KR20050052510A - 피처리체의 반송 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실을 포함하는 복수의 처리실과, 2개의 픽을 갖는 반송기구를 구비한 처리 장치에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 관한 것이다. 본 발명 방법은, 상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비한다. 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은, 상기 2개의 픽 중 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은, 상기 2개의 픽 중 다른쪽의 픽을 이용하여 실행된다.

Description

피처리체의 반송 방법{METHOD FOR CARRYING OBJECT TO BE PROCESSED}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 시스템 등에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스를 제조할 때에는, 반도체 웨이퍼에 대하여 각종 박막의 성막 처리, 개질 처리, 산화 확산 처리, 어닐 처리, 에칭 처리 등이 순차적으로 반복하여 실시된다. 예컨대, 반도체 웨이퍼상에 다층의 박막이 형성될 수 있다.
예컨대, 낱장식 처리 시스템에 있어서는, 상기의 각종 처리를 연속하여 실행할 수 있도록, 복수의 처리실이 하나의 반송실에 공통으로 연결되고, 이른바 클러스터 처리 장치가 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼는, 각 처리공간을 말하자면 돌아다니도록 하여 반송되어, 필요한 처리가 각 처리실에서 연속적으로 그리고 효율적으로 실행되도록 되어 있다.
이러한 종류의 클러스터 처리 장치로 이루어지는 종래의 처리 시스템의 일례를 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7에 도시하는 바와 같이 이 처리 시스템은, 하나의 예컨대 육각형 형상의 공통 반송실(102)의 주위에 4개의 처리실(104A 내지 104D)이 각각 게이트 밸브(106)를 거쳐서 연결되어 있는 진공 처리 장치를 갖고 있다. 그리고, 이 공통 반송실(102)에는, 2개의 로드록실(108A, 108B)을 거쳐서, 직사각형 형상의 반입측 반송실(110)이 연결되어 있다.
로드록실(108A, 108B)과 공통 반송실(102)과의 연결부 및 로드록실(108A, 108B)과 반입측 반송실(110)과의 연결부에는, 각각 게이트 밸브(106)가 개재되어 있다. 또한, 반입측 반송실(110)에는, 반도체 웨이퍼를 복수매 수용할 수 있는 카세트를 탑재하는 예컨대 3개의 도입 포트(112) 및 반도체 웨이퍼(W)의 위치 정렬을 실행하는 오리엔터(114)가 연결되어 있다.
그리고, 반입측 반송실(110)내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 2개의 픽(116A, 116B)을 가짐과 동시에 굴신(屈伸), 선회, 승강 및 수평 직선 이동 가능하게 이루어진 반입측 반송기구(116)가 설치되어 있다. 또한, 공통 반송실(102)내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 2개의 픽(118A, 118B)을 가짐과 동시에 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 반송기구(118)가 설치되어 있다.
여기서, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 각 처리실(104A 내지 104D)에 있어서의 처리가 104A 104B 104C 104D의 순서로 실행되는 것으로 가정하면, 도입 포트(112)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)는 화살표로 나타내는 바와 같이 반송된다. 즉, 예컨대 중앙의 도입 포트(112)의 웨이퍼(W)는, 반입측 반송기구(116)의 픽(116A 또는 116B)에 유지되어, 오리엔터(114)에 운반된다. 웨이퍼(W)는 오리엔터(114)에 있어서 위치 정렬되어, 다시 픽(116A 또는 116B)에 유지되어, 어느 한쪽의 로드록실, 예컨대 로드록실(108A)내에 반송된다. 로드록실(108A)내에 반송된 웨이퍼(W)는, 공통 반송실(102)내의 반송기구(118)의 픽(118A 또는 118B)에 의해, 처리실(104A 내지 104D)의 순서로 각 처리실(104A 내지 104D)을 돌아다니도록 순차적으로 반송된다. 필요한 처리가 각 처리실(104A 내지 104D)에서 웨이퍼(W)에 실시된다. 그리고, 각종 처리가 완료된 웨이퍼(W)는, 어느 하나의 로드록실, 여기서는 다른쪽의 로드록실(108B)을 거쳐서 반입측 반송실(110)내로 반출되고, 그 후, 본래의 도입 포트(112)로 복귀된다.
각 반송기구(116, 118)에 있어서는, 스루풋을 향상시키기 위해, 2개의 픽 중의 한쪽의 픽이 공백 상태로 된다. 이 공백 상태의 픽에 의해, 임의의 장소에 먼저 탑재 또는 수용되어 있는 웨이퍼가 집어 들어져서, 해당 장소를 공백 장소로 한다. 다음에, 다른쪽의 픽에 의해, 해당 다른쪽의 픽에 유지되어 있던 웨이퍼가 상기 공백 장소에 탑재 또는 수용된다. 이렇게 하여, 웨이퍼의 교환이 원활하게 실행되어, 스루풋의 향상이 도모되고 있다.
또한, 크로스 콘태미네이션(cross contamination)을 방지하는 종래 기술로서, 다수의 처리실을 갖는 처리 시스템에 있어서, 반송기구의 다수의 픽이 처리실마다 각각 할당되는 기술이 있다(예컨대, 일본국 특허 공개공보 평성7-122612호(제 3∼4 페이지, 도 1∼도 2) 참조). 이 기술에 의하면, 웨이퍼가 각 처리실 사이에서 반송되어도, 임의의 공정(처리실)에서 발생된 오염 물질이 다른 공정에 영향을 미치지 않는다.
도 1은 본 발명에 관한 반송 방법을 실시하기 위한 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 구성도.
도 2는 버퍼기구의 일례를 도시하는 사시도.
도 3은 처리 시스템의 변형 실시예의 일례를 도시하는 구성 개략도.
도 4는 버퍼기구를 겸비한 패스부를 도시하는 사시도.
도 5는 패스부에서의 동작을 설명하기 위한 설명도.
도 6은 처리 시스템의 다른 변형 실시예의 일례를 도시하는 구성 개략도.
도 7은 클러스터 처리 장치로 이루어지는 종래의 처리 시스템의 일례를 도시하는 도면.
그런데, 상기 처리실(104A 내지 104D)에 있어서의 처리로서, 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리가 실행되는 경우가 있다. 예컨대 Cu막, Ti막, W(텅스텐)막과 같은 금속 박막을 성막하는 처리가 실행되는 경우, 이러한 종류의 금속의 파티클이 웨이퍼 표면에 부착될 수 있다. 금속의 파티클은 핵으로 되어, CVD 성막시에 막의 이상(異常) 성장을 발생시킬 수 있다. 또한, 파티클이 부착되어 있는 부분에는 다른 막이 퇴적되지 않는다. 또한, 특히 Cu 파티클은 Cu 원자의 산화막중에서의 확산 계수가 크기 때문에, SiO2막의 유전율을 저하시켜 버린다.
예컨대 처리실(104C)에 있어서 상기의 금속 박막의 성막 처리가 실행된다고 가정하면, 전술한 바와 같이 각 픽(116A, 116B 및 118A, 118B)이 스루풋을 우선하여 운용되는 경우, 각 픽(116A, 116B 및 118A, 118B) 모두가 처리실(104C)에서 처리 완료된 웨이퍼를 유지할 수 있다. 따라서, 처리 완료된 웨이퍼의 이면 등에 부착되어 있는 금속막의 파티클이 픽(116A, 116B, 118A, 118B)에 부착될 수 있어, 오염된 픽이 처리실(104C)로의 반입전의 웨이퍼(W)를 유지할 때에, 이 웨이퍼 자체가 상기의 금속막의 파티클에 의해 오염될 수 있다. 또한, 픽의 오염은 금속막의 성막 처리를 실행하는 처리실(104C)내에 픽을 삽입한 것만으로도 발생할 가능성이 있다.
본 발명은, 상기의 크로스 콘태미네이션의 문제에 착안하여, 이것을 유효하게 해결하기 위하여 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 스루풋을 희생시키더라도 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)의 발생을 억제하는 것이 가능한 피처리체의 반송 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실을 포함하는 복수의 처리실과, 2개의 픽을 갖는 반송기구를 구비한 처리 장치에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 있어서, 상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비하고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법이다.
오염이 발생하기 쉬운 특정 처리실에 피처리체를 반입하기 직전까지는 한쪽의 픽을 이용하고, 특정 처리실로의 피처리체의 반입 및 그 이후의 반송은 다른쪽의 픽을 이용하도록 했기 때문에, 피처리체와 픽에 의한 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)을 최대한 억제하는 것이 가능해진다.
이 경우, 바람직하게는, 본 발명 방법은, 상기 한쪽의 픽으로부터 상기 다른쪽의 픽으로 상기 피처리체를 옮기는 옮김 공정을 더 구비하고, 해당 옮김 공정은, 상기 한쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 피처리체를 유지시키는 공정과, 상기 다른쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 유지된 피처리체를 취하러 가는 공정을 갖는다.
또한, 본 발명은, 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실을 포함하는 복수의 처리실과, 상기 각 처리실에 공통으로 연결된 공통 반송실과, 상기 공통 반송실내에 마련된, 2개의 픽을 갖는 반송기구와, 상기 공통 반송실내에 마련된, 피처리체를 일시적으로 유지하는 버퍼기구와, 상기 공통 반송실에 대하여 피처리체를 반출입시키는 반송구를 구비한 진공 처리 장치에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 있어서, 상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비하고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되며, 상기 버퍼기구를 이용하여 상기 한쪽의 픽으로부터 상기 다른쪽의 픽으로 상기 피처리체를 옮기는 옮김 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법이다.
이 경우에도, 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실에 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송과, 특정 처리실에 피처리체를 반입할 때 및 그 이후의 반송에서 사용하는 픽을 구별하도록 했기 때문에, 피처리체와 픽에 의한 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)을 최대한 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 발명은, 복수의 처리실과, 상기 각 처리실에 공통으로 연결된 공통 반송실과, 상기 공통 반송실내에 마련된, 2개의 픽을 갖는 반송기구를 각각 구비한 복수의 진공 처리 장치가 패스부를 거쳐서 연결되어 구성된 처리 시스템에 있어서, 상기 처리 시스템 중 어느 하나의 처리실이 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실이고, 상기 특정 처리실에 연결된 공통 반송실 또는 해당 공통 반송실에 연통하는 패스부에, 피처리체를 일시적으로 유지하는 버퍼기구가 마련되어 있고, 어느 하나의 공통 반송실에, 해당 공통 반송실에 대하여 피처리체를 반출입시키는 반송구가 마련되어 있는 처리 시스템에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 있어서, 상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비하고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고, 상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되며, 상기 버퍼기구를 이용하여 상기 한쪽의 픽으로부터 상기 다른쪽의 픽으로 상기 피처리체를 옮기는 옮김 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법이다.
이 경우에도, 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실에 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송과, 특정 처리실에 피처리체를 반입할 때 및 그 이후의 반송에서 사용하는 픽을 구별하도록 했기 때문에, 피처리체와 픽에 의한 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)을 최대한 억제하는 것이 가능해진다.
바람직하게는, 상기 패스부에는 피처리체를 유지할 수 있는 적어도 2개의 피처리체 유지기구가 마련되어 있고, 한쪽의 피처리체 유지기구는 상기 특정 처리실에 반입되기 전의 피처리체를 유지하고, 다른쪽의 피처리체 유지기구는 상기 특정 처리실에서 처리된 후의 피처리체를 유지하도록 되어 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 패스부에는 해당 패스부를 거쳐서 연결된 공통 반송실에 대한 연통 및 차단을 제어하는 게이트 밸브가 마련되어 있고, 상기 각 처리실에는 해당 처리실이 연결된 공통 반송실에 대한 연통 및 차단을 제어하는 게이트 밸브가 마련되어 있으며, 상기 패스부의 게이트 밸브가 폐쇄 상태일 때에는, 해당 패스부에 의해 연통되어 있지 않은 각 공통 반송실에 연결된 각 처리실의 게이트 밸브는, 각 공통 반송실마다 1개만 택일적으로 개방 상태로 되고, 상기 패스부의 게이트 밸브가 개방 상태일 때에는, 해당 패스부에 의해 연통되어 있는 공통 반송실에 연결된 각 처리실의 게이트 밸브는, 연통된 공통 반송실마다 1개만 택일적으로 개방 상태로 되도록 되어 있다.
이 경우, 상이한 처리실에서 이용하고 있던 상이한 처리 가스끼리가 혼합하여 오염 등의 문제가 발생하는 것이 확실히 방지될 수 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 옮김 공정은, 상기 한쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 피처리체를 유지시키는 공정과, 상기 다른쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 유지된 피처리체를 취하러 가는 공정을 갖는다.
또한, 바람직하게는, 상기 반송구는 2개 마련되어 있고, 상기 한쪽의 반송구는 반입 전용인 반입구로서 이용되고, 상기 다른쪽의 반송구는 반출 전용인 반출구로서 이용되도록 되어 있다.
이 경우, 바람직하게는, 상기 2개의 반송구에는 진공 상태와 대기압 상태가 반복되는 로드록실이 게이트 밸브를 거쳐서 각각 연결되어 있고, 상기 로드록실에는 2개의 픽을 갖는 반입측 반송기구가 마련된 반입측 반송실이 게이트 밸브를 거쳐서 공통으로 연결되어 있고, 상기 피처리체를 상기 반입측 반송실로부터 상기 로드록실에 반입하는 반송 공정은 상기 반입측 반송기구의 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고, 상기 피처리체를 상기 로드록실로부터 상기 반입측 반송실에 반출하는 반송 공정은 상기 반입측 반송기구의 다른쪽의 픽을 이용하여 실행된다.
또한, 예컨대, 상기 특정 처리실에서는, 상기 피처리체에 금속 박막을 퇴적하는 처리가 실행된다.
이하에, 본 발명에 관한 피처리체의 반송 방법의 일 실시예를 첨부 도면에 근거하여 상세히 기술한다.
도 1은 본 발명에 관한 반송 방법을 실시하기 위한 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략 구성도, 도 2는 버퍼기구의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 이 처리 시스템(30)은 1개의 예컨대 육각형 형상의 공통 반송실(2)의 주위에 진공 배기 가능하게 이루어진 4개의 처리실(4A 내지 4D)이 각각 게이트 밸브(6)를 거쳐서 연결되어 있는 진공 처리 장치를 갖고 있다. 각 처리실(4A 내지 4D)에는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 서셉터(32A 내지 32D)가 마련되고, 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 처리를 실시할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 이 공통 반송실(2)에는, 진공배기 가능하게 이루어진 2개의 로드록실(8A, 8B)을 거쳐서, 직사각형 형상의 반입측 반송실(10)이 연결되어 있다.
로드록실(8A, 8B)과 공통 반송실(2)과의 연결부 및 로드록실(8A, 8B)과 반입측 반송실(10)과의 연결부에는, 각각 게이트 밸브(6)가 개재되어 있다. 또한, 반입측 반송실(10)에는, 반도체 웨이퍼를 복수매 수용할 수 있는 카세트를 탑재하는 예컨대 3개의 도입 포트(12) 및 반도체 웨이퍼(W)의 위치 정렬을 실행하는 오리엔터(14)이 연결되어 있다. 본 실시예의 오리엔터(14)은, 반도체 웨이퍼(W)를 회전하여 편심량을 광학적으로 구하여 위치 정렬을 실행하도록 되어 있다.
그리고, 반입측 반송실(10)내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 2개의 픽(16A, 16B)을 가짐과 동시에 굴신, 선회, 승강 및 수평 직선 이동 가능하게 이루어진 반입측 반송기구(16)가 마련되어 있다. 또한, 공통 반송실(2)내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 유지하기 위한 2개의 픽(18A, 18B)을 가짐과 동시에 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 반송기구(18)가 마련되어 있다.
여기서, 공통 반송실(2)과 2개의 로드록실 중 어느 한쪽, 예컨대 로드록실(8A)과의 연결부의 반송구(34)는, 반도체 웨이퍼를 공통 반송실(2)내에 전용으로 반입하는 반입구로서 이용된다. 한편, 공통 반송실(2)과 다른쪽의 로드록실(8B)과의 연결부의 반송구(36)는, 반도체 웨이퍼를 공통 반송실(2)로부터 외부로 전용으로 반출하는 반출구로서 이용된다.
공통 반송실(2)내의 한구석에는, 반도체 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지하기 위한 버퍼기구(38)가 마련되어 있다. 이 버퍼기구(38)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상하 이동하는 승강 로드(40)와, 승강 로드(40)의 상단에 마련된 판형상의 버퍼 베이스(42)와, 버퍼 베이스(42)상에 돌출하는 예컨대 3개의 지지핀(44)을 갖고 있다. 이 3개의 지지핀(44)의 상단이 웨이퍼(W)의 이면을 지지할 수 있도록 되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 처리 시스템(30)에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 대하여 설명한다.
여기서는, 처리실(4C)에 있어서, 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리로서, Cu막 등의 금속 박막을 퇴적하는 처리가 실행되는 것으로 가정한다. 처리실(4C)에 있어서 해당 처리가 실행되기 때문에, 처리실(4C)이 특정 처리실로 된다. 또한, 이 [특정]이라는 표현은 단순히 다른 처리실로부터 구별하기 위한 것이다.
처리실(4C)에서 금속 박막의 성막 처리가 이루어진 반도체 웨이퍼(W)를 반송할 때에는, 이 웨이퍼(W)의 이면 등에 불필요한 금속 박막이 부착되어 있어 이것이 픽에 부착(전파)될 우려가 있다. 따라서, 본 실시예에서는, 한쪽의 픽만이 콘태미네이션용 픽으로서 전용으로 이용된다. 상기 특정 처리실(4C)에 웨이퍼(W)를 반입하기 직전까지는, 다른쪽의 픽이 클린용 픽으로서 전용으로 이용된다. 클린용 픽은 상기 특정 처리실(4C)내에 침입시켜진 것만으로도 오염될 우려가 있다. 따라서, 본 실시예에서는, 웨이퍼를 특정 처리실(4C)내에 반입할 때에도, 콘태미네이션용 픽이 이용된다. 또한, 콘태미네이션용 픽이 금속 박막의 퇴적 처리 직전의 처리를 실행하는 처리실, 여기서는 처리실(4B)에 침입시켜지면, 이 처리실(4B)내가 오염될 우려가 있다. 그래서, 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼를 클린용 픽으로부터 콘태미네이션용 픽으로 옮기는 조작은 상기 버퍼기구(38)를 이용하여 실행된다.
그런데, 상기의 조건하에서, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 각 처리실(4A 내지 4D)에 있어서의 처리가 4A 4B 4C 4D의 순서로 실행되는 것으로 가정하면, 반도체 웨이퍼(W)는 화살표로 나타낸 바와 같이 반송된다. 여기서는, 일례로서, 3개의 도입 포트(12) 중의 중앙의 도입 포트(12)에 설치된 카세트(캐리어도 포함함)로부터 웨이퍼가 취출된다. 또한, 2개의 로드록실(8A, 8B) 중의 로드록실(8A)이 특정 처리실(4C)에 의한 처리전의 웨이퍼(W)의 반입용으로 이용되고, 다른쪽의 로드록실(8B)이 특정 처리실(4C)에 의한 처리후의 웨이퍼(W)의 반출용으로 이용된다.
또한, 여기서는, 각 반송기구(16, 18)에 있어서, 2개의 픽 중의 픽(16A, 18A)이 클린용 픽으로서 이용되고, 다른쪽의 픽(16B, 18B)이 콘태미네이션용 픽으로서 이용된다. 도면에 있어서, 클린용 픽이 이용되는 경로가 흑색의 화살표로서 표시되고, 콘태미네이션용 픽이 이용되는 경로가 흰색 화살표로서 표시되어 있다.
도 1에 있어서는, 각 처리실(4A 내지 4D)은 각각 웨이퍼(W)를 수용하고 있다. 여기서, 각 처리실(4A 내지 4D)의 처리는 종료하고 있거나 대략 종료하기 시작하고 있는 것으로 한다.
<반입측 반송실(10)내의 반송 조작>
우선, 반입측 반송실(10)내의 조작에 대하여 설명한다. 모든 처리실(4A 내지 4D)에서 처리되어 로드록실(8B)내에 수용되어 있는 웨이퍼(W)는, 반입측 반송기구(16)의 콘태미네이션용 픽(16B)에 의해, 반송 경로(X1)를 따라 중앙의 도입 포트(12)에 반송되어 수용된다.
또한, 중앙의 도입 포트(12)의 미처리 웨이퍼(W)는, 클린용 픽(16A)에 의해, 반송 경로(X2)를 따라 오리엔터(14)에 반송된다. 해당 웨이퍼(W)는 오리엔터(14)에 있어서 위치 정렬되고, 다시 클린용 픽(16A)에 의해 다른쪽 로드록실(8A)내에 수용된다. 이상의 조작이, 웨이퍼(W)의 처리가 진행할 때마다 반복하여 실행된다.
<공통 반송실(2)내의 반송 조작>
다음에, 공통 반송실(2)내에서의 웨이퍼의 반송 조작에 대하여 설명한다.
1. 우선, 반송기구(18)의 콘태미네이션용 픽(18B)이 처리실(4D)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Y1)를 따라 이것을 공백 상태의 콘태미네이션용 로드록실(8B)내에 놓는다.
2. 다음에, 콘태미네이션용 픽(18B)은 특정 처리실(4C)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Y2)를 따라 이것을 공백 상태의 처리실(4D)내에 반입해 놓는다. 그 후, 처리실(4D)내에서의 처리가 개시된다.
3. 여기서, 버퍼기구(38)상에는, 미리 처리실(4B)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)가 유지되어 있다. 콘태미네이션용 픽(18B)은 버퍼기구(38)상에 탑재되어 있는 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Y3)를 따라 이것을 공백 상태의 특정 처리실(4C)내에 반입해 놓는다. 그 후, 이 특정 처리실(4C)내에서의 처리가 개시된다.
4. 다음에, 처리실(4B)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 클린용 픽(18A)이 취하러 가고, 반송 경로(Y4)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 버퍼기구(38)상에 놓는다. 웨이퍼(W)는 여기서 대기한다.
5. 다음에, 처리실(4A)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 클린용 픽(18A)이 취하러 가고, 반송 경로(Y5)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 처리실(4B) 내로 반송해 놓는다. 그 후, 처리실(4B)내에서의 처리가 개시된다.
6. 다음에, 클린용 로드록실(8A)내에서 대기하고 있던 미처리 웨이퍼(W)를 클린용 픽(18A)이 취하러 가고, 반송 경로(Y6)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 처리실(4A)내에 반입해 놓는다. 그 후, 처리실(4A)내에서의 처리가 개시된다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입시에는, 대응하는 게이트 밸브(6)가 개폐 조작되는 것은 물론이다.
그리고, 각 처리실(4A 내지 4D)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 처리가 완료될 때마다, 상기의 조작이 반복하여 실행된다.
이상과 같이, 특정 처리실(4C)내에 웨이퍼(W)를 반송하는 공정 및 특정 처리실(4C)에서 금속 박막이 형성되어 금속 오염을 발생할 우려가 있는 웨이퍼를 반송하는 공정에서는, 반드시 콘태미네이션용 픽(16B, 18B)이 이용된다. 반대로, 그것보다 이전의 웨이퍼(W)의 반송 공정에서는 클린용 픽(16A, 18A)이 이용된다. 이와 같이 픽을 구별하여 사용함으로써, 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)이 발생하는 것을 최대한 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 각 처리실(4A 내지 4D)간에 있어서의 반송 순서는, 단순히 일례를 나타낸 것에 불과하고, 이것에 한정되지 않는 것은 물론이다. 어떠한 반송 경로의 경우에도, 웨이퍼에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 처리실에 웨이퍼가 반입되기 직전에, 전(前) 공정의 처리실에서 처리 완료된 웨이퍼가 일단 버퍼기구(38)에 의해 유지되고, 여기서 클린용 픽(18A)과 콘태미네이션용 픽(18B) 사이에서의 웨이퍼의 옮김 조작이 실행된다. 이에 의해, 전술한 바와 같이, 클린용 픽(18A)이 오염되는 것이 방지되고, 그 결과, 특정 처리실(4C)에서 처리되기 전의 웨이퍼(W)에 대한 오염이 방지될 수 있다.
<처리 시스템의 변형 실시예>
전술한 실시예에서는, 1개의 공통 반송실(2)에 복수의 처리실(4A 내지 4D)이 연결되어 있는 진공 처리 장치를 갖는 처리 시스템에 있어서의 반송 방법에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 이러한 종류의 처리 시스템에 한정되지 않고, 예컨대 복수의 공통 반송실(진공 처리 장치)이 연결되어 있는 구성의 처리 시스템에 있어서도 적용할 수 있다.
도 3은, 이와 같은 처리 시스템의 변형 실시예의 일례를 도시하는 개략 구성도, 도 4는 버퍼기구를 겸비한 패스부(중계부)를 도시하는 사시도, 도 5는 패스부에서의 동작을 설명하기 위한 설명도이다. 패스부의 기구 자체는, 특허 출원 제 2002-047509호에 상세히 나타나 있다. 또한, 도 1에 도시하는 구성 부분과 대략 동일 구성 부분에 대해서는 동일 부호를 부여하여 설명한다.
또한, 본 실시예의 경우에도, 특정 처리실(4C)에 있어서 콘태미네이션의 우려를 발생시키는 금속 박막을 형성하는 처리가 실행되는 것으로 가정한다.
도 3에 도시하는 처리 시스템(50)에 있어서는, 도 1에 도시하는 처리 시스템(30)에 있어서의 제 1 공통 반송실(2)과 2개의 로드록실(8A, 8B)과의 사이에, 별도의 다각형, 예컨대 변칙적인 칠각형의 제 2 공통 반송실(20)이 개재되어 있다. 제 2 공통 반송실(20)에, 2개의 처리실(4E, 4F)이 각각 게이트 밸브(6)를 거쳐서 연결되어 있다. 또한, 제 2 공통 반송실(20)과 제 1 공통 반송실(2) 사이에는, 양 공통 반송실(2, 20)을 연통함과 동시에 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지할 수 있는 패스부(22)가 연결되어 있다. 웨이퍼(W)의 반송시에, 패스부(22)에 웨이퍼가 일시적으로 유지되도록 되어 있다. 도 3의 경우, 제 1 공통 반송실(2)의 형상도 상기 패스부(22)를 연결하기 위해 변칙적인 칠각형으로 되어 있다. 제 1 공통 반송실(2)과 패스부(22)와의 접합부에는 게이트 밸브(6)가 마련되어 있다. 이에 의해, 양 공통 반송실(2, 20)은 연통 및 차단 가능하게 되어 있다.
상기 2개의 처리실(4E, 4F)내에도 웨이퍼(W)를 유지하는 서셉터(32E, 32F)가 각각 마련된다. 또한, 제 2 공통 반송실(20)내에도, 2개의 픽(24A, 24B)을 가짐과 동시에 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 반송기구(24)가 설치되어 있다. 그리고, 전술한 바와 동일한 조작에 의해, 웨이퍼가 효율적으로 반송되도록 되어 있다.
또한, 제 2 공통 반송실(20)과 2개의 로드록실 중 어느 한쪽, 예컨대 로드록실(8A)과의 연결부의 반송구(52)는, 반도체 웨이퍼를 제 2 공통 반송실(20)내에 전용으로 반입하는 반입구로서 이용된다. 한편, 제 2 공통 반송실(20)과 다른쪽의 로드록실(8B)과의 연결부의 반송구(54)는 반도체 웨이퍼를 제 2 공통 반송실(20)로부터 외부로 전용으로 반출하는 반출구로서 이용된다.
이 처리 시스템(50)에 있어서는, 제 1 공통 반송실(2)내에 도 1에서 도시한 버퍼기구(38)가 마련되어 있지 않다. 버퍼기구(38)의 기능은 상기 패스부(22)가 겸비되어 있다.
도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 패스부(22)에는 그 중심부에 배치된 2개의 피처리체 유지기구(56, 58)와, 이 외측에 배치된 1쌍의 피처리체 유지기구(60)가 마련되어 있다. 중심부에 위치하는 2개의 피처리체 유지기구(56, 58)는 대략 U자형상으로 성형된 베이스 판(56A, 58A)을 각각 갖고 있다. 각 베이스 판(56A, 58A)상에는, 각각 3개의 지지핀(56B, 58B)이 위쪽으로 돌출하도록 마련되어 있다. 각 지지핀군(56B, 58B)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 중앙부가 각각 별개 독립적으로 지지될 수 있도록 되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, U자형상의 베이스 판(56A 및 58A)은 서로 끼워 맞추어지도록 그리고 약간 이격되도록 배치되어 있고, 도 5에 도시하는 바와 같이, 각각 하방으로부터 연장되어 오는 승강 로드(56C, 58C)의 상단에 연결되어 별개 독립적으로 승강 가능하게 되어 있다. 또한, 이것들의 승강 로드(56C, 58C)의 기부(基部)에는, 도시하지 않은 벨로우즈가 마련되어 있다. 이에 의해, 패스부(22)의 내부의 기밀성을 유지하면서 승강 로드(56C, 58C)는 승강 가능하다.
이상과 같이, 이들 2개의 피처리체 유지기구(56, 58)는 1개의 웨이퍼(W)를 택일적으로 지지할 수 있도록 되어 있다. 도 5는 피처리체 유지기구(56)가 웨이퍼(W)를 1장 유지하고 있는 상태를 도시하고 있다.
버퍼 기능으로서, 이들의 2개의 피처리체 유지기구(56, 58) 중 어느 한쪽, 예컨대 피처리체 유지기구(56)(도 4에서 일부 사선으로 도시함)에 특정 처리실(4C)로 반입되기 직전의 웨이퍼(W)를 지지시키도록 한다. 또한, 다른쪽의 피처리체 유지기구(58)에는, 특정 처리실(4C)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)를 지지시키도록 한다. 즉, 피처리체 유지기구(58)는 콘태미네이션용 피처리체 유지기구로서 기능한다.
한편, 이 양 피처리체 유지기구(56, 58)의 외측에 위치하는 피처리체 유지기구(60)는, 좌우에 배치된 1쌍의 지지판(60A)과, 이들 지지판(60A)을 상단에서 지지하는 승강 로드(60B)를 갖고 있다. 지지판(60A)은 웨이퍼(W)의 이면의 주연부를 유지하여 상하 이동할 수 있도록 되어 있다. 이 승강 로드(60B)의 기부에도, 도시하지 않은 벨로우즈가 마련되어 있다. 이에 의해, 패스부(22)의 내부의 기밀성을 유지하면서 승강 로드(60B)는 승강 가능하다.
피처리체 유지기구(60)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 높은 위치에 있어서 웨이퍼(W)를 유지할 수 있도록 되어 있다. 여기서는, 피처리체 유지기구(60)는 제 2 공통 반송실(20)로부터 제 1 공통 반송실(2)로 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에 이용된다. 즉, 피처리체 유지기구(60)는 클린용 피처리체 유지기구로서 기능한다.
즉, 클린용 피처리체 유지기구(60가 웨이퍼(W)를 높은 위치에서 유지한 상태로, 해당 웨이퍼(W)의 아래쪽에 있어서, 버퍼용 피처리체 유지기구(56)가 특정 처리실(4C)에 반입되기 직전의 웨이퍼(W)를 옮김 조작을 위해 일시적으로 유지하거나, 또는 반출되어야 하는 처리 완료된 웨이퍼(W)를 콘태미네이션용 피처리체 유지기구(58)가 유지할 수 있다. 즉, 이 패스부(22)의 전체에 있어서는, 동시에 2장의 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 처리 시스템(50)에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 대하여 설명한다.
우선, 전술한 바와 같이, 특정 처리실(4C)에 있어서, 웨이퍼에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리가 실행되는 것으로 가정한다. 그리고, 각 반송기구(18, 24)에 있어서, 한쪽의 픽 예컨대 픽(18A, 24A)이 클린용 픽으로서 이용되고, 다른쪽의 픽(18B, 24B)만이 콘태미네이션용 픽으로서 이용된다. 또한, 반입측 반송기구(16)의 동작은, 도 1에 있어서 설명한 것과 완전히 동일하기 때문에, 여기서는 그 설명은 생략한다.
여기서, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 처리는, 처리실(4E) 처리실(4A) 처리실(4B) 특정 처리실(4C) 처리실(4D) 처리실(4F)의 순서로 실행되는 것으로 한다. 또한, 웨이퍼(W)는, 도 3에 화살표로 표시된 바와 같이 반송된다. 여기서도, 클린용 픽이 이용되는 경로가 흑색의 화살표로서 표시되고, 콘태미네이션용 픽이 이용되는 경로가 흰색 화살표로서 표시되어 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 반입측 반송실(10)내에서의 반송 조작은 도 1에 도시한 경우와 완전히 동일하기 때문에, 여기서는 그 설명은 생략한다.
<제 2 공통 반송실(20)내의 반송 조작>
우선, 제 2 공통 반송실(20)내에서의 웨이퍼의 반송 조작에 대하여 설명한다.
1. 우선, 반송기구(24)의 콘태미네이션용 픽(24B)이 처리실(4F)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Z1)를 따라 이것을 공백 상태의 콘태미네이션용 로드록실(8B)내에 놓는다.
2. 다음에, 이 콘태미네이션용 픽(24B)은, 패스부(22)의 콘태미네이션용 피처리체 유지기구(58)의 지지핀(58B)(도 4 및 도 5 참조)에 지지되어 있는 금속 박막의 퇴적 완료된 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Z2)를 따라 이것을 공백 상태의 처리실(4F)내에 반송해 놓는다. 그 후, 처리실(4F)내에서의 처리가 개시된다.
3. 다음에, 처리실(4E)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 클린용 픽(24A)이 취하러 가고, 반송 경로(Z3)를 따라 이것을 상기 패스부(22)의 공백 상태의 클린용 피처리체 유지기구(60)의 양 지지판(60A)상에 놓는다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)는 양 지지판(60A)에 의해 높은 위치에서 유지된다. 또한, 전술한 바와 같이, 이 상태로, 다른 2개의 피처리체 유지기구(56, 58) 중 어느 한쪽이 별도의 웨이퍼(W)를 유지할 수 있다.
4. 다음에, 클린용 로드록실(8A)내에서 대기하고 있던 미처리 웨이퍼(W)를 클린용 픽(24A)이 취하러 가고, 반송 경로(Z4)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 처리실(4E)내에 반입해 놓는다. 그 후, 이 처리실(4E)내에서의 처리가 개시된다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입시에는, 대응하는 게이트 밸브(6)가 개폐 조작되는 것은 물론이다.
그리고, 각 처리실(4E, 4F)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 처리가 완료될 때마다, 상기의 조작이 반복하여 실행된다.
<공통 반송실(2)내의 반송 조작>
1. 우선, 반송기구(18)의 콘태미네이션용 픽(18B)이, 처리실(4D)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Y1)를 따라 이것을 패스부(22)의 공백 상태의 콘태미네이션용 피처리체 유지기구(58)의 지지핀(58B)상에 놓는다. 지지핀(58B)상에 놓여진 웨이퍼(W)는, 즉시 제 2 공통 반송실(20)측으로 반송되어, 지지핀(58)상은 다시 공백 상태로 된다.
2. 다음에, 콘태미네이션용 픽(18B)은, 특정 처리실(4C)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Y2)를 따라 이것을 공백 상태의 처리실(4D)내에 반입해 놓는다. 그 후, 처리실(4D)내에서의 처리가 개시된다.
3. 여기서, 버퍼기구인 패스부(22)의 버퍼용 피처리체 유지기구(56)의 지지핀(56B)(도 4 및 도 5 참조)상에는, 미리 처리실(4B)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)가 유지되어 있다. 콘태미네이션용 픽(18B)은, 지지핀(56B)상에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 취하러 가고, 반송 경로(Y3)를 따라 이것을 공백 상태의 특정 처리실(4C)내에 반입해 놓는다. 그 후, 이 특정 처리실(4C)내에서의 처리가 개시된다.
4. 다음에, 처리실(4B)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 클린용 픽(18A)이 취하러 가고, 반송 경로(Y4)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 지지핀(56B)상에 놓는다. 웨이퍼(W)는 여기서 대기한다.
5. 다음에, 처리실(4A)내의 처리 완료된 웨이퍼(W)를 클린용 픽(18A)이 취하러 가고, 반송 경로(Y5)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 처리실(4B)내에 반송해 놓는다. 그 후, 처리실(4B)내에서의 처리가 개시된다.
6. 다음에, 패스부(22)의 클린용 피처리체 유지기구(60)의 지지판(60A)에 의해 지지되어 대기하고 있던 미처리 웨이퍼(W)를 클린용 픽(18A)이 취하러 가고, 반송 경로(Y6)를 따라 이것을 상기 공백 상태의 처리실(4A)내에 반입해 놓는다. 그 후, 처리실(4A)내에서의 처리가 개시된다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입시에는, 대응하는 게이트 밸브(6)가 개폐 조작되는 것은 물론이다.
그리고, 각 처리실(4A 내지 4D)에 있어서의 반도체 웨이퍼(W)의 처리가 완료될 때마다, 상기의 조작이 반복하여 실행된다.
이상과 같이, 특정 처리실(4C)내에 웨이퍼(W)를 반송하는 공정 및 특정 처리실(4C)에서 금속 박막이 형성되어 금속 오염을 발생시킬 우려가 있는 웨이퍼를 반송하는 공정에서는, 반드시 콘태미네이션용 픽(16B, 18B, 24B)이 이용된다. 반대로, 그것보다 이전의 웨이퍼(W)의 반송 공정에서는 클린용 픽(16A, 18A, 24A)이 이용된다. 이와 같이 픽을 구별하여 사용함으로써, 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)이 발생하는 것을 최대한 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 각 처리실(4A 내지 4F)간에 있어서의 반송 순서는, 단지 일례를 도시한 것에 불과하고, 이것에 한정되지 않는 것은 물론이다. 어떠한 반송 경로의 경우에도, 특정 처리실에 웨이퍼가 반입되기 직전에, 전 공정의 처리실에서 처리 완료된 웨이퍼가 일단 패스부(22)의 버퍼용 피처리체 유지기구(56)에 의해 유지되고, 여기서 클린용 픽(18A)과 콘태미네이션용 픽(18B) 사이에서의 웨이퍼의 옮김 조작이 실행된다. 이에 의해, 전술한 바와 같이, 클린용 픽(18A)이 오염되는 것이 방지되고, 그 결과, 특정 처리실(4C)에서 처리되기 전의 웨이퍼(W)에 대한 오염이 방지될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 제 2 공통 반송실(20)에 연통된 패스부(22)와 제 1 공통 반송실(2)과의 사이에, 개폐 가능하게 이루어진 게이트 밸브(6)가 개재하여 설치되어 있다. 그리고, 각 처리실(4A 내지 4F)간에 있어서의 처리 가스의 크로스 콘태미네이션의 발생을 방지하기 위하여, 웨이퍼 반송시에 있어서 각 게이트 밸브(6)의 개폐 동작이 제한되어 있다. 본 실시예에서는, 처리실끼리가 연통하는 것과 같은 상태에서는 게이트 밸브(6)가 열리지 않는다. 바꾸어 말하면, 2개 이상의 처리실의 게이트 밸브(6)가 동시에 열려 복수의 처리실끼리가 일시적이더라도 연통 상태로 된다고 하는 것이 회피되고 있다.
주지한 바와 같이, 처리 가스로서는, 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)을 일으킬 수 있는 가스, 부식성의 가스, 다른 가스와 혼합하면 폭발성을 발휘하는 가스 등이 이용된다. 따라서, 일반적으로는, 각 처리실의 게이트 밸브가 열릴 때에는, 공통 반송실(2, 22)내의 압력은, N2 가스 등의 불활성 가스에 의해 예컨대 27Pa(200mTorr)정도 처리실내보다 높은 양압(陽壓) 상태로 된다. 이에 의해, 게이트 밸브가 열려도, 처리실내의 잔류 처리 가스가 공통 반송실측으로 유출되는 일이 없다.
그리고, 본 실시예에서는, 또한 콘태미네이션 등의 발생을 확실히 억제하기 위해, 2개 이상의 처리실의 게이트 밸브가 동시에는 열리지 않도록 되어 있다. 예컨대 패스부(22)와 제 1 공통 반송실(2) 사이의 게이트 밸브(6)가 폐쇄 상태로 되어 양 공통 반송실(2, 20) 사이가 차단되어 있을 때에는, 제 1 공통 반송실(2)에 연결된 처리실(4A 내지 4D)의 각 게이트 밸브(6)는, 택일적으로밖에 열리지 않도록 제어된다. 한편, 동시에, 제 2 공통 반송실(20)에 연통된 처리실(4E, 4F)의 각 게이트 밸브(6) 및 양 로드록실(8A, 8B)의 연결부에 마련된 2개의 게이트 밸브도 택일적으로밖에 열리지 않도록 제어된다.
이에 대하여, 상기 패스부(22)의 게이트 밸브(6)가 개방 상태이고 양 공통 반송실(2, 20) 사이가 연통 상태로 되어 있을 때에는, 전체 처리실(4A 내지 4F)의 각 게이트 밸브(6) 및 양 로드록실(8A, 8B)의 게이트 밸브는 택일적으로밖에 열리지 않도록 제어된다.
이에 의해, 동시에 2개 이상의 복수의 처리실이 연통 상태로 되는 것을 저지할 수 있기 때문에, 처리 가스에 의한 크로스 콘태미네이션의 발생, 부식성 가스의 유출, 폭발성 가스의 혼합 생성 등의 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 3에 도시하는 처리 시스템에서는, 패스부(22)에 게이트 밸브(6)가 마련되어, 양 공통 반송실(2, 20)간의 연통, 차단이 자유롭게 될 수 있도록 되어 있다. 그러나, 처리 가스의 크로스 콘태미네이션 등의 우려가 낮은 경우에는, 패스부(22)에 게이트 밸브(6)를 마련하지 않더라도 무방하다. 이 경우, 양 공통 반송실(2, 20)간은, 패스부(22)를 거쳐서 항상 연통 상태로 된다.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 패스부(22)가 버퍼기구를 겸비하고 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 도 2를 이용하여 설명한 바와 같은 버퍼기구(38)를, 제 1 공통 반송실(2)내의 한구석에 별도 마련하도록 하여도 무방하다. 이 경우에는, 패스부(22)가 버퍼기구를 겸비하는 것이 불필요하게 된다. 따라서, 도 4에 도시하는 구성으로부터, 버퍼기구의 역할을 담당하는 버퍼용 피처리체 유지기구(56)를 생략할 수 있다.
또한, 상기의 실시예에서는, 제 1, 제 2 공통 반송실(2, 20)은, 상기 각 처리실이 접속되어 있지 않은 공백 상태의 처리실 접속부(다각형의 변)를 갖고 있다. 이 공백의 처리실 접속부에는, 웨이퍼의 예비 가열, 냉각 등을 실행하는 소형의 처리실이 접속될 수 있다. 따라서, 상기의 실시예에서는, 이들 소형의 처리실의 배치 스페이스를 확보하기 위해, 피처리체 유지기구(56, 58, 60)가 연직 방향으로 다중적으로 배치되어 있다. 다만, 이와 같은 소형의 처리실을 접속할 필요가 없는 경우에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 도 2를 이용하여 설명한 바와 같은 버퍼기구(38)와 동일한 2개의 버퍼기구(62A, 62B)가 패스부(22)내에 병렬 배치되어도 무방하다.
이 경우, 버퍼기구(62A)는, 클린 웨이퍼(W)를 제 2 공통 반송실(20)로부터 제 1 공통 반송실(2)에 중계하기 위한 클린용 피처리체 유지기구로서 기능한다. 또한, 버퍼기구(62A)는 픽(18A, 18B)과의 사이에서의 웨이퍼(W)의 옮김 작업을 실행하기 위한 버퍼용 처리체 유지기구로서 기능한다. 양 기능이 경합하지 않도록 웨이퍼가 반송되는 것은 물론이다. 또한, 버퍼기구(62B)는, 처리실(4C)에서 처리된 웨이퍼(W)를 제 1 공통 반송실(2)로부터 제 2 공통 반송실(20)에 중계하기 위한 콘태미네이션용 피처리체 유지기구로서 기능한다. 이 경우의 반송 시퀀스는 도 6에 도시하는 대로이다.
또한, 상기의 실시예에서는, 로드록실(8A, 8B)내의 테이블상에 웨이퍼(W)가 탑재되어, 해당 웨이퍼(W)의 예비 가열이나 냉각이 실행되는 것이 상정되어 있다. 이 때문에, 반입 전용의 로드록실(8A)과 반출 전용의 로드록실(8B)이 이용되고 있다. 그러나, 로드록실내에서의 웨이퍼의 예비 가열이나 냉각이 실행되지 않는 경우에는, 상기 테이블 대신에, 도 2를 이용하여 설명한 바와 같은 버퍼기구(38)가 이용될 수 있다. 단지, 버퍼기구(38)의 지지핀(44)의 선단은 가늘어야만 한다. 웨이퍼(W)와 지지핀(44)의 선단과의 접촉 면적이 작으면, 처리전의 웨이퍼와 처리후의 웨이퍼가 동일한 로드록실을 경유하여 반송되는 경우에도, 크로스 콘태미네이션에 의한 폐해가 비교적 경미하다. 즉, 이러한 경우에는, 로드록실은 1개이어도 무방하다. 그 경우에는, 도 1에 있어서의 제 1 공통 반송실(2) 및 도 3에 있어서의 제 2 공통 반송실(20)에 마련되는 반송구도 1개로 된다.
또한, 상기 실시예에서는, 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, LCD 기판, 유리 기판 등을 처리하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 스루풋을 희생시키더라도 크로스 콘태미네이션(오염의 전파)의 발생을 억제하는 것이 가능한 피처리체의 반송 방법을 제공할 수 있다.

Claims (10)

  1. 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실을 포함하는 복수의 처리실과,
    2개의 픽을 갖는 반송기구를 구비한 처리 장치에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 있어서,
    상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비하고,
    상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고,
    상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 한쪽의 픽으로부터 상기 다른쪽의 픽으로 상기 피처리체를 옮기는 옮김 공정을 더 구비하고,
    해당 옮김 공정은,
    상기 한쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 피처리체를 유지시키는 공정과,
    상기 다른쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 유지된 피처리체를 취하러 가는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  3. 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실을 포함하는 복수의 처리실과,
    상기 각 처리실에 공통으로 연결된 공통 반송실과,
    상기 공통 반송실내에 마련된, 2개의 픽을 갖는 반송기구와,
    상기 공통 반송실내에 마련된, 피처리체를 일시적으로 유지하는 버퍼기구와,
    상기 공통 반송실에 대하여 피처리체를 반출입시키는 반송구를 구비한 진공 처리 장치에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 있어서,
    상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비하고,
    상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고,
    상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되며,
    상기 버퍼기구를 이용하여 상기 한쪽의 픽으로부터 상기 다른쪽의 픽으로 상기 피처리체를 옮기는 옮김 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  4. 복수의 처리실과,
    상기 각 처리실에 공통으로 연결된 공통 반송실과,
    상기 공통 반송실내에 마련된, 2개의 픽을 갖는 반송기구를 각각 구비한 복수의 진공 처리 장치가 패스부를 거쳐서 연결되어 구성된 처리 시스템에 있어서,
    상기 처리 시스템 중의 어느 하나의 처리실이, 피처리체에 대하여 오염이 발생하기 쉬운 처리를 실행하는 특정 처리실이고,
    상기 특정 처리실에 연결된 공통 반송실 또는 해당 공통 반송실에 연통하는 패스부에, 피처리체를 일시적으로 유지하는 버퍼기구가 마련되어 있고,
    어느 하나의 공통 반송실에, 해당 공통 반송실에 대하여 피처리체를 반출입시키는 반송구가 설치되어 있는 처리 시스템에 있어서의 피처리체의 반송 방법에 있어서,
    상기 복수의 처리실간을 돌아다니도록 피처리체를 순차적으로 반송하는 복수의 반송 공정을 구비하고,
    상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하기 직전까지의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고,
    상기 특정 처리실에 상기 피처리체를 반입하는 반송 공정 및 그 이후의 해당 피처리체의 반송 공정은 상기 2개의 픽 중의 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되며,
    상기 버퍼기구를 이용하여 상기 한쪽의 픽으로부터 상기 다른쪽의 픽으로 상기 피처리체를 옮기는 옮김 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 패스부에는 피처리체를 유지할 수 있는 적어도 2개의 피처리체 유지기구가 마련되어 있고,
    한쪽의 피처리체 유지기구는 상기 특정 처리실로 반입되기 전의 피처리체를 유지하고,
    다른쪽의 피처리체 유지기구는 상기 특정 처리실에서 처리된 후의 피처리체를 유지하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 패스부에는 해당 패스부를 거쳐서 연결된 공통 반송실에 대한 연통 및 차단을 제어하는 게이트 밸브가 마련되어 있고,
    상기 각 처리실에는 해당 처리실이 연결된 공통 반송실에 대한 연통 및 차단을 제어하는 게이트 밸브가 마련되어 있고,
    상기 패스부의 게이트 밸브가 폐쇄 상태일 때에는, 해당 패스부에 의해 연통되어 있지 않은 각 공통 반송실에 연결된 각 처리실의 게이트 밸브는, 각 공통 반송실마다 1개만 택일적으로 개방 상태로 되고,
    상기 패스부의 게이트 밸브가 개방 상태일 때에는, 해당 패스부에 의해 연통되어 있는 공통 반송실에 연결된 각 처리실의 게이트 밸브는, 연통된 공통 반송실마다 1개만 택일적으로 개방 상태로 되도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 옮김 공정은,
    상기 한쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 피처리체를 유지시키는 공정과,
    상기 다른쪽의 픽에 의해 버퍼기구에 유지된 피처리체를 취하러 가는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  8. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송구는 2개 마련되어 있고,
    상기 한쪽의 반송구는 반입 전용인 반입구로서 이용되고,
    상기 다른쪽의 반송구는 반출 전용인 반출구로서 이용되도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 2개의 반송구에는, 진공 상태와 대기압 상태가 반복되는 로드록실이 게이트 밸브를 거쳐서 각각 연결되어 있고,
    상기 로드록실에는, 2개의 픽을 갖는 반입측 반송기구가 마련된 반입측 반송실이 게이트 밸브를 거쳐서 공통으로 연결되어 있고,
    상기 피처리체를 상기 반입측 반송실로부터 상기 로드록실로 반입하는 반송 공정은, 상기 반입측 반송기구의 한쪽의 픽을 이용하여 실행되고,
    상기 피처리체를 상기 로드록실로부터 상기 반입측 반송실로 반출하는 반송 공정은, 상기 반입측 반송기구의 다른쪽의 픽을 이용하여 실행되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 특정 처리실에서는, 상기 피처리체에 금속 박막을 퇴적하는 처리가 실행되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 반송 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790789B1 (ko) * 2006-07-03 2008-01-02 코닉시스템 주식회사 반도체 공정장치
KR101350872B1 (ko) * 2009-11-12 2014-01-13 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 반도체 피처리 기판의 진공처리시스템 및 반도체 피처리 기판의 진공처리방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007088401A (ja) * 2005-08-25 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
JP4884801B2 (ja) * 2005-10-06 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP4925650B2 (ja) * 2005-11-28 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2007186757A (ja) 2006-01-13 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
KR100847888B1 (ko) * 2006-12-12 2008-07-23 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP2012028659A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
KR101685752B1 (ko) * 2011-02-08 2016-12-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 중계 장치, 기판 중계 방법, 기판 처리 장치
JPWO2012141067A1 (ja) * 2011-04-15 2014-07-28 タツモ株式会社 ウエハ交換装置およびウエハ支持用ハンド
JP5854741B2 (ja) * 2011-10-04 2016-02-09 株式会社アルバック 基板処理装置
JP5923288B2 (ja) 2011-12-01 2016-05-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法
US10216176B2 (en) 2014-04-29 2019-02-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
JP6338989B2 (ja) 2014-09-19 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
US9673071B2 (en) * 2014-10-23 2017-06-06 Lam Research Corporation Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates
CN106356317A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 英属开曼群岛商精曜有限公司 取放腔室
JP6779636B2 (ja) * 2016-03-11 2020-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN111952139B (zh) * 2019-05-16 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体制造设备及半导体制造方法
JP2019186579A (ja) * 2019-07-31 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム及びフォーカスリング交換方法
CN211788912U (zh) * 2020-04-01 2020-10-27 上海临港凯世通半导体有限公司 离子注入机的作业平台

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5286296A (en) * 1991-01-10 1994-02-15 Sony Corporation Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means
JPH0521579A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Fujitsu Ltd 真空処理装置
US5609688A (en) * 1993-05-07 1997-03-11 Fujitsu Ltd. Apparatus for producing semiconductor device
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP3522469B2 (ja) * 1996-11-18 2004-04-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3934745B2 (ja) * 1997-06-30 2007-06-20 住友精密工業株式会社 基板授受ユニット及びこれを用いたウエット処理装置
US6602793B1 (en) * 2000-02-03 2003-08-05 Newport Fab, Llc Pre-clean chamber
JP2002110761A (ja) * 2000-05-04 2002-04-12 Applied Materials Inc 温度感知用途を有するロボット用装置及び方法
US20020159864A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Applied Materials, Inc. Triple chamber load lock

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790789B1 (ko) * 2006-07-03 2008-01-02 코닉시스템 주식회사 반도체 공정장치
KR101350872B1 (ko) * 2009-11-12 2014-01-13 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 반도체 피처리 기판의 진공처리시스템 및 반도체 피처리 기판의 진공처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004030085A1 (ja) 2004-04-08
US7371683B2 (en) 2008-05-13
JP4348921B2 (ja) 2009-10-21
KR100659413B1 (ko) 2006-12-19
US20060021575A1 (en) 2006-02-02
CN1310302C (zh) 2007-04-11
JP2004119635A (ja) 2004-04-15
CN1669136A (zh) 2005-09-14

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