KR20060082048A - 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 - Google Patents

무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마디스플레이 패널의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 보존 안정성과 패터닝성이 우수하고, 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재(예를 들면, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름, 및 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재를 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공한다.
(a) 무기 분체, (b) 결합 수지, 및 (c) 특정 구조를 갖는 실란 커플링제를 함유하는 것을 특징으로 하는 무기 분체 함유 수지 조성물, 이로부터 얻어지는 전사 필름, 및 이를 사용하는 PDP의 제조 방법을 제공한다.
플라즈마 디스플레이 패널, 전사 필름, 실란 커플링제

Description

무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 {Resin Composition Containing Inorganic Powder, Transfer Film and Manufacturing Method of Plasma Display Panel}
도 1에서, (a)는 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이고, (b)는 상기 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
1: 유리 기판 2: 유리 기판
3: 격벽 4: 투명 전극
5: 버스 전극 6: 어드레스 전극
7: 형광 물질 8: 유전체층
9: 유전체층 10: 보호층
F1: 지지 필름 F2: 무기 분체 함유 수지층
F3: 커버 필름
<특허 문헌 1> 일본 특허 공개 (평)11-162339호 공보
<특허 문헌 2> 일본 특허 공개 2001-84833호 공보
<특허 문헌 3> 일본 특허 공개 2002-245932호 공보
<특허 문헌 4> 일본 특허 공개 2003-51250호 공보
본 발명은 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 패널 재료의 형성에 바람직한 무기 분체 함유 수지 조성물 및 전사 필름에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「PDP」라고 함)은, 대형 패널이면서 제조 공정이 용이한 것, 시야각이 넓은 것, 자발광 유형으로 표시 품위가 높은 것 등의 이유로부터 플랫 패널 표시 기술 중에서 주목받고 있고, 특히 컬러 플라즈마 디스플레이 패널은 20인치 이상의 벽걸이 TV용 표시 장치로서 장래 주류가 될 것으로 기대되고 있다.
컬러 PDP는 가스 방전에 의해 발생하는 자외선을 형광체에 조사함으로써 컬러 표시가 가능해진다. 또한, 일반적으로 컬러 PDP에서는, 적색 발광용 형광체 부위, 녹색 발광용 형광체 부위 및 청색 발광용 형광체 부위가 기판 상에 형성됨으로써, 각 색의 발광 표시 셀이 전체에 균일하게 혼재한 상태로 구성되어 있다. 구체적으로는, 유리 등으로 형성되는 기판의 표면에, 배리어 리브라고 불리는 절연성 재료로 형성되는 격벽이 설치되어 있고, 이 격벽에 의해서 다수의 표시 셀이 구획 되어, 상기 표시 셀의 내부가 플라즈마 작용 공간이 된다. 또한, 이 플라즈마 작용 공간에 형광체 부위가 설치됨과 동시에, 이 형광체 부위에 플라즈마를 작용시키는 전극이 설치됨으로써, 각각의 표시 셀을 표시 단위로 하는 플라즈마 디스플레이 패널이 구성된다. 상기 전극은 통상, 은 등을 함유하는 백색 도전층과, 상기 백색 도전층의 하층에 반사 방지층(차광층)의 역할을 갖는 암색층(흑색층)을 갖는 적층 패턴으로 구성된다. 또한, 통상 PDP의 콘트라스트를 향상시키기 위해서, 전극 패턴 사이에 블랙 매트릭스나 컬러 필터가 설치된다
이러한 PDP에서의 패널 재료의 제조 방법으로서는, (1) 이온 스퍼터링법이나 전자 빔 증착법 등에 의한 방법이나 (2) 포토리소그래피법이나 스크린 인쇄법 등에 의해 형성한 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하고, 유기 물질을 제거하는 방법 등이 알려져 있다. 그 중에서도 포토리소그래피법에 의해 무기 분체 함유 수지층을 패터닝하는 방법이, 제조 효율이 높고, 원리적으로 패턴 정밀도가 우수하기 때문에 바람직하게 사용되고 있다. 특히, 가요성을 갖는 지지 필름 상에 무기 분체 함유 수지층을 형성한 전사 필름을 사용하고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하여 패터닝을 행하는 방법이, 막 두께의 균일성 및 표면의 균일성이 우수한 패턴을 형성할 수 있기 때문에 바람직하게 사용되고 있다.
그러나, 상기 무기 분체 함유 수지층의 형성에 사용되는 무기 분체 함유 수지 조성물은 유기 재료와 무기 재료와의 혼합물이기 때문에, 양쪽 재료의 친화성이 불충분해지기 쉽다는 문제가 있다. 유기 재료와 무기 재료의 친화성이란, 예를 들 면 무기 재료 표면에 있어서의 유기 재료의 습윤성이나, 무기 재료와 유기 재료의 상용성 등이고, 상기 무기 분체 함유 수지 조성물의 경우, 특히 무기 재료 표면에 있어서의 유기 재료의 습윤성이 문제가 되기 쉽다. 습윤성이 나쁘면, 조성물 중의 무기 분체의 침강이나, 조성물의 겔화, 분산 불량, 무기 분체끼리의 응집을 야기할 뿐만 아니라, 도포 불균일, 막 표면의 거칠어짐, 전사 필름의 기판에의 전사성 악화, 포토리소그래피법에 있어서의 패터닝성 이상 등을 야기할 우려도 있다.
본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이다.
본 발명의 제1 목적은, 보존 안정성과 패터닝성이 우수하고, 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재(예를 들면, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제2 목적은, 패터닝성이 우수하고, 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재를 효율적으로 형성할 수 있는 전사 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제3 목적은, 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재를 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은,
(a) 무기 분체,
(b) 결합 수지, 및
(c) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 상기 화합물의 가수분해물 및 상기 화합물의 가수분해 축합물로부터 선택되는 1종 이상(이하, 「특정 실란 커플링제」 라고 함)
을 함유하는 것을 특징으로 한다.
Figure 112006001681321-PAT00001
(화학식 1 에 있어서, R은 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 100의 알킬렌을 나타내고, X는 가수분해성기를 나타내고, Y는 비닐기, 에폭시기, 메타크릴옥시기, 아크릴옥시기, 머캅토기 또는 아미노기를 나타내고, n은 0부터 3의 정수이다.)
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은 (d) 감방사선 성분을 더 함유하는 감방사선성 무기 분체 함유 수지 조성물일 수도 있다.
본 발명의 제1 전사 필름(이하, 「전사 필름 I」이라고도 함)은, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 전사 필름 (이하, 「전사 필름 II」라고도 함)은, 레지스트 막과, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층과의 적층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1의 PDP의 제조 방법(이하, 「PDP의 제조 방법 I」이라고도 함)은, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층 을 기판 상에 전사하고, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성함으로써 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2의 PDP의 제조 방법(이하, 「PDP의 제조 방법 II」라고도 함) 은, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 전사된 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 막을 형성하며, 상기 레지스트 막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트 막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화(顯在化)시키며, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 상기 패턴층을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3의 PDP의 제조 방법(이하, 「PDP의 제조 방법 III」이라고도 함)은, 본 발명의 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하며, 상기 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리하여 패턴층을 형성하고, 상기 패턴층을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
<1> 무기 분체 함유 수지 조성물
이하, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은, 무기 분체, 결합 수지 및 특정 실란 커플링제를 필수 성분으로서 함유하는, PDP 부재 형성에 바람직하게 사용되는 무기 분체 함유 수지 조성물이다.
(a) 무기 분체
본 발명의 조성물에 사용되는 무기 분체를 구성하는 무기 물질로서는 특별히 한정되지 않고, 상기 조성물에 의해 형성되는 소결체의 용도(PDP 부재의 종류)에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.
여기서, PDP를 구성하는 「유전체층」 또는 「격벽」을 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로서는, 연화점이 350 내지 700 ℃(바람직하게는 400 내지 620 ℃)의 범위 내인 유리 분말을 들 수 있다. 유리 분말의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 상기 조성물에 의한 무기 분체 함유 수지층의 소성 공정에서, 결합 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 분말이 용융되어 버리기 때문에, 형성되는 유전체층 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고, 이 결과 유전체층이 착색되어, 그의 광투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, 유리 분말의 연화점이 620 ℃를 초과하는 경우에는, 620 ℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 왜곡 등이 발생하기 쉽다.
바람직한 유리 분말의 구체예로서는, 1. 산화납, 산화붕소, 산화규소(PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 2. 산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합 물, 3. 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, 4. 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 5. 산화비스무스, 산화붕소, 산화규소(Bi2O3-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 6. 산화아연, 산화인, 산화규소(ZnO-P2O5-SiO2계)의 혼합물, 7. 산화아연, 산화붕소, 산화칼륨(ZnO-B203-K2O계)의 혼합물, 8. 산화인, 산화붕소, 산화알루미늄(P205-B2O3-Al2O3계)의 혼합물, 9. 산화아연, 산화인, 산화규소, 산화알루미늄(ZnO-P2O5-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, 10. 산화아연, 산화인, 산화티탄(ZnO-P2O5-TiO2계)의 혼합물, 11. 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화칼륨(ZnO-B2O3-SiO2계-K20계)의 혼합물, 12. 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화칼륨, 산화칼슘(ZnO-B2O3-SiO2-K20-Ca0계)의 혼합물, 13. 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화칼륨, 산화칼슘, 산화알루미늄(ZnO-B2O3-SiO2-K2O-CaO-Al2O3계)의 혼합물 등을 예시할 수 있다.
이들 유리 분말은 유전체층 및 격벽 이외의 패널 부재(예를 들면 전극ㆍ저항체ㆍ형광체ㆍ컬러 필터ㆍ블랙 매트릭스)를 형성하기 위한 조성물 중에 함유(병용) 되어 있을 수 있다. 이들 패널 재료를 얻기 위한 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 유리 프릿의 함유량은, 무기 분체 전량에 대하여 통상 80 질량％ 이하, 바람직하게는 1 내지 70 질량％이다.
PDP를 구성하는 「전극」을 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로서 는, Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu, Co 및 Cr 등을 포함하는 금속 입자를 들 수 있다. 또한, 전극으로서, 암색층(반사 방지층)과 백색층의 2층을 갖는 전극을 형성하는 경우에는, 암색층에 사용되는 무기 분체로서는, Ni, Cu, Fe, Cr, Mn 및 이들 복합 산화물, 또한 산화니켈, 산화철, 산화구리, 산화코발트, 산화루테늄 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
이들 금속 입자는, 유전체층을 형성하기 위한 조성물 중에 유리 분말과 병용하는 형태로 함유되어 있을 수 있다. 유전체층 형성용 조성물에 있어서의 금속 입자의 함유량은, 무기 분체 전량에 대하여 통상 10 질량％ 이하, 바람직하게는 0.1 내지 5 질량％이다.
PDP를 구성하는 「저항체」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로서는, RuO2 등을 포함하는 입자를 들 수 있다.
PDP를 구성하는 「형광체」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로서는, Y2O3:Eu3 +, Y2SiO5:Eu3 +, Y3Al5O12:Eu3 +, YVO4:Eu3 +, (Y,Gd)BO3:Eu3 +, Zn3(PO4)2:Mn 등의 적색용 형광 물질; Zn2SiO4:Mn, BaAl12O19:Mn, BaMgAl14O23:Mn, LaPO4:(Ce,Tb), Y3(Al,Ga)5O12:Tb 등의 녹색용 형광 물질; Y2SiO5:Ce, BaMgAl10O17:Eu2 +, BaMgAl14O23:Eu2+, (Ca,Sr,BA)10(PO4)6Cl2:Eu2 +, (Zn,Cd)S:Ag 등의 청색용 형광 물질등을 포함하는 입자를 들 수 있다.
PDP를 구성하는 「컬러 필터」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로서는, Fe2O3, Pb3O4 등의 적색용 물질, Cr2O3 등의 녹색용 물질, 2(Al2Na2Si3O10) ㆍNa2S4 등의 청색용 물질 등을 포함하는 입자를 들 수 있다.
PDP를 구성하는 「블랙 매트릭스」를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로서는, Mn, Fe, Cr, Co, Ni나, 그의 산화물 및 이들의 복합 산화물을 포함하는 입자를 들 수 있다.
(b) 결합 수지
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 결합 수지로서는, 다양한 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 30 내지 100 질량％의 비율로 함유하는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 「알칼리 가용성」 이란, 알칼리성 현상액에 의해서 용해되고, 목적으로 하는 현상 처리가 수행되는 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다.
이러한 알칼리 가용성 수지의 구체예로서는, 예를 들면 (메트)아크릴계 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
이러한 알칼리 가용성 수지 중 특히 바람직한 것으로서는, 하기 단량체(a) 와 단량체(다)와의 공중합체, 단량체(a), 단량체(b) 및 단량체(다)의 공중합체 등의 아크릴 수지를 들 수 있다.
단량체(a): 카르복실기 함유 단량체류
아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등.
단량체(b): OH 함유 단량체류
(메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등.
단량체(다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류
(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산 디시클로펜타닐 등의 단량체(a) 이외의 (메트)아크릴산 에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 매크로 단량체류 등.
상기 단량체(a)와 단량체(다)와의 공중합체나, 단량체(a), 단량체(b) 및 단량체(다)의 공중합체는, 단량체(a)에서 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해 알칼리 가용성을 갖게 된다. 그 중에서도 단량체(a), 단량체(b) 및 단량체(다)의 공중합체는 (a) 무기 분체의 분산 안정성이나 후술하는 알칼리 현상액에의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다. 이 공중합체에 있어서의 단량체(a)에서 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 5 내지 60 질량％, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량％이고, 단량체(b)에서 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 1 내지 50 질량％, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량％이다.
상기 알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는, Mw가 5,000 내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다.
또한, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 결합 수지의 함유 비율로서는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 200 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150 질량부, 특히 바람직하게는 10 내지 120 질량부이다.
(c) 특정 실란 커플링제
본 발명에서 사용되는 특정 실란 커플링제는, 무기 재료와 유기 재료 사이의 습윤성을 향상시키고, 무기 분체의 수지에의 상용성을 개량하는 첨가제로서 사용된다. 이에 의해, 수지에의 분산성이 향상되고, 무기 입자의 침강이 억제된다. 또한, 무기 분체와 수지와의 습윤성이 향상됨으로써, 현상 안정성이 개량되고, 패턴 직선성(直線性)이 우수하며, 현상 잔사가 적은 패턴을 얻는 것이 가능해진다.
상기 특정 실란 커플링제로서는, 예를 들면 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란 등의 비닐기 함유 실란 화합물;
3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란 등의 아미노기 함유 실란 화합물;
3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등의 (메트)아크릴옥시기 함유 실란 화합물;
3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 실란 화합물;
3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란 등의 머캅토기 함유 실란 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 특정 실란 커플링제를 2종 이상 사용하거나, 다른 실란 커플링제와 병용하여 사용하거나 할 수도 있다.
본 발명의 조성물에 있어서의 특정 실란 커플링제의 함유 비율로서는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 0.01 내지 20 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10 질량부이다. 특정 실란 커플링제의 비율이 너무 적은 경우에는, 얻어지는 조성물에 있어서의 무기 분체의 분산성을 충분히 향상시킬 수 없는 경우가 있다. 한편, 이 비율이 너무 큰 경우에는, 반대로 분산성을 저하시키거나, 얻어지는 조성물을 사용하여 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 점착성(택(tack))이 너무 커져, 그와 같은 무기 분체 함유 수지층을 구비한 전사 필름은, 취급성이 열악해질 우려가 있다.
(d) 감방사선 성분
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은 감방사선성 성분을 함유하는 김방사선성 무기 분체 함유 수지 조성물일 수도 있다. 상기 감방사선성 성분으로서는, 예를 들면 (a) 다관능성 단량체와 방사선 중합 개시제의 조합, (b) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산 발생제의 조합 등을 바람직한 것으로서 예 시할 수 있고, 상기 (a)의 조합 중 다관능성 (메트)아크릴레이트와 방사선 중합 개시제와의 조합이 특히 바람직하다.
다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌, 양쪽 말단 히드록시폴리카프로락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류;
글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 다관능성 (메트)아크릴레이트의 분자량으로서는, 100 내지 2,000인 것이 바람직하다.
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 다관능성 (메트)아크릴레이트의 함유 비율로서는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 20 내지 80 질량부이고, 바람직하게는 30 내지 60 질량부이다.
방사선 중합 개시제의 구체예로서는, 벤질, 벤조인, 벤조페논, 비스(N,N-디메틸아미노)벤조페논, 비스(N,N-디에틸아미노)벤조페논, 캄포퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부틸니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드, 머캅토벤조티아졸 등의 유기 황 화합물; 벤조일 퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서의 방사선 중합 개시제의 함유 비율로서는, 다관능성 (메트)아크릴레이트 100 질량부에 대하여 통상 0.01 내지 50.0 질량부이고, 바람직하게는 0.1 내지 30.0 질량부이다.
(e) 용제
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에는, 통상적으로 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서 용제가 함유된다. 사용되는 용제로서는, 무기 분체와의 친화성, 결합 수지의 용해성이 양호하고, 무기 분체 함유 수 지 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에, 건조시킴으로써 쉽게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다.
또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준 비점(1 기압에 있어서의 비점)이 100 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류(이하, 이들을 「특정 용제」라 함)를 들 수 있다.
이러한 특정 용제의 구체예로서는, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중에서 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 락트산에틸, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 특정 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
특정 용제 이외의 용제의 구체예로서는, 테레빈유, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필알코올, 벤 질알코올 등을 들 수 있다.
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 용제의 함유 비율로서는, 양호한 막 형성성(유동성 또는 가소성)이 얻어지는 범위 내에서 적절하게 선택할 수 있다.
무기 분체 함유 수지 조성물의 일례로서, 바람직한 전극 형성용 조성물의 예를 나타내면, 무기 분체로서 은 분말 100 질량부와 유리 분말 1 내지 30 질량부, 결합 수지로서 메타크릴산/숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산 n-부틸 공중합체 10 내지 150 질량부와, 실란 커플링제로서 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 1 내지 10 질량부와, 가소제를 1 내지 50 질량부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및(또는) 에틸-3-에톡시프로피오네이트 5 내지 30 질량부를 함유하는 조성물을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에는, 임의 성분으로서 가소제, 분산제, 현상 촉진제, 접착 보조제, 헐레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증감제, 연쇄 이동제, 점착성 부여제, 표면 장력 조정제 등의 각종 첨가제가 함유될 수도 있다.
본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은, 상기 무기 분체, 결합 수지, 실란 커플링재, 광중합성 단량체, 광중합 개시제 및 용제와 필요에 따라서 상기 임의 성분을 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼 밀, 비드 밀 등의 혼련기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다.
상기와 같이 하여 제조되는 무기 분체 함유 수지 조성물은, 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그의 점도는 통상 100 내지 1,000,000 cP, 바람직하게는 500 내지 300,000 cP이다.
<2> 전사 필름
본 발명의 전사 필름은 PDP 부재의 형성 공정에 바람직하게 사용되는 복합 필름이며, 본 발명의 조성물을 전사 필름 상에 도포하고, 도막을 건조시킴으로써 형성되는 무기 분체 함유 수지층을 구비한다.
즉, 본 발명의 전사 필름은, 무기 분체, 결합 수지 및 특정 실란 커플링제를 함유하는 무기 분체 함유 수지층이 지지 필름 상에 형성되어 구성되어 있다.
또한, 본 발명의 전사 필름은, 후술하는 레지스트 막을 지지 필름 상에 형성하고, 그 위에 본 발명의 조성물을 도포하며 건조시켜 형성되는 것(적층막)일 수도 있다.
또한, 본 발명의 전사 필름은, 감방사선성 무기 분체 함유 수지 조성물을 사용하여 구성한 감방사선성 전사 필름일 수도 있다.
<전사 필름의 구성>
도 1(a)는 롤상으로 권취된 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이고, 도 1(b)는 상기 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도[(a)의 부분 상세도]이다.
도 1에 나타내는 전사 필름은, 본 발명의 전사 필름의 일례로서, 복합 필름이며, 통상 지지 필름(F1)과, 이 지지 필름(F1)의 표면에 박리 가능하게 형성된 무기 분체 함유 수지층(F2)와, 이 무기 분체 함유 수지층(F2)의 표면에 박리 용이하 게 설치된 커버 필름(F3)으로 구성되어 있다. 커버 필름(F3)은 무기 분체 함유 수지층(F2)의 성질에 따라서는 사용되지 않는 경우도 있다. 또한, 지지 필름(F1)과 무기 분체 함유 수지층(F2) 사이에는, 레지스트 막이 형성될 수도 있고, 무기 분체 함유 수지층(F2)는 이종, 동종의 층이 2층 이상 적층된 것일 수도 있다.
전사 필름을 구성하는 지지 필름(F1)은 내열성 및 내용제성을 가짐과 함께 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름(F1)이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터, 블레이드 코터 등을 사용하여 페이스트상의 조성물(본 발명의 조성물)을 도포할 수 있고, 이에 의해 막 두께가 균일한 무기 분체 함유 수지층을 형성할 수 있음과 동시에, 형성된 무기 분체 함유 수지층을 롤상으로 권취한 상태로 보존하여 공급할 수 있다.
지지 필름(F1)을 구성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐 알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오르에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름(F1)의 두께로서는, 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.
전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층(F2)는, 소성에 의해 무기 소결체(PDP 부재)가 되는 층이고, 무기 분체, 결합 수지 및 특정 실란 커플링제가 필수 성분으로서 함유되어 있다.
무기 분체 함유 수지층(F2)의 두께로서는, 형성하는 부재의 종류, 무기 분체의 함유율, 패널의 종류나 크기에 따라서도 다르지만, 예를 들면 5 내지 200 ㎛이 다.
전사 필름을 구성하는 커버 필름(F3)은, 무기 분체 함유 수지층(F2)의 표면(기판과의 접촉면)을 보호하기 위한 필름이다. 이 커버 필름(F3)도 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 커버 필름(F3)을 형성하는 수지로서는, 지지 필름(F1)을 형성하는 것으로서 예시한 수지를 들 수 있다. 커버 필름(F3)의 두께로서는, 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.
<전사 필름의 제조 방법>
본 발명의 전사 필름은, 지지 필름(F1) 상에 무기 분체 함유 수지층(F2)를 형성하고, 상기 무기 분체 함유 수지층(F2) 상에 커버 필름(F3)을 설치(압착)함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는, 막 두께가 크고(예를 들면 20 ㎛ 이상), 막 두께의 균일성이 우수한 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 관점에서, 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드 등의 블레이드 코터에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법, 다이 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 무기 분체 함유 수지층을 전사한 후에, 상기 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 쉽게 박리할 수 있다.
지지 필름 상에 형성된 본 발명의 조성물에 의한 도막은, 건조됨으로써 용제의 일부 또는 전부가 제거되어, 전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층이 된 다. 본 발명의 조성물에 의한 도막의 건조 조건으로서는, 예를 들면 40 내지 150 ℃에서 0.1 내지 30 분간 정도이다. 건조 후에 있어서의 용제의 잔존 비율(무기 분체 함유 수지층 중의 용제의 함유 비율)은 통상 10 질량％ 이하이고, 기판에 대한 점착성 및 적절한 형상 유지성을 무기 분체 함유 수지층에 발휘시키는 관점에서 0.1 내지 5 질량％인 것이 바람직하다.
상기와 같이 하여 형성된 무기 분체 함유 수지층 위에 설치되는(통상, 열 압착되는) 커버 필름의 표면에도 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 무기 분체 함유 수지층을 전사하기 전에, 상기 무기 분체 함유 수지층으로부터 커버 필름을 쉽게 박리할 수 있다.
<무기 분체 함유 수지층의 전사(전사 필름의 사용 방법)>
지지 필름 상의 무기 분체 함유 수지층은 기판의 표면에 일괄 전사된다. 본 발명의 전사 필름에 따르면, 이러한 간단한 조작에 의해서 무기 분체 함유 수지층을 유리 기판 상에 확실하게 형성할 수 있기 때문에, PDP 부재의 형성 공정에서의 공정 개선(고효율화)을 도모할 수 있음과 동시에, 형성되는 부재의 품질 향상(예를 들면, 전극에 있어서의 안정한 라인 저항의 발현)을 도모할 수 있다.
<전사 필름>
본 발명의 전사 필름은, 지지 필름 상에 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하고, 도막을 건조시켜 얻어지는 층이 형성되어 이루어진다. 전사 필름을 구성하는 지지 필름은, 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터에 의해 서 페이스트상 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤상으로 권취한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께로서는, 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.
무기 분체 함유 수지 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는, 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 큰(예를 들면 10 ㎛ 이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 필요하고, 구체적으로는, 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 다이 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로서 예를 들 수 있다.
또한, 무기 분체 함유 수지 조성물이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 쉽게 행할 수 있다.
도막의 건조 조건으로서는, 예를 들면 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간 정도이고, 건조 후에 있어서의 용제의 잔존 비율(무기 분체 함유 수지층 중의 함유율)은 통상 2 질량％ 이내이다.
상기와 같이 하여 지지 필름 상에 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 두께로서는, 무기 분체의 함유율이나 크기 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 5 내지 500 ㎛이다.
또한, 무기 분체 함유 수지층의 표면에 설치되어 있는 보호 필름층으로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다.
<3> PDP의 제조 방법
본 발명의 PDP의 제조 방법은, 본 발명의 전사 필름을 사용하여, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 1종 이상의 패널 부재를 형성하는 것을 특징으로 한다.
<PDP의 제조 방법 I(유전체층의 형성)>
본 발명의 PDP의 제조 방법 I은, 본 발명의 전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층을 기판의 표면에 전사하고, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성함으로써 상기 기판의 표면에 유전체층을 형성하는 공정을 포함한다.
도 1에 나타낸 바와 같은 구성의 전사 필름에 의한 무기 분체 함유 수지층의 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다.
1. 롤상으로 권취된 상태의 전사 필름을 기판의 면적에 따른 크기로 재단한다.
2. 재단한 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층(F2) 표면에서 커버 필름(F3)을 박리한 후, 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층(F2)의 표면이 접촉하 도록 전사 필름을 겹친다.
3. 기판에 겹쳐진 전사 필름 상에 가열 롤러를 이동시켜 열 압착시킨다.
4. 열 압착에 의해 기판에 고정된 무기 분체 함유 수지층(F2)로부터 지지 필름(F1)을 박리 제거한다.
상기와 같은 조작에 의해, 지지 필름(F1) 상의 무기 분체 함유 수지층(F2)가 기판 상에 전사된다. 여기서, 전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 60 내지 120 ℃, 가열 롤러에 의한 롤 압력이 1 내지 5 kg/cm2, 가열 롤러의 이동 속도가 0.2 내지 10.0 m/분이다. 이러한 조작(전사 공정)은 적층 장치에 의해 행할 수 있다. 또한, 기판은 예열될 수도 있고, 예열 온도로서는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다.
기판의 표면에 형성 전사된 무기 분체 함유 수지층(F2)는, 소성되어 무기 소결체(유전체층)가 된다. 여기서, 소성 방법으로서는, 무기 분체 함유 수지층(F2)가 전사 형성된 기판을 고온 분위기하에 배치하는 방법을 들 수 있다. 이에 의해, 무기 분체 함유 수지층(F2)에 함유되어 있는 유기 물질(예를 들면 결합 수지, 잔류 용제, 비이온성 계면 활성제, 각종 첨가제)이 분해되어 제거되고, 무기 분체가 용융되어 소결된다. 여기서, 소성 온도는, 기판의 용융 온도, 무기 분체 함유 수지층 중의 구성 물질 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 300 내지 800 ℃이고, 더욱 바람직하게는 400 내지 620 ℃이다.
<PDP의 제조 방법 II(포토레지스트법을 사용한 PDP 부재의 형성)>
본 발명의 PDP의 제조 방법 II는, 본 발명의 전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 전사된 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 막을 형성하며, 상기 레지스트 막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트 막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함한다.
레지스트 막의 형성은, 레지스트 막과 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성한 본 발명의 전사 필름을 사용하는 방법에 의해, 무기 분체 함유 수지층과 함께 기판 상에 일괄 전사하여 형성할 수도 있다. 이 방법은, 포토레지스트법을 사용한 바람직한 실시 양태인 PDP의 제조 방법 III으로서 후술한다.
이하, PDP의 패널 부재인 「전극」을 배면 기판의 표면에 형성하는 방법을 예로 들어 설명한다. 이 방법에서는, [1] 무기 분체 함유 수지층의 전사 공정, [2] 레지스트 막의 형성 공정, [3] 레지스트 막의 노광 공정, [4] 레지스트 막의 현상 공정, [5] 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정, [6] 무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정에 의해 기판의 표면에 전극이 형성된다.
또한, 본 발명에 있어서, 「무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하는」 양태로서는, 상기 유리 기판(11)의 표면에 전사하는 형태 이외에, 상기 유전체층(13)의 표면에 전사하는 형태도 포괄되는 것으로 한다.
[1] 무기 분체 함유 수지층의 전사 공정:
무기 분체 함유 수지층의 전사 공정 일례를 나타내면 이하와 같다.
전사 필름의 커버 필름을 박리한 후, 기판 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 겹치고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 의해, 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착된 상태가 된다. 여기서 전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 80 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤러 압이 1 내지 5 kg/cm2, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10.0 m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 기판은 예열될 수도 있고, 예열 온도로서는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다.
[2] 레지스트 막의 형성 공정:
이 공정에서는, 전사된 무기 분체 함유 수지층의 표면에 레지스트 막을 형성한다. 이 레지스트 막을 구성하는 레지스트로서는 포지티브형 레지스트 및 네가티브형 레지스트 중 어느 것일 수도 있다. 본 발명에서 사용되는 바람직한 레지스트의 일례로서는, 상술한 감방사선성 성분인 다관능성 (메트)아크릴레이트와 방사선 중합 개시제와, 결합제 수지로서 아크릴 수지를 함유하는 레지스트 조성물을 들 수 있다.
레지스트 막은, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 다양한 방법에 의해서 레지스트를 도포한 후, 도막을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 여기서, 도막의 건조 온도는 통상 60 내지 130 ℃ 정도이다.
또한, 지지 필름 상에 형성된 레지스트 막을 무기 분체 함유 수지층의 표면에 전사함으로써 형성할 수도 있다. 이러한 형성 방법에 따르면, 레지스트 막의 형성 공정수를 줄일 수 있음과 동시에, 얻어지는 레지스트의 막 두께 균일성이 우 수한 것이 되기 때문에, 상기 레지스트 막의 현상 처리 및 무기 분체 함유 수지층의 에칭 처리가 균일하게 행해지고, 형성되는 격벽의 높이 및 형상이 균일해진다.
레지스트 막의 막 두께로서는, 통상 0.1 내지 40 ㎛이고, 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛이다.
[3] 레지스트 막의 노광 공정:
이 공정에서는, 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 레지스트 막의 표면에, 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선을 선택적으로 조사(노광)하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한다.
여기서, 자외선 조사 장치로서는, 상기 포토리소그래피법으로 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되는 노광 장치 등 특별히 한정되지 않는다.
또한, 레지스트 막을 전사에 의해 형성한 경우에는, 레지스트 막 상에 피복되어 있는 지지 필름을 박리하지 않은 상태에서 노광 공정을 행하는 것이 바람직하다.
[4] 레지스트 막의 현상 공정:
이 공정에서는, 노광된 레지스트 막을 현상 처리함으로써 레지스트 패턴(잠상)을 현재화시킨다.
여기서, 현상 처리 조건으로서는, 레지스트 막의 종류 등에 따라서 현상액의 종류ㆍ조성 농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.
이 현상 공정에 의해, 레지스트 잔류부와 레지스트 제거부로 구성되는 레지스트 패턴(노광용 마스크에 대응하는 패턴)이 형성된다.
이 레지스트 패턴은, 후속 공정(에칭 공정)에 있어서의 에칭 마스크로서 작용하는 것이고, 레지스트 잔류부의 구성 재료(광 경화된 레지스트)는, 무기 분체 함유 수지층의 구성 재료보다 에칭액에 대한 용해 속도가 작은 것이 필요하다.
[5] 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정:
이 공정에서는, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성한다.
즉, 무기 분체 함유 수지층 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거된다. 또한, 무기 분체 함유 수지층에 있어서의 소정 부분이 완전히 제거되어 기판이 노출된다. 이에 의해, 수지층 잔류부와 수지층 제거부로 구성되는 무기 분체 함유 수지 패턴이 형성된다.
여기서, 에칭 처리 조건으로서는, 무기 분체 함유 수지층의 종류 등에 따라서 에칭액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 에칭액으로서, 현상 공정에서 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수 있 도록, 레지스트 막 및 무기 분체 함유 수지층의 종류를 선택함으로써 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능해져, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다.
여기서, 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는, 에칭 처리시에 서서 히 용해되어, 무기 분체 함유 수지 패턴이 형성된 단계(에칭 처리의 종료시)에서 완전히 제거되는 것이 바람직하다. 또한, 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류하고 있어도, 상기 레지스트 잔류부는 다음 소성 공정에서 제거된다.
[6] 무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정:
이 공정에서는, 무기 분체 함유 수지 패턴을 소성 처리하여 전극을 형성한다. 이에 의해, 수지층 잔류부의 유기 물질이 소실(燒失)되어 전극이 형성된다.
여기서, 소성 처리의 온도로서는, 수지층 잔류부의 유기 물질이 소실되는 온도인 것이 필요하고, 통상 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다.
<PDP의 제조 방법 II에서의 바람직한 실시양태>
포토레지스트법을 사용한 본 발명의 PDP의 제조 방법 II에서의 특히 바람직한 방법으로서, 하기 (1) 내지 (3)의 공정에 의한 형성 방법을 들 수 있다.
(1) 지지 필름 상에 레지스트 막을 형성한 후, 상기 레지스트 막 상에 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포, 건조시킴으로써 무기 분체 함유 수지층을 적층 형성한다. 여기서, 레지스트 막 및 무기 분체 함유 수지층을 형성할 때는, 롤 코터 등을 사용할 수 있고, 이에 의해 막 두께의 균일성이 우수한 적층막을 지지 필름 상에 형성할 수 있다.
(2) 지지 필름 상에 형성된 레지스트 막과 무기 분체 함유 수지층과의 적층막을 기판 상에 전사한다. 여기서, 전사 조건으로서는 상기 「무기 분체 함유 수 지층의 전사 공정」에 있어서의 조건과 동일할 수 있다.
(3) 상기 「레지스트 막의 노광 공정」, 「레지스트 막의 현상 공정」, 「무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정」 및 「무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정」와 동일한 조작을 행한다. 그 때, 앞서 기재한 바와 같이, 레지스트 막의 현상액과 무기 분체 함유 수지층의 에칭액을 동일한 용액으로 하고, 「레지스트 막의 현상 공정」과 「무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정」을 연속적으로 실시하는 것이 바람직하다.
이상과 같은 방법에 따르면, 무기 분체 함유 수지층과 레지스트 막이 기판 상에 일괄 전사되기 때문에, 공도의 간략화에 의해 제조 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
<PDP의 제조 방법 III(감방사선성 전사 필름을 사용한 패널 부재의 형성)>
본 발명의 PDP의 제조 방법 III은, 본 발명의 감방사선성 전사 필름을 구성하는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하며, 상기 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리하여 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함한다.
이 방법에 있어서는, 예를 들면 전극의 형성 방법을 예로 채용하면, 상기 「무기 분체 함유 수지층의 전사 공정」 후, 「레지스트 막의 노광 공정」, 「레지스트 막의 현상 공정」에 준한 조건에서 패턴을 형성하고, 그 후 「무기 분체 함유 수지 패턴의 소성 공정」에 의해 기판의 표면에 전극이 형성된다.
이상, PDP의 제조 방법 I 내지 III의 각 공정 설명에 있어서, PDP 부재로서 「전극」을 형성하는 방법에 대하여 설명하였지만, 이 방법에 준하여 PDP를 구성하는 유전체층, 격벽, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스 등을 형성할 수 있다.
또한, PDP용 전극에 있어서, 버스 전극은 일반적으로 암색층(반사 방지층)을 하층에, 백색층을 상층에 갖는 2층 구조의 전극 구조를 갖는다. 상기 버스 전극을 형성하는 경우, 전극 하층의 암색층(반사 방지층)을 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 사용하여 형성하고, 상층의 백색층을, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 특정 실란 커플링제를 뺀 조성물을 사용하여 형성하면, 패턴 형상이 우수함과 동시에 낮은 저항치를 갖는 전극이 얻어지므로, 특히 바람직하다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해서 한정되지 않는다. 또한, 이하에 대하여 「부」는 「질량부」를 나타낸다.
<실시예 1>
1) 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 1의 제조:
(a) 무기 분체로서 니켈 분말(평균 입경 0.2 ㎛) 100 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿(연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 10 부, (b) 결합 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산 (2-(메트)아크릴로일옥시에틸)=30/15/20/15/20(질량％) 공중합체(질량 평균 분자량: 90,000) 80 부, (c) 특정 실란 커플링제로서 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 3 부, 가소제로서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 40 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 20 부를, 분산기를 사용하여 혼련함으로써 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 1을 제조하였다.
2) 도전막 형성용 무기 분체 수지 조성물의 제조:
도전성 입자로서 은 분말(평균 입경 2.2 ㎛) 100 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿(연화점 520 ℃, 평균 입경 2.O ㎛) 10 부, 결합 수지로서 메타크릴산벤질/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산 (2-(메트)아크릴로일옥시에틸)=20/20/20/20/20(질량％) 공중합체(질량 평균 분자량: 90,000) 15 부, 가소제로서 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트 10 부, 분산제로서 올레산 1 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 9 부를, 분산기를 사용하여 혼련함으로써 도전막 형성용 무기 분체 수지 조성물을 제조하였다.
3) 레지스트 조성물 1의 제조
결합제 수지로서 메타크릴산벤질/메타크릴산=75/25(질량％) 공중합체(질량 평균 분자량 30,000) 60 부, 다관능성 단량체로서 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트 40 부, 광 중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 20 부 및 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 100 부를 혼련한 후, 카트리지 필터(2 ㎛ 직경)로 필터링함으로써 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, 「레지스트 조성물 1」이라고 함)을 제조하였다.
4) 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 1의 분산성 평가
그라인드 게이지(OBISHI KEIKI(주)사 제조, 0 내지 25 ㎛)를 사용하고, JIS K5600-2-5에 준하여 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 1 중의 최대 입도를 측정하였다. 그 결과는 8 ㎛이었으며, 얻어진 조성물은 분산성이 우수한 것이었다. 또한, 이 조성물을 실온에서 72 시간 정치한 바, 약간의 침강밖에 관측되지 않았으며 분산 안정성이 우수한 것이었다.
5) 전극 형성용 전사 필름의 제조:
하기 (a) 내지 (c)의 조작에 의해, 레지스트 막, 도전막 형성용 페이스트층 및 반사 방지막 형성용 페이스트층을 갖는 적층막이 지지 필름 상에 형성되어 이루어지는 본 발명의 전사 필름을 제조하였다.
(a) 3)에서 제조한 레지스트 조성물 1을 미리 이형 처리한 막 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 형성되는 지지 필름 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하여, 두께 5 ㎛의 레지스트 막을 지지 필름 상에 형성하였다.
(b) 2)에서 제조한 도전막 형성용 페이스트 조성물을 (a)에서 제조한 레지스트 막 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하여, 막 두께 20 ㎛의 도전막 형성용 페이스트층을 레지스트 막 상에 형성하였다.
(c) 1)에서 제조한 반사 방지막 형성용 페이스트 조성물을 (b)에서 형성한 도전막 형성용 페이스트층 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하여, 막 두께 8 ㎛의 반사 방지막 형성용 페이스트층을 도전막 형성용 페이스트층 상에 형성하였다.
6) 전극 형성용 전사 필름의 전사:
미리 핫 플레이트 상에서 80 ℃로 가열된 유리 기판의 표면에, 반사 방지막 형성용 페이스트층의 표면이 접촉되도록 상기 5)에서 제조한 전사 필름을 겹치고, 이 전사 필름을 가열 롤러에 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열 롤러의 표면 온도를 100 ℃, 롤 압력을 2 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 전사 필름(레지스트 막의 표면)으로부터 지지 필름을 박리 제거하고, 상기 전극 형성용 무기 분체 함유 수지층의 전사를 완료하였다.
7) 레지스트 막의 노광 공정
유리 기판 상에 형성된 전극 형성용 무기 분체 함유 수지층의 레지스트 막에 대하여, 라인 폭 100 ㎛, 스페이스 폭 400 ㎛의 스트라이프상 네가티브용 노광용 마스크를 통해 초고압 수은등에 의해 g 선(436 nm), h 선(405 nm), i 선(365 nm)의 혼합광을 조사하였다. 그 때의 노광량은 365 nm의 센서에서 측정한 조도 환산으로 200 mJ/cm2로 하였다.
8) 현상 공정ㆍ에칭 공정
노광 처리된 레지스트 막에 대하여, 액체 온도 30 ℃의 0.3 질량％ 탄산나트 륨 수용액을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리와, 계속해서 무기 분체 함유 수지층의 에칭 처리를 아울러 90 초간 행하고, 계속해서 초순수를 사용하여 수세를 행하였다. 이에 의해, 레지스트 패턴을 형성하고, 그 후, 상기 레지스트 패턴에 대응한 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하였다. 얻어진 무기 분체 함유 수지 패턴을 광학 현미경으로써 관찰한 바, 레지스트 미노광부의 기판 상에 현상 잔사는 확인되지 않고, 또한 패턴의 이지러짐은 확인되지 않았다.
9) 소성 공정
무기 분체 함유 수지 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 의해 유리 기판의 표면에 패턴 폭 100 ㎛, 두께 10 ㎛의 전극이 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. 형성된 전극 패턴을 현미경을 사용하여 관찰한 바, 그 패턴은 직선성이 우수한 것이었다.
<실시예 2>
1) 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 1의 제조:
(a) 무기 분체로서 니켈 분말(평균 입경 0.5 ㎛) 100 부, 은 분말(평균 입경 9.5 ㎛) 10 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿(연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 20 부, (b) 결합 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산벤질/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산 (2-(메트)아크릴로일옥시에틸)=20/20/20/10/30(질량％) 공중합체(질량 평균 분자량: 100,000) 100 부, (c) 특정 실란 커플링제로서, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 1 부, 가소제로서 펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 20 부, 분산제로서 올레산 3 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 20 부를, 분산기를 사용하여 혼련함으로써 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 2를 제조하였다.
2) 레지스트 조성물의 제조
결합제 수지로서 메타크릴산벤질/메타크릴산시클로헥실/메타크릴산=50/35/15 (질량％) 공중합체(질량 평균 분자량: 30,000) 60 부, 다관능성 단량체로서 폴리프로필렌글리콜 디아크릴레이트 20 부, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 10 부, 광 중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 10 부 및 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 100 부를 혼련한 후, 카트리지 필터(2 ㎛ 직경)으로 필터링함으로써 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, 「레지스트 조성물 2」라고 함)을 제조하였다.
3) 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 2의 분산성 평가
그라인드 게이지(OBISHI KEIKI(주)사 제조 0 내지 25 ㎛)를 사용하고, JIS K5600-2-5에 준하여 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 2 중의 최대 입도를 측정하였다. 그 결과는 8 ㎛이었으며, 얻어진 조성물은 분산성이 우수한 것이었다. 또한, 이 조성물을 실온에서 72 시간 정치한 바, 약간의 침강밖에 관측되지 않았으며, 분산 안정성이 우수한 것이었다.
4) 전극 형성용 전사 필름의 제조:
실시예 1에 있어서, 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 1 대신 에 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 2를, 레지스트 조성물 1 대신에 레지스트 조성물 2를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 5)와 동일하게 하여, 레지스트 막, 도전막 형성용 페이스트층 및 반사 방지막 형성용 페이스트층을 갖는 적층막이 지지 필름 상에 형성되어 이루어지는 본 발명의 전사 필름을 제조하였다.
5) 전극의 형성
상기 4)에서 얻어진 전사 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1의 6) 내지 9) 와 동일하게 하여, 유리 기판의 표면에 패턴 폭 100 ㎛, 두께 10 ㎛의 전극을 형성하였다. 형성된 전극 패턴을, 현미경을 사용하여 관찰한 바, 그 패턴은 직선성이 우수한 것이었다.
<비교예 1>
1) 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 3의 제조:
(a) 무기 분체로서 니켈 분말(평균 입경 0.2 ㎛) 100 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿(연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 10 부, (b) 결합 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산 (2-(메트)아크릴로일옥시에테르)=30/15/20/15/20(질량％) 공중합체(질량 평균 분자량: 60,000) 80 부, 가소제로서 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 40 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 20 부를, 분산기를 사용하여 혼련함으로써 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 3을 제조하였다.
2) 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 3의 분산성 평가
그라인드 게이지(OBISHI KEIKI(주)사 제조 0 내지 25 ㎛)를 사용하고, JIS K5600-2-5에 준하여 반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 3 중의 최대 입도를 측정하였다. 그 결과, 10 ㎛이며, 얻어진 조성물은 분산성이 열악한 것이었다. 또한, 이 조성물 3을 실온에서 72 시간 정치한 바, 심한 침강이 관측되며 분산 안정성이 열악한 것이었다.
3) 무기 분체 함유 수지 패턴의 형성
반사 방지막 형성용 무기 분체 함유 수지 조성물 3, 도전막 형성용 무기 분체 수지 조성물, 레지스트 조성물 1을 사용하여 실시예 1과 동일하게 적층 필름을 제조하고, 전사, 노광, 현상, 소성의 공정을 거쳐 무기 분체 함유 수지 패턴을 형성하였다. 얻어진 무기 분체 함유 수지 패턴을 광학 현미경으로써 관찰한 바, 이차 응집물에 의한 패턴의 이지러짐이나 쇼트가 관찰되었다. 또한, 얻어진 무기 분체 함유 수지 패턴을 실시예 1과 동일하게 소성 처리를 행하였지만, 얻어진 전극 패턴은 직선성이 열악한 것이었다.
본 발명은 보존 안정성과 패터닝성이 우수하고, 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재(예를 들면, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름, 및 패턴 형상 및 막 두께 균일성이 우수한 PDP의 패널 부재를 효율적으로 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공한다.

Claims (13)

  1. (a) 무기 분체,
    (b) 결합 수지, 및
    (c) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 상기 화합물의 가수분해물 및 상기 화합물의 가수분해 축합물로부터 선택되는 1종 이상
    을 함유하는 것을 특징으로 하는 무기 분체 함유 수지 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112006001681321-PAT00002
    (화학식 1에 있어서, R은 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 100의 알킬렌기를 나타내고, X는 가수분해성기를 나타내고, Y는 비닐기, 에폭시기, 메타크릴옥시기, 아크릴옥시기, 머캅토기 또는 아미노기를 나타내고, n은 0부터 3의 정수이다.)
  2. 제1항에 있어서, (d) 감방사선 성분을 더 함유하는 무기 분체 함유 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
  4. 레지스트 막과, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층과의 적층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
  5. 제4항에 있어서, 적층이, 레지스트 막과 무기 분체 함유 수지층 사이에, (c) 성분을 함유하지 않는 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층인 전사 필름.
  6. 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 전사된 무기 분체 함유 수지층을 소성함으로써 상기 기판 상에 유전체층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 전사된 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 막을 형성하고, 상기 레지스트 막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트 막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화(顯在化)시키며, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 상기 패턴층을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 전사된 무기 분체 함유 수지층 상에, (c) 성분을 함유하지 않는 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 상기 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 패널 부재가 전극이며, 기판 상에 전사된 무기 분체 함유 수지층에 의해 암색층(반사 방지층)을 형성하고, 제2 무기 분체 함유 수지층에 의해 백색층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  10. 레지스트 막과, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성하고, 지지 필름 상에 형성된 적층막을 기판 상에, 기판과 무기 분체 함유 수지층이 접촉하도록 전사하고, 상기 적층막을 구성하는 레지스트 막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트 막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고, 상기 패턴층을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 적층막에 있어서의 레지스트 막과 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층 사이에, (c) 성분을 함유하지 않는 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 제2 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 패널 부재가 전극이며, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층에 의해 암색층(반사 방지층)을 형성하고, 제2 무기 분체 함유 수지층에 의해 백색층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  13. 제2항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 전사하고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 노광 처리하여 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리하여 패턴층을 형성하고, 상기 패턴층을 소성 처리함으로써 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 패널 부재를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
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