CN1669136A - 被处理体的输送方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及具有包含对被处理体进行易产生污染的特定处理室的多个处理室，和具有2个拾取器的输送机构的处理装置中的被处理体的输送方法，本发明的方法具有在所述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，在把所述被处理体搬入所述特定处理室前为止的输送工序，用所述2个拾取器一方拾取器进行，在把所述被处理体搬入所述特定处理室的输送工序及其以后的该被处理体的输送工序用所述2个拾取器的另一拾取器进行。

Description

被处理体的输送方法

技术领域

本发明涉及在对半导体晶片等被处理体施以规定处理的处理系统等内的被处理体的输送方法。

背景技术

通常在制造半导体器件之际，对半导体晶片顺序地重复施以各种薄膜的成膜处理、改性处理、氧化扩散处理、退火处理、蚀刻处理等。例如，在半导体晶片上可形成多层薄膜。

例如，在单张式处理系统，多个处理室共用地与1个输送室连接，以便可以连续地进行前述各种处理，形成所谓的成组(Cluster)处理装置。而且半导体晶片可以说来回经各处理室之间输送，在各处理室连续地且有效地进行必要的处理。

参照图7，对由这种成组处理装置构成的现有技术处理系统一例加以说明。

如图7所示，该处理系统具有作为一例的4个处理室104A～104D分别经闸门阀106连结在六边形共用输送室102的周围的真空处理装置。而且，经2个负载锁定室108A、108B使长方形的搬入侧输送室110与该共用输送室102连接。

在负载锁定室108A、108B和共用输送室102之间的连接部以及负载锁定室108A、108B和搬入侧输送室110之间的连接部上分别介入设置闸门阀106。载置可收容多枚半导体片的盒的例如3个导入口112以及进行半导体晶片W的定位的定向器114与搬入侧输出室110连接。

而且，在搬入侧输送室110内具有用于保持半导体晶片W的2个拾取器116A、116B的同时，设置可弯曲、旋转、升降及水平直线移动的搬入侧输送机构116。在共用输送室102内具有用于保持半导体晶片W的2个拾取器118A、118B的同时，设置可弯曲及旋转的输送机构118。

在这里，如果假设在各处理室104A～104D对半导体晶片W的处理按照104A→104B→104C→104D的顺序进行，则导入口112上的半导体晶片W如箭矢所示地输送。即，例如中央导入口112的晶片W保持在搬入侧输送机构116的拾取器116A或116B上，运送到定向器114上。晶片W被定向器114定位，再被拾取器116A或116B保持，输送到任一方的负载锁定室，例如，负载锁定室118A内。输送到负载锁定室108 A内的晶片W通过共用输送室102内的输送机构118的拾取器118A或118B，按照处理室104A～104D的顺序，来回经各处理室104A～104D地顺序地输送。在各处理室104A～104D对各晶片W施以必要的处理。而且各种处理完了的晶片W经任一负载锁定室，在这里是另一方的负载锁定室108B，输送到搬入侧输送室110内，其后，返回到原来的导入口112。

为了在各输送机构116、118提高生产率，使2只拾取器内的一方拾取器成为空置状态。通过该空置状态的拾取器，拾取在某场所预先载置或收容的晶片，该场所作成空置场所。其次，在前述空置场所，通过另一方的拾取器，载置或收容被该另一方拾取器保持的晶片。这样一来，使晶片交换平滑地进行，谋求生产量的提高。

作为防止交叉污染的传统技术，已经有在具有多个处理室的处理系统上将输送机构的多个拾取器针对每个处理室加以分配的技术(例如，参照特开平7-122612号公报(第3-4页，图1～图2)。根据该技术，即使晶片在各处理室之间输送，在某工序(处理室)产生的污染物质不会影响其它工序。

发明内容

可是，作为在上述处理室104A～104D的处理，往往进行对半导体晶片容易产生污染的处理。在进行例如Cu膜、Ti膜、W(钨)膜一类金属薄膜成膜处理的情况，该种金属粒子可附着在晶片表面。金属粒子成为核，在CVD成膜时可发生膜的异常生长。在附着有粒子的部分不堆积其它的膜。尤其是Cu粒子，由于Cu原子在氧化膜中的扩散系数大，所以降低了SiO₂膜的介电常数。

例如，如果假设在处理室104C进行上述金属薄膜的成膜处理，则如上述所示，在各拾取器116A、116B及118A、118B优先考虑生产率而加以利用的情况下，各拾取器116A、116B及118A、118B全体可保持在处理室104C处理过的晶片。因此，在处理过的晶片背面等附着的金属膜粒子可附着在拾取器116A、116B、118A、118B上，在被污染的拾取器保持向处理室104C搬入前的晶片W之际，该晶片自身可能被上述金属膜粒子污染。拾取器的污染即使把拾取器插入到进行金属膜成膜处理的处理室104C内也可能产生。

本发明着眼于上述的交叉污染问题，而有效地解决它所发明的。本发明的目的是提供即使牺牲生产率也可抑制交叉污染(污染的传播)发生的被处理体的输送方法。

本发明是处理装置中的被处理体的输送方法，该处理装置包括：包含对被处理体进行容易产生污染的处理的特定处理室的多个处理室；和具有2个拾取器的输送机构，该输送方法的特征为，具有在前述多个处理室之间穿行地依序输送被处理体的多个输送工序，在把前述被处理体搬入前述特定处理室之前的输送工序，用前述2只拾取器中的一方的拾取器进行，把前述被处理体搬入前述特定处理室的输送工序及其后的该被处理体的输送工序用前述2个拾取器中的另一方的拾取器进行。

因为在把被处理体搬入容易产生污染的特定处理室之前用一方的拾取器，在把被处理体搬入特定处理室及以后的输送用另一方的拾取器，所以可极力抑制通过被处理体和拾取器产生的交叉污染(污染的传播)。

这种情况下，本发明的方法优选还具有把前述被处理体从前述一方的拾取器转运到前述另一方的拾取器的持取转换工序，该持取转换工序具有通过前述一方的拾取器使被处理体保持在缓冲机构上的保持工序，和通过前述另一方的拾取器拿取在缓冲机构上保持的被处理体的工序。

本发明是真空处理装置中的被处理体的输送方法，该真空处理装置具有：包含对被处理体进行容易产生污染的特定处理室的多个处理室；和与前述各处理室共用地连接的共用输送室；在前述共用输送室内设置的、具有2个拾取器的输送机构；在前述共用输送室内设置的、暂时保持被处理体的缓冲机构；和对前述共用输送室搬入搬出被处理体的输送口，该方法特征为：具有在前述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，在把前述被处理体搬入前述特定处理室之前的输送工序用前述2个拾取器中的一方拾取器进行，在把前述被处理体搬入前述特定处理室的输送工序及其后的该被处理体的输送工序用前述2个拾取器中的另一方拾取器进行，此外，还具有用前述缓冲机构把前述被处理体从前述一方拾取器转运到前述另一方拾取器的持取转换工序。

因为在这种情况下，在把被处理体搬入对被处理体进行容易产生污染的特定处理室前的输送和把被处理体搬入特定处理室之际及以下的输送中使用的拾取器加以区分，所以可极力抑制因被处理体和拾取器产生的交叉污染(污染的传播)。

本发明是处理系统中的被处理体的输送方法，该处理系统是多个真空处理装置经通道部连接而构成的处理系统，该多个处理装置各自具有：多个处理室；与前述各处理室共用连接的共用输送室；和在前述共用输送室内设置的、具有2个拾取器的输送机构，前述处理系统内的任一处理室是对被处理体进行容易产生污染的特定处理室，在与前述特定处理室连接的共用输送室或与该共用输送室连通的通道部上设置暂时保持被处理体的缓冲机构，在任一共用输送室上设置对该共用输送室搬出搬入被处理体的输送口，该输送方法的特征为，具有在前述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，在把前述被处理体搬入前述特定处理室前的输送工序用前述2个拾取器中的一方拾取器进行，在向前述特定处理室搬入前述被处理体的输送工序及其后的该被处理体的输送工序用前述2个拾取器的另一方的拾取器进行，还具有用前述缓冲机构把前述被处理体从前述一方的拾取器转运到前述另一方拾取器的持取转换工序。

在这种情况下，因为区分在把被处理体搬入对被处理体进行容易产生污染的处理的特定处理室前的输送和在把被处理体搬入特定处理室之际及其以后的输送中使用的拾取器，所以可极力抑制通过被处理体和拾取器产生的交叉污染(污染的传播)。

在前述通路部上，优选设置可以保持被处理体的至少2个被处理体保持机构，一方的被处理体保持机构保持搬入前述特定处理室之前的被处理体，另一方的被处理体保持机构保持在前述特定处理室处理后的被处理体。

在前述通路部上，优选设置用于控制对经该通路部连接的共用输送室的连通及遮断的闸门阀，在前述各处理室上设置有用于控制对与该处理室连接的共用输送室的连通及遮断的闸门阀，前述通路部的闸门阀为关闭状态时，与未利用该通路部连通的各共用输送室连接的各处理室的闸门阀对各个共用输送室只选择一个作成打开状态，前述通路部的闸门阀为打开状态时，与利用该通路部连通的共用输送室连接的各处理室的闸门阀对每个连通的共用输送室只选择一个地作成打开状态。

这种情况下，可以可靠地防止在不同处理室用的不同处理气体彼此之间混合产生污染等不合适情况。

在前述持取转换工序，优选具有通过前述一方的拾取器使被处理体保持在缓冲机构上的保持工序，和通过另一方的拾取器拿取在缓冲机构上保持的被处理体的工序。

前述输送口优选设置2个，前述一方的输送口用来作为搬入专用的搬入口，前述另一方输送口用来作为搬出专用的搬出口。

这种情况下，优选在前述2个输送口上分别经闸门阀连接重复处于真空状态和大气压状态的负载锁定室，在前述负载锁定室上经闸门阀共用连接设置有带有2个拾取器的搬入侧输送机构的搬入侧输送室，把前述被处理体从前述搬入侧输送室搬入到前述负载锁定室的输送工序用前述搬入侧输送机构一方的拾取器进行，把前述被处理体从前述负载锁定室搬出到前述搬入侧输送室的搬出工序用前述搬入侧输送机构的另一方拾取器进行。

此外，例如在前述特定处理室对前述被处理体进行堆积金属薄膜的处理。

附图说明

图1是示出用于实施本发明输送方法的处理系统一例的概略构成图。

图2是示出缓冲机构一例的立体图。

图3是示出处理系统变形实施例一例的构成概略图

图4是示出兼备缓冲机构的通路部的立体图。

图5是用于说明通路部的动作的说明图。

图6是示出处理系统的其它变形例的一例的构成概略图。

图7是示出通过成组式处理装置形成的现有的处理系统一例的图。

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的被处理体输送方法一实施例加以说明。

图1示出用于实施本发明输送方法的处理系统一例的概略构成图，图2是示出缓冲机构一例的立体图。

如图1所示，该处理系统30具有在1个例如六边形共用输送室2的周围分别经各自的闸门阀6连接可真空抽气的四个处理室4A～4D的真空处理装置。在各处理室4A～4D上设置用于载置作为被处理体的半导体晶片W的基座32A～32D，可对半导体晶体W施以规定处理。而且，在该共用输送室2经可真空抽气构成的负载锁定室8A、8B，连接长方形的搬入侧输送室10。

在负载锁定室8A、8B和共用输送室2之间的连接部及负载锁定室8A、8B与搬入侧输送室10之间的连接部分别介入设置闸门阀6。在搬入侧输送室10连接用于载置可收容多枚半导体晶片的盒的例如3个导入口12及对半导体晶片W进行定位的定向器14。本实施形态的定向器14这样形成，以便使半导体晶片W旋转，求出光学上的偏心量，进行定位。

而且，搬入侧输送室10内具有用于保持半导体晶片W的2个拾取器16A、16B的同时，设置可弯曲、旋转、升降及水平直线移动的搬入侧输送机构16。在共用输送室2内具有用于保持半导体晶片W的2个拾取器18A、18B的同时，设置可弯曲及旋转构成的输送机构18。

在这里，共用输送室2和2个负载锁定室内的任一方，例如与负载锁定室8A之间的连接部的输送口34作为把半导体晶片专用地搬入共用输送室2内的搬入口使用。另一方面，共用输送室2和另一方负载锁定室8B之间的连接部的搬入口36作为把半导体晶片从共用输送室2搬出到外部专用的搬出口使用。

在共用输送室2内的一角上设置用于暂时保持半导体晶片W的缓冲机构38。该缓冲机构38，如图2所示，具有上下移动的升降杆40，和在升降杆40上端设置的板状缓冲机构基板42，和在缓冲机构基板42上突出的例如3根支持销44。该3根支持销44上端可支持晶片W的背面。

其次，对如上所示构成的处理系统30的被处理体输送方法加以说明。

在这里，在处理室4C，作为对半导体晶片W容易产生污染的处理，假设为对Cu膜等金属膜进行堆积处理。由于在处理室4C进行该处理，所以处理室4C成为特定处理室。该“特定”的用语只为了与其它处理室加以区别而已。

在处理室4C输送进行金属薄膜的成膜处理的半导体晶片W之际，在该晶片W背面等上附着不要的金属薄膜，担心它附着在拾取器(传播)。因此，在本实施形态，只一方的拾取器专用作污染用拾取器来使用。在把晶片W搬入上述特定处理室4C前为止，另一方拾取器专用作清洁用拾取器来使用。担心清洁用拾取器即使只在侵入上述特定处理室4C内时也受到污染。因此，在本实施例，在把晶片搬入特定处理室4C内之际也使用污染用拾取器。此外，一旦污染用拾取器侵入进行金属薄膜堆积处理前的处理的处理室，在这里为处理室4B，则担心污染该处理室4B内。因此，在本实施例把半导体晶片从清洁用拾取器转运到污染用拾取器的操作使用上述缓冲机构38进行。

在上述的条件下，如果假定对半导体晶片W在各处理室4A～4D处理按照4A→4B→4C→4D的顺序进行，则半导体晶片W如箭矢所示地输送。在这里，作为一例，从在3个导入口12内的中央导入口12上设置的盒(也包含载体)取出晶片。2个负载锁定室8A、8B内的负载锁定室8A用于通过特定处理室4C处理前的晶片W搬入用，另一方真空室8B用于特定处理室4C处理后的晶片W搬出用。

在这里，在输送机构16、18，2个拾取器内的拾取器16A、18A作为清洁用拾取器使用，另一方的拾取器16B、18B作为污染用拾取器使用。在图中，使用清洁用拾取器的路径作成黑色箭矢表示，使用污染用拾取器的路径作成空白箭矢表示。

在图1，各处理室4A～4D分别收容晶片W。在这里，假设各处理室4A～4D的处理终止或大体上终止。

<搬入侧输送室10内的输送操作>

首先，对搬入侧输送室10内的操作加以说明。在全部处理室4A～4D进行处理，负载锁定室8B内收容的晶片W通过搬入侧输送机构16的污染用拾取器16B，遵循输送路径X1输送到中央导入口12，收容。

中央导入口12的未处理晶片W通过清洁用拾取器16A，遵循输送路径X2输送到定向器14。该晶片W在定向器14上定位，再次通过清洁用拾取器16A向另一方负载锁定室8A内收容。晶片W的处理每进一步，重复进行以上的操作。

<共用输送室2内的输送操作>

其次，对在共用输送室2内的晶片输送操作加以说明。

1、首先，输送机构18的污染用拾取器18B只拿取通过处理室4D处理过的晶片，遵循输送路径Y1，把它置于空置状态的污染用负载锁定室8B内。

2、其次，污染用拾取器18B拿取特定处理室4C内处理过的晶片W，遵循输送路径Y2，把它搬入空置状态的处理室4D内放置。其后开始处理室4D内的处理。

3、在这里，在缓冲机构38上保持经预处理室4B处理过的晶片W。污染用拾取器18B拿取在缓冲机构38上载置的晶片，遵循输送路径Y3，把它搬入空置状态的特定处理室4C内放置。其后开始在特定处理室4C内的处理。

4、其次，清洁用拾取器18A拿取处理室4B内处理过的晶片W，遵循输送路径Y4，把它放置在上述空置状态的缓冲机构38上。晶片W在这里待机。

5、其次，清洁用拾取器18A拿取处理室4A内处理过的晶片W，遵循输送路径Y5，把它输送到上述空置状态的处理室4B内，其后，开始在处理室4B内的处理。

6、其次，清洁用拾取器18A拿取在清洁用负载锁定室8A内待机的未处理晶片W，遵循输送路径Y6，把它搬入上述空置状态的处理室4A内放置。其后，开始处理室4A内的处理。在半导体晶片W搬入搬出之际，当然对应的闸门阀6作开闭操作。

每次在各处理室4A～4D的半导体晶片W的处理终止，重复上述的操作。

如以上所示，在把晶片W输送到特定处理室4C内的工序以及在特定处理室4C形成金属薄膜并输送担心产生金属污染的晶片的工序一定使用污染用拾取器16B、18B。相反，利用在此以前的晶片W的输送工序，使用清洁用拾取器16A、18A。通过这样区别地使用拾取器，可极力抑制发生交叉污染(污染的传播)。

在上述各处理室4A～4D之间的输送顺序不过只示出一例，当然不限于此。即使在无论怎样的输送路径情况下，在把晶片搬入到对晶片进行容易产生污染的处理的处理室之前，在前工序的处理室处理过的晶片临时由缓冲机构38保持，在这里在清洁用拾取器18A和污染用拾取器18B之间进行晶片的持取转换操作。据此，如上述所示，防止污染清洁用拾取器18A，其结果，可防止对通过特定处理室4C处理前的晶片W污染。

<处理系统的变形实施例>

在前述的实施例，对具有多个处理室4A～4D与1个共用输送室2连接的真空处理装置的处理系统的输送方法加以说明。可是，本发明不限于这种处理系统，例如，也可以在连接多个共用输送室(真空处理装置)构成的处理系统中使用。

图3是示出这样的处理系统变形实施例一例的概略构成图，图4是示出兼备缓冲机构的通路部(中转部)的立体图，图5是用于说明在通路部动作的说明图。通路部的机构自身在专利申请2002-047509号详细示出。对于与图1所示的构成部分大体相同的构成部，附加同一符号加以说明。

在本实施例的情况下，也假设在特定处理室4C进行担心形成具有交叉污染的金属薄膜。

在图3所示的处理系统50，在图1所示处理系统30的第一共用输送室2和2个负载锁定室8A、8B之间介入设置其它的多边形，例如不规则的七边形的第二共用输送室20。2个处理室4E、4F分别经闸门阀6与第二共用输送室20连接。此外，在第二共用输送室20和第一共用输送室2之间连接连通两共用输送室2、20并可暂时保持晶片W的通路部22。在晶片W输送时，通路部22上暂时保持晶片。图3的情况下，为了连接上述通路部22，第一共用输送室2的形状也作成不规则的七边形。在第一共用输送室2和通路部22之间的接合部设置闸门阀6。据此，两共用输送室2、20可连通及可遮断。

在上述2个处理室4E、4F内也分别设置保持晶片W的基座32E、32F。在第二共用输送室20内设置具有2个拾取器24A、24B并作成可弯曲及可旋转的输送机构24。而且，通过与前述同样的操作，可有效地输送晶片。

与第二共用输送室20和2个负载锁定室内任一方，例如负载锁定室8A的连接部的输送口52专用为把半导体晶片向第二共用输送室20内搬入的搬入口。另一方面，在第二共用输送室20和另一方的负载锁定室8B之间的连接部的输送口54专用为把半导体晶片从第二共用输送室20向外搬出的搬出口。

在该处理系统50，在第一共用输送室2内不设置在图1所示的缓冲机构38。上述通路部22兼备缓冲机构38的功能。

如图4及图5所示，在通路部22上设置有在其中心部上配置的2个被处理体保持机构56、58和在其外侧配置的1对被处理体保持机构60。位于中心部的2个被处理体保持机构56、58上分别具有大体呈U字状成形的基板56A、58A。在各基板56A、58A上这样设置，以便3根支持销56B、58B分别向上方突出。通过各支持销组56B、58B各自可分开独立地支持晶片W背面的中央部。如图4所示，U字状基板56A及58A这样配置，以便相互嵌合，而且稍微隔开一点，如图5所示，与分别向下方延伸的升降杆56C、58C上端连接，可分开独立升降。在这些升降杆56C、58C的基部上设置未图示的波纹管。据此，边维持通路部22内部的气密性，边可对升降杆56C、58C升降。

如以上所示，这些2个被处理体保持机构56、58可择一地支持1只晶片W。图5示出被处理体保持机构56保持1枚晶片W的状态。

作为缓冲功能，在这些2个被处理体保持机构56、58内的任一方，例如被处理体保持机构56(在图4中用局部斜线示出)上，支持在搬入特定处理室4C之前的晶片W。在另一方的被处理体保持机构58上支持在特定处理室4C处理过的晶片W。即，被处理体保持机构58作为污染用被处理体保持机构发挥功能。

另一方面，位于该两被处理体保持机构56、58外侧的被处理体保持机构60具有在左右配置的1对支持板60A，和在上端支持这些支持板60A的升降杆60B。支持板60A保持晶片W的周边部并可上下运动。在该升降杆60B的基部上也设置未图示的波纹管。据此，边维持通路部22内部的气密性，边可升降升降杆60B。

被处理体保持机构60，如图5所示，可在高位保持晶片。在这里，被处理体保持机构60在把晶片W从第二共用搬运室20搬入第一共用输送室2的情况下使用。即，被处理体保持机构60作为清洁用被处理体保持机构发挥功能。

即，清洁用被处理体保持机构60在将晶片保持在高位的状态下，在该晶片W下方，缓冲用被处理体保持机构56可为了持取转换操作临时保持搬入到特定处理室4C之前的晶片W，或者污染用被处理体保持机构58保持应搬出的已处理过的晶片W。即，在该通路部22整体上可同时保持2枚晶片W。

其次，对如以上所示构成的处理系统50的被处理体的输送方法加以说明。

首先，假设如前述所示，在特定处理室4C，对晶片进行容易产生污染的处理。而且，在各输送机构18、24，一方的拾取器例如拾取器18A、24A用作清洁用拾取器，而只另一方的拾取器18B、24B用作污染用拾取器。因为搬入侧输送机构16的动作是与在图1说明的完全相同，所以在这里省略其说明。

在这里，对半导体晶片W的处理按照处理室4E→处理室4A→处理室4B→特定处理室4C→处理室4D→处理室4F的顺序进行。晶片W如图3中箭矢所示地输送。在这里，清洁用拾取器使用的路径作成用黑色箭矢符号表示。污染用拾取器使用的路径用空白箭矢符号表示。如前述所示，在搬入侧输送室10内的输送操作完全与图1所示的情况相同，在这里省略其说明。

<第二共用输送室20内的输送操作>

首先，对第二共用输送室20内的晶片输送操作加以说明。

1、首先，输送机构24的污染用拾取器24B拿取在处理室4F处理过的晶片W，遵循输送路径Z1，把它放置在空置状态的污染用的负载锁定室8B内。

2、其次，该污染用拾取器24B拿取在通路部22的污染用被处理体保持机构58的支持销58B(参照图4及图5)上支持的金属薄膜堆积过的晶片W，遵从输送路径Z2，把它输送到空置状态的处理室4F内放置。其后，开始在处理室4F内的处理。

3、其次，清洁用拾取器24A拿取在处理室4E内处理过的晶片W，遵从输送路径Z3，把它放置在上述通路部22的空置状态的清洁用被处理体保持机构60的两支持板60A上。如图5所示，晶片W通过两支持板60A在高位置上保持。如前述所示，在该状态下，在另外2个被处理体保持机构56、58内的任一方可保持其它的晶片W。

4、其次，清洁用拾取器24A拿取清洁用负载锁定室8A内待机的未处理的晶片W，遵从输送路径Z4，把它搬入上述空置状态的处理室4E内。其后，开始在该处理室4E内的处理。在半导体晶片W的搬入搬出之际，当然要对对应的闸门阀6进行开闭操作。

而且，每次各处理室4E、4F的半导体晶片W处理完了，重复进行上述操作。

<共用输送室2内的输送操作>

1、首先，输送机构18的污染用拾取器18B拿取在处理室4D处理过的晶片W，遵从输送路径Y1，把它放置到通路部22的空置状态的污染用被处理体保持机构58的支持销58B上。在支持销58B上放置的晶片W立即输送到第二共用输送室20侧，使支持销58再次成为空置状态。

2、其次，污染用拾取器18B拿取在特定处理室4C内处理过的晶片W，遵从输送路径Y2，把它输送到空置状态的处理室4D内放置。其后，开始在处理室4D内的处理。

3、在这里，在作为缓冲机构的通路部22的缓冲用被处理体保持机构56的支持销56B(参照图4及图5)上保持在预处理室4B内处理过的晶片W。污染用拾取器18B拿取在支持销56B上支持的晶片W，遵从输送路径Y3把它输送到空置状态的特定处理室4C内放置。其后，开始在该特定处理室4C内的处理。

4、其次，清洁用拾取器18A拿取在处理室4B内处理过的晶片W，遵从输送路径Y4，把它放置到上述空置状态的支持销56B上。晶片W在这里待机。

5、其次，清洁用拾取器18A拿取在处理室4A内处理过的晶片W，遵从输送路径Y5，把它输送到上述空置状态的处理室4B内放置。其后，开始在处理室4B内的处理。

6、其次，清洁用拾取器18A拿取由通路部22的清洁用被处理体保持机构60的支持板60A支持并待机的未处理的晶片W，遵循输送路径Y6，把它输送到上述空置状态的处理室4A内放置。其后，开始在处理室4A内的处理。在半导体晶片W搬入搬出之际，当然要对对应的闸门阀6进行开闭操作。

而且，每次各处理室4A～4D的半导体晶片处理终止，重复进行上述操作。

如以上所示，在向特定处理室4C内输送晶片W的工序，以及在特定处理室4C内形成金属薄膜并输送担心产生金属污染的晶片的工序，一定使用污染用拾取器16B、18B、24B。相反，在其以前的晶片W的输送工序，使用清洁用拾取器16A、18A、24A。通过这样区别拾取器使用，可极力抑制发生交叉污染(污染传播)。

在上述各处理室4A～4F之间的输送顺序只不过示出一例，当然并不限于此。即使在任何的输送路径，在把晶片搬入到特定处理室前，在前工序的处理室处理过的晶片临时被通路部22的缓冲用被处理体保持机构56加以保持，在这里，在清洁用拾取器18A和污染用拾取器18B之间进行晶片的持取转换操作。据此，如上述所示，防止了清洁拾取器18A污染，其结果，可防止对通过特定处理室4C处理前的晶片W的污染。

在本实施例，在与第二共用输送室20连通的通路部22和第一共用输送室2之间介入设置可开闭的闸门阀6。而且，为了防止在各处理室4A～4F之间发生处理气体的交叉污染，在晶片输送时限制各闸门阀6的开闭动作。在本实施形态，在处理室彼此之间连通那样的状态下不打开闸门阀6。换言之，应回避所谓2个以上的处理室闸门阀6同时打开，即使多个处理室彼此之间暂时地成连通状态，也应该回避。

众所周知，作为处理气体，使用可引起交叉污染(污染的传播)的气体、腐蚀性气体、如与其它气体混合则发挥暴发性的气体等。因此，通常在打开各处理室的闸门阀时，共用输送室2、22内的压力通过N₂气等非活性气体成为例如比27Pa(200mTorr)程度处理室内压力高的正压力状态。据此，即使打开闸门阀，处理室内的残留气体也不流向共用输送室侧。

因此，在本实施例，为了进一步可靠地抑制交叉污染等的发生，不应同时打开2个以上处理室的闸门阀。例如在通路部22和第一共用输送室2之间的闸门阀6为闭状态，两共用输送室2、20之间遮断时，对与第一共用输送室2连接的处理室4A～4D的各闸门阀6加以控制，以只择一打开。另一方面，同时对与第二共用输送室20连通的处理室E、4F的各闸门阀6，以及两负载锁定室8A、8B的连接部上设置的2只闸门阀加以控制，以便只择一地打开。

与此相反，在上述通路部22的闸门阀6打开状态，两共用输送室2、20之间成为连通状态时，对所有处理室4A～4F的各闸门阀6及两负载锁定室8A、8B的闸门阀加以控制，以便只择一地打开。

据此，因为可阻止同时连通2个以上的多个处理室，所以可防止因处理气体产生的交叉污染、腐蚀性气体流出、爆发性气体的混合生成等的不合适情况的产生。

在图3所示的处理系统，在通路22上设置闸门阀6，可以自由地进行两共用输送室2、20之间的连通、遮断。然而，在不太担心处理气体交叉污染等情况下，在通路部22上也可以不设置闸门阀6。这种情况下，两共用输送室2、20之间经通路部22成为一直连通状态。

在上述实施例，通路部22兼备缓冲机构。可是本发明不限于此，也可以在第一共用输送室2内的角部上另外设置用图2说明那样的缓冲机构38。在这种情况下，通路部22不要兼备缓冲机构。因此，从图4所示构成出发，可以省略承担缓冲机构的缓冲用被处理体保持机构56。

此外，在上述实施例，第一、第二共用输送室2、20具有不连接上述各处理室的空置状态的处理室连接部(多边形的边)。在该空置的处理室连接部上可连接进行晶片予加热、冷却等的小型处理室。因此，在上述实施例，为了确保这些小型处理室的配置空间，对被处理体保持机构56、58、60在垂直方向多重配置。尤其在不必要连接这样的小型处理室的情况下，如图6所示，也可以在通路部22内并置与用图2说明那样的缓冲机构38同样的2个缓冲机构62A、62B。

这种情况下，缓冲机构62A作为用于使清洁晶片W从第二共用输送室20中转到第一共用输送室2的清洁用被处理保持机构发挥功能。此外，缓冲机构62A作为用于进行在拾取器18A、18B之间的晶片W的持取转换作业的缓冲用处理体保持机构发挥功能。当然不使两功能相互竞争地进行晶片输送。缓冲机构62B作为用于使处理室4C处理过的晶片W从第一共用输送室2中转到第二共用输送室20中的污染用被处理体保持机构发挥功能。这种情况下的输送顺序如图6所示。

在上述实施例，在负载锁定室8A、8B内的桌台上载置晶片W，设想进行该晶片W的予加热或冷却。因此，使用搬入专用负载锁定室8A和搬出专用负载锁定室8B。可是，在不对负载锁定室内的晶片预加热或冷却的情况下，取代上述桌台，使用用图2说明那样的缓冲机构38。但是，缓冲机构38的支持销44的前端必须细。如果晶片W和支持销44前端的接触面积小，则即使处理前的晶片和处理后的晶片经由同一负载锁定室输送的情况下，因交叉污染产生的弊害是比较轻微的。即，在这样的情况下，负载锁定室也可以是1个。在那种情况下，在图1的第一共用输送室2及图3的第二共用输送室20上设置的输送口也成为1个。

在上述实施例，以半导体晶片作为被处理体为例加以说明，然而，并不限于此，即使在处理LCD基板、玻璃基板等的情况下也可以使用本发明。

Claims (10)

1、一种被处理体的输送方法，是在处理装置中的被处理体的输送方法，该处理装置具有：

包含对被处理体进行容易产生污染的处理的特定处理室的多个处理室；和

具有2个拾取器的输送机构，该输送方法的特征为，

具有在所述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，

在把所述被处理体搬入所述特定处理室之前为止的输送工序用所述2个拾取器中的一方的拾取器进行，

在把所述被处理体搬入所述特定处理室的输送工序及其以后的该被处理体的输送工序用所述2个拾取器的另一方的拾取器进行。

2、根据所述权利要求1所述的输送方法，其特征为，

还具有把所述被处理体从所述一方拾取器转运到所述另一方拾取器的持取转换工序，

所述持取转换工序包括：

通过所述一方拾取器把被处理体保持在缓冲机构的保持工序；和

通过所述另一方拾取器，拿取保持在缓冲机构的被处理体的工序。

3、一种被处理体的输送方法，是在真空处理装置中的被处理体的输送方法，该真空处理装置具有：

包含对被处理体进行容易产生污染的处理的特定处理室的多个处理室；

与所述各处理室共用连接的共用输送室；

在所述共用输送室内设置的、具有2个拾取器的输送机构；

在所述共用输送室内设置的、暂时保持被处理体的缓冲机构；和

对所述共用输送室搬入搬出被处理体的输送口，

该输送方法特征为，还具有在所述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，

在把所述被处理体搬入到所述特定处理室前为止的输送工序用所述2个拾取器中的一方拾取器进行，

在把所述被处理体搬入所述特定处理室的输送工序及其以后的该被处理体的输送工序用所述2个拾取器的另一方拾取器进行，

用所述缓冲机构把所述被处理体从所述一方的拾取器转运到所述另一方的拾取器的持取转换工序。

4、一种被处理体的输送方法，是处理系统的被处理体的输送方法，该处理系统是多个真空处理装置经通路部连接而构成的处理系统，该多个真空处理装置的各个具有：

多个处理室；

与所述各处理室共用连接的共用输送室；和

在所述共用输送室内设置的、具有2个拾取器的输送机构，

其中，在处理系统中，

所述处理系统内任一处理室是进行对被处理体进行容易产生污染的特定处理室，

在与所述特定处理室连接的共用输送室或者与该共用输送室连通的通路部上设置暂时保持被处理体的缓冲机构，

在任一共用输送室上设置对该共用输送室搬入搬出被处理体的输送口，

该被处理体的输送方法的特征为，具有：

在所述多个处理室之间穿行地顺序输送被处理体的多个输送工序，

在把所述被处理体搬入到所述特定处理室之前为止的输送工序用所述2个拾取器中的一方的拾取器进行，

在把所述被处理体搬入到所述特定处理室的搬入搬出工序及其以后的该被处理体输送工序用所述2拾取器中的另一方的拾取器进行，

用所述缓冲机构，把所述被处理体从所述一方拾取器转运到所述另一方拾取器的持取转换工序。

5、根据权利要求4所述的被处理体的输送方法，其特征为，

在所述通路部设置可保持被处理体的至少2个被处理体保持机构，

一方被处理体保持机构保持在搬入到所述特定处理室之前的被处理体，

另一方被处理体保持机构保持由所述特定处理室处理后的被处理体，

6、根据权利要求4或5所述的被处理体的输送方法，其特征为，

在所述通路部上设置控制对经该通路部所连接的共用输送室的连通及遮断的闸门阀，

在所述各处理室上设置控制对该处理室所连接的共用输送室的连通及遮断的闸门阀，

在所述通路部的闸门阀关闭状态时，与未由该通路部连通的各共用输送室连接的各处理室的闸门阀对各共用输送室的每一个只择一成为打开状态，

在所述通路部的闸门阀打开状态时，与由该通路部连通的各共用输送室连接的各处理室的闸门阀每次对连通的共用输送室的每一个只择一成为打开状态。

7、根据权利要求3～6之一所述的被处理体输送方法，其特征为，所述持取转换工序具有：

通过所述一方拾取器把被处理体保持在缓冲机构的工序；和

通过所述另一方拾取器拿取保持在缓冲机构上的被处理体的工序。

8、根据权利要求3～6之一所述的被处理体输送方法，其特征为，

所述输送口设置2个，

所述一方输送口用作搬入专用的搬入口，

所述另一方输送口用作搬出专用的搬出口。

9、根据权利要求8所述的被处理体输送方法，其特征为，

重复真空状态和大气状态的负载锁定室经闸门阀分别与所述2个输送口连接，

设置有带2个拾取器的搬入侧输送机构的搬入侧输送室经闸门阀共用连接所述负载锁定室，

把所述被处理体从所述搬入侧输送室搬入到所述负载锁定室的输送工序用所述搬入侧输送机构的一方的拾取器进行，

把所述被处理体从所述负载锁定室搬出到所述搬入侧输送室的输送工序由所述搬入侧输送机构的另一方的拾取器进行。

10、根据权利要求1～9之一所述的被处理体输送方法，其特征为，

在所述特定处理室，进行在所述被处理体上堆积金属薄膜的处理。

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