JP6618581B2 - 高周波フィルタ - Google Patents

Description

本発明は、各種通信機器や電子機器等において使用される高周波フィルタに関するものである。

無線通信装置などの電子機器において使用される従来の高周波フィルタを図９に示す。図９において、従来の高周波フィルタ３０１は、２個の入出力端子３０２、３０３と信号ライン３０４と複数の直列腕共振器３０５と複数の並列腕共振器３０６とインダクタンス３０７と基準電位部３０８を有する。信号ライン３０４は２個の入出力端子３０２、３０３の間を接続し、複数の直列腕共振器３０５は信号ライン３０４に直列に設けられ、複数の並列腕共振器３０６は信号ライン３０４と基準電位部３０８を接続する複数の配線に設けられる。これらはラダー回路を構成し、バンドパスフィルタとして機能し、通過帯域と阻止帯域を有する。

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

国際公開第２０１０／０７３３７７号

しかしながら、上記従来の高周波フィルタ３０１は、阻止帯域の減衰量の大きさに限度があり、特定の阻止帯域において大きな減衰量を獲得することが困難であった。

本発明は、特定の阻止帯域において大きな減衰量を獲得することが可能な高周波フィルタを提供するものである。

上記課題を解決するために本発明は、第１と第２の信号端の間に接続され、通過帯域と阻止帯域を有するフィルタ部を備えた高周波フィルタにおいて、前記フィルタ部と並列接続になるように前記第１の信号端と第２の信号端との間に付加回路部を設けた。前記付加回路部は前記阻止帯域の中に通過特性を有する周波数領域を有し、前記周波数領域において前記付加回路部を通過する信号と前記フィルタ部を通過する信号が逆方向の位相成分を有する。

このような構成としたことで本発明は、阻止帯域において大きな減衰量を有する高周波フィルタを得ることができるという優れた効果を有する。

本発明の実施の形態１における高周波フィルタの回路図 同高周波フィルタの特性図 同高周波フィルタの特性図 同高周波フィルタの特性図 本発明の実施の形態２における高周波フィルタの回路図 本発明の実施の形態２における他の高周波フィルタの要部拡大図 本発明の実施の形態２における他の高周波フィルタの要部拡大図 本発明の実施の形態２における他の高周波フィルタの回路図 従来の高周波フィルタの回路図

（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における高周波フィルタについて図面を参照して説明する。

図１は本発明の実施の形態１における高周波フィルタの回路図である。

図１において、高周波フィルタ１０１は、圧電基板１０２と入力側の信号端１０３と出力側の信号端１０４と基準電位部１０５とフィルタ部１０６とインダクタ１０７を有し、これに付加回路部１０８を設けたものである。

フィルタ部１０６は、２個の信号端１０３、１０４を接続する信号ラインに対して直列接続された複数の直列腕共振器１０９と、信号ラインと基準電位部１０５との間に接続された複数の並列腕共振器１１０を有する。ここで、複数の直列腕共振器１０９と複数の並列腕共振器１１０は圧電基板１０２の上に形成された弾性表面波共振器であり、これらはラダー回路を構成し、通過帯域と阻止帯域を有するバンドパスフィルタとして機能する。ここで、個々の直列腕共振器１０９および個々の並列腕共振器１１０は、回路設計上、異なる設計値を取りうる。

付加回路部１０８は、フィルタ部１０６と並列接続になるように入力側の信号端１０３と出力側の信号端１０４との間に接続したものである。付加回路部１０８は、フィルタ部１０６の阻止帯域の中の特に減衰特性を向上しようとする減衰帯域において、フィルタ部１０６の通過特性に近似した通過特性を持たせるとともにフィルタ部１０６の位相と逆方向の位相を持たせたものである。

付加回路部１０８の構成は、圧電基板１０２の上に容量１１１と２個のＩＤＴ電極１１３、１１４と容量１１２をこの順に入力側の信号端１０３と出力側の信号端１０４の間に接続したものである。ここで、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４は、同一の弾性波導波路上に所定の距離をおいて形成したものであり、トランスバーサル型フィルタを構成する。このトランスバーサル型フィルタの設計により上記減衰帯域における通過特性を形成し、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の間の距離を設定することにより位相特性を調整し、フィルタ部と逆方向の位相特性を持たせたものである。

容量１１１と容量１１２の静電容量は、ＩＤＴ電極１１３、１１４の静電容量よりも小さな容量値に設定し、入力側の信号端１０３に近い容量１１１を出力側の信号端１０４に近い容量１１２より小さな容量に設定したものである。容量１１１と容量１１２は、上記減衰帯域における付加回路部１０８の通過特性の振幅レベルをシフトする素子であり、容量１１１と容量１１２の設計により、付加回路部１０８の通過特性の振幅レベルをフィルタ部１０６の通過特性の振幅レベルに近似させることを可能にする。

そして、この減衰帯域における付加回路部１０８の位相とフィルタ部１０６の位相が逆向きにしていることから、減衰帯域におけるフィルタ部１０６の振幅を相殺し、減衰帯域における減衰特性を向上できる。また、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の間の距離を設定することにより、付加回路部１０８の位相を微調整することができる。また、容量１１１および容量１１２は、フィルタ部１０６から付加回路部１０８に流入する電流を抑制す
ることにより、ＩＤＴ電極１１３、１１４を破壊から保護する機能も併せ持つ。

図２〜図４は本発明の実施の形態１における高周波フィルタ１０１の通過特性および位相特性を示す図である。

図２において、破線はフィルタ部１０６の通過特性Ａである。図２において実線は、付加回路部１０８の通過特性Ｂを示す。フィルタ部１０６の通過特性Ａは、付加回路部１０８が無い場合の高周波フィルタ１０１の通過特性である。フィルタ部１０６の通過特性Ａは、８８０〜９１５ＭＨｚに通過帯域を有し、通過帯域外の８８０以下および９１５ＭＨｚ以上に阻止帯域を有する。減衰帯域は、阻止帯域の中において特に減衰特性を向上させようとする周波数帯域である。ここで減衰帯域は、デュプレクサを構成する送信フィルタに対する受信帯域、または、デュプレクサを構成する受信フィルタに対する送信帯域などのシステム上減衰を必要とされる帯域である。あるいは、移動体通信で使用される高周波フィルタにおいては、送信フィルタに対する受信帯域、または、デュプレクサを構成する受信フィルタに対する送信帯域などのシステム上減衰を必要とされる帯域である。付加回路部１０８の通過特性Ｂは、この減衰帯域において通過特性Ａに近似するように設計したものである。

そして、減衰帯域が通過帯域よりも周波数が高い場合には、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の電極指ピッチをフィルタ部１０６の電極指ピッチよりも小さくしたものであり、減衰帯域が通過帯域よりも周波数が低い場合、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の電極指ピッチをフィルタ部１０６の電極指ピッチよりも大きくしたものである。

図３において、破線はフィルタ部１０６の位相Ｃであり、実線は付加回路部１０８の位相Ｄである。図３に示すように、減衰帯域における付加回路部１０８の位相Ｄを、フィルタ部１０６の位相Ｃと逆方向の位相特性となるように設定したものである。付加回路部１０８の位相Ｄの調整は、トランスバーサルフィルタを構成する２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の間の距離を設定することにより可能となる。ここで、位相特性が逆方向であるとは、−１８０度〜１８０度の範囲内で位相差の絶対値が９０度以上であり、逆方向の位相成分を有することをいう。このように、付加回路部１０８の位相Ｄをフィルタ部１０６の位相Ｃと逆方向の成分を持たせることによって、減衰帯域におけるフィルタ部１０６の振幅から付加回路部１０８の振幅を相殺することが可能になり、高周波フィルタ１０１の減衰量を改善することができる。

図４において、実線は高周波フィルタ１０１の通過特性Ｅ、破線はフィルタ部１０６の通過特性Ａである。図４からわかるように、高周波フィルタ１０１の通過特性Ｅは、減衰帯域において、フィルタ部１０６の通過特性Ａよりも減衰量を大きく改善することができたものである。

以上のように、本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、第１と第２の信号端の間に接続され、通過帯域と阻止帯域を有するフィルタ部を備えた高周波フィルタにおいて、前記フィルタ部と並列接続になるように前記第１の信号端と第２の信号端との間に付加回路部を設け、前記付加回路部は前記阻止帯域の中に通過特性を有する周波数領域を有し、前記周波数領域において前記付加回路部を通過する信号と前記フィルタ部を通過する信号が逆方向の位相成分を有するものである。これにより、上記周波数領域におけるフィルタ部の通過特性の振幅を相殺して減衰を高めることができ、これによって、この周波数領域における減衰特性を大きく改善することができるものである。

ここで、この周波数領域におけるフィルタ部と付加回路部との間の位相差の絶対値は、０度〜１８０度の範囲内において、１８０度が理想的である。しかし、位相差の絶対値が
９０度以上であれば、逆方向の位相成分を有するため、通過特性の振幅を相殺して減衰特性を高める効果を有するものである。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、付加回路部に、同一の弾性波導波路上に所定の距離をおいて形成された２個のＩＤＴ電極を設けることにより、所望の周波数領域において逆方向の位相成分を有するとともに通過特性を有する付加回路部を構成することができるものであり、高周波フィルタの減衰特性を向上することができるものである。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、同一の弾性波導波路上に形成された２個のＩＤＴ電極の間の距離を設定することにより、フィルタ部を通過する信号と付加回路部を通過する信号が逆方向の位相成分を有する手段を与えることができるものであり、別途の位相反転機能を追加する必要が無く、付加回路部を通過する信号の位相を微調整することができるという効果を有する。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、フィルタ部は弾性波素子を用いて構成したことにより、フィルタ部と付加回路部がともに弾性波素子を用いて構成されることになり、温度変化があった場合のフィルタ部の周波数特性の変化と付加回路部の周波数特性の変化を近似させることができ、温度変化に対する減衰特性の劣化を低減することができる。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、通過特性の振幅レベルをシフトさせる素子を付加回路部に設けたものであり、これによって、減衰特性を向上させる周波数帯域において、付加回路部の振幅をフィルタ部の振幅に近似させることが可能になり、高周波フィルタの減衰特性を効果的に向上させることができる。

特に、容量１１１と容量１１２の静電容量をＩＤＴ電極１１３、１１４の静電容量よりも小さな容量値に設定し、信号端１０３に近い容量１１１を信号端１０４に近い容量１１２より小さな容量に設定することにより、減衰量を向上させる周波数帯域における付加回路部の振幅をフィルタ部の振幅に合せこむことが可能になり、減衰特性を向上する効果が高くなる。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、付加回路部に、弾性波素子を有する弾性波素子部と、弾性波素子部と第１の信号端との間に設けた第１の容量素子と、弾性波素子部と第２の信号端との間に設けた第２の容量素子とを設けたことにより、付加回路部に流入する電流から弾性波素子を保護し、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の破壊を防止することができるという効果を有する。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、フィルタ部と付加回路部を、同一の圧電基板に形成したことにより、温度変化による周波数特性の変化がフィルタ部と付加回路部の両方に同様に生じるため、温度変化による減衰特性への影響を少なくすることができ、温度変化に対する減衰特性劣化の少ない高周波フィルタを得ることができるという効果が得られる。また、フィルタ部と付加回路部を、同一の圧電基板に形成することにより、大型化することなしに減衰特性の良好な高周波フィルタを得ることができ、小型の高周波フィルタを実現できる。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタは、付加回路部１０８において、ＩＤＴ電極１１４に最も近いＩＤＴ電極１１３の電極指と、ＩＤＴ電極１１３に最も近いＩＤＴ電極１１４の電極指の、少なくとも一方を基準電位部に接続された電極指とすることにより、付加回路部１０８の通過特性の通過帯域における減衰量を向上することが
でき、高周波フィルタ１０１の通過帯域における挿入損失を低減することができる。

なお、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタでは、付加回路部１０８の２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の間に他の電極を配置していなかったが、２個のＩＤＴ電極１１３、１１４の間に基準電位部に接続されたシールド電極を設けても良い。このようなシールド電極を設けることにより、付加回路部１０８の通過特性の通過帯域における減衰量を向上することができ、高周波フィルタ１０１の通過帯域における挿入損失を低減することができる。

また、上記本発明の実施の形態１における高周波フィルタでは、図１において、ＩＤＴ電極１１３の電極指の対数とＩＤＴ電極１１４の電極指の対数を同じにしているが、ＩＤＴ電極１１３の電極指の対数とＩＤＴ電極１１４の電極指の対数は必ずしも同じにする必要は無い。ＩＤＴ電極１１３の電極指の対数とＩＤＴ電極１１４の電極指の対数を異ならせることによって、付加回路部１０８の通過特性の通過帯域における減衰量を向上することが可能になり、高周波フィルタ１０１の通過帯域における挿入損失を低減することを可能にする。

（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２における高周波フィルタの回路図である。

図５において、本発明の実施の形態２における高周波フィルタ２０１は、圧電基板２０２と、アンテナ端子２０３と、送信端子２０４と、一対の受信端子２０５と、送信フィルタ２０６と、受信フィルタ２０７と、位相回路２０８と、グランド端子２０９を有し、デュプレクサとして機能する。

送信フィルタ２０６は、圧電基板２０２の上において、アンテナ端子２０３と送信端子２０４を接続する信号ラインに直列に設けられた直列腕弾性波共振器Ｓ１〜Ｓ５と、信号ラインとグランド端子２０９との間に設けられた並列腕弾性波共振器Ｐ１〜Ｐ５によって構成されるラダー回路を有する。

受信フィルタ２０７は、圧電基板２０２の上において、アンテナ端子２０３と一対の受信端子２０５とグランド端子２０９との間に接続され、一端子対弾性波共振器Ｒ１と縦結合弾性波共振器Ｒ２、Ｒ３を有する。

位相回路２０８は、圧電基板２０２の上において、アンテナ端子２０３と送信端子２０４とグランド端子２０９との間に接続され、トランスバーサルフィルタを構成する２個のＩＤＴ電極２１０と２個の容量素子２１１とを有する。

位相回路２０８は、２個のＩＤＴ電極２１０の設計により、送信フィルタ２０６の減衰帯域において通過特性を有し、２個からなるＩＤＴ電極２１０の間の距離を設定することにより位相特性を調整し、送信フィルタ２０６と逆方向の位相特性を持たせたものであり、減衰帯域において大きな減衰量を有する高周波フィルタを得ることができる。特に、この減衰帯域を受信フィルタ２０７の受信帯域内に設定することにより、受信帯のアイソレーションを向上することができ、通信機器においてデュプレクサに接続されるパワーアンプのノイズによる受信感度の低下を防ぐことができ、特性の優れたデュプレクサが得られる。

位相回路２０８のＩＤＴ電極２１０と、送信フィルタ２０６の直列腕弾性波共振器Ｓ５は、圧電基板２０２を伝搬する弾性波の伝搬方向において重なる領域を有し、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極２１０と直列腕弾性波共振器Ｓ５との間には、弾性波を吸収する吸収体２１２を設ける。吸収体２１２は、ＩＤＴ電極２１０が励起する弾性波と直列腕弾性波共振器Ｓ５が励起する弾性波の干渉を抑制することができ、高周波フィルタ２０１の減衰特性やアイソレーション特性の劣化を防ぐことができ、良好なフィルタ特性が得られる。

ここで、位相回路２０８のＩＤＴ電極２１０の交差幅を、送信フィルタ２０６の直列腕弾性波共振器Ｓ５の交差幅よりも小さくすることにより、ＩＤＴ電極２１０と直列腕弾性波共振器Ｓ５の干渉をさらに小さくすることができる。

吸収体２１２は、ポリイミド系の光硬化性樹脂材料からなり、送信フィルタ２０６と受信フィルタ２０７と位相回路２０８を構成する弾性波素子を、励振空間を介して封止するカバー体の支柱であり、励振空間の機械的強度を確保することができ、高周波フィルタを樹脂モールドする際の励振空間のつぶれ防止の効果を有する。

弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極２１０と直列腕弾性波共振器Ｓ５との間には、電極２１３を設け、電極２１３のＩＤＴ電極２１０側の端辺または電極２１３の直列腕弾性波共振器Ｓ５側の端辺を、圧電基板２０２を伝搬する弾性波の伝搬方向に対して非垂直にする。これにより、圧電基板２０２の表面において、ＩＤＴ電極２１０と直列腕弾性波共振器Ｓ５の間を伝搬する弾性波を散乱させることができ、ＩＤＴ電極２１０が励起する弾性波と直列腕弾性波共振器Ｓ５が励起する弾性波の干渉を抑制することができるため、高周波フィルタ２０１の減衰特性とアイソレーション特性の劣化を防ぐことができ、良好なフィルタ特性が得られる。電極２１３の上に吸収体２１２を設けることにより、さらにアイソレーション特性を向上することができ、また、圧電基板２０２の占有面積を小さくすることができるため、高周波フィルタの小型化ができる。

なお、位相回路２０８のＩＤＴ電極２１０と、弾性波の伝搬方向において重なる領域を有するＩＤＴ電極は受信フィルタ２０７を構成するＩＤＴ電極であってもよい。

また、位相回路２０８のＩＤＴ電極２１０と、弾性波の伝搬方向において重なる領域を有する送信フィルタ２０６または受信フィルタ２０７のＩＤＴ電極は、反射器を有する弾性波共振器であってもよい。

また、位相回路２０８は、アンテナ端子２０３と受信端子２０５との間に接続してもよく、送信端子２０４と受信端子２０５との間に接続してもよく、デュプレクサのアイソレーションを向上する効果を有する。

また、図５に示す高周波フィルタ２０１において、弾性波の伝搬方向に対して非垂直な電極２１３は、アンテナ端子２０３と位相回路２０８を接続する配線電極であったが、弾性波の伝搬方向に対して非垂直な電極の形態はこれに限らない。図６および図７は、高周波フィルタ２０１における位相回路２０８部の要部拡大図であり、弾性波の伝搬方向に対して非垂直な電極の他の構成を示す。図６において、弾性波の伝搬方向に対して非垂直な電極２１３ａは、反射器電極パターンである。図７において、弾性波の伝搬方向に対して非垂直な電極２１３ｂは、三角形状の浮き電極パターンである。図６、図７に示すような電極２１３ａ、２１３ｂにおいても、ＩＤＴ電極２１０と直列腕弾性波共振器Ｓ５の間を伝搬する弾性波を散乱させることができ、ＩＤＴ電極２１０が励起する弾性波と直列腕弾性波共振器Ｓ５が励起する弾性波の干渉を抑制することができるため、高周波フィルタ２０１の減衰特性とアイソレーション特性を向上することができるという効果を有する。

また、吸収体２１２は図５の形状に限らない。図８に他の高周波フィルタ３０１を示す。他の高周波フィルタ３０１が、実施の形態２における高周波フィルタ２０１と異なるの
は、電極２１３の上に設けた吸収体２１２ａの一辺が弾性波の伝搬方向に対して非垂直である点である。位相回路２０８のＩＤＴ電極２１０と、送信フィルタ２０６の直列腕弾性波共振器Ｓ５は、圧電基板２０２を伝搬する弾性波の伝搬方向において重なる領域を有し、弾性波の伝搬方向におけるＩＤＴ電極２１０と直列腕弾性波共振器Ｓ５との間には、弾性波を吸収する吸収体２１２ａを設け、吸収体２１２ａの一辺を弾性波の伝搬方向に対して非垂直にすることにより、ＩＤＴ電極２１０が励起する弾性波と直列腕弾性波共振器Ｓ５が励起する弾性波の干渉を抑制することができ、高周波フィルタ２０１の減衰特性とアイソレーション特性の劣化を防ぐことができ、良好なフィルタ特性が得られる。

本発明に係る高周波フィルタは、各種電子機器を構成する上で有用である。

１０１、２０１、３０１ 高周波フィルタ
１０２、２０２ 圧電基板
１０３、１０４ 信号端
１０５ 基準電位部
１０６ フィルタ部
１０７ インダクタ
１０８ 付加回路部
１０９ 直列腕共振器
１１０ 並列腕共振器
１１１、１１２ 容量
１１３、１１４、２１０ ＩＤＴ電極
２０３ アンテナ端子
２０４ 送信端子
２０５ 受信端子
２０６ 送信フィルタ
２０７ 受信フィルタ
２０８ 位相回路
２１２、２１２ａ 吸収体
２１３、２１３ａ、２１３ｂ 電極

Claims (18)

1. 高周波フィルタであって、
   第１及び第２の信号端と、
   前記第１及び第２の信号端の間に接続され、通過帯域と阻止帯域を有するフィルタ部と、
   前記フィルタ部と並列接続になるように前記第１及び第２の信号端の間に設けられた付加回路部と、
   前記フィルタ部及び前記付加回路部が形成される圧電基板と
   を含み、
   前記付加回路部は、第１の容量素子、第２の容量素子、及び前記第１の容量素子と前記第２の容量素子との間に直列に接続された弾性波素子部を含み、
   前記付加回路部は前記阻止帯域の中に通過特性を有する周波数領域を有し、
   前記周波数領域において前記付加回路部を通過する信号と前記フィルタ部を通過する信号とが逆方向の位相成分を有し、
   前記付加回路部の通過特性の振幅レベルが前記フィルタ部の通過特性の振幅レベルに近似し、
   前記フィルタ部は弾性波素子を用いて構成され、
   前記弾性波素子部の少なくとも一つのＩＤＴ電極の交差幅が、前記フィルタ部の少なくとも一つの弾性波素子の交差幅よりも小さく構成される高周波フィルタ。
2. 前記弾性波素子部は、同一の弾性波導波路上に所定の距離をおいて形成された２個のＩＤＴ電極を有する請求項１記載の高周波フィルタ。
3. 前記逆方向の位相成分は、前記所定の距離を設定することによって調整される請求項２の高周波フィルタ。
4. 前記弾性波素子部の前記少なくとも一つのＩＤＴ電極と前記フィルタ部の前記少なくとも一つの弾性波素子とは前記圧電基板を伝搬する一つの弾性波の伝搬方向に存在する請求項１の高周波フィルタ。
5. 前記第１及び第２の容量素子はそれぞれが、前記周波数領域における通過特性の振幅レベルをシフトさせる素子を形成する請求項１の高周波フィルタ。
6. 前記フィルタ部は、
   前記第１及び第２の信号端を接続する信号ラインに対して直列に接続された複数の直列腕共振器と、
   前記信号ラインと基準電位部との間に接続された複数の並列腕共振器と
   を含む請求項１の高周波フィルタ。
7. 前記複数の直列腕共振器と前記複数の並列腕共振器とはラダー回路を構成する請求項６の高周波フィルタ。
8. 前記第１の容量素子の静電容量は、前記第２の容量素子の静電容量よりも小さく設定される請求項１の高周波フィルタ。
9. 前記第１及び第２の容量素子それぞれの静電容量は、前記２個のＩＤＴ電極それぞれの静電容量よりも小さく設定される請求項２の高周波フィルタ。
10. 前記付加回路部の通過特性は、前記フィルタ部の阻止帯域の中の減衰帯域において前記フィルタ部の通過特性に近似する請求項１から９のいずれか一項の高周波フィルタ。
11. 前記フィルタ部の減衰帯域が前記通過帯域よりも周波数が高い場合、前記２個のＩＤＴ電極それぞれの電極指ピッチが、前記フィルタ部の電極指ピッチよりも小さく構成される請求項２の高周波フィルタ。
12. 前記フィルタ部の減衰帯域が前記通過帯域よりも周波数が低い場合、前記２個のＩＤＴ電極それぞれの電極指ピッチが、前記フィルタ部の電極指ピッチよりも大きく構成される請求項２の高周波フィルタ。
13. 前記第１及び第２の容量素子はそれぞれが、前記フィルタ部から前記付加回路部に流入する電流を抑制する素子を形成する請求項１の高周波フィルタ。
14. 前記２個のＩＤＴ電極の間に基準電位部に接続されたシールド電極をさらに含む請求項２の高周波フィルタ。
15. 前記２個のＩＤＴ電極は電極の対数が互いに同じである請求項２の高周波フィルタ。
16. 前記２個のＩＤＴ電極は電極の対数が互いに異なる請求項２の高周波フィルタ。
17. 前記２個のＩＤＴ電極から前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子に向かう信号ラインが互いに隣接する部分を有する請求項２の高周波フィルタ。
18. 前記２個のＩＤＴ電極から基準電位部に向かう信号ラインが互いに隣接する部分を有する請求項２の高周波フィルタ。

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