CN116671008A - 滤波器以及多工器 - Google Patents

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Abstract

滤波器(1)具备第1滤波器电路(10)和附加电路(20)。第1滤波器电路(10)具有谐振器电极和主布线(110)。主布线(110)包括第1金属膜(111)和与第1金属膜(111)相接且设置在第1金属膜(111)上的第2金属膜(112)。附加电路(20)具备具有多个IDT电极(31、32)的IDT电极组(25)以及连接IDT电极组(25)和第1滤波器电路(10)的子布线(120)。子布线(120)的至少一部分包括与IDT电极组(25)连接的第3金属膜(123)。第3金属膜(123)隔着设置在第3金属膜(123)上的绝缘层(130)被第4金属膜(140)覆盖。第4金属膜(140)与设置于基板(100)的接地端子连接。

Description

滤波器以及多工器
技术领域
本发明涉及滤波器以及具备该滤波器的多工器。
背景技术
以往，已知将给定频带作为通带的滤波器。作为这种滤波器的一例，在专利文献1中公开了具备滤波器电路以及与滤波器电路并联连接的附加电路的滤波器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-166340号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所公开的滤波器中，使用附加电路来消除通带外的无用波。但是，在该滤波器中，有时在附加电路的布线与滤波器电路的布线之间会产生信号的泄漏路径。因此，存在不能确保滤波器的通带外的衰减量这样的问题。
本发明是为了解决上述问题而完成的，目的在于确保滤波器的通带外的衰减量。
用于解决问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式涉及的滤波器具备将第1频带作为通带的第1滤波器电路、以及与第1滤波器电路的至少一部分并联连接的附加电路，第1滤波器电路具有设置在基板上的谐振器电极、以及与谐振器电极连接的主布线，主布线包括设置在基板上的第1金属膜、以及与第1金属膜相接且设置在第1金属膜上的第2金属膜，附加电路具备具有设置在基板上的多个IDT电极的IDT电极组、以及设置在基板上并且连接IDT电极组和第1滤波器电路的子布线，子布线的至少一部分包括与IDT电极组连接的第3金属膜，第3金属膜隔着设置在第3金属膜上的绝缘层被第4金属膜覆盖，第4金属膜与设置于基板的接地端子连接。
此外，本发明的一个方式涉及的多工器具备：第1信号端子以及第2信号端子；技术方案1～11中任一个所记载的滤波器，设置在将第1信号端子和第2信号端子连结的第1路径上；公共端子，与第2信号端子连接；第3信号端子，与第1信号端子、第2信号端子以及公共端子不同；以及第2滤波器电路，具有与第1滤波器电路的通带不同的通带，设置在将公共端子和第3信号端子连结的第2路径上。
发明效果
根据本发明，能够确保滤波器的通带外的衰减量。
附图说明
图1是具备实施方式涉及的滤波器的多工器的电路结构图。
图2是示出实施方式涉及的滤波器的附加电路所包括的IDT电极组的示意图。
图3是示意性示出图2所示的IDT电极组的构造的俯视图以及剖视图。
图4A是实施方式涉及的滤波器的俯视图。
图4B是示意性示出实施方式涉及的滤波器的布线的图。
图5是实施方式涉及的滤波器的附加电路的一部分的放大图。
图6是从图4A所示的VI-VI线观察实施方式涉及的滤波器的主布线以及第1子布线的剖视图。
图7是从图5所示的VII-VII线观察附加电路的第2子布线的剖视图。
图8是从图5所示的VIII-VIII线观察构成附加电路的IDT电极的与接地连接的汇流条电极的剖视图。
图9A是比较例1的滤波器的俯视图。
图9B是示意性示出比较例1的滤波器的布线的图。
图10是从图9A所示的X-X线观察比较例1的滤波器的布线的剖视图。
图11A是比较例2的滤波器的俯视图。
图11B是示意性示出比较例2的滤波器的布线的图。
图12是从图11A所示的XII-XII线观察比较例2的滤波器的布线的剖视图。
图13是从图11A所示的XIII-XIII线观察比较例2的滤波器的布线的剖视图。
图14是示出构成实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的附加电路的IDT电极的电极参数的图。
图15是示出构成实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的附加电路的电容元件的电极参数的图。
图16是示出实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的通过特性的图。
图17是示出实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的耐功率性能的图。
具体实施方式
以下，针对本发明的实施方式，使用实施方式以及附图来详细进行说明。另外，以下说明的实施方式均表示总括性或者具体的例子。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一例，不是限定本发明的主旨。针对以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比未必严格。此外，在各图中，对于实质上相同的结构附上相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。此外，在以下的实施方式中，所谓“连接”，不仅包括直接连接的情况，还包括经由其他元件等而电连接的情况。
(实施方式)
[1.多工器的结构]
参照图1对具备实施方式涉及的滤波器的多工器的结构进行说明。
图1是具备实施方式涉及的滤波器1的多工器5的电路结构图。另外，在图1中还示出了天线元件9。
多工器5是具备通带不同的多个滤波器的分波器或者合波器。如图1所示，多工器5具备滤波器1和第2滤波器电路50，滤波器1具有第1滤波器电路10以及附加电路20。此外，多工器5具备第1信号端子T1、第2信号端子T2、第3信号端子T3以及公共端子Tc。
第1信号端子T1是设置在滤波器1的一个输入输出侧的端子。第1信号端子T1经由设置于多工器5的外部的放大电路等(未图示)而与RF信号处理电路(未图示)连接。
第2信号端子T2是设置在滤波器1的另一个输入输出侧的端子。第2信号端子T2与公共端子Tc连接。
公共端子Tc是与滤波器1以及第2滤波器电路50分别连接的端子。具体而言，公共端子Tc经由滤波器1和第2滤波器电路50的连接节点即节点n0而与滤波器1连接，此外，经由节点n0而与第2滤波器电路50连接。此外，公共端子Tc与设置于多工器5的外部的天线元件9连接。公共端子Tc也是多工器5的天线端子。
第3信号端子T3是与第1信号端子T1、第2信号端子T2以及公共端子Tc不同的端子。第3信号端子T3与第2滤波器电路50连接。此外，第3信号端子T3经由设置于多工器5的外部的放大电路等(未图示)而与RF信号处理电路(未图示)连接。
滤波器1配置在将第1信号端子T1和第2信号端子T2连结的第1路径r1上。滤波器1例如是将上行频带(发送频带)作为通带的发送滤波器，并且被设定为通带比第2滤波器电路50低。滤波器1具备将第1频带作为通带的第1滤波器电路10、以及附加连接于第1滤波器电路10的附加电路20。附加电路20是用于对第1滤波器电路10的通带外的无用波进行消除的电路。针对附加电路20，将在后面叙述。
第2滤波器电路50配置在将公共端子Tc和第3信号端子T3连结的第2路径r2上。第2滤波器电路50具有与第1滤波器电路10的通带不同的通带(第2频带)。第2滤波器电路50例如是将下行频带(接收频带)作为通带的接收滤波器。
对于滤波器1以及第2滤波器电路50，分别需要使预先决定的频带通过且使该频带外的频带衰减这样的特性。
[2.滤波器的结构]
参照图1以及图2对滤波器1的结构进行说明。
如图1所示，滤波器1具备第1滤波器电路10和附加电路20。
第1滤波器电路10具备作为弹性波谐振器的串联臂谐振器S1、S2、S3、S4以及并联臂谐振器P1、P2、P3。串联臂谐振器S1～S4以及并联臂谐振器P1～P3分别包括例如设置在基板上的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极。构成串联臂谐振器S1～S4以及并联臂谐振器P1～P3的IDT电极是后述的谐振器电极的一例。
串联臂谐振器S1～S4配置在将第1信号端子T1和第2信号端子T2连结的第1路径(串联臂)r1上。串联臂谐振器S1～S4从第1信号端子T1朝向第2信号端子T2依次串联连接。
并联臂谐振器P1～P3相互并联地连接在将第1路径r1上相邻的串联臂谐振器S1～S4之间的各节点n1、n2、n3和接地连结的路径(并联臂)上。具体而言，并联臂谐振器P1～P3中的最靠近第1信号端子T1的并联臂谐振器P1的一端连接于串联臂谐振器S1与S2之间的节点n1，另一端连接于接地。并联臂谐振器P2的一端连接于串联臂谐振器S2与S3之间的节点n2，另一端连接于接地。并联臂谐振器P3的一端连接于串联臂谐振器S3与S4之间的节点n3，另一端连接于接地。另外，在串联臂谐振器S3并联连接有桥接电容元件C10。
如此，第1滤波器电路10具有如下的T型的梯形滤波器构造，其包括配置在第1路径r1上的4个串联臂谐振器S1～S4、以及配置在将第1路径r1和接地连结的路径上的3个并联臂谐振器P1～P3。
另外，构成第1滤波器电路10的串联臂谐振器以及并联臂谐振器的数量不限定于4个或3个，只要串联臂谐振器为两个以上且并联臂谐振器为一个以上即可。此外，并联臂谐振器也可以经由电感器连接于接地。
接下来，对滤波器1的附加电路20进行说明。附加电路20是通过对在第1滤波器电路10产生的通带外的无用波施加反相位从而抑制从滤波器1输出无用波的电路。
附加电路20与第1路径r1上的不同的多个节点n1、n4连接，使得与第1滤波器电路10的至少一部分并联连接。节点n4是位于串联臂谐振器S4与第2信号端子T2之间的连接节点。附加电路20设置于在第1路径r1的节点n1和节点n4之间迂回的路径上，即，设置于将节点n1和节点n4连结的附加路径rA上。附加电路20具有配置在附加路径rA上的IDT电极组25和多个电容元件C1、C2。
IDT电极组25经由电容元件C1而与节点n1电连接，此外，经由电容元件C2而与节点n4电连接。节点n1以及节点n4在附加路径rA上经由IDT电极组25而声学地连接。
图2是示出滤波器1的附加电路20所包括的IDT电极组25的示意图。另外，在图2中示出了多个反射器28。多个反射器28在弹性波传播方向D1上配置于IDT电极组25的两外侧，使得夹着IDT电极组25。在图2中用实线示出了电极以及布线。
IDT电极组25是包括多个IDT电极31以及32的弹性波谐振器组。IDT电极组25例如是纵耦合型弹性波谐振器。多个IDT电极31、32沿着弹性波传播方向D1相邻地配置。
多个IDT电极31、32具有多个第1梳齿状电极31a、32a以及多个第2梳齿状电极31b、32b。多个IDT电极31、32中的一个IDT电极31包括相互对置的一对第1梳齿状电极31a和第2梳齿状电极31b。另一个IDT电极32包括相互对置的一对第1梳齿状电极32a和第2梳齿状电极32b。在从与基板100(参照图3)垂直的方向观察IDT电极31、32的情况下，第1梳齿状电极31a和第2梳齿状电极32b朝着彼此相同的方位，并沿着弹性波传播方向D1排列配置。此外，第2梳齿状电极31b和第1梳齿状电极32a朝着彼此相同的方位，并沿着弹性波传播方向D1排列配置。
[3.附加电路的IDT电极组的构造]
参照图3对附加电路20的IDT电极组25的构造进行说明。IDT电极组25例如包括多个声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)谐振器。
图3是示意性示出IDT电极组25的构造的俯视图以及剖视图。另外，在图3中也示出了两个反射器28。图3所示的IDT电极组25用于说明谐振器的典型的构造，IDT电极以及反射器所包括的电极指的根数、长度等不限定于此。
IDT电极组25包括具有压电性的基板100和形成在基板100上的多个IDT电极31、32。如图3的剖视图所示，IDT电极组25由基板100、构成各IDT电极31、32的电极层102、以及设置在基板100上使得覆盖各IDT电极31、32的绝缘层130形成。
基板100例如是切割角为127.5°的LiNbO3基板(铌酸锂基板)。使用瑞利波作为在基板100内传播的弹性波的情况下，基板100的切割角优选为120°±20°、或者300°±20°。
电极层102包括一个金属膜或者多个金属膜。针对金属膜的构造，将在后面叙述。
绝缘层130例如是以二氧化硅(SiO2)为主成分的介电膜。绝缘层130是以调整IDT电极组25的频率温度特性、保护电极层102不受外部环境影响、或者提高耐湿性等为目的而设置的。
如图3的俯视图所示，IDT电极31具有相互对置的一对第1梳齿状电极31a和第2梳齿状电极31b。IDT电极32具有相互对置的一对第1梳齿状电极32a和第2梳齿状电极32b。
各第1梳齿状电极31a、32a具有梳齿状的形状，包括相互平行的多个电极指36a和将多个电极指36a各自的一端彼此连接的汇流条电极37a。各第2梳齿状电极31b、32b具有梳齿的形状，包括相互平行的多个电极指36b和将多个电极指36b各自的一端彼此连接的汇流条电极37b。各汇流条电极37a以及37b形成为沿着弹性波传播方向D1延伸。多个电极指36a以及36b形成为沿着弹性波传播方向D1的正交方向D2延伸，在正交方向D2上相互交错对插，并在弹性波传播方向D1上对置。
如图2所示，第1梳齿状电极31a、32a与第1路径r1上的不同的多个节点n1、n4电连接。具体而言，第1梳齿状电极31a经由一个附加路径rA而与节点n1连接，第1梳齿状电极32a经由另一个附加路径rA而与节点n4连接。第2梳齿状电极31b、32b分别与给定的接地端子电连接。
另外，第1梳齿状电极31a、32a只要分别与第1路径r1上相邻的两个以上的串联臂谐振器的两外侧的节点连接即可。例如，第1梳齿状电极31a既可以与将第1信号端子T1和串联臂谐振器S1连结的第1路径r1上的节点连接，也可以与节点n2连接。例如，第1梳齿状电极32a也可以与节点n3连接。
[4.滤波器的布线构造]
参照图4A～图8对滤波器1的布线构造进行说明。
图4A是实施方式涉及的滤波器1的俯视图。图4B是示意性示出滤波器1的布线的图。图5是滤波器1的附加电路20的一部分的放大图。另外，在图4B中示出了布线附近的构造，而相邻的布线间的构造未被图示。此外，在包括这些图的以后的图中，省略反射器28的图示。
如图4A以及图4B所示，滤波器1具备第1滤波器电路10以及附加电路20。此外，滤波器1具有输入输出信号的第1信号端子T1以及第2信号端子T2、多个接地端子G10、一个接地端子G21以及另一个接地端子G22。多个接地端子G10经由布线彼此连接。
第1滤波器电路10具有设置在基板100上的谐振器电极、和设置在基板100上的主布线110。
谐振器电极是前述的构成串联臂谐振器S1～S4以及并联臂谐振器P1～P3的IDT电极。谐振器电极由后述的第1金属膜111等形成。
主布线110是与谐振器电极连接的布线。主布线110具有传输高频信号的信号布线Ls1、与接地端子G10连接的接地布线Lg1、以及与接地端子G21连接的接地布线Lg2。
信号布线Ls1是处于第1信号端子T1与串联臂谐振器S1之间的一部分、串联臂谐振器S1与S2之间、串联臂谐振器S2与S3之间、串联臂谐振器S3与S4之间、串联臂谐振器S4与第2信号端子T2之间的一部分、节点n1与并联臂谐振器P1之间、节点n2与并联臂谐振器P2之间、节点n3与并联臂谐振器P3之间、以及桥接电容元件C10与节点n2及n3之间的布线。接地布线Lg1是处于并联臂谐振器P2与接地端子G10之间、以及并联臂谐振器P3与接地端子G10之间的布线。接地布线Lg2是处于并联臂谐振器P1与接地端子G21之间的布线。
图6是从图4A所示的VI-VI线观察滤波器1的主布线110以及第1子布线120a的剖视图。
如图6所示，主布线110包括设置在基板100上的第1金属膜111、和与第1金属膜111相接且设置在第1金属膜111上的第2金属膜112。即，主布线110是通过在第1金属膜111上层叠第2金属膜112而形成的多层膜。
如图4A以及图4B所示，附加电路20具有IDT电极组25、设置在基板100上的子布线120、和设置在基板100上的多个电容元件C1、C2，IDT电极组25具有设置在基板100上的多个IDT电极31、32。
IDT电极组25具有输入输出信号的一个IDT电极31以及与一个IDT电极31相反地输入输出信号的另一个IDT电极32。
多个电容元件C1、C2设置在将IDT电极组25和第1滤波器电路10连结的附加路径rA上。多个电容元件C1、C2中的一个电容元件C1设置在将第1滤波器电路10和一个IDT电极31连结的附加路径rA上。与一个电容元件C1不同的另一个电容元件C2设置在将第1滤波器电路10和IDT电极组25的另一个IDT电极32连结的附加路径rA上。各电容元件C1、C2例如包括相互对置的一对梳齿状电极。电容元件C1的静电电容小于电容元件C1所连接的IDT电极31的静电电容，电容元件C2的静电电容小于电容元件C2所连接的IDT电极32的静电电容。
子布线120是将IDT电极组25和第1滤波器电路10连接的布线。从电容元件C1或C2观察，子布线120具有位于第1滤波器电路10侧的第1子布线120a和位于IDT电极组25侧的第2子布线120b。第1子布线120a包括第1金属膜111以及第2金属膜112(参照图6)。与此相对，如图5所示，第2子布线120b包括第3金属膜123。即，子布线120的至少一部分包括与IDT电极组25连接的第3金属膜123。
图7是从图5所示的VII-VII线观察附加电路20的第2子布线120b的剖视图。
如图7所示，第3金属膜123隔着设置在第3金属膜123上的绝缘层130被第4金属膜140覆盖。绝缘层130例如是由包括SiO2的材料形成的层。通过具有绝缘层130，从而第3金属膜123和第4金属膜140电绝缘。第4金属膜140是屏蔽用的膜，与设置于基板100的给定的接地端子连接。第4金属膜140与第3金属膜123相比为宽幅，在从相对于基板100垂直的方向观察的情况下，覆盖第3金属膜123。即，形成有第3金属膜123的区域具有被成为接地的第4金属膜140覆盖的屏蔽构造。
如此，构成第2子布线120b的第3金属膜123隔着绝缘层130被第4金属膜140覆盖。另一方面，信号布线Ls1、接地布线Lg1、Lg2以及第1子布线120a未被第4金属膜140覆盖。换言之，第4金属膜140未覆盖主布线110以及第1子布线120a。
图8是从图5所示的VIII-VIII线观察构成附加电路20的IDT电极31、32的与接地连接的汇流条电极37b的剖视图。
如图8所示，IDT电极31、32中的与接地连接的汇流条电极37b包括设置在基板100上的第3金属膜123以及与第3金属膜123相接且设置在第3金属膜123上的第4金属膜140。即，汇流条电极37b包括通过在第3金属膜123上层叠第4金属膜140而形成的多层膜。
另外，接地端子G21以及G22由第4金属膜140形成。此外，第1信号端子T1、第2信号端子T2以及接地端子G10由第2金属膜112形成。但是，第1信号端子T1、第2信号端子T2以及接地端子G10也可以由包括第1金属膜111以及第2金属膜112的多层膜形成。
参照图6～图8对各金属膜的构造进行说明。
第1金属膜111和第3金属膜123是在第1光刻工序中同时形成的金属膜，由相同的材料以及相同的膜厚构成。第1金属膜111和第3金属膜123设置在基板100上的相同的高度位置，在基板100上经由电气元件等而电连接。第1金属膜111以及第3金属膜123分别通过例如自下起依次层叠NiCr层、Pt层、Ti层、AlCu层而形成。第1金属膜111以及第3金属膜123各自的膜厚例如是330nm。
第2金属膜112和第4金属膜140是在形成第1金属膜111以及第3金属膜123之后的第2光刻工序中同时形成的金属膜，由相同的材料以及相同的膜厚构成。第2金属膜112和第4金属膜140设置在基板100上的不同的高度位置。第2金属膜112以及第4金属膜140分别通过例如自下起依次层叠Ti层、AlCu层、Ti层而形成。第2金属膜112以及第4金属膜140各自的膜厚例如是2520nm。
第1金属膜111和第2金属膜112的合计的膜厚比第3金属膜123的膜厚厚。因此，包括第1金属膜111以及第2金属膜112的主布线110与包括第3金属膜123的一部分的子布线120相比，电阻变小。
接下来，参照图4A～图5对接地端子、第4金属膜以及梳齿状电极的关系进行说明。
接地端子除了接地端子G10之外，还具有未相互连接的一个接地端子G21和另一个接地端子G22。一个接地端子G21和另一个接地端子G22在基板100上分离地配置，并且未电连接。
第4金属膜140具有未相互连接的一个第4金属膜141和另一个第4金属膜142(参照图5)。一个第4金属膜141覆盖将一个电容元件C1和一个IDT电极31连接的第2子布线120b的第3金属膜123，并与一个接地端子G21连接。另一个第4金属膜142覆盖将另一个电容元件C2和另一个IDT电极32连接的第2子布线120b的第3金属膜123，并与另一个接地端子G22连接。
多个梳齿状电极中的与第3金属膜123连接的第1梳齿状电极31a、32a的汇流条电极37a隔着设置在汇流条电极37a上的绝缘层130被第4金属膜140覆盖。具体而言，对第1梳齿状电极31a的汇流条电极37a进行覆盖的第4金属膜140是一个第4金属膜141，并与一个接地端子G21电连接。对第1梳齿状电极32a的汇流条电极37a进行覆盖的第4金属膜140是另一个第4金属膜142，并与另一个接地端子G22电连接。
此外，多个梳齿状电极中的第2梳齿状电极31b、32b的汇流条电极37b与给定的接地端子连接。具体而言，第2梳齿状电极31b的汇流条电极37b与接地端子G21连接，第2梳齿状电极32b的汇流条电极37b与接地端子G22连接。
此外，在弹性波传播方向D1上相邻的两个梳齿状电极31a、32b中的一个梳齿状电极31a与包括第3金属膜123的一个第2子布线120b连接，另一个梳齿状电极32b不与第2子布线120b连接而与一个接地端子G21连接。在弹性波传播方向D1上相邻的两个梳齿状电极31b、32a中的一个梳齿状电极32a与包括第3金属膜123的另一个第2子布线120b连接，另一个梳齿状电极31b不与第2子布线120b连接而与另一个接地端子G22连接。
参照图4B来整理说明滤波器1的布线构造。图4B所示的处于右斜向上的影线区域的信号布线Ls1以及第1子布线120a包括第1金属膜111以及第2金属膜112。处于右斜向下的影线区域的接地布线Lg1、Lg2也包括第1金属膜111以及第2金属膜112。宽幅的影线区域内所示的第2子布线120b包括第3金属膜123。该第3金属膜123隔着绝缘层130被第4金属膜140覆盖，第4金属膜140与给定的接地端子连接。另外，第1信号端子T1、第2信号端子T2以及接地端子G10由第2金属膜112形成。接地端子G21以及G22由第4金属膜140形成。
如此，在本实施方式的滤波器1中，附加电路20中的第3金属膜123被与接地端子G21、G22连接的第4金属膜140覆盖。根据该结构，能够抑制附加电路20的布线和第1滤波器电路10的布线进行电容耦合，能够抑制在布线间产生信号的泄漏路径。由此，能够确保滤波器的通带外的衰减量。
[5.布线等的制造方法]
接下来，对布线等的制造方法进行说明。另外，针对谐振器电极的汇流条电极、桥接电容元件C10以及电容元件C1、C2的制造方法，省略说明。
如前所述，信号布线Ls1以及接地布线Lg1、Lg2分别包括多层膜，该多层膜包括第1金属膜111以及第2金属膜112。位于节点n1与电容元件C1之间的第1子布线120a、以及位于节点n4与电容元件C2之间的第1子布线120a也分别包括多层膜，该多层膜包括第1金属膜111以及第2金属膜112。将电容元件C1和IDT电极31连接的第2子布线120b、以及将电容元件C2和IDT电极32连接的第2子布线120b分别包括第3金属膜123。
首先，通过第1光刻工序，在基板100上同时形成第1金属膜111以及第3金属膜123。具体而言，在基板100上形成构成主布线110以及第1子布线120a的下层的第1金属膜111、以及构成第2子布线120b的下层的第3金属膜123。此时，谐振器电极也可以由第1金属膜111形成。此外，IDT电极31、32也可以由第3金属膜123形成。
接下来，形成绝缘层130，使得覆盖第1金属膜111以及第3金属膜123。此时，谐振器电极以及IDT电极31、32也被绝缘层130覆盖。
接下来，利用蚀刻等除去构成主布线110以及第1子布线120a的第1金属膜111的上侧的绝缘层130。此时，IDT电极31、32的与接地连接的汇流条电极37b的上侧的绝缘层130也被除去。另外，构成第2子布线120b的第3金属膜123上的绝缘层130不被除去。
接下来，通过第2光刻工序，同时形成第2金属膜112以及第4金属膜140。具体而言，在第1金属膜111上层叠第2金属膜112。另一方面，在第3金属膜123的上方，隔着绝缘层130层叠第4金属膜140。此外，在IDT电极31、32的汇流条电极37b也层叠第4金属膜140。另外，也可以是，第1信号端子T1以及第2信号端子T2由第2金属膜形成，接地端子G10以及接地端子G21、G22由第4金属膜140形成。
通过这些制造方法，在基板100上形成信号布线Ls1、接地布线Lg1、Lg2、第1子布线120a以及第2子布线120b。在构成第2子布线120b的第3金属膜123上隔着绝缘层130形成第4金属膜140，第2子布线120b成为具有屏蔽构造的布线。
[6.效果等]
与比较例1以及比较例2相比较来说明本实施方式的滤波器1的效果等。另外，比较例1以及比较例2是为了明确与特定的实施方式的差异而例示的，不是现有例。
首先，对比较例1以及比较例2的滤波器的结构进行说明。
图9A是比较例1的滤波器501的俯视图。图9B是示意性示出滤波器501的布线的图。图10是从图9A所示的X-X线观察滤波器501的布线的剖视图。
在比较例1的滤波器501中，第1滤波器电路510的主布线610以及附加电路520的子布线620双方包括第1金属膜111以及第2金属膜112。即，比较例1与实施方式的不同点在于，附加电路520的子布线620未成为屏蔽构造。
此外，在比较例1的附加电路520中，如图9B所示，在弹性波传播方向D1上相邻的两个第1梳齿状电极31a、32a分别与对应的子布线620连接，此外，在弹性波传播方向D1上相邻的两个第2梳齿状电极31b、32b双方与一个接地端子G21连接。即，比较例1与实施方式的不同点还在于，作为第2梳齿状电极31b、32b的连接目的地的接地端子未分离。
图11A是比较例2的滤波器701的俯视图。图11B是示意性示出滤波器701的布线的图。图12是从图11A所示的XII-XII线观察滤波器701的布线的剖视图。图13是从图11A所示的XIII-XIII线观察滤波器701的布线的剖视图。
在比较例2的滤波器701中，第1滤波器电路710的主布线810以及附加电路720的子布线820双方包括第3金属膜123，第3金属膜123隔着绝缘层130被第4金属膜140覆盖。即，比较例2与实施方式的不同点在于，第1滤波器电路710也成为屏蔽构造。
接下来，对构成实施方式、比较例1以及比较例2的附加电路的IDT电极31、32的电极参数、以及电容元件C1、C2的电极参数进行说明。
图14是示出构成实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的附加电路的IDT电极的电极参数的图。图15是示出构成实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的附加电路的电容元件的电极参数的图。在图14中示出了各IDT电极31、32的交叉宽度以及电极指的根数。在图15中示出了构成电容元件的一对梳齿状电极的交叉宽度以及电极指的根数。一对梳齿状电极的静电电容与上述交叉宽度×电极指的根数成比例，所以电容元件C1的静电电容变得小于IDT电极31的静电电容，此外，电容元件C2的静电电容变得小于IDT电极32的静电电容。
接下来，参照图16对实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的通过特性进行说明。
图16是示出实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的通过特性的图。在该图中，示出了将滤波器设为发送滤波器并将第2滤波器电路50设为接收滤波器的例子，此外，示出了将发送滤波器的通带设为814MHz～849MHz并将接收滤波器的通带设为859MHz～894MHz的例子。
如图16所示，实施方式以及比较例2的滤波器的通带外的插入损耗都是60.2dB，比较例1的滤波器的通带外的插入损耗是56.7dB。如此，在实施方式中，与比较例1相比，充分地确保了滤波器的通带外的衰减量。
此外，如图16所示，实施方式以及比较例1的滤波器的通带内的插入损耗都是2.3dB，比较例2的滤波器的通带内的插入损耗是2.8dB。如此，在实施方式中，与比较例2相比，滤波器的通带内的插入损耗变小。
接下来，参照图17对滤波器的耐功率性能进行说明。
图17是示出实施方式、比较例1以及比较例2的滤波器的耐功率性能的图。在该图中，示出了以升压(step-up)形式对各滤波器的第1信号端子T1施加高功率(在第1信号端子T1与第2信号端子T2之间施加高电压)而滤波器破坏时的功率值。如图17所示，实施方式以及比较例1的滤波器破坏都在功率值为1250mW时，比较例2的滤波器破坏在功率值为900mW时。如此，在实施方式中，与比较例2相比，耐功率性能变高。
即，实施方式与比较例1以及比较例2相比，在通带外的衰减特性、通带内的损耗以及耐功率性能的综合性评价中优异。
例如，在使用附加电路来消除无用波的情况下，在第1滤波器电路并联连接附加电路，第1滤波器电路的信号布线和附加电路的信号布线以靠近的状态被配置。在该情况下，有时在第1滤波器电路的信号布线与附加电路的信号布线之间发生电容耦合，流经第1滤波器电路的信号的一部分向附加电路侧泄漏。因此，存在如下问题，即，附加电路中的消除作用受阻碍，不能确保滤波器的通带外的衰减量。
与此相对，在实施方式的滤波器1中，作为附加电路20的布线的至少一部分的第3金属膜123被与接地相连的第4金属膜140覆盖。因此，附加电路20的布线的至少一部分成为屏蔽构造，能够抑制附加电路20的布线和第1滤波器电路10的布线进行电容耦合。由此，与不具有屏蔽构造的比较例1相比，能够确保通带外的衰减量。
此外，在实施方式的滤波器1中，第1滤波器电路10的主布线110包括多层膜，该多层膜包括第1金属膜111以及第2金属膜112。例如，在比较例2的滤波器701中，因为主布线110被与接地相连的第4金属膜140覆盖，所以电容成分容易进入主布线110。若电容成分进入主布线110，则产生阻抗的偏差，产生滤波器701的通带内的插入损耗。与此相对，在实施方式的滤波器1中，因为主布线110未被第4金属膜140覆盖，所以电容成分不易进入主布线110。因此，不易产生阻抗的偏差，能够抑制产生滤波器701的通带内的插入损耗。
此外，实施方式的滤波器1因为包括多层膜，该多层膜包括第1金属膜111以及第2金属膜112，所以第1滤波器电路10的主布线110的布线电阻小。因此，与对第1滤波器电路510的主布线610也采用了屏蔽构造的比较例2相比，能够抑制布线损耗。由此，能够抑制产生滤波器1的通带内的插入损耗。
(总结)
如以上说明的那样，本实施方式涉及的滤波器1具备将第1频带作为通带的第1滤波器电路10、以及与第1滤波器电路10的至少一部分并联连接的附加电路20。第1滤波器电路10具有设置在基板100上的谐振器电极、以及与该谐振器电极连接的主布线110。主布线110包括设置在基板100上的第1金属膜111、以及与第1金属膜111相接且设置在第1金属膜111上的第2金属膜112。附加电路20具有IDT电极组25和设置在基板100上且连接IDT电极组25和第1滤波器电路10的子布线120，IDT电极组25具有设置在基板100上的多个IDT电极31、32。子布线120的至少一部分包括与IDT电极组25连接的第3金属膜123。第3金属膜123隔着设置在第3金属膜123上的绝缘层130被第4金属膜140覆盖。第4金属膜140与设置于基板100的接地端子连接。
如此，附加电路20中的第3金属膜123被与接地端子(例如，接地端子G21、G22)连接的第4金属膜140覆盖。根据该结构，能够抑制附加电路20的布线和第1滤波器电路10的布线进行电容耦合，能够抑制在布线间产生信号的泄漏路径。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
此外，在从相对于基板100垂直的方向观察的情况下，第4金属膜140也可以不覆盖主布线110而覆盖第3金属膜123。
例如，若主布线110被与接地相连的第4金属膜140覆盖，则电容成分容易进入主布线110，产生阻抗的偏差，从而产生滤波器的通带内的插入损耗。在本实施方式的滤波器1中，主布线110未被第4金属膜140覆盖。因此，电容成分不易进入主布线110，不易产生阻抗的偏差。由此，能够抑制产生滤波器1的通带内的插入损耗。
此外，第1金属膜111和第2金属膜112的合计的膜厚也可以比第3金属膜123的膜厚厚。
据此，能够减小包括第1金属膜111以及第2金属膜112的主布线110的布线电阻，能够减小布线损耗。由此，能够抑制产生滤波器1的通带内的插入损耗。此外，即使在对滤波器1施加了高功率的情况下，也能够抑制主布线110熔断或者第1滤波器电路10被破坏。
此外，也可以是，第1金属膜111和第3金属膜123是同时形成的相同膜厚的金属膜，设置在基板100上的相同的高度位置，第2金属膜112和第4金属膜140是在形成第1金属膜111以及第3金属膜123之后同时形成的相同膜厚的金属膜，设置在基板100上的不同的高度位置。
如此，通过滤波器1的布线包括同时形成的第1金属膜111和第3金属膜123、以及同时形成的第2金属膜112和第4金属膜140，从而能够削减滤波器1的制造成本。
此外，附加电路20还具有设置在将第1滤波器电路10和IDT电极组25连结的附加路径rA上的至少一个电容元件C1(或者C2)。附加路径rA上的子布线120具有将第1滤波器电路10和电容元件C1连接的第1子布线120a、以及将电容元件C1和IDT电极组25连接的第2子布线120b。也可以是，第1子布线120a包括第1金属膜111以及第2金属膜112，未被第4金属膜140覆盖，第2子布线120b包括第3金属膜123，隔着绝缘层130被第4金属膜140覆盖。
如此，通过第2子布线120b被作为接地的第4金属膜140覆盖，从而能够抑制第2子布线120b与主布线110进行电容耦合，能够抑制在布线间产生信号的泄漏路径。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。此外，通过第1子布线120a包括第1金属膜111以及第2金属膜112，从而能够减小第1子布线120a的布线电阻，能够减小布线损耗。由此，能够抑制产生滤波器1的通带内的插入损耗。此外，即使在对附加电路20施加了高功率的情况下，也能够抑制附加电路20被破坏。
此外，附加电路20具有多个电容元件C1、C2，IDT电极组25具有输入输出信号的一个IDT电极31以及与一个IDT电极31相反地输入输出信号的另一个IDT电极32。也可以是，多个电容元件C1、C2中的一个电容元件C1设置在将第1滤波器电路10和一个IDT电极31连结的附加路径rA上，与一个电容元件C1不同的另一个电容元件C2设置在将第1滤波器电路10和另一个IDT电极32连结的附加路径rA上。
据此，第2子布线120b经由电容元件C1、C2而与第1滤波器电路10连接。因此，即使在对滤波器1施加了高功率的情况下，也可通过电容元件C1、C2从而降低电流，能够抑制附加电路20的第2子布线120b熔断。此外，因为能够抑制第2子布线120b的熔断，所以能够由第3金属膜123构成第2子布线120b并且做成为由第4金属膜140覆盖的屏蔽构造。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
此外，接地端子具有未相互连接的一个接地端子G21和另一个接地端子G22，第4金属膜140具有未相互连接的一个第4金属膜141和另一个第4金属膜142。也可以是，一个第4金属膜141覆盖将一个电容元件C1和一个IDT电极31连接的第2子布线120b的第3金属膜123，并与一个接地端子G21连接，另一个第4金属膜142覆盖将另一个电容元件C2和另一个IDT电极32连接的第2子布线120b的第3金属膜123，并与另一个接地端子G22连接。
如此，通过将电分离的第4金属膜141、142与电分离的接地端子G21、G22相连，从而能够抑制与一个IDT电极31连接的第2子布线120b和与另一个IDT电极32连接的第2子布线120b进行电容耦合。据此，能够抑制在与IDT电极31连接的第2子布线120b和与IDT电极32连接的第2子布线120b之间泄漏信号。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
此外，也可以是，电容元件C1(或者C2)的静电电容小于IDT电极31(或者32)所具有的静电电容。
例如，为了使用附加电路20来消除无用波而决定附加电路20所需的振幅特性，该振幅特性可利用电容元件C1、C2以及IDT电极组25的总静电电容进行调整。因此，能够增大IDT电极组25的静电电容，与之相应地减小电容元件C1、C2所需的静电电容。如本实施方式那样，通过使电容元件C1(或者C2)的静电电容小于IDT电极31(或者C2)的静电电容，从而能够降低在子布线120流动的电流，能够抑制第2子布线120b熔断。此外，因为能够抑制第2子布线120b的熔断，所以能够由第3金属膜123构成第2子布线120b并且做成为由第4金属膜140覆盖的屏蔽构造。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
此外，多个IDT电极31、32分别具有相互对置的多个梳齿状电极。多个梳齿状电极分别具有与弹性波传播方向D1交叉的多个电极指36a、36b、以及与多个电极指36a、36b的一端连接的汇流条电极37a、37b。多个梳齿状电极中的与第2子布线120b连接的梳齿状电极31a、32a的汇流条电极37a也可以隔着设置在汇流条电极37a上的绝缘层130被第4金属膜140覆盖。
如此，通过梳齿状电极31a、32a的汇流条电极37a被第4金属膜140覆盖，从而能够抑制梳齿状电极31a的汇流条电极37a和梳齿状电极32a的汇流条电极37a进行电容耦合。据此，能够抑制在两个汇流条电极37a之间泄漏信号。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
此外，也可以是，多个IDT电极31、32沿着弹性波传播方向D1配置，在弹性波传播方向D1上相邻的两个IDT电极31、32具有朝着相同的方位并且沿着弹性波传播方向D1排列的两个梳齿状电极31a、32b，两个梳齿状电极31a、32b中的一个梳齿状电极31a与第2子布线120b连接，另一个梳齿状电极32b不与第2子布线120b连接而与接地端子(例如，接地端子G21)电连接。
例如，若沿着弹性波传播方向D1排列的梳齿状电极31a、32b双方与第2子布线120b连接，则梳齿状电极31a、32b彼此会进行电容耦合。如本实施方式那样，通过将梳齿状电极31a与第2子布线120b连接，将梳齿状电极32b与接地端子连接，从而能够抑制梳齿状电极31a、32b彼此进行电容耦合。由此，能够抑制在IDT电极组25内泄漏信号，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
此外，第1滤波器电路10也可以是发送滤波器。
据此，在被施加高功率的发送滤波器中，能够发挥高的耐功率性能。
此外，本实施方式涉及的多工器5具备第1信号端子T1以及第2信号端子T2、设置在将第1信号端子T1和第2信号端子T2连结的第1路径r1上的上述滤波器1、与第2信号端子T2连接的公共端子Tc、与第1信号端子T1、第2信号端子T2以及公共端子Tc不同的第3信号端子T3、以及具有与第1滤波器电路10的通带不同的通带并且设置在将公共端子Tc和第3信号端子T3连结的第2路径r2上的第2滤波器电路50。
据此，能够提供具备确保了通带外的衰减量的滤波器1的多工器5。
(其他实施方式)
以上，针对本发明的实施方式涉及的滤波器以及多工器，列举实施方式、2进行了说明，但是对于本发明，组合上述实施方式中的任意的构成要素而实现的其他实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、包含本发明涉及的滤波器或多工器的高频前端电路以及通信装置也包括在本发明中。
例如，实施方式中的第1子布线120a也可以布线长比第2子布线120b短。因为第1子布线120a不具有屏蔽构造，所以通过缩短第1子布线120a的布线长，从而能够抑制在第1子布线120a与主布线110之间产生泄漏路径。由此，能够确保滤波器1的通带外的衰减量。
在上述实施方式中，示出了附加电路20的一个子布线120连接于节点n1的例子，但是不限于此，一个子布线120也可以连接于第1信号端子T1与串联臂谐振器S1之间的节点。但是，若是进一步提高附加电路20的耐功率性能，则优选一个子布线120不直接连接于输入信号的第1信号端子T1，而连接于处于输入信号通过了串联臂谐振器S1后的位置的节点n1。
在上述实施方式中，示出了各电容元件C1、C2包括一对梳齿状电极的例子，但是各电容元件C1、C2也可以包括如下的一对梳齿状电极，其具有沿着弹性波传播方向D1延伸的多个电极指，使得不激励表面波。此外，桥接电容元件C10也是可以包括如下的一对梳齿状电极，其具有沿着弹性波传播方向D1延伸的多个电极指。
在上述实施方式中，示出了附加电路20的IDT电极组25具备两个IDT电极的例子，但是不限于此，IDT电极组25所具备的IDT电极的数量也可以是3个以上。
在上述实施方式中，示出了并联臂谐振器P1的接地布线Lg2与接地端子G21连接的例子，但是不限于此，并联臂谐振器P1的接地布线Lg2也可以与接地端子G10连接。即，也可以是，第1滤波器电路10中的全部接地布线与接地端子G10连接，并与附加电路20所连接的接地端子G21、G22分离。
在上述实施方式中，示出了滤波器1的通带被设定为比第2滤波器电路50的通带低的例子，但是不限于此，滤波器1的通带也可以被设定为比第2滤波器电路50的通带高。
在上述实施方式中，示出了滤波器1为发送滤波器的例子，但是不限于此，滤波器1也可以为接收滤波器。此外，多工器5不限于具备发送滤波器以及接收滤波器双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
此外，第1信号端子T1以及第2信号端子T2也可以是输入端子以及输出端子的任一者。例如，在第1信号端子T1为输入端子的情况下，第2信号端子T2成为输出端子，在第2信号端子T2为输入端子的情况下，第1信号端子T1成为输出端子。
此外，第1滤波器电路10以及第2滤波器电路50不限定于前述的滤波器的结构，能够根据所要求的滤波器特性等适当进行设计。具体而言，第1滤波器电路10以及第2滤波器电路50不限于梯型滤波器构造，也可以是纵耦合型滤波器构造。此外，构成第1滤波器电路10以及第2滤波器电路50的各谐振器不限于SAW谐振器，例如，也可以是BAW(Bulk AcousticWave，体声波)谐振器。进而，第1滤波器电路10以及第2滤波器电路50也可以不使用谐振器来构成，例如，也可以是LC谐振滤波器或者电介质滤波器。
此外，构成IDT电极31、32以及反射器28的电极层102以及绝缘层130的材料不限定于前述的材料。此外，IDT电极31、32也可以不是上述层叠构造。IDT电极31、32例如也可以包括Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或合金，此外，也可以包括多个层叠体，该多个层叠体包括上述金属或合金。
此外，在实施方式中，作为基板100示出了具有压电性的基板，但是该基板也可以是包括压电体层的单层的压电基板。该情况下的压电基板包括例如LiTaO3的压电单晶、或者LiNbO3等其他的压电单晶。此外，形成IDT电极31、32的基板100只要具有压电性，除了整体包括压电体层的构造之外，还可以使用在支承基板上层叠有压电体层的构造。此外，上述实施方式涉及的基板100的切割角不受限定。也就是说，也可以根据滤波器的要求通过特性等来适当变更层叠构造、材料以及厚度，即使是使用了具有上述实施方式所示的切割角以外的切割角的LiTaO3压电基板或者LiNbO3压电基板等的声表面波滤波器，也能够实现同样的效果。
产业上的可利用性
本发明作为具有滤波器的多工器、前端电路以及通信装置，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1：滤波器；
5：多工器；
9：天线元件；
10：第1滤波器电路；
20：附加电路；
25：IDT电极组；
28：反射器；
31、32：IDT电极；
31a、31b、32a、32b：梳齿状电极；
36a、36b：电极指；
37a、37b：汇流条电极；
50：第2滤波器电路；
100：基板；
102：电极层；
110：主布线；
111：第1金属膜；
112：第2金属膜；
120、120a、120b：子布线；
123：第3金属膜；
130：绝缘层；
140：第4金属膜；
141：一个第4金属膜；
142：另一个第4金属膜；
C1、C2：电容元件；
C10：桥接电容元件；
D1：弹性波传播方向；
D2：正交方向；
G10、G21、G22：接地端子；
Lg1、Lg2：接地布线；
Ls1：信号布线；
n0、n1、n2、n3、n4：节点；
P1、P2、P3：并联臂谐振器；
r1：第1路径；
r2：第2路径；
rA：附加路径；
S1、S2、S3、S4：串联臂谐振器；
T1：第1信号端子；
T2：第2信号端子；
T3：第3信号端子；
Tc：公共端子。

Claims (12)

1.一种滤波器，具备：
第1滤波器电路，将第1频带作为通带；以及
附加电路，与所述第1滤波器电路的至少一部分并联连接，
所述第1滤波器电路具有设置在基板上的谐振器电极以及与所述谐振器电极连接的主布线，
所述主布线包括设置在所述基板上的第1金属膜以及与所述第1金属膜相接且设置在所述第1金属膜上的第2金属膜，
所述附加电路具有：IDT电极组，具有设置在所述基板上的多个IDT电极；以及子布线，设置在所述基板上，连接所述IDT电极组和所述第1滤波器电路，
所述子布线的至少一部分包括与所述IDT电极组连接的第3金属膜，
所述第3金属膜隔着设置在所述第3金属膜上的绝缘层被第4金属膜覆盖，
所述第4金属膜与设置于所述基板的接地端子连接。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其中，
在从相对于所述基板垂直的方向观察的情况下，所述第4金属膜不覆盖所述主布线而覆盖所述第3金属膜。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器，其中，
所述第1金属膜和所述第2金属膜的合计的膜厚比所述第3金属膜的膜厚厚。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的滤波器，其中，
所述第1金属膜和所述第3金属膜是同时形成的相同膜厚的金属膜，设置在所述基板上的相同的高度位置，
所述第2金属膜和所述第4金属膜是在形成所述第1金属膜以及所述第3金属膜之后同时形成的相同膜厚的金属膜，设置在所述基板上的不同的高度位置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的滤波器，其中，
所述附加电路还具有：至少一个电容元件，设置在将所述第1滤波器电路和所述IDT电极组连结的附加路径上，
所述附加路径上的所述子布线具有将所述第1滤波器电路和所述电容元件连接的第1子布线以及将所述电容元件和所述IDT电极组连接的第2子布线，
所述第1子布线包括所述第1金属膜以及所述第2金属膜，未被所述第4金属膜覆盖，
所述第2子布线包括所述第3金属膜，隔着所述绝缘层被所述第4金属膜覆盖。
6.根据权利要求5所述的滤波器，其中，
所述附加电路具有多个所述电容元件，
所述IDT电极组具有输入输出信号的一个IDT电极以及与所述一个IDT电极相反地输入输出信号的另一个IDT电极，
多个所述电容元件中的一个电容元件设置在将所述第1滤波器电路和所述一个IDT电极连结的所述附加路径上，
与所述一个电容元件不同的另一个电容元件设置在将所述第1滤波器电路和所述另一个IDT电极连结的所述附加路径上。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其中，
所述接地端子具有未相互连接的一个接地端子和另一个接地端子，
所述第4金属膜具有未相互连接的一个第4金属膜和另一个第4金属膜，
所述一个第4金属膜覆盖将所述一个电容元件和所述一个IDT电极连接的所述第2子布线的所述第3金属膜，并与所述一个接地端子连接，
所述另一个第4金属膜覆盖将所述另一个电容元件和所述另一个IDT电极连接的所述第2子布线的所述第3金属膜，并与所述另一个接地端子连接。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的滤波器，其中，
所述电容元件的静电电容小于所述IDT电极所具有的静电电容。
9.根据权利要求5～8中任一项所述的滤波器，其中，
所述多个IDT电极分别具有相互对置的多个梳齿状电极，
所述多个梳齿状电极分别具有与弹性波传播方向交叉的多个电极指以及与多个电极指的一端连接的汇流条电极，
所述多个梳齿状电极中的与所述第2子布线连接的梳齿状电极的所述汇流条电极隔着设置在所述汇流条电极上的绝缘层被所述第4金属膜覆盖。
10.根据权利要求9所述的滤波器，其中，
所述多个IDT电极沿着所述弹性波传播方向配置，
在所述弹性波传播方向上相邻的两个所述IDT电极具有朝着相同的方位并且沿着所述弹性波传播方向排列的两个所述梳齿状电极，
两个所述梳齿状电极中的一个梳齿状电极与所述第2子布线连接，另一个梳齿状电极不与所述第2子布线连接而与所述接地端子电连接。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的滤波器，其中，
所述第1滤波器电路是发送滤波器。
12.一种多工器，具备：
第1信号端子以及第2信号端子；
权利要求1～11中任一项所述的滤波器，设置在将所述第1信号端子和所述第2信号端子连结的第1路径上；
公共端子，与所述第2信号端子连接；
第3信号端子，与所述第1信号端子、所述第2信号端子以及所述公共端子不同；以及
第2滤波器电路，具有与所述第1滤波器电路的通带不同的通带，设置在将所述公共端子和所述第3信号端子连结的第2路径上。
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