KR20040030244A

KR20040030244A - 다이싱테입

Info

Publication number: KR20040030244A
Application number: KR1020030052563A
Authority: KR
Inventors: 이시카와세이지; 하야시코지; 소노야마켄지
Original assignee: 우베 고산 가부시키가이샤
Priority date: 2002-07-31
Filing date: 2003-07-30
Publication date: 2004-04-09
Also published as: TW200401820A; US20040023043A1; US6929856B2; JP2004063953A

Abstract

본 발명의 다이싱테입은, 주로 폴리이미드로 이루어지고, 실온 부근의 온도(20∼50℃)에서의 점착강도로서 박리강도가 0.02N/mm(20gf/cm) 이상이며, 경화후의 박리강도가 0.3N/mm(300gf/cm) 이상인 점접착층을 포함한다.

폴리이미드계 다이싱테입은 실온 정도의 저온에서의 낮은 점착강도(초기 접착강도)로 인해, 분위기를 고온으로 하여 점착력을 높이는 것이 필요하고, 따라서 부대 가열설비가 필요해서 공정상 불리한 것에 비하여, 본 발명의 다이싱테입은 실온 부근의 온도에서 다이싱할 수 있는 정도로 실리콘 웨이퍼에 대한 충분히 높은 접착력을 나타내고, 또한 경화후 회로기판에 대해 높은 접착강도를 나타낸다.

Description

다이싱테입{DICING TAPE}

본 발명은, 실리콘 웨이퍼에 점착하여 실온 부근의 온도에서 다이스(dice)될 수 있고, 회로기판상에서 다이스된 개개의 실리콘 웨이퍼를 적층하는 데에 접착제로서 기능할 수 있는 폴리이미드계 다이싱테입을 포함하는 새로운 형태의 다이싱테입에 관한 것이다.

종래, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼는, 큰 직경의 원반형태로 제조되고, 그 다음 예를 들면, 그 표면에 회로 패턴이 형성된 후, 한쪽 표면에 회로패턴을 보호하기 위해 보호 테입이 부착되고, 그 다음 얇게 하기 위해 이면측이 가공되며, 그 후 가공된 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩을 형성하기 위해, 큰 직경의 원반형태로 제조된 반도체를, 점착테입을 개재하여 링 프레임에 점착하고, 그 다음 다수의 주사위형(방형) 또는 직사각형 칩으로 절단(다이스)한다. 이어서, 절단된 개개의 칩을 접착테이프로부터 분리하고, 분리된 칩을, 예를 들면, IC 실장용 기판의 디바이스홀의 인너리드에 순차적으로 연결한다.

이러한 점착테입을 다이싱테입(dicing tape)이라 하고, 다이싱할 때에는 이면에 박리필름을 적층한 상태에서, 한쪽 표면이 큰 직경의 원반형태의 실리콘 웨이퍼상에 점착력에 의해 적층되고, 다이싱한 후에는, 개개의 실리콘 웨이퍼를 소정의 크기로 절단된 점착테입(다이싱테입)을 개재하여 기판에 부착해서, 이것들을 와이어본딩, 몰드 봉지, 땜납볼 형성 등에 의해 후가공을 하여 반도체 패키지를 제조한다.

예를 들면, 일본 특허공보 10-324857호는 다이싱테입으로 사용하기 위한 점착테입을 개시하고 있다. 그러나, 이 공보에 개시된 점착테입은 (메타)아크릴산 공중합체와 페놀수지와의 점착제 조성물로 이루어져 있고, 고밀도 실장용에는 적합하지 않다.

따라서, 폴리이미드계 다이싱테입이 검토되어 왔으나, 폴리이미드계의 다이싱테입은 실온 정도의 저온에서의 낮은 점착강도(초기 접착강도)로 인해, 점착력을 증가시키기 위해 높은 분위기 온도가 필요하여, 부대 가열설비가 필요해져서 공정상 불리하다.

본 발명의 목적은, 실온 부근의 온도에서 다이싱할 수 있는 정도로 실리콘 웨이퍼와의 접착력이 충분히 높고, 또한 경화후의 회로기판과의 접착강도도 높은 다이싱테입을 제공하는 것이다.

본 발명은, 주로 폴리이미드로 이루어지고, 실온 부근의 온도(20∼50℃)에서의 점착강도로서의 박리강도가 0.02N/mm(20gf/cm) 이상이며, 경화후의 박리강도가 0.3N/mm(300gf/cm) 이상인 점접착층(tackifiable adhesive layer)을 포함하는 다이싱테입에 관한 것이다.

발명의 상세한 설명

하기에 본 발명의 바람직한 형태를 예시한다.

1) 초기의 박리강도(접착강도)가 0.02∼1N/mm(20∼1000gf/cm) 이상이고, 경화후의 박리강도가 0.3∼1.6N/mm(300∼1600gf/cm)인 상기의 다이싱테입.

2) 전기절연성을 나타내는 체적저항율이 10¹⁴Ω·cm 이상인 상기의 다이싱테입.

3) 두께가 5∼50㎛인 상기의 다이싱테입.

4) 상기 폴리이미드가 폴리이미도실록산인 상기의 다이싱테입.

5) 상기의 다이싱테입을 사용하는 것을 포함하는 다이싱 방법.

다음은 본 발명의 다이싱테입(종종 보관, 운반 및 사용을 위해, 이면에 박리필름과 같은 박리재 및 표면에 보호필름을 적층할 수도 있다)을 사용하여 패키징하는 공정의 예이다.

1. 회로가 형성된 실리콘 웨이퍼를 보호필름이 제거된 다이싱테입에 부착한다.

2. 다이싱하여 개개의 IC칩을 형성한다.

3. IC칩을 테입으로부터 박리한다.(점접착층은 IC칩 이면에 균일하게 전사된다.)

4. 기판에 다이본딩(die bonding)한다.

5. 가열에 의해 IC칩과 기판을 접합한다.

6. 와이어본딩.

7. 몰드 봉지.

8. 땜납볼 형성.

다이싱테입은 기재의 양면에 점접착층을 가지고, 외표면에 박리재를 배치한 것일 수 있다.

본 발명에서의 점접착제로서는, 가용성 폴리이미드, 바람직하게는 폴리이미도실록산과 열경화성 수지와의 가교에 의해 얻어진 수지조성물을 들 수 있다. 가교는 경화제를 포함시키고 가열경화를 행하여 달성할 수 있거나, 또는 가용성 폴리이미드를 얻기 위한 디아민 성분으로서 열경화성 수지와 반응성이 있는 디아민을 사용하여, 가용성 폴리이미드 분자내로 열경화성 수지와 반응성이 있는 기를 도입하여 양성분을 가교시키므로써 달성할 수도 있다.

폴리이미도실록산으로서는, 테트라카본산 성분, 특히 테트라카본산 이무수물과, 일반식 (1)

H₂-R-[Si(R₁)₂-O-]_m-Si(R₂)₂-R-NH₂(1)

(여기에서 R은 C_2∼6의 복수의 메틸렌기, 또는 페닐렌기를 포함하는 2가의 탄화수소 잔기를 나타내고, R₁및 R₂는 각각 C_1∼5의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, m은 3∼60의 정수이다)로 표시되는 디아미노폴리실록산 10∼90몰% 및 방향족 디아민 10∼90몰%로 이루어지는 디아민 성분(여기에서 디아미노폴리실록산과 방향족 디아민과의 합계 100몰%)으로부터 얻어진 폴리이미도실록산을 들 수 있고, 소위 이미도실록산 올리고머라고 불리우는 것도 포함된다.

테트라카본산 이무수물과 디아민과의 반응은, 용매중 랜덤 또는 블록 중합화 또는 2종 반응액의 혼합 및 재결합반응에 의해 수행될 수 있다. 상기한 제조공정은 두 모노머 성분을 중합 또는 이미드화하기 위한 고온(특히 바람직하게는 140℃ 이상)에서의 반응을 포함한다. 폴리이미도실록산은 용액으로부터 단리하지 않고 직접 사용할 수도 있다.

디아미노폴리실록산 화합물의 구체예로서, α,ω-비스(2-아미노에틸)폴리디메틸실록산, α,ω-비스(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산, α,ω-비스(4-아미노페닐)폴리디메틸실록산, α,ω-비스(4-아미노-3-메틸페닐)폴리디메틸실록산, α,ω-비스(3-아미노프로필)폴리디페닐실록산 및 α,ω-비스(4-아미노부틸)폴리디메틸실록산을 들 수 있다.

상기한 테트라카본산 이무수물로서, 3,3',4,4'-비페닐테트라카본산 이무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카본산 이무수물, 2,3,3',4'-비페닐테트라카본산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카본산 이무수물, 비스(3,4-디카복시페닐)에테르 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카본산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카본산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카본산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카본산 이무수물 및 2,2-비스(2,5-디카복시페닐)프로판 이무수물과 같은 방향족 테트라카본산 이무수물을 들 수 있다.

특히, 용매내에서 높은 용해성을 가지고, 얻어진 점접착제의 내열성이 높은 테트라카본산 이무수물로서, 2,3,3',4'-비페닐테트라카본산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카본산 이무수물, 비스(3,4-디카복시페닐)에테르 이무수물 및 1,3-비스(3,4-디카복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 이무수물과 같은 방향족 테트라카본산 이무수물이 바람직하고, 2,3,3',4'-비페닐테트라카본산 이무수물이 특히 바람직하다.

열경화성 수지, 예를 들면 에폭시수지의 에폭시기와 반응성이 있는 관능기를 가지는 방향족 디아민으로서는, 다음 식으로 표시되는 방향족 디아민 화합물이 사용될 수 있다:

H₂N-Bz(R₃)_n(X)_y-A-(X)_y(R₄)_nBz-NH₂

또는 식:

H₂N-Bz(R₃)_n(X)_y-NH₂

여기에서 Bz은 벤젠환이고, R₃및 R₄는 수소, A는 직접결합 또는 O, S, CO, SO₂, SO, CH₂, C(CH₃)₂, OBzO, Bz, O, BzC(CH₃)₂BzO 등과 같은 2가의 기이고, X는 카복실기 또는 수산기이고, n은 2 또는 3(바람직하게는 3)이며, y는 1 또는 2(바람직하게는 1)이고, n+y=4이다.

상기한 2종류의 디아민 성분을 사용하는 것이 바람직하나, 복수환을 가지고, 열경화성 수지와 반응성 있는 기를 가지지 않은 방향족 디아민을 대신 사용할 수 있다. 복수환을 갖는 방향족 디아민으로서는, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 및 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠과 같은 3개의 벤젠환을 가지는 방향족 디아민, 또는 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]설폰 및 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판과 같은 4개의 벤젠환을 가지는 방향족 디아민 등을 들 수 있다.

열경화성 수지, 예를 들면 에폭시수지의 에폭시기와 반응성이 있는 관능기를 가지는 방향족 디아민의 구체예로서, 2,4-디아미노페놀과 같은 디아미노페놀 화합물들, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노- 2,2'-디하이드록시비페닐 및 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라하이드록시비페닐과 같은 하이드록시비페닐 화합물들, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-2,2'-디하이드록시디페닐메탄, 2,2-비스[3-아미노-4-하이드록시페닐]프로판, 2,2-비스[4-아미노-3-하이드록시페닐]프로판, 2,2-비스[3-아미노-4-하이드록시페닐]헥사플루오로프로판 및 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라하이드록시디페닐메탄과 같은 하이드록시디페닐알칸 화합물들, 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2'-디하이드록시디페닐에테르 및 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라하이드록시디페닐에테르와 같은 하이드록시디페닐에테르 화합물들, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-하이드록시페녹시)페닐]프로판과 같은 비스(하이드록시페녹시페닐)알칸 화합물들 및 4,4'-비스(4-아미노-3-하이드록시페녹시)비페닐과 같은 비스(하이드록시페녹시)비페닐 화합물들과 같은 OH기를 가지는 디아민 화합물들을 들 수 있다.

에폭시기와 반응성이 있는 관능기를 가지는 방향족 디아민의 다른 구체예로서, COOH기를 가지는 디아민 화합물들, 예를 들면, 3,3'-디아미노-4,4'-디카복시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디카복시비페닐, 4,4'-디아미노-2,2'-디카복시비페닐 및 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카복시비페닐과 같은 카복시비페닐디아민 화합물들, 3,3'-디아미노-4,4'-디카복시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디카복시디페닐메탄, 4,4'-디아미노-2,2'-디카복시디페닐메탄, 2,2-비스[3-아미노-4-카복시페닐]프로판, 2,2-비스[4-아미노-3-카복시페닐]프로판, 2,2-비스[3-아미노-4-카복시페닐]헥사플루오로프로판 및 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카복시비페닐과 같은 카복시디페닐알칸디아민 화합물들, 3,3'-디아미노-4,4'-디카복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-3,3'-디카복시디페닐에테르, 4,4'-디아미노-2,2'-디카복시디페닐에테르 및 4,4'-디아미노-2,2',5,5'-테트라카복시디페닐에테르와 같은 카복시디페닐에테르디아민 화합물들, 2,2-비스[4-(4-아미노-3-카복시페녹시)페닐]프로판과 같은 비스(카복시페녹시페닐)알칸디아민 화합물들, 4,4'-비스(4-아미노-3-카복시페녹시)비페닐과 같은 비스(카복시페녹시)비페닐디아민 화합물들, 및 3,5-디아미노벤조산 및 2,4-디아미노벤조산과 같은 디아미노벤조산을 들 수 있다.

상기한 용매로서는, 질소함유 용매, 예를 들면, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-메틸카프로락탐 등, 황함유 용매, 예를 들면, 디메틸설폭시드, 디에틸설폭시드, 디메틸설폰, 디에틸설폰, 헥사메틸설폰아미드 등, 산소함유 용매, 예를 들면, γ-부티로락톤, 페놀계 용매, 예를 들면, 크레졸, 페놀, 크실레놀 등, 디글라임계 용매, 예를 들면, 디에틸렌글리콜디메틸에테르(디글라임), 트리에틸렌글리콜디메틸에테르(디메틸트리글라임), 테트라글라임 등및 아세톤, 에틸렌글리콜, 디옥산, 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다.

가용성 폴리이미드, 바람직하게는 폴리이미도실록산은 대수점도(측정농도; 0.5g/100ml 용매, 용매; N-메틸-2-피롤리돈, 측정온도; 30℃)가 0.05∼7, 특히 0.07∼4, 더욱 바람직하게는 약 0.1∼3인 중합체이고, 또한 유기극성 용매(특히 아미드계 용매)에 적어도 3중량%, 특히 약 5∼40중량%의 농도로 균일하게 용해시킬 수 있는 것이 바람직하다.

폴리이미도실록산은 적외선 흡수스펙트럼 분석법으로 측정시 이미드화율이 90% 이상, 특히 95% 이상이고, 또한 적외선 흡수스펙트럼 분석에 있어서 폴리머의 아미드산 결합으로 인한 흡수피크가 실질적으로 보이지 않고, 이미드환 결합에 관한 흡수피크만이 보여지는 정도의 충분히 높은 이미드화율을 갖는 것이 바람직하다.

폴리이미도실록산을 필름으로 성형한 때에, 탄성율이 250kg/mm²이하, 특히 약 0.1∼200kg/mm², 바람직하게는 0.5∼150kg/mm²이고, 열분해개시온도가 250℃ 이상, 특히 300℃ 이상이며, 또한 2차 전이온도가 -10℃ 이상, 더욱 바람직하게는 약 5∼250℃인 것이 바람직하다.

점접착제에 있어서는, 열경화성 수지를 폴리이미도실록산과 함께 사용하는 것이 바람직하다.

만족스러운 점착성, 경화후의 접착성 및 내열성의 관점에서 최적의 성능을 위해서는, 열경화성 수지로서, 에폭시수지, 에폭시변성 폴리실록산, 비스말레이미드-트리아진계 수지, 비스말레이미드수지 및 (이소)시아네이트 화합물계 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 열경화성 수지를 수지성분으로서 경화제(바람직하게는 0∼100중량부, 특히 0∼20중량부)와 함께, 가용성 폴리이미드 100중량부에 대해 1∼100중량부(특히 5∼50중량부) 포함하는 수지조성물이 바람직하다.

에폭시수지로서는 o-크레졸노볼락 에폭시수지, 페놀노볼락 에폭시수지, 비스페놀A 에폭시수지, 비스페놀F 에폭시수지, 글리시딜에테르 에폭시수지, 글리시딜에스테르 에폭시수지, 글리시딜아민 에폭시수지와 같은 1개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로 이루어진 에폭시수지를 들 수 있고, 이러한 각종의 에폭시수지를 조합하여 사용할 수도 있다.

이러한 에폭시수지의 구체예로서는, 비스페놀A 또는 비스페놀F 에폭시수지(상품명: Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.의 EPIKOTE 807, 828 등), 페놀노볼락 에폭시수지 및 알킬다가페놀 에폭시수지(Nihon Kayaku Co., Ltd.의 RE701, RE550S 등), 다관능형 에폭시수지(Sumitomo Chemical Industries Co., Ltd.의 ELM-100 등) 또는 글리시딜에테르 에폭시수지 및 글리시딜에스테르 에폭시수지 및 글리시딜아민 에폭시수지(상품명: Mitsubishi Gas & Chemical Co., Ltd.의 TETRAD X 등)를 들 수 있다. 이들 수지들은 단독으로 또는 둘 이상 조합하여 사용할 수도 있다.

에폭시변성 폴리실록산은, 말단에 수산기, 카복실기 또는 아미노기를 가지는 반응성 폴리실록산오일을, 비스페놀 에폭시수지, 페놀노볼락 에폭시수지, 글리시딜에테르 에폭시수지, 글리시딜에스테르 에폭시수지 등과 같은 에폭시 화합물과 반응시켜 얻어진 것들을 포함한다. 폴리실록산의 말단 또는 내부에 적어도 1개의 에폭시기를 가지는 에폭시 변성 폴리실록산이면 충분하다.

에폭시 변성 폴리실록산으로서, 폴리실록산의 말단 또는 내부에 적어도 1개의 에폭시기를 가지는 에폭시/폴리옥시알킬렌변성 폴리실록산이 바림직하다. 에폭시변성 폴리실록산의 구체예로서는, 에폭시변성 폴리실록산(Toray/Dow Corning Co., Ltd.의 BY-16-855D; Shinetsu Silicone Co., Ltd.의 X-22-163A, X-22-163B), 및 에폭시/폴리옥시알킬렌변성 폴리실록산(Toray/Dow Corning Co., Ltd.의 SF-8421EG, BY-16-845, BY-16-867 등)을 들 수 있다.

다른 열경화성 수지로서, 비스말레이미드-트리아진수지를 들 수 있고, 예를 들면, 바람직하게는 비스말레이미드 성분과 시아네이트기 함유 트리아진 모노머 또는 프리폴리머 성분으로부터 얻어진, 이미드기와 트리아진환을 가지는 공지의 열경화성 수지조성물로서, 선택적으로는 0∼30중량%의 아크릴산에스테르, 디비닐벤젠, 스티렌, 트리알릴이소시아네이트 등으로 변성될 수 있는 비스말레이미드-트리아진 수지를 들 수 있고, 특히 Mitsubishi Gas & Chemical Co., Ltd.의 "BT RESIN"을 들 수 있다.

다른 열경화성 수지로서, 예를 들면, 말레인산 무수물과 디아민 화합물을 축합시켜 얻어지는, 말레인산에 기초한 불포화(이중결합)기를 양말단에 가지는 비스말레이미드 수지를 들 수 있고, 예를 들면, Ajinomoto Co., Ltd.의 "ATU-BMI RESIN"을 들 수 있다. 바람직한 디아민 화합물로서는, 디아미노벤젠, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸비페닐, 4,4'-디아미노디페닐에테르 및 4,4'-디아미노디페닐메탄 및2,2-비스(4-아미노페닐)프로판과 같은 방향족 디아민 화합물을 들 수 있다.

다른 열경화성 수지로서는, (이소)시아네이트 화합물계 수지를 들 수 있다.

이들의 예는 비스페놀A디시아네이트, 비스(4-시아네이트페닐)에테르, 1,1,1-트리스(4-시아네이트페닐)에탄 등과 같은 시아네이트 화합물을 포함하고, 특히 The Dow Chemical Co.의 "XU-71787-02"를 들 수 있다.

이소시아네이트도 예로 들 수 있고, 하나의 분자안에 2개 이상의 이소시아네이트기를 가지는 것이라면 어느 것이나 사용될 수 있다. 이러한 다가 이소시아네이트의 예로는 지방족, 지환족 및 방향족의 디이소시아네이트를 포함하고, 구체예로서는, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 1,5-펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 3-이소시아네이트메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트(이소포론디이소시아네이트), 1,3-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 톨리렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트 및 크실리렌디이소시아네이트를 들 수 있다.

상기한 다가 이소시아네이트는, 이소시아누레이트 변성 다가 이소시아네이트, 뷰렛 변성 다가 이소시아네이트 및 우레탄 변성 다가 이소시아네이트와 같은 지방족, 지환족 또는 방향족의 다가 이소시아네이트로부터 유도될 수 있다. 본 발명에 사용되는 다가 이소시아네이트는 블로킹제로 블로킹된 다가 이소시아네이트의 이소시아네이트기를 가진 블록 다가 이소시아네이트가 바람직하다.

블로킹제의 예는, 알콜계, 페놀계, 활성 메틸렌계, 메르캅탄계, 산아미드계, 산이미드계, 이미다졸계, 요소계, 옥심계, 아민계, 이미드계 및 피리딘계 화합물 을 포함하고, 이들을 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

본 발명에 사용되는 점접착제는 열경화성 수지(특히 에폭시수지)의 경화제, 필요하다면 경화촉진제를 함께 사용할 수 있다. 경화제의 구체예로서는, 페놀노볼락, o-크레졸노볼락 및 페놀레졸과 같은 페놀류, 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 디에틸렌트리아민과 같은 아민류 및 무수프탈산과 같은 산무수물을 들 수 있다.

경화제의 종류로서는, 공지의 경화제, 예를 들면, 이미다졸, 3급 아민 및 트리페닐포스핀과 같은 경화촉매, 디시안디아미드, 히드라진, 방향족디아민 및 수산기함유 페놀노볼락 경화제(Meiwa Kasei Co., Ltd.의 페놀노볼락: H-1, H-5 등)와 같은 중부가형 경화제, 유기과산화물 등을 들 수 있다. 경화제는 공지의 경화촉진제와 함께 사용할 수도 있다.

사용되는 경화제의 양은 일반적으로 에폭시 화합물 100중량부에 대해 0∼100중량부가 바람직하다.

본 발명의 다이싱테입은, 상기한 점접착제 조성물을 포함하는 용액조성물을, 미처리의 폴리이미드필름 또는 박리성 폴리에스테르필름과 같은 박리필름일 수 있는 기재상에 10∼500㎛의 두께로 도포하고, 90∼150℃의 온도에서 30∼40분간 건조하여, 점착성을 유지하는 5∼50㎛ 두께의 점접착층을 형성하고, 그 다음 먼지의 부착을 방지할 필요가 있는 경우에는 보호필름을 적층하므로써 얻을 수 있다.

본 발명의 다이싱테입은 실리콘 웨이퍼상에 부착될 수 있다. 접착력은0.02N/mm 이상, 바람직하게는 0.02∼1N/mm일 수 있다.

본 발명의 다이싱테입은 바람직하게는 20∼50℃에서 1초∼30분간 50gf/cm²∼30kgf/cm²으로 실리콘 웨이퍼에 부착될 수 있다. 그 다음, 실리콘 웨이퍼는 20∼50℃의 온도에서 다이스될 수 있다. 그 다음, 다이스된 개개의 실리콘 웨이퍼는 120∼200℃에서 1초∼60분간 50gf/cm²∼30kgf/cm²으로 적층될 수 있다.

실시예

이하, 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.

하기 실시예에 있어서, 대수점도(η) 값은 수지성분농도가 0.5g/100ml 용매가 되도록, 폴리이미도실록산을 N-메틸-2-피롤리돈에 균일하게 용해하여 수지용액을 제조하고, 그 다음 용액의 용액점도 및 용매만의 용액점도를 30℃에서 측정하여 산출된다.

다이싱테입의 박리강도는 실리콘 웨이퍼 또는 구리박과 압착된 적층체의 샘플(1cm 폭으로 절단됨)에 대하여, 인장시험기(Intesco Co.)를 이용하여, 50mm/분의 박리속도 및 측정온도 25℃에서 180° 박리시험에 의해 측정되었다.

절연저항은, 접착제시트를 90℃에서 10분간 및 180℃에서 60분간 경화시켜 제조한 50㎛ 두께의 샘플을 사용하여, ASTM D149에 따라 체적저항율을 측정하므로써 결정된다.

참고예 1

온도계, 사입구 및 유출구 및 교반기를 갖춘 유리 플라스크에, 2,3,3',4'-비페닐테트라카본산 이무수물(a-BPDA) 100몰에 대해, ω,ω'-비스(3-아미노프로필)폴리디메틸실록산(DAPSi)[상기의 식 (1)에 있어서, m=9) 67몰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(BAPP) 30몰, 3,3'-디카복시-4,4'-디아미노디페닐메탄(MBAA) 3몰 및 반응용매로서 N-메틸-2-피롤리돈을 넣고, 질소증기하에서 온도를 50℃까지 올리고, 그 온도에서 혼합물을 2시간 교반하여 폴리아믹산을 제조하고, 그 다음 반응액을 약 200℃로 가열하고, 혼합물을 그 온도에서 5시간 교반하여 폴리이미도실록산을 제조했다. 반응이 종료한 후, 빈용매로서 메탄올/물 혼합용매를 반응액에 부어 폴리머를 침전시켰다. 메탄올/물 혼합용매로 세정한 후, 200℃에서 건조시켰다. 이 폴리이미도실록산은 이미드화율이 적어도 95%이고, 대수점도가 0.3이었다.

실시예 1

용기에 상기의 폴리이미도실록산 7g, BT레진(Mitsubishi Gas & Chemical Co., Ltd.의 BT-2170) 2g, 에폭시 변성 폴리실록산(Toray/Dow Corning Co., Ltd.의 BY16-855D) 1g 및 디메틸포름아미드 33g을 넣고, 혼합물을 50시간 혼합했다.

그 다음 혼합물을 50㎛의 폴리이미드필름(Ube Industries, Ltd.의 UPILEX S) 상에 도포기구를 이용하여 약 10㎛ 두께로 도포했다. 그 다음, 90℃에서 30분간 건조하여, 다이싱테입을 얻었다.

다이싱테입의 경화층은 체적저항율이 적어도 10¹⁴Ω·cm였다.

얻어진 다이싱테입을 실리콘 웨이퍼상에 부착시, 접착력은 950gf/cm였다.

한편, 다이싱테입을 18㎛의 전해구리박(경면)상에 라미네이터를 이용하여 50℃, 0.3m/분으로 적층했다. 이것을 160℃, 20kgf/cm²에서 1시간 동안 열압착했다.

경화전의 접착력은 140gf/cm였고, 경화후의 접착력은 1520gf/cm였다.

실시예 2

각 성분의 비율을, 폴리이미도실록산 7g, BT레진(Mitsubishi Gas & Chemical Co., Ltd.의 BT-2170) 2g, 에폭시 변성 폴리실록산(Toray/Dow Corning Co., Ltd.의 BY16-855D) 1.5g 및 디메틸포름아미드 33g으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 하여, 다이싱테입을 얻었다.

얻어진 다이싱테입을 실리콘 웨이퍼상에 부착시, 접착력은 560gf/cm였다.

경화전의 접착력은 500gf/cm였고, 경화후의 접착력은 550gf/cm였다.

실시예 3

각 성분의 비율을, 폴리이미도실록산 7g, BT레진(Mitsubishi Gas & Chemical Co., Ltd.의 BT-2170) 1g, 경화제(Sasuhara Chemical Co., Ltd.의 YP-90LL) 2g 및 디메틸포름아미드 36g으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 하여, 다이싱테입을 얻었다.

얻어진 다이싱테입을 실리콘 웨이퍼상에 부착시, 접착력은 300gf/cm였다.

경화전의 접착력은 70gf/cm였고, 경화후의 접착력은 470gf/cm였다.

본 발명에 의하면, 미경화의 상태에서 점접착제 만큼 접착강도가 크고, 또한 경화후 회로기판과의 접착강도가 큰 다이싱테입을 얻을 수 있다.

Claims

주로 폴리이미드로 이루어지고, 실온 부근의 온도(20∼50℃)에서의 점착강도로서의 박리강도가 0.02N/mm 이상이며, 경화후의 박리강도가 0.3N/mm 이상인 점접착층을 포함하는 다이싱테입.
제 1항에 있어서, 상기 박리강도(점착강도)가 0.02∼1N/mm이고, 경화후의 박리강도가 0.3∼1.6N/mm인 것을 특징으로 하는 다이싱테입.
제 1항에 있어서, 상기 경화후의 점접착층의 전기절연성을 나타내는 체적저항율이 10¹⁴Ω·cm 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱테입.
제 1항에 있어서, 상기 경화후의 점접착층의 두께가 5∼50㎛인 것을 특징으로 하는 다이싱테입.
제 1항에 있어서, 상기 폴리이미드가 폴리이미도실록산인 것을 특징으로 하는 다이싱테입.
제 1항에 있어서, 다이싱 후 접착시트로 사용되는 것을 특징으로 하는 다이싱테입.
제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항에 기재된 다이싱테입을 이용하는 것을 포함하는 다이싱방법.
제 7항에 있어서, 부착 및 다이싱은 20∼50℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.