KR20040077526A - 무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 - Google Patents

무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040077526A
KR20040077526A KR1020040013326A KR20040013326A KR20040077526A KR 20040077526 A KR20040077526 A KR 20040077526A KR 1020040013326 A KR1020040013326 A KR 1020040013326A KR 20040013326 A KR20040013326 A KR 20040013326A KR 20040077526 A KR20040077526 A KR 20040077526A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
material layer
forming material
inorganic particle
resist
Prior art date
Application number
KR1020040013326A
Other languages
English (en)
Inventor
세이지 가와기시
가쯔미 이또
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20040077526A publication Critical patent/KR20040077526A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G17/00—Coffins; Funeral wrappings; Funeral urns
    • A61G17/04—Fittings for coffins
    • A61G17/045—Rack for flowers
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
    • A61G17/00—Coffins; Funeral wrappings; Funeral urns
    • A61G17/007—Coffins; Funeral wrappings; Funeral urns characterised by the construction material used, e.g. biodegradable material; Use of several materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2217/00—Gas-filled discharge tubes
    • H01J2217/38—Cold-cathode tubes
    • H01J2217/49—Display panels, e.g. not making use of alternating current

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 [A] 무기 입자, [B] 결합 수지, 및 [C] 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무기 입자 함유 조성물, 및 이를 포함하는 전자 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
<화학식 1>
식 중, R1은 -CO-A (단, A는 탄소수 5 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 20의 알케닐기를 나타냄)으로 표시되는 기를 나타내고, n은 2 내지 20의 정수를 나타낸다.

Description

무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 {Inorganic Particle-Containing Composition, Transfer Film and Plasma Display Panel Production Process}
본 발명은 무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 평판상의 형광 표시체로서 플라즈마 디스플레이가 주목받고 있다. 도 1은 교류형의 플라즈마 디스플레이 패널 (이하, 「PDP」라고도 함)의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 이 도면에서, 1 및 2는 대항 배치된 유리 기판이고, 3은 격벽이고, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2) 및 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성되어 있다. 4는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극이고, 5는 투명 전극 (4)의 저항을 떨어 뜨릴 목적으로, 상기 투명 전극 (4) 상에 형성된 버스 전극이며, 6은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극이고, 7은 셀 내에 유지된 형광 물질이며, 8은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성된 유전체층이고, 9는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2)의 표면에 형성된 유전체층이며, 10은 예를 들면 산화 마그네슘으로 이루어지는 보호막이다. 또한, 칼러 PDP에 있어서는, 콘트라스트가 높은 화상을 얻기 위해서 유리 기판과 유전체층과의 사이에, 칼러 필터 (적색·녹색·청색)이나 블랙 매트릭스 등을 설치하는 경우가 있다.
이러한 PDP 유전체, 격벽, 전극, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 스트라이프 (매트릭스)의 제조 방법으로서는, 감광성 무기 입자 함유 수지층을 기판 상에 형성하고, 이 막에 포토마스크를 통해 자외선을 조사한 뒤에 현상함으로써 기판 상에 패턴을 잔존시켜 이것을 소성하는 포토리소그래피법 등이 바람직하게 사용되고 있다.
상기 포토리소그래피법으로서는, 원리적으로 패턴 정밀도가 우수하고, 특히 전사 필름을 사용하는 방법에 있어서 막 두께의 균일성 및 표면의 균일성이 우수한 패턴을 형성할 수가 있다. 그러나, 아크릴 수지를 함유하는 무기 입자 함유 조성물을 지지 필름 상에 도포하여 형성되는 막 형성 재료층은 충분한 가요성을 갖는 것이 아니고, 전사성도 불충분하였다.
이러한 문제를 해결할 목적으로, 상기 막 형성 재료층에 가소제, 분산제 등을 함유시키는 것이 검토되고 있지만, 이러한 유기물은 소성시에 패턴에 잔존하여 착색 등의 원인이 되기 쉽고, 특히 유전체층 등의 유리 소결체를 형성한 경우에 얻어지는 유리 소결체의 광 투과율이 저하되기 쉽다는 문제가 있었다.
본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이다.
본 발명의 제1 목적은 표면 평활성이 우수한 PDP의 구성 요소 (예를 들면 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 입자 함유 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제2 목적은 높은 광 투과율을 갖는 유리 소결체 (예를 들면, PDP를 구성하는 유전체층)을 형성할 수 있는 무기 입자 함유 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제3 목적은 막 형성 재료층의 가요성이 우수한 전사 필름을 제조할 수 있는 무기 입자 함유 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제4 목적은 막 형성 재료층의 전사성 (기판에 대한 가열 밀착성)이 우수한 전사 필름을 제조할 수 있는 무기 입자 함유 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제5 목적은 표면 평활성이 우수한 PDP의 구성 요소를 효율적으로 형성할 수 있는 전사 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제6 목적은 막 형성 재료층의 가요성이 우수한 전사 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제7 목적은 막 형성 재료층의 전사성 (기판에 대한 가열 밀착성)이 우수한 전사 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제8 목적은 표면 평활성이 우수한 PDP의 구성 요소를 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제9 목적은 구성 요소의 위치 정밀도가 높은 PDP를 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제10 목적은 막 두께가 큰 유전체층을 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제11 목적은 대형 패널에 요구되는 유전체층을 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제12 목적은 막 두께의 균일성이 우수한 유전체층을 갖는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제13 목적은 표면 평활성이 우수한 유전체층을 갖는 PDP의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도.
도 2 (가)는 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도, (나)는 이 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제조 방법에서의 격벽의 형성 공정 (전사 공정ㆍ레지스트막의 형성 공정ㆍ노광 공정)의 일례를 나타내는 개략 단면도.
도 4는 본 발명의 제조 방법에서의 격벽의 형성 공정 (현상 공정ㆍ에칭 공정ㆍ소성 공정)의 일례를 나타내는 개략 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1, 2, 11 유리 기판
3, 40 격벽
4 투명 전극
5 버스 전극
6 어드레스 전극
7 형광 물질
8, 9, 13 유전체층
10 보호층
F1 지지 필름
F2, 21 막 형성 재료층
F3 커버 필름
12 전극
20 전사 필름
22 지지 필름
25 격벽 패턴층
25A 재료층 잔류부
25B 재료층 제거부
31 레지스트막
35 레지스트 패턴
35A 레지스트 잔류부
35B 레지스트 제거부
50 패널 재료
M 노광용 마스크
MA 광 투과부
MB 차광부
본 발명의 무기 입자 함유 조성물은 [A] 무기 입자, [B] 결합 수지 및 [C] 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 (이하, 「특정 화합물」이라고도 함)을 함유하는 것을 특징으로 한다.
식 중, R1은 -CO-A (단, A는 탄소수 5 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 20의 알케닐기를 나타냄)으로 표시되는 기를 나타내고, n은 2 내지 20의 정수를 나타낸다.
본 발명의 무기 입자 함유 조성물은 [D] 감방사선성 성분을 더 함유하는 조성물 (이하, 「감방사선성 무기 입자 함유 조성물」이라고도 함)일 수도 있다.
본 발명의 전사 필름은 상기 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1의 PDP의 제조 방법 (이하, 「PDP의 제조 방법 ①」이라고도 함)은 본 발명의 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 기판에 전사하고, 전사된 막 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2의 PDP의 제조 방법 (이하, 「PDP의 제조 방법 ②」라고도 함)은 본 발명의 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 전사된 막 형성 재료층 상에 레지스트막을 형성하며 이 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제3의 PDP의 제조 방법 (이하, 「PDP의 제조 방법 ③」이라고도 함)은 레지스트막과, 본 발명의 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성하고, 지지 필름 상에 형성된 적층막을 기판 상에 전사하며, 상시 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제4의 PDP의 제조 방법 (이하, 「PDP의 제조 방법 ④」라고도 함)은 본 발명의 감방사선성 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 상기 막 형성 재료층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을형성하며, 상기 막 형성 재료층을 현상 처리하여 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
<발명의 실시 형태>
이하, 본 발명의 무기 입자 함유 조성물 (이하, 단순히 「조성물」이라고도 함)에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 조성물은 무기 입자, 결합 수지 및 특정 화합물을 필수 성분으로서 함유한다.
<무기 입자>
본 발명의 조성물을 구성하는 무기 입자를 구성하는 무기 물질로서는 특별히 한정되는 것이 아니고, 해당 조성물에 의해 형성되는 소결체의 용도 (PDP의 구성 요소의 종류)에 따라서 적절하게 선택할 수가 있다.
여기서, PDP를 구성하는 「유전체층」 또는 「격벽」을 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자에 대하여는 연화점이 350 내지 700 ℃ (바람직하게는 400내지 620 ℃)의 범위 내에 있는 유리 분말을 들 수 있다. 유리 분말의 연화점이 350 ℃ 미만인 경우에는, 해당 조성물에 의한 막 형성 재료층의 소성 공정에서, 결합 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않는 단계에서 유리 분말이 용융하여 버리기 때문에, 형성되는 유전체층 중에 유기 물질의 일부가 잔류하여, 그 결과 유전체층이 착색되어, 그의 광 투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, 유리 분말의 연화점이 700 ℃를 초과하는 경우에는, 700 ℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 왜곡 등이 발생하기 쉽다.
바람직한 유리 분말의 구체예로서는 ① 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소 (PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, ② 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소 (ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, ③ 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄 (PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, ④ 산화 납, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물 등을 예시할 수가 있다.
이들 유리 분말은 유전체층 및 격벽 이외의 구성 요소 (예를 들면 전극ㆍ저항체ㆍ형광체ㆍ칼러 필터ㆍ블랙 매트릭스)를 형성하기 위한 조성물 중에 함유 (병용)될 수도 있다. 이러한 패널 재료를 얻기 위한 무기 입자 함유 수지 조성물에 있어서의 유리 프릿의 함유량은 무기 입자 전량에 대하여 통상 90 중량％ 이하, 바람직하게는 50 내지 90 중량％이다.
PDP를 구성하는 「 전극」을 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는 Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu 및 Cr 등으로 이루어지는 금속 입자를 들 수 있다.
이러한 금속 입자는 유전체층을 형성하기 위한 조성물 중에 유리 분말과 병용하는 형태로 함유될 수도 있다. 유전체층 형성용 조성물에 있어서의 금속 입자의 함유량은 무기 입자 전량에 대하여 통상 10 중량％ 이하, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량％이다.
PDP를 구성하는 「저항체」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는 RuO2등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다.
PDP를 구성하는 「형광체」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는 Y2O3: Eu3+, Y2SiO5: Eu3+, Y3A15O12: Eu3+, YVO4: Eu3+, (Y, Gd)BO3: Eu3+, Zn3(PO4)2: Mn 등의 적색용 형광 물질; Zn2SiO4: Mn, BaAl12O19: Mn, BaMgAl14O23: Mn, LaPO4: (Ce, Tb), Y3(Al, Ga)5O12: Tb 등의 녹색용 형광 물질; Y2SiO5: Ce, BaMgAl10O17: Eu2+, BaMgAl14O23: Eu2+, (Ca, Sr, Ba)10(PO4)6Cl2: Eu2+, (Zn, Cd) S: Ag 등의 청색용 형광 물질 등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다.
PDP를 구성하는 「칼러 필터」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는 Fe2O3, Pb3O4등의 적색용 물질, Cr2O3등의 녹색용 물질, 2(Al2Na2Si3O10)ㆍNa2S4등의 청색용 물질 등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다.
PDP를 구성하는 「블랙 매트릭스」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는 Mn, Fe, Cr 등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다.
<결합 수지>
본 발명의 조성물을 구성하는 결합 수지는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.
결합 수지로서 아크릴 수지가 함유되어 있음으로써, 형성되는 막 형성 재료층에는 기판에 대한 우수한 (가열) 밀착성이 발휘된다. 따라서, 본 발명의 조성물을 지지 필름 상에 도포하여 전사 필름을 제조하는 경우에, 얻어지는 전사 필름은 막 형성 재료층의 전사성 (기판으로의 가열 밀착성)이 우수한 것이 된다.
본 발명의 조성물을 구성하는 아크릴 수지로서는 적절한 점착성을 가져 무기 입자를 결합시킬 수 있고, 막 형성 재료의 소성 처리 (400 내지 620 ℃)에 의해서 완전히 산화 제거되는 (공)중합체 중에서 선택된다.
이러한 아크릴 수지에는 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, 및 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합성 단량체의 공중합체가 포함된다.
식 중, R2는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R3은 1가의 유기기를 나타낸다.
상기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체적인 예로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트,옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트;
히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트;
페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트;
2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트;
폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트;
시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메트)아크릴레이트;
벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로퍼푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 중, 상기 화학식 2에서, R3으로 표시되는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 (메트)아크릴레이트 화합물로서 부틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
다른 공중합성 단량체로서는 상기 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 조성물을 구성하는 아크릴 수지에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분은 통상 70 중량％ 이상, 바람직하게는 90 중량％ 이상이다.
여기서, 바람직한 아크릴 수지의 구체적인 예로서는, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트-부틸메타크릴레이트 공중합체 등을 예시할 수가 있다.
또한, 후술하는 포토레지스트법을 이용한 PDP의 구성 요소의 형성에 있어서, 막 형성 재료층의 에칭 처리에 알칼리 가용성이 필요한 경우에는, 상기 다른 공중합성 단량체 (공중합 성분)으로서 카르복실기 함유 단량체가 함유되는 것이 바람직하다. 상기 카르복실기 함유 단량체의 구체적인 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 메타크릴산이 특히 바람직하다.
여기서, 바람직한 알칼리 가용성 수지의 구체적인 예로서는, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 펜틸메타크릴레이트, 아밀메타크릴레이트, 이소아밀메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 헵틸메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, 이소옥틸메타크릴레이트, 에틸헥실메타크릴레이트, 노닐메타크릴레이트, 데실메타크릴레이트, 이소데실메타크릴레이트, 운데실메타크릴레이트, 도데실메타크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트, 이소스테아릴메타크릴레이트 등의 알킬메타크릴레이트;
히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 3-히드록시프로필메타크릴레이트, 2-히드록시부틸메타크릴레이트, 3-히드록시부틸메타크릴레이트, 4-히드록시부틸메타크릴레이트 등의 히드록시알킬메타크릴레이트;
페녹시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필메타크릴레이트 등의 페녹시알킬메타크릴레이트;
2-메톡시에틸메타크릴레이트, 2-에톡시에틸메타크릴레이트, 2-프로폭시에틸메타크릴레이트, 2-부톡시에틸메타크릴레이트, 2-메톡시부틸메타크릴레이트 등의 알콕시알킬메타크릴레이트;
폴리에틸렌글리콜모노메타크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜메타크릴레이트;
시클로헥실메타크릴레이트, 4-부틸시클로헥실메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타디에닐메타크릴레이트, 보르닐메타크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 트리시클로데카닐메타크릴레이트 등의 시클로알킬메타크릴레이트;
벤질메타크릴레이트, 테트라히드로퍼푸릴메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
본 발명의 조성물을 구성하는 아크릴 수지의 분자량으로서는 겔 투과 크로마토그래피 (이하, 「GPC」라 함)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (이하, 단순히 「중량 평균 분자량」이라고도 함)이 4,000 내지 300,000인 것이 바람직하고, 10,000 내지 200,000인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 조성물에서의 결합 수지의 함유 비율로서는 무기 입자 100 중량부에 대하여 5 내지 80 중량부인 것이 바람직하고, 10 내지 50 중량부인 것이 더욱 바람직하다. 결합 수지의 비율이 과소한 경우에는 무기 입자를 확실하게 결합 유지할 수가 없고, 한편 이 비율이 과대한 경우에는 소성 공정에 긴 시간을 요하거나 형성되는 소결체 (예를 들면 유전체층)이 충분한 강도나 막 두께를 갖는 것이 안되기도 한다.
<특정 화합물>
특정 화합물은 가소제 및 분산제의 두 효과를 갖는 첨가제로서 사용된다. 특정 화합물이 함유되어 이루어지는 본 발명의 조성물에 의하면, 우수한 표면 평활성을 발현시킬 수 있고, 얻어지는 전사 필름은 이것을 절곡하여도 막 형성 재료층의 표면에 미소한 균열 (금)이 발생하는 것과 같은 일은 없고, 또한 상기 전사 필름은 유연성이 우수한 것이 되어, 이것을 롤상으로 쉽게 권취할 수 있다. 또한, 해당 특정 화합물은 열에 의해 쉽게 분해 제거되기 때문에 해당 막 형성 재료층을 소성하여 얻어지는 패널 재료에 착색이 보이지 않고, 특히 유전체층의 광 투과율을 저하시키는 일이 없다.
특정 화합물을 표시하는 상기 화학식 1에 있어서, R1은 -CO-A (단, A는 탄소수 5 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 20의 알케닐기를 나타냄)으로 표시되는 기를 나타내고, n은 2 내지 20의 정수를 나타낸다.
A로 표시되는 알킬기 또는 알케닐기의 탄소수는 5 내지 20이고, 바람직하게는 9 내지 18이다. 탄소수가 5 미만인 경우는 첨가제로서의 기능이 불충분할 경우가 있다. 또한, 20을 초과할 경우에는 무기 입자 함유 조성물을 구성하는 용제에 대한 첨가제의 용해성이 저하되어, 양호한 가요성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
상기 알킬기의 구체적인 예로서는, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-에이코실기 등을 들 수 있다.
또한, 알케닐기의 구체적인 예로서는, 2-펜테닐기, 2-헥세닐기, 2-헵테닐기, 2-옥테닐기, 2-데세닐기, 10-운데세닐기, n-옥타데세닐기, 9-옥타데세닐기 등을 들 수 있다.
이 중에서도, n-옥틸기, n-도데실기, n-옥타데실기, 9-옥타데세닐기가 바람직하고, 그 중에서도 9-옥타데세닐기가 특히 바람직하다.
상기 화학식 1에서의 R1은 -CO-A로 표시되는 기를 표시하며, n은 2 내지 20의 정수를 표시한다.
특정 화합물의 구체적인 예로서는, 디글리세린모노라우레이트, 디글리세린모노스테아레이트, 디글리세린모노올레에이트, 디글리세린모노카프릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 디글리세린모노올레에이트가 특히 바람직하다.
본 발명의 조성물에서의 특정 화합물의 함유 비율로서는 무기 입자 100 중량부에 대하여 0.1 내지 20 중량부인 것이 바람직하고, 0.5 내지 10 중량부인 것이 더욱 바람직하다. 특정 화합물의 비율이 과소한 경우에는, 얻어지는 조성물을 사용하여 형성되는 막 형성 재료층의 표면 평활성 및 가요성을 충분히 향상시킬 수 없다. 한편, 이 비율이 과대한 경우에는, 얻어지는 조성물을 사용하여 형성되는 막 형성 재료층의 점착성 (태크)가 과대해지고, 그와 같은 막 형성 재료층을 구비한 전사 필름의 취급성이 떨어지게 되는 경우가 있다.
<감방사선성 성분>
본 발명의 무기 입자 함유 조성물은 감방사선성 성분을 함유하는 감방사선성 무기 입자 함유 조성물일 수도 있다. 이 감방사선성 성분으로서는, 예를 들면 (가) 다관능성 단량체와 방사선 중합 개시제와의 조합, (나) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산발생제와의 조합 등을 바람직한 것으로서 예시할 수가 있고, 상기 (가)의 조합 중 다관능성 (메트)아크릴레이트와 방사선 중합개시제와의 조합이 특히 바람직하다.
감방사선성 성분을 구성하는 다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체적인 예로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양 말단 히드록시 폴리부타디엔, 양 말단 히드록시 폴리이소프렌, 양 말단 히드록시 폴리카프로락톤 등의 양 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; 글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 감방사선성 성분을 구성하는 방사선 중합 개시제의 구체적인 예로서는, 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄포퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐) 4,5,4',5'-테트라페닐 1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수가 있다.
<용제>
본 발명의 조성물에는 통상 용제가 함유된다. 상기 용제로서는 무기 입자와의 친화성, 결합 수지의 용해성이 양호하고, 얻어지는 조성물에 적절한 점성을 부여할 수가 있고, 건조에 의해 쉽게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다.
이러한 용제의 구체적인 예로서는, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤 알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 불포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계에스테르류등을 예시할 수가 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수가 있다.
본 발명의 조성물에서의 용제의 함유 비율로서는 조성물의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 관점에서, 무기 입자 100 중량부에 대하여 40 중량부 이하인 것이 바람직하고, 5 내지 30 중량부가 더욱 바람직하다.
본 발명의 조성물에는 상기한 필수 성분 이외에, 점착성 부여제, 표면 장력 조정제, 안정제, 소포제 등의 각종 첨가제가 임의 성분으로서 함유될 수도 있다.
무기 입자 함유 조성물의 일례로서 바람직한 유전체층 형성용의 조성물의 예를 나타내면, 무기 입자 (유리 분말)로서, 산화 납 50 내지 80 중량％, 산화 붕소 5 내지 30 중량％, 산화아연 0 내지 20 중량％, 산화알루미늄 0 내지 10 중량％, 산화규소 0 내지 10 중량％로 이루어지는 혼합물 100 중량부와, 결합 수지로서 부틸메타크릴레이트/2-에틸헥실메타크릴레이트/히드록시프로필메타크릴레이트 공중합체 10 내지 30 중량부와, 특정 화합물로서 디글세린올레에이트 0.1 내지 10 중량부와, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 및(또는) 에틸-3-에톡시프로피오네이트 5 내지 30 중량부를 함유하는 조성물을 들 수 있다.
본 발명의 조성물은 상기 무기 입자, 결합 수지, 특정 화합물 및 용제 및 임의 성분을 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서인 어떤 혼련기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수가 있다.
상기한 바와 같이 하여 제조되는 본 발명의 조성물은 도포에 알맞은 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그의 점도는 통상 1,000 내지 30,000 cp이고, 바람직하게는 3,000 내지 10,000 cp이다.
본 발명의 조성물은 이하에 기술하는 전사 필름 (본 발명의 전사 필름)을 제조하기 위해서 특히 바람직하게 사용할 수가 있다.
또한, 본 발명의 조성물은 종래에 공지된 막 형성 재료층의 형성 방법, 즉 스크린 인쇄법 등에 의해서 해당 조성물을 기판의 표면에 직접 도포하고, 도막을 건조시킴으로써 막 형성 재료층을 형성하는 방법에도 바람직하게 사용할 수가 있다.
<전사 필름>
본 발명의 전사 필름은 PDP 구성 요소의 형성 공정, 특히 유전체층의 형성 공정에 바람직하게 사용되는 복합 필름으로서, 본 발명의 조성물을 지지 필름 상에 도포하여, 도막을 건조시킴으로써 형성되는 막 형성 재료층을 구비하여 이루어지는 것이다.
즉, 본 발명의 전사 필름은 무기 입자, 결합 수지 및 특정 화합물을 함유하는 막 형성 재료층이 지지 필름 상에 형성되어 구성되어 있다.
또한, 본 발명의 전사 필름은 후술하는 레지스트막을 지지 필름 상에 형성하고, 그 위에 본 발명의 조성물을 도포하고, 건조하여 이루어지는 것 (적층막)일 수도 있다.
또한, 본 발명의 전사 필름은 감방사선성 무기 입자 함유 조성물을 사용하여 구성된 감방사선성 전사 필름일 수도 있다.
(1) 전사 필름의 구성:
도 2 (가)는 롤상으로 권취된 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이고, 도 2(나)는 이 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도 [(가)의 부분 상세도]이다.
도 2에 나타내는 전사 필름은 본 발명의 전사 필름의 일례로서, PDP를 구성하는 유전체층을 형성하기 위해서 사용되는 복합 필름으로서, 통상 지지 필름 (F1)과, 이 지지 필름 (F1)의 표면에 박리 가능하게 형성된 막 형성 재료층 (F2)와, 이 막 형성 재료층 (F2)의 표면에 박리하기 쉽게 설치된 커버 필름 (F3)에 의해 구성되어 있다. 커버 필름 (F3)은 막 형성 재료층 (F2)의 성질에 따라서는 사용되지 않을 경우도 있다.
전사 필름을 구성하는 지지 필름 (F1)은 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름 (F1)이 가요성을 가짐으로써 롤 코터, 블레이드 코터 등을 이용하여 페이스트상의 조성물 (본 발명의 조성물)을 도포할 수가 있고, 이에 따라 막 두께가 균일한 막 형성 재료층을 형성할 수가 있음과 동시에, 형성된 막 형성 재료층을 롤상으로 권취된 상태로 보존하여 공급할 수가 있다.
지지 필름 (F1)을 구성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스등을 들 수 있다. 지지 필름 (F1)의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.
전사 필름을 구성하는 막 형성 재료층 (F2)는 소성에 의해 유리 소결체 (유전체층)이 되는 층이고, 유리 분말 (무기 입자), 결합 수지 및 특정 화합물이 필수 성분으로서 함유될 수 있다.
막 형성 재료층 (F2)의 두께는 유리 분말의 함유율, 패널의 종류나 크기에 의해서도 다르지만, 예를 들면 5 내지 200 ㎛이고, 바람직하게는 10 내지 100 ㎛이다. 이 두께가 5 ㎛ 미만인 경우에는, 최종적으로 형성되는 유전체층의 막 두께가 과소하게 되고, 소기의 유전 특성을 확보할 수 없는 경우가 있다. 통상, 이 두께가 10 내지 100 ㎛이면, 대형 패널에 요구되는 유전체층의 막 두께를 충분히 확보할 수가 있다.
전사 필름을 구성하는 커버 필름 (F3)은 막 형성 재료층 (F2)의 표면 (유리 기판과의 접촉면)을 보호하기 위한 필름이다. 이 커버 필름 (F3)도 가요성을 가지는 수지 필름인 것이 바람직하다. 커버 필름 (F3)을 형성하는 수지로서는 지지 필름 (F1)을 형성하는 것으로서 예시한 수지를 들 수 있다. 커버 필름 (F3)의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.
(1) 전사 필름의 제조 방법:
본 발명의 전사 필름은 지지 필름 (F1) 상에 막 형성 재료층 (F2)을 형성하고, 이 막 형성 재료층 (F2) 상에 커버 필름 (F3)을 설치함 (압착함)으로써 제조할 수가 있다.
막 형성 재료층의 형성 방법으로서는 무기 입자, 결합 수지, 특정 화합물 및 용제를 함유하는 본 발명의 조성물을 지지 필름에 도포하고, 도막을 건조하여 상기 용제의 일부 또는 전부를 제거하는 방법을 들 수 있다.
본 발명의 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는 막 두께가 크고 (예를 들면 20 ㎛ 이상이고), 막 두께의 균일성이 우수한 도막을 효율적으로 형성할 수 있다는 관점에서, 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드 등의 블레이드 코터에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.
또한 본 발명의 조성물이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 막 형성 재료층을 전사한 후에, 이 막 형성 재료층으로부터 지지 필름을 쉽게 박리할 수가 있다.
지지 필름 상에 형성된 본 발명의 조성물에 의한 도막은 건조됨으로써 용제의 일부 또는 전부가 제거되고, 전사 필름을 구성하는 막 형성 재료층이 된다. 본 발명의 조성물에 의한 도막의 건조 조건으로서는, 예를 들면 40 내지 150 ℃에서 0.1 내지 30 분간 정도가 된다. 건조 후 용제의 잔존 비율 (막 형성 재료층 중의용제의 함유 비율)은 통상 10 중량％ 이하이고, 기판에 대한 점착성 및 적절한 형상 유지성을 막 형성 재료층에 발휘시킨다는 관점에서 0.1 내지 5 중량％인 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이 형성된 막 형성 재료층 위에 설치되는 (통상, 열압착되는)커버 필름의 표면에도 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 막 형성 재료층을 전사하기 전에, 해당 막 형성 재료층으로부터 커버 필름을 쉽게 박리할 수가 있다.
(1) 막 형성 재료층의 전사 (전사 필름의 사용 방법):
지지 필름 상의 막 형성 재료층은 기판의 표면에 일괄 전사된다. 본 발명의 전사 필름에 의하면 이러한 간단한 조작에 의해서 막 형성 재료층을 유리 기판 상에 확실하게 형성할 수가 있기 때문에, 유전체층 등의 PDP의 구성 요소의 형성 공정에서의 공정 개선 (고효율화)를 도모할 수 있음과 동시에, 형성되는 구성 요소의 품질 향상 (예를 들면, 유전체층에 있어서 안정된 유전 특성의 발현)을 도모할 수 있다.
<PDP의 제조 방법 ① (유전체층의 형성)>
본 발명의 PDP의 제조 방법 ①은 본 발명의 전사 필름을 구성하는 막 형성 재료층을 기판의 표면에 전사하고, 전사된 막 형성 재료층을 소성함으로써 상기 기판의 표면에 유전체층을 형성하는 공정을 포함한다.
도 2에 나타낸 바와 같은 구성의 전사 필름에 의한 막 형성 재료층의 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다.
1. 롤상으로 권취된 상태의 전사 필름을 기판의 면적에 따른 크기로 재단한다.
2. 재단한 전사 필름에서의 막 형성 재료층 (F2) 표면에서 커버 필름 (F3)을 박리한 후, 기판의 표면에 막 형성 재료층 (F2)의 표면이 접촉하도록 전사 필름을 중첩시킨다.
3. 기판에 중첩된 전사 필름 상에 가열 롤러를 이동시켜 열압착시킨다.
4. 열압착에 의해 기판에 고정된 막 형성 재료층 (F2)로부터 지지 필름 (F1)을 박리 제거한다.
상기와 같은 조작에 의해, 지지 필름 (F1) 위의 막 형성 재료층 (F2)가 기판 상에 전사된다. 여기서, 전사 조건으로서는 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 60 내지 120 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 1 내지 5 kg/cm2, 가열 롤러의 이동 속도가 0.2 내지 10.0 m/분이 된다. 이러한 조작 (전사 공정)은 적층 장치에 의해 행할 수 있다. 또한 기판은 예열될 수 있고, 예열 온도는 예를 들면 40내지 100 ℃로 할 수 있다.
기판의 표면에 형성 전사된 막 형성 재료층 (F2)는 소성되어 무기 소결체 (유전체층)이 된다. 여기서, 소성 방법으로서는 막 형성 재료층 (F2)이 전사 형성된 기판을 고온 분위기하에 배치하는 방법을 들 수 있다. 이에 따라, 막 형성 재료층 (F2)에 함유되어 있는 유기 물질 (예를 들면 결합 수지, 잔류 용제, 특정 화합물, 각종 첨가제)가 분해 제거되어, 무기 입자가 용융하여 소결한다. 여기서,소성 온도는 기판의 용융 온도, 막 형성 재료층 중의 구성 물질 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 300 내지 800 ℃이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 620 ℃이다.
<PDP의 제조 방법 ② (포토레지스트법을 이용한 구성 요소의 형성)>
본 발명의 PDP의 제조 방법 ②는 본 발명의 전사 필름을 구성하는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 전사된 막 형성 재료층 상에 레지스트막을 형성하며, 이 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함한다.
또는, 레지스트막과, 본 발명의 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성하고, 지지 필름 상에 형성된 적층막을 기판 상에 전사하며, 상기 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함한다.
이하, PDP의 구성 요소인 「격벽」을 배면 기판상의 표면에 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 이 방법에서는, [1] 막 형성 재료층의 전사 공정, [2] 레지스트막의 형성 공정, [3] 레지스트막의 노광 공정, [4] 레지스트막의 현상 공정, [5] 막 형성 재료층의 에칭 공정, [6] 격벽 패턴의 소성 공정에 의해 기판의 표면에 격벽이 형성된다.
도 3 및 도 4는 격벽을 형성하기 위한 일련의 공정을 나타내는 개략 단면도이다. 도 3 및 도 4에서, 11은 유리 기판이고, 이 유리 기판 상에는 플라즈마를 발생시키기 위한 전극 (12)가 등간격으로 배열되며, 전극 (12)를 피복하도록 유리 기판 (11)의 표면에 유전체층 (13)이 형성되어 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 「막 형성 재료층을 기판 상에 전사하는」 양태로서는 상기 유리 기판 (11)의 표면에 전사하는 것과 같은 양태 이외에, 상기 유전체층 (13)의 표면에 전사하는 것과 같은 양태도 포괄되는 것으로 한다.
(1) 막 형성 재료층의 전사 공정:
막 형성 재료층의 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다.
전사 필름의 커버 필름 (도시 생략)을 박리한 후, 도 3 (나)에 나타낸 바와 같이, 유전체층 (13)의 표면에 막 형성 재료층 (21)의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (20)을 중첩시키고 이 전사 필름 (20)을 가열 롤러 등에 의해 열압착한 후, 막 형성 재료층 (21)로부터 지지 필름 (22)를 박리 제거한다. 이에 따라, 도 3 (다)에 나타낸 바와 같이, 유전체층 (13)의 표면에 막 형성 재료층 (21)이 전사되어 밀착 상태가 된다. 여기서 전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 80 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤러압이 1 내지 5 kg/cm2, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10.0 m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 유리 기판 (11)은 예열될 수 있고, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다.
(1) 레지스트막의 형성 공정:
이 공정에서는, 도 3 (라)에 나타낸 바와 같이, 전사된 막 형성 재료층 (21)의 표면에 레지스트막 (31)을 형성한다. 이 레지스트막 (31)을 구성하는 레지스트로서는 포지티브형 레지스트 및 네가티브형 레지스트의 어느 하나일 수도 있다.
레지스트막 (31)은 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 각종 방법에 의해 레지스트를 도포한 후, 도막을 건조함으로써 형성할 수가 있다. 여기서 도막의 건조 온도는 통상 60 내지 130 ℃ 정도가 된다.
또한, 지지 필름 상에 형성된 레지스트막을 막 형성 재료층 (21)의 표면에 전사함으로써 형성할 수도 있다. 이러한 형성 방법에 의하면 레지스트막의 형성 공정수를 줄일 수 있음과 동시에, 얻어지는 레지스트의 막 두께 균일성이 우수한 것이 되기 때문에, 이 레지스트막의 현상 처리 및 막 형성 재료층의 에칭 처리가 균일하게 행하여지고 형성되는 격벽의 높이 및 형상이 균일한 것이 된다.
레지스트막 (31)의 막 두께는 통상 0.1 내지 40 ㎛가 되고, 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛가 된다.
(1) 레지스트막의 노광 공정:
이 공정에서는, 도 3 (마)에 나타낸 바와 같이, 막 형성 재료층 (21) 상에 형성된 레지스트막 (31)의 표면에, 노광용 마스크 (M)을 통하여 자외선 등의 방사선을 선택적으로 조사 (노광)하여, 레지스트 패턴의 잠상을 형성한다. 이 도면에서, MA 및 MB는 각각 노광용 마스크 (M)에서의 광 투과부 및 차광부이다.
여기서, 자외선 조사 장치로서는, 상기 포토리소그래피법으로 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되는 노광 장치 등 특별히 한정되는 것이 아니다.
또한, 레지스트막을 전사에 의해 형성한 경우에는, 레지스트막 상에 피복되어 있는 지지 필름을 박리하지 않은 상태로 노광 공정을 행하는 것이 바람직하다.
(1) 레지스트막의 현상 공정
이 공정에서는, 노광된 레지스트막을 현상 처리함으로써 레지스트 패턴 (잠상)을 현재화시킨다.
여기서, 현상 처리 조건으로서는, 레지스트막 (31)의 종류 등에 따라서, 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 패들법), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수가 있다.
이 현상 공정에 의해, 도 4 (바)에 나타낸 바와 같이, 레지스트 잔류부 (35A)와, 레지스트 제거부 (35B)로 구성되는 레지스트 패턴 (35) (노광용 마스크 (M)에 대응하는 패턴)이 형성된다.
이 레지스트 패턴 (35)은 다음 공정 (에칭 공정)에서의 에칭 마스크로서 작용하는 것이고, 레지스트 잔류부 (35A)의 구성 재료 (광경화된 레지스트)는 막 형성 재료층 (21)의 구성 재료보다도 에칭액에 대한 용해 속도가 작을 필요가 있다.
(1) 막 형성 재료층의 에칭 공정:
이 공정에서는, 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는격벽 패턴층을 형성한다.
즉, 도 4 (사)에 나타낸 바와 같이, 막 형성 재료층 (21) 중, 레지스트 패턴 (35)의 레지스트 제거부 (35B)에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거된다. 여기서 도 4 (사)는 에칭 처리 중의 상태를 나타낸다.
그리고, 에칭 처리를 더 계속하면, 도 4 (아)에 나타낸 바와 같이, 막 형성 재료층 (21)의 소정 부분이 완전히 제거되어 유전체층 (13)이 노출된다. 이에 따라, 재료층 잔류부 (25A)와, 재료층 제거부 (25B)로 구성되는 격벽 패턴층 (25)가 형성된다.
여기서, 에칭 처리 조건으로서는, 막 형성 재료층 (21)의 종류 등에 따라서 에칭액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분부법, 패들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수가 있다.
또한, 에칭액으로서 현상 공정에서 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수가 있도록 레지스트막 (31) 및 막 형성 재료층 (21)의 종류를 선택함으로써 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 실시할 수 있고 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
여기서, 레지스트 패턴 (35)을 구성하는 레지스트 잔류부 (35A)는 에칭 처리시에 서서히 용해되고, 격벽 패턴층 (25)이 형성된 단계에서 (에칭 처리의 종료시에) 완전히 제거되는 것인 것이 바람직하다.
또한 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부 (35A)의 일부 또는 전부가 잔류하고 있어도, 해당 레지스트 잔류부 (35A)는 다음 소성 공정에서 제거된다.
(1) 격벽 패턴층의 소성 공정:
이 공정에서는, 격벽 패턴층 (25)을 소성 처리하여 격벽을 형성한다. 이에 따라, 재료층 잔류부 (25A) 중의 유기 물질이 소실되어 격벽이 형성되고, 도 4 (자)에 나타낸 바와 같이, 유전체층 (13)의 표면에 격벽 (40)이 형성되어 이루어지는 패널 재료 (50)에 있어서, 격벽 (40)에 의해 구획되는 공간 (재료층 제거부 (25B)에 유래하는 공간)은 플라즈마 작용 공간이 된다.
여기서, 소성 처리 온도는 재료층 잔류부 (25A)의 유기 물질이 소실되는 온도일 필요가 있고, 통상 400 내지 600 ℃가 된다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이 된다.
<PDP의 제조 방법 ③ (포토레지스트법을 이용한 바람직한 실시 양태)>
본 발명에서의 PDP의 제조 방법은 도 3 및 도 4에 나타낸 것과 같은 방법에 한정되는 것이 아니다.
여기서, PDP 구성 요소를 형성하기 위한 다른 바람직한 방법 (PDP의 제조 방법 ③)으로서, 하기 (1) 내지 (3)의 공정에 의한 형성 방법을 들 수 있다.
(1) 지지 필름 상에 레지스트막을 형성한 후, 이 레지스트막 상에 본 발명의 무기 입자 함유 조성물을 도포, 건조함으로써 막 형성 재료층을 적층 형성한다. 여기서, 레지스트막 및 막 형성 재료층을 형성할 때는, 롤 코터 등을 사용할 수가 있고, 이에 따라 막 두께의 균일성이 우수한 적층막을 지지 필름 상에 형성할 수가 있다.
(2) 지지 필름 상에 형성된 레지스트막과 막 형성 재료층과의 적층막을 기판상에 전사한다. 여기서, 전사 조건으로서는 상기 「막 형성 재료층의 전사 공정」에 있어서의 조건과 동일할 수 있다.
(3) 상기 「레지스트막의 노광 공정」, 「레지스트막의 현상 공정」, 「막 형성 재료층의 에칭 공정」 및 「격벽 패턴층의 소성 공정」과 동일한 조작을 행한다. 그 때, 앞서 기재한 바와 같이 레지스트막의 현상액과 막 형성 재료층의 에칭액을 동일 용액으로 하고, 「레지스트막의 현상 공정」과 「막 형성 재료층의 에칭 공정」을 연속적으로 실시하는 것이 바람직하다.
이상과 같은 방법에 따르면, 막 형성 재료층과 레지스트막이 기판 상에 일괄 전사되기 때문에, 공정의 간략화에 의해 제조 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
<PDP의 제조 방법 ④ (감방사선성 전사 필름을 사용한 구성 요소의 형성)>
본 발명의 PDP의 제조 방법 ④는 본 발명의 감방사선성 전사 필름을 구성하는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 상기 막 형성 재료층을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하며, 상기 막 형성 재료층을 현상 처리하여 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함한다.
이 방법에 있어서는, 예를 들면 격벽의 형성 방법을 예로 들면, 상기 「막 형성 재료층의 전사 공정」의 후에, 「레지스트막의 노광 공정」, 「레지스트막의 현상 공정」에 준한 조건으로 패턴층을 형성하고, 그 후 「격벽 패턴의 소성 공정」에 의해, 기판의 표면에 격벽이 형성된다.
이상 PDP의 제조 방법 ① 내지 ④의 각 공정 설명에 있어서, PDP 구성 요소로서 「격벽」을 형성하는 방법에 대해서 설명하였지만, 이 방법에 준하여 PDP를 구성하는 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스 등을 형성할 수도 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해서 한정되는 것이 아니다. 또한 이하에 있어서, 「부」는 「중량부」를 나타낸다.
(1) 유리 페이스트 조성물 (무기 입자 함유 조성물)의 제조:
유리 분말 (무기 입자)로서, 산화 납 70 중량％, 산화 붕소 10 중량％, 산화 규소 20 중량％의 조성을 갖는 PbO-B2O3-SiO2계의 혼합물 (연화점 500 ℃) 100 부, 결합 수지로서 부틸메타크릴레이트/2-에틸헥실메타크릴레이트/히드록시프로필메타크릴레이트 공중합체 (중량비 30/60/10, 중량 평균 분자량 150,000) 15 부, 특정 화합물로서 디글리세린올레에이트 5 부, 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 8.7 부, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 13.1 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 3,400 cp (B형 점도계 측정, 30 rpm)인 본 발명의 조성물을 제조하였다.
(1) 전사 필름의 제조 및 평가 (가요성ㆍ취급성):
상기 (1)에서 제조한 본 발명의 조성물을 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET)으로 이루어지는 지지 필름 (폭 400 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 형성된 도막을 80 ℃에서 5 분간 건조함으로써 용제를 제거하여, 이에 따라, 두께 50 ㎛의 막 형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하였다. 계속해서, 상기 막 형성 재료층 상에 미리 이형 처리한 PET로 이루어지는 커버 필름 (폭 400 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛)를 부착함으로써 도 2에 나타낸 바와 같은 구성을 갖는 본 발명의 전사 필름을 제조하였다.
얻어진 전사 필름은 유연성을 갖고 있고, 롤상으로 권취하는 조작을 쉽게 행할 수 있었다. 또한, 이 전사 필름을 절곡하여도 막 형성 재료층의 표면에 금 (굴곡 균열)이 생기는 일은 없고, 이 막 형성 재료층은 우수한 가요성을 갖는 것이었다.
또한, 이 전사 필름으로부터 커버 필름을 박리하여, 막 형성 재료층의 표면이 유리 기판의 표면에 접촉되도록 해당 전사 필름 (지지 필름과 막 형성 재료층과의 적층체)를 가압하는 일 없이 중첩시키고, 계속해서 해당 전사 필름을 유리 기판의 표면에서 박리하였더니, 이 막 형성 재료층은 유리 기판에 대하여 적절한 점착성을 나타내고, 또한 이 막 형성 재료층에 응집 파괴를 일으키는 일 없이 전사 필름을 박리할 수 있고, 전사 필름으로서의 취급성은 양호한 것이었다.
(1) 막 형성 재료층의 전사:
상기 (2)에 의해 얻어진 전사 필름으로부터 커버 필름을 박리한 후, 21 인치 패널용 유리 기판의 표면 (버스 전극의 고정면)에, 막 형성 재료층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (지지 필름과 막 형성 재료층과의 적층체)를 중첩시켜 이 전사 필름을 가열 롤에 의해 열압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열 롤의 표면 온도를 90 ℃, 롤압을 2 kg/cm2, 가열 롤의 이동 속도를 0.6 m/분으로 하였다.
열압착 처리의 종료 후, 유리 기판의 표면에 고정 (가열 접착)된 막 형성 재료층으로부터 지지 필름을 박리 제거하여, 해당 막 형성 재료층의 전사를 완료하였다.
이 전사 공정에서, 지지 필름을 박리할 때, 막 형성 재료층이 응집 파괴를 일으키는 것과 같은 일은 없고, 이 막 형성 재료층은 충분히 큰 막 강도를 갖는 것이었다. 또한, 전사된 막 형성 재료층은 유리 기판의 표면에 대하여 양호한 접착성을 갖는 것이었다.
(1) 막 형성 재료층의 소성 (유전체층의 형성):
상기 (3)에 의해 막 형성 재료층을 전사 형성한 유리 기판을 소성 화로 내에 배치하고, 화로 내의 온도를 620 ℃까지 승온시켜 소성 처리함으로써, 유리 기판의 표면에 유리 소결체로 이루어지는 무색 투명한 유전체층을 형성하였다.
이 유전체층의 막 두께 (평균 막 두께 및 공차)를 측정하였더니 30 ㎛±0.4 ㎛의 범위에 있고, 막 두께의 균일성이 우수한 것이었다.
또한, 얻어진 유전체층의 표면에 대해서, 비접촉 막 두께 측정기 (료코샤 제조, NH-3)를 사용하여 3 차원 측정을 실시하고, JIS 규격 (B 0601)에 준하여 표면 조도 (Ra, Ry, Rz)를 구하였더니 Ra=0.08 ㎛, Ry=0.56 ㎛, Rz=0.28 ㎛이고, 표면 평활성이 우수한 것이었다.
또한, 이와 같이 하여 얻어진 유전체층의 광 투과율 (측정 파장 550 nm)을측정하였더니 93 ％이고, 양호한 투명성을 갖는다는 것이 확인되었다.
<비교예>
결합 수지의 비율을 17부로 하고, 특정 화합물 대신에 디-2-에틸헥실아젤레이트 4 부를 사용한 것 이외에는 실시예와 동일하게 하여, 점도가 3000 cp (B형 점도계 측정, 30 rpm)인 조성물을 제조하였다. 얻어진 조성물을 사용하여 실시예와 동일하게 하여 전사 필름을 제조하여 평가하였더니 가요성 및 취급성은 양호하지만, 실시예와 동일하게 하여 유전체층을 형성하고 표면 조도 (Ra, Ry, Rz)를 구하였더니 Ra=0.65 ㎛, Ry=2.51 ㎛, Rz=1.73 ㎛이고, 표면 평활성이 떨어지는 것이었다.
본 발명의 조성물에 의하면 하기와 같은 효과가 발휘된다.
(1) 표면 평활성이 우수한 PDP의 구성 요소 (예를 들면 격벽ㆍ전극ㆍ저항체ㆍ유전체층ㆍ형광체ㆍ칼러 필터ㆍ블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수가 있다.
(2) 높은 광 투과율을 갖는 유리 소결체 (예를 들면 PDP를 구성하는 유전체층ㆍ격벽)을 바람직하게 형성할 수가 있다.
(3) 막 형성 재료층의 가요성이 우수한 전사 필름을 제조할 수가 있다.
(4) 막 형성 재료층의 전사성 (기판에 대한 가열 접착성)이 우수한 전사 필름을 제조할 수가 있다.
본 발명의 전사 필름에 의하면 하기와 같은 효과가 발휘된다.
(1) 표면 평활성이 우수한 PDP의 구성 요소 (특히 유전체층)을 효율적으로형성할 수가 있다.
(2) 막 형성 재료층의 가요성이 우수하고, 이 막 형성 재료층의 표면에 굴곡 균열 (금)이 생기는 일이 없다.
(3) 유연성이 우수하고, 롤상으로 권취하는 조작을 쉽게 행할 수 있다.
(4)막 형성 재료층이 바람직한 점착성을 나타내고, 취급성이 양호하다.
(5)막 형성 재료층의 전사성 (기판에 대한 가열 접착성)이 우수하다.
본 발명의 제조 방법에 따르면 하기와 같은 효과가 발휘된다.
(1) 표면 평활성이 우수한 PDP의 구성 요소 (예를 들면 격벽ㆍ전극ㆍ저항체ㆍ유전체층ㆍ형광체ㆍ칼러 필터ㆍ블랙 매트릭스)를 효율적으로 형성할 수가 있다.
(2) 구성 요소의 위치 정밀도가 높은 PDP를 효율적으로 형성할 수가 있다.
(3) 막 두께가 큰 유전체층을 효율적으로 형성할 수가 있다.
(4) 대형 패널에 요구되는 유전체층을 효율적으로 형성할 수가 있다.
(5) 막 두께의 균일성 및 표면 평활성이 우수한 유전체층을 구비한 PDP를 효율적으로 형성할 수가 있다.

Claims (9)

  1. [A] 무기 입자,
    [B] 결합 수지, 및
    [C] 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무기 입자 함유 조성물.
    <화학식 1>
    식 중, R1은 -CO-A (단, A는 탄소수 5 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 20의 알케닐기를 나타냄)으로 표시되는 기를 나타내고, n은 2 내지 20의 정수를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, [D] 감방사선성 성분을 더 함유하는 무기 입자 함유 조성물.
  3. 제1항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
  4. 제2항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
  5. 레지스트막과, 제1항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층과의 적층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
  6. 제1항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 전사된 막 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 제1항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 전사된 막 형성 재료층 상에 레지스트막을 형성하며, 이 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  8. 레지스트막과, 제1항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성하고, 지지 필름 상에 형성된 적층막을 기판 상에 전사하며, 상기 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 막 형성 재료층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 제2항에 기재된 무기 입자 함유 조성물로부터 얻어지는 막 형성 재료층을 기판 상에 전사하고, 상기 막 형성 재료층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하며, 상기 막 형성 재료층을 현상 처리하여 패턴층을 형성하고, 이 패턴층을 소성 처리함으로써, 격벽, 전극, 저항체, 유전체층, 형광체, 칼러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
KR1020040013326A 2003-02-28 2004-02-27 무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 KR20040077526A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003052986 2003-02-28
JPJP-P-2003-00052986 2003-02-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040077526A true KR20040077526A (ko) 2004-09-04

Family

ID=32767829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040013326A KR20040077526A (ko) 2003-02-28 2004-02-27 무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1452558A1 (ko)
KR (1) KR20040077526A (ko)
CN (1) CN1320584C (ko)
TW (1) TWI273624B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005264138A (ja) * 2004-02-20 2005-09-29 Jsr Corp ガラス粉末含有樹脂組成物、転写フィルムおよびこれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5621829A (en) * 1979-08-01 1981-02-28 Mitsubishi Chem Ind Ltd Manufacture of polyethylene film
JPS62100554A (ja) * 1985-10-29 1987-05-11 Toshiba Silicone Co Ltd シリコ−ンエマルジヨン組成物
JP3229641B2 (ja) * 1992-01-28 2001-11-19 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光面形成方法及びそれに使用するプラズマディスプレイパネル用蛍光体スラリー
EP0758641B1 (en) * 1995-08-11 2000-08-30 Daicel Chemical Industries, Ltd. A fatty acid esters composition of a polyglycerine, a process for the preparation thereof, a process for the preparation of a highly-purified fatty acid esters composition of a polyglycerine, a highly-purified fatty acid esters composition of a polyglycerine, an additive for food-stuffs, a resin composition, and a composition for cosmetics or detergents
DE69811593T2 (de) * 1997-09-02 2003-12-18 Ajinomoto Kk Thermoplastische Harzzusammensetzung, Mittel zur Verbesserung der Wärmealterungsbeständigkeit eines thermoplastischen Harzes, und Harzgegenstand daraus geformt
JP2000053444A (ja) * 1998-08-07 2000-02-22 Jsr Corp ガラスペースト組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネル
JP2000109341A (ja) * 1998-10-01 2000-04-18 Jsr Corp 無機粒子含有組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4075277B2 (ja) * 2000-03-22 2008-04-16 Ｊｓｒ株式会社 無機粒子含有感光性組成物および感光性フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TW200423177A (en) 2004-11-01
EP1452558A1 (en) 2004-09-01
CN1320584C (zh) 2007-06-06
CN1530998A (zh) 2004-09-22
TWI273624B (en) 2007-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100444915B1 (ko) 무기 입자 함유 조성물, 이를 사용한 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
KR100852295B1 (ko) 무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
KR20060049024A (ko) 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
KR20060041842A (ko) 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 디스플레이패널용 부재의 제조 방법
JP4103776B2 (ja) 無機粒子含有組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2006219660A (ja) 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2006233031A (ja) 無機粒子含有組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2007056117A (ja) 無機粒子含有樹脂組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
KR20040077526A (ko) 무기 입자 함유 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
KR100859392B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널용 무기 입자 함유 조성물, 전사필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
JP2006228506A (ja) 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
KR100869398B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름
JP2007009190A (ja) 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2007148438A (ja) 転写フィルム
KR20060051015A (ko) 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
JP4178771B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法および転写フィルム
JP2007137939A (ja) 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルム、パネル部材の形成方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2008274221A (ja) 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルムおよびフラットパネルディスプレイの製造方法
JP2003100205A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法および転写フィルム
KR20060125580A (ko) 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
JP2006139936A (ja) プラズマディスプレイパネル用無機粉体含有樹脂組成物、プラズマディスプレイパネル用転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2006139989A (ja) プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法
KR20060082048A (ko) 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법
KR20060051022A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 전사 필름 및플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법
JP2005158519A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネル用感光性組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application