-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting module and lighting apparatus provided with same

Families Citing this family (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1620903B1 (en) * 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US8318044B2 (en) * 2004-06-10 2012-11-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7404652B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission
US20060132431A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Eliezer Oren E Multi-function digital device as a human-input-device for a computer
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
KR101138944B1 (ko) * 2005-01-26 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법
CN102003659B (zh) * 2005-02-14 2013-09-04 三菱化学株式会社 照明用光源及其制造方法
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8128272B2 (en) 2005-06-07 2012-03-06 Oree, Inc. Illumination apparatus
US7230222B2 (en) * 2005-08-15 2007-06-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Calibrated LED light module
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
JP5166278B2 (ja) * 2005-11-18 2013-03-21 クリー インコーポレイテッド 固体素子照明タイル
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
EP1963743B1 (en) 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
BRPI0620413A2 (pt) 2005-12-21 2011-11-08 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US20070153495A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Wang Michael Dongxue Illumination mechanism for mobile digital imaging
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US9921428B2 (en) 2006-04-18 2018-03-20 Cree, Inc. Light devices, display devices, backlighting devices, edge-lighting devices, combination backlighting and edge-lighting devices
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
EP2052589A4 (en) * 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
EP2008019B1 (en) 2006-04-20 2015-08-05 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN101454613A (zh) 2006-05-31 2009-06-10 科锐Led照明科技公司 具有颜色控制的照明装置及其照明方法
KR20140116536A (ko) 2006-05-31 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US7661840B1 (en) 2006-06-21 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Lighting device with illuminated front panel
US8310143B2 (en) * 2006-08-23 2012-11-13 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008067441A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) * 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
WO2008073794A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US8109656B1 (en) 2007-01-12 2012-02-07 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity
US20080169746A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode
US7686478B1 (en) 2007-01-12 2010-03-30 Ilight Technologies, Inc. Bulb for light-emitting diode with color-converting insert
TWI336962B (en) * 2007-02-08 2011-02-01 Touch Micro System Tech White light emitting diode package structure having silicon substrate and method of making the same
JP5476128B2 (ja) * 2007-02-22 2014-04-23 クリー インコーポレイテッド 照明装置、照明方法、光フィルタ、および光をフィルタリングする方法
TWI421447B (zh) * 2007-05-08 2014-01-01 Cree Inc 照明裝置及照明方法
CN101711325B (zh) * 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
KR20100017668A (ko) * 2007-05-08 2010-02-16 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
JP5325208B2 (ja) * 2007-05-08 2013-10-23 クリー インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
US7901107B2 (en) * 2007-05-08 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US7663315B1 (en) 2007-07-24 2010-02-16 Ilight Technologies, Inc. Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
WO2009025469A2 (en) 2007-08-22 2009-02-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US7841759B2 (en) * 2007-10-10 2010-11-30 Apple Inc. LED backlight for display systems
CN101821544B (zh) * 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8267542B2 (en) * 2007-11-15 2012-09-18 Cree, Inc. Apparatus and methods for selecting light emitters
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8550684B2 (en) 2007-12-19 2013-10-08 Oree, Inc. Waveguide-based packaging structures and methods for discrete lighting elements
US20090161369A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Keren Regev Waveguide sheet and methods for manufacturing the same
CN101463975A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态光源装置
WO2009093895A1 (en) * 2008-01-21 2009-07-30 Eldolab Holding B.V. A method for producing a led assembly and led assembly produced by the method
US8231237B2 (en) * 2008-03-05 2012-07-31 Oree, Inc. Sub-assembly and methods for forming the same
KR100986359B1 (ko) * 2008-03-14 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8350461B2 (en) * 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
DE102008025864A1 (de) * 2008-05-29 2009-12-03 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED Modul für die Allgemeinbeleuchtung
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
KR101269592B1 (ko) * 2008-07-09 2013-06-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈의 엘이디 백라이트 구성방법
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
JP5196262B2 (ja) * 2008-09-30 2013-05-15 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
DE102008051256B4 (de) * 2008-10-10 2018-05-24 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
JP5263515B2 (ja) * 2008-10-20 2013-08-14 東芝ライテック株式会社 照明装置
KR101081246B1 (ko) * 2008-11-21 2011-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
DE102008064073A1 (de) * 2008-12-19 2010-06-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von LED-Beleuchtungsvorrichtungen und LED-Beleuchtungsvorrichtung
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
JP5344149B2 (ja) * 2009-01-28 2013-11-20 東芝ライテック株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法
US7967652B2 (en) * 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8339029B2 (en) 2009-02-19 2012-12-25 Cree, Inc. Light emitting devices and systems having tunable chromaticity
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
DE102009015313B4 (de) * 2009-03-27 2022-02-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anzeigeeinrichtung
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US20100320904A1 (en) 2009-05-13 2010-12-23 Oree Inc. LED-Based Replacement Lamps for Incandescent Fixtures
TWI383345B (zh) * 2009-05-22 2013-01-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示器與其所使用的光源裝置
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
RU2511720C2 (ru) 2009-06-15 2014-04-10 Шарп Кабусики Кайся Осветительное устройство, устройство отображения и телевизионный приемник
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
US8727597B2 (en) 2009-06-24 2014-05-20 Oree, Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
CN102598313B (zh) 2009-08-14 2016-03-23 Qd视光有限公司 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
US8648546B2 (en) * 2009-08-14 2014-02-11 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more saturated light emitters, and method of lighting
TWI354365B (en) * 2009-08-26 2011-12-11 Quasioptical led package structure for increasing
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
CN102640566B (zh) * 2009-12-04 2015-07-08 欧司朗股份有限公司 用于产生多色光辐射的发光二极管发光装置
US8384121B2 (en) 2010-06-29 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US8508116B2 (en) 2010-01-27 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting device with multi-chip light emitters, solid state light emitter support members and lighting elements
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
KR100999809B1 (ko) * 2010-03-26 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
JP2011254064A (ja) * 2010-05-06 2011-12-15 Funai Electric Co Ltd 面発光装置
WO2011143197A2 (en) 2010-05-13 2011-11-17 Cree, Inc. Lighting device and method of making
US8339472B2 (en) * 2010-05-28 2012-12-25 Research In Motion Limited Composite flash for a mobile device
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US20120092862A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Shih-Jen Chuang Structure of light-emitting diode (led) having high color rendering index
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
TWI431813B (zh) * 2011-02-24 2014-03-21 Genesis Photonics Inc Light emitting diode components
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
EP2523534B1 (en) * 2011-05-12 2019-08-07 Ledengin, Inc. Apparatus and methods for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
JP6215207B2 (ja) * 2011-09-08 2017-10-18 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置及び照明制御方法
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
WO2013150470A1 (en) * 2012-04-06 2013-10-10 Koninklijke Philips N.V. White light emitting module
DE102012207185A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Zumtobel Lighting Gmbh Anordnung zur Erzeugung von weißem Licht mit einstellbarer Farbtemperatur
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
WO2014006501A1 (en) 2012-07-03 2014-01-09 Yosi Shani Planar remote phosphor illumination apparatus
US20140042470A1 (en) 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
US9353917B2 (en) 2012-09-14 2016-05-31 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
CN102969437A (zh) * 2012-12-06 2013-03-13 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件
US8876312B2 (en) 2013-03-05 2014-11-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device and apparatus with spectral converter within a casing
US8928219B2 (en) * 2013-03-05 2015-01-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device with spectral converter
TWI476383B (zh) * 2013-04-17 2015-03-11 Nat Univ Tsing Hua 以黑體輻射光譜相似性分析光源品質之方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
US10026875B2 (en) * 2013-06-18 2018-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light-source device and light-emitting device
CN103839935A (zh) * 2014-03-14 2014-06-04 无锡实益达电子有限公司 一种具有高色彩表现能力的集成式白光led光源
DE202014103047U1 (de) * 2014-03-27 2014-08-20 Tridonic Jennersdorf Gmbh Beleuchtungsvorrichtung zur Erzeugung von weißem Licht
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
DE102016102596A1 (de) * 2016-02-15 2017-08-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle
CN107946441A (zh) 2016-10-12 2018-04-20 亿光电子工业股份有限公司 发光装置及发光二极管封装结构
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
US11337282B2 (en) * 2017-02-28 2022-05-17 Quarkstar Llc Lifetime color stabilization of color-shifting artificial light sources
JP6912732B2 (ja) * 2018-08-31 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP7007595B2 (ja) * 2019-05-31 2022-01-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11912918B2 (en) * 2020-06-29 2024-02-27 Lumileds Llc Phosphor particle coating

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3649748B2 (ja) * 1993-03-22 2005-05-18 三洋電機株式会社 発光ダイオードランプ
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
JPH1011002A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Toyoda Gosei Co Ltd ２色発光ダイオード及び２色発光ダイオードディスプレイ装置
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
JPH11149262A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Copal Co Ltd 白色発光素子及び電光表示ユニット
JP2000294834A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2000349345A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
ES2253274T5 (es) 1999-11-18 2016-04-14 Philips Lighting North America Corporation Sistema y procedimiento de generación y modulación de condiciones de iluminación
FR2801386A1 (fr) * 1999-11-19 2001-05-25 Adiatec Sa Dispositif de test pour l'analyse de faibles volumes d'echantillons par des methodes immunochromatographiques
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
TW557373B (en) * 2000-10-25 2003-10-11 Lumileds Lighting Bv Illumination system and display device
JP2003046131A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 色度補正機能を有する半導体発光装置
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
JP2002252374A (ja) * 2002-01-31 2002-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
US20040120140A1 (en) * 2002-03-27 2004-06-24 Fye Michael E. Illuminated graphics using fluorescing materials
DE10216395B4 (de) * 2002-04-12 2004-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Festlegung der Farbgruppe einer LED und LED-Modul
KR100567548B1 (ko) * 2002-04-22 2006-04-05 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100449503B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100449502B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR100632659B1 (ko) * 2002-05-31 2006-10-11 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드
US6794686B2 (en) * 2002-06-06 2004-09-21 Harvatek Corporation White light source
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
JP2004356116A (ja) * 2003-05-26 2004-12-16 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
TWI350009B (en) * 2003-09-24 2011-10-01 Osram Gmbh High efficient lighting system on led-basis with improved color rendition
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
US20050093422A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Chien-Yuan Wang White light-emitting device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771811B1 (ko) * 2005-12-27 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
KR100965993B1 (ko) * 2007-03-26 2010-06-24 아바고 테크놀로지스 이씨비유 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 고체 상태 광원 및 그 광원을 제조하는 방법
KR100818162B1 (ko) * 2007-05-14 2008-03-31 루미마이크로 주식회사 색온도 조절이 가능한 백색 ｌｅｄ 장치
KR101280390B1 (ko) * 2008-05-13 2013-07-01 엘지디스플레이 주식회사 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 이용한 액정표시장치모듈
KR20110035114A (ko) * 2009-09-29 2011-04-06 엘지디스플레이 주식회사 백색 광원모듈 및 이를 적용한 액정표시장치
KR20110108705A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20130016815A (ko) * 2011-08-09 2013-02-19 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지, 발광 장치 및 조명 장치
WO2016036054A1 (ko) * 2014-09-03 2016-03-10 송인실 혼합광 생성장치
KR20160035103A (ko) * 2014-09-03 2016-03-31 송인실 혼합광 생성장치
US10103292B2 (en) 2014-09-03 2018-10-16 In-Sil Song Mixed-light generation apparatus
US10136499B2 (en) 2015-02-02 2018-11-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting module and lighting apparatus provided with same

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