KR20040103794A - 몰드형 반도체 레이저 - Google Patents

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Abstract

다이 패드 위에 레이저 칩이 탑재되고, 패키지에 의하여 각 리드가 고정되어 있다. 패키지는, 다이 패드의 하면을 파팅 라인 A 로 하여, 상면측 B 를 피복한 상부 몰드 수지부에, 레이저 칩의 레이저 빔 출사 방향 C 와 평행 방향으로 뻗으며 레이저 칩을 끼워서 양측에 레이저 칩의 출사면 D 보다 앞쪽으로 뻗는 2 개의 틀체 측벽이 형성되어 있다. 그 2 개의 틀체 측벽에, 레이저 빔의 출사 방향과 수직이 아니라 비점수차를 보정하는 소정 각도로 슬릿이 형성되고, 그 슬릿에 투명판(7)이 고정되어 있다. 그 결과, CD용 또는 DVD용 등 광디스크용의 반도체 레이저를, 캔 타입 구조가 아니라, 리드 프레임과 몰드 수지를 이용하는 저렴한 구조로 하면서 비점수차를 확실하게 보정할 수 있는 구조의 반도체 레이저를 얻을 수 있다.

Description

몰드형 반도체 레이저 {MOLD TYPE SEMICONDUCTOR LASER}
본 발명은 CD, DVD(디지털 다용도 디스크: Digital Versatile Disk), DVD-ROM, 데이터 쓰기 가능한 CD-R/RW 등의 픽업용 광원에 이용하는데 특히 적합한 소형이고 염가로 간편하게 제조할 수 있는 구조의 반도체 레이저에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 종래의 금속 캡을 씌운 캔 타입이 아니라, 수지에 의하여 패키지를 형성함으로써 염가로 하면서 비점수차를 보정할 수 있는 구조의 몰드형 반도체 레이저에 관한 것이다.
종래의 CD용의 픽업 등에 사용되며 비점수차를 방지하는 스템 타입의 반도체 레이저는 도 6에 나타낸 바와 같은 구조로 되어 있다. 즉, 철 등의 금속재료를 냉간단조법에 의하여 성형하고 베이스(21)의 중심부의 일부를 쌓아올려 히트 싱크부(22)를 형성하며 리드(23 및 25)를 유리(26) 등에 의하여 고정한 스템(20)이 사용되고, 이 히트 싱크부(22)에 레이저 칩(31)이 실리콘 기판 등으로 된 서브 마운트(34)를 통해 탑재되며, 한쪽 전극(칩(31)의 이면)이 서브 마운트(34)의 중계부(38)를 통해 와이어(33)에 의하여 리드(23)와 전기적으로 접속되며, 다른쪽 전극은 와이어(33)를 통해 서브 마운트(34)에 접속되며, 그 이면을 통해 히트 싱크부(22) 및 베이스(21)를 거쳐 커먼 리드(24)와 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 32는 모니터용 수광 소자로, 한쪽 전극은 와이어(33)를 통해 리드(25)와, 다른쪽 전극은 서브 마운트(34), 히트 싱크부(22) 및 베이스(21)를 통해 커먼 리드(24)와 각각 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 그 주위에 캡(35)이 씌워져 있고, 캡(35)의 윗부분 중앙부에는 레이저 칩(31)에 의하여 발광한 빛이 투과하도록 관통공(35a)이 설치되며, 유리판(36)이 접착제(저융점 유리; 37)에 의하여 봉착되어 있다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 이 캡(35)의 윗부분을 비스듬하게 절단하고, 레이저 칩(31)의 반도체층 적층면(x-y면) 내에서 소정 두께의 유리판(36)이 레이저 빔의 방향에 대해 90°가 아니라 소정 각도로 기울어지도록 배치함으로써, 레이저 칩(31) 내에 생기는 비점수차와 동량으로 반대 부호의 비점수차를 발생시켜 비점수차를 보정하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특공평 5-6261 호 공보(도 2) 참조).
한편, 예를 들면 특개 2001-284695 호 공보에 개시되어 있고 도 7에 나타낸 바와 같이, CD용 등의 광디스크 시스템에 이용하는 반도체 레이저에 있어서, 리드 프레임(41)을 사용하여 하몰드(42a)와 상몰드(42b)에 의해 패키지(42)를 형성하고, 그 광 출사면에 광 아이솔레이터(43)를 설치하는 구조도 알려져 있다. 도 7에 있어서, 44는 서브 마운트이고 45는 레이저 칩이며 46은 수지 몰드의 개구부이다.
종래의 CD 나 DVD 등의 픽업에 사용된 반도체 레이저는, 전술한 바와 같이, 캔 타입 구조의 패키지가 주로 사용되고 있으며 반도체 레이저측에서 비점수차를 보정하는데, 그 캡을 비스듬하게 절단하는 특수 형상으로 성형하지 않으면 안된다. 이와 같은 캔 타입 구조에서는, 냉간단조의 고가 스템을 이용할 필요가 있을 뿐만아니라, 비점수차를 보정하기 위해 원통 형상의 캡을 비스듬하게 절단한 구조의 특수 형상으로 형성할 필요가 있고, 상당히 고가로 되는 문제가 있다. 특히, 비점수차를 보정하기 위해서는, 레이저광의 출사 방향에 대한 각도 및 투명판의 두께가 레이저 칩에서 발광하는 레이저광의 비점수차에 따라 엄밀하게 설정될 필요가 있고, 캡의 성형 뿐만 아니라, 캡의 용접시 회전 등에도 주의할 필요가 있으며, 상당히 비용이 상승한다. 또, 캔 타입 구조에서는, 부품수가 증가하여 공정수도 증가하고, 난이도가 높은 공법이 필요하게 되며, 득률도 나빠지는 문제도 있다.
한편, 리드 프레임을 사용하는 소위 프레임 레이저라고 불리는 구조에서는, 예를 들면 도 7에 나타낸 바와 같이, 몰드 수지의 단면에 광 아이솔레이터를 부착시킨 구조가 개시되어 있지만, 단지 단순하게 투명판을 배치하거나 원편광판(광아이솔레이터)을 배치하는 것 뿐이라면 수지의 단면이 평면이 아니라 조금 기울어져도 영향은 없으나, 상형에 의한 몰드 수지와 하형에 의한 몰드 수지에서는 성형 수지의 단면이 완전하게는 일치하지 않고 파팅 면에서 단차가 생기며, 그 단면에 부착된 원 편광판 등은 기울어지며, 전술한 비점수차를 보정하기 위해 투명판을 소정 두께로, 또한, 레이저 칩의 반도체 적층면에 대해서는 직각으로, 레이저 빔의 축방향에 대해 90°로부터 소정 각도만큼 기울이는 시비어한 투명판의 배치를 필요로 하는 구조에는, 상몰드 수지와 하몰드 수지에 걸쳐 부착하는 구조로, 원하는 특성을 얻을 수 없는 문제가 있다.
본 발명은 이같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, CD용 또는 DVD용 등 광디스크용의 반도체 레이저를, 캔 타입 구조가 아니라, 리드 프레임과 몰드 수지를 이용하는 저렴한 구조로 하면서, 비점수차를 반도체 레이저측에서 확실하게 보정할 수 있는 구조의 반도체 레이저를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1a 및 1b는 본 발명에 의한 몰드형 반도체 레이저의 일 실시형태의 구조를 나타내는 정면 및 평면의 설명도.
도 2는 도 1의 반도체 레이저에 이용하는 리드 프레임을 나타내는 설명도.
도 3a 및 3b는 투명판에 의하여 비점수차를 보정할 수 있는 원리의 설명도.
도 4a 및 4b는 본 발명에 의한 반도체 레이저의 다른 실시형태를 나타내는 설명도.
도 5는 본 발명에 의한 반도체 레이저의 또 다른 실시형태를 나타내는 설명도.
도 6은 종래의 캔 타입으로 비점수차를 보정하는 예의 반도체 레이저의 설명도.
도 7은 종래의 수지 몰드에 의하여 형성된 반도체 레이저의 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 리드 프레임 2 : 패키지
4 : 레이저 칩 7 : 평행 투명판
11 ~ 14 : 리드 11a : 다이 패드
20a : 상부 몰드 수지부 211a, 212a : 틀체 측벽
23, 24 : 슬릿 A : 파팅 라인
C : 레이저 빔 출사 방향
본 발명에 의한 몰드형 반도체 레이저는, 판상의 리드 프레임으로부터 형성된 다이 패드 및 복수의 리드, 그 다이 패드 및 복수의 리드를 일체로 유지하는 몰드 수지로 된 패키지, 상기 다이 패드 위에 서브 마운트를 통해 탑재된 레이저 칩 및 그 레이저 칩의 출사면의 앞쪽에 설치된 투명판을 구비하며, 상기 패키지는, 상기 다이 패드 및 복수의 리드의 하면을 파팅 라인으로 하여 그 파팅 라인부터 상기 리드의 상면측을 피복한 상부 몰드 수지부를 적어도 가지며, 그 상부 몰드 수지부에는 상기 레이저 칩의 레이저 빔 출사 방향과 평행 방향으로 뻗으면서 상기 레이저 칩을 끼워서 양측에 그 레이저 칩 출사면보다도 앞쪽으로 뻗는 2 개의 틀체 측벽이 형성되며, 그 2 개의 틀체 측벽에 상기 레이저 빔의 출사 방향과 수직이 아니라 비점수차를 보정하는 소정 각도로 상기 투명판을 배치하기 위한 슬릿이 상기 틀체 측벽의 상면측으로부터 상기 레이저 칩의 하면(레이저 칩의 서브 마운트측의 면)보다 깊게 상기 상부 몰드 수지부에만 형성되며, 그 슬릿 안에 상기 투명판이 고정된 구조로 되어 있다.
여기서 상면 및 하면이란 다이 패드의 레이저 칩이 본딩된 측의 면을 상면으로 하고 그 반대측을 하면으로 한 것을 의미하며, 앞쪽이란 레이저 칩으로부터 이용하는 레이저 빔을 출사하여 진행하는 방향을 의미한다. 또한, 투명판이란 완전한투명이 아니어도 지장없이 빛을 투과시킬 수 있는 것이면 되고, 반투명 등의 재료를 포함하는 의미이다.
이러한 구조로 함으로써, 몰드 수지의 양 틀체 측벽에 슬릿이 형성되고, 그 슬릿에 투명판을 삽입하여 고정하면, 투명판이 레이저 빔의 출사 방향과 소정 각도를 이루도록 슬릿이 형성되어 있기 때문에, 투명판의 설치가 상당히 용이할 뿐만 아니라, 그 슬릿의 각도를 금형에 의하여 정확하게 정하여 슬릿에 삽입된 투명판을 레이저 빔의 출사 방향에 대해 원하는 각도로 정확하게 설치할 수 있다. 게다가, 슬릿이 몰드의 파팅 라인을 넘지 않도록 상부 몰드 수지부에만 형성되어 있기 때문에, 상하 금형의 어긋남에 의해 단차가 생기는 일이 없다. 그 결과, 슬릿에 투명판을 삽입하여 고정하는 것만으로, 상당히 정확한 각도로 투명판을 설치할 수 있으며, 상당히 저렴한 프레임 레이저로 비점수차를 보정하는 고성능 반도체 레이저를 얻을 수 있다.
상기 패키지가, 상기 파팅 라인을 끼워서 상기 상부 몰드 수지부와 하부 몰드 수지부를 갖고, 외형이 실질적으로 원형 형상인 바디부 및 바디부의 중심부측에 설치되고 상기 레이저 빔의 출사 방향으로 신장한 상기 2 개의 틀체 측벽을 갖는 구조로 할 수 있다. 여기서 실질적으로 원형 형상이란, 예를 들면 도 1b에 나타낸 바와 같이, 일부 절결부나 오목부가 형성되어 있는 것이라도, 대략 원형 모양의 것을 포함하는 의미이다.
상기 패키지가 상기 상부 몰드 수지부만으로 이루어지고, 상기 슬릿이 상기 상부 몰드 수지부를 관통하지 않도록 형성된 구조로 할 수도 있다. 이같은 구조로하면, 다이 패드의 이면측을 수지로 피복하지 않고 노출시키는 것이 가능하기 때문에, 방열판을 접촉시킬 수도 있으며, 하이 파워의 반도체 레이저라도 방열성을 좋게 하고 소자 특성을 고도로 유지할 수 있으며, 슬릿이 레이저 칩의 하면보다 깊게 형성되면서 관통해 있지 않기 때문에, 레이저 빔을 차단하지 않고 비점수차를 보정하면서 투명판을 삽입하여 접착제만으로 간단하게 고정할 수 있다.
상기 슬릿보다 앞쪽의 상기 틀체 측벽을 제거함으로써, 상기 틀체 측벽의 선단부에 형성된 상기 슬릿의 한 벽면과 바닥면으로 된 단차에 상기 투명판이 고정되는 구조로 할 수 있다. 이같은 구조로 하여도, 단차 그 자체는 전술한 슬릿과 마찬가지로 몰드 금형에 의해 정확하게 위치 결정되어 있고, 투명판을 삽입이 아니라 단차에 붙여서 고착하는 것으로 무방하며, 고착하기 위한 접착 부분은 많아지지만 정면에 닿게 하여 단차 부분에 얹어서 접착제를 도포하면 되기 때문에, 무리없이 투명판을 고정할 수 있고 반도체 레이저의 길이를 단축할 수 있으며 소형화에도 기여한다.
다음으로, 도면을 참조하면서 본 발명의 몰드형 반도체 레이저에 관하여 설명한다. 본 발명에 의한 몰드형 반도체 레이저는, 도 1a 및 1b에 각각 그 일 실시형태의 정면 및 상면의 설명도를 나타낸 바와 같이, 판상의 리드 프레임(1)으로부터 형성된 다이 패드(11a) 및 복수의 리드(11 내지 13)가 몰드 수지로 된 패키지(2)에 의해 일체로 유지되어 있다. 다이 패드(11a) 위에는, 서브 마운트(3)를 통해 레이저 칩(4)이 탑재되어 있다. 그리고, 레이저 칩(4)의 출사면 D 의 앞쪽에 레이저 빔의 출사 방향 C 와 수직이 아니라 비점수차를 보정하는 소정 각도 θ로, 투명판(7)이 패키지(2)에 형성된 슬릿(23 및 24)에 고정되어 있다. 또한, θ는 레이저 빔의 출사 방향 C 와 수직인 면에 대해 투명판(7)이 이루는 각도, 즉 투명판(7)의 법선 방향과 레이저 빔의 출사 방향 C 가 이루는 각도이다. 이 투명판(7)은 표면과 이면이 거의 평행하게 되어 있다.
그리고, 패키지(2)는, 다이 패드(11) 및 복수의 리드(11 내지 13)의 하면을 파팅 라인 A 로 하여 파팅 라인 A 부터 리드(11 내지 13)의 상면측 B 를 피복한 상부 몰드 수지부(20a)를 적어도 가지고, 상부 몰드 수지부(20a)에는 레이저 칩(4)의 레이저 빔 출사 방향 C 와 평행 방향으로 뻗으면서 레이저 칩(4)을 끼워서 양측에 레이저 칩(4)의 출사면 D 보다도 앞쪽으로 뻗는 2 개의 틀체 측벽(211a 및 212a)을 적어도 가지며, 그 2 개의 틀체 측벽(211a 및 212a)에, 전술한 슬릿(23 및 24)이 틀체 측벽의 상면측으로부터 레이저 칩(4)의 하면보다 깊게, 바람직하게는 다이 패드(11a)의 상면보다 깊게, 상부 몰드 수지부(20a)에만 형성되며, 그 슬릿(23 및 24) 안에 전술한 투명판(7)이 고착된 구조로 되어 있다.
리드 프레임(1)은, 예를 들면 42 합금이나 동으로 이루어진 0.4 mm두께 정도의 판재가, 도 2에 나타낸 바와 같이, 타발 성형 등에 의해 형성된 것으로, 사이드 레일(17)에 제 1 내지 제 3 리드(11 내지 13)가 고정되어 있고, 제 1 리드(11)의 선단부에 다이 패드(11a)가 형성되며, 제 2 및 제 3 리드(12 및 13)의 선단부에는 와이어 본딩부(12a 및 13a)가 각각 형성되며, 그 조가 다수개 연결되어 있다. 이 리드 프레임(1)에, 도 1에 나타낸 바와 같이, 레이저 칩(4) 등이 조립되고 패키지(2)가 형성된 후에, 각 리드(11 내지 13)가 사이드 레일(17)로부터 절단되어서 각각의 반도체로 분리되도록 되어 있다. 또한, 18 은 인덱스 구멍이다.
이 예에서는, 레이저 칩(4)이 1 파장용으로, 모니터용 수광 소자(5)를 위한 리드를 포함하여 3 개의 리드로 형성되어 있지만, 후술하는 도 5에 나타낸 예와 같이, 레이저 칩(4)으로, 예를 들어 2 파장용 레이저 칩(4)이 사용된 경우에는, 4 개의 리드로서, 도 1에 표시된 형상의 패키지(2)로 할 수도 있다. 리드 프레임(1)에서 형성된 리드의 수는, 레이저 칩(4)이나 수광 소자(5) 등에 따라 자유롭게 설정된다.
레이저 칩(4)은, 예를 들면 AlGaAs 계, InGaAlP 계 또는 GaN 계 등의 화합물 반도체로 된 통상의 더블 헤테로 구조로 형성되며, 그 크기는 CD용으로는 250㎛ ×250㎛ 정도이지만, DVD용으로는 250㎛ ×500㎛ 정도, CD-R/RW용으로는 250㎛ ×800㎛ 정도로 된다. 이들은 상당히 작으며, 그 취급을 용이하게 하기 위해, 통상 0.8㎜×1㎜ 정도 크기의 실리콘 기판 또는 AlN(알미나이트라이드) 등으로 된 서브 마운트(3) 위에 본딩되어 있다. 그리고, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 한쪽 전극은 서브 마운트(3)에 금선(6) 등의 와이어 본딩에 의하여 접속되고 그 이면에서 도전성 접착제 등에 의하여 다이 패드(11a)를 통해 제 1 리드(11)에 접속되며, 다른쪽 전극(이면 전극)은 서브 마운트(3) 위의 접속부(3a)를 통해 금선(6) 등의 와이어 본딩에 의하여 제 2 리드(12)와 접속되어 있다.
또한, 레이저 칩(4)의 발광 출력을 모니터하기 위한 수광 소자(5)가 마찬가지로 서브 마운트(3)에 설치되고, 그 한쪽 전극은 서브 마운트(3) 및 다이 패드(11a) 등을 통해 제 1 리드(11)에 접속되고, 다른쪽 전극은 금선(6) 등의 와이어 본딩에 의하여 제 3 리드(13)와 직접 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 이 수광 소자(5)는 서브 마운트(3)와는 다른 곳에 설치되어도 무방하며, 수광 소자(5)를 필요로 하지 않는 경우 수광 소자(5)는 없어도 된다.
패키지(2)는, 제 1 내지 제 3 리드(11 내지 13)가 리드 프레임으로부터 뿔뿔이 흩어지지 않도록 단단히 고정되며, 레이저 칩(4) 등의 각 전극과 리드(11 내지 13)와의 접속을 확실하게 유지하기 위한 것으로, 트랜스퍼 몰드 등에 의한 수지 성형으로 형성되어 있다. 도 1에 나타낸 예에서는, 종래의 캔 패키지와 유사한 구조로 하기 위해, 스템부 및 그 주위의 캡부에 상당하는 바디부(22)(22a, 22b)를 가짐과 동시에, 레이저 칩(4)의 측면을 보호하는 틀체(21)로 된 몰드 수지에 의하여 형성되어 있다. 본 발명에서는, 이 몰드 수지를 형성하는데에, 금형의 분할면(파팅 라인) A 를 리드 프레임(1)의 하면에 설정하고, 상면측 및 하면측의 양쪽을 피복하도록 상부 몰드 수지부(20a)와 하부 몰드 수지부(20b)로 형성하고, 상부 몰드 수지부(20a)에는, 틀체 측벽(211a 및 212a)과 상부 바디부(22a)가 포함되며, 하부 몰드 수지부(20b)에는, 틀체 바닥면(21b)과 하부 바디부(22b)가 포함되어 있다.
또한, 바디부(22)는, 종래의 스템에 상당하는 거의 원형 모양으로 형성되고, 리드를 고정하는 부분과, 그 레이저 칩(4)측에 설치되고 레이저 칩(4)의 상면측이 개구되며 그 밖의 부분에 외형이 거의 원형 모양으로 형성된 스커트부로 되어 있으며, 종래의 캔 타입형 반도체 레이저와 마찬가지로, 바디부(22)의 하면측에 위치 맞춤용의 절결부(25)가 형성되어 있다.
틀체 측벽(211a 및 212a)은, 레이저 칩(4)의 레이저 빔 출사 방향 C 와 평행방향으로 뻗으며 레이저 칩(4)을 끼워서 양측에 레이저 칩 출사면 D 보다도 앞쪽으로 뻗도록 2 개 형성되며, 그 2 개의 틀체 측벽(211a 및 212a)의 각각에, 슬릿(23 및 24)이 형성되어 있다. 이 슬릿(23 및 24)은, 후술하는 투명판(7)을 삽입하는 것으로, 2 개의 틀체 측벽에 형성된 슬릿(23 및 24)이 직선으로 연속하여 형성됨과 동시에, 각각의 슬릿(23 및 24)은, 틀체 측벽(211a 및 212a)의 상면측에서 레이저 칩(4)의 하면보다 깊게, 바람직하게는 다이 패드(11a)의 상면보다 깊게, 상부 몰드 수지부(20a)에만 형성되어 있다.
슬릿(23 및 24)은, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 2 개의 슬릿(23 및 24)을 연결한 방향이, 레이저 빔의 출사 방향 C 와 직각이 아니라, 직각인 면에 대한 각도 θ, 즉 슬릿(23 및 24)을 연결한 면의 법선 방향이 출사 방향 C 와 이루는 각도 θ가, 후술하는 소정 각도로 되도록 형성됨과 동시에, 그 슬릿(23 및 24)의 깊이가, 슬릿(23 및 24)의 바닥면과 파팅 라인 A 와의 거리를 x, 리드 프레임(다이 패드(11a))의 두께를 T, 서브 마운트(3)의 두께를 S 라 하면, 0 ≤x ≤T+S, 바람직하게는 0 ≤x ≤T 로 되도록, 틀체 측벽(211a 및 212a)에 각각 형성되어 있다. 즉, 슬릿(23 및 24)에 삽입된 투명판(7)이 레이저 칩(4)으로부터 출사한 레이저 빔의 전면을 완전히 커버(Cover)하도록, 슬릿(23 및 24)은 다이 패드(11a)의 표면 또는 그보다 아래까지 형성되며, 상부 몰드 수지부(20a)에만 형성되어 있다.
하부 몰드 수지부(20b)까지 슬릿(23 및 24)이 형성되면, 금형의 상형과 하형의 양쪽에 슬릿을 위한 돌기부를 형성해야 하지만, 금형의 상형과 하형에서는 완전하게는 일치하지 않고, 슬릿에 단차가 생기며, 투명판(7)을 삽입할 때에 삽입할 수없거나, 슬릿의 폭을 폭넓게 하여 삽입하면, 그 각도에 이상이 생길 가능성이 있기 때문이다.
또한, 슬릿(23 및 24)의 폭은 투명판(7)의 두께와 거의 같으며, 그다지 덜커덕거림이 없게 투명판(7)을 삽입할 수 있도록 형성되어 있다. 덜커덕거림이 크다면, 투명판(7)을 삽입할 때에 경사각 θ가 바뀌기 쉽기 때문이다. 실제로는, 투명판(7)의 두께보다 30㎛ 내지 5O㎛ 정도 큰 폭으로 형성된다.
이 슬릿(23 및 24)은, 몰드 수지로 성형할 때의 금형으로 돌기부를 형성해 둠으로써 형성되기 때문에, 금형으로 돌기부의 방향, 두께, 높이를 정확하게 형성할 수 있고, 금형의 정밀도로 슬릿(23 및 24)의 각도, 폭 및 깊이를 형성할 수 있다. 그 결과, 상당히 정밀하게 슬릿(23 및 24)의 각도, 폭, 깊이를 형성할 수 있다.
투명판(7)은, 예를 들면 유리판, 플라스틱판 등 빛을 투과 또는 반투과(반투명)하는 평행한 판재에 의해 형성되어 있다. 이 투명판(7)은, 전술한 틀체 측벽에 형성된 슬릿(23 및 24)에 삽입되며, 그 상부는 예를 들면 자외선 경화수지 등이 용이하게 고화하는 접착제(8)에 의하여 틀체 측벽(211a 및 212a)에 고정되어 있다.
이 투명판(7)은, 레이저 칩(4)에서 발생한 비점수차를 보정하는 것으로, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 투명판(7)의 경사에 의하여 빔이 있는 방향의 지름의 양단부가 다른 거리에서 투명판(7)에 입사한 경우 평행판(7)에 의한 굴절에 의하여 집광점 위치가 어긋나는 것에 대하여, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 빔의 전술한 방향과 직각 방향으로 빔 지름의 양단부가 동일한 거리에서 투명판(7)에 입사한 측에서는 집광점의 위치는 어긋나지 않고 그대로 집광하기 때문에, 비점수차를 보정할 수 있다. 도 3a에 의한 비점수차의 보정량 As 는, 투명 평행판(7)의 법선의 광축과 이루는 각도를 θ, 두께를 t, 굴절율을 n 이라고 하면, 다음의 식 (1) 로 얻어지는 것이 알려져 있기 때문에, 미리 설계된 레이저 칩(4)의 비점수차량을 알면, 그 값이 식 (1) 과 일치하도록, 투명 평행판(7)의 재질(굴절율), 두께 및 경사각 θ를 설정함으로써, 비점수차를 보정할 수 있다.
(1)
본 발명의 반도체 레이저에 의하면, 광디스크의 픽업용에 사용되는 것과 같은 레이저 광원을 리드 프레임과 몰드 수지에 의한 패키지로 구성하면서, 비점수차를 보정하는 구조의 반도체 레이저를 얻을 수 있다. 게다가, 투명판을 삽입한 슬릿을 패키지의 상부 몰드 수지부에만 형성하고 하부 몰드 수지에 걸쳐서 형성하지 않기 때문에, 슬릿에 단차가 형성되지 않으며, 상당히 정확한 각도로 투명 평행판를 배치할 수 있다. 그 결과, 몰드 수지형 반도체 레이저라고 하는 상당히 저렴한 구조이면서, 비점수차를 보정하는 고성능 반도체 레이저를 얻을 수 있다. 또한, 레이저 칩의 비점수차는, 그 설계에 의하여 거의 일정해지기 때문에, 그 레이저 칩마다 소정 폭으로, 소정 각도의 슬릿을 형성하는 금형에 의해 패키지를 형성하면, 상당히 특성이 안정된 반도체 레이저를 양산할 수 있다.
전술한 예로는, 틀체 측벽(211a 및 212a)의 선단부보다도 바디부(22)측에 슬릿(23 및 24)이 형성되어 있지만, 이와 같은 슬릿의 모양으로 형성되어 있으면, 투명판(7)을 삽입하여 상부에서 고착하는 것만으로 무방하기 때문에, 조립이 용이하다. 그러나, 길이 등의 소형화가 요구되는 반도체 레이저의 경우는, 도 4a에 나타낸 바와 같이, 슬릿(23 및 24)보다 앞쪽의 틀체 측벽(211a 및 212a)은 없어도 된다. 이 경우는, 틀체 측벽(212a)의 슬릿 부분의 IVB-IVB 단면 설명도를 도 4b에 나타낸 바와 같이, 틀체 측벽(211a 및 212a)의 선단부에 단차(26)가 형성된 것만의 형상이라도 무방하다. 물론, 이 단차(26)는, 전술한 슬릿의 선단부가 제거된 것 만의 형상으로, 그 바닥면은 레이저 칩(4)의 하면, 바람직하게는 다이 패드(11a)의 상면보다 깊게, 하부 몰드 수지(21b)까지는 들어가지 않고 다이 패드 하면으로부터의 거리가 x 이며, 또, 벽면(틀체 측벽의 선단면)은, 전술한 소정 각도 θ로 형성되어 있다. 도 4b에서는, 투명판(7)(틀 바닥면(21b))의 경사면과 단면이 비단면도와 단면도로 과장해서 나타나 있다.
이 구조라면, 투명판(7)을 삽입하여 상부로부터 접착제로 고정하려고 할 수는 없고 단면에 가압하여 주위에서 접착제로 고착할 필요가 있으나, 가압하는 것만으로도, 원하는 각도는 틀체 측벽(121a 및 122a)에 의하여 정확하게 형성되어 있기 때문에, 전술한 예와 마찬가지로 정확한 각도로 투명판(7)을 설치할 수 있고, 게다가 길이가 짧은 소형화를 달성할 수 있다.
도 5는, 본 발명에 의한 몰드형 반도체 레이저의 또 다른 실시형태를 나타내는 사시 설명도이다. 이 예는, 패키지(2)가 리드 프레임의 한 면에만 형성됨과 동시에, 레이저 칩(4)이 2 파장의 펄 세션 타입의 예이다. 그 때문에, 리드는 4 개 형성됨과 동시에, 다이 패드(11a) 및 각 리드(11 내지 14)의 이면(도의 이면측)은외부로 노출해 있다. 즉, 하부 몰드 수지부는 존재하지 않고, 상부 몰드 수지부(20a)만으로 되어 있고, 패키지(2)의 하면이 파팅 라인 A 로 되어 있다. 게다가, 이 예에서는 , 상부 몰드 수지부(20a)도, 바디부가 없고 편평한 패키지이며, 틀체 측벽(211a 및 212a)과 틀체 고정부(213a)만으로 형성되며, 틀체 측벽(211a 및 212a)이 레이저 칩(4)의 양측으로부터 다이 패드(11a)보다도 앞쪽에 돌출해 있다. 또한, 도 5에 나타낸 예로는, 틀체 측벽(211a 및 212a)의 선단부측의 두께가 얇게 형성되어 있지만, 틀체 고정부(213a)와 동일한 두께로 형성되어 있어도 동일하다.
이 예에서는, 하부 몰드 수지가 없기 때문에, 슬릿(23 및 24)의 깊이는, 상부 몰드 수지부(20a)의 하면까지는 형성되지 않고, 슬릿(23 및 24)의 바닥과 하면 사이에 x 만의 두께의 수지가 남도록, 슬릿(23 및 24)이 형성되어 있다. 이 바닥면측에 남겨 두는 수지의 두께 x 는, 전술한 바와 같이, 레이저 칩(4)의 하면 또는 그보다도 깊게 슬릿(23 및 24)이 형성될 필요가 있기 때문에, 리드 프레임의 두께를 T, 서브 마운트(3)의 두께를 S 라 하면, 0 < x ≤T+S, 바람직하게는 0 < x ≤T 를 만족하도록 형성된다. 이 하한은 투명판(7)을 지지할 수 있는 기계적 강도가 있으면 된다. 지지할 수 있다면, 기계적 강도는 그다지 없어도, 투명판(7)을 삽입한 후에 접착제(8)에 의하여 고정되기 때문에, 접착제에 의하여 기계적 강도를 얻을 수 있기 때문이다.
이 예에서는, 전술한 바와 같이, 레이저 칩(4)이 2 파장 발광용으로 형성되어 있기 때문에, 각각의 발광부를 독자적으로 동작시키는 리드가 제각기 형성되어 있고, 제 2 파장의 발광부와 접속한 리드(14)가 새롭게 설치되고, 와이어 본딩에의하여 레이저 칩(4)과 접속되어 있지만, 그 밖의 구조는 전술한 도 1에 나타낸 예와 동일하고, 특히, 틀체 측벽(211a 및 212a)에 설치된 슬릿(23 및 24) 및 투명판(7)의 배치에 관해서는 전술한 예와 동일로, 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략한다. 또한, 이 예에서도, 틀체 측벽(211a 및 212a)의 슬릿(23 및 24)보다 앞쪽을 절단하고, 슬릿에 대신하여 선단부를 단차로 해도 무방한 것은 동일하다.
또한, 도 5에 나타낸 바와 같은 편평한 패키지로서 상부 몰드 수지부만의 구조로 함으로써, 다이 패드의 이면측을 노출시켜 방열 특성을 향상시키는 것이 가능하고, 2 파장의 펄 세션 타입에 매우 적합하다. 그러나, 레이저 칩(4)을 도 1에 나타낸 예와 같이, 1 파장용으로 하여, 리드가 3 개인 구조에서, 편평한 패키지로 하거나, 나아가서는 이면을 노출시키는 상부 몰드 수지부만의 구조로 할 수도 있다. 1 파장용 레이저 칩(4)에서도, 출력이 큰 경우에는, 이면을 노출시키는 구조가 방열면에서 바람직하다.
본 발명에 의하면, 수지 몰드에 의하여 형성하면서, 레이저 칩의 앞쪽에, 투명판을 레이저 빔의 출사 방향에 대해, 소정 각도로 정확하게 배치하는 것이 가능하기 때문에, 비점수차를 정확하게 보정할 수 있다. 그 결과, 종래의 금속제 캡을 비스듬하게 절단하거나, 스템을 이용한 복잡한 제조 공정을 필요로 하고, 상당히 고가로 되는 캔 타입의 반도체 레이저에 대신하여, 1/3 정도로 상당히 저렴한 반도체 레이저를 CD 나 DVD용 등의 광원으로서 이용할 수 있고, 광디스크 시스템의 비용 절감에 크게 기여한다.

Claims (11)

  1. 판상의 리드 프레임으로부터 형성된 다이 패드 및 복수의 리드;
    상기 다이 패드 및 복수의 리드를 일체로 유지하는 몰드 수지로 된 패키지;
    상기 다이 패드 위에 서브 마운트를 통해 탑재된 레이저 칩; 및
    상기 레이저 칩의 출사면의 앞쪽에 설치된 투명판을 구비하며,
    상기 패키지는, 상기 다이 패드 및 복수의 리드의 하면을 파팅 라인으로 하여 그 파팅 라인부터 상기 리드의 상면측을 피복한 상부 몰드 수지부를 적어도 가지며,
    상기 상부 몰드 수지부에는 상기 레이저 칩의 레이저 빔 출사 방향과 평행 방향으로 뻗으며 상기 레이저 칩을 끼워서 양측에 그 레이저 칩 출사면보다도 앞쪽으로 뻗는 2 개의 틀체 측벽이 형성되며,
    상기 2 개의 틀체 측벽에 상기 레이저 빔의 출사 방향과 수직이 아니라 비점수차를 보정하는 소정 각도로 상기 투명판을 배치하기 위한 슬릿이, 상기 틀체 측벽의 상면측으로부터 상기 레이저 칩의 하면보다 깊게, 상기 상부 몰드 수지부에만 형성되며,
    상기 슬릿 안에 상기 투명판이 고정된 구조의 몰드형 반도체 레이저.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패키지는, 상기 파팅 라인을 끼워서 상기 상부 몰드 수지부와 하부 몰드 수지부를 가지며, 외형이 실질적으로 원형 형상인 바디부와, 상기 바디부의 중심부측에 설치되며 상기 레이저 빔의 출사 방향으로 신장하는 상기 2 개의 틀체 측벽을 갖는 몰드형 반도체 레이저.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 바디부는, 리드를 고정하는 바닥면 및 상기 레이저 칩의 상면측이 개구되고 그 밖의 부분에 외형이 거의 원형 모양으로 형성된 스커트부를 갖는 몰드형 반도체 레이저.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬릿의 깊이는, 그 슬릿의 바닥면과 파팅 라인과의 거리를 x, 상기 다이 패드의 두께를 T, 상기 서브 마운트의 두께를 S 로 하여, 0 ≤x ≤T+S 로 되도록 설정된 몰드형 반도체 레이저.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 슬릿의 깊이는 0 ≤x ≤T 로 되도록 설정된 몰드형 반도체 레이저.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬릿의 폭은 투명판의 두께보다 30㎛ 내지 50㎛ 큰 폭으로 형성된 몰드형 반도체 레이저.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 칩은 2 파장의 펄 세션 타입의 레이저 칩인 몰드형 반도체 레이저.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 패키지는 상기 상부 몰드 수지부만으로 된 플랫(Flat) 패키지이고, 상기 슬릿은 상기 상부 몰드 수지부를 관통하지 않도록 형성된 몰드형 반도체 레이저.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬릿의 깊이는, 상기 슬릿의 바닥면과 파팅 라인과의 거리를 x, 상기 다이 패드의 두께를 T, 상기 서브 마운트의 두께를 S 로 하여, 0 < x ≤T+S 로 되도록 설정된 몰드형 반도체 레이저.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 슬릿의 깊이는 0 < x ≤T 로 되도록 설정된 몰드형 반도체 레이저.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 슬릿보다 앞쪽의 상기 틀체 측벽이 제거됨으로써, 상기 틀체 측벽의 선단부에 형성된 상기 슬릿의 한 벽면과 바닥면으로 된 단차에 상기 투명판이 고정되는 몰드형 반도체 레이저.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100576881B1 (ko) * 2005-01-03 2006-05-10 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드장치 및 그 제조방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4305859B2 (ja) 2005-06-06 2009-07-29 シャープ株式会社 光集積モジュールおよび光ピックアップ装置
JP2009147032A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Panasonic Corp 半導体装置および光ピックアップ装置
JP2009200463A (ja) * 2008-01-23 2009-09-03 Panasonic Corp 半導体装置
JP2010074142A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Panasonic Corp 半導体装置及びそれを用いた電子機器
DE102010003034A1 (de) * 2010-03-18 2011-09-22 Vertilas Gmbh Leuchteinheit
JP5541109B2 (ja) * 2010-11-19 2014-07-09 株式会社リコー 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置
US10295768B2 (en) * 2016-07-08 2019-05-21 Finisar Corporation Chip on leadframe optical subassembly
CN108390255A (zh) * 2018-02-22 2018-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光学次模块及光模块
JP6784312B2 (ja) * 2019-07-02 2020-11-11 日亜化学工業株式会社 光部品及びその製造方法ならびに発光装置及びその製造方法
CN112018594A (zh) * 2020-07-31 2020-12-01 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种光源投射器及其制作方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143443A (ja) 1982-02-19 1983-08-26 Sony Corp 半導体レ−ザを用いた光学装置
JP2565160B2 (ja) * 1987-04-10 1996-12-18 ソニー株式会社 発光装置
DE68912512T2 (de) * 1988-10-28 1994-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Halbleiterlaser-Vorrichtung.
JP2951077B2 (ja) * 1991-11-06 1999-09-20 ローム株式会社 モールド型半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH05190949A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Rohm Co Ltd レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路
EP0664586A1 (en) * 1994-01-20 1995-07-26 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed laser diode device
JPH07335980A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
US5825054A (en) * 1995-12-29 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser
JPH11154343A (ja) 1997-11-21 1999-06-08 Sony Corp レーザー光源の筺体及び発光装置
US6069905A (en) * 1997-12-31 2000-05-30 Honeywell Inc. Vertical cavity surface emitting laser having intensity control
EP1169757A1 (en) * 1999-03-19 2002-01-09 Cielo Communications, Inc. Vcsel power monitoring system using plastic encapsulation techniques
JP4577941B2 (ja) * 1999-04-05 2010-11-10 東レエンジニアリング株式会社 チップ実装方法及びその装置
JP2001068778A (ja) 1999-08-30 2001-03-16 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2001144362A (ja) * 1999-11-15 2001-05-25 Sigma Koki Kk 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2001223424A (ja) 2000-02-10 2001-08-17 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光源ユニット
JP3959920B2 (ja) * 2000-02-22 2007-08-15 ヤマハ株式会社 レーザダイオード駆動回路
JP2001284695A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2003163405A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Sony Corp ２波長半導体レーザ素子およびそれに用いられる非点補正板ならびにその配置方法
DE10250986B4 (de) * 2002-10-28 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100576881B1 (ko) * 2005-01-03 2006-05-10 삼성전기주식회사 반도체 레이저 다이오드장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
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