SU726648A1 - Устройство на поверхностных акустических волнах - Google Patents
Устройство на поверхностных акустических волнах Download PDFInfo
- Publication number
- SU726648A1 SU726648A1 SU772510211A SU2510211A SU726648A1 SU 726648 A1 SU726648 A1 SU 726648A1 SU 772510211 A SU772510211 A SU 772510211A SU 2510211 A SU2510211 A SU 2510211A SU 726648 A1 SU726648 A1 SU 726648A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrodes
- group
- groups
- pin electrodes
- surface wave
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 5
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6426—Combinations of the characteristics of different transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/14523—Capacitive tap weighted transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1455—Transducers of particular shape or position constituted of N parallel or series transducers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО НА. ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ
ВОЛНАХ. 372 кой, а1Терекрь1тйе штыревых элёкт эодов в одной из электродных структур вьтолнено неравномерным 2, НедЬстатками его вл ютс высокие потери энергии и искажение амплитудночастотной характеристики, в полосе пропускани устройства, а также низкий уровень подавлени сигнала вне этой полосЫ Целью изобретени вл етс уменьшение потерь энергии и искажений амплитудно-частотной характеристики в полосе про пускани при одновременном увеличении уровн подавлений сигнала вне полосы пропускани . Указанна цель достигаетс тем, что перекрытие штыревых электродов во второй упом нутой электродной структуре выполнено посто нным, при этом рассто ни между центрами смежных штыревых электродов в первой и второй электродных структурах вьшолнены неравными. На фиг, 1 и фиг. 2 показаны два варианта конструкции предложенного устройства . В первом варианте (фиг. 1) на рабочей поверхности, пьезоподложки 1 располо жены входной 2 и выходной 3 преобразователи ПАВ, подключенные, соответственно к источнику 4 высокочастотного сигнала , и к нагрузке 5. Электродные структуры 6 и 7 содержат тркопровод шие кон тактные площадки 8 и 9 и по две разнопол рные группы параллельных ДРУГ ДРУГУ электродов 10, 11 и 12, 13, соответственно . Все электроды 1О, 11 перекрывайютс друг другом и имеют одинаковые участки перекрыти . По меньшей мере часть электродов 12, 13 электродной структуры 7 имеет перекрывайщиес учас ки с переменной величиной перекрыти . При этом рассто ни между центрами смежных электродов этой структуры выби раютс так, чтобы полоса эффективнс о возбуждени ПАВ электродной структуры 7 находилась вне полосы пропускани уст ройства. Это условие выполн етс , если рассто ние В между центрами смежных 8пект|родоБ структуры 7 удовлетвор ет од ному из Следующих соотношений: ( 2п +1)Ьх (2кЬ 3) , где fe рассто ние между центрами любых смежных электродов электродной структуры 6} , O ,j - ширина электродов электродной структуры 7j П - О, 1, 2, 3 ... Рассто ние В между центрами смежных лектропов структуры .5 может быть посто нным по всей длине или измен тьс по заданному закону. Электроды 11 гальванически соединены с контактной плошадкой 8, а электроды 10 от/целены от нее зазором и гальванически соединены с электродами 13. Электроды 12 гальванически соединены с контактной плошадкой 9, а электроды 13 отделены от нее зазором. Каждый электрод 10 электрически св зан с контактной площадкой 9 псх:редством емкостной св зи, котора образована с помощью электродов 13. Величина этой емкостной св зи зависит от величины участков перекрыти соответствующих смежных электродов 13 и 12 и варьируетс по длине преобразовател в соответствии с законом изменени величины участков перекрыти электродов этого р да. Указанный закон определ етс по импульсному отклику устройства. В свою очередь каждый электрод 13 электрически св зан с контактной площадкой 8 посредством емкостной св зи, котора образована с помощью электродов 10. Величина этой емкостной св зи посто нна по всей длине преобразовател . Таким образом, в предложенном устройстве взвешиваниеэлектродов электродной структуры 6 входного преобразовател , возбуждаюше1а ПАВ в полосе пропускани устройства, осуществл етс с помощью электродой структуры 7 посредством изменени в ичины участков их перекрыти . Такой прием взвещивани позвол ет выполнить структуру 6 с одинаковым перекрытием всех электродов. Выходной преобразователь 3 состоит из двух тркопровод ших контактных площадок 14 и 15 и р да 16 параллельных друг Другу электродов с переменным перекрытием . Электроды объединены в две группы 17 и 18 и по группам гальванически соединены соответственно с контактными площадками 14 и 15. Вькодной преобразователь 3 расположен относительно входного преобразовател 2 так, что р д 16 электродов преобразовател 3 находитс вводном акустическом канале со структурой 6. Второй вариант (фиг. 2) предложенного устройства содержит выходной преобразователь 3 ПАВ, расположенный на пьеаоподложке 1 и вьтолненный аналогично входному преобразователю 2. Электродные. структуры 19 и 20 преобразовател 3 содержат токоПодводпщие контактные плс щадки 21 и 22 и по две разнопол рные группы параллельных друг другу электродов 23, 24 и 25, 26, соответственно. Структура 19 преобразовател 3 расположена в одном акустическом канале со структурой 6 преобразовател 2, а структуры 7 и 20 преобразователей 2 и 3 рас положены по разные стороны от указанного акустического канала. Электроды 23 и 24 преобразовател 3 перекрываютс друг другом и имеют одинаковые участки перекрыти . По меньшей мере часть электродов 25 и 26 имеет перекрывающиес участки с переменной величиной перекрыти . Рассто ние между центрами смежных электродов 23 и 24 преобразовател 3 выбираетс так, чтобы полоса пропускани структуры i9, по меньшей мере, частично перекрывалась с полосой пропускани электродной структуры 6 преобразовател 2. Расто ние межру центрами смежных электродов 25 и 26 структуры 20 преобразовател 3 отлично от рассто ни между , центрами сме5кных электродов 10, 11 и 23, 24 и 12,13 структурб, 19 и 7 преобразователей. Указанное рассто ние вы бираетс так, чтобы полоса эффективного возбуждени ПАВ структуры 20 преобразовател 3 находилась вне полосы пропускани устройства и не перекрывалась с по лосой эффективного возбуждени ПАВ стру туры 7 преобразовател 2. Электроды 24 гальванически соединены с контактной площадкой 21, а электроды 23 отделены от нее зазором и гальванически соединены с электродами 26, Электроды 25 гальванически св заны с контактной площадкой 22, а электроды 26 отделены от нее зазором. В рассматриваемом варианте устройства взвешивание электродов структуры 19 второго преобразовател 3 осуществл етс с помощью электродов структуры 21 посредством изменени величины участков .их перекрыти . Закон изменени этой величины определ етс по импульсному отклику устройства. В этой конструкции йа структурах 7 и 20 обоих преобразователей могут быть расположены поглощающие покрыти 27 и 28, выполненные в частности , из материала с высокой диэлектрической проницаемостью. Принцип работы устройства. . При поступлении высокочастотного сиг Нила от генератора 4 на токоподвод шие контакты площадки 8 и 9 между электродами 1О и 11 структуры 6 возникает знакогтеременн оазность потенциалов вследствие гальванической св зи электродов 10 с контактной площадкой 9, Величина напр жени между каждой парой электродовр а следовательно, и напр жённость электрического пол между ними, зависит от величины емкости между соответствующими электродами 10 и контактной площадкой 9, т.е. от величины участков,перекрыти соответствующих электродов 12 и 13, В результате в пьезоэлектрическом Материале возбуждаютс ПАВ б поло- ; се частот вблизи центральной частоты JQ полосы пропускани устройства, Амплитуда ПАВ, возбуждаемых каждой парой электродов 10 и 11, пропорциональна величине напр женности электрического пол между ними и, следовательно, зависит от величины з частков перекрыти соответствующих электродов 12 и 13, Таким образом , взвеи ивание интенсивности возбуждени ПАВ электродов 10 и 11 и, соответственно , формирование заданного импульсного отклика осуществл етс путем задани определенного закона покрыти электродов 12 и 13, При этом ПАВ, возбуждаемЬю в структуре 6, имеют равиомер- ный волновой фронт по апертуре луча, так как все электроды этой структуры имеют одинаковые ;«1астки перекрыти . Аналогичным образом могут возбуждатьс ПАВ и в структуре 7, так как электроды 12гальванически св заны с контактной площадкой 9, а электроды 13 . св заны посредством емкостной св зи с контактной площадкой 8. При этом в структуре 7 возбуждаютс ПАВ вне полосы пропускани устройства, что обусловлено описанным выше выбором. рассто ни между центрами электродов 12 и 13. Поэтому .указанные ПАВ не внос т дополнительных потерь в полосе пропускани устройства и не искажают импульсный отклик, формиру емый в структуре6. ПАВ, возбуждаемые в структуре 6, достигают выходного преобразовател 3j в то врем как ПАВ, возбуждаемые в структуре 7 или рассеиваютс , или затухак)Т в поглощающих покрыти х , которые могут быть нанесены на рабочей поверхности подложки 1 у ее торцов. Полосу эффективного возбуждени ПАВ структуры 7 можно совместить с одним из всплесков на амплитудно-частотной ха рактеристике устройства вне его полосы пропускани , например, совместить с частотами эффективного возбуждени сдвиговых объемных волн. В этом Случае дисси ативные потери энергии, вносимые алек тродама 12 и 13, уменьшают уровень
726648 возбуждени этих волн в структуре 6, ТекГшмыК достигаетс уеёпМенйё подавлени сигнала внеполосы пропускани устройства, В предложенном устройстве каждый преобразователь может содержат две и более дополнительных структур электродов , расположенных по одну или по разные стороны от электродных структур 6 и 19, возбуждающих ПАВ в полосе пропу кани устройства, Во всех случа х рассто ние между центрами смежных электродов в дополнительных структурах выбираетс в соотвetcтвии с описанным выше принципом, а именно так, чтобы полосы эффективного возбуждени ПАВ этими структурак и нах дились вне полосы пропускани устройства , а диссипативные потери, вносимые им перекрывались с боковыми лепестками с ; всплесками амплитудно-частотной характеристики устройства. Предложенное устройство позвол ет уменьшить потери энергии, так как sJieKтродные структуры 7 и 20 не вйос т дополнительных потерь энергии в полосе пр пускани устройства. Уменьшаютс также искажени амплитудно-частотной характеристики устройства, йоскольку участки электродов с малым перекрытием в этих электродных структурах возбуждают ПАВ . вне полосы пропускани устройства. Устройство отличаетс простотой и технологичностью, а его расчет и конструктйрование-простотой и точностью. Про изводство устройства совместимо со стан дартной технологией изготовлени интегральных схем. При использовании в качестве звукопровода дешевых и доступных материалов, таких, например, как кварц, гёрманат и силикат висмута, затраты на его производство резко снижа-
J,i:;;biJriir.S iij riiLt. -isjsj
8 ютс . Перечисленные качества обеспечивают хорошие эксплуатационные параметры предложенного устройства и сравнительно низкие затраты на его изготовле- ние при массовом производстве. Формул.а изо б р е т е н и Устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоподложку и расположенный на ее поверхности преобразователь поверхностных акустических волн, выполненный в виде двух электродных структур, кажда из которых содержит контактные площадки и две разнопол рные группы параллельных перекрывающихс штыревых электродов, причем щтыревые электроды одной из,групп обеих электродных структур гальванически соедииены между собой, штыревые электроды другой группы соединены гальванически с соответствующей контактной площадкой, а перекрытие щтыревьис электродов в одной из электродных структур выполнено неравномерным, о т ли чающеес тем, что, с целью уменьшени потерь энергии и искажений амплитудно-частотной характеристики в полосе пропускани при одновременном увеличении уровн подавлени вне полосы пропускани , перекрытие штыревых электродов во второй упом нутой электродной структуре вьщолнено посто нным ,,при этом рассто ни между центрами смежных штыревых электродов в первой и второй электродных структурах выполнены неравными, Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1,Патент ФРГ № 2441499, кл. Н 03 Н, 9/00, опублик. 1975, 2,Патент США № 3904996, кл, 333-72, опублик. 1976 (прототип). Фиг. 2 28 П
Claims (1)
- Ф о р м у л .а изобретения поверхностных акустиУстройство на ческих волнах, содержащее пьезоподложку и расположенный на ее поверхности преобразователь поверхностных акустических волн, выполненный в виде двух электродных структур, каждая из которых содержит контактные площадки и две разнополярные группы параллельных перекрывающихся штыревых электродов, причем штыревые электроды одной из.групп обеих электродных структур гальванически соеди· йены между собой, штыревые электроды другой группы соединены гальванически с соответствующей контактной площадкой, а перекрытие штыревых электродов в одной из электродных структур выполнено неравномерным, от ли чающееся тем, что, с целью уменьшения потерь энергии и искажений амплитудно-частотной характеристики в полосе пропускания при одновременном увеличении уровня подавления вне полосы пропускания, перекрытие штыревых электродов во второй упомянутой электродной структуре выполнено постоянным,/при этом расстояния между центрами смежных штыревых электродов в первой и второй электродных структурах выполнены неравными.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772510211A SU726648A1 (ru) | 1977-07-22 | 1977-07-22 | Устройство на поверхностных акустических волнах |
US05/923,547 US4162415A (en) | 1977-07-22 | 1978-07-11 | Acoustic surface wave transducer and filter built around this transducer |
DE2831584A DE2831584C2 (de) | 1977-07-22 | 1978-07-18 | Wandler für akustische Oberflächenwellen und Filter auf der Basis dieser Wandler |
FR7821723A FR2398411A1 (fr) | 1977-07-22 | 1978-07-21 | Convertisseur d'ondes acoustiques superficielles et filtre a base dudit convertisseur |
JP53089273A JPS607850B2 (ja) | 1977-07-22 | 1978-07-21 | 音響表面波トランスジュ−サ |
GB7830817A GB2003689B (en) | 1977-07-22 | 1978-07-24 | Acoustic surface wave transducer and filter built around this transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772510211A SU726648A1 (ru) | 1977-07-22 | 1977-07-22 | Устройство на поверхностных акустических волнах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU726648A1 true SU726648A1 (ru) | 1980-04-05 |
Family
ID=20719075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772510211A SU726648A1 (ru) | 1977-07-22 | 1977-07-22 | Устройство на поверхностных акустических волнах |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4162415A (ru) |
JP (1) | JPS607850B2 (ru) |
DE (1) | DE2831584C2 (ru) |
FR (1) | FR2398411A1 (ru) |
GB (1) | GB2003689B (ru) |
SU (1) | SU726648A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2839851C2 (de) * | 1978-09-13 | 1980-09-25 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Oberflächenwellenanordnung mit verbesserter Störsignalunterdrückung |
SU945951A1 (ru) * | 1979-03-21 | 1982-07-23 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Фильтр на поверхностных акустических волнах |
WO1980002091A1 (en) * | 1979-03-21 | 1980-10-02 | Inst Radiotekh Elektron | Filter based on the use of surface acoustic waves |
SU805918A1 (ru) * | 1979-09-28 | 1982-03-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Преобразователь поверхностных акустических волн |
US4472694A (en) * | 1982-09-07 | 1984-09-18 | Gte Laboratories Incorporated | Acoustic surface wave device |
US4516095A (en) * | 1983-12-23 | 1985-05-07 | Gte Laboratories Incorporated | Surface acoustic wave device |
GB2212685B (en) * | 1987-11-17 | 1992-10-14 | Japan Radio Co Ltd | Surface elastic wave device |
JP2606708B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1997-05-07 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
US5254962A (en) * | 1992-06-19 | 1993-10-19 | Motorola, Inc. | Combined acoustic wave device and ceramic block filter structure |
NO984653L (no) * | 1998-10-05 | 2000-04-06 | Alsthom Cge Alcatel | Overflateakustisk bølgetransduser |
DE19925800C1 (de) * | 1999-06-03 | 2000-12-21 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Wandler für akustische Oberflächenwellen |
JP3622758B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2005-02-23 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、及びアンテナ共用器 |
CN111781271B (zh) * | 2020-07-14 | 2022-03-08 | 电子科技大学 | 一种柔性声表面波气体传感器及其制备方法 |
CN116405006B (zh) * | 2023-03-15 | 2024-03-26 | 北京航天微电科技有限公司 | 叉指换能器参数确定方法、装置、设备及声表面波滤波器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3600710A (en) * | 1968-08-12 | 1971-08-17 | Zenith Radio Corp | Acoustic surface wave filter |
JPS5434519B2 (ru) * | 1973-08-31 | 1979-10-27 | ||
DE2346204C3 (de) * | 1973-09-13 | 1980-06-12 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Wandler für Füter oder Verzögerungsleitungen nach dem Oberflächenwellenprinzip |
GB1413916A (en) * | 1973-09-17 | 1975-11-12 | Mullard Ltd | Acoustic surface-wave devices |
US3904996A (en) * | 1973-12-28 | 1975-09-09 | Texas Instruments Inc | Capacitive weighted acoustic surface wave filter |
DE2524649C3 (de) * | 1975-06-03 | 1980-11-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Fernseh-ZF-Filter nach dem Oberflächenwellenprinzip |
FR2319245A1 (fr) * | 1975-07-24 | 1977-02-18 | Thomson Csf | Transducteur perfectionne pour filtre a ondes de surface a fonction de transfert asymetrique et filtre comportant un tel transducteur |
US4006438A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-01 | Amp Incorporated | Electro-acoustic surface-wave filter device |
US4035675A (en) * | 1976-04-08 | 1977-07-12 | University Of Illinois Foundation | Capacitive tap weighted surface acoustic wave transducers |
-
1977
- 1977-07-22 SU SU772510211A patent/SU726648A1/ru active
-
1978
- 1978-07-11 US US05/923,547 patent/US4162415A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-07-18 DE DE2831584A patent/DE2831584C2/de not_active Expired
- 1978-07-21 FR FR7821723A patent/FR2398411A1/fr active Granted
- 1978-07-21 JP JP53089273A patent/JPS607850B2/ja not_active Expired
- 1978-07-24 GB GB7830817A patent/GB2003689B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2003689A (en) | 1979-03-14 |
FR2398411B1 (ru) | 1983-04-29 |
DE2831584C2 (de) | 1984-03-29 |
FR2398411A1 (fr) | 1979-02-16 |
JPS607850B2 (ja) | 1985-02-27 |
GB2003689B (en) | 1982-01-13 |
JPS5440062A (en) | 1979-03-28 |
DE2831584A1 (de) | 1979-02-01 |
US4162415A (en) | 1979-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU726648A1 (ru) | Устройство на поверхностных акустических волнах | |
US4492940A (en) | Acoustic surface-wave bandpass filter | |
JPS62188512A (ja) | 表面弾性波共振器、表面弾性波共振器フイルタおよびこれらの製造方法 | |
EP0316836B1 (en) | Surface-acoustic-wave device | |
US4079342A (en) | Fanned multistrip coupler filters | |
US4143343A (en) | Acoustic surface wave interaction device | |
US4491811A (en) | Surface acoustic wave device | |
GB1362238A (en) | Acoustic surface wave devices | |
US3972011A (en) | Surface elastic wave electromechanical device | |
JPS6119172B2 (ru) | ||
SU805918A1 (ru) | Преобразователь поверхностных акустических волн | |
US4365220A (en) | Surface wave circuit device | |
US4405874A (en) | Surface acoustic wave (saw) devices having series-connected inter-digital transducers | |
US3676721A (en) | Composite surface-wave transducer | |
SU726647A1 (ru) | Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах | |
GB2126036A (en) | Acoustic surface wave device | |
US5087901A (en) | Surface acoustic wave band-pass filter with different phase weighted transducers | |
SU945951A1 (ru) | Фильтр на поверхностных акустических волнах | |
US4551695A (en) | Surface acoustic device having multistrip coupler comprised of alternate coupled and uncoupled strips | |
SU953695A1 (ru) | Фильтр на поверхностных акустических волнах | |
US4539502A (en) | Magnetic feedthrough cancelling surface acoustic wave device | |
SU1022292A1 (ru) | Преобразователь поверхностных акустических волн | |
SU1184416A2 (ru) | Преобразователь поверхностных акустических волн | |
US6559739B2 (en) | String weighted surface acoustic wave transducer | |
JPH05129872A (ja) | 表面波共振子、表面波フイルタ、分波器および移動無線装置 |