KR20050046895A - 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 143
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
- H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
Description
높이(mm) | 너비(mm) | 길이(mm) | 체적(mm3) | 체적효율(%) | ||
콘덴서 칩 크기 | 0.55 | 0.60 | 1.05 | 0.347 | --- | |
콘덴서소자크기 | 종래 | 0.30 | 0.45 | 0.40 | 0.054 | 15.6 |
본발명 | 0.45 | 0.45 | 0.55 | 0.111 | 32.1 |
Claims (12)
- 전방면으로부터 양극 리드 와이어가 돌출되고 외표면에 음극층이 형성되는 콘덴서 소자;상기 콘덴서 소자의 후방면 전체에 면접촉되는 평판 형상의 음극 리드프레임;끝단 중심부분에 오목부가 형성되어 상기 오목부에 상기 콘덴서 소자의 양극 리드 와이어가 안착되어 전기적으로 연결되도록 하는 평판 형상의 양극 리드프레임; 및상기 콘덴서 소자, 음극 리드프레임, 및 양극 리드프레임을 감싸도록 형성되는 몰드;를 포함하는 고체전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 음극 리드프레임은 제1면 및 상기 제1면에 평행한 제2면을 포함하고, 상기 콘덴서 소자의 후방면 전체가 상기 제1면에 부착되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서.
- 제 2항에 있어서, 상기 몰드의 외표면은 상기 음극 리드프레임의 측면과 동일 평면이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서.
- 제 2항에 있어서, 상기 음극 리드프레임의 제1면은 상기 콘덴서 소자의 후방면과 동일한 크기로 오목하게 형성되어 상기 콘덴서 소자의 후방면이 정위치에 안착되도록 하는 위치고정면을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서.
- 제 4항에 있어서, 상기 음극 리드프레임의 위치고정면과 제1면의 경계부분에는 소정각도로 경사진 연결면이 형성되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 양극 리드 프레임과 양극 리드 와이어는 레이저 용접에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서.
- 제 1항에 있어서, 상기 음극 리드 프레임과 상기 콘덴서소자의 후방면은 도전성 접착제에 의해 접착되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서.
- 전방면에 양극 리드 와이어가 돌출되어 형성되고 외표면에 음극층이 형성되는 탄탈 분말의 콘덴서 소자를 마련하는 단계;베이스판 상에 상기 콘덴서 소자의 후방면이 부착될 수 있는 크기의 평판상의 음극 리드프레임 및 상기 콘덴서 소자의 양극 리드 와이어가 안착될 수 있는 오목부가 끝단 중심부분에 형성되는 평판상의 양극 리드프레임 다수개를 수직으로 절곡하여 형성하는 단계;상기 베이스판 상의 음극 리드프레임에 전도성 접착제를 통하여 상기 콘덴서 소자의 후방면을 부착하는 단계;상기 양극 리드프레임과 양극 리드 와이어를 용접에 의하여 접속하는 단계;상기 콘덴서 소자, 음극 리드프레임, 및 양극 리드프레임을 감싸도록 몰드를 형성하는 단계; 및상기 음극 리드프레임 및 양극 리드프레임을 베이스판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 고체전해 콘덴서 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 음극 리드프레임에 상기 콘덴서 소자의 후방면과 동일한 크기로 오목하게 형성되어 상기 콘덴서 소자가 정위치에 안착되도록 하는 위치고정면을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서 제조방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 콘덴서 소자의 후방면은 상기 음극 리드프레임의 위치고정면에 전도성 접착제를 통하여 부착되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 양극 리드 프레임과 양극 리드 와이어는 레이저 용접에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 몰드의 외표면은 상기 음극 리드프레임의 측면과 동일 평면이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고체전해 콘덴서 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030080508A KR100568280B1 (ko) | 2003-11-14 | 2003-11-14 | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
JP2004148241A JP2005150674A (ja) | 2003-11-14 | 2004-05-18 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
CNB2004100458868A CN100479076C (zh) | 2003-11-14 | 2004-05-25 | 固态电解电容器及其制造方法 |
US10/852,436 US6970345B2 (en) | 2003-11-14 | 2004-05-25 | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030080508A KR100568280B1 (ko) | 2003-11-14 | 2003-11-14 | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050046895A true KR20050046895A (ko) | 2005-05-19 |
KR100568280B1 KR100568280B1 (ko) | 2006-04-05 |
Family
ID=34567731
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030080508A KR100568280B1 (ko) | 2003-11-14 | 2003-11-14 | 고체전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6970345B2 (ko) |
JP (1) | JP2005150674A (ko) |
KR (1) | KR100568280B1 (ko) |
CN (1) | CN100479076C (ko) |
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2003
- 2003-11-14 KR KR1020030080508A patent/KR100568280B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-05-18 JP JP2004148241A patent/JP2005150674A/ja active Pending
- 2004-05-25 US US10/852,436 patent/US6970345B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-25 CN CNB2004100458868A patent/CN100479076C/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100881138B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2009-02-02 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
KR100909239B1 (ko) * | 2007-06-11 | 2009-07-27 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100479076C (zh) | 2009-04-15 |
US6970345B2 (en) | 2005-11-29 |
KR100568280B1 (ko) | 2006-04-05 |
CN1617271A (zh) | 2005-05-18 |
US20050105248A1 (en) | 2005-05-19 |
JP2005150674A (ja) | 2005-06-09 |
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A201 | Request for examination | ||
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