JPH0337939A - 受光素子及びその動作方法 - Google Patents
受光素子及びその動作方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子及びその動作方法に係り、特に撮像管
等に代表されるイメージングデバイスや、１次元イメー
ジセンサ、２次元イメージセンサ。
等に代表されるイメージングデバイスや、１次元イメー
ジセンサ、２次元イメージセンサ。
フォトセル等に応用して好適な受光素子及びその動作方
法に関する。
法に関する。
従来、透光性基板、透光性導電膜、光導電膜を具備した
受光素子として、光センサ、−次元イメージセンサ、二
次元イメージセンサ、撮像管等の受光デバイスが一般に
知られている。これらについては例えば、特許第１０２
２６３３号、特公昭５９−２６１５４号特許第９０２１
８９号、特開昭６３−３０４５５１号、等に開示されて
いる。
受光素子として、光センサ、−次元イメージセンサ、二
次元イメージセンサ、撮像管等の受光デバイスが一般に
知られている。これらについては例えば、特許第１０２
２６３３号、特公昭５９−２６１５４号特許第９０２１
８９号、特開昭６３−３０４５５１号、等に開示されて
いる。
又、受光素子を良好な状態で動作させる為に光導電膜の
温度を制御して動作させる方法が提案されている（特開
昭６３−１７４２４５号）。
温度を制御して動作させる方法が提案されている（特開
昭６３−１７４２４５号）。
上記従来技術の受光素子に於いては、光導電膜の温度制
御が全く考慮されていないか、又は制御手段を具備して
いる場合であっても、実際に素子を構成してみると透光
性基板の熱伝導性が不充分な為に光導電膜の精密な温度
制御ができないという課題の存在に本発明者等は気づい
た。
御が全く考慮されていないか、又は制御手段を具備して
いる場合であっても、実際に素子を構成してみると透光
性基板の熱伝導性が不充分な為に光導電膜の精密な温度
制御ができないという課題の存在に本発明者等は気づい
た。
本発明の目的は、光導電膜の温度制御を精密且つ効率良
く行ない得る受光素子を提供する事にある。
く行ない得る受光素子を提供する事にある。
上記目的は、基板の少なくとも一部に熱伝導性材料より
なる層を設ける事により達成される。
なる層を設ける事により達成される。
撮像管を例にとって本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明を適用した撮像管の断面概略図を示す１
例である。
例である。
１１は熱伝導性に優れた透光性の材料からｌる基板、１
２は透光性導電膜、１３は光導電膜、１４は電子ビーム
ランディング層、１５はインジウムリング、工６は金属
製ターゲットリング、１７は電子銃を内蔵した撮像管の
匣体である。
２は透光性導電膜、１３は光導電膜、１４は電子ビーム
ランディング層、１５はインジウムリング、工６は金属
製ターゲットリング、１７は電子銃を内蔵した撮像管の
匣体である。
第１図に於いては基板を全て熱伝導性物質で形成したが
、必ずしもその必要はなく、第２図に示す様に基板の一
部に均一な厚さの熱伝導性に優れたＮ２２を設けた積層
構造としても良い。
、必ずしもその必要はなく、第２図に示す様に基板の一
部に均一な厚さの熱伝導性に優れたＮ２２を設けた積層
構造としても良い。
第２＠ （ａ）は、酸化シリコンを主体とするガラス若
くは石英基板２１の上に熱伝導性に優れた材料からなる
Ｎ２２を形成した二層構造型の基板の概略図である。第
２図（ｂ）は熱伝導性に優れた材料からなるＮ２２の上
にガラス若くは石英からなる１！ｙ２３を形成した場合
である。第２図（ｃ）は同図（ａ）で示した基土にガラ
ス若くは石英からなる層２３を形成した場合である。但
し、いずれの場合も図の上面に透光性導電膜、光導電膜
。
くは石英基板２１の上に熱伝導性に優れた材料からなる
Ｎ２２を形成した二層構造型の基板の概略図である。第
２図（ｂ）は熱伝導性に優れた材料からなるＮ２２の上
にガラス若くは石英からなる１！ｙ２３を形成した場合
である。第２図（ｃ）は同図（ａ）で示した基土にガラ
ス若くは石英からなる層２３を形成した場合である。但
し、いずれの場合も図の上面に透光性導電膜、光導電膜
。
電子ビームランディング層等からなる光電変換部を形成
し、光は下面から入射せしめるものとする。
し、光は下面から入射せしめるものとする。
第２図（ａ）は外気温が光導電膜の制御温度よりも高い
場合等、外部より熱が流入してくる場合に特に有効で、
ガラス層からなる断熱層を設ける事により第１図の場合
よりも温度制御が効率よく行なえる様になる。第２図（
ｂ）は熱伝導性に優れた材料からなるＮ２２の表面を充
分に平滑にする事が困難である場合、若くは上記熱伝導
性に優れた材料からなる層２２と、透光性導電膜乃至は
光導電膜との密着性が良くない場合に特に有効である。
場合等、外部より熱が流入してくる場合に特に有効で、
ガラス層からなる断熱層を設ける事により第１図の場合
よりも温度制御が効率よく行なえる様になる。第２図（
ｂ）は熱伝導性に優れた材料からなるＮ２２の表面を充
分に平滑にする事が困難である場合、若くは上記熱伝導
性に優れた材料からなる層２２と、透光性導電膜乃至は
光導電膜との密着性が良くない場合に特に有効である。
第２図（Ｃ）は同図（ａ）、（ｂ）の利点も合わせもつ
積層構造型基板である。
積層構造型基板である。
上記積層構造型基板は、例えば酸化シリコンを主体とす
るガラス基板２１若くは薄板２３に、熱伝導性に優れた
材料からなるＮ２２を接続剤を用いて貼り合わせても良
く、また蒸着法、スパッタ法、Ｃ，Ｖ、Ｄ、法等のいず
れかの手段により薄膜状に形成しても良い。或は逆に、
熱伝導性に優れた材料からなる薄板２２に、蒸着法、ス
パッタ法、Ｃ，Ｖ、Ｄ法等のいずれか手段により酸化シ
リコンを主体とするガラス若くは石英の薄膜２３を形成
しても良い。
るガラス基板２１若くは薄板２３に、熱伝導性に優れた
材料からなるＮ２２を接続剤を用いて貼り合わせても良
く、また蒸着法、スパッタ法、Ｃ，Ｖ、Ｄ、法等のいず
れかの手段により薄膜状に形成しても良い。或は逆に、
熱伝導性に優れた材料からなる薄板２２に、蒸着法、ス
パッタ法、Ｃ，Ｖ、Ｄ法等のいずれか手段により酸化シ
リコンを主体とするガラス若くは石英の薄膜２３を形成
しても良い。
上記により得られた基板で第１図の基板１１と同様に用
いる事ができる。
いる事ができる。
熱伝導性に優れた材料からなる基板１１及び層２２の膜
厚は材料並びに目的に応じて選択すれば良い、熱伝導性
に優れた材料として、単結晶のサファイア、炭化シリコ
ン、窒化シリコン、立方晶窒化硼素、ダイヤモンド、及
び非晶質の炭化シリコン、ダイヤモンド状炭素等を用い
る事ができる。
厚は材料並びに目的に応じて選択すれば良い、熱伝導性
に優れた材料として、単結晶のサファイア、炭化シリコ
ン、窒化シリコン、立方晶窒化硼素、ダイヤモンド、及
び非晶質の炭化シリコン、ダイヤモンド状炭素等を用い
る事ができる。
特に単結晶ダイヤモンド、立方晶窒化硼素、及び非晶質
ダイヤモンド状炭素は熱伝導性に優れてお１５００の膜
厚で同様の効果を得る事ができる。
ダイヤモンド状炭素は熱伝導性に優れてお１５００の膜
厚で同様の効果を得る事ができる。
第３図は本発明を適用した上記撮像管と、温度制御の為
の装置とから成る受光装置の概念図である０本装置に於
ける基板３工は、先に示した第工図の基板１１でも良く
、或は第２図（、）乃至（ｃ）で示した積層構造型基板
のいずれかを用いても良い０本装置の温度制御は、例え
ばターゲットリング１６の外周に密着させた加熱放熱器
３２（例えばベルチェ素子等）を用いて行なう事ができ
る。加熱放熱器３２．温度検知器３３（例えば熱電対等
）、温度制御回路３４等からなる温度制御装置の設定温
度と、透光性基板３１及び光電変換部よりなる撮像管タ
ーゲットの温度との間に差が生じている場合、基板３１
．インジウムリング１５、及びターゲットリング１６を
介して熱の輸送が生じ、加熱放熱器３２を用いて温度制
御回路３３により温度が制御される。従来技術による熱
伝導性が不充分な基板を介しての熱輸送の場合に比べ９
本発明では熱の輸送が容易になり、光導電ると同時に、
上記光導電膜１３の面内の温度分布が小さくなる。この
様に、熱伝導性に優れた基板を用いる事により温度の追
従性が良くなり、過熱。
の装置とから成る受光装置の概念図である０本装置に於
ける基板３工は、先に示した第工図の基板１１でも良く
、或は第２図（、）乃至（ｃ）で示した積層構造型基板
のいずれかを用いても良い０本装置の温度制御は、例え
ばターゲットリング１６の外周に密着させた加熱放熱器
３２（例えばベルチェ素子等）を用いて行なう事ができ
る。加熱放熱器３２．温度検知器３３（例えば熱電対等
）、温度制御回路３４等からなる温度制御装置の設定温
度と、透光性基板３１及び光電変換部よりなる撮像管タ
ーゲットの温度との間に差が生じている場合、基板３１
．インジウムリング１５、及びターゲットリング１６を
介して熱の輸送が生じ、加熱放熱器３２を用いて温度制
御回路３３により温度が制御される。従来技術による熱
伝導性が不充分な基板を介しての熱輸送の場合に比べ９
本発明では熱の輸送が容易になり、光導電ると同時に、
上記光導電膜１３の面内の温度分布が小さくなる。この
様に、熱伝導性に優れた基板を用いる事により温度の追
従性が良くなり、過熱。
適冷の生じる危険性が減少する。また、光導電膜の膜面
が温度分布が小さくなる為、光導電膜の局所的な劣化や
特性の低下が生じる危険性が抑えられる。更に、光導電
膜の温度を、熱雑音が無視できる程度の低温に迄冷却す
る事により、受光装置の高感度化を実現する事も可能と
なる。尚、第三図では温度検出器３４を大気圧側に取り
付けているが、温度検出器３４を撮像管内の光電変換部
に取の付ける事により、より精密に温度制御できる様に
なる。
が温度分布が小さくなる為、光導電膜の局所的な劣化や
特性の低下が生じる危険性が抑えられる。更に、光導電
膜の温度を、熱雑音が無視できる程度の低温に迄冷却す
る事により、受光装置の高感度化を実現する事も可能と
なる。尚、第三図では温度検出器３４を大気圧側に取り
付けているが、温度検出器３４を撮像管内の光電変換部
に取の付ける事により、より精密に温度制御できる様に
なる。
以上述べた本発明は、特性の温度依存性が比較的大きな
光導電膜、例えばＳｅを主体とする非晶質半導体からな
る受光素子に於いてその効果が極めて顕著である。
光導電膜、例えばＳｅを主体とする非晶質半導体からな
る受光素子に於いてその効果が極めて顕著である。
以上、本発明を撮像管に適用した場合について述べたが
、他の受光素子、例えばフォトセル、−次元イメージセ
ンサ、二次元イメージセンサ等に適用し得る事は云うま
でもなく、同様な効果が得られる。
、他の受光素子、例えばフォトセル、−次元イメージセ
ンサ、二次元イメージセンサ等に適用し得る事は云うま
でもなく、同様な効果が得られる。
以下１本発明の具体的実施例について説明する。
実施例１゜
直径１７．６ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの単結晶サファイア
基板上に、透光性導電膜として厚さ約１０ＯＡの半透明
ＡＱ膜（この膜厚は１００〜３００人が好ましい、）光
導電膜としてＡｓを２ｗｔ％添加した膜厚２μｍの非晶
質Ｓｅ膜を順次真空蒸着法により形成し、その上に電子
注入阻止層も兼ねた電子ビームランディング層として２
．５ Ｘ １０−”ｔｏｒｒのＡｒ雰囲気中でＳｂ２Ｓ
３膜を０．１μｍの厚さに堆積し、撮像管ターゲットを
得る。インジウムリングを用いて上記撮像管ターゲット
を電子銃を内蔵した撮像管の巨体に圧着により取り付け
た後、匣体内を真空に排気、封止し、第１図に示した様
な撮像管を得る。
基板上に、透光性導電膜として厚さ約１０ＯＡの半透明
ＡＱ膜（この膜厚は１００〜３００人が好ましい、）光
導電膜としてＡｓを２ｗｔ％添加した膜厚２μｍの非晶
質Ｓｅ膜を順次真空蒸着法により形成し、その上に電子
注入阻止層も兼ねた電子ビームランディング層として２
．５ Ｘ １０−”ｔｏｒｒのＡｒ雰囲気中でＳｂ２Ｓ
３膜を０．１μｍの厚さに堆積し、撮像管ターゲットを
得る。インジウムリングを用いて上記撮像管ターゲット
を電子銃を内蔵した撮像管の巨体に圧着により取り付け
た後、匣体内を真空に排気、封止し、第１図に示した様
な撮像管を得る。
実施例２゜
ガラス基板２１に単結晶サファイア薄板をエポキシ樹脂
等の無色透明な接着剤を用いて内部に気泡等が残らない
様に接着し、第２図（ａ）に示す構造２／３インチサイ
ズの撮像管用の基板を得る。
等の無色透明な接着剤を用いて内部に気泡等が残らない
様に接着し、第２図（ａ）に示す構造２／３インチサイ
ズの撮像管用の基板を得る。
実施例３゜
単結晶炭化シリコン基板上にスパッタ法により厚さ５〜
ＩＱＪＬｍのガラス膜を形成する。次にガラス面を研磨
、洗浄して第２図（ｂ）に示す構造の１インチサイズの
撮像管用基板を得る。
ＩＱＪＬｍのガラス膜を形成する。次にガラス面を研磨
、洗浄して第２図（ｂ）に示す構造の１インチサイズの
撮像管用基板を得る。
実施例４゜
ガラス基板上にＣ，Ｖ、Ｄ、法或は蒸着法等の手法を用
いて厚さ１０μｍのダイヤモンド状炭素膜を形成する。
いて厚さ１０μｍのダイヤモンド状炭素膜を形成する。
これに厚さ０．１ｍｍのガラスの薄板を透明な、エポキ
シ樹脂等の接着剤を用いて気泡を残さない様に貼り合わ
せ、第２図（ｃ）の構造の１インチサイズの基板を得る
。
シ樹脂等の接着剤を用いて気泡を残さない様に貼り合わ
せ、第２図（ｃ）の構造の１インチサイズの基板を得る
。
上記実施例２，３．４で得た基板に、実施例１で述べた
手順に従って半透明ＡＱ膜若くは酸化インジウム膜等の
従来技術による透明導電膜、非晶質Ｓｅ膜若くはＳｅを
主体とする非晶質半導体膜、及びＳｂ２Ｓ３膜を形成し
、撮像管ターゲットを得る。なお、上記実施例１乃至４
に於いて透明導電膜とＳｅ系光導電膜との間に正孔注入
阻止補助層として例えば厚さ１００〜３００ÅのＣ００
２層を設ける事もできる。更にインジウムリングを用い
て電子銃を内蔵した撮像管の匣体に上記撮像管ターゲッ
トを取り付け、匣体内を真空に排気、封止し、光導電型
撮像管を得る。本撮像管は、例えばターゲットリングに
ペルチェ素子を密着させて温度制御を行なう事により、
容易に基板の温度を長時間はぼ一定に保持する事ができ
る。
手順に従って半透明ＡＱ膜若くは酸化インジウム膜等の
従来技術による透明導電膜、非晶質Ｓｅ膜若くはＳｅを
主体とする非晶質半導体膜、及びＳｂ２Ｓ３膜を形成し
、撮像管ターゲットを得る。なお、上記実施例１乃至４
に於いて透明導電膜とＳｅ系光導電膜との間に正孔注入
阻止補助層として例えば厚さ１００〜３００ÅのＣ００
２層を設ける事もできる。更にインジウムリングを用い
て電子銃を内蔵した撮像管の匣体に上記撮像管ターゲッ
トを取り付け、匣体内を真空に排気、封止し、光導電型
撮像管を得る。本撮像管は、例えばターゲットリングに
ペルチェ素子を密着させて温度制御を行なう事により、
容易に基板の温度を長時間はぼ一定に保持する事ができ
る。
第４図に本発明の撮像管を用いたカメラに於いて、撮像
管の基板温度を２０℃に制御した場合の基板の表面温度
の変化を示す。図中の破４Ｓ４１は動作時の外気温度の
変動である。温度制御を行なわない従来技術では、基板
温度は破線４１に追従した状態で大きな変動を示すが、
本発明では図から明らかな様に基板温度をほぼ２０℃に
一定に長時間保つ事ができる。
管の基板温度を２０℃に制御した場合の基板の表面温度
の変化を示す。図中の破４Ｓ４１は動作時の外気温度の
変動である。温度制御を行なわない従来技術では、基板
温度は破線４１に追従した状態で大きな変動を示すが、
本発明では図から明らかな様に基板温度をほぼ２０℃に
一定に長時間保つ事ができる。
実施例５゜
本実施例では本発明を固体受光素子に適用した例につい
て述べる。第５図は本発明は１次元長尺イメージセンサ
に適用したｌ実施例の概略図である。第５図（、）は上
記イメージセンサの見取図。
て述べる。第５図は本発明は１次元長尺イメージセンサ
に適用したｌ実施例の概略図である。第５図（、）は上
記イメージセンサの見取図。
同図（ｂ）はその平面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ
−Ａ’ における断面図である。
−Ａ’ における断面図である。
ガラス基板５１の上に単結晶サファイアの薄板５２を貼
り付は基板とする。その上に従来技術により透光性導電
膜を形成した後、フォトエツチング法により上記透光性
導電膜を分離し、個別の読み出し電極５３とする。次に
読み出し電極５３の上に長尺状の穴を設けたマスクを通
してＳｅを主体とする厚さ０．５〜６μｍの非晶質光導
電膜５４を形成する。これに導電膜５５を堆積して光電
変換部とする。光電変換部の読み出し電極５３を基板上
に設けた走査回路（図示せず）にボンディング等の手段
により接続し、本発明の１次元長尺イメージセンサを得
る。
り付は基板とする。その上に従来技術により透光性導電
膜を形成した後、フォトエツチング法により上記透光性
導電膜を分離し、個別の読み出し電極５３とする。次に
読み出し電極５３の上に長尺状の穴を設けたマスクを通
してＳｅを主体とする厚さ０．５〜６μｍの非晶質光導
電膜５４を形成する。これに導電膜５５を堆積して光電
変換部とする。光電変換部の読み出し電極５３を基板上
に設けた走査回路（図示せず）にボンディング等の手段
により接続し、本発明の１次元長尺イメージセンサを得
る。
上記実施例１乃至５で得られた受光素子の非晶質Ｓｅ系
光導電膜に、８ Ｘ １０’Ｖ／ ｃ ｍ以上の寞界を
印加する事により光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍
現象が生じ、利得が１より大きい高感度の特性が得られ
る。例えば膜厚が２μｍの受光デバイスを２４０ｖで用
いると、利得が約１０の出力が得られる。
光導電膜に、８ Ｘ １０’Ｖ／ ｃ ｍ以上の寞界を
印加する事により光導電膜内で電荷のアバランシェ増倍
現象が生じ、利得が１より大きい高感度の特性が得られ
る。例えば膜厚が２μｍの受光デバイスを２４０ｖで用
いると、利得が約１０の出力が得られる。
第６図は非晶質Ｓｅ膜の光導電膜を有する撮像管を、光
導電膜内でアバランシェ増倍が生じる電圧を印加して動
作させた場合の寿命特性と使用温度との関係を示す１例
である。第６図から非晶質Ｓｅからなる光導電膜を有す
る撮像管に本発明を適用して使用温度を２０℃以下に保
持すれば、寿命を大幅に延ばす事ができ得る事が明らか
である。
導電膜内でアバランシェ増倍が生じる電圧を印加して動
作させた場合の寿命特性と使用温度との関係を示す１例
である。第６図から非晶質Ｓｅからなる光導電膜を有す
る撮像管に本発明を適用して使用温度を２０℃以下に保
持すれば、寿命を大幅に延ばす事ができ得る事が明らか
である。
本発明によれば、受光素子の光導電膜の温度を容易に且
つ精密に制御できるので、受光素子の優れた特性を長時
間にわたり、かつ安定的に発揮せしめる事ができる。
つ精密に制御できるので、受光素子の優れた特性を長時
間にわたり、かつ安定的に発揮せしめる事ができる。
第１図は本発明を適用した撮像管の１例の断面概略図を
示す図、第２図は本発明を適用した積層構造基板の模式
図、第３図は温度制御装置を有する本発明による受光装
置の１例の概念図、第４図は本発明を適用した撮像管の
１例に於ける温度制御による基板温度の変動の抑制効果
を示す図、第５図は本発明を適用した一次元長尺イメー
ジセンサの１例の概略図、第６図は非晶質Ｓｅ光導膜を
有する本発明による撮像管の基板温度と寿命時間との関
係を示す図。 １１・・・熱伝導性の優れた材料からなる基板、１２・
・・透光性導電膜、１３・・・光導電膜、１４・・・電
子ビームランディング層、１５・・・Ｉｎリング。 １６・・・金属性ターゲットリング、１７・・・電子銃
を内蔵した撮像管の匣体、２１・・・ガラス基板、２２
・・・熱伝導性の優れた層、２３・・・ガラス若くは石
英からなる層、３工・・・熱伝導性の優れた基板、３２
・・・加熱放熱器、３３・・・温度制御回路、３４・・
・温度検知器、４１・・・カメラ内部の雰囲気温度、４
２・・・温度制御を行なった場合に於ける撮像管の基板
温度、５１・・・ガラス基板、５２・・・読み出し電極
、５４・・・非晶質Ｓｅ系光導電膜、５５・・・導電膜
。 第 ２ 図 ◇ 光 （０ ◇ 光 （ｂ） ＆軟勧秤時間（Ａ□） 第５′″回 Ｃｈ） 第 乙 目 丞双清友 Ｌｃ、”コ
示す図、第２図は本発明を適用した積層構造基板の模式
図、第３図は温度制御装置を有する本発明による受光装
置の１例の概念図、第４図は本発明を適用した撮像管の
１例に於ける温度制御による基板温度の変動の抑制効果
を示す図、第５図は本発明を適用した一次元長尺イメー
ジセンサの１例の概略図、第６図は非晶質Ｓｅ光導膜を
有する本発明による撮像管の基板温度と寿命時間との関
係を示す図。 １１・・・熱伝導性の優れた材料からなる基板、１２・
・・透光性導電膜、１３・・・光導電膜、１４・・・電
子ビームランディング層、１５・・・Ｉｎリング。 １６・・・金属性ターゲットリング、１７・・・電子銃
を内蔵した撮像管の匣体、２１・・・ガラス基板、２２
・・・熱伝導性の優れた層、２３・・・ガラス若くは石
英からなる層、３工・・・熱伝導性の優れた基板、３２
・・・加熱放熱器、３３・・・温度制御回路、３４・・
・温度検知器、４１・・・カメラ内部の雰囲気温度、４
２・・・温度制御を行なった場合に於ける撮像管の基板
温度、５１・・・ガラス基板、５２・・・読み出し電極
、５４・・・非晶質Ｓｅ系光導電膜、５５・・・導電膜
。 第 ２ 図 ◇ 光 （０ ◇ 光 （ｂ） ＆軟勧秤時間（Ａ□） 第５′″回 Ｃｈ） 第 乙 目 丞双清友 Ｌｃ、”コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性基板と、透光性導電膜と、光導電膜とを有す
る受光素子において、上記基板の少なくとも一部に熱伝
導性絶縁材料層を設けたことを特徴とする受光素子。 ２、請求項１に記載の受光素子において、前記熱伝導性
絶縁材料層が、単結晶のサファイア、炭化シリコン、窒
化シリコン、立方晶窒化硼素、ダイアモンド、及び非晶
質のダイヤモンド状炭素、炭化シリコンから選択される
少なくとも１種類の材料からなることを特徴とする受光
素子。 ３、請求項１に記載の受光素子が信号を読み取る為の電
極及び電子ビームを発生し得る電子銃を有することを特
徴とする受光素子。 ４、請求項１に記載の受光素子において、前記光導電膜
がＳｅを主体とする非晶質材料からなることを特徴とす
る受光素子。 ５、請求項１に記載の受光素子が前記光導電膜の温度を
制御するための手段とを有することを特徴とする受光素
子。 ６、請求項１に記載の受光素子の前記光導電膜の温度を
制御して用いることを特徴とする受光素子の動作方法。 ７、請求項４に記載の受光素子が前記光導電膜の温度を
４０℃以下に保持し得る手段を有することを特徴とする
受光素子。 ８、請求項４に記載の受光素子が前記光導電膜内で電荷
のアバランシェ増倍を生じせしめ得る電圧を印加するた
めの手段を有することを特徴とする受光素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171808A JPH0337939A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 受光素子及びその動作方法 |
| US07/547,226 US5070272A (en) | 1989-07-05 | 1990-07-03 | Photoconductive device and method of operating same |
| EP90112872A EP0406869B1 (en) | 1989-07-05 | 1990-07-05 | Photoconductive device and method of operating same |
| KR1019900010147A KR940010196B1 (ko) | 1989-07-05 | 1990-07-05 | 수광소자 및 그 동작방법 |
| DE69013590T DE69013590T2 (de) | 1989-07-05 | 1990-07-05 | Fotoleitende Vorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1171808A JPH0337939A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 受光素子及びその動作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337939A true JPH0337939A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15930109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171808A Pending JPH0337939A (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 受光素子及びその動作方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5070272A (ja) |
| EP (1) | EP0406869B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0337939A (ja) |
| KR (1) | KR940010196B1 (ja) |
| DE (1) | DE69013590T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057314A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像デバイス及びその動作方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700889B1 (fr) * | 1993-01-22 | 1995-02-24 | Thomson Tubes Electroniques | Tube convertisseur d'images, et procédé de suppression des lueurs parasites dans ce tube. |
| KR100255672B1 (ko) * | 1997-06-09 | 2000-05-01 | 손욱 | 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자 |
| JP4087028B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2008-05-14 | シャープ株式会社 | 外部回路実装方法および熱圧着装置 |
| CN103412585B (zh) * | 2013-07-15 | 2015-09-23 | 航天东方红卫星有限公司 | 一种带主动控温的卫星相机热防护门系统 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3185891A (en) * | 1960-09-19 | 1965-05-25 | Gen Electric | Electron optics for infrared camera tubes |
| JPS5130438B1 (ja) * | 1970-04-06 | 1976-09-01 | ||
| JPS5230091B2 (ja) * | 1972-07-03 | 1977-08-05 | ||
| JPS5514554A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-01 | Hitachi Ltd | Magnetic head and its manufacture |
| JPS57132639A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-17 | Toshiba Corp | Cathode-ray tube for projection |
| JPS5926154A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | 日本セメント株式会社 | 破砕器 |
| JPS5983327A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
| JPH0687404B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1994-11-02 | 日本放送協会 | 撮像管及びその動作方法 |
| JPH0724198B2 (ja) * | 1987-01-14 | 1995-03-15 | 株式会社日立製作所 | 撮像管タ−ゲツト |
| US4888521A (en) * | 1986-07-04 | 1989-12-19 | Hitachi Ltd. | Photoconductive device and method of operating the same |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1171808A patent/JPH0337939A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-03 US US07/547,226 patent/US5070272A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-05 EP EP90112872A patent/EP0406869B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-05 DE DE69013590T patent/DE69013590T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-05 KR KR1019900010147A patent/KR940010196B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057314A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像デバイス及びその動作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0406869B1 (en) | 1994-10-26 |
| DE69013590D1 (de) | 1994-12-01 |
| KR910003842A (ko) | 1991-02-28 |
| DE69013590T2 (de) | 1995-03-02 |
| EP0406869A1 (en) | 1991-01-09 |
| US5070272A (en) | 1991-12-03 |
| KR940010196B1 (ko) | 1994-10-22 |
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