JPH05129730A - モールド型半導体レーザ装置 - Google Patents
モールド型半導体レーザ装置Info
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- JPH05129730A JPH05129730A JP3290118A JP29011891A JPH05129730A JP H05129730 A JPH05129730 A JP H05129730A JP 3290118 A JP3290118 A JP 3290118A JP 29011891 A JP29011891 A JP 29011891A JP H05129730 A JPH05129730 A JP H05129730A
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- laser chip
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップ５の部分を、合成樹脂製
のモールド部１４で密封したモールド型の半導体レーザ
装置において、そのモールド部１４に対して設けた透明
板１２から発射されるレーザ光線のビーム特性を、複数
個の半導体レーザ装置について安定化する。 【構成】 前記半導体レーザチップ５をマウントした支
持板１に、前記半導体レーザチップ５における前方劈開
面と平行な平面１１を備えた取付け片１０を、当該取付
け片１０における平面１１が前記モールド部１４の表面
に露出するように一体的に設けて、この取付け片１０に
おける平面１１に、前記透明板１２を接当する。
のモールド部１４で密封したモールド型の半導体レーザ
装置において、そのモールド部１４に対して設けた透明
板１２から発射されるレーザ光線のビーム特性を、複数
個の半導体レーザ装置について安定化する。 【構成】 前記半導体レーザチップ５をマウントした支
持板１に、前記半導体レーザチップ５における前方劈開
面と平行な平面１１を備えた取付け片１０を、当該取付
け片１０における平面１１が前記モールド部１４の表面
に露出するように一体的に設けて、この取付け片１０に
おける平面１１に、前記透明板１２を接当する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光線の発光素子
として、半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装
置のうち、前記半導体レーザチップの部分を合成樹脂製
のモールド部にて封止したいわゆるモールド型半導体レ
ーザ装置の改良に関するものである。
として、半導体レーザチップを使用した半導体レーザ装
置のうち、前記半導体レーザチップの部分を合成樹脂製
のモールド部にて封止したいわゆるモールド型半導体レ
ーザ装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のモールド型半導体レーザ
装置は、例えば、特開昭６４−２８８８２号公報等に記
載され、且つ、図１０及び図１１に示すように、第１リ
ード端子Ｂを備えた支持板Ａに対してマウントした半導
体レーザチップＣの部分を、透光性を有する合成樹脂製
のモールド部Ｄにて封止し、前記モールド部Ｄのうち前
記半導体レーザチップＣにおける前方劈開面からのレー
ザ光線Ｅが発射される部分に、ガラス板等の透明板Ｆを
装着することによって、レーザ光線Ｅをコーヒレントな
状態で発射するようにしている。なお、符号Ｇ，Ｈは、
前記第２及び第３リード端子を示す。
装置は、例えば、特開昭６４−２８８８２号公報等に記
載され、且つ、図１０及び図１１に示すように、第１リ
ード端子Ｂを備えた支持板Ａに対してマウントした半導
体レーザチップＣの部分を、透光性を有する合成樹脂製
のモールド部Ｄにて封止し、前記モールド部Ｄのうち前
記半導体レーザチップＣにおける前方劈開面からのレー
ザ光線Ｅが発射される部分に、ガラス板等の透明板Ｆを
装着することによって、レーザ光線Ｅをコーヒレントな
状態で発射するようにしている。なお、符号Ｇ，Ｈは、
前記第２及び第３リード端子を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のモ
ールド型半導体レーザ装置において、その透明板Ｆから
発射されるレーザ光線Ｅのビーム特性は、当該透明板Ｆ
から半導体レーザチップＣにおける前方劈開面までの取
付け寸法Ｌ、及び当該透明板Ｆの半導体レーザチップＣ
における前方劈開面からのレーザ光線Ｅの軸線に対する
取付け角度の影響を受けるものであるから、前記レーザ
光線Ｅのビーム特性を複数個の半導体レーザ装置につい
て同じにするためには、前記透明板Ｆを、半導体レーザ
チップＣにおける前方劈開面から発射されるレーザ光線
Ｅの軸線に対して正しく直角にすると共に、半導体レー
ザチップＣにおける前方劈開面からの寸法Ｌを一定にし
た状態で装着することが必要である。
ールド型半導体レーザ装置において、その透明板Ｆから
発射されるレーザ光線Ｅのビーム特性は、当該透明板Ｆ
から半導体レーザチップＣにおける前方劈開面までの取
付け寸法Ｌ、及び当該透明板Ｆの半導体レーザチップＣ
における前方劈開面からのレーザ光線Ｅの軸線に対する
取付け角度の影響を受けるものであるから、前記レーザ
光線Ｅのビーム特性を複数個の半導体レーザ装置につい
て同じにするためには、前記透明板Ｆを、半導体レーザ
チップＣにおける前方劈開面から発射されるレーザ光線
Ｅの軸線に対して正しく直角にすると共に、半導体レー
ザチップＣにおける前方劈開面からの寸法Ｌを一定にし
た状態で装着することが必要である。
【０００４】しかし、従来におけるモールド型半導体レ
ーザ装置は、前記透明板Ｆを、半導体レーザチップＣの
部分にこれを封止するモールド部Ｄを成形するに際して
このモールド部Ｄの内部に埋設するか、前記モールド部
Ｄの成形後において当該モールド部Ｄの表面に接着する
と言う構成にしており、換言すると、前記透明板Ｆを、
半導体レーザチップＣをマウントする支持板Ａに対し
て、当該支持板Ａに成形したモールド部Ｄを介して取付
ける構成にしている。
ーザ装置は、前記透明板Ｆを、半導体レーザチップＣの
部分にこれを封止するモールド部Ｄを成形するに際して
このモールド部Ｄの内部に埋設するか、前記モールド部
Ｄの成形後において当該モールド部Ｄの表面に接着する
と言う構成にしており、換言すると、前記透明板Ｆを、
半導体レーザチップＣをマウントする支持板Ａに対し
て、当該支持板Ａに成形したモールド部Ｄを介して取付
ける構成にしている。
【０００５】このために、半導体レーザチップＣを、そ
の支持板Ａに対して正しく位置決めしてマウントしたと
しても、この半導体レーザチップＣと、前記モールド部
Ｄに対して取付けた透明板Ｆとの間には、その間におけ
る間隔寸法Ｌに大きい寸法誤差が存在すると共に、前記
透明板Ｆのレーザ光線Ｅの軸線に対する直角度にも大き
い誤差が存在すると言うように、透明板Ｆの半導体レー
ザチップＣに対する取付け寸法及び取付け角度の精度が
低くて、その取付け寸法誤差及び取付け角度誤差が大き
いから、前記透明板Ｆから発射されるレーザ光線におけ
るビーム特性が、複数個の半導体レーザ装置について、
大きくバラ付くと言う問題があった。
の支持板Ａに対して正しく位置決めしてマウントしたと
しても、この半導体レーザチップＣと、前記モールド部
Ｄに対して取付けた透明板Ｆとの間には、その間におけ
る間隔寸法Ｌに大きい寸法誤差が存在すると共に、前記
透明板Ｆのレーザ光線Ｅの軸線に対する直角度にも大き
い誤差が存在すると言うように、透明板Ｆの半導体レー
ザチップＣに対する取付け寸法及び取付け角度の精度が
低くて、その取付け寸法誤差及び取付け角度誤差が大き
いから、前記透明板Ｆから発射されるレーザ光線におけ
るビーム特性が、複数個の半導体レーザ装置について、
大きくバラ付くと言う問題があった。
【０００６】本発明は、半導体レーザチップの部分を合
成樹脂製のモールド部で密封して成るモールド型の半導
体レーザ装置において、そのモールド部に、レーザ光線
をコーヒレントな状態で発射するために透明板を装着す
るに際して、この透明板の取付け寸法及び取付け角度の
精度を確実に向上することを技術的課題とするものであ
る。
成樹脂製のモールド部で密封して成るモールド型の半導
体レーザ装置において、そのモールド部に、レーザ光線
をコーヒレントな状態で発射するために透明板を装着す
るに際して、この透明板の取付け寸法及び取付け角度の
精度を確実に向上することを技術的課題とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、半導体レーザチップの部分を、当該半
導体レーザチップをマウントする支持板と一緒に、合成
樹脂製のモールド部にて密封する一方、前記モールド部
のうち前記半導体レーザチップの前方劈開面と対向する
部分にガラス板等の透明板を設けて成る半導体レーザ装
置において、前記支持板に、前記半導体レーザチップに
おける前方劈開面と平行な平面を備えた取付け片を、当
該取付け片における平面が前記モールド部の表面に露出
するように一体的に設けて、この取付け片における平面
に、前記ガラス等の透明板を接当する構成にした。
るため本発明は、半導体レーザチップの部分を、当該半
導体レーザチップをマウントする支持板と一緒に、合成
樹脂製のモールド部にて密封する一方、前記モールド部
のうち前記半導体レーザチップの前方劈開面と対向する
部分にガラス板等の透明板を設けて成る半導体レーザ装
置において、前記支持板に、前記半導体レーザチップに
おける前方劈開面と平行な平面を備えた取付け片を、当
該取付け片における平面が前記モールド部の表面に露出
するように一体的に設けて、この取付け片における平面
に、前記ガラス等の透明板を接当する構成にした。
【０００８】
【発明の作用・効果】ガラス板等の透明板を設けるに際
して、この透明板を、前記のように、半導体レーザチッ
プの支持板に一体的に設けた取付け片における平面に対
して接当することにより、半導体レーザチップをマウン
トした支持板に対する透明板の相対な位置及び角度関係
を、取付け片によって、一定に規制することができるか
ら、前記透明板と半導体レーザチップとの間における寸
法誤差及び角度誤差を、従来のように、透明板を、モー
ルド部を介して半導体レーザチップの支持板に取付ける
場合よりも、大幅に低減できて、透明板の取付け寸法及
び取付け角度の精度を向上できるのである。
して、この透明板を、前記のように、半導体レーザチッ
プの支持板に一体的に設けた取付け片における平面に対
して接当することにより、半導体レーザチップをマウン
トした支持板に対する透明板の相対な位置及び角度関係
を、取付け片によって、一定に規制することができるか
ら、前記透明板と半導体レーザチップとの間における寸
法誤差及び角度誤差を、従来のように、透明板を、モー
ルド部を介して半導体レーザチップの支持板に取付ける
場合よりも、大幅に低減できて、透明板の取付け寸法及
び取付け角度の精度を向上できるのである。
【０００９】従って、本発明によると、レーザ光線のビ
ーム特性を、複数個の半導体レーザ装置について、安定
化することができて、ビーム特性のバラ付きを確実に低
減できる効果を有する。
ーム特性を、複数個の半導体レーザ装置について、安定
化することができて、ビーム特性のバラ付きを確実に低
減できる効果を有する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面（図１〜図３）
について説明する。この図において符号１は、第１リー
ド端子２を備えた支持板を示し、この支持板１の上面
に、上面の一部にモニター用ホォトダイオード４を備え
たサブマウント３が固着され、このサブマウント３の上
面には、半導体レーザチップ５が、当該半導体レーザチ
ップ５における前方劈開面５ａからのレーザ光線Ｅが、
前記第１リード端子２とは反対の方向に発射するように
横向きに固着されている。
について説明する。この図において符号１は、第１リー
ド端子２を備えた支持板を示し、この支持板１の上面
に、上面の一部にモニター用ホォトダイオード４を備え
たサブマウント３が固着され、このサブマウント３の上
面には、半導体レーザチップ５が、当該半導体レーザチ
ップ５における前方劈開面５ａからのレーザ光線Ｅが、
前記第１リード端子２とは反対の方向に発射するように
横向きに固着されている。
【００１１】また、前記サブマウント３の上面には、前
記半導体レーザチップ５における後方劈開面５ｂから発
射されるモニター用レーザ光線を前記モニター用ホォト
ダイオード４に導くための透光性合成樹脂製の導波体６
が形成され、更にまた、前記第１リード端子２の左右両
側には、前記半導体レーザチップ５及び前記モニター用
ホォトダイオード４に対する第２及び第３リード端子
７，８が平行に配設されている。
記半導体レーザチップ５における後方劈開面５ｂから発
射されるモニター用レーザ光線を前記モニター用ホォト
ダイオード４に導くための透光性合成樹脂製の導波体６
が形成され、更にまた、前記第１リード端子２の左右両
側には、前記半導体レーザチップ５及び前記モニター用
ホォトダイオード４に対する第２及び第３リード端子
７，８が平行に配設されている。
【００１２】前記支持板１の先端部には、抜き孔９を備
えた取付け片１０を上向きに折り曲げるようにして一体
的に設けて、この取付け片１０における外側面を、前記
半導体レーザチップ５における前方劈開面５ａと平行な
平面１１に形成して、この平面１１に対して、ガラス板
等の透明板１２を、接着剤又はガラス用金属半田等によ
り固着する。
えた取付け片１０を上向きに折り曲げるようにして一体
的に設けて、この取付け片１０における外側面を、前記
半導体レーザチップ５における前方劈開面５ａと平行な
平面１１に形成して、この平面１１に対して、ガラス板
等の透明板１２を、接着剤又はガラス用金属半田等によ
り固着する。
【００１３】そして、前記半導体レーザチップ５、サブ
マウント３及び支持板１の部分に対して、シリコン樹脂
等のように比較的軟らかい透光性樹脂１３を塗着したの
ち、それらの全体を、エポキシ樹脂等の合成樹脂製のモ
ールド部１４にて封止するのである。このように、半導
体レーザチップ５をマウントした支持板１に、前記半導
体レーザチップ５における前方劈開面５ａと平行な平面
１１を備えた取付け片１０を一体的に設けて、この取付
け片１０における平面１１に対してガラス板等の透明板
１２を固着すると言う構成にしたことにより、前記透明
板１２の半導体レーザチップ５をマウントした支持板１
に対する相対な位置及び角度関係を、一定に規制するこ
とができるから、前記透明板１２と半導体レーザチップ
５との間における寸法誤差及び角度誤差を、従来のよう
に、透明板１２を、モールド部１４を介して半導体レー
ザチップ５の支持板１に取付ける場合よりも、大幅に低
減できて、透明板１２における取付け寸法及び取付け角
度の精度を確実に向上できるのである。
マウント３及び支持板１の部分に対して、シリコン樹脂
等のように比較的軟らかい透光性樹脂１３を塗着したの
ち、それらの全体を、エポキシ樹脂等の合成樹脂製のモ
ールド部１４にて封止するのである。このように、半導
体レーザチップ５をマウントした支持板１に、前記半導
体レーザチップ５における前方劈開面５ａと平行な平面
１１を備えた取付け片１０を一体的に設けて、この取付
け片１０における平面１１に対してガラス板等の透明板
１２を固着すると言う構成にしたことにより、前記透明
板１２の半導体レーザチップ５をマウントした支持板１
に対する相対な位置及び角度関係を、一定に規制するこ
とができるから、前記透明板１２と半導体レーザチップ
５との間における寸法誤差及び角度誤差を、従来のよう
に、透明板１２を、モールド部１４を介して半導体レー
ザチップ５の支持板１に取付ける場合よりも、大幅に低
減できて、透明板１２における取付け寸法及び取付け角
度の精度を確実に向上できるのである。
【００１４】そして、この構成のモールド型半導体レー
ザ装置は、以下に述べるような方法を採用することがで
きる。すなわち、図４に示すように、支持板１から延び
る第１リード端子２、その両側における第２及び第３リ
ード端子７，８を、長手方向に適宜間隔で造形して成る
リードフレーム１５を用意し、このリードフレーム１５
をその長手方向に沿って移送する途中において、先づ、
各支持板１の先端部における取付け片１０を、図５に示
すように、上向きに折り曲げし、次いで、各支持板１の
上面に、図６に示すように、サブマウント３及び半導体
レーザチップ５をマウントしたのち、これらの相互間及
びこれらと各リード端子７，８との相互間を金属線にて
ワイヤーボンディングする。
ザ装置は、以下に述べるような方法を採用することがで
きる。すなわち、図４に示すように、支持板１から延び
る第１リード端子２、その両側における第２及び第３リ
ード端子７，８を、長手方向に適宜間隔で造形して成る
リードフレーム１５を用意し、このリードフレーム１５
をその長手方向に沿って移送する途中において、先づ、
各支持板１の先端部における取付け片１０を、図５に示
すように、上向きに折り曲げし、次いで、各支持板１の
上面に、図６に示すように、サブマウント３及び半導体
レーザチップ５をマウントしたのち、これらの相互間及
びこれらと各リード端子７，８との相互間を金属線にて
ワイヤーボンディングする。
【００１５】そして、前記各支持板１の取付け片１０に
おける平面１０ａに対して、図７に示すように、透明板
１２を固着し、導波体６を形成したのち透光性樹脂１３
を塗着し、次いで、図示しない上下一対の金型に挟み付
けて、図８に示すように、モールド部１４を成形したの
ち、リードフレーム１５から切り放しするのである。な
お、本発明において、透明板が接当する平面を備えた取
付け片は、前記実施例のように、支持板１の先端部に抜
き孔９を備えた取付け片１０を一体的に設けて、これを
上向きに折り曲げるように構成したものに限らず、図９
に示すように、支持板１の左右両側に取付け片１０ａを
設けて、この両取付け片１０ａを上向きに折り曲げて、
その先端面を平面１１ａとする等、他の形態に構成して
も良く、また、製造に際しては、モールド部１４の成形
を先に行ったのち、透明板１２を固着するようにしても
良いのである。
おける平面１０ａに対して、図７に示すように、透明板
１２を固着し、導波体６を形成したのち透光性樹脂１３
を塗着し、次いで、図示しない上下一対の金型に挟み付
けて、図８に示すように、モールド部１４を成形したの
ち、リードフレーム１５から切り放しするのである。な
お、本発明において、透明板が接当する平面を備えた取
付け片は、前記実施例のように、支持板１の先端部に抜
き孔９を備えた取付け片１０を一体的に設けて、これを
上向きに折り曲げるように構成したものに限らず、図９
に示すように、支持板１の左右両側に取付け片１０ａを
設けて、この両取付け片１０ａを上向きに折り曲げて、
その先端面を平面１１ａとする等、他の形態に構成して
も良く、また、製造に際しては、モールド部１４の成形
を先に行ったのち、透明板１２を固着するようにしても
良いのである。
【図１】本発明の実施例による半導体レーザ装置の縦断
正面図である。
正面図である。
【図２】図１のII−II視平断面図である。
【図３】図１のIII −III 視断面図である。
【図４】本発明の実施例による半導体レーザ装置の製造
に使用するリードフレームの斜視図である。
に使用するリードフレームの斜視図である。
【図５】前記リードフレームの各支持板の先端における
取付け片を上向きに折り曲げた状態の斜視図である。
取付け片を上向きに折り曲げた状態の斜視図である。
【図６】前記リードフレームの各支持板に半導体レーザ
チップをマウントした状態の斜視図である。
チップをマウントした状態の斜視図である。
【図７】前記リードフレームにおける各支持板に透明板
を固着した状態の斜視図である。
を固着した状態の斜視図である。
【図８】前記リードフレームにおける各支持板の部分に
モールド部を形成した状態の斜視図である。
モールド部を形成した状態の斜視図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す斜視図である。
【図１０】従来におけるモールド型半導体レーザ装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図１１】従来におけるモールド型半導体レーザ装置の
縦断正面図である。
縦断正面図である。
１ 支持板 ２ 第２リード端子 ３ サブマウント ４ モニター用ホォトダイオード ５ 半導体レーザチップ ６ 導波体 ７，８ 第２及び第３リード端子 ９ 抜き孔 １０，１０ａ 取付け片 １１，１１ａ 平面 １２ 透明板 １３ 透光性樹脂 １４ モールド部 １５ リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザチップの部分を、当該半導体
レーザチップをマウントする支持板と一緒に、合成樹脂
製のモールド部にて密封する一方、前記モールド部のう
ち前記半導体レーザチップの前方劈開面と対向する部分
にガラス板等の透明板を設けて成る半導体レーザ装置に
おいて、前記支持板に、前記半導体レーザチップにおけ
る前方劈開面と平行な平面を備えた取付け片を、当該取
付け片における平面が前記モールド部の表面に露出する
ように一体的に設けて、この取付け片における平面に、
前記ガラス等の透明板を接当したことを特徴とするモー
ルド型半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290118A JP2935925B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | モールド型半導体レーザ装置 |
| US07/970,468 US5307362A (en) | 1991-11-06 | 1992-11-02 | Mold-type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290118A JP2935925B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | モールド型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129730A true JPH05129730A (ja) | 1993-05-25 |
| JP2935925B2 JP2935925B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=17752038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3290118A Expired - Fee Related JP2935925B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | モールド型半導体レーザ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6782018B2 (en) | 2002-01-10 | 2004-08-24 | Hitachi, Litd. | Diode laser module and application equipment |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| KR100872747B1 (ko) * | 2007-07-02 | 2008-12-08 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| JP2009187983A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | レーザ素子用フレームパッケージおよびその製造方法 |
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1991
- 1991-11-06 JP JP3290118A patent/JP2935925B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6782018B2 (en) | 2002-01-10 | 2004-08-24 | Hitachi, Litd. | Diode laser module and application equipment |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| JP4713250B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2011-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| KR100872747B1 (ko) * | 2007-07-02 | 2008-12-08 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| JP2009187983A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | レーザ素子用フレームパッケージおよびその製造方法 |
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| JP2935925B2 (ja) | 1999-08-16 |
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