KR20040094318A - 표시장치 - Google Patents

표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040094318A
KR20040094318A KR1020040028133A KR20040028133A KR20040094318A KR 20040094318 A KR20040094318 A KR 20040094318A KR 1020040028133 A KR1020040028133 A KR 1020040028133A KR 20040028133 A KR20040028133 A KR 20040028133A KR 20040094318 A KR20040094318 A KR 20040094318A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sample hold
field effect
effect transistor
current
drain
Prior art date
Application number
KR1020040028133A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101045242B1 (ko
Inventor
야마시타주니치
우치노가츠히데
야마모토데트로
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20040094318A publication Critical patent/KR20040094318A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101045242B1 publication Critical patent/KR101045242B1/ko

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B21/00—Common features of fluid actuator systems; Fluid-pressure actuator systems or details thereof, not covered by any other group of this subclass
    • F15B21/001—Servomotor systems with fluidic control
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3283—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data current for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B11/00—Servomotor systems without provision for follow-up action; Circuits therefor
    • F15B11/02—Systems essentially incorporating special features for controlling the speed or actuating force of an output member
    • F15B11/028—Systems essentially incorporating special features for controlling the speed or actuating force of an output member for controlling the actuating force
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B21/00—Common features of fluid actuator systems; Fluid-pressure actuator systems or details thereof, not covered by any other group of this subclass
    • F15B21/04—Special measures taken in connection with the properties of the fluid
    • F15B21/042—Controlling the temperature of the fluid
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B21/00—Common features of fluid actuator systems; Fluid-pressure actuator systems or details thereof, not covered by any other group of this subclass
    • F15B21/14—Energy-recuperation means
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B2211/00—Circuits for servomotor systems
    • F15B2211/20—Fluid pressure source, e.g. accumulator or variable axial piston pump
    • F15B2211/205—Systems with pumps
    • F15B2211/20507—Type of prime mover
    • F15B2211/20515—Electric motor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

다른 회로의 샘플링 기간도，정전류원으로서 기능하는 출력 트랜지스터의 드레인 전위를 일정하게 유지 할 수 있고，출력 트랜지스터의 게이트전위의 리크에 의한 변화를 억제하는 것이 가능하고，출력단의 전류치 불균일이 없고, 균일한 전류원을 얻을 수 있고，스캔 종료부를 향하고 휘도 얼룩이 발생하지 않는 고품위한 화상을 표시하는 것이 가능한 표시장치를 제공한다.
자단의 샘플 홀드가 종료되어，타단이 샘플 홀드 행하고 있는 기간에，예를 들면 샘플 홀드가 종료된 전류 샘플 홀드 회로(1031-1)는，리크 제거 회로를 작동시키고 TFT125-1에 의해서는 샘플링된 전류(Iin)에 상당한 정전류를 노드(ND121-1)에 흐르도록 구성한다.

Description

표시장치{Display Apparatus}
본 발명은, 유기 EL(Electroluminescence) 디스플레이 등의, 전류치에 의해휘도가 제어되는 전기 광학소자를 갖는 화소 회로가 매트릭스 형으로 배열된 화상 표시장치 중, 특히 각 화소회로 내부에 설치된 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터에 의해 전기 광학소자에 흐르는 전류치가 제어되는，이른바 액티브 매트릭스형 화상 표시장치에 관한 것이다.
화상 표시장치，예를 들면 액정 디스플레이 등에서는，다수의 화소를 매트릭스 형으로 나열하고, 표시해야 할 화상 정보에 따라 화소마다 광 강도를 제어함으로써 화상을 표시한다.
이것은 유기 EL디스플레이 등에 있어도 동일하지만, 유기 EL디스플레이는 각 화소회로에 발광 소자를 갖는，이른바 자발광형의 디스플레이이고，액정 디스플레이와 비교하여 화상의 시인(視認)성이 높고，백라이트가 불필요하고，응답 속도가 빠르다는 등의 이점을 갖는다.
또，각 발광소자의 휘도는 그것에 흐르는 전류치에 의해 제어함으로써 발색의 계조(階調)를 얻고，즉 발광소자가 전류 제어형이라는 점에서 액정 디스플레이 등과는 크게 다르다.
유기 EL디스플레이에 있어서는，액정 디스플레이와 동일하게, 그 구동 방식으로서 단순 매트릭스 방식과 액티브 매트릭스 방식이 가능하지만, 전자는 구조가 단순한 것이긴 하지만，대형 또는 고정밀의 디스플레이의 실현이 어려운 등의 문제가 있다.
이 때문에，각 화소회로 내부의 발광소자에 흐르는 전류를 ，화소회로 내부에 설치한 능동 소자，일반적으로는 TFT(Thin Film Transistor，박막 트랜지스터)에 의해 제어하는，액티브 매트릭스 방식의 개발이 번창하게 행해지고 있다.
도 9는 ，전류 구동방식을 채용한 유기 EL표시장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
이 표시장치(1)는, 도 9에 나타낸 바와 같이，화소회로(PXLC)(2a)가 ｍ ×n의 매트릭스 형으로 배열된 화소 어레이부(2)，수평 셀렉터(HSEL)(3)，라이트 스캐너(WSCN)(4)，드라이브 스캐너(DSCN)(5)，수평 셀렉터(3)에 의해 선택되고 휘도정보에 따른 데이터 신호가 공급된 데이터선(DTL1∼DTLn)，라이트 스캐너(4)에 의해 선택 구동된 주사선(WSL1∼WSLm) 및 드라이브 스캐너(5)에 의해 선택 구동된 구동선(DSL1∼DSLm)을 갖는다.
도 10은, 도 9의 화소 회로(2a)의 일 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 10의 화소회로(2a)는, p채널 박막 전계효과 트랜지스터(이하，TFT라고 함）(11)∼TFT(14)，캐패시터(C11)，발광소자인　유기 EL소자(OLED）(15)를 갖는다． 또，도 10에 있어서，DTL은 입력 신호가 전류로서 전파되는 데이터선을 나타내고 있다.
유기 EL소자는 대부분의 경우 정류성이 있기 때문에，OLED(Organic Light Emitting Diode)라고 불리는 것이 있고, 도 10 그 외에서는 발광소자로서 다이오드의 기호를 이용하고 있지만, 이하의 설명에 있어 OLED에는 반드시 정류성을 요구하는 것은 아니다.
도 10에서는 TFT(11)의 소스가 전원 전위 Vcc(전원 전압 Vcc의 공급 라인)에 접속되어，발광 소자(15)의 캐소드(음극)는 접지 전위 GND에 접속되고 있다. 도10의 화소 회로(2a)의 동작은 이하와 같다.
입력 신호(전류신호)(SI)의 기입시에는，TFT(12)를 비도통으로 유지한 상태에서, TFT(13)，TFT(14)를 도통 상태로 유지한다.
이것에 의해，구동(드라이브）트랜지스터인　TFT(11)에 신호 전류에 따른 전류가 흐른다.
이 때，TFT(11)의 게이트와 드레인은 도통 상태에 있는 TFT(13)에 의해 전기적으로 접속되고 있고，TFT(11)는 포화 영역에서 구동하고 있다.
따라서，하기식(1)에 기초하여 입력 전류에 상당한 게이트 전압이 기입되어，화소 용량인 캐패시터(C11)로 유지된다.
그 후，TFT(14)를 비도통 상태로 유지하고，TFT(12)를 도통 상태로 유지한다.
이것에 의해，입력 신호 전류에 따른 전류가 TFT(12)와 발광 소자(15)에 흐르고，발광 소자(15)는 그 전류치에 따른 휘도로 발광한다.
상기와 같이，TFT(14)를 도통시키고 데이터선에 부여받은 휘도정보를 화소내부에 전하는 조작을, 이하「기입」이라고 부른다.
이 화소 회로(2a)에서는，드라이브 트랜지스터(11)의 임계치(Vth)나 이동도(μ)의 불균일이 보정된다.
Ｉds＝1/2·μ(W/L）Cox(Vgs－｜Vth｜）2
여기서, μ는 캐리어의 이동도를, Cox는 단위 면적당의 게이트 용량을, W는게이트 폭을, L은 게이트 길이를, Vgs는 TFT(11)의 게이트·소스간 전압을 ，Vth는 TFT(11)의 임계치(Vth)를 각각 나타내고 있다.
이 방식에서는, 영상 신호가 전류치 Iin로서 패널의 수평 셀렉터(3)에 입력된다． 입력된 전류 신호는, 수평 셀렉터(3)에 샘플 홀드 되어，전단이 샘플홀드 된 후에, 동시에 화소가 접속된 데이터 선(DTL)에 전류치가 출력된다.
도 11은, 수평 셀렉터(3)의 주요 부분의 구성을 나타내는 회로도이다.
수평 셀렉터(3)는, 도 11에 나타낸 바와 같이，화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되어，휘도 정보에 따른 데이터 신호가 공급된 데이터 선(DTL1, DTL2, ∼ , DTLn)에 대응하여 설치되었고，전류 샘플 홀드회로(31-1, 31-2, ∼ , 31-n)와, n채널 TFT로 이루는 수평스위치(HSW)(32-1, 32-2, ∼ , 32-n)를 갖고 있다.
전류 샘플 홀드회로(31-1)는, 도 11에 나타낸 바와 같이，TFT33-1, TFT34-1, TFT35-1，캐패시터(C31-1) 및 노드(ND31-1, ND32-1)를 갖고 있다.
동일하게，전류 샘플 홀드 회로(31-1)는, 도 11에 나타낸 바와 같이，TFT33-2，TFT34-2，TFT35-2，캐패시터(C31-2) 및 노드(ND31-2，ND32-2)를 갖고 있다.
그리고，도시하지 않지만, 전류 샘플 홀드회로(31-n)는, TFT33-n，TFT34-n, TFT35-n，캐패시터(C31-n) 및 노드(ND31-n，ND32-n)를 갖고 있다.
이 수평 셀렉터(3)의 샘플홀드 동작을, 도 12(a)∼(m)에 관련지어 설명한다.
또한，도 12(a)의 SWSH는 수평 스위치의 전환 신호를 나타내고 있다． 또，도 12(h)는 제 1열째의 TFT33-1의 드레인 전위(Vd331)를, 도 12(i)는 제 2열째의TFT33-2의 드레인 전위(VD332)를, 도 12(j)는 제 ｎ열째의 TFT33-ｎ의 드레인 전위(Vd33n)를, 도 12(k)는 제 1열째의 캐패시터(C11-1)의 전위(VC111)를, 도 12(l)는 제 2열째의 캐패시터(C11-2)의 전위(VC112)를, 도 12(m)는 제 ｎ열째의 캐패시터(C11-n)의 전위(VC11n)를, 각각 나타내고 있다.
도 12(a)에 나타낸 바와 같이，전환 신호 SWSH를 저레벨로서 전(全)수평 스위치(HSW)를 오프 시킨 상태에서, 도 12(b)，(c)에 나타낸 바와 같이，제 １열째의 전류 샘플 홀드회로(31-1)의 TFT34-1，35-1가 접속된 샘플 홀드선(SHL31-1, 32-1)을 고레벨로서, TFT34-1，35-1을 도통 상태로 한다(온 시킨다).
이 때，입력 신호 전류 Iin이 전류 샘플 홀드 회로(31-1) 내에 흐른다． 이 때，TFT33-1은, TFT34-1을 경유하고 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에서 동작한다． 그 게이트 전압은 상기 식 １에 근거하여 결정되고，도 12(k)에 나타낸 바와 같이，캐패시터(C31-1)로 유지된다.
소정의 게이트 전압이 캐패시터(C31-1)에 기입된 후에, 샘플 홀드선(SHL31-1)을 저 레벨로서 TFT34-1를 비도통 상태로 하여, 그 후에 샘플 홀드선(SHL32-1)을 저레벨로서 TFT35-1을 비도통 상태로 한다.
다음에，동일하게，도 12(d)，(e)에 나타낸 바와 같이，제 2열째의 전류 샘플 홀드회로(31-2)의 TFT34-2，35-2가 접속된 샘플 홀드 선(SHL31-2, 32-2)을 고레벨로서, TFT34-2，35-2를 도통 상태로 한다(온 시킨다).
이 때，입력 신호 전류 Iin이 전류 샘플 홀드 회로(31-2) 내로 흐른다． 이 때，TFT33-2는 ，TFT34-2를 경유하여 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에 동작한다． 그 게이트 전압은 상기 식 １에 근거하여 결정되고，도 12(l)에 나타낸 바와 같이，캐패시터(C31-2)로 유지된다.
소정의 게이트 전압이 캐패시터(C31-2)에 기입된 후에, 샘플 홀드선(SHL31-2)을 저레벨로서 TFT34-2를 비도통 상태로 하여, 그 후에 샘플 홀드선(SHL32-2)을 저레벨로서 TFT35-2를 비도통 상태로 한다.
이하，인접 샘플 홀드 회로가 순차적으로 동작해 가고，모든 회로에 영상 신호(Iin)가 점 순차적으로 샘플 홀드 된다.
그 후，도 12(a)에 나타내는 바와 같이，수평 스위치(HSW)가 전단 동시에 온 되어，TFT33-1∼TFT33-n가 정전류원으로서 기능하여, 도 13에 나타내는 바와 같이，샘플 홀드 된 전류치가 각 데이터선(DTL1∼DTLn)에 출력된다.
그렇지만，상술한 수평 셀렉터(3)에 있어서는，정전류원으로서 기능하는 TFT33(-1∼-n)의 드레인 전위，특히，샘플 홀드 동작이 먼저 행해지는 TFT33의 드레인 전위가 강하하고，일정하게 유지 할 수 없다라는 불이익이 있다.
이 과제에 대해서 또한 상세히 설명한다.
여기에서，제 １열째의 전류 샘플 홀드 회로(31-1)의 샘플 홀드 때의 각 노드의 전위를 조사한다.
전류 샘플 홀드 회로(31-1)에서는，도 14(a)에 나타내는 바와 같이，TFT35-1가 비도통 상태로 유지되고 입력 전류(Iin)가 샘플 홀드 된다． 이 기간중，TFT33-1은 온 하여 계속하고 있기 때문에，TFT33-1의 드레인 전위(ND31-1의 전위)는 공급원이 없어지고，접지 전위 GND레벨까지 하강해 버린다.
이 때 TFT34-1에 주목한다． TFT34-1은 오프 하고 있고，캐패시터(C31-1)에는 전류(Iin)에 상당한 게이트 전위가 유지되고 있다.
그렇지만，노드(ND31-1)의 전위가 접지전위 GND레벨까지 떨어지는 것으로 ，TFT34-1에는，도 14(b)에 나타낸 바와 같이，드레인·소스간 전압(Vds)이 인가되어 버리고，TFT34-1에는 리크 전류가 흐른다． 이 리크 전류가 캐패시터(C31-1)로부터 흘러나오는 것으로，TFT33-1의 게이트 전압은 감소해 버린다． 이것에 의해，TFT33-1의 게이트·소스간 전압(Vgs)은 샘플 홀드 때보다도 감소하게 되며，그 후 수평 스위치(HSW)가 온 하여 포화영역이 되었다고 하여도, 전류(Iin) 보다 작은 전류치밖에 흐르지 않게 되어 버린다. 이 리크 양은 리크 시간에 비례한다.
샘플 홀드회로는 상술한 바와 같이 점 순차적으로 동작하기 때문에，스캔 개시부와 스캔 종료부에서는，각 용량에 게이트전위가 유지되고 있는 시간이 다르다． 즉，도 12(k)∼(l)에 나타낸 바와 같이，스캔 개시부에서는 종료부에 비하여 유지시간이 길어진다.
그 때문에, 스캔 개시부에서는 리크 시간도 길어지고，게이트 전압 강하량이 스캔 종료부에 비하여크게 된다． 결국，화면 전체에 단색의 래스터 표시를 하였다고 하여도, 도 15에 나타내는 바와 같이，스캔 종료부로 향하여 휘도가 그라데이션(gradation)해 버린다.
특히，유기 EL등을 구동한 TFT에서는 리크 전류가 높기 때문에，이 문제는현저하게 나타난다.
이 문제점은 유기 EL에 상관없이，전류의 샘플을 행한 장면에서는 어떤 때도 문제가 된다.
예를 들면，전류를 점 순차적으로 샘플링 하여, 일괄로 출력한 경우에는 동일한 이유로 샘플링 개시부와 종료부로 출력의 전류치가 다르게 되버린다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하고 이루어진 것이고, 그 목적은, 다른 회로의 샘플링 기간도, 정전류원으로서 기능하는 출력 트랜지스터의 드레인 전위를 일정하게 유지할 수 있고，출력 트랜지스터의 게이트 전위의 리크에 의한 변화를 억제하는 것이 가능하고，출력단의 전류치 불균일이 없는, 균일한 전류원을 얻을 수 있고，스캔 종료부로 향하고 휘도 얼룩이 발생하지 않는 고품위한 화상을 표시하는 것이 가능한 표시장치를 제공한 것에 있다.
도 1은 본 발명에 관계되는 유기 EL표시장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 유기 EL표시장치에 있어 본 실시 형태에 관계되는 화소 회로의 구체적인 구성을 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 제 １의 실시형태에 관계되는 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 4는 본 제 １의 실시형태의 이점을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 제 2실시형태에 관계되는 전류 구동 방식을 채용한 유기 EL표시장치의 구성예를 나타내는 블록도이다.
도 6은 본 제 2실시형태의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 화소 회로 및 전류 샘플 홀드 회로의 다른 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 8은 화소 회로 및 전류 샘플 홀드 회로의 또한 다른 구성예를 나타내는 회로도이다．
도 9는 일반적인 유기 ＥＬ 표시장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 10은 도 ９의 화소 회로의 일 구성예를 나타내는 회로도이다.
도 11은 도 ９의 수평 셀렉터의 주요 부분의 구체적인 구성을 나타내는 회로이다.
도 12는 도 １１의 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
도 13은 도 １１의 회로의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 １１의 회로의 과제를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 도 １１의 회로의 과제를 설명하기 위한 도면이다.
[부호의 설명]
100 … 표시장치 101 … 화소 회로(PXLC）
102 … 화소 어레이 부 103, 103A … 수평 셀렉터(HSEL)
1031－1 ∼ 1031－n … 전류 샘플 홀드회로
104 …라이트 스캐너(WSCN) 105 … 드라이브 스캐너(DSCN)
111∼114 …TFT 115 …발광 소자
121(-1∼n)∼127(-1∼n）…TFT
DTL101∼DTL10n …데이터 선 WSL101∼WSL10m …주사선
DSL101∼DSL10m …구동 선 ALZ101∼ALZ10m …오토 제로선
ISL101 …신호 전류의 공급 선
SHL, SHL121(-1∼n)∼124(-1∼n) …샘플 홀드 선
상기 목적을 달성하기 위해 ，본 발명의 제 １의 관점은，영상 신호가 신호 전류로서 공급된 표시장치이고，매트릭스 형으로 복수 배열된 화소 회로와, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되어，휘도 정보에 따른 신호 전류가 공급된 데이터선과，상기 데이터선에 대응하고 설치되어，입력 영상신호 전류를 샘플 홀드 하는 복수의 샘플 홀드회로를 갖고，각 샘플 홀드회로를 순차적으로 동작한다． 모든 샘플 홀드회로에 영상신호를 점 순차적으로 샘플홀드시키고，상기 복수의 샘플홀드 회로에 샘플홀드된 전류치를 대응한 데이터 선에 출력시키는 수평 셀렉터를 갖고，상기 각 샘플 홀드회로는，소스가 소정 전위에 접속된 전계효과 트랜지스터와，상기 전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트와의 사이에 접속된 제 １의 스위치와，상기 전계효과 트랜지스터의 드레인과 상기 신호 전류의 공급선과의 사이에 접속된 제 2의 스위치와，상기 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소정 전위와의 사이에 접속된 캐패시터와，샘플 홀드동작이 종료되어，다른 샘플 홀드회로가 샘플 홀드동작을 행하고 있는 사이에，샘플링 된 신호 전류에 상당한 전류를 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인에 공급한 리크 제거 회로를 갖는다.
호적하게는，상기 리크 제거 회로는，소정 전위와 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인과의 사이에 접속된 다이오드 접속된 트랜지스터와 제 3의 스위치가 직렬로 접속되고 있다.
호적하게는，영상 신호가 신호 전류로서 공급된 표시장치이고，매트릭스 형으로 복수 배열된 화소회로와，상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되어，휘도 정보에 따른 신호 전류가 공급된 데이터선과，상기 데이터선에 대응하고 설치되어，입력 영상신호 전류를 샘플 홀드하는 복수의 샘플 홀드 회로를 갖고，각 샘플 홀드 회로를 순차적으로 동작하게 하여，모든 샘플 홀드 회로에 영상 신호를 점 순차적으로 샘플 홀드하게 하여，상기 복수의 샘플 홀드 회로에 샘플 홀드된 전류치를 대응한 데이터선에 출력시키는 수평 셀렉터를 갖고，상기 각 샘플 홀드 회로는，소스가 소정 전위에 접속된 제 １의 전계 효과 트랜지스터와，소스가 상기 제 １의 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속된 제 2의 전계효과 트랜지스터와，상기 제 2의 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트와의 사이에 접속된 제 １의 스위치와，상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인과 상기 신호 전류의 공급선과의 사이에 접속된 제 2의 스위치와，상기 제 １의 전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트와의 사이에 접속된 제 3의 스위치와，상기 제 1의 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소정 전위와의 사이에 접속된 제 1의 캐패시터와，상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소정 전위와의 사이에 접속된 제 2의 캐패시터와，샘플 홀드 동작이 종료되어，다른 샘플 홀드 회로가 샘플 홀드 동작을 행하고 있는 사이에，샘플링 된 신호 전류에 상당한 전류를 상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인에 공급한 리크 제거 회로를 갖는다.
호적하게는，상기 리크 제거 회로는，소정 전위와 상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인과의 사이에 접속된 다이오드 접속된 트랜지스터와 제 4의 스위치가 직렬로 접속되고 있다.
본 발명에 의하면，예를 들면 제 １열째의 샘플 홀드 회로의 제 １ 및 제 2의 스위치를 도통 상태로 한다(온 시킨다).
이 때，입력 신호 전류가 샘플 홀드 회로 내에 흐른다． 이 때，전계효과 트랜지스터는，제 １의 스위치를 경유하여 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에서 동작한다． 그 게이트 전압은 상기 수학식 １에 근거하여 결정되고，캐패시터에 유지된다.
소정의 게이트 전압이 캐패시터에 기입된 후에，예를 들면 제 １의 스위치를 비도통 상태로 하여, 그 후에 제 2의 스위치를 비도통 상태로 한다.
다음에，동일하게，제 2열째의 샘플 홀드 회로의 제 1 및 제 2의 스위치를 도통 상태로 한다(온 시킨다).
이 때，입력 신호 전류가 제 2열째의 샘플 홀드 회로내에 흐른다． 이 때，전계효과 트랜지스터는，제 １의 스위치를 경유하여 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에서 동작한다． 그 게이트 전압은 상기 수학식 １에 근거하여 결정되고，캐패시터로 유지된다.
소정의 게이트 전압이 캐패시터에 기입된 후에，예를 들면 제 １의 스위치를 비도통 상태로 하여, 그 후에 제 2의 스위치를 비도통 상태로 한다.
이하，인접 샘플 홀드 회로가 순차적으로 동작해 가고，모든 회로에 영상 신호가 점 순차적으로 샘플 홀드 된다.
그리고，자단의 샘플 홀드가 종료하고，타단이 샘플 홀드를 행하고 있는 기간에，예를 들면 샘플 홀드가 종료한 샘플 홀드 회로는，제 3의 스위치를 도통 상태로 한다.
그러면，다이오드 접속되고 있는 트랜지스터는，전계효과 트랜지스터를 포함한 정전류원에 따른 전류(Iin)가 흐른다． 여기에서는 정전류원에는 입력 전류가 샘플 홀드 되어 있기 때문에，다이오드 접속되고 있는 트랜지스터와，정전류원을 구성한 전계효과 트랜지스터에는 전류(Iin)가 흐른다.
이 때，다이오드 접속된 트랜지스터에는 샘플링 된 전류(Iin)에 상당한 정전류가 흐른다． 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하기 때문에，이 트랜지스터의 게이트 전압(드레인 전압)은 수학식 １에 근거하여 동작점이 결정되어진다． 이 게이트 전위는 전계효과 트랜지스터의 드레인 전위와 동등하게 된다.
여기에서，전계효과 트랜지스터의 드레인 전위가 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압에 가능한 동등하게 되도록 다이오드 접속된 트랜지스터 사이즈의 설계를 행한 것으로，제 １의 스위치를 구성하는, 예를 들면 트랜지스터의 소스와 드레인의 전압차를 억제 할 수 있다.
이상에 의해，전류의 점 순차적으로 샘플링에 있어도，스캔 개시와 종료부 블록으로 리크 양을 대부분 변할 수 있고，균일한 출력 전류를 얻을 수 있다.
그 후，전(全)샘플 홀드 회로의 전계효과 트랜지스터가 정전류원으로서 기능 하고, 샘플 홀드된 전류치가 각 데이터선에 병렬적으로 출력된다.
이것에 의해，스캔 종료부에 향하여 휘도 얼룩이 발생하지 않는 고품위한 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
이하，본 발명의 실시 형태를 첨부도면에 관련지어 설명한다.
제 １ 실시 형태
도 １은，본 제 １의 실시형태에 관계된 전류 구동 방식을 채용한 유기 EL표시장치의 구성예를 나타내는 블록도이다.
도 2는，도 1의 유기 EL표시장치에 있어서 본 실시형태에 관계되는 화소 회로 및 수평 셀렉터의 구체적 구성을 나타내는 회로도이다.
이 표시장치(100)는，도 １ 및 도 2에 나타낸 바와 같이，화소 회로（PXLC)(101)이 ｍ ×n의 매트릭스 형으로 배열된 화소 어레이 부(102)，수평 셀렉터(HSEL)(103)，라이트 스캐너(WSCN)(104)，드라이브 스캐너(DSCN)(105)，수평 셀렉터(103)에 의해 선택되고 휘도정보에 따른 데이터신호가 전류신호로서 순차적으로 공급된 데이터선(DTL101∼DTL10n), 라이트 스캐너(104)에 의해 선택 구동된주사선(WSL101∼WSL10m) 및 드라이브 스캐너(105)에 의해 선택 구동된 구동선(DSL101∼DSL10m)을 갖는다.
또한，화소 어레이 부(102)에 있어서，화소 회로(101)는 ｍ ×n의 매트릭스 형으로 배열되지만，도 １에 있어서는 도면의 간단화를 위해 ２ ×3의 매트릭스 형으로 배열한 예를 나타내고 있다.
또，도 2에 있어서는 도면에 간단화를 위해，수평 셀렉터(103)는，제 １열과 제 2열째의 전류 샘플 홀드 회로와 수평 스위치(HSW)만을 기재하고 있지만 제 ｎ열째까지 동일한 구성을 갖는 전류 샘플 홀드 회로가 각(DTL101∼DTL10n)에 대응하여 배치된다.
또，도 2에 있어서도，도면의 간단화를 위해 １개의 화소회로의 구체적인 구성을 나타내고 있다.
본 제 1의 실시형태에 관계된 화소회로(101)는，도 2에 나타내는 바와 같이，p채널 TFT111∼TFT114，캐패시터(C111)，유기 EL소자(OLED：전기 광학 소자)로 이루는 발광 소자(115)，제 １의 노드(ND111) 및 제 2의 노드(ND112)를 갖는다.
또，도 2에 있어서，DTL(101)은 데이터선을，WSL(101)은 주사선을，DSL(101)은 구동선，SHL 샘플 홀드선을 각각 나타내고 있다.
화소 회로(101)에 있어서，전원 전위(Vcc)와 접지 전위(GND)와의 사이에 TFT111，제 １의 노드 ND111，TFT112 및 발광 소자(115)가 직렬로 접속되고 있다.
구체적으로는，드라이브 트랜지스터로서의 TFT111의 소스가 전원전압 Vcc의 공급 라인에 접속되어，드레인이 제 １의 노드(ND111)에 접속되고 있다．TFT112의 소스가 제 １의 노드(ND111)에 접속되어，드레인이 발광 소자(115)의 애노드에 접속되어，발광 소자(115)의 캐소드가 접지 전위(GND)에 접속되고 있다． 그리고，TFT111의 게이트가 제 2의 노드(ND112)에 접속되어，TFT112의 게이트가 제 2의 제어선으로서의 구동 선(DSL101)에 접속되고 있다.
제 １의 노드(ND111)와 제 2의 노드(ND112)에，TFT113 소스·드레인이 접속되고，TFT113의 게이트가 주사선(WSL101)에 접속되고 있다．
캐패시터(C111)의 제 １전극이 제 2의 노드(ND112)에 접속되어，제 ２전극이 전원 전위 Vcc에 접속되고 있다.
데이터선(DTL101)과 제 2의 노드(ND112)에 TFT114의 소스·드레인이 접속되어，TFT114의 게이트가 주사선(WSL101)에 접속되고 있다.
수평 셀렉터(103)는，도 2에 나타낸 바와 같이，화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되어，휘도 정보에 따른 데이터 신호가 공급된 데이터 선(DTL101, DTL102,∼, DTL10n)에 대응하고 설치되었고，전류 샘플 홀드 회로(1031-1, 1031-2,∼, 1031-n)와，ｎ채널 TFT로 된 수평 스위치(HSW)(1032-1, 1032-2,∼, 1032-n)를 갖고 있다.
전류 샘플 홀드 회로(31-1)는, 도 2에 나타낸 바와 같이，n채널 TFT121-1∼TFT124-1，p채널 TFT125-1，캐패시터(C121-1) 및 노드(ND121-1，ND122-1)를 갖고 있다.
전류 샘플 홀드 회로(1031-2)는 ，도 2에 나타낸 바와 같이，ｎ채널 TFT121-2∼TFT124-2，ｐ채널 TFT125-2，캐패시터(C121-2) 및 노드(ND121-2, ND122-2)를 갖고 있다.
그리고，도시하지 않지만，전류 샘플 홀드 회로(1031-n)는，ｎ채널 TFT121-n∼TFT124-n，ｐ채널 TFT125-n，캐패시터(C121-n) 및 노드(ND121-n, ND122-n)를 갖고 있다.
TFT121(-1∼-n)이 본 발명에 관계되는 전계 효과 트랜지스터를 구성하고，TFT122(-1∼-n)가 제 １의 스위치를 구성하고，TFT123(-1∼-n)이 제 2의 스위치를 구성하고，TFT124(-1∼-n)가 제 3의 스위치를 구성하고，TFT125(-1∼-n)가 다이오드 접속된 트랜지스터를 구성한다.
전류 샘플 홀드회로(1031-1)에 있어서，TFT121-1의 소스가 접지 전위(GND)에 접속되어，드레인이 노드(ND121-1)에 접속되어，게이트가 노드(ND122-1)에 접속되고 있다. 노드(ND121-1)와 노드(ND122-1)에 TFT122-1의 소스·드레인이 각각 접속되고 있다． TFT122-1의 게이트가 샘플 홀드 선(SHL121-1)에 접속되고 있다.
캐패시터(C121-1)의 제 １전극이 노드(ND122-1)에 접속되어，제 2전극이 접지 전위(GND)에 접속되고 있다.
노드(ND121-1)와 입력 전류 신호의 공급선(ISL101)에 TFT123의 소스·드레인이 각각 접속되고 있다． TFT123의 게이트가 샘플 홀드선(SHL122-1)에 접속되고 있다.
또，TFT125의 소스가 전원 전압 Vcc의 공급 라인에 접속되어，TFT125의 게이트와 드레인 사이가 접속되고 있다． 즉，TFT125는 다이오드 접속되고 있다.
그리고，TFT125의 게이트와 드레인의 접속점과 노드(ND121)에 TFT124의 소스·드레인이 각각 접속되어，TFT124의 게이트가 샘플 홀드선(SHL123-1)에 접속되고 있다.
또，노드(ND121)가 수평 스위치(1032-1)에 접속되고 있다.
그리고，TFT124와 TFT125에 의해 본 발명에 관계되는 리크 제거 회로가 구성되어 있다.
또한，다른 전류 샘플 홀드 회로(1031-2∼1031-n)의 접속 형태는，상술한 전류 샘플 홀드회로(1031-1)과 동일하게 행해지는 것으로，여기에서는 그 상세한 것은 생략한다．
다음에，상기 구성의 동작을，수평 셀렉터의 동작을 중심으로，도 3(a）∼（o）에 관련지어 설명한다．
또한，도 3(a)의 SHSW는 수평스위치의 전환 신호를 나타내고 있다． 또，도 3(j)은 제 １열째의 TFT121-1의 드레인 전위(Vd1211)를，도 ３(k)은 제 2열째의 TFT121-2의 드레인 전위(Vd1212)를，도 3(l)은 제 ｎ열째의 TFT１２１－ｎ의 드레인 전위(Nd121n)를，도 3(m)은 제 １열째의 캐패시터(C11-1)의 전위(VC1211)를，도 3(n)은 제 2열째의 캐패시터(C11-2)의 전위(VC1212)를，도 ３(o)은 제 ｎ열째의 캐패시터(C11-n)의 전위(VC121n)를 ，각각 나타내고 있다.
도 3(a)에 나타낸 바와 같이，전환 신호(SHSW)를 저레벨로서 전(全)수평 스위치(HSW)를 오프 시킨 상태에서，도 3(b)，(c)에 나타내는 바와 같이，제 １열째의 전류 샘플 홀드 회로(1031-1)의 TFT122-1，123-1이 접속된 샘플 홀드선(SHL121-1, 122-1)을 고레벨로서 ，TFT122-1，123-1을 도통 상태로 한다(온 시킨다).
이 때，입력 신호 전류(Iin)가 전류 샘플 홀드 회로(1031-1) 내에 흐른다. 이 때，TFT121-1은，TFT122-1을 경유하여 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에 동작한다． 그 게이트 전압은 상기 수학식 １에 근거하여 결정되고，도 3(m)에 나타내는 바와 같이，캐패시터(C121-1)로 유지된다.
소정의 게이트 전압이 캐패시터(C121-1)에 기록된 후에，샘플 홀드선(SHL121-1)을 저레벨로서 TFT122-1을 비도통 상태로 하여, 그 후에 샘플 홀드선(SHL122-1)을 저레벨로서 TFT123-1을 비도통 상태로 한다.
다음에，동일하게，도 3(d)，(e)에 나타낸 바와 같이，제 2열째의 전류 샘플 홀드회로(1031-2)의 TFT122-2，123-2가 접속된 샘플 홀드 선(SHL121-2, 122-2)을 고레벨로서，TFT122-2，123-2를 도통 상태로 한다(온 시킨다).
이 때，입력 신호 전류(Iin)가 전류 샘플 홀드 회로(1031-2) 내에 흐른다. 이 때，TFT121-2는，TFT122-2를 경유하여 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에 동작한다． 그 게이트 전압은 상기 수학식 １에 근거하여 결정되고，도 3(n)에 나타낸 바와 같이，캐패시터(C121-2)로 유지된다.
소정의 게이트 전압이 캐패시터(C121-2)에 기록된 후에，샘플 홀드선(SHL121-2)을 저레벨로서 TFT122-2를 비도통 상태로 하여, 그 후에 샘플 홀드선(SHL122-2)를 저레벨로서 TFT123-2를 비도통 상태로 한다.
이하，인접 샘플 홀드 회로가 순차적으로 동작해 가고，모든 회로에 영상 신호(Iin)가 점 순차적으로 샘플 홀드 된다．
본 실시형태로는，자단의 샘플 홀드가 종료되어，타단이 샘플 홀드 행하고있는 기간에，예를 들면 샘플 홀드가 종료된 전류 샘플 홀드 회로(1031-1)는，도 3(h)에 나타내는 바와 같이，샘플 홀드선(SHL123-1)을 고레벨로서 TFT124를 도통 상태로 한다．
그러면，TFT125-1은，게이트와 드레인이 접속되고 있기 때문에，정전류원 TFT121-1에 따른 전류가 흐른다． 여기에서는 정전류원 TFT121-1에는 입력 전류(Iin)가 샘플 홀드 되어 있기 때문에，TFT125-1과 TFT121-1에는 전류(Iin)가 흐른다．
이 때의，TFT121-1의 드레인 전압인　노드(ND121)의 전위에 관하여 고찰한다．
상술한 바와 같이，TFT125-1에는 샘플링 된 전류(Iin)에 상당한 정전류가 흐른다． TFT125-1은 포화 영역에 동작하기 때문에，TFT125-1의 게이트 전압(드레인 전압)은 수학식 １에 의거하여 동작점이 결정된다． 이 게이트 전위는 노드(ND121)의 전위와 동등하게 된다．
여기에서，노드(ND121)의 전위가 TFT121-1의 게이트 전압에 가능한 동등하게 되도록 TFT125-1의 사이즈 설계를 행한(단지 TFT121-1은 포화 영역에서 구동한다)것으로，TFT122-1의 소스와 드레인의 전압차를 억제 할 수 있다.
이 전압차가 적으면，TFT122-1의 리크 양은 대폭적으로 억제 할 수 있고，도 3(m)∼(o)에 나타낸 바와 같이，리크에 의한 TFT121-1의 게이트 전압의 강하를 억제된다．
이상과 같이，전류의 점 순차적으로 샘플링에 있어서도，스캔 개시와 종료부블록으로 리크 양의 거의 대부분 변하지 않게 할 수 있고，균일한 출력 전류를 얻을 수 있다.
그 후，도 3(a)에 나타낸 바와 같이，수평 스위치(HSW)가 전단 동시에 온 되어，TFT121-1∼TFT121-n가 정전류원으로서 기능 하여, 샘플 홀드된 전류치가 각 데이터 선(DTL101∼DTL10n)에 출력된다．
이것에 의해，도 4에 나타내는 바와 같이，스캔 종료부를 향하고 휘도 얼룩이 발생하지 않는 고품위한 화상을 표시한 것이 가능해진다．
또，화소 회로(101)에 있어，입력 신호(전류 신호)(SI)의 기입시에는，구동선(DSL101)을 고레벨로서 TFT112를 비도통으로 유지한 상태에서，주사선(ＷＳＬ１０１)을 저레벨로서(ＴＦＴ１１３，ＴＦＴ１１４)를 도통 상태로 유지한다.
이것에 의해，드라이브 트랜지스터인(ＴＦＴ１１１)에 신호 전류에 따른 전류가 흐른다.
이 때，ＴＦＴ１１１의 게이트와 드레인은 도통 상태인 ＴＦＴ１１３에 의해 전기적으로 접속되고 있고，ＴＦＴ１１１은 포화 영역에 구동하고 있다.
따라서，상기 수학식 １에 근거하여 입력 전류에 상당한 게이트 전압이 기록되어，화소 용량인　캐패시터(Ｃ１１１)로 유지된다.
그 후，ＴＦＴ１１４를 비도통 상태로 유지하고，ＴＦＴ１２를 도통 상태로 유지한다.
이것에 의해，입력 신호 전류에 따른 전류가 TFT112와 발광 소자(115)에 흐르고，발광 소자(115)는 그 전류치에 따른 휘도로 발광한다.
본 제 １실시형태에 의하면，자단의 샘플 홀드가 종료되어，타단이 샘플 홀드 행하고 있는 기간에 ，예를 들면 샘플 홀드가 종료한 전류 샘플 홀드 회로(1031-1)는，리크 제거 회로를 작동시키고 TFT125-1에 의해서는 샘플링 된 전류(Iin)에 상당하는 정전류를 노드(ND121-1)에 흐르도록 구성함으로써，다른 회로의 샘플링 기간도，정전류원으로서 기능하는 출력 트랜지스터 TFT121의 드레인 전위를 일정하게 유지 할 수 있고，출력 트랜지스터의 게이트 전위의 리크에 의한 변화를 억제하는 것이 가능하게 된다.
그 결과，출력단의 전류치 불균일이 아닌，균일한 전류원을 얻을 수 있고，스캔 종료부에 향하여 휘도 얼룩이 발생하지 않는 고품위인 화상을 표시할 수 있다．
제 2실시 형태
도 5는 ，본 제 2의 실시형태에 관계되는 전류 구동 방식을 채용한 유기 EL표시장치의 구성예를 나타내는 블록도이다．
본 제 2실시형태가 상술한 제 1의 실시형태와 다른점은，TFT121, 122와 캐패시터(C121)로 된 정전류원 회로에， 또한 ｎ채널(TFT126，127) 및 캐패시터(C122)에 의한 정전류원 회로를，노드(ND121)와 접지 전위(GND) 사이에 캐스코드 코드 접속(2단 직렬접속) 한 것이다.
여기에서는，전류 샘플 홀드 회로(1031-1A)를 예로 설명한다． 다른 전류 샘플 홀드 회로(1031-2A∼1031-nA)는 전류 샘플 홀드 회로(1031-1A)와 동일한 구성인 것으로 여기에서의 설명은 생략한다．
전류 샘플 홀드회로(1031-1A)에 있어서는，제 2의 전계효과 트랜지스터로서의 TFT121-1의 소스가 접지 전위(GND) 대신에 노드(ND123-1)에 접속되어, 제 1의 전계효과 트랜지스터로서의 TFT126-1의 드레인이 노드(ND123-1)에 접속되어，TFT126-1의 소스가 접지 전위(GND)에 접속되고 있다． TFT126-1의 게이트가 노드(ND124-1)에 접속되고 있다.
그리고，노드(ND123-1)와 노드(ND124-1)에 제 3의 스위치로서의 TFT127-1의 소스·드레인이 각각 접속되어，TFT127-1의 게이트가 샘플 홀드선(SHL124-1)에 접속되어 있다.
제 2의 캐패시터(C122-1)의 제 １전극이 노드(ND124-1)에 접속되어，제 2전극이 접지 전위(GND)에 접속되고 있다.
본 제 2의 실시형태에 있어서는，TFT124(-1∼-n)가 본 발명의 제 4의 스위치를 구성한다.
도 5의 전류 샘플 홀드 회로(1031-1A)에 있어서는，샘플 홀드선(SHL121-1，SHL122-1，SHL127-1)을 고레벨로서 TFT122-1，123-1，127-1을 도통 상태로 한다.
TFT123-1이 도통 상태로 된 것에 수반하여，신호 전류(Iin)가 전류 샘플 홀드 회로 1031-1A 내에 흐른다．
이 때，TFT121-1은，TFT122-1을 거쳐서 게이트 드레인이 접속되고 있고，포화 영역에 동작한다． 그 게이트 전압은 상술한 수학식 １에 근거하여 결정되고，캐패시터(C121-1)로 유지된다.
동일하게，TFT121-1을 경유하고 노드(ND123-1)에 전류가 공급되어，이 때，TFT126-1은，TFT127-1을 경유하여 포화 영역에 동작한다． 그 게이트 전압은 상술한 수학식 １에 근거하여 결정되고，캐패시터(C122-1)로 유지된다.
이와 같이，소정의 게이트 전압이 캐패시터(C121-1，및 C122-1)에 기입된 후에，샘플 홀드선(SHL127-1)을 저레벨로서 TFT127-1을 비도통 상태로 하여, 다음에，샘플 홀드선(SHL122-1)을 저레벨로서 TFT122-1을 비도통 상태로 한 후에，샘플 홀드선(SHL123-1)을 저레벨로서 TFT123-1을 비도통 상태로 한다．
그리고，TFT123-1을 비도통 상태로 한 후，샘플 홀드선(SHL123-1)을 고레벨로서 TFT128을 도통 상태로 한다．
이 회로에는 전류(Iin)가 흐르지만，TFT125-1의 게이트 전압(드레인 전압)은 전류(Iin)에 상당한 전압이 된다． 이 경우，TFT12-11과 TFT126-1이란 포화 영역에서 구동할 수 있도록 TFT125-1의 사이즈 설계를 행한다．
여기에서 TFT121-1의 동작점에 관하여 고찰한다．
TFT121-1이 도통 상태가 되면，TFT121-1의 드레인 전압(B)은 TFT125-1의 드레인 전압과 같이 되어 버리고，도 6에 나타내는 바와 같이，TFT121-1의 소스·드레인간 전압(Vds)은 증가하고（Vin →Vin'), 흐르는 전류치는 얼리효과 분인(ΔIds)만 증가한다．
그렇지만，TFT126-1을 포함한 정전류원은 전류(Iin)를 계속 흘리기 때문에，TFT121-1의 소스 전압은 전류(Iin)에 상당한 전류치를 얻기 위해 증가한다． 그러나，TFT121-1의 소스 전압의 변화에 의한 전류치의 변화는 수학식 １에따라 제곱으로 효과가 있으므로，이 소스 전위는 대부분 변화하지 않는다.
도 6에서는，이 변화한 후의 TFT121-1의 드레인 전압（Vd）－드레인 전류(Id)곡선을 파선으로 나타내고 있다．
여기에서，TFT121-1의 소스 전위는 TFT126-1의 드레인 전위(A)와 동전위이다. 따라서, 캐스코드 접속을 행하고 있는 경우는 TFT126-1의 드레인 전압은，전류(Iin)를 기입할 때의 값，즉 TFT126-1의 게이트 전압과 대부분 같은 값을 갖는다.
이것에 의해，TFT127-1의 소스·드레인전압은 거의 0V가 되어，리크 전류에 의한 TFT126-1의 게이트 전압의 강하를 대폭적으로 억제 할 수 있다．
이상과 같이，유기 EL등으로의 쉐이딩이나，전류의 점 순차적으로 샘플 홀드 회로에 있어서，본 실시형태와 같이，트랜지스터의 동작점 사이즈 설계를 행하지 않고，불균일이 없는 전류 출력이 얻어진다.
또한，본 방식에서는，리크 제거의 회로 트랜지스터 125는 p채널으로서 있지만，ｎ채널의 트랜지스터를 다이오드 접속하게 한 것이여도 좋다．
상술한 실시 형태에 있어서는，화소 회로(102)를 구성한 TFT를 전부 ｐ채널이라고 했지만，구동 트랜지스터로서의 TFT111의 다른 스위치로서 기능하는 TFT112，113，114는, 도 7에 나타내는 바와 같이，ｎ채널 TFT이여도，CMOS이여도 좋다．
또，상술한 실시 형태에 있어서는，수평 셀렉터(103)의 전류 샘플 홀드 회로(1031-1∼1031-n)의 스위치로서 기능하는 TFT122(-1∼-n)∼124(-1∼-n)는，도 7에 나타내는 바와 같이 p채널 TFT이여도 좋다.
또한，상술한 실시 형태에서는，화소 회로(102)를 구성한 TFT를 전부 p채널이라고 했지만，구동 트랜지스터로서의 TFT111，스위치로서 기능하는 TFT112，113，114의 모든 TFT를 ，도 8에 나타내는 바와 같이，ｎ채널 TFT로 구성하는 것도 가능하다.
당연，RL발광 소자(115)와의 접속은 애노드 접속이라도 캐소드 접속이라도 좋다.
이 경우，전류 샘플 홀드 회로(1031-1∼1031-n)의 드라이브 트랜지스터의 극성은 ，도 8에 나타내는 바와 같이 ｐ채널인 필요가 있다．
이상 설명한 바와 같이，본 발명에 의하면，다른 회로의 샘플링 기간도，정전류원으로서 기능하는 출력 트랜지스터의 드레인 전위를 일정하게 유지할 수 있고，출력 트랜지스터의 게이트 전위의 리크에 의한 변화를 억제 할 수 있다．
홀드 기간 중의 리크를 제거한 것으로，홀드 시간차에 의한 출력 전류치의 불균일을 억제 할 수 있고，균일한 정전류원을 형성할 수 있다.
또한，샘플 홀드 회로에 캐스코드 코드 접속을 이용하는 것으로，이 불균일 양을 대부분 완전하게 억제 할 수 있다.
상기의 불균일 억제의 효과는，리크 전류의 큰 TFT에 있어서 현저하다． 그 때문에, TFT를 이용한 전류 구동의 유기 EL디스플레에서의 유니퍼미티를 갖는 화질을 얻을 수 있다．

Claims (4)

  1. 영상 신호가 신호 전류로서 공급되는 표시장치이고,
    매트릭스 형으로 복수 배열된 화소회로와,
    상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되어，휘도 정보에 따른 신호 전류가 공급된 데이터선과，
    상기 데이터선에 대응하여 설치되어，입력 영상 신호 전류를 샘플 홀드하는 복수의 샘플 홀드회로를 갖고，각 샘플 홀드회로를 순차적으로 동작시켜，모든 샘플 홀드회로에 영상 신호를 점 순차적으로 샘플홀드 시키고，상기 복수의 샘플 홀드회로에 샘플 홀드된 전류치를 대응하는 데이터선에 출력시키는 수평 셀렉터를 갖고,
    상기 각 샘플 홀드 회로는,
    소스가 소정 전위에 접속된 전계효과 트랜지스터와,
    상기 전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트와의 사이에 접속된 제 1의 스위치와,
    상기 전계효과 트랜지스터의 드레인과 상기 신호 전류의 공급선과의 사이에 접속된 제 2의 스위치와,
    상기 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소정 전위와의 사이에 접속된 캐패시터와,
    샘플 홀드 동작이 종료하고，다른 샘플 홀드 회로가 샘플 홀드 동작을 행하고 있는 사이에, 샘플링된 신호 전류에 상당하는 전류를 상기 전계 효과 트랜지스터의 드레인에 공급하는 리크 제거 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리크 제거회로는, 소정 전위와 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인과의 사이에 접속된 다이오드 접속된 트랜지스터와 제 3의 스위치가 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 영상 신호가 신호 전류로서 공급되는 표시장치이고,
    매트릭스 형으로 복수 배열된 화소회로와,
    상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되어，휘도정보에 따른 신호 전류가 공급되는 데이터선과,
    상기 데이터선에 대응하여 설치되고，입력 영상신호 전류를 샘플 홀드하는 복수의 샘플 홀드 회로를 갖고，각 샘플 홀드 회로를 순차적으로 동작시키어，모든 샘플 홀드회로에 영상신호를 점 순차적으로 샘플홀드시켜，상기 복수의 샘플 홀드회로에 샘플 홀드 된 전류치를 대응하는 데이터선에 출력시키는 수평 셀렉터를 갖고,
    상기 각 샘플 홀드회로는,
    소스가 소정 전위에 접속된 제 1의 전계효과 트랜지스터와,
    소스가 상기 제 1의 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속된 제 2의 전계효과 트랜지스터와,
    상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트와의 사이에 접속된 제 1의 스위치와,
    상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인과 상기 신호 전류의 공급선과의 사이에 접속된 제 2의 스위치와,
    상기 제 1의 전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트와의 사이에 접속된 제 3의 스위치와,
    상기 제 1의 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소정 전위와의 사이에 접속된 제 1의 캐패시터와,
    상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소정 전위와의 사이에 접속된 제 2의 캐패시터와,
    샘플홀드 동작이 종료하고，다른 샘플홀드 회로가 샘플 홀드 동작을 행하고 있는 사이에, 샘플링된 신호 전류에 상당한 전류를 상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인에 공급하는 리크 제거 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 리크 제거 회로는, 소정 전위와 상기 제 2의 전계효과 트랜지스터의 드레인과의 사이에 접속된 다이오드 접속된 트랜지스터와 제 4의 스위치가 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
KR1020040028133A 2003-04-30 2004-04-23 표시장치 KR101045242B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00125979 2003-04-30
JP2003125979A JP4049010B2 (ja) 2003-04-30 2003-04-30 表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040094318A true KR20040094318A (ko) 2004-11-09
KR101045242B1 KR101045242B1 (ko) 2011-06-30

Family

ID=33503077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040028133A KR101045242B1 (ko) 2003-04-30 2004-04-23 표시장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7242376B2 (ko)
JP (1) JP4049010B2 (ko)
KR (1) KR101045242B1 (ko)
CN (1) CN100342417C (ko)
TW (1) TWI235979B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101222541B1 (ko) * 2005-06-30 2013-01-16 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1607931B1 (en) 2003-03-26 2014-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate and light-emitting device
JP4562997B2 (ja) 2003-03-26 2010-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
JP4543625B2 (ja) * 2003-05-27 2010-09-15 ソニー株式会社 表示装置
JP4747565B2 (ja) * 2004-11-30 2011-08-17 ソニー株式会社 画素回路及びその駆動方法
EP1764770A3 (en) * 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
EP1793366A3 (en) 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
KR101456049B1 (ko) 2005-12-02 2014-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치
TWI328213B (en) * 2005-12-16 2010-08-01 Chi Mei El Corp Plate display and pixel circuitry
TWI442368B (zh) 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
WO2011074542A1 (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 シャープ株式会社 画素アレイ基板、表示装置
JP5358465B2 (ja) * 2010-01-25 2013-12-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2013057737A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Sony Corp 表示パネルおよび表示装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102708791B (zh) * 2011-12-01 2014-05-14 京东方科技集团股份有限公司 像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI479467B (zh) * 2013-05-30 2015-04-01 Au Optronics Corp 畫素及其畫素電路
US9728271B2 (en) * 2015-10-30 2017-08-08 Sony Semiconductor Solutions Corporation Charge injection noise reduction in sample-and-hold circuit
US9715941B2 (en) 2015-10-30 2017-07-25 Sony Semiconductor Solutions Corporation State machine controlled MOS linear resistor
CN110393007B (zh) * 2017-01-31 2021-11-26 株式会社尼康 摄像元件以及摄像装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06139794A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Nec Ic Microcomput Syst Ltd サンプル・ホールド回路
JP3344680B2 (ja) * 1995-10-20 2002-11-11 シャープ株式会社 画像表示装置
JPH09319323A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 定電流駆動回路
JP4251377B2 (ja) * 1997-04-23 2009-04-08 宇東科技股▲ふん▼有限公司 アクティブマトリックス発光ダイオードピクセル構造及び方法
JPH11213687A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Toshiba Corp サンプルホールド回路
JP3315652B2 (ja) 1998-09-07 2002-08-19 キヤノン株式会社 電流出力回路
JP3800831B2 (ja) * 1998-10-13 2006-07-26 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP4161484B2 (ja) * 1999-10-15 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置および電子機器
JP2001273786A (ja) * 2000-03-29 2001-10-05 Kawasaki Steel Corp サンプル・ホールド回路
JP2003195815A (ja) * 2000-11-07 2003-07-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100370095B1 (ko) * 2001-01-05 2003-02-05 엘지전자 주식회사 표시 소자의 액티브 매트릭스 방식의 구동 회로
JP3610923B2 (ja) * 2001-05-30 2005-01-19 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
JP3951687B2 (ja) 2001-08-02 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 単位回路の制御に使用されるデータ線の駆動
JP3800404B2 (ja) * 2001-12-19 2006-07-26 株式会社日立製作所 画像表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101222541B1 (ko) * 2005-06-30 2013-01-16 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN100342417C (zh) 2007-10-10
CN1542722A (zh) 2004-11-03
US7242376B2 (en) 2007-07-10
KR101045242B1 (ko) 2011-06-30
TW200424994A (en) 2004-11-16
JP2004333594A (ja) 2004-11-25
TWI235979B (en) 2005-07-11
JP4049010B2 (ja) 2008-02-20
US20040263501A1 (en) 2004-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230048033A1 (en) Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit
KR101045242B1 (ko) 표시장치
KR101033674B1 (ko) 화소회로, 표시장치 및 화소 회로의 구동방법
KR101046415B1 (ko) 화소회로 및 표시장치
JP4049037B2 (ja) 表示装置およびその駆動方法
CN109119029B (zh) 像素电路及其驱动方法、显示装置和电子设备
KR20040100939A (ko) 화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법
WO2005045797A1 (ja) 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP2001042826A (ja) アクティブマトリクス型発光パネル及び表示装置
US7746299B2 (en) Display, array substrate, and method of driving display
JP2005202070A (ja) 表示装置、および画素回路
US20050212732A1 (en) Display, active matrix substrate, and driving method
JP4543625B2 (ja) 表示装置
JP4547873B2 (ja) 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP4581337B2 (ja) 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP2005114993A (ja) 表示装置
JP2005010224A (ja) 表示装置
CN114822403A (zh) 一种像素结构的内部补偿电路及其控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee