KR20040085047A - 탄성 표면파 공진기, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터,안테나 공용기 - Google Patents

탄성 표면파 공진기, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터,안테나 공용기 Download PDF

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KR20040085047A KR1020040021027A KR20040021027A KR20040085047A KR 20040085047 A KR20040085047 A KR 20040085047A KR 1020040021027 A KR1020040021027 A KR 1020040021027A KR 20040021027 A KR20040021027 A KR 20040021027A KR 20040085047 A KR20040085047 A KR 20040085047A
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

압전 기판 상에 형성된 IDT 전극과, 상기 IDT 전극에 인접하는 반사기 전극을 갖고, 상기 IDT 전극은 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거와 스트립 라인 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는 서로 교차하지 않으며, 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합된 구성으로 이루어진다. 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되기 때문에 공통 버스바(bus bar) 전극이 불필요해져서, 이 공통 버스바 전극의 저항값에 기인하는 로스를 저감할 수 있을 뿐만 아니라, 보다 소형 형상의 SAW 공진기를 실현할 수 있다.

Description

탄성 표면파 공진기, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터, 안테나 공용기{SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATOR, AND SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER AND ANTENNA COMBINER USING THE SAME}
본 발명은, 탄성 표면파 공진기, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터, 안테나 공용기에 관한 것이다.
최근, 이동체 통신의 발전에 따라서, 사용되는 디바이스의 고성능화, 소형화가 요구되고 있다. 이동체 통신 기기용의 필터로서, 탄성 표면파 필터(이하, SAW 필터라고 부른다)가 널리 이용되고 있다. 그 중에서, RF(Radio Frequency)단에 사용되는 SAW 필터로서는, 주로 세로 모드형과 러더형이 이용되고 있다. 러더형 SAW 필터는, 세로 모드형 SAW 필터에 비해서 저 로스화가 용이하다. 러더형 SAW 필터는, 다수의 탄성 표면파 공진기(이하, SAW 공진기라고 부른다)를 사다리형으로 접속한 구성으로 이루어진다. 이 때문에, SAW 필터의 고성능화에는, SAW 공진기의 고성능화가 요구된다.
이하, 종래의 SAW 공진기에 대해서, 도 15를 이용하여 설명한다.
도 15는, 가장 일반적인 종래의 SAW 공진기(1500)의 평면도이다. 이 SAW 공진기(1500)는, 압전 기판(1502) 상에 형성된 인터 디지털 트랜스듀서 전극(이하, IDT 전극이라고 부른다)(1504)과, 이 IDT 전극(1504)의 양측에 배치된 반사기 전극(1514)에 의해 구성되어 있다. IDT 전극(1504)은, 제1 버스바(bus bar) 전극(1506)과 그것에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거(1508)와, 제2 버스바 전극(1510)과 그것에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거(1512)에 의해 구성되어 있다. 또, 제1 전극 핑거(1508)와 제2 전극 핑거(1512)는 교차하여 배치되어 있다. 또, 제1 전극 핑거(1508)와 제2 전극 핑거(1512)는, 각각의 피치가 탄성 표면파(이하, SAW라고 부른다)의 파장(λ)과 일치하도록 배열되어 있다.
양측에 배치된 반사기 전극(1514)은, 다수의 스트립 라인 전극(1516)이 공통 반사기 전극(1518)에 의해 전기적으로 단락된 구성으로 되어 있다. 또, 제1 버스바 전극(1506)은 제1 단자(1520)와 접속되고, 제2 버스바 전극(1510)은 제2 단자(1522)와 접속되어 있다. 따라서, 이 SAW 공진기(1500)는 한쌍의 단자 구성으로 이루어져 있다.
이와 같은 SAW 공진기를 이용하여 SAW 필터나 안테나 공용기를 구성하는 경우, 필터 특성뿐만 아니라 내 전력성이 큰 것이 요구된다. 이 때문에, 상기의 일반적인 SAW 공진기의 구성을 개량하는 것이 다양하게 행해지고 있다.
도 16은, 종래 구성의 SAW 공진기로, 직렬 접속된 구성을 도시하는 평면도이다. 이 구성은 주로 내 전력성을 개선하기 위해서 이용되고 있다. 이 SAW 공진기(1530)는, 압전 기판(1502) 상에 2개의 공진기 유니트(1532, 1534)가 접속 전극(1536)으로 접속된 구성으로 이루어진다. 각각의 공진기 유니트(1532, 1534)의 구성은, 도 15에 도시한 SAW 공진기(1500)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 제1 단자(1520)와 제2 단자(1522)는, 공진기 유니트(1532, 1534)의 버스바 전극과 각각 접속되어 있다.
이 SAW 공진기(1530)의 용량값을, 도 15에 도시하는 SAW 공진기(1500)의 용량값과 동일하게 되도록 설계하면, 이들의 SAW 공진기(1500, 1530)는 거의 동등한 특성을 얻을 수 있다. 이 경우, SAW 공진기(1530)는, 2개의 공진기 유니트(1532, 1534)가 직렬 접속되어 있기 때문에, 각각의 용량값을 SAW 공진기(1500)의 2배로 설계하면 된다. 이것을 위해서는, 예를 들면 공진기 유니트(1532, 1534)를 구성하는 IDT 전극의 대수, 즉 IDT 전극의 전극 핑거의 개수를 2배로 하는 등의 방법이 취해지고 있다.
또, 도 17에 도시하는 SAW 공진기(1540)는, 도 16에 도시하는 SAW 공진기(1530)에서 2개의 공진기 유니트(1532, 1534)에서 공용하는 공통 버스바 전극(1538)을 설치하고, 접속 전극(1536)을 불요로 한 구성이다.
또한, 일본국 특개평 7-74584호 공보에서는, 내 전력성을 향상시키는 것이 가능한 SAW 필터로서, SAW를 여진, 검출하기 위한 빗형 전극과, 이 빗형 전극에 의해 여진된 SAW를 반사시키기 위한 반사기 전극을 구비한 SAW 공진기를 적어도 2개 구비하고, 적어도 1개의 SAW 공진기의 빗형 전극을 분할 전극 구조로 한 구성이 도시되어 있다.
또, 내 전력성을 향상시키기 위한 SAW 필터로서, 일본국 특개평 8-298433호 공보에 개시된 구성도 있다. 이 개시예도 다수개의 SAW 공진기를 이용한 SAW 필터이다.
한편, 내 전력성의 향상을 목적으로 하는 것은 아니지만, 트랜스버설형의 SAW 필터의 경우에는, 소망의 주파수 특성을 실현하기 위해서 입력 IDT 전극이나 출력 IDT 전극에 가중이 행해지고 있다. 도 18은 트랜스버설형 SAW 필터의 기본 구성을 도시하는 도면이다. 이 SAW 필터(1542)는, 압전 기판(1544) 상에 입력 IDT 전극(1546)과 출력 IDT 전극(1548)을 배치하여 이루어진다. 입력 신호(Vs)가 입력 IDT 전극(1546)에 입력되어 탄성 표면파로 변환되고, 압전 기판(1544)의 표면을 출력 IDT 전극(1548)으로 전파한다. 출력 IDT 전극(1548)에 전달된 탄성 표면파는 출력 IDT 전극(1548)에서 전기 신호로 변환되고, 부하(RL)에서 출력 신호로서 취출된다.
도 19는, 여진 강도를 변화시키는 가중의 일례이고, 입력 IDT 전극(1546)의 일부에 대해서만 도시하고 있다. 입력 IDT 전극(1546)은, 제1 패턴 영역(1550), 제2 패턴 영역(1552) 및 제3 패턴 영역(1554)으로 구성되어 있다. 즉, 제1 패턴 영역(1550)에서는, 각각의 전극 핑거가 교차하여 배치되어 있다. 제2 패턴 영역(1552)에서는 전극 핑거끼리는 교차하지 않고, 각각의 전극 핑거 사이에 인접하여 1개의 도그레그(dogleg) 형상의 전극이 배치되어 있다. 또, 제3 패턴 영역(1554)에서는 동일하게 전극 핑거끼리는 교차하지 않고, 각각 인접하는 전극 핑거 사이에 2개의 도그레그 형상의 전극이 배치되어 있다. 또한, 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 패턴 영역(1550), 제2 패턴 영역(1552) 및 제3 패턴 영역(1554)의 각각의 전극 핑거는 길이가 다르다. 이들의 패턴 영역(1550, 1552,1554)을 SAW의 전파 방향에 따라서 최적의 배치가 되는 설계를 행하여, 소망의 주파수 특성을 실현하고 있다.
또, 도 20은, 용량 결합을 이용하는 가중의 일례이고, 동일하게 입력 IDT 전극(1556) 부분만을 도시하고 있다. 이 구성의 경우에는, 입력 IDT 전극(1556)은, 전극 핑거(1558, 1560)끼리는 교차하지 않고, 대향하여 배치되어 있다. 이들의 전극 핑거(1558, 1560)의 사이에 결합 전극(1562)을 배치함으로써, 입력 IDT 전극(1556)은 용량 결합 영역(Capacitive Coupling Section)(1564)과 전압 가중 영역(Voltage Weighted Section)(1566)이 형성된다. 이 용량 결합 영역(1564)의 결합전 전극(1562)의 길이를 적당히 조정한다. 예를 들면, 결합 전극(5621)과 다른 결합 전극(5622)의 길이는 다르고, 이 결과 결합 전극(5621) 부분에서의 용량은 C1이며, 결합 전극(5622) 부분에서의 용량은 C2가 되고, 한편, 전압 가중 영역(1566)의 용량은 전부 Ce가 된다.
이와 같은 용량 결합을 이용하는 가중은, 트랜스버설형의 SAW 필터에서 적용되고 있다. 즉, 용량 결합의 크기를 SAW의 전파 방향을 따라서 변화시킴으로써 가중이 가능하고, 이것을 최적화함으로써 트랜스버설형 SAW 필터에서 소망의 주파수 특성을 실현하고 있다. 이들에 대해서는, 예를 들면 일본 학술 진흥회 탄성 표면파 소자 기술 제150 위원회 편찬, 탄성 표면파 핸드북, P195 및 P208에 기재되어 있다.
그러나, 도 16에 도시한 SAW 공진기(1530)에서는, 공진기 유니트(1532, 1534)끼리를 직렬 접속하기 위한 접속 전극(1536)이나 버스바 전극을 설치하고 있기 때문에 소형화가 곤란하다.
또, 도 17에 도시하는 SAW 공진기(1540)에서는, 접속 전극을 없애고 있기 때문에, 그 만큼 소형화할 수 있지만, 공진기 유니트(1532, 1534)에서 공용하는 공통 버스바 전극(1538)의 폭을 가늘게 하고 있기 때문에, 이것에 의한 저항 성분의 영향이 생겨서 SAW 공진기(1540)의 특성의 열화, 예를 들면 로스의 증대가 생긴다. 특히, IDT 전극의 대수를 많게 할수록, 공통 버스바 전극(1538)은 길어지고, 이 영향이 보다 현저해진다.
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하는 것으로, 공진기 유니트를 직렬 접속하는 구성으로 하면서, 저 로스로, 또한 소형화가 가능한 SAW 공진기 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터, 안테나 공용기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 탄성 표면파 공진기는 이하의 구성을 포함한다 :
압전 기판과,
상기 압전 기판 상에 형성된 인터 디지털 트랜스듀서 전극과,
상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극에 인접하는 반사기 전극을 갖고,
상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극은, 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거와 스트립 라인 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는 서로 교차하지 않으며, 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합된 구성으로 이루어진다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되기 때문에 공통 버스바(bus bar) 전극이 불필요해져서, 보다 소형 형상으로 할 수 있다. 이 결과, 탄성 표면파 공진기 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터, 안테나 공용기의 특성의 향상과 소형화를 실현할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시예 1에서의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 2a는, 상기 실시예에서의 SAW 공진기의 통과 특성을 도시하는 도면,
도 2b는, 종래의 SAW 공진기의 통과 특성을 도시하는 도면,
도 3은, 상기 실시예의 변형예의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 4는, 상기 실시예의 또 다른 변형예의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 5는, 상기 실시예의 또 다른 변형예의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 6은, 본 발명의 실시예 2에서의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 7은, 상기 실시예에서의 SAW 공진기의 통과 특성을 도시하는 도면,
도 8은, 상기 실시예의 변형예의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 9는, 상기 실시예의 또 다른 변형예의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 10은, 본 발명의 실시예 3에 관한 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 11은, 본 발명의 실시예 4에 관한 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 12는, 상기 실시예의 변형예의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 13은, 본 발명의 실시예 5에 관한 SAW 필터의 구성을 도시하는 평면도,
도 14는, 본 발명의 실시예 6에 관한 SAW 필터의 구성을 도시하는 평면도,
도 15는, 종래의 일반적인 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도,
도 16은, 종래 구성의 SAW 공진기로, 직렬 접속된 구성을 도시하는 평면도,
도 17은, 도 16에 도시하는 SAW 공진기에서 공통 버스바(bus bar) 전극 구성을 도시하는 평면도,
도 18은, 종래의 트랜스버설형 SAW 필터의 구성을 도시하는 평면도,
도 19는, 도 18에 도시하는 SAW 필터에서, 여진 강도의 가중의 일례를 도시하는 평면도,
도 20은, 도 18에 도시하는 SAW 필터에서, 용량 결합에서의 가중의 일례를 도시하는 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 60, 70, 75, 82, 84, 1500, 1530, 1540 : SAW 공진기
11, 1502, 1544 : 압전 기판
13, 32, 42, 62, 72, 74, 1504 : 인터 디지털 트랜스듀서 전극(IDT 전극)
14, 23, 24, 15, 25, 26, 63, 64, 95, 96, 1514 : 반사기 전극
16, 86, 1520 : 제1 단자 17, 88, 1522 : 제2 단자
20, 65 : 제1 영역 22, 66 : 제2 영역
67 : 제3 영역 80, 90 : SAW 필터
89 : 접지면(그랜드 단자) 92 : 제1 IDT 전극
93 : 제2 IDT 전극 94 : 제3 IDT 전극
100 : 접속 배선
131, 321, 421, 621, 721, 741, 921, 931, 941, 1506 : 제1 버스바 전극
132, 322, 422, 622, 722, 742, 922, 932, 942, 1508 : 제1 전극 핑거
133, 324, 423, 623, 723, 743, 923, 933, 943, 1510 : 제2 버스바 전극
134, 325, 424, 624, 724, 744, 924, 934, 944, 1512 : 제2 전극 핑거
135, 142, 144, 152, 154, 232, 242, 252, 253, 261, 263, 327, 425, 632, 634, 636, 642, 644, 646, 925, 952, 954, 962, 964, 1516 : 스트립 라인 전극
141, 143, 145, 151, 153, 155, 231, 233, 241, 243, 252, 262, 631, 633, 635, 637, 641, 643, 645, 647, 951, 953, 955, 961, 963, 965, 1518 : 공통 반사기 전극
323 : 제1 더미 전극 326 : 제2 더미 전극
625, 725, 745 : 제1 스트립 라인 전극
626, 726, 746 : 제2 스트립 라인 전극
935, 945 : 제3 전극 핑거 936, 946 : 제3 버스바 전극
937, 947 : 제4 전극 핑거 1532, 1534 : 공진기 유니트
1536 : 접속 전극 1538 : 공통 버스바 전극
1542 : SAW 필터 1546, 1556 : 입력 IDT 전극
1548 : 출력 IDT 전극 1550 : 제1 패턴 영역
1552 : 제2 패턴 영역 1554 : 제3 패턴 영역
1558, 1560 : 전극 핑거 1562, 5621, 5622 : 결합 전극
1564 : 용량 결합 영역 1566 : 전압 가중 영역
이하, 본 발명의 탄성 표면파 공진기, 탄성 표면파 필터 및 안테나 공용기에 대해서, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 동일 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 붙이고 있고, 설명을 생략하는 경우가 있다.
(실시예 1)
도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에서의 SAW 공진기의 구성을 도시하는 평면도이다. SAW 공진기(10)는, 압전 기판(11) 상에 형성된 IDT 전극(13)과, 이 양측에 배치된 2단 구성의 반사기 전극(14, 15)에 의해 구성되어 있다.
IDT 전극(13)은, 제1 버스바(bus bar) 전극(131)과 그것에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거(132), 제2 버스바 전극(133)과 그것에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거(134), 및 고립된 형상의 다수의 스트립 라인 전극(135)에 의해 구성되어 있다.
제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)는, 각각 SAW의 파장(λ)의 주기로 배치되어 있다. 또, 제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)는 교차하지 않고, SAW의 전파 방향에 대해서 동일 위치에서, 일정 간격을 형성하여 서로 대향하는 위치에 배치되어 있다. 또한, 제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)의 중심으로부터 λ/2 어긋난 위치에서, 또한 제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)에 대해서, 각각 교차하는 위치에 스트립 라인 전극(135)이 배치되어 있다. 스트립 라인 전극(135)은, 각각의 전극 핑거에 대한 교차폭이 동일하고, 또한 전파 방향에 따라서 한 모양으로 배치하고 있다.
또, 반사기 전극(14)은, 공통 반사기 전극(141, 143)에서 단락된 다수의 스트립 라인 전극(142)과, 공통 반사기 전극(143, 145)에서 단락된 스트립 라인 전극(144)에 의해 구성되어 있다. 반사기 전극(15)도 동일한 구성이며, 공통 반사기 전극(151, 153)에서 단락된 다수의 스트립 라인 전극(152)과, 공통 반사기 전극(153, 155)에서 단락된 스트립 라인 전극(154)에 의해 구성되어 있다. 또한, 이 반사기 전극(14, 15)은, 모두 동일 형상으로 이루어진다.
또, 제1 버스바 전극(131)은 제1 단자(16)에 접속되고, 제2 버스바 전극(133)은 제2 단자(17)에 접속된다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 도시하는 바와 같이 제1 영역(20)이 SAW 공진기로서의 특성을 갖는 제1 공진기 유니트로서 동작한다. 또, 제2 영역(22)이 SAW 공진기로서의 특성을 갖는 제2 공진기 유니트로서 동작한다. 이들은, 스트립 라인 전극(135)을 통해서 음향적으로 결합되어 있기 때문에, 등가적으로 2개의 공진기 유니트가 직렬 접속된 구성이 된다.
즉, IDT 전극(13) 중, 제1 전극 핑거(132)와, 그것과 교차하는 스트립 라인 전극(135)으로 IDT 전극 패턴을 구성하고, 이 양측에 배치된 반사기 전극(14, 15)이 대응하는 형상으로 형성되어 있기 때문에, 이 제1 영역(20)이 제1 공진기 유니트를 구성하고 있다.
또, IDT 전극(13) 중, 제2 전극 핑거(134)와, 그것과 교차하는 스트립 라인전극(135)으로 IDT 전극 패턴을 구성하고, 이 양측에 배치된 반사기 전극(14, 15)이 대응하는 형상으로 형성되어 있기 때문에, 이 제2 영역(22)이 제2 공진기 유니트를 구성하고 있다. 그리고, 스트립 라인 전극(135)이 양자에서 공용되고, 음향적으로 결합되어 있기 때문에, 각각의 공진기 유니트끼리가 등가적으로 직렬 접속된 구성이 된다. 또한, 이들의 공진기 유니트는, 각각이 SAW 공진기로서의 특성을 갖는다.
이 SAW 공진기(10)에서는, 공통 버스바 전극을 이용하지 않고, 제1 영역(20)의 공진기 유니트와 제2 영역(22)의 공진기 유니트를 등가적으로 직렬 접속할 수 있다. 이 결과, 로스를 저감할 수 있는 동시에 공통 버스바 전극을 설치하지 않은 부분만큼 소형의 형상으로 할 수 있다.
도 2a 는, 이 SAW 공진기(10)를 이용하였을 때의 제1 단자(16)로부터 제2 단자(17)로의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 또, 도 2b 는 도 17 에 도시한 종래의 SAW 공진기(1540)의 경우의 통과 특성을 도시하는 도면이다.
여기에서, 본 실시예의 SAW 공진기(10)에서, 제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)가 대향하는 영역의 간격은 3㎛(이것은, 3λ/4이다)로 하고 있다. 또 종래의 SAW 공진기(1540)에서, 공통 버스바 전극의 폭은 10㎛로 하고 있다. 또한, 본 실시예의 SAW 공진기(10)와 종래의 탄성 표면파 공진기(1540)는 대수나 교차폭 등의 파라미터는 동일하게 하고 있다.
도 2a 및 도 2b 를 비교하면, 본 실시예의 SAW 공진기(10)의 로스의 최소값은 0.3㏈이고, 종래의 SAW 공진기(1540)의 로스의 최소값은 0.4㏈이며, 0.1㏈정도로스를 작게 할 수 있는 것이 발견되었다. 또, 도 2b 에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 SAW 공진기(1540)에서는, 통과 대역 근방에 리플(201)이 생기고 있다. 이것은, 공통 버스바 전극의 저항 성분이나 SAW 공진기(1540)에서의 2개의 공진기 유니트 사이의 불연속 부분에 기인하는 것으로 생각된다. 그러나, 본 실시예의 SAW 공진기(10)에서는, 도 2a 로부터 알 수 있는 바와 같이, 이와 같은 리플은 생기고 있지 않다.
또한, 도 2a 및 도 2b 는, 가로축이 주파수이고, 세로축은 감쇠량이며, 우측에 대해서는 감쇠량을 확대하여 도시하고 있다.
이와 같이, 본 실시예의 SAW 공진기(10)는, 제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)가 교차하고 있지 않은 구성임에도 불구하고, 다수의 스트립 라인 전극(135)에 의해, 이들을 음향적으로 결합시킴으로써 양호한 통과 특성을 얻을 수 있다. 따라서, 본 실시예의 SAW 공진기에서는, 공진기 유니트를 직렬 접속하는 구성이면서, 로스의 증대를 억제할 수 있기 때문에, 저 로스로 내 전력이 우수한 SAW 공진기를 얻을 수 있다.
도 3은, 본 실시예의 변형예의 SAW 공진기(25)를 도시하는 평면도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 본 변형예의 SAW 공진기(25)는 반사기 전극(23, 24)의 구성이 다른 것이 특징이다. 즉, 좌측의 반사기 전극(23)은, 공통 반사기 전극(231, 233)에 의해 전기적으로 단락된 다수의 스트립 라인 전극(232)으로 구성되어 있다. 또, 우측의 반사기 전극(24)은, 공통 반사기 전극(241, 243)에 의해 전기적으로 단락된 다수의 스트립 라인 전극(242)으로 구성되어 있다. 이와 같이, 중앙부에 공통 반사기 전극을 설치하고 있지 않은 것이, SAW 공진기(10)에 비해서 다른 점이다. 또한, 이들의 반사기 전극(23, 24)은 모두 동일 형상으로 이루어진다. 이와 같은 구성으로 해도, 제1 영역(20)이 제1 공진기 유니트로, 제2 영역(22)이 제2 공진기 유니트로 되어, 이들은 각각 SAW 공진기로서의 특성을 갖는다.
또, 도 4는, 본 실시예의 또 다른 변형예의 SAW 공진기(30)를 도시하는 평면도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 본 변형예의 SAW 공진기(30)도 반사기 전극(25, 26)의 구성이 다른 것이 특징이다. 즉, 좌측의 반사기 전극(25)은, 공통 반사기 전극(252)이 중앙부에 설치되어 있고, 이들에 접속되는 다수의 스트립 라인 전극(251, 253)의 다른쪽의 단부는 개방 상태로 구성되어 있다. 또, 우측의 반사기 전극(26)도, 공통 반사기 전극(262)이 중앙부에 설치되어 있고, 이들에 접속되는 다수의 스트립 라인 전극(261, 263)의 다른쪽의 단부는 개방 상태로 구성되어 있다. 이와 같이, 중앙부에만 공통 반사기 전극을 설치한 구성으로 한 것이, SAW 공진기(10)에 비해서 다른 점이다. 또한, 이들의 반사기 전극(25, 26)은 모두 동일 형상으로 이루어진다. 이와 같은 구성으로 해도, 제1 영역(20)이 제1 공진기 유니트로, 제2 영역(22)이 제2 공진기 유니트로 되어, 동일하게 이들은 각각 SAW 공진기로서의 특성을 갖는다.
도 5는, 본 실시예의 또 다른 변형예의 SAW 공진기(35)의 구성을 도시하는 평면도이다. 이 변형예의 SAW 공진기(35)는, IDT 전극(32)의 구성이 SAW 공진기(10)와 다르다. 즉, 본 변형예의 SAW 공진기(35)에서는, IDT 전극(32)은 제1 버스바 전극(321)에 접속된 제1 전극 핑거(322)와 제1 더미 전극(323), 제2 버스바 전극(324)에 접속된 제2 전극 핑거(325)와 제2 더미 전극(326), 및 스트립 라인 전극(327)으로 구성되어 있다. 반사기 전극(14, 15)은 SAW 공진기(10)와 동일하다.
도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 더미 전극(323)과 제2 더미 전극(326)은, 스트립 라인 전극(327)의 길이를 짧게 하여 생긴 영역부에 형성되어 있다. 제1 더미 전극(323)은, 제1 전극 핑거(322)의 사이에 배치되고, 제1 버스바 전극(321)에 접속된다. 제2 더미 전극(326)은, 제2 전극 핑거(325)의 사이에 배치되고, 제2 버스바 전극(324)에 접속된다.
여기에서, 제1 더미 전극(323)과 제2 더미 전극(326)의 길이를, 각각 Wd로 하면, Wd≥0.5λ(λ: SAW 파장)로 설정하면 각각의 버스바 전극(321, 324)으로의 SAW의 누설을 유효하게 저감할 수 있다. 또, 제1 더미 전극(323)과 제2 더미 전극(326)이 각각 스트립 라인 전극(327)과 대향하는 영역의 갭을 G로 하였을 때, G≤0.25λ(λ: SAW 파장)로 설정하면, 동일하게 각각의 버스바 전극(321, 324)으로의 SAW의 누설을 유효하게 저감할 수 있다. 또, 제1 더미 전극(323)과 제2 더미 전극(326)의 폭을 Bd로 하고, 제1 전극 핑거(322)와 제2 전극 핑거(325)의 폭을 Bf로 하였을 때, Bd>Bf로 설정하면, 각각의 버스바 전극(321, 324)으로의 SAW의 누설을 보다 저감할 수 있다.
또한, Wd는 0.5λ보다 크게 하는 것이 바람직하지만, 그 상한값은 스트립 라인 전극(327)의 길이와 갭(G)의 설정에 의해 결정된다. 갭(G)은, 0.25λ 이하이면 되고, 하한값은 포토리소 프로세스와 에칭 프로세스로 가공 가능한 간극이면 된다.또, 스트립 라인 전극(327)과 제1 전극 핑거(322) 및 제2 전극 핑거(325)가 교차하는 길이는, 임피던스 등에 의해 최적으로 설계된다.
또, 제1 더미 전극(323)과 제2 더미 전극(326)의 폭(Bd)의 상한값은, 인접하는 제1 전극 핑거(322), 제2 전극 핑거(325)와 접촉하지 않는 값으로 하는 것이 필요하다.
이 변형예의 SAW 공진기(35)는, 공진기 유니트를 직렬 접속하는 구성이면서, 로스의 증대를 억제할 수 있기 때문에, 저 로스로 내 전력이 우수한 SAW 공진기를 얻을 수 있다. 또한, 버스바 전극으로의 SAW의 누설을 저감할 수도 있다.
또한, 본 실시예의 SAW 공진기의 반사기 전극의 구성은 상기에 한정되는 것이 아니라, SAW의 봉쇄가 가능한 구성이면 어떠한 것이어도 상관없다.
또, 상기의 SAW 공진기에서는, 제1 영역의 공진기 유니트와 제2 영역의 공진기 유니트에서, 각각의 전극 핑거와, 스트립 라인 전극의 교차폭은 동일하게 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 각각의 교차폭을 변화시켜서 용량값을 조정하는 것도 가능하다.
또, 제1 공진기 유니트와 제2 공진기 유니트의 각각의 공진 주파수를 다르게 해도, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성이면 상관없다.
또, 본 실시예에서, 도 2a 의 특성을 측정하기 위해서 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거가 대향하는 영역의 간격은 3㎛(3λ/4)로 하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 설계상 최적인 간격으로 하면 된다.
또, 본 실시예에서는, IDT 전극을 구성하는 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거의 전부를 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성으로 하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 일부의 영역이 음향적으로 결합되는 구성이어도 된다. 또, 도 15에 도시하는 종래의 SAW 공진기에서 이용되고 있는 IDT 전극 구성을 포함하는 구성으로 해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 SAW 공진기는, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합시킴으로써 2개의 공진기 유니트를 구성하고, 이들을 직렬 접속함으로써, 통과 특성이 양호한 SAW 공진기를 얻을 수 있다.
(실시예 2)
도 6은, 본 발명의 실시예 2에 관한 SAW 공진기(40)의 구성을 도시하는 평면도이다. 본 실시예의 SAW 공진기(40)의 IDT 전극(42)도, 제1 버스바 전극(421)과, 그것에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거(422), 제2 버스바 전극(423)과, 그것에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거(424) 및 고립된 형상의 다수의 스트립 라인 전극(425)에 의해 구성되어 있다.
그러나, 실시예 1의 SAW 공진기(10)란, 이하와 같은 점에서 다르다. 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)는, SAW 파장(λ)의 1/2 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이들 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)에 대해서, 각각의 중심으로부터 SAW 파장(λ)의 1/2 어긋난 위치에 스트립 라인 전극(425)이 배치되고, 또한 이 스트립 라인 전극(425)은 도그레그 형상으로 되어 있다.
즉, 실시예 1의 SAW 공진기(10)에서는, 제1 전극 핑거(132)와 제2 전극 핑거(134)는, SAW 파장(λ)과 동일 주기로 SAW의 전파 방향에 대해서 동일 위치에배치되어 있다. 또한, 스트립 라인 전극(135)은 직선형상으로 형성되어 있다. 이것에 대해서, 본 실시예의 SAW 공진기(40)에서는, 각각의 전극 핑거는 SAW 파장(λ)의 주기로 배치되어 있지만, 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)의 관계에 대해서는, SAW의 전파 방향에 대해서 SAW 파장(λ)의 1/2 어긋나 배치되어 있다. 또한, 스트립 라인 전극(425)은, 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)의 각각의 중심으로부터 SAW 파장(λ)의 1/2 어긋난 위치에, 각각의 전극 핑거와 교차하도록 배치되어 있다. 또한, 이 스트립 라인 전극(425)은, IDT 전극(42)의 거의 중앙부에서 직각으로 절곡되어 있고, 소위 도그레그 형상으로 되어 있다. 여기에서, 각각의 교차폭은 동일하게 하고, 전파 방향을 따라서 한결같이 되도록 배치하고 있다. 그 이외의 구성에 대해서는, 실시예 1의 SAW 공진기(10)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
이상과 같은 구성으로 함으로써, 제1 영역(20)이 제1 공진기 유니트로, 제2 영역(22)이 제2 공진기 유니트로 되고, 이들은 각각 SAW 공진기로서의 특성을 갖는다. 또, 제1 공진기 유니트와 제2 공진기 유니트는, 스트립 라인 전극(425)에 의해 음향적으로 결합되어 있기 때문에 등가적으로 2개의 공진기 유니트가 직렬 접속된 구성이 된다.
본 실시예의 SAW 공진기(40)에서는, 종래의 SAW 공진기(1540)에 도시하는 바와 같은 공통 버스바 전극을 이용할 필요가 없어지고, 제1 영역(20)의 공진기 유니트와 제2 영역의 공진기 유니트를 등가적으로 직렬 접속할 수 있기 때문에, 로스를 저감하는 동시에 소형의 형상으로 할 수 있다.
도 7은, 이 SAW 공진기(40)를 이용하였을 때의 제1 단자(16)로부터 제2 단자(17)로의 통과 특성을 도시하는 도면이다. 이와 같이, 본 실시예의 SAW 공진기(40)는, 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)가 교차하지 않는 구성임에도 불구하고, 스트립 라인 전극(425)에 의해 음향적으로 결합함으로써, 양호한 통과 특성을 얻을 수 있다. 또한, 도 7은, 가로축이 주파수이고, 세로축은 감쇠량이며, 우측에 대해서는 감쇠량을 확대하여 도시하고 있다.
도 8은, 본 실시예의 변형예의 SAW 공진기(45)의 구성을 도시하는 평면도이다. 이 변형예의 SAW 공진기(45)에서는, 반사기 전극(23, 24)의 구성이 본 실시예의 SAW 공진기(40)와는 달리, 실시예 1의 변형예의 SAW 공진기(25)와 동일하게 되어 있는 것이 특징이다. 이와 같은 구성으로 해도, 동일한 특성을 얻을 수 있다.
도 9는, 본 실시예의 또 다른 변형예의 SAW 공진기(50)의 구성을 도시하는 평면도이다. 이 변형예의 SAW 공진기(50)도, 반사기 전극(25, 26)의 구성을 본 실시예의 SAW 공진기(40)와는 달리, 실시예 1의 다른 변형예인 SAW 공진기(30)와 동일하게 되어 있는 것이 특징이다. 이와 같은 구성으로 해도, 동일한 특성을 얻을 수 있다.
또, 본 실시예의 SAW 공진기의 반사기 전극의 구성은 상기에 한정되는 것이 아니라, SAW의 봉쇄가 가능한 구성이면 상관없다.
또, 본 실시예에서는, 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)는, 서로 SAW의 전파 방향으로 SAW 파장(λ)의 1/2만큼 어긋나 대향한 구성으로 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, SAW 파장(λ)의 1/4만큼 어긋나 대향한 구성이나 또 다른 구성으로 해도, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성이면 상관없다.
상기의 SAW 공진기(40, 45, 50)에서는, 제1 영역(20)의 공진기 유니트와 제2 영역(22)의 공진기 유니트에서, 각각의 전극 핑거(422, 424)와, 스트립 라인 전극(425)의 교차폭은 동일하게 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 각각의 교차폭을 변화시켜서 용량값을 조정하는 것도 가능하다.
또, 제1 공진기 유니트와 제2 공진기 유니트의 각각의 공진 주파수를 다르게 해도, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성이면 상관없다.
또, 본 실시예에서는, IDT 전극(42)을 구성하는 제1 전극 핑거(422)와 제2 전극 핑거(424)의 전부를 스트립 라인 전극(425)에 의해 음향적으로 결합하는 구성으로 하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 일부의 영역이 음향적으로 결합되는 구성이어도 된다. 또, 종래의 SAW 공진기(1500)에서 이용되고 있는 IDT 전극 구성을 포함하는 것과 같은 구성으로 해도 된다.
또한, 본 실시예의 구성의 경우에도, 실시예 1에서 설명한 SAW 공진기(35)와 동일하게 더미 전극을 배치해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 SAW 공진기는, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합시킴으로써 2개의 공진기 유니트를 구성하고, 이들을 직렬 접속함으로써, 로스의 저감과 동시에 소형화가 가능하고, 통과 특성이 양호한 SAW 공진기를 얻을 수 있다.
(실시예 3)
도 10은, 본 발명의 실시예 3에 관한 SAW 공진기(60)의 구성을 도시하는 평면도이다. 본 실시예의 SAW 공진기(60)는, IDT 전극(62)과, 이 양측에 배치된 반사기 전극(63, 64)으로 구성되어 있다. IDT 전극(62)은, 제1 버스바 전극(621)과, 그것에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거(622), 제2 버스바 전극(623)과, 그것에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거(624), 및 고립된 형상으로 다른 위치에 배치된 제1 스트립 라인 전극(625), 제2 스트립 라인 전극(626)에 의해 구성되어 있다.
제1 전극 핑거(622)와 제2 전극 핑거(624)는, 각각은 SAW 파장(λ)의 주기로 배치되어 있다. 그러나, 각각의 전극 핑거끼리는 교차하지 않고, 또한 SAW의 전파 방향으로 SAW 파장(λ)의 1/2만큼 어긋나며, 또한 일정 간격을 형성한 위치에 배치되어 있다. 이 제1 전극 핑거(622)와 제2 전극 핑거(624)의 각각의 중심으로부터 SAW 파장(λ)의 1/2 어긋난 위치에 제1 스트립 라인 전극(625)과 제2 스트립 라인 전극(626)이 배치되어 있다. 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 스트립 라인 전극(625)과 제2 전극 핑거(624)는, SAW의 전파 방향을 따라서 동일 위치에서, 또한 대향하는 배치로 되어 있다. 또, 제2 스트립 라인 전극(626)과 제1 전극 핑거(622)도, SAW의 전파 방향을 따라서 동일 위치에서, 또한 대향하는 배치로 되어 있다.
이것에 의해, 제1 전극 핑거(622)와 제1 스트립 라인 전극(625)이 교차하고, 제2 스트립 라인 전극(626)과 제2 전극 핑거(624)가 교차하며, 또한 제1 스트립 라인 전극(625)과 제2 스트립 라인 전극(626)이 교차하는 구성이 된다. 또한, 제1 스트립 라인 전극(625)과 제2 스트립 라인 전극(626)은, 제1 전극 핑거(622)와 제2전극 핑거(624) 사이의 일정 간격 영역에서 교차하는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 각각의 교차폭은 동일하게 하고, SAW의 전파 방향을 따라서 한결같이 되도록 배치하고 있다.
또, 반사기 전극(63, 64)은, IDT 전극(62)의 구조에 대응한 형상으로 되어 있다. 즉, 좌측의 반사기 전극(63)은, 4개의 공통 반사기 전극(631, 633, 635, 637)과, 이들에 전기적으로 접속된 다수의 스트립 라인 전극(632, 634, 636)에 의해 구성되어 있다. 우측의 반사기 전극(64)도 동일하게, 4개의 공통 반사기 전극(641, 643, 645, 647)과, 이들에 전기적으로 접속된 다수의 스트립 라인 전극(642, 644, 646)에 의해 구성되어 있다.
이상의 구성으로 함으로써, 제1 영역(65), 제2 영역(66) 및 제1 스트립 라인 전극(625)과 제2 스트립 라인 전극(626)이 교차하는 제3 영역(67)은, 각각 SAW 공진기로서의 특성을 갖는 제1 공진기 유니트, 제2 공진기 유니트 및 제3 공진기 유니트를 구성한다.
제1 영역(65)의 공진기 유니트와 제3 영역(67)의 공진기 유니트는, 제1 스트립 라인 전극(625)에 의해 음향적으로 결합되어 있다. 또한, 제3 영역(67)의 공진기 유니트와 제2 영역(66)의 공진기 유니트는, 제2 스트립 라인 전극(626)에 의해 음향적으로 결합되어 있다. 따라서, 등가적으로 3개의 공진기 유니트가 직렬 접속된 구성이 된다.
이 결과, 공통 버스바 전극을 이용하지 않고, 제1 영역(65)의 공진기 유니트, 제3 영역(67)의 공진기 유니트 및 제2 영역(66)의 공진기 유니트를 등가적으로직렬 접속할 수 있기 때문에, 로스를 저감하는 동시에 소형의 형상을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명은 본 실시예의 반사기 전극(63, 64)의 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 실시예 1 및 실시예 2와 동일한 구성으로 해도 된다. 또, 이들의 구성뿐만 아니라, SAW의 봉쇄가 가능한 구성이면, 또 다른 구성이어도 된다.
또, 본 실시예에서는, 공진기 유니트를 3단 직렬 접속하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 스트립 라인 전극의 단수를 증가시키면, 또한 다단 구성으로 할 수도 있고, 본 실시예의 SAW 공진기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또, 3개의 영역의 공진기 유니트에 대해서, 본 실시예에서는 그 교차폭은 동일하게 하고 있지만, 각각의 교차폭을 변화시켜서 용량값을 조정하는 것도 가능하다.
또한, 이들의 공진기 유니트의 공진 주파수를 각각 다르게 하는 설계를 행하는 것도 가능하지만, 이 경우 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성이면 상관없다.
또, 본 실시예에서, IDT 전극(62)을 구성하는 제1 전극 핑거(622)와 제2 전극 핑거(624)의 전부를, 제1 스트립 라인 전극(625) 또는 제2 스트립 라인 전극(626)에 의해 음향적으로 결합되는 구성으로 하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 일부의 영역이 음향적으로 결합되는 구성이어도 된다. 또, 종래의 SAW 공진기(1500)에서 이용되고 있는 IDT 전극 구성을 포함하는 것과 같은 구성으로 해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 SAW 공진기는, 배치의 위치가 다른 제1 스트립 라인 전극과 제2 스트립 라인 전극에 의한 음향적인 결합을 이용하여, 공진기 유니트를 구성하는 동시에, 이들을 직렬 접속하고 있다. 이것에 의해, 양호한 특성을 갖고, 로스를 저감하는 동시에, 또한 소형 형상의 SAW 공진기를 실현할 수 있다.
(실시예 4)
도 11은, 본 발명의 실시예 4에 관한 SAW 공진기(70)의 구성을 도시하는 평면도이다. 본 실시예의 SAW 공진기(70)는, 실시예 3의 SAW 공진기(60)에 비해서 IDT 전극의 스트립 라인 전극의 구성이 다르다. 즉, 본 실시예의 SAW 공진기(70)의 IDT 전극(72)은, 제1 버스바 전극(721)과, 그것에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거(722), 제2 버스바 전극(723)과, 그것에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거(724), 및 각각 도그레그 형상으로, 또한 다른 위치에 배치된 제1 스트립 라인 전극(725), 제2 스트립 라인 전극(726)에 의해 구성되어 있다.
제1 전극 핑거(722)와 제2 전극 핑거(724)는, 각각은 SAW 파장(λ)의 주기로 배치되어 있다. 그러나, 각각의 전극 핑거끼리는 교차하지 않고, 또한 SAW의 전파 방향으로 SAW 파장(λ)의 1/2만큼 어긋나며, 또한 일정 간격을 형성한 위치에 배치되어 있다. 이 제1 전극 핑거(722)와 제2 전극 핑거(724)의 각각의 중심으로부터 SAW 파장(λ)의 1/2 어긋난 위치에 도그레그 형상의 제1 스트립 라인 전극(725)과 제2 스트립 라인 전극(726)이 배치되어 있다.
도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 스트립 라인 전극(725)은 제1 전극핑거(722)와 교차하고, 또한 직각 방향으로 절곡되며, 중앙부에서 제2 스트립 라인 전극(726)과 교차하고 있다. 또, 제2 스트립 라인 전극(726)은 제2 전극 핑거(724)와 교차하고, 동일하게 직각 방향으로 절곡되어 상기한 바와 같이 중앙부에서 제1 스트립 라인 전극(725)과 교차하고 있다. 즉, 제1 스트립 라인 전극(725)과 제2 스트립 라인 전극(726)은, 제1 전극 핑거(722)와 제2 전극 핑거(724) 사이의 일정 간격 영역에서 교차하는 구성으로 되어 있다. 여기에서, 각각의 교차폭은 동일하게 하고, SAW의 전파 방향을 따라서 한결같이 되도록 배치하고 있다.
또한, 반사기 전극(63, 64)에 대해서는, 실시예 3의 SAW 공진기(60)와 동일 구성이기 때문에 설명을 생략한다.
제1 영역(65)의 공진기 유니트와 제3 영역(67)의 공진기 유니트는, 제1 스트립 라인 전극(725)에 의해 음향적으로 결합되어 있다. 또, 제3 영역(67)의 공진기 유니트와 제2 영역(66)의 공진기 유니트는, 제2 스트립 라인 전극(726)에 의해 음향적으로 결합되어 있다. 이 결합에 의해, 등가적으로 3개의 공진기 유니트가 직렬 접속된 구성으로 되어 있다.
이상의 구성으로 함으로써, 제1 영역(65)은 제1 공진기 유니트로서 동작하고, 제2 영역(66)은 제2 공진기 유니트로서 동작하며, 또한 제3 영역(67)의 제1 스트립 라인 전극(725)과 제2 스트립 라인 전극(726)이 교차하는 영역은 제3 공진기 유니트로서 동작한다. 또한, 이들의 공진기 유니트는, 제1 스트립 라인 전극(725)과 제2 스트립 라인 전극(726)에 의해 음향적으로 결합되어 있기 때문에, 등가적으로 3개의 공진기 유니트가 직렬 접속된 구성이 된다. 따라서, 공통 버스바 전극을 이용하지 않고, 제1 영역(65)의 공진기 유니트, 제3 영역(67)의 공진기 유니트 및 제2 영역(66)의 공진기 유니트를 등가적으로 직렬 접속할 수 있기 때문에, 공통 버스바 전극의 저항 성분에 의한 특성 열화를 억제할 수 있고, 로스를 저감하는 동시에 또한 소형 형상을 실현할 수 있다.
또한, 본 발명은 본 실시예의 반사기 전극(63, 64)의 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면, 실시예 1 및 실시예 2와 동일한 구성으로 해도 된다. 또, 이들의 구성뿐만 아니라, SAW의 봉쇄가 가능한 구성이면, 또 다른 구성이어도 된다.
또, 본 실시예에서는, 공진기 유니트를 3단 직렬 접속하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 스트립 라인 전극의 단수를 증가시키면, 또한 다단 구성으로 할 수도 있고, 본 실시예의 SAW 공진기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또, 3개의 영역의 공진기 유니트에 대해서, 본 실시예에서는 그 교차폭은 동일하게 하고 있지만, 각각의 교차폭을 변화시켜서 용량값을 조정하는 것도 가능하다.
또한, 이들의 공진기 유니트의 공진 주파수를 각각 다르게 하는 설계를 행하는 것도 가능하지만, 이 경우 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성으로 하는 것이 요구된다.
또, 본 실시예에서는, 제1 영역(65), 제2 영역(66) 및 제3 영역(67)의 공진기 유니트를 3단 직렬 접속하는 구성에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이와 같은 3단 구성에 한정되지 않는다. 또한, 직렬 접속하는 공진기 유니트의 단수를 증가시켜도 된다. 단수를 증가시키기 위해서는, 스트립 라인 전극의 단수를 증가시키면 된다.
예를 들면, 스트립 라인 전극은, 다수의 제1 스트립 라인 전극으로부터 다수의 제N 스트립 라인 전극(단, N은 2이상의 정수)까지를 포함하고, 제1 스트립 라인 전극의 일부는 SAW의 전파 파장을 λ로 하였을 때, 제1 전극 핑거의 중심으로부터 λ/2 어긋난 위치에서 교차하는 위치에 배치되며, 제N 스트립 라인 전극의 일부는 SAW의 전파 파장을 λ로 하였을 때, 제2 전극 핑거의 중심으로부터 λ/2 어긋난 위치에서 교차하는 위치에 배치되는 구성으로 한다. 또한, 제1 스트립 라인 전극의 연장부와 제2 스트립 라인 전극, 제m 스트립 라인 전극과 제m+1 스트립 라인 전극(단, m은 2이상이고, N-2 이하의 정수), 및 제N-1 스트립 라인 전극과 제N 스트립 라인 전극의 연장부가, 서로 소정의 길이로 교차하는 영역을 갖도록 배치한다. 이와 같은 구성으로 하면, 제1 전극 핑거와 제1 스트립 라인 전극이 교차하는 영역, 제2 전극 핑거와 제N 스트립 라인 전극이 교차하는 영역, 및 제m 스트립 라인 전극으로부터 제m+1 스트립 라인 전극까지의 각각이 소정의 길이로 교차하는 영역이, 각각 공진기 유니트를 구성하고, 또한 제1 공진기 유니트로부터 제N+1 공진기 유니트까지는, 제1 스트립 라인 전극으로부터 제N 스트립 라인 전극을 통해서 직렬로 접속되는 것과 같은 SAW 공진기의 구성을 실현할 수 있다.
이와 같은 구성으로 하면, 공진기 유니트의 단수를 증가시켜서 SAW 공진기를 분할할 수 있기 때문에, 안테나 공용기와 같이 내 전력성이 요구되는 경우에 유효하다.
또, 본 실시예에서는, 제1 전극 핑거(722)와 제2 전극 핑거(724)는, 서로 SAW의 전파 방향으로 SAW 파장(λ)의 1/2만큼 어긋나 대향한 구성으로 하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, SAW 파장(λ)의 1/4만큼 어긋나 대향한 구성이나, 그 이외의 구성이어도, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성이면 된다.
도 12는, 본 실시예의 변형예의 SAW 공진기(75)의 구성을 도시하는 평면도이다. 이 변형예의 SAW 공진기(75)는, IDT 전극(74)의 구성이 본 실시예의 SAW 공진기(70)와 다르다. 즉, 본 실시예의 SAW 공진기(75)의 IDT 전극(74)은, 제1 버스바 전극(741)과, 그것에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거(742), 제2 버스바 전극(743)과, 그것에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거(744), 및 도그레그 형상으로 이루어지는 제1 스트립 라인 전극(745), 스트레이트 형상의 제2 스트립 라인 전극(746)에 의해 구성되어 있다.
제1 전극 핑거(742)와 제2 전극 핑거(744)는, 각각은 SAW 파장(λ)의 주기로 배치되어 있다. 또한, 각각의 전극 핑거끼리는 교차하지 않고, 또한 SAW의 전파 방향에 대해서 동일 위치에서 대향하여 배치되어 있다. 제1 스트립 라인 전극(745)과 제1 전극 핑거(742)가 교차하고, 또한 SAW의 전파 방향으로 SAW 파장(λ)의 1/2만큼 어긋나 배치되어 있다. 이 제1 스트립 라인 전극(745)은, 도중에 직각으로 절곡되고, 제2 스트립 라인 전극(746)과 교차하고 있다. 또, 제2 스트립 라인 전극(746)은 스트레이트 형상이고, 제2 전극 핑거(744)에 대해서 SAW의 전파 방향으로 SAW 파장(λ)의 1/2만큼 어긋나 배치되어 있다. 이 제2 스트립 라인 전극(746)과 제1 스트립 라인 전극(745)은, 중앙부 영역에서 교차하고 있다. 이와 같은 구성으로 해도, 동일한 특성을 얻을 수 있다.
또, 3개의 영역의 공진기 유니트에 대해서, 본 실시예에서는 그 교차폭은 동일하게 하고 있지만, 각각의 교차폭을 변화시켜서 용량값을 조정하는 것도 가능하다.
또한, 이들의 공진기 유니트의 공진 주파수를 각각 다르게 하는 설계를 행하는 것도 가능하지만, 이 경우 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합되는 구성이면 상관없다.
또, 본 실시예에서는, IDT 전극(74)을 구성하는 제1 전극 핑거(742)와 제2 전극 핑거(744)의 전부를, 제1 스트립 라인 전극(745) 또는 제2 스트립 라인 전극(746)에 의해 음향적으로 결합되는 구성으로 하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 일부의 영역이 음향적으로 결합되는 구성이어도 된다. 또, 종래의 SAW 공진기(1500)에서 이용되고 있는 IDT 전극 구성을 포함하는 것과 같은 구성으로 해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예의 SAW 공진기는, 제1 스트립 라인 전극과 제2 스트립 라인 전극에 의한 음향적인 결합을 이용함으로써, 로스를 저감하는 동시에 소형 형상을 실현할 수 있다. 또, 본 실시예의 SAW 공진기의 경우에는, 각각의 공진기 유니트 사이에 공통 버스바 전극 등은 설치하고 있지 않기 때문에, 이 버스바 전극으로의 SAW의 누설도 생기지 않는다.
(실시예 5)
도 13은, 본 발명의 실시예 5에 관한 SAW 필터(80)의 구성을 도시하는 평면도이다. 본 실시예의 SAW 필터(80)는, 실시예 1에 관한 SAW 공진기(10)를 이용하여 2단의 L형으로 배치한 구성으로 이루어진다.
SAW 필터(80)는, 압전 기판(11) 상에 형성된 제1 SAW 공진기(82)와 제2 SAW 공진기(84)에 의해 구성되어 있다. 제1 SAW 공진기(82)는 제1 단자(86)와 제2 단자(88)의 사이에 직렬로 접속되고, 제2 SAW 공진기(84)는 제1 단자(86)와 접지면(그랜드 단자)(89)의 사이에 접속되어 있다.
이들의 제1 SAW 공진기(82)와 제2 SAW 공진기(84)는, 실시예 1의 SAW 공진기(10)와 동일 구성이고, 제1 SAW 공진기(82)의 공진 주파수는 제2 SAW 공진기(84)의 공진 주파수보다 높게 설정되어 있다.
이상의 구성으로 함으로써, SAW 필터(80)가 얻어진다. 여기에서, 제1 SAW 공진기(82) 및 제2 SAW 공진기(84)는, 각각 공통 버스바 전극이 설치되어 있지 않기 때문에, 이것에 의한 저항 손실은 없다. 따라서, SAW 필터(80)로서도 로스를 저감할 수 있어서, 내 전력성이 우수하고, 고 성능인 특성을 실현할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, SAW 필터는 SAW 공진기를 2단의 L형으로 배치하여 구성하였지만, 본 발명은 이외의 구성이어도 상관없다. 또, SAW 공진기에 관해서도, 실시예 1의 구성뿐만 아니라, 실시예 1에서 실시예 4까지 설명한 구성으로 해도 된다. 이 경우, 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합된 구성이면 된다. 또, 다수의 SAW 공진기 중, 적어도 1개가 실시예 1 내지 4 에서 설명한 바와 같은 구성이면 된다. 또한, 본 발명의 SAW 공진기를 세로 모드형의 SAW 필터와 조합해도 된다.
또한, 본 발명의 SAW 공진기를 안테나 공용기에 적용해도 된다. 이것에 의해, 감쇠 대역의 임피던스, 즉 반사 특성에서의 반사 계수를 크게 할 수 있다. 따라서, 안테나 공용기의 로스를 저감할 수 있고, 고 성능인 동작을 실현할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는 스트립 라인 전극에 의해 음향적으로 결합된 공진기 유니트를 직렬 접속하여 이루어지는 SAW 공진기를 2단의 L형으로 배치하여 SAW 필터 또는 안테나 공용기를 구성하고 있다. 이 때문에, 로스를 저감할 수 있다. 또, SAW 공진기는, 각각의 공진기 유니트 사이에 공통 버스바 전극 등은 불필요하기 때문에, 버스바 전극으로의 SAW의 누설을 저감할 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 도 1에 도시하는 SAW 공진기를 이용한 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명의 SAW 필터 및 안테나 공용기는 이것에 한정되지 않는다. 실시예 1에서 실시예 4까지 설명한 다양한 SAW 공진기를 이용할 수 있다. 또, 이들을 조합해도 된다.
(실시예 6)
도 14는, 본 발명의 실시예 6에 관한 SAW 필터(90)의 구성을 도시하는 평면도이다. SAW 필터(90)는, 압전 기판(11) 상에 형성된 제1 IDT 전극(92), 제2 IDT 전극(93), 제3 IDT 전극(94)과, 이들의 외측에 배치된 반사기 전극(95, 96)에 의해 구성되어 있다. 제1 IDT 전극(92)의 양측에, 제2 IDT 전극(93)과 제3 IDT 전극(94)이 근접하여 배치되고, 또한 그 외측에 반사기 전극(95, 96)이 배치되어 있다.
제1 IDT 전극(92)은, 제1 버스바 전극(921)과, 이것에 접속되는 제1 전극 핑거(922)와, 제2 버스바 전극(923)과, 이것에 접속되는 제2 전극 핑거(924)와, 제1 전극 핑거(922) 및 제2 전극 핑거(924)에 각각 교차하는 스트립 라인 전극(925)으로 구성되어 있다.
또, 제2 IDT 전극(93)은, 제1 버스바 전극(931)과, 이것에 접속되는 제1 전극 핑거(932)와, 제2 버스바 전극(933)과, 이것에 접속되는 제2 전극 핑거(934)와, 동일하게 제2 버스바 전극(933)에 접속되는 제3 전극 핑거(935)와, 제3 버스바 전극(936)과, 이것에 접속되는 제4 전극 핑거(937)로 구성되어 있다.
동일하게, 제3 IDT 전극(94)은, 제1 버스바 전극(941)과, 이것에 접속되는 제1 전극 핑거(942)와, 제2 버스바 전극(943)과, 이것에 접속되는 제2 전극 핑거(944)와, 동일하게 제2 버스바 전극(943)에 접속되는 제3 전극 핑거(945)와, 제3 버스바 전극(946)과, 이것에 접속되는 제4 전극 핑거(947)로 구성되어 있다.
또한, 좌측의 반사기 전극(95)은, 공통 반사기 전극(951, 953, 955)에 각각 접속되는 스트립 라인 전극(952, 954)에 의해 구성되어 있다.
동일하게, 우측의 반사기 전극(96)은, 공통 반사기 전극(961, 963, 965)에 각각 접속되는 스트립 라인 전극(962, 964)에 의해 구성되어 있다.
또, 제2 IDT 전극(93)의 제1 버스바 전극(931), 제3 버스바 전극(936), 제3 IDT 전극(94)의 제1 버스바 전극(941), 제3 버스바 전극(946), 및 제1 IDT 전극(92)의 제1 버스바 전극(921)은, 각각 어스단자(99)에 접속되어 있다.
제2 IDT 전극(93)의 제2 버스바 전극(933)과 제3 IDT 전극(94)의 제2 버스바전극(943)을 접속 배선(100)으로 공통 접속하고, 이 접속 배선(100)은 제1 단자(16)에 접속되어 있다.
한편, 제1 IDT 전극(92)의 제2 버스바 전극(923)은 제2 단자(17)에 접속되어 있다.
따라서, 제1 IDT 전극(92)은, 제1 전극 핑거(922)와 제2 전극 핑거(924)가 스트립 라인 전극(925)으로 결합된 구성이다. 또, 제2 IDT 전극(93)과 제3 IDT 전극(94)은, 각각 2개의 IDT 전극 패턴을 병렬 접속한 구성으로 되어 있다. 제1 영역(97)과 제2 영역(98)에서, SAW가 상쇄하지 않도록 각각의 전극 핑거의 위치 관계를 설정하면, SAW 필터(90)가 세로 결합형의 필터로서 동작한다.
여기에서, 제1 IDT 전극(92)은 등가적으로 직렬 접속되어 있고, 제2 IDT 전극(93)은 병렬 접속되어 있다. 따라서, 전극 핑거의 개수, 교차폭을 조정함으로써, 임피던스 변환을 행할 수 있다. 또, 제1 IDT 전극(92)은, 실시예 1과 동일하게 스트립 라인 전극(925)으로 결합된 구성이기 때문에 공통 버스바 전극 등이 불필요하고, 이 저항에 의한 로스를 저감할 수 있다.
또, 본 실시예에서는, 제1 IDT 전극은 스트립 라인 전극으로 결합된 구성으로 하고 있지만, 이것은 제1 IDT 전극에 한정되지 않는다. 예를 들면, 실시예 1과 동일하게 더미 전극을 배치하는 구성으로 해도 된다. 또, 실시예 1에서 실시예 4까지 설명한 공진기 유니트의 구성으로 해도 된다.
또한, 본 실시예의 SAW 필터(90)에서는, IDT 전극이 3개인 경우에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. IDT 전극은 더 많게 해도 된다.
또, 본 실시예에서는, SAW 필터에 대해서 설명하였지만, 이 구성을 안테나 공용기에 이용해도 상관없다.
본 발명에 따르면, 공진기 유니트를 직렬 접속하는 구성으로 하면서, 저 로스로, 또한 소형화가 가능한 SAW 공진기 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터, 안테나 공용기를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 형성된 인터 디지털 트랜스듀서 전극과,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극에 인접하는 반사기 전극을 갖고,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극은, 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거와 스트립 라인 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는 서로 교차하지 않으며, 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극은,
    제1 버스바 전극과,
    상기 제1 버스바 전극에 접속되는 다수의 제1 전극 핑거와,
    제2 버스바 전극과,
    상기 제2 버스바 전극에 접속되는 다수의 제2 전극 핑거와,
    상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거의 적어도 한쪽과 교차하고, 탄성 표면파를 여진하는 위치에 배치된 다수의 스트립 라인 전극을 가지며,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극과, 이것에 인접하는 상기 반사기 전극에 의해 2개 이상의 공진기 유니트를 구성하고, 상기 공진기 유니트가 상기 스트립 라인 전극을 통해서 직렬로 접속된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  3. 제2항에 있어서,
    다수의 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는, 대향하여 배치한 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  4. 제2항에 있어서,
    다수의 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는, 각각 탄성 표면파의 전파 파장인 1파장의 주기로 배치되고, 또한 탄성 표면파의 전파 방향에 대해서 동일 위치에 배치된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  5. 제2항에 있어서,
    다수의 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는, 각각 탄성 표면파의 전파 파장인 1파장의 주기로 배치되고, 또한 서로가 탄성 표면파의 전파 방향에 대해서 일정 거리 어긋난 위치에 배치된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 일정 거리는, 탄성 표면파의 전파 파장을 λ로 하였을 때, λ/2 또는λ/4인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  7. 제4항에 있어서,
    다수의 상기 스트립 라인 전극은 상기 제1 전극 핑거 및 상기 제2 전극 핑거의 중심으로부터 탄성 표면파의 파장을 λ로 하였을 때, λ/2 어긋난 위치에 배치되고,
    다수의 상기 제1 전극 핑거와 다수의 상기 스트립 라인 전극이 교차하는 영역이 제1 공진기 유니트를 구성하며,
    다수의 상기 제2 전극 핑거와 상기 스트립 라인 전극이 교차하는 영역이 제2 공진기 유니트를 구성하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  8. 제5항에 있어서,
    다수의 상기 스트립 라인 전극은, 상기 제1 전극 핑거 및 상기 제2 전극 핑거에 대해서, 각각 동일 간격만큼 이간하여 배치되고, 또한 도그레그(dogleg) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 스트립 라인 전극은, 다수의 제1 스트립 라인 전극으로부터 다수의 제N 스트립 라인 전극(단, N은 2이상의 정수)까지를 포함하고,
    상기 제1 스트립 라인 전극의 일부는, 탄성 표면파의 전파 파장을 λ로 하였을 때, 상기 제1 전극 핑거의 중심으로부터 λ/2 어긋난 위치에 상기 제1 전극 핑거와 교차하여 배치되며,
    상기 제N 스트립 라인 전극의 일부는, 탄성 표면파의 전파 파장을 λ로 하였을 때, 상기 제2 전극 핑거의 중심으로부터 λ/2 어긋난 위치에 상기 제2 전극 핑거와 교차하여 배치되고,
    상기 제1 스트립 라인 전극의 연장부와 제2 스트립 라인 전극, 제m 스트립 라인 전극과 제m+1 스트립 라인 전극(단, m은 2이상이고, N-2 이하의 정수), 및 제N-1 스트립 라인 전극과 제N 스트립 라인 전극의 연장부가, 서로 소정의 길이로 교차하여 배치되며,
    상기 제1 전극 핑거와 상기 제1 스트립 라인 전극이 교차하는 영역이 제1 공진기 유니트를 구성하고,
    상기 제2 전극 핑거와 상기 제N 스트립 라인 전극이 교차하는 영역이 제2 공진기 유니트를 구성하며,
    제m 스트립 라인 전극으로부터 제m+1 스트립 라인 전극까지의 각각이 소정의 길이로 교차하는 영역에 의해 N-1개의 공진기 유니트를 구성하고,
    상기 제1 공진기 유니트로부터 상기 제N+1 공진기 유니트까지는, 상기 제1 스트립 라인 전극으로부터 상기 제N 스트립 라인 전극을 통해서 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 스트립 라인 전극은 N=2이고,
    상기 제1 스트립 라인 전극과 상기 제2 스트립 라인 전극 중 적어도 한쪽은 도그레그 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극 핑거 사이 또는 상기 제2 전극 핑거 사이의 적어도 한쪽에, 스트립 라인 전극과 대향하는 더미 전극을 배치하는 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 더미 전극의 길이를, 탄성 표면파의 파장을 λ로 하였을 때, λ/2 이상으로 한 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 더미 전극과, 대향하는 상기 스트립 라인 전극의 간격을, 탄성 표면파의 파장을 λ로 하였을 때, λ/4 이하로 한 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 더미 전극의 전극폭을, 상기 제1 전극 핑거 및 상기 제2 전극 핑거의전극폭보다 큰 형상으로 한 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 공진기.
  15. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 다수개의 탄성 표면파 공진기를 배열하여 구성되고,
    상기 다수개의 탄성 표면파 공진기의 적어도 일부는,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극이 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거와 스트립 라인 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는 서로 교차하지 않으며, 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  16. 압전 기판과,
    탄성 표면파의 전파 방향을 따라서 상기 압전 기판 상에 근접하여 배치된 다수의 인터 디지털 트랜스듀서 전극과, 상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 바깥쪽에 반사기 전극이 배치되어 세로 결합으로 된 필터 패턴을, 다수개 탄성 표면파의 전파 방향과 직교하는 방향으로 설치한 구성으로 이루어지고,
    다수의 상기 필터 패턴 중의 적어도 하나의 상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극이 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거와 스트립 라인 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는 서로 교차하지 않으며, 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극은 3개로 이루어지고,
    중앙부에 설치된 인터 디지털 트랜스듀서 전극은, 제1 전극 핑거와 제2 전극 핑거와 스트립 라인 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거는 서로 교차하지 않으며, 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합되고,
    상기 중앙부의 인터 디지털 트랜스듀서 전극의 양측에 배치된 인터 디지털 트랜스듀서 전극은, 2개의 인터 디지털 트랜스듀서 전극 패턴을 각각 병렬 접속한 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  18. 통과 대역 및 저지역 특성이 다른 다수의 탄성 표면파 필터가 일체화하여 구성되고,
    상기 탄성 표면파 필터는,
    압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 다수개의 탄성 표면파 공진기를 배열하여 구성되고,
    상기 다수개의 탄성 표면파 공진기의 적어도 일부는,
    상기 인터 디지털 트랜스듀서 전극이, 제1 전극 핑거와, 상기 제1 전극 핑거와 대향하는 위치에 배치된 제2 전극 핑거와, 스트립 라인 전극을 포함하며, 상기 제1 전극 핑거와 상기 제2 전극 핑거가 상기 스트립 라인 전극을 통해서 음향적으로 결합된 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 안테나 공용기.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3622758B2 (ja) * 2003-03-28 2005-02-23 松下電器産業株式会社 弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、及びアンテナ共用器
EP1619794A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-25 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave element
KR100713668B1 (ko) * 2005-03-28 2007-05-02 쿄세라 코포레이션 탄성표면파 공진자, 탄성표면파 필터 및 탄성표면파듀플렉서 및 통신장치
JP4537254B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-01 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタおよび分波器
US8058768B2 (en) * 2005-05-27 2011-11-15 Triquint Semiconductor, Inc. Bulk acoustic wave resonator device
WO2009078282A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. ストリップラインフィルタおよびその製造方法
JP4654271B2 (ja) 2008-06-25 2011-03-16 日本電波工業株式会社 トランスバーサル型フィルタ
JP2010239396A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイス
CN102405596B (zh) * 2009-04-23 2014-07-30 松下电器产业株式会社 天线共用器
US8862192B2 (en) 2010-05-17 2014-10-14 Resonant Inc. Narrow band-pass filter having resonators grouped into primary and secondary sets of different order
JP6504551B2 (ja) * 2013-06-10 2019-04-24 太陽誘電株式会社 共振器、フィルタおよび分波器
JP6411295B2 (ja) * 2014-10-16 2018-10-24 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタ、及び分波器
JP6004143B2 (ja) 2014-10-21 2016-10-05 株式会社村田製作所 弾性波共振子及びラダー型フィルタ
JP6747604B2 (ja) * 2017-09-27 2020-08-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN114421923B (zh) * 2022-01-11 2023-08-01 无锡市好达电子股份有限公司 一种高性能的声表面波滤波器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU726648A1 (ru) * 1977-07-22 1980-04-05 Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср Устройство на поверхностных акустических волнах
SU945951A1 (ru) * 1979-03-21 1982-07-23 Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср Фильтр на поверхностных акустических волнах
SU805918A1 (ru) * 1979-09-28 1982-03-30 Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср Преобразователь поверхностных акустических волн
JPS58116813A (ja) 1981-12-29 1983-07-12 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置
JPS6321869A (ja) 1986-07-16 1988-01-29 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
JPS6454805A (en) * 1987-08-25 1989-03-02 Oki Electric Ind Co Ltd Surface acoustic wave resonator
JPH0281511A (ja) 1988-09-17 1990-03-22 Toko Inc 表面弾性波多重モードフィルタ
US5363073A (en) 1992-10-19 1994-11-08 Motorola, Inc. Saw resonator filter with a multistrip coupler disposed in the resonator gaps
JPH0774584A (ja) 1993-09-01 1995-03-17 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3298769B2 (ja) 1995-09-26 2002-07-08 松下電器産業株式会社 弾性表面波多重モードフィルタ
JP3169830B2 (ja) 1996-06-10 2001-05-28 株式会社日立製作所 弾性表面波フィルタ
JPH10229317A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Nec Corp 弾性表面波フィルタ用重み付け電極
DE19724255C2 (de) * 1997-06-09 1999-10-21 Siemens Matsushita Components Transversalmodenresonatorfilter
DE19724259C2 (de) * 1997-06-09 2002-11-14 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter
WO2001048917A1 (fr) * 1999-12-24 2001-07-05 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Duplexeur d'antenne
DE60136042D1 (de) 2000-09-13 2008-11-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Akustisches Oberflächenwellenfilter und Kommunikationsvorrichtung mit demselben
DE10057848B4 (de) * 2000-11-22 2014-01-02 Epcos Ag Reaktanzfilter mit verbesserter Leistungsverträglichkeit
JP3963253B2 (ja) * 2001-12-14 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子及びこれを用いた分波器
JP3622758B2 (ja) * 2003-03-28 2005-02-23 松下電器産業株式会社 弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、及びアンテナ共用器

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