KR20050004226A - 처리 장치와 그 방법 및 로봇 장치 - Google Patents

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KR20050004226A KR10-2004-7019046A KR20047019046A KR20050004226A KR 20050004226 A KR20050004226 A KR 20050004226A KR 20047019046 A KR20047019046 A KR 20047019046A KR 20050004226 A KR20050004226 A KR 20050004226A
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Abstract

본 발명은 다수의 처리부를 작은 스페이스로 설치할 수 있도록 한 처리 장치를 제공함에 있다.
상하 2단으로 배치된 다수의 처리부를 가지고, 상단 또는 하단 중 어느 한 쪽의 일단에 위치하는 처리부로부터 미처리된 피처리물을 공급한다. 이 피처리물은 상단 또는 하단 중 어느 한 쪽 처리부에서 처리되고, 이어서 다른 쪽 처리부에서 처리되어 그 다른 쪽의 일단에 위치하는 처리부에서 처리된 후 회수된다.

Description

처리 장치와 그 방법 및 로봇 장치 {PROCESSOR AND PROCESSING METHOD, AND ROBOT DEVICE}
본 발명은 액정용 글래스 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 피처리물을 다수의 처리부에 의하여 순차 처리하는 처리 장치와 그 방법 및 상기 피처리물을 반송(搬送)하기 위한 로봇(robot) 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 액정용 글래스 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 피처리물에 회로 패턴을 형성하는 제조 공정에서는 그 피처리물에 대하여 여러 가지 처리를 행하는 것이 요구되며, 그 처리의 하나로 상기 피처리물을 높은 청정도로 세정하는 것이 요구되는 공정이 있다.
피처리물의 세정에는, 그 피처리물에 자외선을 조사(照射)하고 유기물을 분해하여 제거하는 자외선 조사 수단, 반송되는 피처리물에 약액(藥液) 등을 블로잉(blowing)하면서 브러시(brush)로 세정하는 브러시 세정 수단, 피처리물을 테이블에 지지하여 회전시키면서 약액 등의 세정액을 불로잉하는 스핀(spin) 세정 수단 등, 여러 가지 세정 수단(처리부)이 알려져 있고, 다수의 세정 수단을 사용하여 피처리물을 세정 처리하는 경우에는 이들 세정 수단에 대하여 피처리물을 반입(搬入), 반출(搬出) 처리하는 반송 수단(처리부)도 설치되어 있다.
피처리물의 청정도를 높이기 위해서는, 전술한 다수의 세정 수단 중 가능한 많은 세정 수단에 의하여 피처리물을 세정하도록 하고 있다. 이 경우, 유닛화된 각 세정 수단을 클린 룸(clean room)에 평면적으로 병설하고 세정할 피처리물을 다수의 세정 수단에 대하여 반송 수단에 의하여 순차 반입, 반출하는 것이 행해지고 있다.
그러나, 다수의 세정 수단이나 상기 반송 수단을 평면적으로 배치하면 클린 룸에서 각 세정 수단이나 반송 수단이 차지하는 스페이스가 커지는 경우가 있었다. 클린 룸에서는 스페이스를 가능한 유효하게 활용할 것이 요구되고 있다. 따라서, 피처리물을 세정하는 경우, 다수의 세정 수단이나 반송 수단이 점유하는 스페이스를 작게 할 것이 요망되고 있다.
상기 피처리물을 병설된 세정 수단 사이에서 반송하기 위하여, 그 세정 수단에서의 세정 처리를 연속적으로 행할 수 있는 경우에는 컨베이어에 의하여 연속 반송하면 된다. 그러나, 세정 수단에서의 세정 처리가 예를 들면 스핀 세정 등과 같이 연속적으로 행할 수 없는 경우에는 상기 피처리물을 처리부의 하나인 전술한 반송 수단을 구성하는 로봇 장치에 의하여 반송하는 것이 행해지고 있다.
반송 수단으로 로봇 장치를 사용하면 이 로봇 장치를 병설된 다수의 세정 수단을 따라 주행시키는 경우가 있다. 이 경우, 상기 로봇 장치의 주행 범위에 걸쳐 궤도를 설치하도록 하고 있다.
그러나, 상기 로봇 장치에 의하여 세정된 피처리물을 반입, 반출하면 피처리물로부터 적하(滴下)되는 세정액이 상기 궤도에 적하되는 경우가 있다. 세정액으로는 순수(純水) 이외에 예를 들면 산성도가 높은 약액 등이 사용되기도 한다. 따라서, 세정액으로 약액을 사용한 경우, 피처리물로부터 적하된 약액이 궤도를 부식시키거나 상기 로봇 장치를 제어하기 위한 케이블을 손상시키는 경우 등이 있었다.
또한, 로봇 장치에 의하여 피처리물을 소정의 세정 수단에 반입하는 경우, 그 세정 수단에서의 피처리물의 세정이 종료되기까지, 전의 공정에서 세정된 피처리물을 지지하여 대기(待機)시켜야 하는 경우가 있다. 그 경우, 대기 시간이 길어지면 전의 공정에서 상기 피처리물에 부착된 세정액이 건조되어 그 피처리물에 얼룩 등이 생기는 경우도 있었다.
그리고, 전술한 스페이스의 문제는 피처리물을 세정 처리하는 경우에만 발생하는 것이 아니라 여러 가지 공정에서도 문제가 된다. 예를 들면 피처리물에 대하여 레지스트를 도포하는 경우에는, 도포 장치, 가열 장치, 예비 가열 장치 등의 다수의 처리부를 설치하게 되므로 동일한 문제가 발생하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 다수의 처리부를 적은 스페이스에 설치할 수 있도록 한 처리 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 피처리물을 처리부간에서 로봇 장치에 의하여 수도하기 위하여 그 로봇 장치를 처리부를 따라 주행시키도록 한 경우, 상기 피처리물로부터 세정액이 상기 로봇 장치의 궤도 등에 적하되지 않도록 한 처리 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 로봇 장치가 처리부간에서 수도하는 피처리물을 지지하여 대기하더라도 그 피처리물을 건조시키지 않도록 한 처리 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시 양태에 의하면,
다수의 처리부를 가지며 이들 처리부에 피처리물을 순차 반송함으로써 처리하는 처리 장치에 있어서,
상기 다수의 처리부가 상하 2단으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 처리 장치가 제공된다.
이렇게 함으로써, 다수의 처리부를 설치하기 위하여 필요로 하는 점유 면적을, 평면적으로 배치한 경우에 비하여 작게 할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시 양태에 의하면,
피처리물을 처리하기 위한 처리 장치에 있어서,
상단(上段) 및 하단(下段)의 상하 2단으로 배치된 다수의 처리부와,
상단 또는 하단 중 어느 한 쪽의 일단(一端)에 위치하는 처리부에 대향하여 배치되고 미처리된 피처리물을 지지하는 로더(loader)부와,
상단 또는 하단 중 다른 쪽의 일단에 위치하는 처리부에 대향하여 배치되고 처리 완료된 피처리물이 격납되는 언로더(unloader)부와,
상기 로더부로부터 상단 또는 하단 중 어느 한 쪽 일단에 위치하는 처리부로 미처리된 피처리물을 공급하는 제1 수도(受渡) 수단과,
상단 또는 하단 중 어느 한 쪽의 타단에 위치하는 처리부로부터 피처리물을 받아 그 피처리물을 상단 또는 하단 중 다른 쪽의 타단에 위치하는 처리부로 공급하는 제2 수도 수단을 구비한 처리 장치가 제공된다.
이렇게 함으로써 다수의 처리부를 설치하기 위하여 필요로 하는 점유 면적을, 평면적으로 배치한 경우에 비하여 작게 할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시 양태에 의하면, 피처리물을 반송 처리하는 처리 방법에 있어서,
미처리된 피처리물을 소정의 높이로 공급하는 공급 공정과,
상기 공급 공정으로부터 공급 반송된 피처리물을 그 반송 높이와 대략 동일한 높이 위치에 배치된 처리부에서 처리하는 제1 처리 공정과,
상기 제1 처리 공정에서 처리된 피처리물의 반송 높이를 변경하는 높이 변경 공정과,
상기 피처리물을 상기 높이 변경 공정에서 변경된 높이 위치에 배치된 처리부에서 처리하는 제2 처리 공정과,
상기 제2 처리 공정에서 처리된 피처리물을 격납하는 격납 공정
을 포함하는 처리 방법이 제공된다.
이렇게 함으로써, 피처리물을 상이한 반송 높이에서 각각 처리할 수 있으므로 피처리물을 처리하기 위한 스페이스를 입체적으로 유효하게 이용할 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시 양태에 의하면, 다수의 링크를 회동(回動) 가능하게 연결하는 동시에, 선단에 피처리물을 지지하기 위한 세터(setter)가 배치되어 신축 운동하는 제1 암(arm)과 제2 암을 구비한 로봇 장치에 있어서,
상기 제1 암의 세터는 상기 제2 암의 세터보다 위쪽에 위치하는 동시에, 상기 제2 암의 세터에는 여기에 지지된 피처리물을 향하여 액체를 분사하는 노즐(nozzle)이 배치된 로봇 장치가 제공된다.
이렇게 함으로써, 하측에 위치하는 제2 암의 세터에 지지된 피처리물의 표면이 건조되는 것을 방지할 수 있고, 또한 상측에 위치하는 제1 암의 세터에 지지된 피처리물에 제2 암의 세터에 지지된 피처리물의 표면의 건조를 방지하는 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 도시한 전체 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 제2 수도 기구를 도시한 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 로봇의 배치 상태의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 로봇의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 로봇으로 청정 공기를 도입하는 구성의 설명도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 가동 롤러 유닛과 고정 롤러 유닛을 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 도시한 본 발명의 처리 장치는 피세정물로서의 액정용 글래스 기판을 세정 처리하기 위한 세정 처리 장치(1)를 나타낸다. 이 세정 처리 장치(1)는 이도면에 쇄선으로 표시한 다수의 처리 유닛, 이 실시예에서는 제1 내지 제5 처리 유닛(1a∼1e)을 가지며, 제1 내지 제3 처리 유닛(1a∼1c)과 제4, 제5 처리 유닛(1d, 1e)이 2열로 병설되어 있다. 그리고, 도면에서 2는 전장(電裝) 유닛이다.
상기 제1 처리 유닛(1a) 내에는 가대(架臺)(3) 상에 설치된 로더부(4)를 가진다. 이 로더부(4)에는 다수의 액정용 글래스 기판(5)이 적층 지지되어 있고, 상기 가대(3)에 설치된 도시하지 않은 반출 기구에 의하여 액정용 글래스 기판(5)이 아래쪽으로부터 순차로 1매씩 반출되도록 이루어져 있다.
상기 로더부(4)로부터 반출된 액정용 글래스 기판(5)은 제1 수도 기구(6)에 의하여 제2 처리 유닛(1b)에 보내지도록 이루어져 있다. 상기 제1 수도 기구(6)는 수직으로 세워져 설치된 지주(支柱)(7)를 가진다. 이 지주(7)에는 롤러 유닛(8)이 도시하지 않은 구동원에 의하여 상하 구동 가능하게 설치되어 있다. 이 롤러 유닛(8)은 프레임(9)을 가지며, 이 프레임(9)에는 다수의 롤러(11)가 축 선을 평행하게 하여 회전 가능하게 가설(架設)되어 있다. 프레임(9)의 일측에는 상기 롤러(11)를 회전 구동하기 위한 구동원(12)이 설치되어 있다.
상기 롤러 유닛(8)은 그 상면이 상기 로더부(4)로부터 반출되는 액정용 글래스 기판(5)과 동일한 높이로 하강하여 대기하고 있다. 상기 로더부(4)로부터 반출된 액정용 글래스 기판(5)은 상기 롤러 유닛(8) 상에 공급된다. 액정용 글래스 기판(5)을 받은 롤러 유닛(8)은 상승하여 제2 처리 유닛(1b) 내에 소정의 높이로 설치된 자외선 조사 장치(15)에 액정용 글래스 기판(5)을 공급한다.
상기 자외선 조사 장치(15)는 일측에 공급구(供給口)(16)가 형성되어 있고,상기 롤러 유닛(8)은 그 상면에 실린 액정용 글래스 기판(5)이 상기 공급구(16)와 동일한 높이가 되는 위치까지 상승한다. 이어서, 롤러(11)가 구동원(12)에 의하여 회전 구동됨으로써 상기 액정용 글래스 기판(5)이 상기 자외선 조사 장치(15) 내로 공급된다.
상기 자외선 조사 장치(15)는 상세하게 도시하지 않았지만, 그 내부에 액정용 글래스 기판(5)을 반송하는 반송 롤러 및 이 반송 롤러에 의하여 반송되는 액정용 글래스 기판(5)에 자외선을 조사하는 자외선 램프를 가지며, 자외선에 의하여 조사됨으로써 액정용 글래스 기판(5)에 부착된 유기물이 분해 제거되도록 이루어져 있다.
상기 제2 처리 유닛(1b)에는 상기 자외선 조사 장치(15)와 인접하고 또한 동일한 높이로 브러시 세정 유닛(20)이 배치되어 있고, 이 내부에는 상기 자외선 조사 장치(15)에서 처리된 액정용 글래스 기판(5)을 연속하여 반송하는 도시하지 않은 반송 수단이 설치되어 있다.
상기 브러시 세정 유닛(20)은 일측에 상기 액정용 글래스 기판(5)이 공급되는 공급구(21)가 형성되는 동시에 타측에는 드라이 에어나 불활성 가스를 공급함으로써 외부로부터 액체나 기체가 들어가는 것이 규제된 뉴트럴(neutral)실(22)과, 이 뉴트럴실(22)을 통과한 액정용 글래스 기판(5)에 약액 등의 세정액을 블로잉하면서 브러시 세정하는 브러시 세정실(23)과, 이 브러시 세정실(23)에서 세정된 액정용 글래스 기판(5)을 순수로 샤워 세정하는 샤워실(24)이 순차로 병설되어 있다. 이 샤워실(24)에는 샤워 세정된 액정용 글래스 기판(5)이 반출되는 도시하지 않은반출구가 형성되어 있다.
상기 샤워실(24)의 반출구로부터 반출된 액정용 글래스 기판(5)은 수도용의 롤러 유닛(30)(고정식 롤러 유닛)을 통하여 상기 제1 수도 기구(6)와 대략 동일한 구성의 제2 수도 기구(31)에 의하여 수취된다. 이 제2 수도 기구(31)는 지주(32)를 가진다. 이 지주(32)에는 가동식 롤러 유닛(33)이 도시하지 않은 구동원에 의하여 상하 구동 가능하게 배치되어 있다. 이 가동식 롤러 유닛(33)은 상면이 개구된 바닥을 가지는 모양의 제1 드레인 팬(drain pan)(34)을 가지며 이 제1 드레인 팬(34)에는 다수의 롤러(35)가 축 선을 평행하게 하여 회전 가능하게 가설되어 있다. 상기 제1 드레인 팬(34)의 일측에는 구동원(34a)(도 2에 도시함)이 설치되고 이 구동원(34a)에 의하여 상기 롤러(35)가 회전 구동되도록 되어 있다.
상기 가동식 롤러 유닛(33)은 그 상면이 상기 샤워실(24)의 반출구로부터 송출되는 액정용 글래스 기판(5)과 대략 동일한 높이로 상승하여 대기하고 있다. 상기 샤워실(24)로부터 반출된 액정용 글래스 기판(5)을 상기 가동식 롤러 유닛(33)이 받으면 이 가동식 롤러 유닛(33)은 하강한다.
가동식 롤러 유닛(33)에 실린 액정용 글래스 기판(5)은 로봇 장치인 반입반출 기구(40)(처리부의 하나임)를 구성하는 로봇(41)에 의하여 인출되어 상기 제4 처리 유닛(1d)에 병설된 제1 스핀 처리 장치(42)와 제2 스핀 처리 장치(43) 중 어느 한 쪽에 공급된다.
상기 제2 수도 기구(31)의 가동식 롤러 유닛(33)에 수도된 액정용 글래스 기판(5)은 상기 반입반출 기구(40)의 로봇(41)에 수도되기 전에 건조하면 얼룩 등이생기므로, 이를 방지하기 위하여 건조 방지용 액체로서 순수를 산포(散布)한다.
즉, 가동식 롤러 유닛(33)은 도 2에 도시한 바와 같이 전술한 바닥이 있는 상자 모양의 제1 드레인 팬(34)을 가지고, 이 제1 드레인 팬(34)의 상부 양측에는 파이프형의 샤워 노즐(37)이 배치되어 있다. 각 샤워 노즐(37)로부터는 상기 가동식 롤러 유닛(33)에 지지된 액정용 글래스 기판(5)을 향하여 순수가 분사되도록 이루어져 있다.
상기 제1 드레인 팬(34)의 저부(底部)에는 가동 파이프(38)의 상단(上端)이 접속되어 있다. 이 가동 파이프(38)는 수직으로 설치되고, 이것보다 지름이 큰 고정 파이프(39)에 슬라이드 가능하게 관통 삽입되어 있다. 이 고정 파이프(39)는 중도부(中途部)가 제2 수도기구(31)의 가대(31a)에 고정되고 하단부는 도시하지 않은 폐액부(廢液部)와 연통하고 있다. 이에 따라서, 가동식 롤러 유닛(33)에 지지된 액정용 글래스 기판(5)을 향하여 분사된 순수는 제1 드레인 팬(34)으로부터 가동 파이프(38) 및 고정 파이프(39)를 통하여 배출되도록 이루어져 있다.
제1 드레인 팬(34)에 가동 파이프(38)를 접속하고 이 가동 파이프(38)를 고정 파이프(39)에 관통 삽입함으로써 가동식 롤러 유닛(33)이 상하 이동해도 제1 드레인 팬(34)으로부터의 드레인의 배출을 확실하게 행할 수 있다.
즉, 통상 가동부로부터 드레인을 배출하는 경우, 가동부의 움직임에 대응할 수 있도록 하기 위하여 플랙시블 튜브(flexible tube)가 사용된다. 이 경우, 플래시블 튜브는 가동부가 상승 가능한 길이로 설정되어 있으므로, 하강했을 때는 굴곡되어 측방(側方)으로 돌출한다. 그러므로, 상기 플랙시블 튜브를 측방으로 굴곡시키기 위한 스페이스를 확보해야 하거나, 가동부의 상하 이동에 의하여 플랙시블 튜브가 굴곡을 반복함으로써 그 굴곡 부분이 조기 손상되는 경우가 있었다.
그러나, 본 발명에서는 플랙시블 튜브를 사용하지 않고 제1 드레인 팬(34)에 가동 파이프(38)를 접속하고, 이 가동 파이프(38)를 고정 파이프(39)에 슬라이드 가능하게 관통 삽입하였다. 그러므로, 제1 드레인 팬(34)의 상하 이동에 의하여 가동 파이프(38)가 고정 파이프(39) 내를 슬라이드하므로, 고정 파이프(39)를 설치하기 위하여 필요한 스페이스를 확보하기만 하면 되고, 또한 플랙시블 튜브와 같이 굴곡에 의하여 조기 손상되지도 않는다.
도 6에 도시한 바와 같이, 상기 수도용 롤러 유닛(30)은 상기 가동식 롤러 유닛(33)과 마찬가지로, 제2 드레인 팬(131)을 가진다. 이 제2 드레인 팬(131)에는 중심부를 향하여 낮게 경사진 저부의 중심부에 배액관(排液管)(132)이 배치되고, 대향하는 한 쌍의 측벽(側壁) 간에는 다수의 롤러(133)가 축 선을 평행하게 하여 소정 간격으로 회전 가능하게 가설되어 있다. 이 롤러(133)는 도시하지 않은 구동원에 의하여 회전 구동되도록 이루어져 있다.
따라서, 상기 샤워실(24)로부터 상기 수도용 롤러 유닛(30)의 롤러(133) 상에 반출된 액정용 글래스 기판(5)은 그 롤러(133)가 회전 구동됨으로써 상기 가동식 롤러 유닛(33)의 롤러(35) 상에 수도된다.
상기 가동식 롤러 유닛(33)이 상승 위치에 있을 때 인접하는, 상기 수도용 롤러 유닛(30)과 상기 가동식 롤러 유닛(33)의 드레인 팬(131, 34)의 측벽에는 각각 제1 방수 커버(134)와 제2 방수 커버(135)가 배치되어 있다.
각 방수 커버(134, 135)는 수직부(134a, 135a)와 경사부(134b, 135b)를 가지며, 수직부(134a, 135a)의 하단부가 상기 측벽의 내면에 스페이서(136)를 통하여 부착되어 있다. 이에 따라서, 각 방수 커버(134, 135)의 경사부(134b, 135b)는 각 드레인 팬(131, 34)의 측벽으로부터 바깥쪽을 향하여 돌출하는 동시에, 각 드레인 팬(131, 34)의 안쪽을 향하여 낮게 경사져 있다.
또한, 가동식 롤러 유닛(33)이 상승된 상태에서 액정용 글래스 기판(5)의 반송 방향 상류측이 되는 수도 롤러 유닛(30)에 배치된 제1 방수 커버(134)의 경사부(134b)는 가동식 롤러 유닛(33)에 배치된 제2 방수 커버(135)의 위쪽에 중합되어 위치하도록 이루어져 있다.
이에 따라서, 샤워실(24)에서 세정된 액정용 글래스 기판(5)이 고정식 롤러 유닛(30)으로부터 가동식 롤러 유닛(33)으로 수도되는 경우, 그 글래스 기판(5)으로부터 적하되는 세정액은 각 방수 커버(134, 135)의 경사부(134b, 135b)에 적하되어 그 경사를 따라 각 드레인 팬(131, 34) 내로 유입된다. 그러므로, 액정용 글래스 기판(5)으로부터 적하되는 세정액이 주위로 비산(飛散)되는 것이 방지된다.
또, 한 쌍의 방수 커버(134, 135)의 경사부(134b, 135b)는 중합되어 있으므로, 세정액이 각 롤러 유닛(30, 33)의 간극으로부터 비산되지도 않는다.
또한, 세정액이 만일 방수 커버(134, 135)의 하면에 부착되어 경사부(134b, 135b)로부터 수직부(134a, 135a)로 흘러도 수직부(134a, 135a)의 하단은 스페이서(136)를 통하여 드레인 팬(34, 131)의 측벽 내면에 부착되어 있다. 그러므로, 방수 커버(134, 135)의 하면을 따라 흐른 세정액이 드레인 팬(131, 34)의 외부에 적하되지도 않는다.
상기 로봇(41)은 병설된 다수, 이 실시예에서는 한 쌍의 스핀 처리 장치(42, 43)의 측방에서, 상기 자외선 조사 장치(15)와 브러시 세정 유닛(20)의 아래쪽, 즉 도 5에 도시한 바와 같이 제2 처리 유닛(1b)에, 상기 제4 처리 유닛(1d)에 배치된 상기 한 쌍의 스핀 처리 장치(42, 43)의 병설 방향을 따라 이동 가능하게 설치되어 있다. 즉, 도 3에 도시한 바와 같이 상기 스핀 처리 장치(42, 43)의 측방에는 가이드부를 형성하는 가이드 레일(44) 및 이 가이드 레일(44)과 소정 간격으로 평행하게 이간(離間)되어 구동 장치로서의 선형 모터(linear motor)(45)가 배치되어 있다.
상기 가이드 레일(44)에는 슬라이더(46)가 슬라이드 가능하게 배치되고, 이 슬라이더(46)의 상면에는 제1 수평 부재(47)가 배치되어 있다. 이 제1 수평 부재(47)에는 제1 수직 부재(48)가 수직으로 배치되어 있다.
상기 선형 모터(45)는 고정부(45a)와 이 고정부(45a)를 따라 구동되는 가동부(45b)로 이루어지고, 이 가동부(45b)에는 제2 수평 부재(49)가 부착되어 있다. 이 제2 수평 부재(49)에는 제2 수직 부재(51)가 수직으로 배치되어 있다.
상기 제1 수직 부재(48)와 제2 수직 부재(51)의 하단 사이에는 재치판(載置板)(52)이 수평으로 가설되어 있고, 이 재치판(52) 상에 상기 로봇(41)이 설치 고정되어 있다. 이 로봇(41)은 기둥형의 본체부(41a)를 가지며, 이 본체부(41a)는 한 쌍의 수직 부재(48, 51)의 간격보다 작은 지름 치수로 형성되어 있다.
상기 가이드 레일(44)과 선형 모터(45)의 고정부(45a)는 각각 내식성(耐蝕性)이 높은 금속이나 합성 수지 등의 재료로 이루어지는 커버체(53a, 53b)에 의하여 덮여 있다.
각 커버체(53a, 53b)는 상단이 상기 로봇(41)의 주행 방향을 따라 배치된 프레임(54)에 고정되고, 중도부가 로봇(41)을 향하여 낮게 경사지고 또한 각각이 상기 가이드 레일(44)과 선형 모터(45)의 고정부(45a)를 덮고 있으며, 하단부는 각 수직 부재(48, 51)와 로봇(41) 사이에 삽입되어 있다.
상기 한 쌍의 커버체(53a, 53b)의 하단측에는 상기 로봇(41)의 주행 범위의 전장(全長)에 걸쳐 내식성이 높은 재료로 이루어지는 제3 드레인 팬(55)이 배치되어 있다. 이 제3 드레인 팬(55)에는 후술하는 바와 같이 상기 로봇(41)으로부터 커버체(53a, 53b)에 적하된 세정액이 집적되도록 이루어져 있다.
상기 로봇(41)은 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이 트윈 암(twin arm) 로봇으로, 그 본체부(41a) 내에는 도시하지 않은 구동원이 설치되어 있다. 상기 본체부(41a)의 상면에는 제1 암(56)와 제2 암(57)가 배치되어 있다. 제1 암(56)는 제1 링크(56a)와 제2 링크(56b)로 이루어져 있고, 제2 암(57)는 제3 링크(57a)와 제4 링크(57b)로 이루어져 있으며, 제1 링크(56a)와 제3 링크(57a)의 일단이 상기 구동원의 구동 축에 연결되어 있다.
제1 링크(56a)의 타단에는 제2 링크(56b)의 일단이 제1 링크의 회동에 연동하여 회동하도록 연결되어 있다. 또, 제3 링크(57a)의 타단에는 제4 링크(57b)의 일단이 제3 링크(57a)의 회동에 연동하여 회동하도록 연결되어 있다. 제2 링크(56b)와 제4링크(57b)의 타단에는 각각 제1 세터(56c)와 제2 세터(57c)의 일단이제2 링크(56b)와 제4 링크(57b)의 회동에 연동하여 직선 운동(신축 운동)하도록 연결되어 있다.
따라서, 한 쌍의 제1, 제2 암(56, 57)는 제1 링크(56a)와 제3 링크(57a)가 회동됨으로써 제2 링크(56b) 및 제4 링크(57b)와, 제1 세터(56c) 및 제2 세터(57c)가 각각 연동하여 신축 운동하도록 되어 있다. 또한, 제1, 제2 암(56, 57)는 신축하는 방향을 바꾸거나 상하 구동되도록 이루어져 있다. 도 4는 제1 암(56)가 축소되고 제2 암(57)가 신장되어 있는 상태를 도시하고 있다.
한 쌍의 암(56, 57)가 축소되었을 때, 제1 링크(56a)와 제3 링크(57a)가, 또 제1 세터(56c)와 제2 세터(57c)가 각각 간섭하는 것을 방지하기 위하여 이들은 높이를 다르게 하여 설치되어 있다. 이 실시예에서는 제2 암(57)가 제1 암(56)보다 낮게 설치되어 있다.
제1 암(56)는 드라이(dry) 상태로 있는 액정용 글래스 기판(5)을 전용으로 반송하고, 제2 암(57)는 웨트(wet) 상태로 있는 액정용 글래스 기판(5)을 전용으로 반송하도록 되어 있다.
각 암(56, 57)의 제1 세터(56c)와 제2 세터(57c)에는 소정의 크기의 액정용 글래스 기판(5)을 위치 결정하며 지지하기 위한 다수의 지지 부재(61)가 배치되어 있다. 또, 제2 암(57)의 제2 세터(57c)의 기단부 상면에는 한 쌍의 노즐(62)이 배치되어 있다. 각 노즐(62)로부터는 제2 세터(57c)에 지지된 액정용 글래스 기판(5)이 건조되는 것을 방지하기 위한 액체로 예를 들면 순수가 분사되도록 되어 있다.
즉, 브러시 세정 유닛(20)에서 세정되어 제2 수도 기구(31)에 수도된 웨트 상태로 있는 액정용 글래스 기판(5)은 제2 암(57)의 제2 세터(57c)에 의하여 수취된다. 이어서, 그 액정용 글래스 기판(5)은 제1 또는 제2 스핀 처리 장치(42, 43)에 공급된다. 이때, 각 스핀 처리 장치(42, 43)는 배치(batch) 처리이므로 웨트 상태의 액정용 글래스 기판(5)을 공급하는 동안, 소정 시간 대기해야 한다. 대기 중에는 상기 노즐(62)로부터 액정용 글래스 기판(5)을 향하여 순수가 분사된다. 이에 따라서, 웨트 상태로 있는 액정용 글래스 기판(5)이 건조되는 것이 방지되므로 건조에 의한 얼룩 등이 생기는 것이 방지된다.
한 쌍의 스핀 처리 장치(42, 43)는 액정용 글래스 기판(5)에 대하여 동일한 처리를 행하도록 이루어져 있다. 즉, 액정용 글래스 기판(5)을 지지하여 고속으로 회전시키는 동시에, 그 상면에 초음파 진동이 부여된 약액을 약액 공급 노즐(65)로부터 공급하여 약액 세정한 후 순수를 순수 공급 노즐(66)로부터 공급하여 헹구어 세정한다. 이어서, 액정용 글래스 기판(5)에 약액이나 순수를 공급하지 않고 고속 회전시키면서 건조 처리한다.
상기 자외선 조사 장치(15) 및 브러시 세정 유닛(20)은 액정용 글래스 기판(5)을 연속적으로 처리한다. 이에 대하여 스핀 처리 장치(42, 43)에 의한 액정용 글래스 기판(5)의 처리는 배치 처리이다. 그러므로, 액정용 글래스 기판(5)의 흐름이 불연속으로 되어 택트 타임이 길어진다.
그러나, 전술한 바와 같이 액정 글래스 기판(5)을 처리하는 다수의 스핀 처리 장치(42, 43)를 병설하고, 이들 스핀 처리 장치에 대하여 브러시 세정 유닛(20)으로부터 액정 글래스 기판(5)을 교호(交互)로 공급하도록 하였다. 그러므로, 하나의 스핀 처리 장치에서 1매의 액정 글래스 기판(5)을 순차 처리하는 경우에 비하여, 세정 처리 장치(1) 전체로서의 택트 타임을 짧게 하는 것이 가능하게 된다.
각 스핀 처리 장치(42, 43)에서 건조 처리되어 드라이 상태로 있는 액정 글래스 기판(5)은 로봇(41)의 제1 암(56)의 제1 세터(56c)에 의하여 인출되어 제5 처리 유닛(1e)으로 반송된다.
그리고, 로봇(41)에 의하여 액정 글래스 기판(5)이 각 스핀 처리 장치(42, 43)에 대하여 착탈되는 것은 도 1과 도 5에 도시한 바와 같이 제2 처리 유닛(1b)과 제4 처리 유닛(1d)을 연통시키는 개구부(63)를 통하여 행해진다. 이 개구부(63)는 도시하지 않은 게이트에 의하여 개폐되도록 할 수도 있다.
상기 로봇(41)은 웨트 상태로 있는 액정 글래스 기판(5)을 제2 암(57)로 수도하고, 세정 처리가 종료되어 드라이 상태로 있는 액정 글래스 기판(5)을 제1 암(56)로 수도하도록 하고 있다. 그러므로, 제1 암(56)의 제1 세터(56c)에는 웨트 상태로 있는 액정 글래스 기판(5)의 오점이 생기지도 않으므로, 상기 제1 세터(56c)에서 수도하는 청정한 상태의 액정 글래스 기판(5)이 로봇(41)에 의한 수도에 의하여 오손(汚損)되지 않는다.
또한, 제1 암(56)는 제2 암(57)의 위쪽에 위치하므로, 제2 암(57)의 제2 세터(57c)에 지지된 웨트 상태의 액정 글래스 기판(5)으로부터 적하되는 세정액 등에 의하여 제1 암(56)의 제1 세터(56c)나 여기에 지지된 액정 글래스 기판(5)이 오염되지도 않는다.
상기 로봇(41)의 제2 암(57)가 웨트 상태로 있는 액정 글래스 기판(5)을 한 쌍의 스핀 처리 장치(42, 43) 중 어느 한 쪽에 공급하는 경우, 이 로봇(41)은 선형 모터(45)에 의하여 구동되어 가이드 레일(44)을 따라 주행한다. 그때, 웨트 상태로 있는 액정 글래스 기판(5)으로부터는 한 쌍의 커버체(53a, 53b)의 중간부 상면에 세정액이 적하된다.
상기 커버체(53a, 53b)의 중간부는 로봇(41)을 향하여 낮게 경사져 있으므로 커버체(53a, 53b)의 중간부에 적하된 세정액은 도 3에 화살표로 표시한 바와 같이 그 중간부로부터 하단부를 거쳐 제3 드레인 팬(55)에 집적된다.
즉, 웨트 상태의 액정 글래스 기판(5)으로부터 적하된 세정액이 로봇(41)의 주행을 가이드하는 가이드 레일(44)에 적하되어 이 가이드 레일(44)을 조기에 부식시키거나 선형 모터(45)에 적하되어 이것을 손상시키는 것 등이 방지된다.
상기 제5 처리 유닛(1e)은 도 1에 도시한 바와 같이 다수의 롤러로 이루어지는 반출부(71)를 가진다. 이 반출부(71)의 일단측에는 상기 로봇(41)의 제1 암(56)의 제1 세터(56c)에 지지된 액정 글래스 기판(5)을 받는 푸셔(pusher)(72)가 상하 이동 가능하게 설치되어 있다.
상기 푸셔(72)가 상승하여 제1 세터(56c)로부터 액정 글래스 기판(5)을 받으면, 하강하여 그 액정 글래스 기판(5)을 상기 반출부(71)로 수도한다. 반출부(71)의 타단에는 언로더부(73)가 배치되어 있고, 상기 반출부(71)를 반송되어 온 액정 글래스 기판(5)은 이 언로더부(73)에 적층 수용된다. 그리고, 세정 장치(1)에서의 액정 글래스 기판(5)의 흐름은 도 1에 화살표로 나타낸다.
상기 세정 처리 장치(1)는 클린 룸에 설치되는 동시에, 각 처리 유닛(1a∼1e)의 상부 외면에는 도 5에 도시한 바와 같이 클린 유닛(75)이 배치되어 있다. 이 클린 유닛(75)은 클린 룸 내의 공기를 청정화하여 각 처리 유닛(1a∼1e)으로 도입한다.
제2 처리 유닛(1b)에서는 상기 로봇(41)이 브러시 세정 유닛(20)의 아래쪽에 배치되어 있다. 그러므로, 제2 처리 유닛(1b) 상부의 클린 유닛(75)으로부터 공급된 청정 공기는 브러시 세정 유닛(20)에 의하여 차단되어 상기 로봇(41)에 지지된 액정 글래스 기판(5)의 청정도를 유지하는 것이 어려워진다.
이를 위하여, 상기 제2 처리 유닛(1b)에 병설된 제4 처리 유닛(1d)의 상부에는 클린 유닛(75)으로부터의 청정 공기의 일부를 분류하기 위한 제1 가이드(guide)체(76)가 설치되어 있다. 이 도면에 화살표로 표시한 바와 같이 제1 가이드체(76)에서 분류된 청정 공기는 상기 제4 처리 유닛(1d)과 제2 처리 유닛(1b)을 연통시키는 통공(通孔)(77)으로 가이드된다.
제2 처리 유닛(1b)에는 상기 통공(77)으로부터 유입된 청정 공기를 아래쪽으로 향하여 가이드하는 제2 가이드체(78)가 배치되어 있다. 이에 따라서, 그 청정 공기는 로봇(41)을 향하여 흐르므로 이 로봇(41)에 지지된 액정 글래스 기판(5)의 청정도를 유지할 수 있다.
상기 구성의 세정 처리 장치(1)에 의하면, 액정 글래스 기판(5)을 처리하기 위한 처리부로서의 자외선 조사 장치(15)와 브러시 세정 유닛(20)을 상단에 배치하고 이들의 하단에 상기와 같은 처리부로서의 로봇(41)을 배치하였다.
그러므로, 세정 처리 장치(1) 전체로서의 폭 치수는 상기 로봇(41)을 자외선 조사 장치(15)와 브러시 세정 유닛(20)에 대하여 가로 방향으로 병설한 경우보다 작게 할 수 있으므로 그 만큼 클린 룸을 점유하는 스페이스도 작게 할 수 있다.
액정 글래스 기판(5)의 반송 방향은 자외선 조사 장치(15)와 브러시 세정 유닛(20)이 배치된 상단과 로봇(41)이 배치된 하단에서 역방향으로 방향 변환된다. 그러므로, 액정 글래스 기판(5)의 반송 방향을 변환하지 않은 경우에 비하여 장치의 전장을 짧게 할 수 있으므로, 이에 따라서 클린 룸을 점유하는 스페이스도 작게 할 수 있다.
상기 자외선 조사 장치(15) 및 브러시 세정 유닛(20)과 로봇(41)을 상하 2단으로 배치하는 동시에, 상단의 자외선 조사 장치(15)의 입구측에는 제1 수도 기구(6)를 배치하고 브러시 세정 유닛(20)의 출구측에는 제2 수도 기구(31)를 배치하도록 하였다.
그러므로, 다수의 처리부를 상하 2단으로 배치해도 액정 글래스 기판(5)의 로더부(4)로부터 자외선 조사 장치(15)로의 수도나 브러시 세정 유닛(20)으로부터 로봇(41)으로의 수도를 확실하게 행하는 것이 가능하다.
상단에 자외선 조사 장치(15) 및 브러시 세정 유닛(20)을 배치하고 상단에 로봇(41)을 배치함으로써 제2 처리 유닛(1b)의 상부로부터의 다운 플로가 상단의 처리부에 의하여 차단된다.
그러나, 상기 제2 처리 유닛(1b)에 병설된 제4 처리 유닛(1d)으로부터의 다운 플로의 일부는 제1 가이드체(76)에 의하여 분류되고, 제2, 제4 처리 유닛(1b,1d)을 연통시키는 통공(77)을 통하여 제2 가이드체(78)에 의하여 로봇(41)을 향하여 가이드된다.
따라서, 로봇(41)에 지지된 세정 처리후의 액정 글래스 기판(5)은 제2 처리 유닛(1b)에 인접한 제4 처리 유닛(1d)으로부터의 청정 공기에 의하여 청정도가 유지된다. 즉, 다수의 처리부를 상하 2단으로 배치해도 하단에 배치된 처리부의 청정도를 클린 유닛(75)으로부터의 청정 공기에 의하여 확실하게 유지할 수 있다.
본 발명은 상기 일 실시예에 한정되지 않고 여러 가지로 변형 가능하다. 예를 들면 상기 일 실시예에서는 처리 장치로 세정 처리 장치를 예로 들었지만, 그 이외의 처리를 행하는 장치인 경우에도 다수의 처리부를 가지는 것이면 본 발명을 적용할 수 있다.
예를 들면, 피처리물로서의 반도체 웨이퍼나 액정 글래스 기판에 회로 패턴을 형성하기 위하여 행해지는 현상 처리, 에칭 처리, 박막 형성 처리 등을 행하는 처리부를 구비한 처리 장치일 수도 있으며, 요컨데 처리부의 종류나 조합, 또한 피처리물의 종류 등도 한정되지 않는다.
또한, 상기 일 실시예에서는 로더부에 수용된 피처리물을 제1 수도 기구로 상단의 처리부에 공급하고, 상단 최후의 처리부에서 처리된 피처리물을 제2 수도 기구로 하단의 처리부에 수도하도록 했지만, 처리부의 배치 상태에 따라서는 로더부의 피처리물을 제1 수도 기구에 의하여 하단의 처리부에 수도하고, 제2 수도 기구에 의하여 하단의 처리부에서 처리된 피처리물을 상단의 처리부에 수도하도록 할 수도 있다. 그 경우, 로더부와 하단의 처리부가 동일한 높이이면 제1 수도 기구를상하 이동 가능하게 구성하지 않아도 된다.
또, 다수의 스핀 처리 장치를 하나의 처리 유닛에 배치하였지만, 각각의 처리 유닛에 배치하도록 해도 되며 그 점은 처리부의 크기나 처리 유닛의 크기 등에 따라서 설계 변경할 수 있는 것이다,.
또, 상기 일 실시예에서는 자외선 조사 장치 및 브러시 세정 유닛을 위쪽에 배치하고 그 아래쪽에 로봇을 배치하며, 스핀 처리 장치는 상기 로봇의 측방에서, 상기 자외선 조사 장치 및 브러시 세정 유닛의 비스듬한 아래쪽에 배치하였지만, 상기 로봇 및 스핀 처리 장치를, 상기 자외선 조사 장치 및 브러시 세정 유닛의 바로 아래에 배치할 수도 있음은 물론이다. 그 경우, 로더부와 언로더부도 상하 방향으로 배치하면 된다.
본 발명에 따른 로봇 장치는 하측에 위치하는 제2 암의 세터에 지지된 피처리물의 표면이 건조되는 것을 방지할 수 있고, 또한 상측에 위치하는 제1 암의 세터에 지지된 피처리물에 제2 암의 세터에 지지된 피처리물의 표면의 건조를 방지하는 액체가 부착되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (1)

  1. 다수의 링크를 회동(回動) 가능하게 연결하고, 선단에 피처리물을 지지하기 위한 세터(setter)가 배치되어 신축 운동하는 제1 암(arm) 및 제2 암을 구비한 로봇 장치에 있어서,
    상기 제1 암의 세터는 상기 제2 암의 세터보다 위쪽에 위치하는 동시에, 상기 제2 암의 세터에는 여기에 지지된 피처리물을 향하여 액체를 분사하는 노즐(nozzle)이 배치된 로봇 장치.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286318A (ja) * 1999-01-27 2000-10-13 Shinko Electric Co Ltd 搬送システム
US7278812B2 (en) * 1999-01-27 2007-10-09 Shinko Electric Co., Ltd. Conveyance system
JP4248695B2 (ja) * 1999-07-26 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 ウェハ移載装置の緊急停止装置
KR100766247B1 (ko) * 1999-12-30 2007-10-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일체형 스트립 및 세정 장치
US6634686B2 (en) * 2001-10-03 2003-10-21 Applied Materials, Inc. End effector assembly
KR100500169B1 (ko) * 2003-07-02 2005-07-07 주식회사 디엠에스 도킹형 기판 이송 및 처리 시스템과, 그를 이용한 이송 및 처리 방법
JP4647228B2 (ja) * 2004-04-01 2011-03-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US7725976B1 (en) 2004-08-26 2010-06-01 The Sherwin-Williams Company Apparatus and method for the automated cleaning of articles
JP4463081B2 (ja) 2004-11-10 2010-05-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20070020067A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Au Optronics Corporation Storage cassette for large panel glass substrates
KR101003580B1 (ko) * 2005-12-29 2010-12-22 엘지디스플레이 주식회사 기판공급장치
KR100945912B1 (ko) * 2008-01-10 2010-03-05 주식회사 비아트론 반도체 소자의 열처리 장치
CN101383313B (zh) * 2008-10-24 2010-06-16 陈百捷 一种取送硅片的机械手
JP6239893B2 (ja) 2013-08-07 2017-11-29 株式会社荏原製作所 ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置
CN104971914B (zh) * 2014-04-02 2017-02-15 洛阳理工学院 一种精密零件的清洗装置
JP2015207602A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社荏原製作所 排水機構、及びこれを備えた基板処理装置
KR20220063721A (ko) * 2020-11-10 2022-05-17 가부시키가이샤 스기노 마신 처리시스템

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084819A (ja) * 1983-10-14 1985-05-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPS62203786A (ja) * 1986-03-03 1987-09-08 株式会社東芝 産業用ロボツト
US4728252A (en) * 1986-08-22 1988-03-01 Lam Research Corporation Wafer transport mechanism
JPH0261588U (ko) * 1988-10-24 1990-05-08
JPH04144811A (ja) * 1990-10-03 1992-05-19 Toshiba Corp 基板挿入装置
JPH0529289A (ja) * 1991-07-24 1993-02-05 Nec Kyushu Ltd 半導体基板薬液処理装置
FR2697004B1 (fr) * 1992-10-16 1994-11-18 Commissariat Energie Atomique Système de stockage et de transport d'objets plats tels que des boîtes extra-plates et son ratelier portatif.
KR970011065B1 (ko) * 1992-12-21 1997-07-05 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치와 기판처리장치에 있어서 기판교환장치 및 기판교환방법
JP3042576B2 (ja) * 1992-12-21 2000-05-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
JPH07193113A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板昇降装置
US5587637A (en) * 1994-01-10 1996-12-24 Tatsumo Kabushiki Kaisha Robot arm device capable of conveying an article in circumferential and radial directions
SE515119C2 (sv) * 1995-03-30 2001-06-11 Abb Ab Industrirobot

Also Published As

Publication number Publication date
JP3360001B2 (ja) 2002-12-24
CN1235697A (zh) 1999-11-17
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CN1163947C (zh) 2004-08-25

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