KR20240042516A

KR20240042516A - 탄성파 필터

Info

Publication number: KR20240042516A
Application number: KR1020247008116A
Authority: KR
Inventors: 나오끼 오시마
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2021-09-14
Filing date: 2022-09-14
Publication date: 2024-04-02
Also published as: US20240223158A1; CN117981223A; WO2023042835A1

Abstract

탄성파 필터(1)는, 직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로(10)를 구비한다. 탄성파 공진 회로(10)는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖는다. 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기(예를 들어 S11)는, 1개의 제1 공진자(예를 들어 S11a)를 갖는다. 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기(예를 들어 S21)는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자(예를 들어 P21a, P21b)를 갖는다. 제1 공진자(S11a) 및 병렬 분할 공진자(P21a, P21b)의 각각은, 복수의 전극 핑거를 포함하는 IDT 전극(32)을 갖고 있다. 복수의 전극 핑거의 배열 피치인 전극 핑거 피치(p)는, 2개의 병렬 분할 공진자(P21a, P21b) 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자와 제1 공진자(S11a)에서 다르게 되어 있다.

Description

탄성파 필터

본 발명은, 복수의 분할 공진기를 포함하는 탄성파 공진 회로를 구비하는 탄성파 필터에 관한 것이다.

종래, 탄성파 공진 회로를 복수의 분할 공진기로 분할하는 기술이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 이와 같이 탄성파 공진 회로를 분할함으로써, 단위 면적당의 소비 전력을 저감시킬 수 있어, 탄성파 필터의 내전력성이 향상된다.

국제 공개 제2021/049206호

예를 들어, 분할 공진기는 IDT(InterDigital Transducer) 전극에 의해 형성되지만, 분할된 복수의 분할 공진기의 IDT 전극의 전극 핑거의 배열 피치가 동일하면, 탄성파 공진 회로의 온도가 상승하여, 탄성파 필터의 내전력성이 저하되는 경우가 있다.

따라서, 본 발명은, 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있는 탄성파 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 양태에 관한 탄성파 필터는, 직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로를 구비하는 탄성파 필터이며, 상기 탄성파 공진 회로는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖고, 상기 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기는, 1개의 제1 공진자를 갖고, 상기 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자를 갖고, 상기 제1 공진자 및 상기 병렬 분할 공진자의 각각은, 복수의 전극 핑거를 포함하는 IDT 전극을 갖고, 상기 복수의 전극 핑거의 배열 피치인 전극 핑거 피치는, 상기 2개의 병렬 분할 공진자 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자와 상기 제1 공진자에서 다르게 되어 있다.

본 발명의 일 양태에 관한 탄성파 필터는, 직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로를 구비하는 탄성파 필터이며, 상기 탄성파 공진 회로는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖고, 상기 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기는, 1개의 제1 공진자를 갖고, 상기 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자를 갖고, 상기 2개의 병렬 분할 공진자 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와 상기 제1 공진자의 공진 주파수는 다르게 되어 있다.

본 발명의 탄성파 필터에 의하면, 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

도 1은 실시 형태에 관한 탄성파 필터를 구비하는 멀티플렉서의 회로 구성도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 탄성파 필터의 탄성파 공진 회로에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 회로 구성도이다.
도 3은 도 2의 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자 또는 병렬 분할 공진자의 IDT 전극을 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 2의 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자 또는 병렬 분할 공진자의 임피던스 특성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 비교예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극의 전극 핑거 피치 등을 도시하는 도면이다.
도 6은 비교예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 어드미턴스 특성 및 소비 전력을 도시하는 도면이다.
도 7은 실시예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극의 전극 핑거 피치 등을 도시하는 도면이다.
도 8은 실시예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 어드미턴스 특성 및 소비 전력을 도시하는 도면이다.
도 9는 실시예 2 및 참고예의 탄성파 공진 회로에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다.
도 10은 참고예에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자의 IDT 전극의 전극 핑거 피치 등을 도시하는 도면이다.
도 11은 참고예에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다.
도 12는 실시예 2에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자의 IDT 전극의 전극 핑거 피치 등을 도시하는 도면이다.
도 13은 실시예 2에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다.
도 14는 실시예 3 및 비교예 2의 탄성파 공진 회로에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다.
도 15는 비교예 2에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극의 전극 핑거 피치 등을 도시하는 도면이다.
도 16은 비교예 2에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다.
도 17은 실시예 3에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극의 전극 핑거 피치 등을 도시하는 도면이다.
도 18은 실시예 3에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다.
도 19는 실시예 4의 탄성파 공진 회로에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다.
도 20은 실시예 5의 탄성파 공진 회로에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시 형태는, 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시 형태에서 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은, 일례이며, 본 발명을 한정한다는 주지는 아니다. 이하의 실시 형태에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는, 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 있고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화하는 경우가 있다. 또한, 이하의 실시 형태에 있어서, 「접속」된다란, 직접 접속되는 경우뿐만 아니라, 다른 소자 등을 통해 전기적으로 접속되는 경우도 포함된다.

(실시 형태)

[탄성파 필터의 구성]

실시 형태에 관한 탄성파 필터의 구성에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다.

도 1은 실시 형태에 관한 탄성파 필터(1)를 구비하는 멀티플렉서(5)의 회로 구성도이다. 도 1에는, 안테나 ANT도 도시되어 있다.

멀티플렉서(5)는, 제1 단자 T1, 제2 단자 T2 및 제3 단자 T3과, 탄성파 필터(1)와, 다른 필터(2)를 구비하고 있다. 탄성파 필터(1)는, 제1 단자 T1과 제2 단자 T2를 연결하는 경로 상에 마련되어 있다. 다른 필터(2)는, 제2 단자 T2와 제3 단자 T3을 연결하는 경로 상에 마련되어 있다. 제2 단자 T2에는, 안테나 ANT가 접속되어 있다. 안테나 ANT는, 고주파 신호를 송수신하는, 예를 들어 LTE(Long Term Evolution) 등의 통신 규격에 준거한 멀티밴드 대응의 안테나이다.

탄성파 필터(1)는, 복수의 탄성파 공진 회로를 갖는 필터이다. 탄성파 필터(1)를 구성하는 각 탄성파 공진 회로는, 예를 들어 탄성 표면파 공진자이다. 또한, 탄성 표면파에는, 예를 들어 표면파, 러브파, 리키파, 레일리파, 누설 SAW, 의사 SAW, 판파도 포함된다. 탄성파 공진 회로는, 탄성 경계파 공진자여도 된다.

탄성파 필터(1)는, 탄성파 공진 회로인 직렬 암 공진 회로(11, 12, 13 및 14), 그리고, 병렬 암 공진 회로(16, 17 및 18)를 구비한다. 또한, 탄성파 필터(1)는, 복수의 인덕터 L1을 구비한다. 복수의 인덕터 L1은, 각각의 일단이 각각의 병렬 암 공진 회로(16 내지 17)에 접속되고, 각각의 타단이 접지에 접속되어 있다. 직렬 암 공진 회로(11 내지 14) 및 병렬 암 공진 회로(16 내지 18)는, 탄성파 필터(1)의 통과 대역을 형성한다. 각 인덕터 L1은, 탄성파 필터(1)의 통과 대역을 조정하기 위한 소자이다.

직렬 암 공진 회로(11 내지 14)는, 제1 단자 T1과 제2 단자 T2를 연결하는 경로 상에 있어서 서로 직렬 접속되어 있다. 직렬 암 공진 회로(11)는, 직렬 암 공진 회로(11 내지 14) 중에서, 제1 단자 T1에 가장 가까운 공진자이며, 직렬 암 공진 회로(12)는, 직렬 암 공진 회로(11) 다음으로 제1 단자 T1에 가까운 공진자이다. 탄성파 필터(1)가 송신 필터인 경우, 직렬 암 공진 회로(11 및 12)에는, 다른 직렬 암 공진 회로(13, 14) 및 다른 필터(2)에 비해, 큰 전력이 입력되는 경우가 있다.

병렬 암 공진 회로(16)는, 직렬 암 공진 회로(11)와 직렬 암 공진 회로(12) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L1 사이에 접속되어 있다. 병렬 암 공진 회로(17)는, 직렬 암 공진 회로(12)와 직렬 암 공진 회로(13) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L1 사이에 접속되어 있다. 병렬 암 공진 회로(18)는, 직렬 암 공진 회로(13)와 직렬 암 공진 회로(14) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L1 사이에 접속되어 있다.

탄성파 필터(1)의 상기 구성에 의하면, 직렬 암 경로에 탄성파 공진 회로로 구성된 직렬 암 공진 회로(11 내지 14)가 배치되고, 병렬 암 경로에 탄성파 공진 회로로 구성된 병렬 암 공진 회로(16 내지 18)가 배치되어 있으므로, 저손실의 통과 대역을 갖고, 통과 대역으로부터 저지 대역에 있어서의 천이 대역이 급준한 래더형의 탄성파 필터를 실현할 수 있다.

다른 필터(2)는, 탄성파 공진 회로인 직렬 암 공진 회로(21, 22, 23, 24 및 25), 그리고, 병렬 암 공진 회로(26, 27, 28 및 29)를 구비한다. 또한, 다른 필터(2)는, 접지에 접속된 복수의 인덕터 L2를 구비한다.

직렬 암 공진 회로(21 내지 25)는, 제2 단자 T2와 제3 단자 T3을 연결하는 경로 상에 있어서 서로 직렬 접속되어 있다. 병렬 암 공진 회로(26)는, 직렬 암 공진 회로(21)와 직렬 암 공진 회로(22) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L2 사이에 접속되어 있다. 병렬 암 공진 회로(27)는, 직렬 암 공진 회로(22)와 직렬 암 공진 회로(23) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L2 사이에 접속되어 있다. 병렬 암 공진 회로(28)는, 직렬 암 공진 회로(23)와 직렬 암 공진 회로(24) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L2 사이에 접속되어 있다. 병렬 암 공진 회로(29)는, 직렬 암 공진 회로(24)와 직렬 암 공진 회로(25) 사이의 상기 경로 상의 노드와 인덕터 L2 사이에 접속되어 있다. 또한, 병렬 암 공진 회로(18)와 인덕터 L1 사이의 노드와, 직렬 암 공진 회로(21)와 직렬 암 공진 회로(22)를 연결하는 경로 상에는, 용량 소자 C1이 마련되어 있다.

도 1에 도시한 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25) 그리고 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)의 각각은, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기 및 서로 병렬 접속된 복수의 분할 공진기 중 적어도 한쪽을 포함하는 분할 공진기군이다.

서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기는, 인접하는 복수의 분할 공진기를 접속하는 노드에는 다른 소자가 접속되어 있지 않고, 또한 당해 노드는 접지에 접속되어 있지 않은 상태에 있다. 또한 상기 복수의 분할 공진기의 각각에 있어서, 양단이 당해 분할 공진기 내에 접속된 수동 소자도, 당해 분할 공진기의 일부로 간주된다. 또한, 서로 병렬 접속된 복수의 분할 공진기는, 복수의 분할 공진기의 각각의 일단끼리가 접속되고, 당해 복수의 분할 공진기의 각각의 타단끼리가 접속되어 있고, 상기 당해 복수의 분할 공진기의 각각의 일단과 상기 복수의 분할 공진기의 각각의 타단 사이에는 다른 소자가 접속되어 있지 않은 상태에 있다. 또한 상기 복수의 분할 공진기의 각각에 있어서, 양단이 당해 분할 공진기 내에 접속된 수동 소자도, 당해 분할 공진기의 일부로 간주된다.

분할 공진기는, 분할 공진기군을 구성하는 복수의 공진기 중의, 각각의 1개의 공진기를 가리킨다. 분할 공진기군은, 예를 들어 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25), 또는, 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)이며, 분할 공진기는, 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25)의 일부, 또는, 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)의 일부이다. 도 1에 도시한 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25), 그리고, 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)의 각각은, 복수의 분할 공진기의 집합체이며, 단체의 분할 공진기는 아니다. 도 1에 도시한 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25), 그리고, 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)의 각각은, 1개의 분할 공진기로 구성되지 않고, 복수의 분할 공진기에 의해 구성되어 있다. 또한, 도 1에 도시한 병렬 암 공진 회로(26, 28 및 29)는, 분할 공진기가 아니다.

분할 공진기군인 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25), 또는, 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)는, 복수의 IDT 전극에 의해 형성되고, 분할 공진기군을 구성하는 복수의 분할 공진기는, 복수의 IDT 전극에 일대일로 대응하고 있다.

여기서, 분할 공진기군을 구성하는 복수의 분할 공진기의 IDT 전극의 전극 핑거의 배열 피치가 동일하면, 직렬 암 공진 회로(11 내지 14 및 21 내지 25), 그리고, 병렬 암 공진 회로(16 내지 18 및 27)의 온도가 상승하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하된다고 하는 문제가 있다.

이하에서는, 이와 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명이 적용된 탄성파 공진 회로(10)에 주목하여 설명한다.

[탄성파 공진 회로의 구성]

탄성파 필터(1)에 포함되는 탄성파 공진 회로(10)의 구성에 대하여, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한다.

도 2는 탄성파 필터(1)에 포함되는 탄성파 공진 회로(10)를 도시하는 회로 구성도이다.

도 2에서는, 탄성파 공진 회로(10)로서 직렬 암 공진 회로(12)를 예로 들어 설명하지만, 직렬 암 공진 회로(11)에 대해서도 마찬가지이다.

탄성파 공진 회로(10)는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 구비한다. 예를 들어 탄성파 공진 회로(10)는, 4개의 분할 공진기를 갖고 있고, 제1 분할 공진기 S11, 제2 분할 공진기 S21, 제1 분할 공진기 S12 및 제2 분할 공진기 S22에 의해 구성되어 있다.

도 2에 도시한 제1 분할 공진기 S11, S12 및 제2 분할 공진기 S21, S22는, 제1 단자 T1 및 제2 단자 T2를 연결하는 경로 상에 있어서, 교대로 배치되어 있다. 예를 들어, 제1 분할 공진기 S11에는 제2 분할 공진기 S21의 일단이 직렬 접속되고, 제2 분할 공진기 S21의 타단에는 제1 분할 공진기 S12의 일단이 직렬 접속되고, 제1 분할 공진기 S12의 타단에는 제2 분할 공진기 S22가 직렬 접속되어 있다.

제1 분할 공진기 S11은, 1개의 제1 공진자 S11a를 갖고, 제1 분할 공진기 S12는, 1개의 제1 공진자 S12a를 갖고 있다. 제2 분할 공진기 S21은, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자 P21a 및 P21b를 갖고, 제2 분할 공진기 S22는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자 P22a 및 P22b를 갖고 있다. 제1 공진자 S11a는, 제2 분할 공진기 S21에 직렬 접속된 공진자이며, 제1 공진자 S11a 자체는 병렬 분할되어 있지 않다. 제1 공진자 S12a는, 제2 분할 공진기 S21 및 S22 사이에 직렬 삽입된 공진자이며, 제1 공진자 S12a 자체는 병렬 분할되어 있지 않다. 제2 분할 공진기 S21은, 서로 병렬 접속된 복수의 분할 공진기(병렬 분할 공진자 P21a 및 P21b)에 의해 구성되어 있다. 제2 분할 공진기 S22는, 서로 병렬 접속된 복수의 분할 공진기(병렬 분할 공진자 P22a 및 P22b)에 의해 구성되어 있다. 또한, 제2 분할 공진기 S21, S22의 각각은, 3 이상의 병렬 분할 공진자를 갖고 있어도 된다.

제1 공진자 S11a, S12a 및 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b의 각각은, IDT 전극에 의해 구성되어 있다.

도 3은 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자 S11a, S12a 또는 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b의 IDT 전극(32)을 모식적으로 도시하는 평면도이다. 또한, 도 3에는, 반사기(32c)도 도시되어 있다.

도 3에 도시한 바와 같이 IDT 전극(32)은, 한 쌍의 빗살형 전극(32a 및 32b)을 갖고 있다. 한쪽의 빗살형 전극(32a)은, 서로 평행인 복수의 전극 핑거(322a)와, 복수의 전극 핑거(322a)의 각각의 일단끼리를 접속하는 버스 바 전극(321a)으로 구성되어 있다. 다른 쪽의 빗살형 전극(32b)은, 서로 평행인 복수의 전극 핑거(322b)와, 복수의 전극 핑거(322b)의 각각의 일단끼리를 접속하는 버스 바 전극(321b)으로 구성되어 있다. 각 버스 바 전극(321a 및 321b)은, 탄성파의 전반 방향 d1을 따라서 연장되도록 형성되어 있다. 복수의 전극 핑거(322a 및 322b)는, 탄성파의 전반 방향 d1에 직교하는 방향으로 연장되도록 형성되어 있다. 복수의 전극 핑거(322a 및 322b)는, 전극 핑거(322a 및 322b)가 연장되는 방향(이하, 「전극 핑거가 연장되는 방향 d2」라 칭함)으로 서로 맞물려, 탄성파의 전반 방향 d1에 대향하고 있다.

여기서, 탄성파의 전반 방향 d1로 인접하는 전극 핑거(322a, 322b)의 중심간 거리인, 복수의 전극 핑거(322a, 322b)의 배열 피치를 전극 핑거 피치 p로 칭한다. 또한, IDT 전극(32)에 있어서 복수의 전극 핑거(322a, 322b)의 배열 피치가 다른 경우, 전극 핑거 피치 p는, 배열 피치의 평균으로 나타내어진다. 구체적으로는, 전극 핑거 피치 p는, 탄성파의 전반 방향 d1에 있어서의 IDT 전극(32)의 한쪽 단의 전극 핑거와 다른 쪽 단의 전극 핑거의 중심간 거리를, IDT 전극(32)의 전극 핑거 개수로부터 1을 뺀 값으로 제산함으로써 산출된다. 본 명세서에서는, IDT 전극(32) 내에 있어서의 복수의 전극 핑거(322a, 322b)의 배열 피치가 동일해도 다르게 되어 있어도, 전극 핑거 피치 p는 평균으로 나타낸다.

본 실시 형태에서는, 복수의 전극 핑거(322a, 322b)의 배열 피치인 전극 핑거 피치 p가, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b와, 제1 공진자 S11a, S12a에서 다르게 되어 있다. 이하, 제1 공진자 S11a, S12a 중 어느 제1 공진자, 및, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b 중 어느 병렬 분할 공진자를 예로 들어 설명한다.

도 4는 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자 또는 병렬 분할 공진자의 임피던스 특성의 일례를 도시하는 도면이다.

도 4에는, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p를, 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p보다도 작게 한 예가 도시되어 있다. 바꾸어 말하면 도 4에는, 병렬 분할 공진자의 파장을 제1 공진자의 파장보다도 짧게 하고, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수 fr을 제1 공진자의 공진 주파수 fr보다도 높게 한 예가 나타내어져 있다. 또한, 이 예에서는, 제1 공진자의 공진 주파수 fr과 반공진 주파수 fa 사이인 유도성 영역(도 4의 해칭 영역)에, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수 fr이 위치하도록, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p가 조정되어 있다.

예를 들어, 병렬 분할 공진자 및 제1 공진자의 각각의 전극 핑거 피치가 동일하면, 병렬 분할 공진자 및 제1 공진자의 공진 주파수가 동일해진다. 그 때문에, 전력 투입점에 있어서의 소비 전력이 커져, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승해 버린다.

그것에 반해, 도 4에 도시한 예에서는, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p를 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p보다도 작게 하여, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수 fr을 제1 공진자의 유도성 영역에 위치시키고 있다. 그 결과, 탄성파 공진 회로(10)의 전력 투입점이, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수 fr에 가까워져(스미스 차트에서 나타내는 쇼트에 가까워져), 탄성파 공진 회로(10)의 임피던스가 작아진다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력의 피크값이 작아져, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승하는 것을 억제할 수 있다.

이와 같이, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p와 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p를 다르게 하여 서로의 공진 주파수 fr을 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기에 있어서 전극 핑거 피치 p가 다르다란, 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p를 분모로 하고, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p와 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p의 차를 분자로 하였을 때의 분수의 값이, 0.001 이상인 것을 의미한다. 또한, 상기에 있어서 공진 주파수 fr이 다르다란, 제1 공진자의 공진 주파수를 분모로 하고, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와 제1 공진자의 공진 주파수의 차를 분자로 하였을 때의 분수의 값이, 0.001 이상인 것을 의미한다.

이하에서는, 탄성파 공진 회로의 소비 전력에 대하여 구체예로 설명한다.

[실시예 1]

탄성파 공진 회로(10)에 포함되는 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력에 대하여, 비교예 1 및 실시예 1을 참조하면서 설명한다.

또한, 비교예 1 및 실시예 1의 탄성파 공진 회로(10)의 회로 구성은, 실시 형태와 마찬가지이다. 실시예 1에서는, 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 파라미터가 다르게 되어 있는 예에 대하여 설명한다.

도 5는 비교예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p 등을 도시하는 도면이다.

도 5에 도시한 바와 같이, 비교예 1에서는, IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p가, 제1 공진자와 병렬 분할 공진자에서 동일한 값으로 되어 있다.

도 6은 비교예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 어드미턴스 특성 및 소비 전력을 도시하는 도면이다. 도 6의 (a)에는, 어드미턴스 특성이 도시되고, 도 6의 (b)에는, 단위 면적당의 소비 전력이 도시되어 있다.

도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 공진 주파수는, 동일한 주파수로 되어 있다. 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 전력 투입점에 있어서의 소비 전력은, 제1 공진자의 소비 전력 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 합계한 값이 된다.

도 7은 실시예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p 등을 도시하는 도면이다.

도 7에 도시한 바와 같이, 실시예 1에서는, 병렬 분할 공진자와 제1 공진자에서 전극 핑거 피치 p가 다른 값으로 되어 있다. 구체적으로는, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p가, 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p보다도 작다. 바꾸어 말하면, 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p가, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p보다도 크다.

도 8은 실시예 1에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 어드미턴스 특성 및 소비 전력을 도시하는 도면이다. 도 8의 (a)에는, 어드미턴스 특성이 도시되고, 도 8의 (b)에는, 단위 면적당의 소비 전력이 도시되어 있다.

도 8의 (a)에 도시한 예에서는, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수가 고주파측으로 이동하여, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수가, 제1 공진자의 공진 주파수보다도 높게 되어 있다. 그 때문에, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 전력 투입점에 있어서의 소비 전력은, 비교예 1에 비해 작게 되어 있다. 이와 같이, 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p를 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p보다도 작게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력을 작게 하는 것이 가능해진다.

[실시예 2]

탄성파 공진 회로(10A)에 포함되는 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력에 대하여, 참고예 및 실시예 2를 참조하면서 설명한다. 또한, 참고예는, 종래예가 아니라, 본 발명의 일례이다.

도 9는 실시예 2 및 참고예의 탄성파 공진 회로(10A)에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다. 또한, 참고예 및 실시예 2의 탄성파 공진 회로(10A)의 회로 구성은, 실시 형태와 마찬가지이다. 실시예 2에서는, 제2 분할 공진기에 포함되는 2개의 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 파라미터가 다르게 되어 있는 예에 대하여 설명한다.

도 10은 참고예에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p 등을 도시하는 도면이다. 도 10에 도시한 바와 같이, 참고예에서는, 전극 핑거 피치 p가, 병렬 분할 공진자 P21a, P22a와 병렬 분할 공진자 P21b, P22b에서 동일한 값으로 되어 있다.

도 11은 참고예에 있어서의 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다. 도 11에는, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b 중 어느 병렬 분할 공진자의 소비 전력이 도시되어 있다.

도 12는 실시예 2에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p 등을 도시하는 도면이다. 이하에서는, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b 중, 제2 분할 공진기 S21에 포함되는 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b를 예로 들어 설명한다. 또한, 제2 분할 공진기 S22에 포함되는 2개의 병렬 분할 공진자 P22a, P22b도, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b와 마찬가지의 관계를 갖는다.

도 12에 도시한 바와 같이, 실시예 2에서는, 병렬 분할 공진자 P21a와 병렬 분할 공진자 P21b에서 전극 핑거 피치 p가 다른 값으로 되어 있다. 구체적으로는, 병렬 분할 공진자 P21b의 전극 핑거 피치 p가, 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p보다도 작다.

또한, 제1 공진자 S11a 및 S12a의 전극 핑거 피치 p는 동일한 값이다. 또한, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 전극 핑거 피치 p의 최댓값은, 제1 공진자 S11a, S12a의 전극 핑거 피치 p의 최솟값보다도 작아지도록 설정되어 있다.

도 13은 실시예 2에 있어서의 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 소비 전력을 도시하는 도면이다. 도 13에는, 병렬 분할 공진자 P22a, P22b의 소비 전력도 도시되어 있다.

도 13에 도시한 예에서는, 병렬 분할 공진자 P21b의 공진 주파수가 고주파측으로 이동하여, 병렬 분할 공진자 P21b의 공진 주파수가, 병렬 분할 공진자 P21a의 공진 주파수보다도 높게 되어 있다. 이와 같이, 한쪽의 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p와 다른 쪽의 병렬 분할 공진자 P21b의 전극 핑거 피치 p를 다르게 함으로써, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 공진 주파수를 어긋나게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10A)의 소비 전력을 작게 하는 것이 가능해진다.

또한, 본 실시예에 있어서 전극 핑거 피치 p가 다르다란, 한쪽의 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p를 분모로 하고, 다른 쪽의 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p와 한쪽의 병렬 분할 공진자의 전극 핑거 피치 p의 차를 분자로 하였을 때의 분수의 값이, 0.0004 이상인 것을 의미한다. 또한, 본 실시예에 있어서 공진 주파수 fr이 다르다란, 한쪽의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수를 분모로 하고, 다른 쪽의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와 한쪽의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수의 차를 분자로 하였을 때의 분수의 값이, 0.0004 이상인 것을 의미한다.

[실시예 3]

탄성파 공진 회로(10B)에 포함되는 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력에 대하여, 비교예 2 및 실시예 3을 참조하면서 설명한다.

도 14는 실시예 3 및 비교예 2의 탄성파 공진 회로(10B)에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다. 또한, 비교예 2 및 실시예 3의 탄성파 공진 회로(10B)의 회로 구성은, 실시 형태와 마찬가지이다. 실시예 3에서는, 2개의 제1 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 파라미터가 다르게 되어 있는 예, 그리고, 제2 분할 공진기에 포함되는 2개의 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 파라미터가 다르게 되어 있는 예에 대하여 설명한다.

도 15는 비교예 2에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p 등을 도시하는 도면이다. 도 15에 도시한 바와 같이, 비교예 2에서는, 전극 핑거 피치 p가, 제1 공진자 S11a 및 S12a에서 동일한 값으로 되어 있다. 또한, 비교예 2에서는, 전극 핑거 피치 p가, 병렬 분할 공진자 P21a, P22a와 병렬 분할 공진자 P21b, P22b에서 동일한 값으로 되어 있다.

도 16은 비교예 2에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다. 도 16의 (a)에는, 제1 공진자 S11a, S12a 중 어느 제1 공진자의 소비 전력이 도시되고, 도 16의 (b)에는, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b, P22a, P22b 중 어느 병렬 분할 공진자의 소비 전력이 도시되어 있다.

도 17은 실시예 3에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 IDT 전극(32)의 전극 핑거 피치 p 등을 도시하는 도면이다.

도 17에 도시한 바와 같이, 실시예 3에서는, 제1 공진자 S11a와 제1 공진자 S12a에서, 전극 핑거 피치 p가 다른 값으로 되어 있다. 구체적으로는, 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p가, 제1 공진자 S12a의 전극 핑거 피치 p보다도 작다. 또한, 실시예 3에서는, 병렬 분할 공진자 P21a와 병렬 분할 공진자 P21b에서, 전극 핑거 피치 p가 다른 값으로 되어 있다. 구체적으로는, 병렬 분할 공진자 P21b의 전극 핑거 피치 p가 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p보다도 작다. 또한, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 전극 핑거 피치 p의 최댓값은, 제1 공진자 S11a, S12a의 전극 핑거 피치 p의 최솟값보다도 작게 되어 있다.

도 18은 실시예 3에 있어서의 제1 공진자 및 병렬 분할 공진자의 소비 전력을 도시하는 도면이다. 도 18의 (a)에는, 제1 공진자 S11a, S12a의 소비 전력이 도시되고, 도 18의 (b)에는, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b 및 병렬 분할 공진자 P22a, P22b의 소비 전력이 도시되어 있다.

도 18의 (a)에 도시한 예에서는, 제1 공진자 S11a의 공진 주파수가 고주파측으로 이동하여, 제1 공진자 S11a의 공진 주파수가, 제1 공진자 S12a의 공진 주파수보다도 높게 되어 있다. 이와 같이, 한쪽의 제1 분할 공진기 S11에 포함되는 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p와 다른 쪽의 제1 분할 공진기 S12에 포함되는 제1 공진자 S12a의 전극 핑거 피치 p를 다르게 함으로써, 2개의 제1 공진자 S11a, S12a의 공진 주파수를 어긋나게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10B)의 소비 전력을 작게 하는 것이 가능해진다.

또한, 본 실시예에 있어서 전극 핑거 피치 p가 다르다란, 한쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p를 분모로 하고, 다른 쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p와 한쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자의 전극 핑거 피치 p의 차를 분자로 하였을 때의 분수의 값이, 0.0003 이상인 것을 의미한다. 또한, 본 실시예에 있어서 공진 주파수 fr이 다르다란, 한쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자의 공진 주파수를 분모로 하고, 다른 쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자의 공진 주파수와 한쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 제1 공진자의 공진 주파수의 차를 분자로 하였을 때의 분수의 값이, 0.0003 이상인 것을 의미한다.

도 18의 (b)에 도시한 예에서는, 병렬 분할 공진자 P21b의 공진 주파수가 고주파측으로 이동하여, 병렬 분할 공진자 P21b의 공진 주파수가, 병렬 분할 공진자 P21a의 공진 주파수보다도 높게 되어 있다. 이와 같이, 한쪽의 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p와 다른 쪽의 병렬 분할 공진자 P21b의 전극 핑거 피치 p를 다르게 함으로써, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 공진 주파수를 어긋나게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10B)의 소비 전력을 작게 하는 것이 가능해진다.

[실시예 4]

실시예 4에 있어서의 탄성파 공진 회로(10C)에 대하여, 도 19를 참조하면서 설명한다. 실시예 4는 분할 공진기의 레이아웃이 실시예 1과 다르게 되어 있다.

도 19는 실시예 4의 탄성파 공진 회로(10C)에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다. 도 19의 (a)에는, 탄성파 공진 회로(10C)의 회로 구성이 도시되고, 도 19의 (b)에는, 탄성파 공진 회로(10C)의 분할 공진기의 레이아웃이 도시되어 있다. 도 19의 (b)에서는, IDT 전극(32)의 전극 핑거의 교차 영역을 직사각형으로 나타내고 있다. IDT 전극(32)의 전극 핑거의 교차 영역은, IDT 전극(32)의 버스 바를 포함하지 않고, 또한, 전극 핑거의 선단과 버스 바 사이의 갭을 포함하지 않는 영역이다. 또한 도 19의 (b)에서는, IDT 전극(32)에서 여진되는 탄성파의 진폭 최대점에 크로스 표시를 붙이고 있다. IDT 전극(32)의 진폭 최대점은, 탄성파의 전반 방향 d1에 있어서 IDT 전극(32)의 중앙 cL로 된다. IDT 전극(32)의 중앙 cL이란, 탄성파의 전반 방향 d1에 있어서, IDT 전극(32)의 양단의 전극 핑거의 중간이다.

도 19의 (a)에 도시한 바와 같이, 실시예 4의 탄성파 공진 회로(10C)도, 4개의 분할 공진기를 갖고 있다. 4개의 분할 공진기는, 제1 단자 T1 및 제2 단자 T2를 연결하는 경로 상에 있어서, 제1 분할 공진기 S11, 제2 분할 공진기 S21, 제2 분할 공진기 S22 및 제1 분할 공진기 S12의 순으로 배치되어 있다. 이와 같이 실시예 4에서는, 제1 분할 공진기 및 제2 분할 공진기가 교대로 배치되어 있지 않고, 적어도 일부에 있어서, 인접하는 분할 공진기가 동일한 제2 분할 공진기로 되도록 배치되어 있다.

도 19의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 분할 공진기 S11, 제2 분할 공진기 S21, 제2 분할 공진기 S22 및 제1 분할 공진기 S12는, 탄성파의 전반 방향 d1과 직교하는 방향과 동일한 방향인 「전극 핑거가 연장되는 방향 d2」를 따라서 배치되어 있다.

제2 분할 공진기 S21에 포함되는 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b는, 탄성파의 전반 방향 d1을 따라서 배치되어 있다. 제2 분할 공진기 S22에 포함되는 2개의 병렬 분할 공진자 P22a, P22b도, 탄성파의 전반 방향 d1을 따라서 배치되어 있다.

2개의 제2 분할 공진기 S21, S22는, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2를 따라서 서로 직렬 접속되어 있다. 2개의 제2 분할 공진기 S21, S22를 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로부터 본 경우에, 한쪽의 제2 분할 공진기 S21을 구성하는 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 각각의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치와, 다른 쪽의 제2 분할 공진기 S22를 구성하는 2개의 병렬 분할 공진자 P22a, P22b의 각각의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치가 다르게 되어 있다.

구체적으로는, 병렬 분할 공진자 P21a의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치와, 병렬 분할 공진자 P22a의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치가, 탄성파의 전반 방향 d1로 어긋나 있다. 또한, 병렬 분할 공진자 P21b의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치와, 병렬 분할 공진자 P22b의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치가, 탄성파의 전반 방향 d1로 어긋나 있다.

예를 들어, 각 IDT 전극의 중앙의 위치가 일치하고 있으면, IDT 전극의 중앙에서 국소적으로 온도가 높아져, IDT 전극이 용단된다고 하는 문제가 일어나기 쉽다.

그것에 반해, 상기 구성에 의하면, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로 인접하는 제2 분할 공진기 S21 및 제2 분할 공진기 S22의 각각의 진폭 최대점이 분산되게 된다. 즉, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2에 있어서의 제2 분할 공진기 S21 및 제2 분할 공진기 S22가 상호 작용하기 어려워져, 탄성파 공진 회로(10C)의 온도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

[실시예 5]

실시예 5에 있어서의 탄성파 공진 회로(10D)에 대하여, 도 20을 참조하면서 설명한다. 실시예 5는 분할 공진기의 레이아웃이 실시예 4와 다르게 되어 있다.

도 20은 실시예 5의 탄성파 공진 회로(10D)에 포함되는 분할 공진기를 도시하는 도면이다. 도 20의 (a)에는, 탄성파 공진 회로(10D)의 회로 구성이 도시되고, 도 20의 (b)에는, 탄성파 공진 회로(10D)의 분할 공진기의 레이아웃이 도시되어 있다. 도 20의 (b)에서도, IDT 전극(32)을 직사각형으로 나타내고, IDT 전극(32)에서 여진되는 탄성파의 진폭 최대점에 크로스 표시를 붙이고 있다.

도 20의 (a)에 도시한 바와 같이, 실시예 5의 탄성파 공진 회로(10D)도, 4개의 분할 공진기를 갖고 있다. 4개의 분할 공진기는, 제1 단자 T1 및 제2 단자 T2를 연결하는 경로 상에 있어서, 제2 분할 공진기 S21, 제1 분할 공진기 S11, 제1 분할 공진기 S12 및 제2 분할 공진기 S22의 순으로 배치되어 있다. 이와 같이 실시예 5에서는, 제1 분할 공진기 및 제2 분할 공진기가 교대로 배치되어 있지 않고, 일부에 있어서, 인접하는 분할 공진기가 동일한 제1 분할 공진기가 되도록 배치되어 있다.

도 20의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 분할 공진기 S21, 제1 분할 공진기 S11, 제1 분할 공진기 S12 및 제2 분할 공진기 S22는, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2를 따라서 배치되어 있다.

2개의 제1 분할 공진기 S11, S12는, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2를 따라서 서로 직렬 접속되어 있다. 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12를 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로부터 본 경우에, 한쪽의 제1 분할 공진기 S11을 구성하는 제1 공진자 S11a의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기 S12를 구성하는 제1 공진자 S12a의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치가 다르게 되어 있다. 구체적으로는, 제1 공진자 S11a의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치와, 제1 공진자 S12a의 IDT 전극(32)의 중앙 cL의 위치가, 탄성파의 전반 방향 d1로 어긋나 있다.

상기 구성에 의하면, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로 인접하는 제1 분할 공진기 S11 및 제1 분할 공진기 S12의 각각의 진폭 최대점이 분산되게 된다. 즉, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2에 있어서의 제1 분할 공진기 S11 및 제1 분할 공진기 S12가 상호 작용하기 어려워져, 탄성파 공진 회로(10D)의 온도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

(정리)

본 실시 형태에 관한 탄성파 필터(1)는, 직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로(10)를 구비한다. 탄성파 공진 회로(10)는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖는다. 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기(예를 들어 S11)는, 1개의 제1 공진자(예를 들어 S11a)를 갖는다. 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기(예를 들어 S21)는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자(예를 들어 P21a, P21b)를 갖는다. 제1 공진자 S11a 및 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 각각은, 복수의 전극 핑거를 포함하는 IDT 전극(32)을 갖고 있다. 복수의 전극 핑거의 배열 피치인 전극 핑거 피치 p는, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자와 제1 공진자 S11a에서 다르게 되어 있다.

이와 같이, 병렬 분할 공진자 P21a 또는 P21b의 전극 핑거 피치 p와 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p를 다르게 하여 서로의 공진 주파수 fr을 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 병렬 분할 공진자(예를 들어 P21a)의 전극 핑거 피치 p는, 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p보다도 작아도 된다.

이와 같이, 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p를 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p보다도 작게 함으로써, 병렬 분할 공진자 P21a의 공진 주파수 fr을 제1 공진자 S11a의 유도성 영역에 위치시킬 수 있다. 이것에 의하면, 탄성파 공진 회로(10)의 전력 투입점을, 병렬 분할 공진자 P21a의 공진 주파수 fr에 가까워지게 하여, 탄성파 공진 회로(10)의 임피던스를 작게 하여, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력의 피크값을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b 중 한쪽의 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p와, 다른 쪽의 병렬 분할 공진자 P21b의 전극 핑거 피치 p가 다르게 되어 있어도 된다.

이와 같이, 병렬 분할 공진자 P21a의 전극 핑거 피치 p와 병렬 분할 공진자 P21b의 전극 핑거 피치 p를 다르게 하여 서로의 공진 주파수 fr을 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10A)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10A)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 전극 핑거 피치 p의 최댓값은, 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p의 최솟값보다도 작아도 된다.

이것에 의하면, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 전극 핑거 피치 p 모두를 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p 모두보다도 작게 할 수 있다. 그 때문에, 탄성파 공진 회로(10)의 전력 투입점을, 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 공진 주파수 fr에 확실하게 가까워지게 하여, 탄성파 공진 회로(10)의 임피던스를 작게 하여, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력의 피크값을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 탄성파 공진 회로(10B)는, 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12 및 1개의 제2 분할 공진기 S21을 포함하고, 2개의 제1 분할 공진기 S11 중 한쪽의 제1 분할 공진기 S11에 포함되는 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기 S12에 포함되는 제1 공진자 S12a의 전극 핑거 피치 p가 달라도 된다.

이와 같이, 제1 공진자 S11a의 전극 핑거 피치 p와 제1 공진자 S12a의 전극 핑거 피치 p를 다르게 하여 서로의 공진 주파수 fr을 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10B)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10B)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 탄성파 공진 회로(10)는, 제1 단자 T1 및 제2 단자 T2를 연결하는 경로 상에 마련되고, 제1 분할 공진기 및 제2 분할 공진기는, 경로 상에 교대로 배치되어 있어도 된다.

상기 구성에 의하면, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로 인접하는 제1 분할 공진기 및 제2 분할 공진기의 각각의 진폭 최대점이 분산되게 된다. 즉, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로 인접하는 분할 공진기가 상호 작용하기 어려워져, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 탄성파 공진 회로(10C)는, 1개의 제1 분할 공진기(예를 들어 S11) 및 2개의 제2 분할 공진기 S21, S22를 포함하고, 2개의 제2 분할 공진기 S21, S22는, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2를 따라서 서로 직렬 접속되어 있다. 2개의 제2 분할 공진기 S21, S22를 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로부터 본 경우에, 2개의 제2 분할 공진기 S21, S22 중 한쪽의 제2 분할 공진기 S21을 구성하는 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b의 각각의 IDT 전극(32)의 양단의 전극 핑거의 중간인 중앙 cL의 위치와, 다른 쪽의 제2 분할 공진기 S22를 구성하는 2개의 병렬 분할 공진자 P22a, P22b의 각각의 IDT 전극(32)의 양단의 전극 핑거의 중간인 중앙 cL의 위치가 다르게 되어 있어도 된다.

상기 구성에 의하면, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로 인접하는 제2 분할 공진기 S21 및 제2 분할 공진기 S22의 각각의 진폭 최대점이 분산되게 된다. 즉, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2에 있어서의 제2 분할 공진기 S21 및 제2 분할 공진기 S22가 상호 작용하기 어려워져, 탄성파 공진 회로(10C)의 온도가 국소적으로 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 탄성파 공진 회로(10D)는, 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12 및 1개의 제2 분할 공진기(예를 들어 S21)를 포함하고, 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12는, 전극 핑거가 연장되는 방향 d2를 따라서 서로 직렬 접속되어 있다. 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12를 전극 핑거가 연장되는 방향 d2로부터 본 경우에, 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12 중 한쪽의 제1 분할 공진기 S11을 구성하는 제1 공진자 S11a의 IDT 전극(32)의 양단의 전극 핑거의 중간인 중앙 cL의 위치와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기 S12를 구성하는 제1 공진자 S12a의 IDT 전극(32)의 양단의 전극 핑거의 중간인 중앙 cL의 위치가 다르게 되어 있어도 된다.

본 실시 형태에 관한 탄성파 필터(1)는, 직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로(10)를 구비한다. 탄성파 공진 회로(10)는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖는다. 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기(예를 들어 S11)는, 1개의 제1 공진자(예를 들어 S11a)를 갖는다. 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기(예를 들어 S21)는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자(예를 들어 P21a, P21b)를 갖는다. 2개의 병렬 분할 공진자(예를 들어 P21a, P21b) 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와 제1 공진자(예를 들어 11a)의 공진 주파수는 다르게 되어 있다.

이와 같이, 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와 제1 공진자의 공진 주파수를 다르게 하여 서로의 공진 주파수를 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 2개의 병렬 분할 공진자 P21a, P21b 중 한쪽의 병렬 분할 공진자 P21a의 공진 주파수와, 다른 쪽의 병렬 분할 공진자 P21b의 공진 주파수가 다르게 되어 있어도 된다.

이와 같이, 병렬 분할 공진자 P21a의 공진 주파수와 병렬 분할 공진자 P21b의 공진 주파수를 다르게 하여 서로의 공진 주파수를 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10A)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10A)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 탄성파 공진 회로(10B)는, 2개의 제1 분할 공진기 S11, S12 및 1개의 제2 분할 공진기 S21을 포함하고, 2개의 제1 분할 공진기 S11 중 한쪽의 제1 분할 공진기 S11에 포함되는 제1 공진자 S11a의 공진 주파수와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기 S12에 포함되는 제1 공진자 S12a의 공진 주파수가 달라도 된다.

이와 같이, 제1 공진자 S11a의 공진 주파수와 제1 공진자 S12a의 공진 주파수를 다르게 하여 서로의 공진 주파수를 어긋나게 함으로써, 탄성파 공진 회로(10B)의 소비 전력을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 탄성파 공진 회로(10B)의 온도가 상승하는 것을 억제하여, 탄성파 필터(1)의 내전력성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

(그 밖의 실시 형태)

이상, 본 발명에 관한 탄성파 필터에 대하여, 실시 형태를 들어 설명하였지만, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시 형태나, 상기 실시 형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 관한 탄성파 필터를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.

예를 들어, 본 실시 형태에서는, 직렬 암 공진 회로(11 또는 12)의 탄성파 공진 회로(10)에 주목하여 설명하였지만, 다른 직렬 암 공진 회로(13 내지 14) 및 병렬 암 공진 회로(16 내지 18)에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 탄성파 필터(1)에 포함되는 탄성파 공진 회로(10)뿐만 아니라, 다른 필터(2)에 포함되는 직렬 암 공진 회로(21 내지 25) 및 병렬 암 공진 회로(27)에 대해서도 마찬가지이다.

본 발명은, 분할 공진기를 구비하는 탄성파 필터를 갖는 휴대 전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.

1: 탄성파 필터
2: 다른 필터
5: 멀티플렉서
10, 10A, 10B, 10C, 10D: 탄성파 공진 회로
11, 12, 13, 14, 21, 22, 23, 24, 25: 직렬 암 공진 회로
16, 17, 18, 26, 27, 28, 29: 병렬 암 공진 회로
32: IDT 전극
32a, 32b: 빗살형 전극
32c: 반사기
321a, 321b: 버스 바 전극
322a, 322b: 전극 핑거
ANT: 안테나
C1: 용량 소자
cL: IDT 전극의 중앙
d1: 탄성파의 전반 방향
d2: 전극 핑거가 연장되는 방향
L1, L2: 인덕터
P21a, P21b, P22a, P22b: 병렬 분할 공진자
p: 전극 핑거 피치
S11, S12: 제1 분할 공진기
S21, S22: 제2 분할 공진기
S11a, S12a: 제1 공진자
T1: 제1 단자
T2: 제2 단자
T3: 제3 단자

Claims

직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로를 구비하는 탄성파 필터이며,
상기 탄성파 공진 회로는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖고,
상기 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기는, 1개의 제1 공진자를 갖고,
상기 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자를 갖고,
상기 제1 공진자 및 상기 병렬 분할 공진자의 각각은, 복수의 전극 핑거를 포함하는 IDT 전극을 갖고,
상기 복수의 전극 핑거의 배열 피치인 전극 핑거 피치는, 상기 2개의 병렬 분할 공진자 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자와 상기 제1 공진자에서 다르게 되어 있는
탄성파 필터.
제1항에 있어서,
상기 병렬 분할 공진자의 상기 전극 핑거 피치는, 상기 제1 공진자의 상기 전극 핑거 피치보다도 작은 탄성파 필터.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 2개의 병렬 분할 공진자 중 한쪽의 병렬 분할 공진자의 상기 전극 핑거 피치와, 다른 쪽의 병렬 분할 공진자의 상기 전극 핑거 피치가 다른 탄성파 필터.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2개의 병렬 분할 공진자의 상기 전극 핑거 피치의 최댓값은, 상기 제1 공진자의 상기 전극 핑거 피치의 최솟값보다도 작은 탄성파 필터.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄성파 공진 회로는, 2개의 상기 제1 분할 공진기 및 1개의 상기 제2 분할 공진기를 포함하고,
2개의 상기 제1 분할 공진기 중 한쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 상기 제1 공진자의 상기 전극 핑거 피치와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 상기 제1 공진자의 상기 전극 핑거 피치가 다른 탄성파 필터.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄성파 공진 회로는, 제1 단자 및 제2 단자를 연결하는 경로 상에 마련되고, 상기 제1 분할 공진기 및 상기 제2 분할 공진기는, 상기 경로 상에 교대로 배치되어 있는 탄성파 필터.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄성파 공진 회로는, 1개의 상기 제1 분할 공진기 및 2개의 상기 제2 분할 공진기를 포함하고,
2개의 상기 제2 분할 공진기는, 상기 전극 핑거가 연장되는 방향을 따라서 서로 직렬 접속되어 있고,
2개의 상기 제2 분할 공진기를 상기 전극 핑거가 연장되는 방향으로부터 본 경우에,
2개의 상기 제2 분할 공진기의 한쪽의 제2 분할 공진기를 구성하는 상기 2개의 병렬 분할 공진자의 각각의 상기 IDT 전극의 양단의 상기 전극 핑거의 중간인 중앙의 위치와, 다른 쪽의 제2 분할 공진기를 구성하는 상기 2개의 병렬 분할 공진자의 각각의 상기 IDT 전극의 양단의 상기 전극 핑거의 중간인 중앙의 위치가 다르게 되어 있는 탄성파 필터.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄성파 공진 회로는, 2개의 상기 제1 분할 공진기 및 1개의 상기 제2 분할 공진기를 포함하고,
2개의 상기 제1 분할 공진기는, 상기 전극 핑거가 연장되는 방향을 따라서 서로 직렬 접속되어 있고,
2개의 상기 제1 분할 공진기를 상기 전극 핑거가 연장되는 방향으로부터 본 경우에,
2개의 상기 제1 분할 공진기의 한쪽의 제1 분할 공진기를 구성하는 상기 제1 공진자의 상기 IDT 전극의 양단의 상기 전극 핑거의 중간인 중앙의 위치와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기를 구성하는 상기 제1 공진자의 상기 IDT 전극의 양단의 상기 전극 핑거의 중간인 중앙의 위치가 다르게 되어 있는 탄성파 필터.
직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 한쪽에 탄성파 공진 회로를 구비하는 탄성파 필터이며,
상기 탄성파 공진 회로는, 서로 직렬 접속된 복수의 분할 공진기를 갖고,
상기 복수의 분할 공진기 중 제1 분할 공진기는, 1개의 제1 공진자를 갖고,
상기 복수의 분할 공진기 중 제2 분할 공진기는, 서로 병렬 접속된 2개의 병렬 분할 공진자를 갖고,
상기 2개의 병렬 분할 공진자 중 적어도 1개의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와 상기 제1 공진자의 공진 주파수는 다르게 되어 있는
탄성파 필터.
제9항에 있어서,
상기 2개의 병렬 분할 공진자 중 한쪽의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수와, 다른 쪽의 병렬 분할 공진자의 공진 주파수가 다른 탄성파 필터.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 탄성파 공진 회로는, 2개의 상기 제1 분할 공진기 및 1개의 상기 제2 분할 공진기를 포함하고,
2개의 상기 제1 분할 공진기 중 한쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 상기 제1 공진자의 공진 주파수와, 다른 쪽의 제1 분할 공진기에 포함되는 상기 제1 공진자의 공진 주파수가 다른 탄성파 필터.