KR100255672B1 - 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자 - Google Patents

광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자에 관한 것이다. 상기 광도전성 조성물은 전자주게물질(electron donor), 전자받게물질(electron acceptor), 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하고 있는데, 상기 전자주게물질로서 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 유도체를 사용한 데 그 특징이 있다. 본 발명에 따른 광도전성 조성물은 감도가 우수하고 열분해성이 우수하기 때문에 소성후 잔류물이 거의 없어서 잔류물로 인한 음극선관의 휘도 저하 또는 플라즈마 표시장치의 화상 품질 저하를 효과적으로 억제할 수 있다.

Description

광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자
본 발명은 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자에 관한 것으로서, 상세하기로는 전자사진적인 방법에 따라 광도전막을 형성할 때 사용되는 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자에 관한 것이다.
칼라 음극선관의 형광막은 슬러리 코팅방법이나 전자사진방법에 의하여 제조될 수 있다.
슬러리 코팅방법에 의한 형광막의 형성방법을 살펴보면, 패널을 세척한 다음, 삼원색, 즉 적색, 녹색 및 청색 발광 형광체 슬러리를 패널에 각각 도포한다. 각 형광체 슬러리는 주성분인 폴리비닐알콜, 적색, 녹색 및 청색 발광 형광체중의 하나, 중크롬산암모늄 등으로 이루어져 있다. 섀도우마스크를 통하여 상기 패널의 소정부위만을 노광처리한 다음, 현상함으로써 스트라이프상 또는 도트상의 형광막을 형성한다.
상기 슬러리방법에 따라 형광막을 형성하면 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 노광 및 현상 공정을 거친 후에도 비노광부위에 형광체가 잔류하여 이후 도포되는 형광체와 혼합되는 문제점이 있다.
둘째, 형광체 슬러리중에 함유되어 있는 폴리비닐알콜의 하이드록시기와 중크롬산 암모늄염 등의 반응에 의하여 색을 띠는 물질이 생성되어 색순도가 저하되는 문제점이 있다.
칼라 음극선관의 형광막을 제조하는 다른 방법으로서, 전자사진적인 방법이 알려져 있다. 이 방법은 상술한 슬러리 방법에 비하여 공정이 단순할 뿐만 아니라 보다 휘도 특성이 우수한 칼라 음극선관을 형성할 수 있는 방법이다.
전자사진적인 방법에 따른 형광막의 제조방법을 살펴보면, 먼저 깨끗하게 세정된 음극선관 패널상에 도전막을 형성한다. 그리고 나서, 상기 도전막 상부에 광도전막을 형성한다.
이어서, 코로나 대전기를 이용하여 광도전막을 대전시키고, 그 소정부위를 섀도우마스크를 통하여 노광한다. 노광부의 전하를 중화시키고 노광부에 적색, 녹색 및 청색 형광체중 선택된 하나의 형광체를 분말상태로 부착시킨 다음, 이들을 패널 내면에 고착시킨다. 그리고 나서, 상기 과정을 반복하여 나머지 형광체를 각각 음극선관 패널 내면에 고착시킴으로써 형광막 패턴을 완성시킨다.
한편, 플라즈마 디스플레이 장치는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하여 CRT를 대체할 수 있는 표시소자로서 각광을 받고 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 장치는 전극에 인가하는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 발생하고, 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다.
플라즈마 디스플레이 장치는 방전 메카니즘에 의하여 교류형(AC형)과 직류형(DC형)으로 양분할 수 있다. 도 1은 종래의 교류형 플라즈마 디스플레이 장치의 구조에 대한 개략적인 분해 사시도이다.
이를 참조하면, 전면기판 (11)과 배면기판 (12)사이에 투명한 디스플레 전극인 제1전극 (13a), 어드레스 전극인 제2전극 (13b)이 형성되어 있다. 여기에서 제1전극 (13a)과 제2전극 (13b)은 전면기판 (11) 및 배면기판(12)의 내표면에 각각 스트라이프 형상으로 형성되며, 서로 상호직각으로 교차하고 있다.
제1전극 (13a)이 형성된 전면기판 (11)상부에는 유전막 (14)과 보호막 (15)이 차례로 형성되어 있으며, 제2전극 (13b)이 형성된 배면기판 (12) 상부에는 유전막 (14')이 형성되어 있으며, 이 유전막 (14')의 상부 표면에는 격벽 (17)이 형성되어 있다. 그리고 이 격벽 (17)에 의하여 셀 (19)이 형성되며, 이 셀(19)내에는 아르곤과 같은 불활성 가스가 충전되어 있다. 그리고 각각의 격벽 (17)의 내측의 소정영역에는 형광체 (18)가 도포되어 있다.
상술한 바와 같은 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, 격벽 (17)은 블래이드 코터기(blade coater)를 이용하여 페이스트 상태의 격벽 재료를 배면기판의 유전막 상부에 반복적으로 도포하는 인쇄법에 의하여 형성된다. 그런데, 이러한 인쇄법에 따르면, 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 블래이드 코터기에 의한 인쇄작업은 소정 두께의 격벽 높이가 얻어질 때까지 수회 반복적으로 이루어져야 한다. 그러므로 격벽 제조 작업에 많은 시간이 소요되어 생산성의 저하를 초래한다.
둘째, 블래이드 코터기를 이용하여 페이스트 상태의 격벽 재료를 배면기판의 유전막 상부에 도포 및 가압할 때 기판에 부착된 메쉬(mesh)가 블래이드 코터기의 가압력에 의하여 변형된다는 점이다. 메쉬는 격벽의 패턴을 유지하는 기능을 가지므로 메쉬가 변형될 경우 격벽이 설계상의 패턴대로 제작될 수 없다. 즉, 최종 완성된 격벽의 형태가 왜곡될 수 있으며, 이것은 화상의 품질 저하로 이어진다.
플라즈마 디스플레이 장치의 격벽을 형성하는 다른 방법으로서, 전자사진적인 방법이 있다.
전자사진적인 방법에 따른 격벽의 형성방법을 살펴보면, 어드레스 전극이 형성된 배면기판 상부에 유전막을 형성한다. 이어서, 상기 유전층 상부에 도전막과 광도전막을 순차적으로 형성한다. 이렇게 형성된 광도전막의 표면을 대전시킨 다음, 광도전막의 소정영역에 정전 잠상(electrostatic image)을 형성할 수 있도록 자외선을 이용하여 소정 패턴으로 노광시킨다.
상기 광도전막의 정전 잠상에 격벽 형성용 재료를 부착시킴으로써 광도전막을 현상한다. 정전 잠상에 부착된 토너 조성물을 건조시키고, 정전 잠상이외의 영역에 잔류하는 토너 조성물을 제거한다.
광도전막을 대전하는 단계로부터 광도전막에 잔류하는 토너 조성물을 제거하는 단계를 반복적으로 실시한 다음, 격벽이 형성된 배면기판을 소성함으로써 격벽을 완성한다.
광도전막을 구성하는 조성분인 광도전체는 크게 무기 광도전체와 유기 광도전체로 나눌 수 있다.
무기 광도전체는 일반적으로 감도, 열안정성, 내습성 및 내구성이 불량하고 독성이 있다. 또한 소성후 많은 양의 잔류물을 남긴다.
상술한 문제점을 극복하기 위하여 유기 광도전체에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 유기 광도전체는 경량성과 투명성이 우수하고 특히 소성이 용이하다는 장점을 가지고 있다. 따라서 이러한 유기 광도전체는 전자사진적인 방법에 따라 음극선관의 형광막이나 플라즈마 디스플레이 장치의 격벽을 형성하는 경우 많이 이용되고 있다.
그러나 대전전위가 낮고 전하 발생능력 및 전하수송능력이 부족하며, 이외에 소성후 약간의 잔류물이 존재하여 휘도 등의 화상 품질이 저하된다는 문제점을 가지고 있다. 문제점을 가지고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여 감도가 우수하고 열분해성이 우수한 유기 광도전체를 포함하고 있는 광도전성 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 조성물로부터 형성된 광도전막을 채용함으로써 화상 품질이 개선된 표시소자를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 장치의 개략적인 분해사시도이고,
도 2a-e는 본 발명의 광도전성 조성물을 사용하는 일실시예로서, 전자사진적인 방법에 따라 플라즈마 디스플레이 장치의 격벽을 제조하는 과정을 나타낸 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
14, 23... 유전층 15... 보호층
17, 34... 격벽 19... 셀
27... 마스크 30... 자외선
31... 정전 잠상(electrostatic image)
본 발명의 첫번째 과제는 전자주게물질(electron donor), 전자받게물질(electron acceptor), 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하는 광도전성 조성물에 있어서, 상기 전자주게물질이 화학식 1의 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 유도체인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물을 제공함으로써 이루어진다.
Figure kpo00000
상기식중, X1, X2, X3, X4, X5, Y1, Y2, Y3, Y4및 Y5는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 페닐기, 니트로(NO2)기, NR2기, OR 및 SiR3로 이루어진 군으로부터 선택되고, R은 수소, 알킬 및 페닐기중에서 선택된다.
본 발명의 두번째 과제는 상기 광도전성 조성물로부터 형성된 광도전막을 채용하고 있는 것을 특징으로 하는 표시소자에 의하여 이루어진다. 이러한 본 발명의 바람직한 일 면으로서, 본 발명의 광도전성 조성물로부터 형성된 광도전막을 채용하고 있는 음극선관 및 플라즈마 디스플레이 장치를 들 수 있다.
즉, 본 발명의 두번째 과제는 도전막, 광도전막 및 형광막이 순차적으로 형성된 페이스 플레이트 및 상기 플레이트와 연결되어 있고 전자총과 편향요오크가 구비되어 있는 펀넬로 구성된 음극선관용 벌브에 있어서, 상기 광도전막이 화학식 1의 전자주게(electron donor)물질, 전자받게(electron acceptor)물질, 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브에 의하여 이루어진다.
<화학식 1>
Figure kpo00001
상기식중, X1, X2, X3, X4, X5, Y1, Y2, Y3, Y4및 Y5는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 페닐기, 니트로(NO2)기, NR2기, OR기 및 SiR3기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R은 수소, 알킬 및 페닐기중에서 선택된다.
본 발명의 두번째 과제는 또한, 스트라이프 형태의 어드레스 전극, 유전막, 도전막, 광도전막 및 격벽이 순차적으로 적층된 기판 부재를 구비하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서,
상기 광도전막이 화학식 1의 전자주게(electron donor)물질, 전자받게(electron acceptor)물질, 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치에 의하여 이루어진다.
<화학식 1>
Figure kpo00002
상기식중, X1, X2, X3, X4, X5, Y1, Y2, Y3, Y4및 Y5는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 페닐기, 니트로(NO2)기, NR2기, OR기 및 SiR3기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R은 수소, 알킬 및 페닐기중에서 선택된다.
본 발명에 따른 광도전성 조성물을 구성하는 각 성분 및 그 함량에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 전자주게물질로는 상술한 바와 같이 화학식 1의 구조를 갖는 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne: DPBEY) 유도체를 사용한다. 여기에서 이 화합물은 시스(cis)형, 트란스(trans)형 또는 시스형과 트란스형의 혼합물의 형태로 존재하는데, 특별히 제한되지 않는다.
상기 전자주게물질의 함량은 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%이다. 만약 전자주게물질이 5중량%를 초과하면, 전하발생량이 과다하여 전자받게물질과의 결합으로 전하이동착체를 형성치 못한 전하가 표면전위에 영향을 미쳐 잔류전위가 커지고, 0.5중량% 미만이면 전하발생량이 너무 적기 때문에 전자받게물질과의 전하이동착체 형성이 원활하지 못하게 되므로 바람직하지 못하다.
상기 전자받게물질은 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrodiphenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1,5-dinitronaphtalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene) 및 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile)로 이루어진 군으로부터 선택된다. 그리고 적절한 함량은 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.05 내지 0.5중량%인 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 범위내에서 전자받게물질이 전자주게물질과 최적의 전하이동착체를 형성하기 때문이다.
본 발명의 전하이동물질은 특별히 제한되지 않으나, 그 중에서도 트리페닐아민(triphenylamine) 유도체를 사용하는 것이 바람직하다. 여기에서 전하이동물질의 함량은 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%가 바람직한데, 이 범위일 때 전하이동도가 가장 우수하기 때문이다.
본 발명의 결합제로는 폴리부타디엔(polybutadiene), 폴리스티렌(polystyrene), 스티렌-부타디엔 공중합체(styrene-butadiene copolymer: SBR), 폴리메틸메타크릴레이트(polmethylmethacrylate: PMMA), 폴리알파메틸스티렌(poly-α-methylstyrene), 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(styrene-methylmethacrylate copolymer), 폴리카보네이트(polycarbonate) 및 그 유도체를 사용한다. 그 중에서도 폴리부타디엔을 필수구성성분으로 하고, 여기에 폴리스티렌(polystyrene), 스티렌-부타디엔 공중합체(styrene-butadiene copolymer: SBR), 폴리메틸메타크릴레이트(polmethylmethacrylate: PMMA), 폴리알파메틸스티렌(poly-α-methylstyrene), 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체(styrene-methylmethacrylate copolymer), 폴리카보네이트(polycarbonate) 및 그 유도체중에서 선택된 하나가 첨가되어 있는 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는 결합제로서 상술한 바와 같은 혼합물을 사용하면 소성후 결합제로에서 비롯된 잔류물이 거의 없기 때문이다. 여기에서 결합제의 적절한 함량은 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 5 내지 15중량%이다.
광도전성 조성물을 음극선관 패널상에 도포하는 경우, 광도전성 조성물의 표면장력을 감소시키기 위하여 소량의 계면활성제를 첨가하는 것이 바람직하다. 여기에는 실리콘 실라 100(Silicon silar 100, 제네랄 일렉토닉(General Electonics)사), 플루로닉 P-84(pluronic P-84, BASF사) 등을 사용한다. 그리고 계면활성제의 함량은 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.001 내지 0.01중량%인 것이 바람직한데, 그 이유는 이 범위일 때 광도전성 조성물의 표면장력이 최소화되기 때문이다.
광도전성 조성물에 사용되는 용매는 특별히 제한되지는 않으나, 클로로포름, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 톨루엔, 크실렌 등을 사용한다. 그리고 용매의 함량은 광도전성 조성물의 총중량에서 상기 전자주게물질, 전자받게물질, 전하이동물질, 결합제 및 계면활성제의 총중량을 제외한 나머지 중량이다.
이하, 본 발명의 광도전성 조성물을 사용하는 한 예로서, 전자사진적인 방법에 따라 음극선관의 형광막을 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
음극선관 패널 내면을 깨끗하게 세정한 다음, 도전성 조성물을 코팅하여 도전막을 형성한다. 이 도전막은 후속으로 코팅되는 광도전막에서 발생된 전기를 흘려보내는 역할을 하는 막으로서 산화주석, 산화인듐, 산화인듐주석 등의 무기 도전체 또는 4가 암모늄염인 유기 도전체를 사용할 수 있다. 그 중에서도 소성공정시의 열분해성을 고려하여 도전성 조성물로서 유기 도전체를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 도전막 상부에 화학식 1의 전자주게물질 0.5 내지 5중량%, 전자받게물질 0.05 내지 0.5중량%, 전하이동물질 0.5 내지 5중량%, 결합제 5 내지 15중량%, 계면활성제 0.001 내지 0.01중량% 그리고 그 나머지 함량의 용매를 포함하는 광도전성 조성물을 코팅 및 건조하여 광도전막을 형성한다. 여기에서 광도전막의 코팅두께는 2 내지 6㎛가 적당하며, 소성후 잔류물 제거시 알루미늄막이 부푸는 현상을 억제하기 위하여 광도전막의 두께를 6㎛ 이상으로 초과하지 않도록 형성한다.
코로나 대전기를 사용하여 상기 광도전막을 대전시키고 그 소정부위를 섀도우마스크를 통하여 소정부위를 노광한다. 이와 같은 과정으로 노광부의 전하를 중화시킨 다음, 노광부위와 비노광부위간의 전위차를 이용하여 노광부위에 제1색의 형광체 조성물을 분말 상태로 부착시킨다. 그 후, 휘발성이 강한 아세톤이나 알콜 등의 유기용매를 사용하여 제1색 형광체를 음극선관 패널에 반고착시킨다.
제1색 형광체 조성물 대신, 제2색 및 제3색 형광체 조성물을 각각 사용하고, 광도전막의 대전과정부터 형광체의 고착과정까지 다시 반복하여 음극선관 패널의 비노광부위에 제2색 및 제3색 형광체 조성물을 각각 부착시켰다. 그 후, 휘발성이 강한 아세톤이나 알콜을 사용하여 형광체를 음극선관 패널에 반고착시킨다.
마지막으로 제1색, 제2색 및 제3색 형광체가 반고착된 음극선관 패널을 적외선 히터를 이용하여 융착시킴으로써 형광막을 완성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 광도전성 조성물을 사용하는 다른 일실시예로서, 전자사진적인 방법에 따라 플라즈마 표시 장치의 격벽을 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 통상적인 방법에 따라 배면기판 (21)에 어드레스 전극 (22)을 형성한다. 즉, 포토리소그래피방법을 이용하여 배면기판의 내측 표면에 ITO 전극을 형성한다.
이후, 어드레스 전극 (22)이 형성된 배면기판 (21) 상부에 유전막 형성용 재료를 도포 및 건조하여 유전막 (23)을 형성한다. 여기에서 유전막 (23)을 형성하는 방법은 통상적인 스핀코팅방법이나 인쇄방법을 이용한다. 유전막 형성용 재료는 종래 기술에서 사용하던 것과 동일한 재료를 이용한다.
어드레스 전극 (22)과 유전막 (23)이 순차적으로 형성된 배면 기판 (21) 상부에 도전성 조성물을 도포 및 건조하여 도전막 (24)을 형성한다. 여기에서 도전막 형성용 조성물은 상술한 음극선관의 형광막 형성시와 동일한 것을 사용한다.
상기 도전막 (24) 상부에 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 화학식 1의 전자주게물질 0.5 내지 5중량%, 전자받게물질 0.05 내지 0.5중량%, 전하이동물질 0.5 내지 5중량%, 결합제 5 내지 15중량%, 계면활성제 0.001 내지 0.01중량% 그리고 그 나머지 함량의 용매를 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 광도전막 (25)을 형성한다(도 2a). 상기 조성물에는 결합제를 더 포함하기도 한다. 이 때 결합제의 함량은 광도전성 조성물의 총중량에 대하여 0.1 내지 15중량%이다.
이어서, 상기 광도전막 (25)의 표면을 대전시킨다. 여기에서 광도전막의 표면은 텅스텐 와이어 또는 스코로트론(scoroton) (20)을 이용하여 플러스 전기로 대전된다. 이 때 도전막 (24)은 접지 상태를 유지한다(도 2b).
광도전막 (25)의 표면으로부터 소정간격만큼 이격된 위치에 노광용 마스크 (27)를 설치한 다음, 이 마스크 (27)을 이용하여 광도전막 (25)의 소정영역에 자외선 (30)을 조사한다. 상기 마스크 (27)은 글래스 (28)의 표면에 크롬 재료로 소정패턴 (29)을 형성함으로써 제작된다. 크롬 패턴 (29)은 이후에 형성될 격벽의 패턴과 일치하는 것으로서, 노광용 자외선 광을 차단하는 작용을 한다. 크롬 패턴 (29)에 의하여 자외선이 차단되지 않은 광도전막의 표면 부분에 플러스 전하가 배제되어 소정 패턴의 정전 잠상 (31)이 형성된다(도 2c).
액체상의 토너 조성물을 이용하여 정전 잠상이 형성된 광도전막 (25)의 표면을 현상한다. 이러한 현상 과정에서는 기판 (21)의 광도전막 (25)을 향해 하부전극 (32)이 상승됨으로써 광도전막 (25)과 하부전극 (32)사이에 형성된 갭에 토너 조성물이 충만되는 상태가 되고, 이 상태에서 광도전막 (25)의 정전 잠상(31)에 격벽 형성용 조성물 즉, 토너 조성물이 부착된다(도 2d). 이 때 토너 조성물은 플러스 전기로 대전되어 있다.
상기 토너 조성물은 프리트(frit), 결합제 및 용매로 이루어진다. 여기에서 상기 프리트는 산화티탄, 산화지르코늄, 알루미나, 산화납 산화붕소 및 산화규소중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 산화물로서, 2회 이상의 반복적인 현상시마다 프리트의 조성을 상이하게 선택되는 것이 바람직하다. 여기에서 프리트 조성을 상이하게 하는 것은 완성된 격벽이 열팽창에 의해 변형될 때 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위해서이다.
상술한 바와 같이 광도전막 (25)을 현상한 후, 광도전막 (25)의 정전 잠상 (31)에 부착된 토너 조성물을 건조함으로써 정착시키고, 정전 잠상이외의 영역에 분산된 토너 조성물을 진공에 의하여 흡입하여 제거시킨다.
상술한 광도전막의 대전 단계로부터 광도전막에 잔류하는 토너 조성물을 제거하는 단계를 2회 이상 반복하며, 바람직하기로는 3회에 걸쳐 반복된다.
두번째 및 세번째 광도전막의 표면을 대전시키는 과정에서, 첫번째 현상단계에서 형성된 격벽을 갖고 있는 광도전막 표면을 소정크기의 전위로 대전시킨다. 이 때 대전전위의 크기는 격벽의 상부 표면이 가장 높고, 다음에 격벽의 측면이 높으면, 격벽이 형성되지 않은 광도전막의 표면전위가 가장 낮게 형성된다.
한편, 두번째 및 세번째 노광단계는 첫 번째 노광단계와 마찬가지로 마스크를 이용하여 수행될 수도 있고 마스크 없이도 수행될 수 있다.
광도전막의 대전단계로부터 광도전막에 잔류하는 토너 조성물을 제거하는 단계를 반복적으로 실시한 후, 상기 배면기판 (21)을 소성함으로써 격벽 (34)이 형성된다(도 2e). 소성은 500 내지 600℃에서 20 내지 40분동안, 보다 바람직하기로는 550℃에서 30분동안 가열함으로써 이루어진다. 이 소성과정에서 격벽 형성용 조성물에 포함된 결합제, 유전층 표면에 형성된 도전막 및 광도전막이 제거되며, 소성과정에서 가해진 열에 의하여 격벽의 프리트 성분이 일부 연화됨으로써 상기 유전막에 안정적으로 고착될 수 있다. 소성이 종료된 이후에는 격벽을 안정화시킬 목적으로 가열이 이루어진다.
상술한 플라즈마 표시 장치의 제조방법에 있어서, 광도전막의 표면을 플러스 전기로 대전시키고, 격벽이 형성될 위치에 해당되는 부분에 크롬 패턴을 가지는 마스크를 사용하는 방법을 사용하였으나, 그 반대의 경우도 가능하다. 즉, 광도전막의 표면을 마이너스 전기로 대전시키고, 격벽이 형성되지 않을 위치에 크롬 패턴을 가지는 마스크를 이용하여 노광과정을 수행하면 동일한 결과를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
음극선관 패널 내면을 세정한 다음, 도전막을 도포하였다. 이 도전막 상부에 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 25g, 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline) 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 약 4㎛ 두께의 광도전막을 형성하였다.
코로나 대전기를 이용하여 상기 광도전막을 대전시켰는데, 이 때 400 내지 600V의 표면전위를 얻을 수 있었다.
섀도우 마스크를 이용하여 상기 광도전막의 소정부위를 노광하였다. 그 노광부의 전하를 중화시킨 다음, 비노광부에 녹색 형광체 조성물을 부착시켰다. 아세톤을 사용하여 상기 녹색 형광체를 반고착화시켰다.
이어서, 코로나 대전기를 사용하여 광도전막을 다시 대전시켰다. 그리고 나서, 섀도우마스크를 이용하여 상기 광도전막의 소정부위를 노광하였다. 그 노광부의 전하를 중화시킨 다음, 비노광부에 청색 형광체 조성물을 부착시켰다. 아세톤을 사용하여 상기 청색 형광체를 반고착화시켰다.
청색 형광체 조성물 대신, 적색 형광체 조성물을 사용한 것을 제외하고는 상기 청색 형광체 조성물의 경우와 마찬가지로 상기 코로나 대전기를 이용한 광도전막의 대전과정부터 반복하여 광도전막의 비노광부에 적색 형광체 조성물을 분말형태로 부착시켰다. 아세톤을 사용하여 상기 적색 형광체를 반고착화시켰다.
상기 녹색, 청색 및 적색 형광체가 반고착화된 음극선관 패널을 적외선 히터를 사용하여 융착시킴으로써 형광막을 완성하였다.
<실시예 2>
1-페닐-4-파라-아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 3>
1-페닐-4-아닐리노페닐-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-aminophenyl-1-butebe-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 30g, 폴리스티렌 250g, 플루로닉 P-84 0.1g 및 톨루엔/1,2-디클로로에탄 (2:1 부피비) 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 4>
1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-buten-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile) 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 5>
1-페닐-4-파라아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 6>
1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 25g, 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline) 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 7>
1-페닐-4-파라-아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 8>
1-페닐-4-아닐리노페닐-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-aminophenyl-1-butebe-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 30g, 폴리스티렌과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 250g, 플루로닉 P-84 0.1g 및 톨루엔/1,2-디클로로에탄 (2:1 부피비) 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 9>
1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-buten-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile) 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 10>
1-페닐-4-파라아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체와 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 혼합물) 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 11>
ITO 전극이 형성된 기판 상부에 유전층 및 도전막을 순차적으로 형성하였다. 이후, 상기 도전막 상부에 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 25g, 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline) 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 도포하여 약 4㎛ 두께의 광도전막을 형성하였다.
상기 광도전막의 표면을 텅스텐 와이어를 이용하여 플러스 전기로 대전시켰다. 이 때 도전막은 접지 상태를 유지시켰다. 상기 광도전막의 표면으로부터 소정간격만큼 이격된 위치에 마스크를 설치하고, 이 마스크를 이용하여 광도전막의 소정영역에 자외선을 조사하였다. 광도전막의 노광부에는 플러스 전기가 배제되어 정전 잠상이 형성되었다.
이어서, 격벽 형성용 조성물인 제1토너 조성물을 이용하여 광도전막의 표면을 현상하였다. 즉, 제1 토너 조성물은 플러스 전기로 대전시킨 다음, 이러한 격벽 형성용 조성물인 제1 토너 조성물을 광도전막의 정전 잠상에 부착시켰다.
상기 제1토너 조성물은 산화납(PbO), 산화망간(MnO) 및 산화아연(ZnO)을 3:4:3의 중량비로 혼합하여 프리트를 얻은 다음, 이 프리트와, 폴리메타크릴산을 3:7 중량비로 혼합하고 이 혼합물 1g에 이소파라핀 20g을 혼합하여 제조하였다.
이후, 광도전막에 잔류하는 제1토너 조성물을 진공으로 흡입하여 제거하고 광도전막의 정전 잠상에 부착된 제1토너 조성물을 건조시킴으로써 광도전막에 제1토너 조성물을 정착시켰다.
상기 광도전막을 대전시키는 단계로부터 광도전막에 잔류하는 토너 조성물 즉, 제2토너 조성물 및 제3토너 조성물을 진공으로 흡입하여 제거하는 단계를 순차적으로 실시하였다.
상기 제2토너 조성물은 산화납(PbO), 산화구리(MnCu), 산화망간(MnO) 및 산화크롬(CrO)의 혼합물(30:25:30:15 중량비)과. 폴리메타크릴산을 3:7 중량비로 혼합하고 이 혼합물 1g에 이소파라핀 20g을 혼합하여 제조하였다. 그리고 상기 제3토너 조성물은 산화납(PbO), 삼산화이붕소(B2O3) 및 산화알루미늄(Al2O3)의 혼합물(35:25:40 중량비)과, 폴리메타크릴산을 3:7 중량비로 혼합하고 이 혼합물 1g에 이소파라핀 20g을 혼합하여 제조하였다.
이후, 상기 결과물을 약 550℃에서 30분동안 소성시킴으로써 격벽을 완성하였다.
<실시예 12>
1-페닐-4-파라-아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 13>
1-페닐-4-아닐리노페닐-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-aminophenyl-1-butebe-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 30g, 폴리스티렌 250g, 플루로닉 P-84 0.1g 및 톨루엔/1,2-디클로로에탄 (2:1 부피비) 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 14>
1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-buten-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile) 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 15>
1-페닐-4-파라아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 16>
1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 25g, 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline) 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 17>
1-페닐-4-파라-아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 25g, 폴리스티렌과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 250g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 18>
1-페닐-4-아닐리노페닐-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-aminophenyl-1-butebe-3-yne) 27g, 2,4-디니트로아닐린 2.5g, 트리페닐아민 30g, 폴리스티렌과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 250g, 플루로닉 P-84 0.1g 및 톨루엔/1,2-디클로로에탄 (2:1 부피비) 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 19>
1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-buten-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile) 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체과 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 중량비) 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<실시예 20>
1-페닐-4-파라아니실-1-부텐-3-인(1-phenyl-4-para-anisyl-1-butene-3-yne) 25g, 5-니트로안트라닐로니트릴 3g, 트리페닐아민 25g, 스티렌-부타디엔 공중합체와 폴리부타디엔의 혼합물(1:1 혼합물) 260g, 실리콘 실라 100 0.1g 및 톨루엔 2595g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법으로 실시하였다.
<비교예 1>
음극선관 패널 내면을 깨끗하게 세정한 다음, 도전막을 형성하였다. 이 도전막 상부에 폴리스티렌 300g, 테트라페닐부타트리엔(tetraphenylbutatriene) 50g, 2,4,7-트리니트로-9-플루레논 2.5g, 실리콘 실라 100 0.15g 및 톨루엔 2648g을 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 약 4㎛ 두께의 광도전막을 형성하였다.
코로나 대전기를 이용하여 상기 광도전막을 대전시키고 그 소정부위를 섀도우 마스크를 통하여 노광시켰다. 노광부위와 비노광부위의 전위차를 이용하여 노광부위에 녹색의 형광체 조성물을 분말 형태로 부착시켰다. 이어서, 아세톤을 사용하여 상기 형광체 조성물을 음극선관 패널에 반고착시켰다.
이후, 녹색의 형광체 조성물대신에 청색과 적색의 형광체 조성물을 각각 사용하여 상기 과정을 반복하여 청색 및 적색 형광체 조성물을 음극선관 패널에 반고착시켰다. 이어서, 상기 결과물을 적외선 히터를 사용하여 융착시킴으로써 형광막을 완성하였다.
<비교예 2>
폴리스티렌 300g, 테트라페닐부타트리엔(tetraphenylbutatriene) 50g, 2,4,7-트리니트로-9-플루레논 2.5g, 실리콘 실라 100 0.15g 및 톨루엔 2648g을 포함하는 광도전성 조성물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방법에 따라 실시하였다.
상기 실시예 1-20 및 비교예 1-2에 따른 광도전성 조성물을 음극선관 패널 내면 및 플라즈마 표시 장치의 배면기판 상부에 코팅하여 소성시켰을 때, 잔류물의 남는 정도와 대전과 노광을 반복하였을 때의 잔류전위를 비교하였다.
그 결과, 비교예 1-2의 경우에는 소성후 육안으로 관찰할 수 있을 정도로 잔류뮬이 많이 남았다. 이에 반하여, 실시예 1-20의 경우에는 잔류물이 거의 남지 않았으며, 대전과 노광을 반복했을 때의 잔류전위도 30V 이하였다.
특히, 결합제로서 폴리부타디엔과 폴리스티렌의 혼합물을 사용하는 경우(실시예 6-8 및 16-18) 또는 폴리부타디엔과 스티렌-부타디엔의 공중합체의 혼합물을 사용하는 경우(실시예 9-10 및 19-20)에는, 소성후 결합제로부터 비롯된 잔류물이 거의 없음을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따르면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 본 발명의 전자주게물질인 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 유도체는 감도가 우수하고 열분해성이 우수하기 때문에 소성후 잔류물이 거의 없어서 잔류물로 인한 음극선관의 휘도 저하 및 플라즈마 표시장치의 화상 품질 저하를 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 폴리부타디엔을 필수구성성분으로 포함하고 있는 결합제를 사용하면, 열분해성이 우수하여 소성후 결합제로부터 비롯된 잔류물이 거의 남지 않는다.
둘째, 본 발명에 따른 조성물의 광흡수영역은 자외선이기 때문에 노란등(yellow light)하에서도 작업이 가능하기 때문에 양산적용이 가능하다.
셋째, 일반적인 유기용매를 사용할 수 있으므로 종전에 문제시되었던 유기용매에 의한 공해문제를 해결할 수 있다.
넷째, 본 발명에 따른 조성물을 구성하는 각 성분들은 쉽게 합성되거나 상업적으로 구입하기가 용이하기 때문에 비교적 저렴한 비용으로 조성물을 제조할 수 있다.

Claims (28)

  1. 전자주게물질(electron donor), 전자받게물질(electron acceptor), 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하는 광도전성 조성물에 있어서,
    상기 전자주게물질이 화학식 1의 1,4-디페닐-1-부텐-3-인(1,4-diphenyl-1-butene-3-yne) 유도체인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물:
    <화학식 1>
    Figure kpo00003
    상기식중, X1, X2, X3, X4, X5, Y1, Y2, Y3, Y4및 Y5는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 페닐기, 니트로(NO2)기, NR2기, OR기 및 SiR3기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R은 수소, 알킬 및 페닐기중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자받게물질이 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrodiphenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1,5-dinitronaphtalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene) 및 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 결합제가 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리부타디엔, 폴리카보네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 결합제가 폴리부타디엔을 필수구성성분으로 하고, 여기에 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리카보네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나가 첨가된 혼합물인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전자주게물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전자받게물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.05 내지 0.5중량%인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전하이동물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 결합제가 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 5 내지 15중량%인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 계면활성제가 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.001 내지 0.01중량%인 것을 특징으로 하는 광도전성 조성물.
  10. 도전막, 광도전막 및 형광막이 순차적으로 형성된 페이스 플레이트 및 상기 플레이트와 연결되어 있고 전자총과 편향요오크가 구비되어 있는 펀넬로 구성된 음극선관용 벌브에 있어서,
    상기 광도전막이 화학식 1의 전자주게(electron donor)물질, 전자받게(electron acceptor)물질, 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브:
    <화학식 1>
    Figure kpo00004
    상기식중, X1, X2, X3, X4, X5, Y1, Y2, Y3, Y4및 Y5는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 페닐기, 니트로(NO2)기, NR2기, OR기 및 SiR3기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R은 수소, 알킬 및 페닐기중에서 선택된다.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전자받게물질이 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrodiphenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1,5-dinitronaphtalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene) 및 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  12. 제10항에 있어서, 상기 결합제가 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리부타디엔, 폴리카보네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  13. 제10항에 있어서, 상기 결합제가 폴리부타디엔을 필수구성성분으로 하고, 여기에 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리카보네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나가 첨가된 혼합물인 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  14. 제10항에 있어서, 상기 전자주게물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  15. 제10항에 있어서, 상기 전자받게물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.05 내지 0.5중량%인 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  16. 제10항에 있어서, 상기 전하이동물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  17. 제10항에 있어서, 상기 결합제가 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 5 내지 15중량%인 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  18. 제10항에 있어서, 상기 계면활성제가 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.001 내지 0.01중량%인 것을 특징으로 하는 음극선관용 벌브.
  19. 스트라이프 형태의 어드레스 전극, 유전막, 도전막, 광도전막 및 격벽이 순차적으로 적층된 기판 부재를 구비하는 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서,
    상기 광도전막이 화학식 1의 전자주게(electron donor)물질, 전자받게(electron acceptor)물질, 전하이동물질, 결합제, 계면활성제 및 용매를 포함하는 광도전성 조성물을 도포 및 건조하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치:
    <화학식 1>
    Figure kpo00005
    상기식중, X1, X2, X3, X4, X5, Y1, Y2, Y3, Y4및 Y5는 서로에 관계없이 수소, 알킬기, 페닐기, 니트로(NO2)기, NR2기, OR기 및 SiR3기로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R은 수소, 알킬 및 페닐기중에서 선택된다.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전자받게물질이 4-니트로아닐린(4-nitroaniline), 2,4-디니트로아닐린(2,4-dinitroaniline), 5-니트로안트라닐로니트릴(5-nitroanthranilonitrile), 2,4-디니트로디페닐아민(2,4-dinitrodiphenylamine), 1,5-디니트로나프탈렌(1,5-dinitronaphtalene), 4-니트로비페닐(4-nitrobiphenyl), 9,10-디시아노안트라센(9,10-dicyanoanthracene) 및 3,5-디니트로벤조니트릴(3,5-dinitrobenzonitrile)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 결합제가 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리부타디엔, 폴리카보네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  22. 제19항에 있어서, 상기 결합제가 폴리부타디엔을 필수구성성분으로 하고, 여기에 폴리스티렌, 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리알파메틸스티렌, 스티렌-메틸메타크릴레이트 공중합체, 폴리카보네이트 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나가 첨가된 혼합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  23. 제19항에 있어서, 상기 전자주게물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  24. 제19항에 있어서, 상기 전자받게물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.05 내지 0.5중량%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  25. 제19항에 있어서, 상기 전하이동물질이 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.5 내지 5중량%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  26. 제19항에 있어서, 상기 결합제가 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 5 내지 15중량%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  27. 제19항에 있어서, 상기 계면활성제가 광도전성 조성물의 총중량을 기준으로 하여 0.001 내지 0.01중량%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시 장치.
  28. 제1항 내지 제18항중 어느 한 항에 따른 광도전성 조성물로부터 형성된 광도전막을 채용하고 있는 것을 특징으로 하는 표시소자.
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