KR20040100939A - 화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법 - Google Patents

화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040100939A
KR20040100939A KR1020040034870A KR20040034870A KR20040100939A KR 20040100939 A KR20040100939 A KR 20040100939A KR 1020040034870 A KR1020040034870 A KR 1020040034870A KR 20040034870 A KR20040034870 A KR 20040034870A KR 20040100939 A KR20040100939 A KR 20040100939A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
node
reference current
line
current supply
Prior art date
Application number
KR1020040034870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101033676B1 (ko
Inventor
주니치 야마시타
가츠히데 우치노
데츠로 야마모토
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20040100939A publication Critical patent/KR20040100939A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101033676B1 publication Critical patent/KR101033676B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25C—HAND-HELD NAILING OR STAPLING TOOLS; MANUALLY OPERATED PORTABLE STAPLING TOOLS
    • B25C1/00—Hand-held nailing tools; Nail feeding devices
    • B25C1/001—Nail feeding devices
    • B25C1/005—Nail feeding devices for rows of contiguous nails
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/043—Compensation electrodes or other additional electrodes in matrix displays related to distortions or compensation signals, e.g. for modifying TFT threshold voltage in column driver
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

화소내부의 능동소자의 임계치의 차이는 원래, 이동도의 차이에 의하지 않고, 안정적이고 정확하게 각 화소의 발광소자에 소망의 값의 전류를 공급할 수 있으며, 그 결과로서 고품질인 화상을 표시하는 것이 가능한 화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법을 제공하는 데에 있다.
자동제로동작시에, TFT(113)와 함께 TFT(115)를 온 동작시키고, 화소의 구동 트랜지스터(TFT111)에 제 1의 노드(ND111)를 통해 기준전류원(ISL)을 접속하고, 임계치 Vth의 차이의 보정을 행한다.
이에 의해, 백색 표시 때의 이동도에 의해 온 전류의 차이를 억제하는 것이 가능하며, 이동도 차이에 대한 균일성을 대폭적으로 개선하는 것이 가능하다.

Description

화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법{A pixel circuit, display device and a method for driving a pixel circuit}
본 발명은, 유기EL표시등의, 전류치에 의해 휘도가 제어되는 전기광학소자를 가지는 화소회로, 및 이 화소회로가 매트릭스 형태로 배열된 표시장치중, 특히 각 화소회로 내부에 설치된 절연게이트형 전계효과 트랜지스터에 의해 전기광학소자에 흐르는 전류치가 제어되며, 능동 매트릭스형 화상표시장치, 및 화소회로의 구동방법에 관한 것이다.
화상표시장치, 예를 들면 액정표시등에서는, 다수의 화소를 매트릭스 형태로 배열하고, 표시하는 화상정보에 대응하는 화소마다 광강도를 제어함으로써 화상을 표시한다.
이것은 유기EL표시등에 있어서도 마찬가지이지만, 유기EL표시는 각 화소회로에 발광소자를 가지는, 소위 자발광형의 표시이며, 액정표시에 비해 화상의 가시성이 높으며, 백라이트가 불필요하며, 응답속도가 빠르다는 , 동일한 이점을 가진다.
또한, 각 발광소자의 휘도는 그것에 흐르는 전류치에 의해 제어됨으로써 발색의 계조를 가지는, 즉 발광소자가 전류제어형이 된다는 점에서 액정표시등과는 매우 다르다.
유기EL표시에 있어서는, 액정표시와 마찬가지로, 그 구동방식으로서 단순 매트릭스 방식과 능동 매트릭스 방식이 가능하지만, 전자는 구조가 단순하고, 대형이며 고정밀의 표시의 실현이 어렵다는 문제가 있다.
그러므로, 각 화소회로 내부의 발광소자에 흐르는 전류를, 화소회로 내부에 설치된 능동소자, 일반적으로는 TFT(Thin Film Transistor : 박막 트랜지스터)에 의해 제어하는, 능동 매트릭스 방식의 개발이 왕성하게 이루어졌다.
도 18은, 일반적인 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
이 표시장치(1)는, 도 18에 도시한 바와같이, 화소회로(PXLC)(2a)가 m ×n의 매트릭스 형태로 배열된 화소배열부(2), 수평선택기(HSEL : 3), 입력스캐너(WSCN : 4), 수평선택기(3)에 의해 선택되는 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선(DTL1 - DTLn), 및 입력스캐너(4)에 의해 선택구동되는 주사선(WSL1 - WSLm)을 가진다.
도 19는, 도 18의 회소회로(2a)의 일구성예를 도시한 회로도이다. (예를 들면 특허문헌 1, 2 참조)
도 19의 화소회로는, 다수 제안된 회로중에서 가장 단순한 회로구성이며, 소위 두 개의 트랜지스터 구동방식의 회로이다.
도 19의 화소회로(2a)는, p채널 박막전계효과 트랜지스터(이하, TFT라고 함)(11) 및 TFT(12), 커패시터(C11), 발광소자가 되는 유기EL소자(OLED : 13)를 가진다. 도 19에 있어서, DTL은 데이터선을, WSL은 주사선을 각각 표시하고 있다.
유기EL소자는 대다수의 경우 정류성이 있으므로, OLED(Organic Light Emitting Diode)라고 불리우는 것이며, 도 19의 다른 부분에서는 발광소자로서 다이오드의 기호를 이용하지만, 이하의 설명에 있어서 OLED에는 반드시 정류성을 요구하는 것은 아니다.
도 19에서는 TFT(11)의 소스가 전원전위(VCC)에 접속되며, 발광소자(13)의 캐소드(음극)는 접지전위(GND)에 접속되어 있다. 도 19의 화소회로(2a)의 동작은 이하와 같다.
단계(ST1)
주사선(WSL)을 선택상태(여기에서는 낮은 레벨)로 하며, 데이터선(DTL)에 입력전위(Vdata)를 인가하면, TFT(12)가 도통하여 커패시터(C11)가 충전 또는 방전되며, TFT(11)의 게이트 전위는 Vdata로 된다.
단계(ST2)
주사선(WSL)을 비선택상태(여기에서는 높은 레벨)로 하면, 데이터선(DTL)과 TFT(11)과는 전기적으로 단절되지만, TFT(11)의 게이트 전위는 커패시터(C11)에 의해 안정적으로 유지된다.
단계(ST3)
TFT(11) 및 발광소자(130에 흐르는 전류는, TFT(11)의 게이트-소스간 전압(Vg)에 대응하는 값으로 되며, 발광소자(13)는 그 전류값에 대응하는 휘도로발광을 계속한다.
상기 단계(ST1)와 같이, 주사선(WSL)을 선택하여 데이터선에 제공된 휘도정보를 화소내부에 전달하는 조작을, 이하 [기입]이라고 부른다.
상술한 바와같이, 도 19의 회소회로(2a)에서는, 한 번 Vdata의 기입을 행하면, 다음에 치환될 때까지, 발광소자(13)는 일정한 휘도로 발광을 계속한다.
상술한 바와같이, 화소회로(2a)에서는, 구동(드라이브) 트랜지스터가 되는 TFT(11)의 게이트 인가전압을 변화시켜서, EL발광소자(13)에 흐르는 전류값을 제어하고 있다.
이 때, p채널의 구동 트랜지스터의 소스는 전원전위(VCC)에 접속되며, 이 TFT(11)는 항상 포화영역에서 동작하고 있다. 그러므로, 하기의 식 1에 표시된 값을 가지는 정전류원으로 된다.
[수 1]
Ids = 1/28μ(W/L)cox(Vgs - ㅣ(Vth) ㅣ)2---- (1)
여기에서, μ는 캐리어의 이동도를, Cox는 단위면적당의 게이트 용량을, W는 게이트폭을, L은 게이트 길이를, Vgs는 TFT(11)의 게이트-소스간 전압을, (Vth)은 TFT(11)의 입계치(Vth)를 각각 나타내고 있다.
단순 매트릭스형 화상표시장치에서는, 각 발광소자는, 선택된 순간만 발광하는 것에 대해서, 능동 매트릭스에서는, 상술한 바와같이, 기입 종료후라도 발광소자가 발광을 계속하므로, 단순 매트릭스에 비해 발광소자의 피크휘도, 피크전류를 하강시킨다는 점에서, 특히 대형-고정밀도의 표시에서는 유리하다.
그러나, TFT는 일반적으로 (Vth)와 이동도 μ의 차이가 크다. 그러므로, 동일한 입력전압이 다른 구동 트랜지스터의 게이트에 인가되더라도, 그 온-전류는 차이가 나며, 그 결과, 화질의 단일 형태가 열화하게 된다.
이 문제를 개선하기 위해 다수의 화소회로가 제안되었지만, 대표예를 도 3에 도시하고 있다(예를 들면, 특허문헌 3, 또는 특허문헌 4 참조).
도 20의 화소회로(2b)는, p채널 TFT(21-24), 커패시터(C21, C22), 발광소자가 되는 유기EL 발광소자(OLED)(25)를 가진다. 또한, 도 20에 있어서, DTL은 데이터선을, WSL은 주사선을, AZL은 자동제로선을, DSL은 구동선을 각각 나타내고 있다.
이 화소회로(2b)의 동작에 있어서, 도 21(a) - (g)에 도시한 타이밍표를 참조하면서 이하에 설명한다.
도 21(a)은 화소배열의 제 1행째의 주사선(WSL)에 인가된 주사신호 ws[1]을, 도 21(b)은 제 2행째의 주사선(WSL)에 인가된 주사신호 ws[2]을, 도 21(c)은 화소배열의 제 1행째의 자동제로선(AZL)에 인가된 자동제로신호 az[1]을, 도 21(d)은 화소배열의 제 2행째의 자동제로선(AZL)에 인가된 자동제로신호 az[2]을, 도 21(e)은 화소배열의 제 1행째의 구동선(DSL1)에 인가된 구동신호 ds[1]을, 도 21(f)은 화소배열의 제 2행째의 구동선(DSL2)에 인가된 구동신호 ds[2]을, 도 21(g)은 TFT(21)의 게이트 전위(Vg)를 각각 나타내고 있다.
한편, 이하에서는, 제 1행째의 화소회로의 동작에 대서 설명한다.
도 21(c), (e)에 도시한 바와같이, 구동선(DSL1)으로의 구동신호 ds[1], 자동제로선(AZL1)으로의 자동제로신호 az[1]을 낮은 레벨로 하고, TFT(22) 및 TFT(23)를 도통상태로 한다. 이 때 TFT(21)는 다이오드 접속된 상태에서 발광소자(OLED : 25)와 접속되므로, TFT(21)에 전류가 흐른다. 이 때, TFT(21)의 게이트 전위(Vg)는, 도 21(g)에 도시한 바와같이, 하강한다.
도 21(e)에 도시한 바와같이, 구동선(DSL1)으로의 구동신호 ds[1]을 높은 레벨로 하고, TFT(22)를 비도통상태로 한다. 이 때 주사선(WSL1)으로의 주사신호 ws[1]은, 도 21(a)에 도시한 바와같이, 높은 레벨에서 유지되고 있다.
TFT(22)가 비도통상태로 됨에 따라, 발광소자(25)에 흐르는 전류가 차단되므로, 도 21(g)에 도시한 바와같이, TFT(21)의 게이트 전위(Vg)는 상승하지만, 그 전위가 Vcc-ㅣ(Vth)ㅣ까지 상승한 시점에서 TFT(21)는 비도통상태로 되어 전위가 안정한다. 이 동작을 [자동제로동작]이라고 칭한다.
도 21(c)에 도시한 바와같이, 자동제로선(AZL1)으로의 자동제로신호 az[1]을 높은 레벨로 하고 TFT(23)를 비도통상태로 하여 자동제로동작((Vth) 보정동작)을 종료한 후, 구동선(DSL1)으로의 구동신호 ds[1]을 저레벨로 하여, TFT(22)를 도통상태로 한다.
그리고, 주사선(WSL1)으로의 주사신호 ws[1]을, 도 21(a)에 도시한 바와같이, 낮은 레벨로서 TFT(24)를 도통상태로 하여, 데이터선(DTL1)에 전송된 소정 전위의 데이터 신호를 커패시터(C21)에 인가한다. 이에 의해, 도 21(g)에 도시한 바와같이, 커패시터(C21)를 통해 TFT(21)의 게이트 전위를 ΔVg만큼 저하시킨다.
도 21(a)에 도시한 바와같이, 주사선(WSL1)을 고레벨로 하여 TFT(24)를 비도통상태로 한다.
이에 의해, TFT(21) 및 EL발광소자(OLED)(25)에 전류가 흐르며, EL발광소자(25)가 발광을 개시한다.
[특허문헌 1]
USP5,684,365
[특허문헌 2]
특개평 8-234683호 공보
[특허문헌 3]
USP6,229,506
[특허문헌 4]
특표2002-514320호 공보의 도 3
상술한 바와같이, 도 20의 화소회로에서는, EL발광소자(25)가 발광하지 않는 기간에, 자동제로스위치가 되는 TFT(23)를 구동하여, 구동 트랜지스터 TFT(21)를 커트 오프(cut-off)의 상태로 한다. 커트 오프의 상태에서는, 이 구동 트랜지스터 TFT(21)에 전류는 흐르지 않으므로, 그 게이트-소스전압(Vgs)은 각각의 트랜지스터의 임계치((Vth))와 동등하게 되며, 화소마다의 (Vth) 차이는 소실된다.
이어서, TFT(23)를 오프한 후, TFT(24)를 구동하여, 데이터선 전압을 화소내의 커패시터(C21)를 통하게 되어 구동 트랜지스터 TFT(21)의 게이트에 전압 ΔV가 결합된다. 이 결합량이 V0이 되면, 구동 트랜지스터 TFT(21)는 (Vth)에 의하지 않고, Vgs - (Vth) = V0에 상당하는 온 전류가 흐르며, (Vth) 차이에 의해 균일한 포매팅에 얼룩이 없는 화질이 얻어진다.
그러나, 도 20의 화소회로에 있어서는, (Vth) 차이를 보정하는 것이 가능하더라도, 이동도 μ의 차이를 보정하는 것은 불가능하다.
이하, 이 과제에 대해서, 도면과 관련시켜 추가로 상세하게 설명한다.
도 22는, 도 20의 화소회로에서의 이동도가 다른 구동 트랜지스터의 ΔV(= Vgs - (Vth))와 드레인-서스간 전류(Ids)의 특성곡선을 도시한 도면이다.
도 22에 있어서, 가로축이 전압 ΔV를 세로축이 전류 Ids를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 22에 있어서, 실선으로 도시한 곡선이 화소 A의 특성을, 파선으로 도시한 곡선이 화소 B의 특성을 나타내고 있다.
도 22에 도시한 바와같이, 실산으로 도시한 화소 A의 특성과 파선으로 도시한 화소 B의 특성에 있어서, 이동도가 다르게 되어 있다.
도 20의 화소회로방식에서는, 자동제로점(ΔV = V0)에서는, 이동도가 다른 화소 트랜지스터라도 전류값이 동등하다.
그러나, 그 후 전압이 상승함에 따라, 이동도 μ의 차이가 전류값에 나타나고 있다.
예를 들면, 이동도가 다른 화소 A와 화소 B에 있어서, 동일한 전압 ΔV = V0이 인가될 때에도, 상기식 1에 따라 전류 Ids의 차이가 발생하며, 그 화소의 휘도가 다르게 된다.
즉, 전류값이 많이 흐르며, 밝아짐에 따라 전류값은 이동도의 차이를 받아서, 균일한 포매팅은 불균일하게 되며, 화질은 열화하게 된다.
또한, 도 23은, 구동 트랜지스터의 임계치(Vth)가 다른 화소 C, D에서의 자동제로 동작시의 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 변화를 도시한 도면이다.
도 23에 있어서, 가로축이 시간 t를, 세로축이 게이트 전압 vg를, 각각 나타내고 있다. 또한, 도 23에 있어서, 실선으로 도시한 곡선이 화소 C의 특성을, 파선으로 도시한 곡선이 화소 D의 특성을 나타내고 있다.
자동제로는, 구동 트랜지스터의 게이트와 소스를 접속함으로써 행해지지만, 커트 오프영역에 근접함으로써, 그 온 전류도 급속하게 감소하고 있다.
그러므로, 완전하게 커트 오프한 임계치의 차이가 소실되기까지에는, 긴 시간을 필요로 한다. 도 23에 도시한 바와같이, 자동제로시간이 불충분하다면 화소 C는 완전하게 임계치(Vth)의 차이가 소실되지 않는다.
이와같이, 임계치(Vth)의 차이에 의해, 게이트 전압의 기입상태도 불균일하며, 이에 의해 균일한 포매팅이 열화하는 것도 관측된다.
또한, 충분히 자동제로의 시간을 취해 임계치(Vth)의 차이를 없애더라도, 커트 오프후에 구동 트랜지스터에는 오프전류가 소량 흐르게 된다.
그러므로, 도 24에 도시한 바와같이, 게이트 전압은 전원전압 Vcc에 대하여 서서히 상승하게 된다. 그 결과, 한 번 자동제로에 의해 임계치(Vth)의 차이가 없어지는 것이 이루어지는 것에 관계없이, 최종적으로 임계치(Vth)가 불균일한 화소의 게이트 전위가 전원전압으로 향하도록 하기 위해서, 다시 한 번 임계치(Vth)의 차이가 나타나게 된다.
이상으로부터, 실제 기기에서는 임계치(Vth)의 차이의 소실을 효과적으로 행하기 위해서는, 자동제로기간을 패널마다 최적으로 조정할 필요가 있다.
그러나, 이 패널마다의 최적인 자동제로기간의 조정에는, 조정시간이 길어지게 되며, 패널의 비용을 상승시키게 된다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 화소내부의 능동소자의 임계치(Vth)의 차이는 원래, 이동도의 차이에 의하지 않고, 안정적으로 정확하게 각 화소의 발광소자에 소망의 값의 전류를 공급할 수 있으며, 그 결과로서 고품질인 화소를 표시하는 것이 가능한 화소회로, 표시장치, 및 화로회소의 구동방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1의 관점은, 흐르는 전류에 의해 휘도가 변화하는 전기광학소자를 구동하는 화소회로에 있어서, 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과, 제 1의 제어선과, 제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와, 제 1 및 제 2의 기준전위와, 소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단과, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와, 상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와, 상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며, 상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있다.
바람직하게는, 제 2, 제 3, 및 제 4의 제어선을 추가로 가지며, 상기 제 1의 스위치가 상기 제 2의 제어선에 의해 도통제어되며, 상기 제 2의 스위치가 상기 제 3의 제어선에 의해 도통제어되고, 상기 제 4의 스위치가 상기 제 4의 제어선에 의해 도통제어된다.
바람직하게는, 상기 제 3의 제어선과 제 4의 제어선이 공용되며, 상기 제 2의 스위치 및 제 4의 스위치가 한 개의 제어선에 의해 도통제어된다.
바람직하게는, 상기 전기광학소자를 구동하는 경우,
제 1의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며, 제 2의 스위치로서, 소정시간 경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 제 3의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급한다.
또한, 바람직하게는, 상기 기준전류의 값은, 상기 전기광학소자의 발광의 중간색에 상당하는 값으로 설정된다.
본 발명의 제 2의 관점에 관한 표시장치는, 매트릭스형태로 복수배열된 회소회로와, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 행마다 배선된 제 1의 제어선과, 제 1 및 제 2의 기준전위와, 소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단을 가지며, 상기 화소회로는, 제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와, 상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와, 상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며, 상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있다.
바람직하게는, 상기 기준전류 공급수단은, 기준전류원과, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 상기 기준전류원으로부터 기준전류가 공급되는 기준전류공급선을 포함하며, 상기 제 4의 스위치는, 상기 제 1의 노드와 기준전류공급선과의 사이에 접속되어 있다.
바람직하게는, 상기 기준전류 공급수단은, 기준전류원과, 상기 화소회로의매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 상기 기준전류원으로부터 기준전류가 공급되는 기준전류공급선을 포함하며, 동일열의 복수의 화소회로는, 상기 제 4의 스위치를 통해 다른 기준전류공급선과 접속되어 있다.
바람직하게는, 상기 기준전류공급선에 소정의 기준전압을 선택적으로 공급하는 기준전압 공급수단을 가진다.
바람직하게는, 상기 기준전압 공급수단은, 기준전압원을 가지며, 상기 기준전류원과 상기 기준전압원을, 상기 기준전류 공급선에 대하여 선택적으로 접속하는 스위치회로를 추가로 가지고 있다.
바람직하게는, 상기 전기광학소자를 구동하는 경우, 제 1의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며, 제 2의 스위치로서, 수평주사기간 경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 제 3의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급한다.
바람직하게는, 상기 전기광학소자 구동하는 경우, 제 1의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며, 제 2의 스위치로서, 수평주사기간의 복수배의 시간경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 제 3의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급한다.
바람직하게는, 상기 전기광학소자 구동하는 경우, 제 1의 스위치로서, 상기 기준전류공급선이, 상기 기준전압 공급수단에 의해 기준전압이 공급되어 미리 충전되며, 제 2의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며, 제 3의 스위치로서, 수평주사기간 경과후에 상기 제 3의 제어선에 의해 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 제 4의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급한다.
바람직하게는, 상기 기준전류의 값은, 상기 전기광학소자의 발광의 중간색에 상당하는 값으로 설정된다.
바람직하게는, 상기 기준전압의 값은, 상기 구동 트랜지스터의 입계치의 차이의 중간값으로 설정된다.
본 발명의 제 3의 관점에 관한 표시장치는, 매트릭스 형태로 복수배열된 회소회로와, 상기 화소회로의 매트/릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 행마다 배선된 제 1의 제어선과, 제 1 및 제 2의 기준전위를 가지며, 상기 화소회로는, 소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단과, 제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와, 상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와, 상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며, 상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있다.
본 발명의 제 4의 관점은, 흐르는 전류에 의해 휘도가 변화하는 전기광학소자와, 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과, 제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와, 소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단과, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와, 상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와, 상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와, 상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며, 상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있는 화소회로의 구동방법에 있어서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치를 소정시간 도통시켜 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며, 소정시간 경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 제 3의 스위치를 도통시켜, 상기 제 1의 스위치를 도통시키고, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치를 비도통상태로 유지하며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급한다.
본 발명에 의하면, 예를 들면 기준전류공급선에 정전류원에 의해 기준전류가 흐른다.
그리고, 제 2의 스위치, 및 제 4의 스위치를 도통상태로 보존한다. 이 때, 제 2의 스위치 및 제 4의 스위치가 오프하고, 제 1의 노드, 제 2의 노드는, 기준전류공급선을 통해 기준전류원에 접속되며, 기준전류를 유도하기 위해서, 화소의온 전류가 기준전류에 일치하도록, 구동 트랜지스터의 게이트 전압치가 설정된다.
이에 의해, 임계치와 이동도 μ가 불균일하게 되어 있는 모든 화소에 대해서의 보정(자동제로동작)이 실행된다.
이어서, 제 2 및 제 4의 스위치를 비도통상태로 하여 자동제로동작((Vth) 보정동작)을 종료한 후, 예를 들면 제 1의 스위치를 도통상태로 한다.
또한, 제 1의 제어선에 의해 제 3의 스위치를 도통하고, 데이터선에 전파된 소정 전위의 데이터신호를 결합 커패시터에 인가시킨다. 이에 의해, 결합 커패시터를 통해 입력 데이터신호가 구동 트랜지스터의 게이트 전압에 결함되며, 결합전압 ΔV에 상당하는 값의 전류가 전기광학소자에 흐르고, 발광한다.
그리고, 제 3의 스위치를 비도통상태로 한다.
도 1은, 제 1의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2는, 도 1의 유기EL 표시장치에 있어서 제 1의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성예를 도시한 회로도이다.
도 3은, 제 1의 실시형태의 동작을 설명하기 위한 타이밍표이다.
도 4는, 도 2의 화소회로에서의 이동도가 다른 구동 트랜지스터의 ΔV(=Vgs-Vth)와 드레인-소스간 전류(Ids)의 특성곡선을 도시한 도면이다.
도 5는, 도 2의 화소회로에서의 구동 트랜지스터의 임계치(Vth)가 다른 화소에서의 자동제로동작시의 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 변화를 도시한 도면이다.
도 6은, 제 2의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 7은, 도 6의 유기EL 표시장치에 있어서 제 1의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성예를 도시한 회로도이다.
도 8은, 제 3의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 9는, 도 8의 유기EL 표시장치에 있어서 제 3의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성예를 도시한 회로도이다.
도 10은, 제 4의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 11은, 도 10의 유기EL 표시장치에 있어서 제 4의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성예를 도시한 회로도이다.
도 12는, 제 4의 실시형태의 동작을 설명하기 위한 타이밍표이다.
도 13은, 제 4의 실시형태의 이점을 설명하기 의한 도면이다.
도 14는, 제 5의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 15는, 도 14의 유기EL 표시장치에 있어서 제 5의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성예를 도시한 회로도이다.
도 16은, 제 5의 실시형태의 동작을 설명하기 위한 타이밍표이다.
도 17은, 제 6의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 18은, 일반적인 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 19는, 도 1의 화소회로의 일구성예를 도시한 회로도이다.
도 20은, 자동제로기능을 가지는 회소회로의 구성예를 도시한 회로도이다.
도 21은, 도 20의 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍표이다.
도 22는, 도 20 화소회로에서의 이동도가 다른 구동 트랜지스터의 ΔV(=Vgs-Vth)와 드레인-소스간 전류(Ids)의 특성곡선을 도시한 도면이다.
도 23은, 구동 트랜지스터의 임계치(Vth)가 다른 화소에서의 자동제로동작시의 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 변화를 도시한 도면이다.
도 24는, 도 20의 회로의 과제를 설명허기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부도면을 참고하여 설명한다.
제 1 실시형태
도 1은, 본 제 1의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 2는, 도 1의 유기EL 표시장치에 있어서 본 제 1의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성을 도시한 회로도이다.
이 표시장치(100)는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와같이, 화소회로(PXLC)(101)가 m ×n의 매트릭스 형태로 배열된 화소배열부(102), 수평선택기(HSEL : 103), 입력스캐너(WSCN : 104), 구동 스캐너(DSCN : 105), 자동제로회로(AZRD : 106), 리파렌즈 정전류원(RCIS : 107), 수평선택기(103)에 의해 선택되는 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선(DTL101 - DTL10n), 입력스캐너(104)에 의해 선택구동되는 주사선(WSL101 - WSL10m), 자동제로회로(106)에 의해 선택구동되는 자동제로선(AZL101 - ZAL10m), 및 정전류원(RCIS)(107)에 의해 기준전류가 공급되는 기준전류공급선(ISL101 - ISL10n)을 가진다.
한편, 화소배열부(102)에 있어서, 화소회로(101)는 m ×n의 매트릭스 형태로 배열되어 있지만, 도 1에 있어서는 도면의 간단화를 위해 2(=m) ×3(=n)의 매트릭스 형태로 배열된 예를 도시하고 있다.
또한, 도 2에 있어서도, 도면의 간단화를 위해 한 개의 화소회로의 구체적인 구성을 도시하고 있다.
본 제 1의 실시형태에 관한 화소회로(101)는, 도 2에 도시한 바와같이, p채널 TFT(111 - 115), 커패시터(C111, 112), 유기EL소자(OLED : 전기광학소자)로 구성되는 발광소자(116), 제 1의 노드(ND111), 제 2의 노드(ND112), 및 제 3의 노드(ND113)를 가진다.
또한, 도 2에 있어서, DTL101은 데이터선을, WSL101은 주사선을, DSL101은 구동선, AZL101은 자동제로선을 각각 표시하고 있다.
이러한 구성요소중, TFT111이 본 발명에 관한 구동 트랜지스터를 구성하고, TFT112가 제 1의 스위치를 구성하며, TFT113이 제 2의 스위치를 구성하며, TFT114가 제 3의 스위치를 구성하며, TFT115가 제 4의 스위치를 구성하고, 커패시터(C111)가 본 발명에 관한 결합 커패시터를 구성하고 있다.
또한, 전류원(I107)과 기준전류공급선(ISL101)에 의해 전류공급수단이 구성된다. 그리고, 기준전류공급선(ISL101)에는 기준전류(Iref(예를 들면 2μA))가 흐르고 있다. 기준전류(Iref)는, 이동도의 보정 하도록 하기 위해, 발광소자(116)의 발광의 중간색에 상당하는 전류값에 설정된다.
또한, 주사선(WSL101)이 본 발명에 관한 제 1의 제어선에 대응하며, 구동선(DSL101)이 제 2의 제어선에 대응하며, 자동제로선(AZL101)이 제 3의 제어선(및 제 4의 제어선)에 대응한다.
또한, 전원전압 VCC의 공급라인(전원전위)이 제 1의 기준전위에 상당하며, 접지전위 GND가 제 2의 기준전위에 상당하고 있다.
화소회로(101)에 있어서, 전원전위 VCC와 접지전위 GND와의 사이에 TFT(111), 제 1의 노드(ND111), TFT(112), 및 발광소자(116)가 직렬로 접속되어 있다.
구체적으로는, 구동 트랜지스터인 TFT(111)의 소스가 전원전압 VCC의 공급라인에 접속되며, 드레인이 제 1의 노드(ND111)에 접속되어 있다.
제 1의 스위치인 TFT(112)의 소스가 제 1의 노드(ND111)에 접속되며, 드레인이 발광소자(116)의 애노드에 접속되며, 발광소자(116)의 캐소드가 접지전위 GND에 접속되어 있다. 그리고, TFT(111)의 게이트가 제 2의 노드(ND112)에 접속되며, TFT(112)의 게이트가 제 2의 제어선으로 구동선(DSL101)에 접속되어 있다.
제 1의 노드(ND111)와 제 2의 노드(ND112)에, 제 2의 스위치로서의 TFT(113) 소스-드레인이 접속되며, TFT(113)의 게이트가 제 3의 제어선으로서의자동제로선(AZL101)에 접속되어 있다.
커패시터(C111)의 제 1전극이 제 2의 노드(ND112)에 접속되며, 제 2전극이 제 3의 노드(ND113)에 접속되어 있다. 또한, 커패시터(C112)의 제 1전극이 제 3의 노드(ND113)에 접속되며, 제 2전극이 전원전위(VCC)에 접속되어 있다.
데이터선(DTL101)과 제 3의 노드(ND113)에 제 3의 스위치로서의 TFT(114) 소스-드레인이 접속되며, TFT(114)의 게이트가 제 1의 제어선으로서의 주사선(WSL101)에 접속되어 있다.
게다가, 제 1의 노드(ND111)와 제 1의 노드(ND111)와 기준전류공급선(ISL101)과의 사이에 제 4의 스위치로서의 TFT(115)의 소스-드레인이 접속되며, TFT(115)의 게이트가 제 3의 제어선으로서의 자동제로선(AZL101)에 접속되어 있다.
이어서, 상기 구성의 동작을, 화소회로의 동작을 중심으로, 도 3(a) - (g)를 참조하여 설명한다.
도 3(a)은 화소배열의 제 1행째의 주사선(WSL)에 인가된 주사신호 ws[1]을, 도 3(b)은 화소배열의 제 2행째의 주사선(WSL)에 인가된 주사신호 ws[2]를, 도 3(c)은 화소배열의 제 1행째의 자동제로선(AZL)에 인가된 자동제로신호 az[1]을, 도 3(d)은 화소배열의 제 2행째의 자동제로선(AZL)에 인가된 자동제로신호 az[2]를, 도 3(e)은 화소배열의 제 1행째의 구동선(DSL1)에 인가된 구동신호 ds[1]을, 도 3(f)은 화소배열의 제 2행째의 구동선(DSL2)에 인가된 구동신호 ds[2]를, 도 3(g)은 TFT(111)의 게이트 전위(Vg)를 각각 나타내고 있다. 또한, Vo는 기준전류 Iref를 흐르는 구동 트랜지스터의 TFT(111)의 게이트 전압치를 나타내고 있다.
한편, 이하에서는, 제 1행째의 화소회로의 동작에 대해서 설명한다.
우선, 기준전류공급선(ISL101)에는 정전류원(107)에 의해 기준전류(Iref)(예를 들면 2μA)가 흐른다.
도 3(c), (e)에 도시한 바와같이, 구동선(DSL1)으로의 구동신호 ds[1]이 높은 레벨의 상태(TFT(112)가 비도통상태)이며, 자동제로선(AZL1)으로의 자동제로신호 az[1]을 낮은 레벨로 하고, TFT(113) 및 TFT(115)를 도통상태로 한다.
이 때 TFT(115)가 온으로 되며, 제 1의 노드(ND111), 제 2의 노드(ND112)는, 기준전류공급선(ISL101)을 통해 기준전류원(I107)에 접속되며, 기준전류(Iref)를 유도하기 위해서, 도 3(g)에 도시한 바와같이, 화소의 온 전류가 기준전류원(Iref)에 일치하도록, 구동 트랜지스터(TFT 111)의 게이트 전압치 Vo가 설정된다.
이에 의해, 임계치와 이동도 μ가 불균일하게 되어 있는 모든 화소에 대해서의 보정(자동제로동작)이 실행된다.
도 3(c)에 도시한 바와같이, 자동제로선(AZL1)으로의 자동제로신호 az[1]을 높은 레벨로 하고 TFT(113, 115)를 비도통상태로 하여 자동제로동작((Vth) 보정동작)을 종료한 후, 도 3(e)에 도시한 바와같이, 구동선(DSL1)으로의 구동신호 ds[1]을 저레벨로 하여, TFT(112)를 도통상태로 한다.
그리고, 주사선(WSL1)으로의 주사신호 ws[1]을, 도 3(a)에 도시한 바와같이, 낮은 레벨로서 TFT(114)를 도통상태로 하여, 데이터선(DTL1)에 전송된 소정 전위의 데이터 신호를 커패시터(C11)에 인가한다. 이에 의해, 도 3(g)에 도시한 바와같이, 커패시터(C111)를 통해 입력 데이터신호가 TFT(111)의 게이트 전압에 결합되며, 결합전압 ΔV에 상당하는 값의 전류 Ids가 EL발광소자(116)에 흐르며, 발광한다.
도 3(a)에 도시한 바와같이, 주사선(WSL101)을 고레벨로 하여 TFT(114)를 비도통상태로 한다.
도 4는, 도 2의 화소회로에서의 이동도가 다른 구동 트랜지스터의 ΔV(= Vgs - (Vth))와 드레인-소스간 전류(Ids)의 특성곡선을 도시한 도면이다.
도 4에 있어서, 가로축이 전압 ΔV를 세로축이 전류 Ids를 각각 나타내고 있다. 또한, 도 4에 있어서, 실선으로 도시한 곡선이 화소 A의 특성을, 파선으로 도시한 곡선이 화소 B의 특성을 나타내고 있다.
도 4에 도시한 바와같이, 본 화소회로에서는, 상술한 바와같이 차이 보정시(ΔV = V0)에는, 임계치(Vth)와 이동도 μ가 다른 화소에 있어서도, 구동 트랜지스터(TFT111)에는 기준전류(Iref)가 흐른다. 그 후, 결합전압(ΔV)에 상당하는 온 전류가 흐른다.
본 화소회로는, 종래방식에서의 이동도가 다른 그래프(도 22)를 평행이동시키고, 전류지(Iref)로 교체하여도 동등하다.
즉, 기준전류(Iref)를 중앙으로 이동도 μ의 차이가 발생하므로, 도 4에 도시한 바와같이, 백색표시 때의 이동도 차이에 의해 온 전류의 차이는 억제된다. 이에 의해, 보다 균일한 포매팅이 우수한 유기EL 패널이 얻어지도록 된다.
또한, 도 5는, 구동 트랜지스터의 임계치(Vth)가 다른 화소(C, D)에서의 자동제로동작시의 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 변화를 도시한 도면이다.
도 5에 있어서, 가로축이 시간 t를, 세로축이 게이트 전압 vg를, 각각 나타내고 있다. 또한, 도 5에 있어서, 실선으로 도시한 곡선이 화소 C의 특성을, 파선으로 도시한 곡선이 화소 D의 특성을 나타내고 있다.
상술한 바와같이, 본 화소회로에서는, 기준전류(Iref)가 흐르도록 TFT(111)의 게이트 전위 Vg가 결정되며, 임계치(Vth)의 차이가 소실된다.
이와같이, 기준전류(Iref)가 흐르는 상태에서 임계치(Vth)의 차이가 소실되므로, 임계치(Vth) 차이의 소실까지의 시간은 종래방식에 비해 단축되며, 임계치(Vth)의 차이의 소실이 불완전해지지 않으며, 균일성의 차이가 발생하지 않는다.
또한, 임계치(Vth)의 차이를 제거한 후에라도, TFT(115)를 도통상태로 보존하는 한, 기준전류(Iref)는 계속 흐르며, 도 5에 도시한 바와같이, 게이트 전압은 계속 보존된다.
즉, 본 화소회로에서는, 게이트 전압은 계속 보존되므로, 임계치 (Vth)의 차이에 대해서 보정된 상태로 게이트 전압은 보존된다.
이에 의해, 임계치(Vth)가 다른 패널에 대해서도, 자동제로의 설정시간에 무관계하게 임계치(Vth)의 보정이 행해진다. 그 결과, 균일성이 개선된다.
이상 설명한 바와같이, 본 제 1의 실시형태에 의하면, 스위치를 통해, 화소의 구동 트랜지스터에 기준전류라인을 접속하고, 임계치 (Vth)의 차이의 보정을 행하게 되므로, 소위백색표시 때의 이동도에 의한 온 전류의 차이를 억제하는 것이가능하며, 종래방식에 비해 이동도 차이에 대한 균일성을 대폭적으로 개선하는 것이 가능하다.
또한, 기준전류(Iref)를 흐르게 하여 임계치(Vth)의 차이의 제거를 행하게 되므로, 종래에 비해 임계치(Vth)의 차이의 제거에 관계되는 시간이 단축되며, 임계치(Vth)의 차이에 의한 균일성의 열화를 방지하는 것이 가능하다. 게다가, 한 번, 임계치(Vth)의 차이가 제거되면, 그 후 게이트 전위는 변동하지 않으므로, 자동제로의 시간은 임계치(Vth)의 절대치에 의존하지 않으며, 자동제로시간의 설정에 의한 공수의 증가를 억제하는 것이 가능하다.
한편, 본 실시형태에서는, 기준전류원으로서 표시패널내에서 생성하는 구성으로 설명하였지만, 기준전류(Iref)를 패널외부로부터 공급하도록 구성하여도 가능하다. 이 경우, 예를 들면 외부의 MOSIC등에 의해 기준전류(Iref)를 생성하고, 패널에 입력하므로, 각각의 기준전류공급원 마다 전류치의 차이는 작다.
또한, 본 실시형태에서는, 제 2의 스위치로서의 TFT(113)의 게이트와 제 4의 스위치로서의 TFT(115)의 게이트를 제 3의 제어선으로서의 자동제로선(AZL101)에 접속한 구성이었지만, 제 2의 스위치로서의 TFT(113)의 게이트를 제 3의 제어선으로서의 제 1의 자동제로선(AZL101-2)에 접속하고, 제 4의 스위치로서의 TFT(115)의 게이트를 제 4의 제어선으로서의 제 2의 자동제로선(AZL101-2)에 접속하도록 하는 구성도 가능하다.
이와같이, TFT113과 TFT115를 다른 제어선에 의해 온 시키는 경우, 온(ON)이 되는 타이밍은 어느 것이 먼저(뒤에)라도 자동제로동작에 영향은 없다.
단지, 구동펄스를 감소시키는 것이 가능하므로, 본 실시형태와 같이, 공용의 제어선에 의해 동일 타이밍에서 온(ON)하는 편이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 구동스캔과 자동제로를 중첩하지 않도록 구동제어하지만, 중첩시키는 것도 가능하다. 중첩하는 것이, 구동 트랜지스터(TFT111)의 커트 오프를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 입력스캔 전에 구동스캔을 온 하도록 구동제어하지만, 이것은 동시에 일어나거나, 구동스캔이 뒤에 되더라도 상관없다.
구동스캔 전에 구동스캔을 온 시키는 편이, 신호전압기입시에, 구동트랜지스터(TFT111)가 포화구동이 되며, 게이트 용량이 작아지게 되므로, 구동스캔 전에 구동스캔을 온시키는 것이 바람직하다.
제 2실시형태
도 6은, 본 제 2의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 7은, 도 6의 유기EL 표시장치에 있어서 본 제 2의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성을 도시한 회로도이다.
본 제 2의 실시형태가 상술한 제 1의 실시형태와 다른 점은, 리파렌즈 정전류원(RCIS)(107)을 설치하고, 기준전류를 기준전류공급선에 흐르게 하며, 각 화소회로의 TFT115에 의해 제 1의 노드(ND111)와 기준전류공급선을 접속하는 대신에, 도 7에 도시한 바와같이, 각 화소회로마다 기준전류를 생성하도록 구성한 것이다.
구체적으로는, 도 7에 도시한 바와같이, 각 화소회로(101a)에 있어서, 정전류원으로서의 n채널 TFT117과 정전압원(118)을 설치하고 있다.
그 결과, 도 6에 도시한 바와같이, 도 1의 리파렌즈 정전류원(RICS)(107)은 필요하지 않다.
제 1의 노드(ND111)와 TFT117의 드레인에, 제 4의 스위치로서의 TFT(115)의 소스-드레인을 접속하며, TFT(117)의 소스를 접지전위(GND)에 접속하고 있다. 또한, TFT(117)의 게이트를 정전압원(118)에 접속하고 있다.
TFT(117)에 정전압원(118)에 의한 저전압의 게이트 전압을 인가하며, 동시에 포화영역에서 동작시키므로, 이 n채널 TFT(117)를 정전류원으로 이용하고 있다.
본 제 2의 실시형태에 의하면, 상술한 제 1의 실시형태의 효과뿐만 아니라, 패널외부로부터 기준전류공급선을 인출하는 것에 비해, 입력단자수를 대폭적으로 삭감하는 것이 가능하다는 효과를 얻는 것이 가능하다.
한편, 본 화소회로에서는, TFT(117)의 임계치 (Vth)에 문제가 있지만, 그것을 해결하기 위해서, 예를 들면 TFT(117)의 소스전위를 부전위로 떨어뜨리고, TFT(117)의 게이트-소스간 전압(Vgs)을 크게 하여, 임계치 (Vth)의 차이를 흡수하는 것이 가능하다.
제 3실시형태
도 8은, 본 제 3의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 9는, 도 8의 유기EL 표시장치에 있어서 본 제 3의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성을 도시한 회로도이다.
본 제 3의 실시형태가 상술한 제 2의 실시형태와 다른 점은, 정전압원(108)을 설치하고, 각 열마다 공통의 전압공급선(VSL101 - VSL10n)을 배선하며, 각 화소의 TFT(117)의 게이트에 접속하도록 하는 것이다. 그리고, 각 전압공급선(VSL101 - VSL10n)에 대응하여 전압원(V108)을 접속한다.
그 외의 구성은, 상술한 제 2의 실시형태와 동일하다.
본 제 3의 실시형태에 의하면, 상술한 제 1의 실시형태의 효과와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다.
제 4실시형태
도 10은, 본 제 4의 실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 11은, 도 10의 유기EL 표시장치에 있어서 본 제 4의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성을 도시한 회로도이다.
또한, 도 12(a) - (g)는 도 11의 회로의 동작의 타이밍표이다.
본 제 4의 실시형태가 상술한 제 1의 실시형태와 다른 점은, 화소열 마다 1개의 기준전류공급선(ISL)을 설치하는 대신에, 복수개의, 예를 들면 N개(예를 들면 N=m)의 기준전류공급선(ISL101 - ISL101-N, ISL102 - ISL102-N,....., ISL10m-1 - ISL10m-N)을 설치하고, 예를 들면 각화소회로(101)마다 다른 기준전류공급선에 접속하도록 구성한 점이다.
그 외의 구성은 제 1의 실시형태와 동일하다.
본 제 4의 실시형태에 의하면, 도 12(c)에 도시한 바와같이, 자동제로기간(임계치 (Vth), 이동도 μ)으로서, 제 1의 실시형태의 경우의 1H에 대해서 N배의 기간설정이 가능하다.
이에 의해, 대화면에서 신호선 용량이 크더라도(많더라도), 화소내의 임계치 (Vth)의 차이가 제거되며, 균일성이 우수한 화질을 얻는 것이 가능하다.
이 제 4의 실시형태의 효과에 대해서, 도 13(a), (b)를 참조하여 상세하게 설명한다.
여기에서, 예를 들면 도 13(a)에 도시한 바와같이, 화소열 마다 1개의 기준전류공급선(ISL)을 설치한 경우의 동작을 간단하게 설명한다.
우선, 제 1행째의 화소회로(101-1)의 TFT(113-1), TFT(115-1)을 온시킴으로써, 기준전류(Iref)가 구동 트랜지스터(TFT111-1)에 기입된다. 이 게이트 전압은 포화영역 구동을 위해, 상기 식 1에 기초한다.
이 때, 동시에 기준전류공급선(ISL)의 용량(Csig)에도 TFT(113-1)의 게이트 전압이 기입된다. 이어서, 제 1행째의 화소회로(101-1)의 TFT(113-1), TFT(115-1)가 오프되며, 제 2행째의 화소회로(101-2)의 TFT(113-2), TFT(115-2)를 온 시킨다. 이하, 동일한 동작이 반복된다.
여기에서, 화소회로의 구동 트랜지스터(TFT11)의 임계치(Vth)가 불균일할 때의 기입을 고려한다.
예를 들면, 제 1행째의 화소회로(101-1)의 TFT(111-1)의 임계치 (Vth)의 차이의 보정을 행한 후에, 제 2행째의 화소회로(101-2)의 TFT(111-2)의 임계치(Vth)의 차이의 보정을 행할 때의 기준전류공급선(ISL)에 있어서 A점의 전위변화를 고찰한다.
예를 들면, Iref = 2μA이며, 제 1행째의 화소회로(101-1)의 TFT(111-1)과 제 2행째의 화소회로(101-2)의 TFT(111-2)에서 임계치 (Vth)가 각각 2.0V와 2.3V로서 0.3V의 차이가 난다.
임계치 (Vth)의 차이를 위해서, 기준전류(Iref)에 대한 제 1행째의 화소회로(101-1)의 구동 트랜지스터(TFT111)의 게이트 전압은 8.0V, 제 2행째의 TFT(111-2)의 게이트 전압은 7.7V로 된다.
즉, 기준전류공급선(ISL)의 전위(A)는 8.0V로부터 7.7V로 변화하게 된다. 이 전위변화시의 동작도를 도 13(b)에 도시하고 있다.
A점의 전위가 변화할 때에 흐르는 전류의 버스로는 도 13(b)의 전류(I0, I1, I2)의 버스이다. 이러한 키르히호프 법칙에 근거하여, Iref = 2μA = I0 + I1 +I2로 된다.
I0은 구동 트랜지스터(TFT111-2)를 흐르는 전류, I1은 화소용량(C111-2)으로부터 나오는 전류, I2는 기준전류공급선(ISL)의 용량(Csig)으로부터 나오는 전류이다.
여기에서는 C(111)와 Csig를 8.0V로부터 7.7V로 방전할 필요가 있다. TFT(115-2)가 온이 되는 당초, TFT(112-2)의 게이트 전압은 A점의 전위가 기입되는 8.0V이며, I0은 2μA보다 작은 전류가 흐르고 있다. 그 차분의 전류에 의해 C(111-2)와 Csig가 방전되며, TFT(111-2)의 게이트 전압과 A점의 전위가 7.7V에 근접하게 된다.
그러나, 게이트 전압이 7,7V에 근접하게 됨에 따라, 10≒2μA로 되며, I1, I2와 함께 대단히 작은 값으로 된다. 이 작은 전류에서 C(111-2)와 Csig를 방전할 필요가 있으며, 완전히 7.7V까지 방전하기 위해서는 긴 시간이 필요하다.
특히, 패널이 대형화하면 기준전류공급선(ISL)의 용량(Csig)은 증가한다. 즉, 임계치(Vth)가 다른 단계에서의 게이트 전압의 변이에는 대단히 긴 시간을 필요로 한다.
예를 들면 제 1의 실시형태와 같이, 화소 일열에 대해서 한 개의 기준전류공급선(ISL)을 설치한 경우에는, 구동 트랜지스터가 되는 TFT(111)의 임계치(Vth)의 차이의 보정은 1H 기간내에 수행할 필요가 있지만, 패널이 대형화되면, 1H기간내에서는 임계치(Vth)의 차이의 보정이 종료되는 것이 불가능하다는 우려가 발생한다.
이에 대해서, 본 제 4의 실시형태에서는, 화소열마다 기준전류공급선(ISL)을 복수개 설치하고, 자동제로기간(임계치(Vth), 이동도 μ의 보정기간)으로서, N ×H와 기다란 보정기간을 설정하는 것이 가능하다. 그 결과, 패널이 대형화되어도 화소회로내의 임계치(Vth)의 차이를 확실하게 제거하는 것이 가능하며, 대형화면에 있어서도 균일성이 우수한 화질을 얻는 것이 가능하다.
제 5실시형태
도 14는, 본 제 5실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
도 15는, 도 14의 유기EL 표시장치에 있어서 본 제 5의 실시형태에 관한 화소회로의 구체적인 구성을 도시한 회로도이다.
또한, 도 16(a) - (g)는 도 15의 회로의 동작의 타이밍표이다.
본 제 5의 실시형태가 상술한 제 4의 실시형태와 다른 점은, 패널이 대형화되어도 화소회로내의 임계치 (Vth)의 차이를 확실하게 제거하기 위해서, 화소열마다 복수개의 기준전류공급선을 설치하고, 각 화소회로(101)마다 다른 기준전류공급선에 접속하는 대신에, 임계치(Vth)의 차이의 보정을 행하기 전에, 기준전압(Vref)을 기준전류공급선에 공급하고, 즉, 미리 충전하도록 하는 것이다.
그러므로, 본 제 5의 실시형태에 관한 표시장치(100D)에 있어서는, 도 14에 도시한 바와같이, 리파렌즈(RCIS : 107)뿐만 아니라, 리파렌즈 정전압원(RCVS : 109). 및 스위치회로(110)를 설치하고, 스위치회로(110)를 통해, 기준전류공급선(ISL101 - ISL10n)에 기준전압(Vref) 또는 기준전류(Iref)를 선택적으로 공급하도록 구성하고 있다.
스위치회로(110)는, 예를 들면 도 15에 도시한 바와같이, 소스-드레인이 정전류원(I107)과 기준전류공급선(ISL101)에 접속된 p채널 TFT(1011)와, 소스-드레인이 정전압원(I109)과 기준전류공급선(ISL101)에 접속된 n채널 TFT(1012)로 구성되는 스위치가, 각 기준전류공급선(ISL101 - ISL10n)에 대응하여 설치되어 있다.
그리고, 도 16(a)에 도시한 바와같은 펄스신호(Vref)에 의해 TFT(1011)와 TFT(1012)가 상보적으로 온-오프된다.
그 외의 구성은, 상술한 제 1 및 제 4의 실시형태와 동일하다.
본 제 5의 실시형태에 관한 표시장치는, 기준전류공급선의 수를 대폭적으로증대시키니 않고 임계치(Vth)의 차이를 제거하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 도 16(a) - (h)에 도시한 바와같이, 임계치(Vth)의 차이의 보정을 행하기 전에, 펄스신호(Vref)를 스위치회로(110)에 입력하고, 스위치의 TFT(1012)를 소정기간 온동작시켜 기준전류공급선(ISL101 - ISL10n)에 기준전압(Vref)을 공급한다.
기준전압(Vref)은, 예를 들면 임계치(Vth)의 차이의 중간치로 설정된다.
이에 의해, 임계치(Vth)의 차이의 보정기간을 단축할 수 있고, 차이를 경감하는 것이 가능하다.
이와같이, 사전 충전(pre-charge)기간에 있어서, 임계치(Vth)의 차이의 중간치(중앙치)의 기준전압(Vref)을 기준전류공급선(ISL101 - ISL10n)에 기입한다.
이 경우, 전압기입이 되며, 기준전류공급선(ISL101 - ISL10n)의 용량이 크더라도 단시간에 기입한다.
여기에서, 인접화소의 임계치(Vth)가 ±0.3V 다를 때의 기준전류공급선의 전위변화에 대해서 고찰한다.
제 1의 실시형태와 같이, 서전충전을 행하지 않는 경우, 기준전류공급선의 전위는, 전단계의 게이트 전압으로부터, 현재 단계의 게이트 전압으로 변화한다.
이 때, 인접화소의 임계치(Vth)가 ±0.3V 다르다면, 이 기준전류-전압공급선의 전압변화량은 0.6V로 된다. 이 변화량이 매우 크게 되기 위해서, 임계치(Vth)의 차이의 보정기간에서는 변이하지 않으며, 그 부족분 Δ(Vth)차이로서 균일성 차이로 나타날 우려가 있다.
이 ΔV의 값은 변이량에 비례하기 때문에, 차이의 값이 크면 클수록 ΔV도 크게 되며, 균일성도 나빠지게될 우려가 있다.
한편, 본 제 5의 실시형태와 같이, 기준전압(Vref)을 기입한 후에, 도 16(a) - (h)에 도시한 바와같이, 임계치(Vth)의 차이의 보정을 행하면, 기준전류공급선의 변이량은 0.3V가 되어 우수하게 된다.
즉, 사전 충전을 행하지 않는 경우와 비교하면, 보정할 양이 반감한다. 따라서, (Vth) 보정내의 변이부족분 ΔV도 사전 충전을 행하지 않는 경우와 비교하면 반분 이하로 된다.
이에 의해, 특히 대형 유기EL 패널에 있어서 임계치(Vth)의 차이에 의한 균일성의 차이의 보정을 보다 짧은 시간에 행하는 것이 가능하다. 따라서, 제 4의 실시형태에 비교하면 기준전류공급선의 본래 수의 삭감도 가능하다. 화소배열도 용이하게 된다.
또한, 전체 임계치(Vth)의 차이의 보정은 기준전압(Vref)을 기준으로 하여 행하게 되므로, 전단계의 화소의 임계치(Vth) 차이의 영향을 받지 않고 임계치(Vth) 보정을 행하는 것이 가능하다.
또한, 기준전압(Vref)을 외부로부터 조정가능하도록 하여, 패널마다 최적의 기준전압(Vref)을 조정하는 것이 가능하다.
이에 의해, 내면의 임계치(Vth) 차이를 화질을 보면서, 그 차이가 최소가 되는 점으로 조정하는 것이 가능하며, 화질 균일성이라는 면에서 향상이 가능하다.
제 6실시형태
도 17은, 본 제 6실시형태에 관한 화소회로를 채용한 유기EL 표시장치의 구성을 도시한 블록도이다.
본 제 6의 실시형태가 제 5의 실시형태와 다른 점은, 스위치회로(110A)의 TFT(110)를 p채널 TFT대신에 n채널 TFT로 하며, TFT(1012)를 n채널 TFT대신에 p채널 TFT로 하는 데에 있다.
즉, 스위치회로를 구성하는 TFT는, 선택적으로 전류, 전압을 기준전류공급선(ISL)에 공급가능하다면 n채널, p채널중 어느 것이라도 좋다.
그 외의 구성을, 상술한 제 5의 실시형태와 동일하다.
본 제 6의 실시형태에 의하면, 상술한 제 5의 실시형태의 효과와 동일한 효과를 얻는 것이 가능하다.
한편, 상술한 제 1 - 제 6의 실시형태에 있어서는, 자동제로회로(AZRD : 106), 입력 스캐너(WSCN : 104) 및 구동 스캐너(DSCN : 105)의 배열로서, 화소배열부(102)의 도면에 있어서 좌측에 자동제로회로(AZRD : 106)를 배치하고, 우측에 입력 스캐너(WSCN : 104) 및 구동 스캐너(DSCN : 105)를 배치하는 경우를 예로 설명하였지만, 전부 좌측, 혹은 우측에 배치하는, 혹은 우측에 자동제로회로(AZRD : 106)를 배치하고, 좌측에 입력 스캐너(WSCN : 104) 및 구동 스캐너(DSCN : 105)를 배치하는, 혹은, 자동제로회로(AZRD : 106)와 입력 스캐너(WSCN : 104) 또는 구동 스캐너(DSCN : 105)를 조합하여 좌측 혹은 우측에 배치하는 등, 여러가지 양태가 가능하다.
이상 설명한 바와같이, 본 발명에 의하면, 백색 표시때의 이동도에 의한 온 전류의 차이를 억제하는 것이 가능하며, 종래방식에 비해 이동도 차이에 대한 균일성을 대폭적으로 개선하는 것이 가능하다.
또한, 기준전류를 흐르게 하여 임계치(Vth) 차이의 제거를 행하게 되므로, 임계치(Vth) 차이의 제거에 관한 시간이 단축되며, 임계치의 차이에 의한 균일성의 열화를 방지할 수 있다.
게다가, 한 번 임계치 차이가 제거되면, 그 후 구동 트랜지스터의 게이트 전위는 변동하지 않으므로, 소위 자동제로시간은 임계치의 절대치에 의존하지 않고 자동제로시간의 설정에 의한 공수의 증가를 억제하는 것이 가능하다.
또한, 화소열 마다 1개의 기준전류공급선을 설치하는 대신에, 복수개를 설치하고, 예를 들면 각 화소회로마다 다른 기준전류공급선에 접속함으로써, 자동제로시간(임계치(Vth), 이동도 μ의 보정기간)으로서, N배의 기간설정이 가능하게 된다.
이에 의해, 대화면에서 신호선 용량이 크게 되더라도, 화소내의 임계치 (Vth)의 차이가 제거되며, 균일성이 우수한 화질을 얻는 것이 가능하다.
게다가, 임계치(Vth)의 차이의 보정을 행하기 전에 사전 충전을 행함으로써, 짧은 임계치의 차이의 보정에 있어서도, 균일성이 우수한 화질을 얻는 것이 가능하다. 또한, 기준전류공급선의 본래 수를 감소시키는 것이 가능하며, 화소배열도 용이하게 된다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 화소내부의 능동소자의 임계치의 차이는 원래, 이동도의 차이에 달려 있지 않으며, 안정적이고 정확하게 각 화소의 발광소자에 소망의 값의 전류를 공급할 수 있으며, 그 결과로서 고품질인 화상을 표시하는 것이 가능하게 된다.

Claims (19)

  1. 흐르는 전류에 의해 휘도가 변화하는 전기광학소자를 구동하는 화소회로에 있어서,
    휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과,
    제 1의 제어선과,
    제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와,
    제 1 및 제 2의 기준전위와,
    소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단과,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와,
    상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와,
    상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며,
    상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있는 화소회로.
  2. 제 1항에 있어서,
    제 2, 제 3, 및 제 4의 제어선을 추가로 가지며,
    상기 제 1의 스위치가 상기 제 2의 제어선에 의해 도통제어되며, 상기 제 2의 스위치가 상기 제 3의 제어선에 의해 도통제어되고, 상기 제 4의 스위치가 상기 제 4의 제어선에 의해 도통제어되는 화소회로.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 3의 제어선과 제 4의 제어선이 공용되며, 상기 제 2의 스위치 및 제 4의 스위치가 한 개의 제어선에 의해 도통제어되는 화소회로.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 전기광학소자를 구동하는 경우,
    제 1의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며,
    제 2의 스위치로서, 소정시간 경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의스위치가 비도통상태로 유지되며,
    제 3의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급하는 화소회로.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 기준전류의 값은, 상기 전기광학소자의 발광의 중간색에 상당하는 값으로 설정되는 화소회로.
  6. 매트릭스 형태로 복수배열된 회소회로와,
    상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과,
    상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 행마다 배선된 제 1의 제어선과,
    제 1 및 제 2의 기준전위와,
    소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단을 가지며,
    상기 화소회로는,
    제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와,
    상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와,
    상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며,
    상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있는 표시장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 기준전류 공급수단은, 기준전류원과, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 상기 기준전류원으로부터 기준전류가 공급되는 기준전류공급선을 포함하며,
    상기 제 4의 스위치는, 상기 제 1의 노드와 기준전류공급선과의 사이에 접속되어 있는 표시장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 기준전류 공급수단은, 기준전류원과, 상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 상기 기준전류원으로부터 기준전류가 공급되는 기준전류공급선을 포함하며,
    동일열의 복수의 화소회로는, 상기 제 4의 스위치를 통해 다른 기준전류공급선과 접속되어 있는 표시장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 기준전류공급선에 소정의 기준전압을 선택적으로 공급하는 기준전압 공급수단을 가지는 표시장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 기준전압 공급수단은, 기준전압원을 가지며,
    상기 기준전류원과 상기 기준전압원을, 상기 기준전류 공급선에 대하여 선택적으로 접속하는 스위치회로를 추가로 가지는 표시장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 전기광학소자를 구동하는 경우,
    제 1의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제1의 노드에 기준전류를 공급하며,
    제 2의 스위치로서, 수평주사기간 경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며,
    제 3의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급하는 표시장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 기준전류의 값은, 상기 전기광학소자의 발광의 중간색에 상당하는 값으로 설정되는 표시장치.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 전기광학소자 구동하는 경우,
    제 1의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며,
    제 2의 스위치로서, 수평주사기간의 복수배의 시간경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며,
    제 3의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급하는 표시장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 기준전류의 값은, 상기 전기광학소자의 발광의 중간색에 상당하는 값으로 설정되는 표시장치.
  15. 제 7항에 있어서,
    상기 전기광학소자 구동하는 경우,
    제 1의 스위치로서, 상기 기준전류공급선이, 상기 기준전압 공급수단에 의해 기준전압이 공급되어 미리 충전되며,
    제 2의 스위치로서, 상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치가 소정시간 도통되어 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며,
    제 3의 스위치로서, 수평주사기간 경과후에 상기 제 3의 제어선에 의해 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며,
    제 4의 스위치로서, 상기 제 1의 제어선에 의해 상기 제 3의 스위치가 도통되며, 상기 제 1의 스위치가 도통되어, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치가 비도통상태로 유지되며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급하는 표시장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 기준전류의 값은, 상기 전기광학소자의 발광의 중간색에 상당하는 값으로 설정되는 표시장치.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 기준전압의 값은, 상기 구동 트랜지스터의 입계치의 차이의 중간값으로 설정되는 표시장치.
  18. 매트릭스 형태로 복수배열된 회소회로와,
    상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 열마다 배선되며, 휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과,
    상기 화소회로의 매트릭스 배열에 대하여 행마다 배선된 제 1의 제어선과,
    제 1 및 제 2의 기준전위를 가지며,
    상기 화소회로는,
    소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단과,
    제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와,
    상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와,
    상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며,
    상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있는 표시장치.
  19. 흐르는 전류에 의해 휘도가 변화하는 전기광학소자와,
    휘도정보에 대응하는 데이터신호가 공급되는 데이터선과,
    제 1, 제 2, 및 제 3의 노드와,
    소정의 기준전류를 공급하는 기준전류 공급수단과,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 단자와 제 2의 단자사이에서 전류공급라인을 형성하고, 상기 제 2 노드에 접속된 제어단자의 전위에 대응하여 상기 전류공급라인을 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와,
    상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 제 2의 스위치와,
    상기 데이터선과 상기 제 3의 노드와의 사이에 접속되고, 상기 제 1의 제어선에 의해 도통제어되는 제 3의 스위치와,
    상기 제 1의 노드와 상기 기준전류 공급수단과의 사이에 접속된 제 4의 스위치와,
    상기 제 2의 노드와 상기 제 2의 노드와의 사이에 접속된 결합 커패시터를 가지며,
    상기 제 1의 기준전위와 상기 제 2의 기준전위와의 사이에, 상기 구동 트랜지스터의 전류공급라인, 상기 제 1의 노드, 상기 제 1의 스위치, 및 상기 전기광학소자가 직렬로 접속되어 있는 화소회로의 구동방법에 있어서,
    상기 제 2의 스위치, 및 상기 제 4의 스위치를 소정시간 도통시켜 상기 제 1의 노드와 상기 제 2의 노드를 전기적으로 접속하고, 그리고 제 1의 노드에 기준전류를 공급하며,
    소정시간 경과후에 상기 제 2의 스위치 및 상기 제 4의 스위치가 비도통상태로 유지되며,
    제 3의 스위치를 도통시켜, 상기 제 1의 스위치를 도통시키고, 상기 데이터선을 전파하는 데이터가 상기 제 3의 노드에 기입한 후, 상기 제 3의 스위치를 비도통상태로 유지하며, 상기 전기광학소자에 상기 데이터신호에 대응하는 전류를 공급하는 화소회로의 구동방법.
KR1020040034870A 2003-05-19 2004-05-17 화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법 KR101033676B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003140871A JP4049018B2 (ja) 2003-05-19 2003-05-19 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JPJP-P-2003-00140871 2003-05-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040100939A true KR20040100939A (ko) 2004-12-02
KR101033676B1 KR101033676B1 (ko) 2011-05-12

Family

ID=33529458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040034870A KR101033676B1 (ko) 2003-05-19 2004-05-17 화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7236149B2 (ko)
JP (1) JP4049018B2 (ko)
KR (1) KR101033676B1 (ko)
CN (1) CN100405441C (ko)
TW (1) TWI243354B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142281B1 (ko) * 2005-10-11 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 구동방법
KR20130016063A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101279115B1 (ko) * 2006-06-27 2013-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
KR101502070B1 (ko) * 2008-12-02 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법

Families Citing this family (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569849B2 (en) * 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP4360121B2 (ja) 2003-05-23 2009-11-11 ソニー株式会社 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP4590831B2 (ja) * 2003-06-02 2010-12-01 ソニー株式会社 表示装置、および画素回路の駆動方法
JP4168836B2 (ja) 2003-06-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
JP4049037B2 (ja) * 2003-06-30 2008-02-20 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
US7196682B2 (en) * 2003-09-29 2007-03-27 Wintek Corporation Driving apparatus and method for active matrix organic light emitting display
JP5044883B2 (ja) * 2004-03-31 2012-10-10 日本電気株式会社 表示装置、電気回路の駆動方法、及び表示装置の駆動方法
US8378930B2 (en) * 2004-05-28 2013-02-19 Sony Corporation Pixel circuit and display device having symmetric pixel circuits and shared voltage lines
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
JP4327042B2 (ja) * 2004-08-05 2009-09-09 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP2006146672A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Toshiba Corp データ処理装置及びデータ処理方法
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
JP5128287B2 (ja) 2004-12-15 2013-01-23 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 表示アレイのためのリアルタイム校正を行う方法及びシステム
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
KR100604066B1 (ko) * 2004-12-24 2006-07-24 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
CA2495726A1 (en) * 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
JP2006243525A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Sony Corp 表示装置
JP2006285116A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Eastman Kodak Co 駆動回路
US7852298B2 (en) 2005-06-08 2010-12-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving a light emitting device display
KR101139527B1 (ko) * 2005-06-27 2012-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 유기전계발광 표시장치
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US8004477B2 (en) * 2005-11-14 2011-08-23 Sony Corporation Display apparatus and driving method thereof
JP4918983B2 (ja) * 2005-11-14 2012-04-18 ソニー株式会社 画素回路及び表示装置
TWI449009B (zh) * 2005-12-02 2014-08-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和使用該顯示裝置的電子裝置
TWI419105B (zh) * 2005-12-20 2013-12-11 Thomson Licensing 顯示面板之驅動方法
JP4967336B2 (ja) * 2005-12-26 2012-07-04 ソニー株式会社 画素回路及び表示装置
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
KR20090006057A (ko) 2006-01-09 2009-01-14 이그니스 이노베이션 인크. 능동 매트릭스 디스플레이 회로 구동 방법 및 시스템
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
KR100732853B1 (ko) * 2006-02-28 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치
KR100719662B1 (ko) * 2006-02-28 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치와 그의 구동방법
JP4360375B2 (ja) * 2006-03-20 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び駆動方法
TWI328789B (en) * 2006-03-23 2010-08-11 Au Optronics Corp Method of driving lyquid crystal display
WO2007118332A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
KR101194861B1 (ko) * 2006-06-01 2012-10-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자
JP4240068B2 (ja) 2006-06-30 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP5130667B2 (ja) * 2006-07-27 2013-01-30 ソニー株式会社 表示装置
JP4203772B2 (ja) * 2006-08-01 2009-01-07 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP2008058940A (ja) * 2006-08-02 2008-03-13 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
JP2008134346A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
JP2008152096A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
KR100821055B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
JP2008224787A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Sony Corp 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP4306753B2 (ja) * 2007-03-22 2009-08-05 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP4508205B2 (ja) * 2007-03-26 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP2008256916A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
US7985978B2 (en) 2007-04-17 2011-07-26 Himax Technologies Limited Display and pixel circuit thereof
JP2009031620A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Sony Corp 表示装置及び表示装置の駆動方法
KR101200655B1 (ko) 2007-09-28 2012-11-12 파나소닉 주식회사 발광 소자 회로 및 액티브 매트릭스형 표시 장치
JP2009133913A (ja) * 2007-11-28 2009-06-18 Sony Corp 表示装置
CA2631683A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-16 Ignis Innovation Inc. Recovery of temporal non-uniformities in active matrix displays
WO2009127065A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
JP4775408B2 (ja) * 2008-06-03 2011-09-21 ソニー株式会社 表示装置、表示装置における配線のレイアウト方法および電子機器
JP4816686B2 (ja) 2008-06-06 2011-11-16 ソニー株式会社 走査駆動回路
JP2010002795A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
US8217861B2 (en) * 2008-10-30 2012-07-10 National Cheng Kung University Driving circuit, and a pixel circuit incorporating the same
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
CA2686497A1 (en) * 2008-12-09 2010-02-15 Ignis Innovation Inc. Low power circuit and driving method for emissive displays
JP2010145581A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
CN102280085B (zh) * 2010-06-10 2013-09-11 元太科技工业股份有限公司 像素驱动电路、像素驱动的方法以及发光显示器
TWI493524B (zh) 2010-06-10 2015-07-21 Prime View Int Co Ltd 發光顯示器的畫素驅動電路及相關裝置與方法
JP2012047807A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP2013544009A (ja) * 2010-10-21 2013-12-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 輝度分布制御手段を持つｏｌｅｄ装置
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
WO2012156942A1 (en) 2011-05-17 2012-11-22 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
CN106910464B (zh) 2011-05-27 2020-04-24 伊格尼斯创新公司 补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路
CN103597534B (zh) 2011-05-28 2017-02-15 伊格尼斯创新公司 用于快速补偿显示器中的像素的编程的系统和方法
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
KR101918185B1 (ko) * 2012-03-14 2018-11-14 삼성디스플레이 주식회사 어레이 검사 방법 및 어레이 검사 장치
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
TWI471844B (zh) * 2012-07-19 2015-02-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 顯示面板、畫素驅動電路、驅動畫素方法與電子裝置
KR20140014694A (ko) * 2012-07-25 2014-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시기기의 영상 보상 장치 및 방법
KR102011178B1 (ko) * 2012-11-26 2019-08-14 아이엠이씨 브이제트더블유 액티브 매트릭스 디스플레이의 저전력 디지털 구동 장치 및 방법
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
DE112014001402T5 (de) 2013-03-15 2016-01-28 Ignis Innovation Inc. Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige
WO2014174427A1 (en) 2013-04-22 2014-10-30 Ignis Innovation Inc. Inspection system for oled display panels
JP6225511B2 (ja) 2013-07-02 2017-11-08 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
DE112014003719T5 (de) 2013-08-12 2016-05-19 Ignis Innovation Inc. Kompensationsgenauigkeit
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
CN109416897B (zh) * 2016-07-29 2021-07-02 索尼公司 显示装置、显示装置制造方法以及电子设备
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
CN106910467A (zh) 2017-04-28 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 像素驱动电路、显示面板及像素驱动方法
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
CN109979383B (zh) * 2019-04-24 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路以及显示面板
TWI717963B (zh) * 2019-12-31 2021-02-01 敦泰電子股份有限公司 發光二極體像素顯示單元、發光二極體顯示裝置及其亮度調整方法
CN115938302B (zh) * 2022-12-23 2023-11-03 惠科股份有限公司 像素驱动电路、显示面板及显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
KR20050084509A (ko) * 1997-04-23 2005-08-26 사르노프 코포레이션 능동 매트릭스 발광 다이오드 화소 구조물 및 이를동작시키는 방법
JP2001083924A (ja) 1999-09-08 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流制御型発光素子の駆動回路および駆動方法
JP4831874B2 (ja) * 2001-02-26 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US6661180B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus
JP4982014B2 (ja) 2001-06-21 2012-07-25 株式会社日立製作所 画像表示装置
JP2003043993A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc アクティブマトリックス型ディスプレイ
JP4075505B2 (ja) * 2001-09-10 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、及び電子機器
JP3956347B2 (ja) * 2002-02-26 2007-08-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ディスプレイ装置
TW575851B (en) * 2002-03-22 2004-02-11 Ind Tech Res Inst Elemental circuit for active matrix of current driving device
TWI228696B (en) * 2003-03-21 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Pixel circuit for active matrix OLED and driving method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142281B1 (ko) * 2005-10-11 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 구동방법
KR101279115B1 (ko) * 2006-06-27 2013-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
KR101502070B1 (ko) * 2008-12-02 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
US9064454B2 (en) 2008-12-02 2015-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same
KR20130016063A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4049018B2 (ja) 2008-02-20
KR101033676B1 (ko) 2011-05-12
CN1551089A (zh) 2004-12-01
CN100405441C (zh) 2008-07-23
TW200509046A (en) 2005-03-01
US20050007357A1 (en) 2005-01-13
US7236149B2 (en) 2007-06-26
JP2004341444A (ja) 2004-12-02
TWI243354B (en) 2005-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101033676B1 (ko) 화소회로, 표시장치, 및 화소회로의 구동방법
US20230048033A1 (en) Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit
US7508361B2 (en) Display device and method including electtro-optical features
JP4168836B2 (ja) 表示装置
JP4203772B2 (ja) 表示装置およびその駆動方法
US7768485B2 (en) Display apparatus and method of driving same
KR102079839B1 (ko) 표시 장치, 표시 장치의 구동 방법 및 전자 기기
JP2004361640A (ja) 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP4590831B2 (ja) 表示装置、および画素回路の駆動方法
JP4639674B2 (ja) 表示装置および表示装置の駆動方法
JP4547900B2 (ja) 画素回路及びその駆動方法とアクティブマトリクス装置並びに表示装置
JP4581337B2 (ja) 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法
JP2006030728A (ja) 表示装置および表示装置の駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee