KR20050000747A - 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자 - Google Patents

도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20050000747A
KR20050000747A KR1020030041250A KR20030041250A KR20050000747A KR 20050000747 A KR20050000747 A KR 20050000747A KR 1020030041250 A KR1020030041250 A KR 1020030041250A KR 20030041250 A KR20030041250 A KR 20030041250A KR 20050000747 A KR20050000747 A KR 20050000747A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electron
light emitting
group
injection layer
Prior art date
Application number
KR1020030041250A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100527194B1 (ko
Inventor
서민철
양남철
진병두
김무현
이성택
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR10-2003-0041250A priority Critical patent/KR100527194B1/ko
Priority to US10/839,338 priority patent/US7771843B2/en
Priority to CN2004100493946A priority patent/CN1575070B/zh
Publication of KR20050000747A publication Critical patent/KR20050000747A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100527194B1 publication Critical patent/KR100527194B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는 유기전계발광소자를 제공한다. 기판, 상기 기판 상에 위치한 화소 영역을 정의하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치한 최소한 발광층과 정공주입층 및/또는 정공수송층을 갖는 유기막, 상기 유기막 상에 위치한 제 2 전극을 갖는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 전자끌게물질(electron acceptor)로 도핑되되, 상기 전자끌게물질의 전자친화도(electron affinity)는 상기 피도핑된 층(정공주입층 또는 정공수송층)을 이루는 물질의 전자친화도보다 0.1eV이상 큰 물질인 유기전계발광소자를 제공함으로써, 유기전계발광소자의 발광효율향상과 수명개선을 이룰 수 있다.

Description

도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는 유기전계발광소자 {organic electroluminescence device employing doped hole transfer layer and/or hole injection layer}
본 발명은 유기전계발광소자(organic electroluminescence device)에 관한 것으로, 특히 도핑된 정공수송층(hole transfer layer; HTL) 및/또는 정공주입층(hole injection layer; HIL)을 갖는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
유기전계발광소자는 자발광형 디스플레이로 박형에 경량, 부품이 간소하고 공정이 간단한 이상적 구조를 지니고 있으며 고화질에 광시야각을 확보하였으며 완벽한 동영상 구현과 고색순도 구현이 가능하며 저소비 전력, 저전압 구동으로 모바일에 적합한 전기적 특성을 지닌다는 장점이 있다.
일반적인 유기전계발광소자의 구조는 기판과 상기 기판 상에 애노드(anode)가 위치하고, 상기 애노드 상에 발광층(emission layer; EML)을 포함한 유기막이위치하며, 상기 유기막 상에 캐소드(cathode)가 위치한다. 상기 유기막은 상기 애노드와 발광층 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL)을, 상기 발광층(EML)과 상기 캐소드 사이에 전자수송층(electron transfer layer; ETL), 전자주입층(electron injection layer; EIL)을 더 포함할 수 있다.
상기 구조의 유기전계발광소자의 구동원리는 다음과 같다. 상기 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하면, 정공은 애노드로부터 정공주입층, 정공수송층을 경유하여 발광층내로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 전자주입층, 전자수송층을 경유하여 역시 발광층내로 주입된다. 상기 발광층내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.
일반적으로, 상기 유기막내에서는 정공이동도(hole mobility)는 전자이동도(electron mobility) 보다 10배 내지 100배정도 크다. 이는 유기전계발광소자의 실용화를 위해서 필요한 발광효율향상과 수명개선에 영향을 준다.
높은 발광효율을 얻기 위해서는 상기 발광층내로 주입되는 전자와 정공의 주입량이 비슷해야 하지만, 상술한 바와 같이 정공의 이동도가 높으므로 정공의 주입량이 전자의 주입량 보다 더 크게 된다. 이를 개선하기 위해 상기 발광층과 상기 전자수송층사이에 정공억제층을 더 삽입하여 정공을 발광층에 구속함으로써 발광효율을 향상시키기도 한다.
또한, 상기 유기막을 이루는 각 층의 일함수 차이로 인해 층간 계면에서 전하 축적(charge accumulation)이 발생하게 되는데, 이로 인해 소자가 열화되어 수명이 단축되게 된다. 그런데, 정공이동도가 전자이동도보다 더 크므로 애노드와 발광층사이에 위치한 유기막과 발광층 사이의 층간 계면에서의 정공의 축적이 캐소드와 발광층사이에 위치한 유기막과 발광층 사이의 층간 계면에서의 전자의 축적 보다 더 크게 된다.
상기 전하 축적(charge accumulation)을 개선하기 위해 미국 특허 제 5,601,903호에서는 정공주입전극에 인접한 발광층 또는 전하수송층에 상기 발광층 또는 전하수송층의 전도대(conduction band) 보다 낮은 전도대를 갖는 물질을 도핑하고, 전자주입전극에 인접한 발광층 또는 전하수송층에 상기 발광층 또는 전하수송층의 가전자대(valence band)보다 높은 가전자대를 갖는 물질을 도핑한다. 이는 발광층과 전하수송층간 에너지 장벽을 낮추어 전하이동도를 크게 함으로써 상기 전하 축적현상을 개선하고자 하나, 이는 발광층으로부터의 전하의 유출을 용이하게 하여 발광효율에 역행할 수도 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기막 내의 정공이동도를 작게 함으로써 발광효율특성과 수명특성이 동시에 향상된 유기전계발광소자를 제공함에 있다.
도 1는 본 발명의 실시예 3 및 상기 비교예 3에 따라 제조된 유기전계발광소자의 구동시간에 대한 상대적 밝기(relative brigtness)특성을 나타낸 그래프이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치한 화소 영역을 정의하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치한 최소한 발광층(emission layer; EML)과 정공주입층(hole injection layer; HIL) 및/또는정공수송층(hole transfer layer; HTL)을 포함하고 있는 유기막, 상기 유기막 상에 위치한 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 전자끌게물질(electron acceptor)로 도핑되되, 상기 전자끌게물질의 전자친화도(electron affinity)는 상기 피도핑된 층(정공주입층 또는 정공수송층)을 이루는 물질의 전자친화도보다 0.1eV이상 큰 물질인 유기전계발광소자를 제공한다.
상기 전자끌게물질은 니트로기(nitro group; NO2), 시아노기(cyano group; CN), 설포닐기(sulfonyl group; SO2), 설폭사이드기(sulfoxide group; SO3), 카르보닐기(carbonyl group; CO), 카르복실기(carboxyl group; CO2), 에스테르기(ester group; COO), 언하이드라이드(anhydride), 이미드(imide), 이민(imine), 할로겐기(halogen group), 불화알킬기, 불화방향족기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 함유하는 방향족계, 올레핀계, 방향족-올레핀 컨쥬게이트계, 방향족-방향족 컨쥬게이트계, 융합방향족계, 헤테로고리화합물계로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것이 바람직하다.
더욱 바람직하게는 상기 전자끌게물질은 2,4,7-트리니트로플루오렌논(2,4,7-trinitrofluorenone), 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrophenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1.5-dinitronaphthalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 4-디메틸아미노-4'-니트로스틸벤 (4-dimethylamino-4'-nitrostilbene), 1,4-디시아노벤젠 (1,4-dicyanobenzene), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene), 1,2,4,5-테트라시아노벤젠(1,2,4,5-tetracyanobenzene), 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile), 3,4,9,10-페릴렌디카르복실릭 디언하이드라이드(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride), N,N'-비스(2,5-디-t-부틸페닐)-3,4,9,10-페릴렌디카르복시이미드(N,N'-bis(di-t-buytlphenyl)-3,4,9,10-perylenedicarboxyimide)), 테트라클로로프탈릭 언하이드라이드 (tetrachlorophthalic anhydride), (tetrachlorophthalonitrile), 테트라플루오로-1,4-벤조퀴논 (tetrafluoro-1,4-benzoquinone), 나프토퀴논(naphthoquinone), 안트라퀴논(anthraquinone), 펜난트렌퀴논(phenanthrenequinone), 1,10-펜난트롤린-5,6-디온 (1,10-phenanthroline-5,6-dione), 페나진 (phenazine), 퀴녹살린 (quinoxaline), 2,3,6,7-테트라클로로퀴녹살린 (2,3,6,7-tetrachloroquinoxaline)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것이 바람직하다.
더더욱 바람직하게는 상기 전자끌게물질은 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene; DCA)인 것이 바람직하다.
상기 전자끌게물질은 상기 피도핑된 층에 대해 0.01 내지 50중량%로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층과 상기 정공수송층 중에서 상기 정공주입층만이 상기 전자끌게물질로 도핑된 것이 바람직하다.
상기 정공주입층 및/또는 상기 정공수송층에 도핑된 상기 전자끌게물질의 농도는 상기 발광층을 향해 감소되는 것이 바람직하다.
상기 유기막은 정공억제층(hole blocking layer; HBL), 전자수송층(electron transfer layer; ETL), 전자주입층(electron injection layer; EIL) 중 하나 이상을 더욱 포함하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 용액공정, 전면증착, 공증착법 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자는 기판과 상기 기판 상에 화소 영역을 정의하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치한 최소한 발광층과 정공주입층 및/또는 정공수송층을 포함하고 있는 유기막, 상기 유기막 상에 위치한 제 2 전극을 포함한다.
능동매트릭스 유기전계발광소자의 경우, 상기 기판에는 최소한 하나의 박막 트랜지스터가 위치한다. 또한, 상기 제 1 전극과 제 2 전극은 각각 애노드와 캐소드이거나, 캐소드와 애노드일 수 있다. 상기 제 1 전극이 애노드인 경우, 상기 정공주입층과 상기 정공수송층은 상기 애노드와 상기 발광층사이에 차례로 위치하는데, 상기 정공주입층은 애노드로부터 발광층으로의 정공의 주입을 용이하게 하며, 상기 정공수송층은 애노드로부터 발광층으로의 정공의 수송을 용이하게 하는 역할을 한다. 이러한 정공주입층과 정공수송층은 보통 전자주게물질(electron donor)로 이루어지는데, 각 층내에서는 전기장의 존재하에 정공들이 호핑 프로세스(hopping process)에 의해 인접한 층으로 전달된다.
이러한 정공주입층 및/또는 정공수송층은 전자끌게물질로 도핑되되, 상기 전자끌게물질의 전자친화도(electron affinity)는 피도핑된 층(상기 정공주입층 또는 상기 정공수송층)을 이루는 물질의 전자친화도보다 0.1eV이상 큰 물질이다. 이로써, 상기 전자끌게물질은 피도핑된 층을 이루는 물질 즉, 전자주게물질과 전기장 하에서 주게물질-받게물질 쌍(donor-acceptor pair) 즉, 전하이동착화합물(charge transfer complex)를 형성한다. 상기 전하이동착화합물이 형성됨으로써, 상기 호핑 프로세스(hopping process)에 의한 정공의 이동에 참여하는 상기 피도핑된 층을 이루는 물질의 수는 줄어든다. 따라서, 상기 피도핑된 층에서의 정공이동도는 작아진다.
상기 전자끌게물질은 니트로기(nitro group; NO2), 시아노기(cyano group; CN), 설포닐기(sulfonyl group; SO2), 설폭사이드기(sulfoxide group; SO3), 카르보닐기(carbonyl group; CO), 카르복실기(carboxyl group; CO2), 에스테르기(ester group; COO), 언하이드라이드(anhydride), 이미드(imide), 이민(imine), 할로겐기(halogen group), 불화알킬기, 불화방향족기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 함유하는 방향족계, 올레핀계, 방향족-올레핀 컨쥬게이트계, 방향족-방향족 컨쥬게이트계, 융합방향족계, 헤테로고리화합물계로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것이 바람직하다.
더욱 바람직하게는 상기 전자끌게물질은 2,4,7-트리니트로플루오렌논(2,4,7-trinitrofluorenone), 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrophenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1.5-dinitronaphthalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 4-디메틸아미노-4'-니트로스틸벤 (4-dimethylamino-4'-nitrostilbene), 1,4-디시아노벤젠 (1,4-dicyanobenzene), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene), 1,2,4,5-테트라시아노벤젠(1,2,4,5-tetracyanobenzene), 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile), 3,4,9,10-페릴렌디카르복실릭 디언하이드라이드(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride), N,N'-비스(2,5-디-t-부틸페닐)-3,4,9,10-페릴렌디카르복시이미드(N,N'-bis(di-t-buytlphenyl)-3,4,9,10-perylenedicarboxyimide)), 테트라클로로프탈릭 언하이드라이드 (tetrachlorophthalic anhydride), (tetrachlorophthalonitrile), 테트라플루오로-1,4-벤조퀴논 (tetrafluoro-1,4-benzoquinone), 나프토퀴논(naphthoquinone), 안트라퀴논(anthraquinone), 펜난트렌퀴논(phenanthrenequinone), 1,10-펜난트롤린-5,6-디온 (1,10-phenanthroline-5,6-dione), 페나진 (phenazine), 퀴녹살린 (quinoxaline), 2,3,6,7-테트라클로로퀴녹살린 (2,3,6,7-tetrachloroquinoxaline)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 것이 바람직하며, 더더욱 바람직하게는 상기 전자끌게물질은 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene)인 것이 바람직하다.
상기 전자끌게물질은 상기 피도핑된 층에 대해 0.01 내지 50중량%로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 전자끌게물질이 50중량%를 넘을 경우 누설전류가 문제된다. 더욱 바람직하게는 상기 전자끌게물질은 상기 피도핑된 층에 대해 0.01 내지 10중량%로 사용하는 것이 바람직하다.
상기 정공주입층과 상기 정공수송층 중에서 상기 정공주입층만이 상기 전자끌게물질로 도핑된 것이 바람직하며, 상기 정공주입층 및/또는 상기 정공수송층에 도핑된 상기 전자끌게물질의 농도는 상기 발광층을 향해 감소되는 것이 바람직하다.
상기 유기막은 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 하나 이상을 더욱 포함할 수 있으며, 상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 용액공정, 전면증착, 공증착법 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은 다음과 같다.
기판 상에 화소영역을 정의하는 제 1 전극을 형성한다. 상기 제 1 전극이 애노드인 경우, 상기 애노드 상에 정공주입층 및/또는 정공수송층을 차례로 형성한다. 상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 전자끌게물질을 도핑하여 형성하되, 상기 전자끌게 물질은 그 전자친화도(electron affinity)가 피도핑된 층(정공주입층 또는 정공수송층)을 이루는 물질의 전자친화도보다 0.1eV이상 큰 물질이다.
고분자 유기전계발광소자의 경우, 상기 애노드 상에 상기 전자끌게물질이 도핑된 정공주입층 및/또는 정공수송층을 형성하는 것은 다음과 같은 과정을 거친다. 상기 애노드 상에 상기 정공주입층을 이루는 재료를 상기 전자끌게물질과 블랜딩(blending)하여 수백 Å의 두께로 코팅하고 열처리한 후, 캐소드 콘택부분을 닦아낸다. 이어서, 상기 정공주입층 상에 정공수송층을 이루는 재료를 상기 도펀트와 블랜딩하여 수백 Å의 두께로 코팅하고 열처리한 후, 캐소드 콘택부분을 닦아낸다. 또는 상기 애노드 상에 정공주입층으로 사용되는 재료와 상기 정공수송층으로 사용되는 재료 중 어느 하나에는 상기 도펀트를 블랜딩하지 않을 수도 있다. 바람직하게는 상기 정공주입층에만 상기 도펀트를 블랜딩하는 것이 바람직하다.
저분자 유기전계발광소자의 경우, 상기 애노드 상에 상기 전자끌게물질이 도핑된 정공주입층 및/또는 정공수송층을 형성하는 것은 다음과 같은 과정을 거친다. 상기 애노드가 형성된 기판을 증착 챔버에 로딩한 후, 상기 애노드 상에 정공주입층을 상기 도펀트와 공증착하여 수백 Å의 두께로 증착한다. 이 위에 정공수송층을 상기 도펀트와 공증착하여 수백 Å의 두께로 형성한다. 또는 정공주입층과 상기 정공수송층 중 어느 하나는 상기 도펀트와 공증착하지 않고 순수하게 증착할 수 있다. 바람직하게는 상기 정공주입층만을 상기 도펀트와 공증착하는 것이 바람직하다.
상기 도펀트가 도핑된 정공주입층 및/또는 정공수송층이 형성된 기판 상에 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하거나 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Image; LITI)을 이용하여 R, G, B 별로 패터닝된 발광층을 형성한다. 상기 발광층 상에 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층중 하나 이상의 층을 형성할 수 있다. 이어서, 캐소드 전극을 형성한 후 봉지하여 유기전계발광소자의 제조를 마무리한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실시예를 제시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
하기 실시예 1 내지 4는 본 발명의 발광효율향상을 살펴보기 위한 유기전계발광소자의 제작 예이다.
<실시예 1>
기판 상에 애노드로 ITO(Indium Tin oxide)를 패터닝하여 화소영역을 정의하였다. 상기 ITO가 형성된 기판을 세정한 후 15분 동안 UV-O3처리를 하고, 정공주입층인 BFE(Dow Chemical사)에 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene; 이하 DCA라 한다)를 5중량%로 도핑한 용액을 적당한 스핀 속도의 조건에서 30nm의 두께로 코팅하였다.
상기 정공주입층이 증착된 기판을 증착기로 옮겨 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드를 차례로 증착하고, 흡습제와 유리커버를 이용해 봉지하였다.
상기 정공수송층으로는 IDE320(Idemitsu사)을 30nm, 상기 발광층으로는 저분자 청색재료로서 6중량%의 IDE105가 포함된 IDE140(Idemitsu사)을 20nm, 상기 정공억제층으로는 BAlq(bis (2-methyl-8-quinolinolato)-(4-phenyl-phenolato)- aluminum) 를 5nm, 상기 전자수송층으로는 Alq3(aluminum tris (8-hydroxyquinoline))를 20nm, 상기 전자주입층으로는 LiF를 0.5nm, 상기 캐소드로는 알루미늄(Al)을 300nm 사용하였다. 정리하면 상기 유기전계발광소자는 애노드(ITO)/ 정공주입층(BFE, 30nm)/ 정공수송층(IDE320, 30nm)/ 발광층(IDE140 + 6중량% IDE105, 20nm)/ 정공억제층(BAlq, 5nm)/ 전자수송층(Alq3, 20nm)/ 전자주입층(LiF, 0.5nm)/ 캐소드(Al, 300nm)의 구조를 갖는다.
<실시예 2>
정공수송층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
<비교예 1>
정공주입층으로 도핑하지 않은 BFE를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
<비교예 2>
정공주입층으로 도핑하지 않은 BFE를 사용하고, 정공수송층은 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
상기 실시예 1, 2 및 상기 비교예 1, 2에 따라 제조된 유기전계발광소자의 밝기효율을 측정하였고 그 결과는 표 1에 나타내었다. 상기 밝기 효율은 휘도 200nit에서 측정하였다.
<표 1>
항 목 정공주입층 정공수송층 밝기효율(Cd/A, at 200nt)
실시예 1 BFE+5중량% DCA IDE320 8.1
실시예 2 BFE+5중량% DCA - 4.7
비교예 1 BFE IDE320 6.66
비교예 2 BFE - 5.6
상기 표 1을 참조하여 실시예 1 내지 실시예 2를 비교예 1 내지 비교예 2를 각각 비교해 본 결과, 정공주입층으로 BFE에 DCA를 5중량% 도핑한 용액을 사용한경우(실시예 1 또는 실시예 2)가 도핑하지 않은 BFE(Dow Chemical사)를 사용한 경우(비교예 1 또는 비교예 2) 각각에 대해 밝기 효율은 약 20%정도 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
하기 실시예 3와 비교예 3은 본 발명의 수명개선정도를 살펴보기 위한 유기전계발광소자의 제작 예이다.
<실시예 3>
기판 상에 애노드로 ITO를 패터닝하여 화소영역을 정의하였다. 상기 ITO가 형성된 기판을 세정한 후 15분 동안 UV-O3처리를 하고, 상기 세정된 기판 상에 정공주입층인 BFE에 DCA를 5중량% 도핑한 용액을 적당한 스핀 속도의 조건에서 25nm의 두께로 코팅하였다. 이어서, 캐소드 콘택 부분의 정공주입층을 벗겨내고, 220℃의 온도로 10분간 건조하였다.
상기 정공주입층이 증착된 기판을 증착기로 옮겨 정공수송층, 발광층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드 전극을 차례로 증착하고, 흡습제와 유리커버를 이용해 봉지하였다.
상기 정공수송층으로는 IDE320을 25nm, 상기 발광층으로는 저분자 청색재료로서 6중량%의 IDE105가 포함된 IDE140을 20nm, 상기 정공억제층으로는 BAlq를 5nm, 상기 전자수송층으로는 Alq3를 20nm, 상기 전자주입층으로는 LiF를 0.5nm, 상기 캐소드로는 알루미늄(Al)을 300nm 사용하였다. 정리하면 애노드(ITO)/ 정공주입층(BFE, 25nm)/ 정공수송층(IDE320, 25nm)/ 발광층(IDE140+6중량% IDE105, 20nm)/정공억제층(BAlq, 5nm)/ 전자수송층(Alq3, 20nm)/ 전자주입층(LiF, 0.5nm)/ 캐소드(Al, 300nm)를 사용하였다.
<비교예 3>
정공주입층으로 도핑하지 않은 BFE를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
상기 실시예 3 및 상기 비교예 3에 따른 유기전계발광소자의 밝기효율, 반감수명을 측정하였고 그 결과는 표 2에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 3 및 상기 비교예 3에 따른 유기전계발광소자의 구동시간에 대한 상대적 밝기(relative brigtness)특성을 도 1에 나타내었다. 상기 밝기 효율은 휘도 200nt에서 측정하였다. 상기 반감수명은 초기휘도 1000nit에서 휘도가 500nit까지 떨어지는데 걸린 시간을 측정하였다.
<표 2>
항 목 정공주입층 정공수송층 밝기효율(Cd/A, at 200nt) 반감수명(hour)
실시예 3 BFE+5중량% DCA IDE320 7.0 900
비교예 3 BFE IDE320 5.38 190
상기 표 2을 참조하여 실시예 3과 비교예 3을 비교해 본 결과, 정공주입층으로 BFE에 DCA를 5중량% 도핑한 용액을 사용한 경우(실시예 3)가 도핑하지 않은 BFE를 사용한 경우(비교예 3)보다 밝기효율이 향상되었을 뿐아니라, 반감수명이 100%이상 향상되었다. 이는 도 1을 통해서도 확인할 수 있는데, 도 1을 참조하면, 실시예 3(10)의 경우는 비교예 3(20)의 경우보다 상대적 밝기(relative brightness)가 100%에서 50%로 감소할 때의 반감수명이 더욱 긴 것을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 정공주입층 및/또는 정공수송층에 전자끌게물질(electron acceptor)을 도핑한다. 상기 전자끌게물질은 피도핑된 층(상기 정공주입층 또는 상기 정공수송층)을 이루는 물질의 전자친화도보다 0.1eV이상 큰 전자친화도를 갖는 물질로써, 피도핑된 층을 이루는 물질과 전기장 하에서 전하이동착화합물(partial charge transfer complex)을 형성하고, 이로써 상기 정공주입층 및/또는 정공수송층에서의 정공의 이동도를 작게 한다. 결과적으로 유기전계발광소자의 유기막에 있어, 정공의 이동도가 전자의 이동도보다 10배 내지 100배 정도 큰 단점을 보완하게 되어 유기전계발광소자의 발광효율향상과 수명개선을 이룰 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치한 화소 영역을 정의하는 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상에 위치한 최소한 발광층과 정공주입층 및/또는 정공수송층을 포함하고 있는 유기막;
    상기 유기막 상에 위치한 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서,
    상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 전자끌게물질(electron acceptor)로 도핑되되, 상기 전자끌게물질의 전자친화도(electron affinity)는 피도핑된 층을 이루는 물질의 전자친화도보다 0.1eV이상 큰 물질인 유기전계발광소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전자끌게물질은
    니트로기(nitro group; NO2), 시아노기(cyano group; CN), 설포닐기(sulfonyl group; SO2), 설폭사이드기(sulfoxide group; SO3), 카르보닐기(carbonyl group; CO), 카르복실기(carboxyl group; CO2), 에스테르기(ester group; COO), 언하이드라이드(anhydride), 이미드(imide), 이민(imine), 할로겐기(halogen group), 불화알킬기, 불화방향족기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 함유하는 방향족계, 올레핀계, 방향족-올레핀 컨쥬게이트계, 방향족-방향족 컨쥬게이트계, 융합방향족계, 헤테로고리화합물계로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질인 유기전계발광소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 전자끌게물질은
    2,4,7-트리니트로플루오렌논(2,4,7-trinitrofluorenone), 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrophenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1.5-dinitronaphthalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 4-디메틸아미노-4'-니트로스틸벤 (4-dimethylamino-4'-nitrostilbene), 1,4-디시아노벤젠 (1,4-dicyanobenzene), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene), 1,2,4,5-테트라시아노벤젠(1,2,4,5-tetracyanobenzene), 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile), 3,4,9,10-페릴렌디카르복실릭 디언하이드라이드(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride), N,N'-비스(2,5-디-t-부틸페닐)-3,4,9,10-페릴렌디카르복시이미드(N,N'-bis(di-t-buytlphenyl)-3,4,9,10-perylenedicarboxyimide)), 테트라클로로프탈릭 언하이드라이드 (tetrachlorophthalic anhydride), (tetrachlorophthalonitrile), 테트라플루오로-1,4-벤조퀴논 (tetrafluoro-1,4-benzoquinone), 나프토퀴논(naphthoquinone), 안트라퀴논(anthraquinone), 펜난트렌퀴논(phenanthrenequinone),1,10-펜난트롤린-5,6-디온 (1,10-phenanthroline-5,6-dione), 페나진 (phenazine), 퀴녹살린 (quinoxaline), 2,3,6,7-테트라클로로퀴녹살린 (2,3,6,7-tetrachloroquinoxaline) 로 이루어진 군에서 선택되는 하나이상의 물질인 유기전계발광소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 전자끌게물질은 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene)인 유기전계발광소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전자끌게물질은 상기 피도핑된 층에 대해 0.01 내지 50중량%로 사용하는 유기전계발광소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 정공주입층과 상기 정공수송층 중에서 상기 정공주입층만이 상기 전자끌게물질로 도핑된 유기전계발광소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 정공주입층 및/또는 상기 정공수송층에 도핑된 상기 전자끌게물질의 농도는 상기 발광층을 향해 감소되는 유기전계발광소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 유기막은 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층 중 하나 이상을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 정공주입층 및/또는 정공수송층은 용액공정, 전면증착, 공증착법 중 어느 하나로 형성되는 유기전계발광소자.
KR10-2003-0041250A 2003-06-24 2003-06-24 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자 KR100527194B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0041250A KR100527194B1 (ko) 2003-06-24 2003-06-24 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자
US10/839,338 US7771843B2 (en) 2003-06-24 2004-05-06 Organic light-emitting device employing doped hole transporting layer and/or hole injecting layer
CN2004100493946A CN1575070B (zh) 2003-06-24 2004-06-09 采用掺杂的空穴迁移层和/或空穴注入层的有机发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0041250A KR100527194B1 (ko) 2003-06-24 2003-06-24 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050000747A true KR20050000747A (ko) 2005-01-06
KR100527194B1 KR100527194B1 (ko) 2005-11-08

Family

ID=33536224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0041250A KR100527194B1 (ko) 2003-06-24 2003-06-24 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7771843B2 (ko)
KR (1) KR100527194B1 (ko)
CN (1) CN1575070B (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100752383B1 (ko) * 2005-12-26 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100898073B1 (ko) * 2006-11-22 2009-05-18 삼성모바일디스플레이주식회사 퀴녹살린 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8883323B2 (en) 2010-11-22 2014-11-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
KR101482362B1 (ko) * 2010-11-22 2015-01-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 소자
KR20160083184A (ko) * 2014-12-30 2016-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치
KR20190030681A (ko) * 2007-09-27 2019-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치, 및 전자기기
KR20190093670A (ko) * 2017-08-30 2019-08-09 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 유기 발광 소자

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060051563A1 (en) * 2004-03-25 2006-03-09 Kenji Okumoto Organic electroluminescence device
FR2878652A1 (fr) * 2004-11-29 2006-06-02 Thomson Licensing Sa Diode organique electroluminescente a couches dopees
KR100637210B1 (ko) * 2005-01-28 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 평판표시 장치
KR101146977B1 (ko) 2005-02-07 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 전도성 유무기 복합체 조성물 및 이를 포함하는 유기 전계발광 소자
US9496499B2 (en) * 2005-02-22 2016-11-15 Commissariat A L'energie Atomique Organic light-emitting diode with doped layers
CN101185176B (zh) * 2005-05-24 2010-04-07 日本先锋公司 有机电致发光元件
US8440324B2 (en) * 2005-12-27 2013-05-14 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions
EP2412699A1 (en) * 2005-12-28 2012-02-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
DE102006005926B4 (de) * 2006-02-06 2011-04-14 Samsung Mobile Display Co. Ltd., Suwon Organische Lumineszenzvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN104393176B (zh) * 2008-10-27 2018-03-16 密歇根大学董事会 倒置有机光敏器件
JPWO2010095621A1 (ja) * 2009-02-18 2012-08-23 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120086319A (ko) 2009-10-19 2012-08-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자적 응용을 위한 트라이아릴아민 화합물
US8648333B2 (en) 2009-10-19 2014-02-11 E I Du Pont De Nemours And Company Triarylamine compounds for use in organic light-emitting diodes
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
US8586206B2 (en) * 2010-06-30 2013-11-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
JP6051864B2 (ja) * 2011-03-14 2016-12-27 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
BR112013027966A2 (pt) * 2011-05-12 2017-01-17 Toray Industries material do dispositivo emissor de luz e dispositivo emissor de luz
CN103781782A (zh) * 2011-09-15 2014-05-07 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物和使用其的有机电致发光元件
US9882143B2 (en) 2012-02-07 2018-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
US9181474B2 (en) * 2012-02-07 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
JP6254107B2 (ja) * 2012-03-15 2017-12-27 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子
KR102124045B1 (ko) * 2014-05-02 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2016076568A (ja) * 2014-10-06 2016-05-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子
JP2016100364A (ja) 2014-11-18 2016-05-30 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102560940B1 (ko) 2015-06-17 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 모노 아민 유도체 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP6600495B2 (ja) 2015-06-17 2019-10-30 三星ディスプレイ株式會社 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
KR102270584B1 (ko) 2016-01-29 2021-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102701648B1 (ko) 2016-12-28 2024-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 표시 장치, 및 조명 장치
WO2018147230A1 (ja) * 2017-02-08 2018-08-16 国立大学法人山形大学 組成物および有機光電子素子ならびにその製造方法
JP2018181970A (ja) * 2017-04-07 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
GB2563448A (en) * 2017-06-16 2018-12-19 Sumitomo Chemical Co Device
JP2019102589A (ja) * 2017-11-30 2019-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置と表示装置の製造方法
US20210020843A1 (en) * 2018-03-16 2021-01-21 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
DE112019003850T5 (de) 2018-07-31 2021-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organische Verbindung, Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
CN109545997B (zh) * 2018-12-11 2021-06-18 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及显示装置
US20220310920A1 (en) * 2020-09-28 2022-09-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic Light Emitting Device and Display Apparatus
CN113054124A (zh) * 2021-02-20 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件、显示装置、制作方法以及存储介质

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) * 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) * 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4720432A (en) * 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5256506A (en) * 1990-10-04 1993-10-26 Graphics Technology International Inc. Ablation-transfer imaging/recording
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5093698A (en) * 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
US5220348A (en) * 1991-08-23 1993-06-15 Eastman Kodak Company Electronic drive circuit for multi-laser thermal printer
GB9215929D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5278023A (en) * 1992-11-16 1994-01-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Propellant-containing thermal transfer donor elements
US5308737A (en) * 1993-03-18 1994-05-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser propulsion transfer using black metal coated substrates
JP3332491B2 (ja) * 1993-08-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子
US5998085A (en) * 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
US6285039B1 (en) * 1996-08-19 2001-09-04 Tdk Corporation Organic electroluminescent device
KR100441512B1 (ko) 1996-10-07 2004-10-08 삼성에스디아이 주식회사 전기발광표시소자용발색화합물
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR100195175B1 (ko) 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
US5869929A (en) 1997-02-04 1999-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multicolor luminescent device
US6358633B1 (en) * 1997-05-15 2002-03-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescence element
KR100255672B1 (ko) * 1997-06-09 2000-05-01 손욱 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JPH11251067A (ja) * 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2000150169A (ja) * 1998-09-10 2000-05-30 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
KR20010050711A (ko) * 1999-09-29 2001-06-15 준지 키도 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법
US6639357B1 (en) 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
SG115435A1 (en) 2000-12-28 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP2004063363A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子
KR100560785B1 (ko) * 2003-02-03 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자
JPWO2004091262A1 (ja) * 2003-04-02 2006-07-06 富士写真フイルム株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100752383B1 (ko) * 2005-12-26 2007-08-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100898073B1 (ko) * 2006-11-22 2009-05-18 삼성모바일디스플레이주식회사 퀴녹살린 고리 함유 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190030681A (ko) * 2007-09-27 2019-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치, 및 전자기기
KR20210106976A (ko) * 2007-09-27 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치, 및 전자기기
US11189812B2 (en) 2007-09-27 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
KR20220027103A (ko) * 2007-09-27 2022-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치, 및 전자기기
KR20230021064A (ko) * 2007-09-27 2023-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치, 및 전자기기
US8883323B2 (en) 2010-11-22 2014-11-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
KR101482362B1 (ko) * 2010-11-22 2015-01-13 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 소자
KR20160083184A (ko) * 2014-12-30 2016-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치
KR20190093670A (ko) * 2017-08-30 2019-08-09 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 유기 발광 소자
US11462689B2 (en) 2017-08-30 2022-10-04 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
US7771843B2 (en) 2010-08-10
US20040265630A1 (en) 2004-12-30
CN1575070B (zh) 2012-05-02
KR100527194B1 (ko) 2005-11-08
CN1575070A (zh) 2005-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100527194B1 (ko) 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자
JP3614405B2 (ja) ｐ−型半導体性質を有する有機化合物を含む電子素子
KR100560785B1 (ko) 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자
US7968214B2 (en) White organic light emitting device
US6603150B2 (en) Organic light-emitting diode having an interface layer between the hole-transporting layer and the light-emitting layer
KR101069520B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
US6475648B1 (en) Organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
US6900588B2 (en) Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
US7811680B2 (en) Organic EL device and method of manufacturing the same
US20030230980A1 (en) Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
KR101457576B1 (ko) 안정한 백색 발광 οｌｅｄ 디바이스
US20060188745A1 (en) Tandem OLED having an organic intermediate connector
WO2006019270A1 (en) Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same
CN1902769A (zh) 在有机电致发光器件中采用结晶抑制剂
JP3781750B2 (ja) ３極性有機電界発光素子
US20110043102A1 (en) Organic luminescent device and a production method for the same
TWI447982B (zh) 有機發光裝置
KR100786292B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
Kao et al. Improved efficiency of organic light-emitting diodes using CoPc buffer layer
US7121912B2 (en) Method of improving stability in OLED devices
US8491820B2 (en) Process for growing an electron injection layer to improve the efficiency of organic light emitting diodes
KR20050063659A (ko) 백색 유기발광소자
TWI406441B (zh) 白光有機發光二極體構造
JP2024538298A (ja) 面光源から出射される平面型発光トランジスタ及びその製造方法並びに応用
KR20100065737A (ko) 유기발광다이오드 표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141030

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171101

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 14