KR20040107229A - 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 이용한 전계 방출어레이 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 전극층 및 한쪽 말단이 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어층을 포함하고, 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 코팅된 말단과 전극층이 접합된 전계방출 어레이.
- (1) 성장기판 상에 촉매를 사용하여 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 형성시키는 단계;(2) 상기 탄소나노구조체 또는 나노와이어의 한쪽 말단을 코팅하는 단계;(3) 상기 성장기판으로부터 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 분리하는 단계;(4) 상기 코팅된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 전극 상부에 배치시키는 단계;(5) 상기 전극 상부에 배치된 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 전극과 접합시키는 단계를 포함하는 제 1 항의 전계 방출 어레이의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,(2) 단계의 코팅 처리 전에 탄소나노구조체 또는 나노와이어를 표면 처리하거나, 코팅 처리 후에 표면 처리하고 다시 코팅하는 단계를 더 포함하는 전계 방출 어레이의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,(1) 단계에서 사용하는 촉매는 Li, K, Mg, Ca, Sc, Y, La, Ac, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As 및 Sb으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 복합체, 산화물, 질화물, 탄화물, 황화물, 염화물, 황산화합물, 질산화합물 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,(2) 단계의 코팅제는 Li, K, Mg, Ca, Sc, Y, La, Ac, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As, Sb, Ag, Al, Au, Fe 및 Pt로 구성된 군에서 선택된 하나 또는 그의 산화물, 질화물, 황화물, 탄화물, 염화물 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,표면처리제는 오존, 질소산화물(NOx), 암모니아, 시안화수소(HCN), 황산화물(SOx), 염소, 이산화탄소, 염산, 질산, 불산, 인산, 황산, 과산화수소, 과망간산칼륨, 이산화염소, 요오드산칼륨, 피리딘 및 황화수소로 구성된 군에서 선택된 하나 이상을 조합한 액체나 그 희석액인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,(2) 단계의 코팅시 전극의 재료와 동일한 코팅제를 사용하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
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