KR20050009513A - 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법 - Google Patents
트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 실리콘 기판 내에 중앙을 중심으로 양쪽에 다수의 트렌치를 형성하는 단계와,상기 트렌치를 절연물질로 채워서 트렌치 아이솔레이션을 형성하는 단계와,하나의 셀 내부에 터널링 산화막이 성장하는 실리콘의 양쪽 트렌치 아이솔레이션의 폭 및 깊이를 조절함으로써, 플로팅 게이트 간의 결합비를 조절하는 단계와,터널 산화막을 증착한 후, 웰 형성 및 문턱전압 이온주입을 진행하는 단계와,플로팅 게이트 폴리 실리콘을 증착한 후 소정의 형상으로 패터닝하여 플로팅 게이트를 트렌치 아이솔레이션 내부에 형성하는 단계와.상기 패터닝된 플로팅 게이트 상에 ONO 층 및 컨트롤 게이트 폴리를 순차적으로 형성하는 단계와,상기 컨트롤 게이트 폴리 및 ONO 층을 순차적으로 식각하여 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하기 전에, 상기 실리콘 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 순차적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치 아이솔레이션이 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 트렌치 아이솔레이션의 산화막 식각을 통해 상기 플로팅와 상기 컨트롤 게이트 간의 접촉 면적을 증가시키는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 트렌치 아이솔레이션의 중앙에서 상기 터널링 산화막이 성장하는 실리콘 부분을 식각하는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 실리콘 부분의 식각을 상기 트렌치 아이솔레이션의산화막의 바닥면과 높이가 같을 때 까지 건식각을 실행하는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 컨트롤 게이트 폴리 및 ONO 층을 순차적으로 식각하여 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 수행한 다음, 상기 식각된 컨트롤 게이트 폴리 및 ONO 층의 측면에 LDD 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 LDD 스페이서를 형성하는 단계를 수행한 다음, 상기 LDD 스페이서 측면의 아래쪽의 상기 실리콘 기판 상에 n+ 접합을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 방식을 이용한 플래시 메모리 셀의 제조방법.
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