KR20040009161A - 깊은 트랜치 터미네이션을 갖는 고전압 반도체 소자 및 그제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 제1 도전형의 고농도 컬렉터 영역, 제1 도전형의 저농도 컬렉터 영역 및 제2 도전형의 저농도 베이스 영역이 순차적으로 적층된 고전압 반도체 소자에 있어서,상기 베이스 영역 및 저농도 컬렉터 영역을 관통하여 상기 고농도 컬렉터 영역의 일정 깊이까지 뚫는 트랜치를 포함하되, 상기 트랜치는 스크라이브 라인을 포함하는 소자의 최외각에 위치하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 트랜치의 폭은 40-200㎛인 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 트랜치를 덮는 보호막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자.
- 제1 도전형의 고농도 컬렉터 영역 위에 저농도의 컬렉터 영역을 형성하는 단계;상기 저농도 컬렉터 영역 위에 제2 도전형의 베이스 영역을 형성하는 단계;상기 베이스 영역의 상부 일정 영역에 제1 도전형의 고농도 에미터 영역을 형성하는 단계; 및결합성 유도 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각 공정을 수행하여, 상기 에미터 영역과 일정 간격 이격된 소자의 최외각 부분에 상기 베이스 영역 및 상기 저농도 컬렉터 영역을 관통하여 상기 고농도 컬렉터 영역의 일정 깊이까지 뚫는 트랜치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 결합성 유도 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각 공정은 C4F8가스또는 SF6가스와 아르곤(Ar) 가스를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 소자의 제조 방법.
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