KR20030065360A - 구동 회로 - Google Patents

구동 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20030065360A
KR20030065360A KR10-2003-0005437A KR20030005437A KR20030065360A KR 20030065360 A KR20030065360 A KR 20030065360A KR 20030005437 A KR20030005437 A KR 20030005437A KR 20030065360 A KR20030065360 A KR 20030065360A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
gate
transistors
current
present
Prior art date
Application number
KR10-2003-0005437A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100584060B1 (ko
Inventor
마쯔모또쇼이찌로
Original Assignee
산요 덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 산요 덴키 가부시키가이샤 filed Critical 산요 덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20030065360A publication Critical patent/KR20030065360A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100584060B1 publication Critical patent/KR100584060B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

스위칭용 트랜지스터에 접속된 기본 소자의 누설 전류를 저감시킨다. 다이오드(12)를 구동하는 구동용의 제3 트랜지스터 Tr3의 게이트 전극 및 데이터선(16) 사이에 설치된 상호 직렬로 접속된 스위칭용의 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2의 전류 구동 능력에 관련된 특성을 서로 다르게 한다. 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2 중의 한쪽의 보존 특성을 높임과 함께, 다른 쪽의 전류 구동 능력을 높이고, 직렬로 접속된 2개의 트랜지스터에 의해 누설 전류를 저감시킨다.

Description

구동 회로{DRIVING CIRCUIT}
본 발명은 구동 회로에 관한 것으로, 특히 누설 전류를 감소시키는 기술에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스를 탑재하는 장치의 소형 경량화가 진행되고, 그러한 장치에 실장되는 스위칭용 트랜지스터도 반도체 기판 상에 실장되는 경우가 많다. 예를 들면, LCD 등의 유닛 기기에는 박막 트랜지스터(TFT)가 다용되고 있다. 이러한 경우, TFT의 특성은 향상되어 있다고 해도, 누설 전류의 문제는 영원한 과제이다. 예를 들면, 데이터를 어느 정도 장기간 보존하기 위해서는 보존 특성을 향상시키는 기술이 필요하다.
예를 들면, 트랜지스터의 게이트 길이를 길게 함으로써, 보존 특성을 향상시킬 수 있지만, 이것은 상술한 소형화의 요구에 반하는 것이다. 또한, 트랜지스터의 게이트 길이를 길게 함으로써, 게이트 용량이 증가하고, 그 때문에 트랜지스터의 소비 전력이 증대한다는 문제도 생긴다.
본 발명은 그러한 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 기본 소자로부터 트랜지스터를 통하여 발생하는 누설 전류의 저감에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 목적으로 하는 기본 소자에 데이터를 설정 및 보존하기 위한 스위칭용 트랜지스터의 보존 특성을 높이는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 스위칭용 트랜지스터의 전류 구동 능력을 높이는 데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 스위칭용 트랜지스터의 소형화 및 저소비 전력화를 도모하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10, 20, 30, 40 : 구동 회로
12 : 다이오드
22 : 액정
32 : 용량 검출부
42 : 메모리
Tr1 : 제1 트랜지스터
Tr2 : 제2 트랜지스터
Tr3 : 제3 트랜지스터
Tr4 : 제4 트랜지스터
본 발명의 하나의 형태는, 구동 회로에 관한 것이다. 이 회로는 목적으로 하는 소자에 데이터를 설정 및 보존하기 위한 트랜지스터를 복수개 직렬로 접속하고, 또한 이들 트랜지스터 중 적어도 1개의 트랜지스터의 전류 구동 능력에 관련된 특성을 다른 트랜지스터와 다르게 한 것이다. 여기서, 전류 구동 능력에 관련된 특성은, 예를 들면 전류 증폭율이나 온 저항 등이어도 된다.
트랜지스터는 MOSFET이어도 되고, 적어도 1개의 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭을 다른 트랜지스터와는 다른 값으로 형성해도 된다.
복수의 트랜지스터는 데이터 공급원과 소자 사이에 설치되어도 되고, 데이터 공급원측에 설치된 트랜지스터는 소자측에 설치된 트랜지스터보다 전류 구동 능력이 커도 된다.
본 발명의 다른 형태는, 구동 회로에 관한 것이다. 이 회로는 목적으로 하는 소자에 데이터를 설정 및 보존하기 위한 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 직렬로 접속하고, 제1 트랜지스터의 게이트 폭을 제2 트랜지스터의 게이트 폭보다 좁게 함과 함께, 제2 트랜지스터의 게이트 길이를 제1 트랜지스터의 게이트 길이보다 짧게 한다.
또, 이상의 구성 요소의 임의의 조합, 본 발명의 표현을 방법, 장치, 시스템 등의 사이에서 변환한 것도, 또한 본 발명의 형태로서 유효하다.
〈제1 실시예〉
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면이다. 본실시예에서, 구동 회로(10)는 제1 트랜지스터 Tr1, 제2 트랜지스터 Tr2, 제3 트랜지스터 Tr3, 컨덴서 C 및 다이오드(12)를 포함한다. 다이오드(12)는, 예를 들면 발광 소자로서 기능하는 유기 EL(OLED: Organic Light Emitting Diode)인 광학 소자이다.
제3 트랜지스터 Tr3은 TFT이고, 다이오드(12)에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동용이다. 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2도 TFT이고, 제3 트랜지스터 Tr3에 데이터를 설정 및 보존하기 위한 스위칭용이다. 또한, 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2는 직렬로 접속된다. 이러한 구성으로 함으로써, 트랜지스터의 보존 특성이 향상되어, 누설 전류를 저감시킬 수 있다. 또, 이와 같이 2개의 스위칭용 트랜지스터가 직렬로 접속된 회로 자체는, 예를 들면 일본 특개2000-221903호 공보에 개시되어 있지만, 그 특성이나 목적에 관한 기재는 없다.
본 실시예에서는, 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2는 전류 구동 능력에 관련된 특성이 다르게 설계된다. 전류 구동 능력에 관련된 특성은, 예를 들면 전류 증폭율 β이다. 전류 증폭율은 β=μ(C0x/2)×(W/L)로 표시된다. μ는 캐리어의 실효 모빌리티, C0x는 단위 면적당 게이트 산화막 용량, W는 게이트 폭, L은 게이트 길이이다. 본 실시예에서는 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 길이 또는 게이트 폭을 상호 다르게 형성한다. 이에 의해, 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2의 전류 증폭율이 달라진다.
여기서, 제1 트랜지스터 Tr1, 제2 트랜지스터 Tr2 및 제3 트랜지스터 Tr3은n 채널형으로서 나타내고 있지만, p 채널형이어도 된다.
제1 트랜지스터 Tr1에서, 게이트 전극은 게이트선(14)에 접속되고, 드레인 전극(또는 소스 전극)은 데이터선(16)에 접속되고, 소스 전극(또는 드레인 전극)은 제2 트랜지스터 Tr2의 드레인 전극(또는 소스 전극)에 접속된다. 제2 트랜지스터 Tr2에서, 게이트 전극은 게이트선(14)에 접속되고, 소스 전극(또는 드레인 전극)은 제3 트랜지스터 Tr3의 게이트 전극 및 컨덴서 C의 한쪽의 전극에 접속된다. 컨덴서 C의 다른 쪽의 전극은 소정의 전위로 설정된다. 데이터선(16)은 정전류원에 접속되고, 다이오드(12)에 흐르는 전류를 결정하는 휘도 데이터가 공급된다.
제3 트랜지스터 Tr3에서, 드레인 전극은 전원선(18)에 접속되고, 소스 전극은 다이오드(12)의 애노드에 접속된다. 다이오드(12)의 캐소드는 접지된다. 전원선(18)은 전원(도시 생략)에 접속되고, 소정의 전압이 인가된다.
본 실시예에서, 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2의 전류 증폭율을 다르게 하게 하기 위한 구성은, (1) 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 길이를 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 길이보다 짧게 하고, (2) 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 길이를 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 길이보다 짧게 하고, (3) 제1 트랜지스터 Trl의 게이트 폭을 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 폭보다 좁게 하고, (4) 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 폭을 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 폭보다 좁게 하는 네 가지를 들 수 있다.
이하에, 각 경우의 장점을 설명한다.
(1) 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 길이를 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 길이보다 짧게 함으로써, 제2 트랜지스터 Tr2의 보존 특성을 유지한 채, 제1 트랜지스터 Tr1의 전류 증폭율의 증가, 소형화, 저소비 전력화라는 장점이 얻어진다. 또한, 제3 트랜지스터 Tr3에 직접 접속된 제2 트랜지스터 Tr2의 보존 특성을 높게 유지함으로써, 제3 트랜지스터 Tr3으로부터의 누설 전류를 경감시킬 수 있어, 제3 트랜지스터 Tr3의 게이트 전위를 보다 양호한 정밀도로 유지할 수 있다.
(2) 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 길이를 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 길이보다 짧게 함으로써, 제1 트랜지스터 Tr1의 보존 특성을 유지한 채, 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 용량을 감소할 수 있다고 하는 장점이 얻어진다. 이에 의해, 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 용량이 제3 트랜지스터 Tr3의 게이트 전위에 미치게 하는 영향을 경감시킬 수 있어, 제3 트랜지스터 Tr3의 게이트 전위를 보다 양호한 정밀도로 유지할 수 있다.
(3) 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 폭을 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 폭보다 좁게 함으로써, 제1 트랜지스터 Tr1의 전류 증폭율을 유지한 채, 제2 트랜지스터 Tr2의 보존 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 제3 트랜지스터 Tr3에 직접 접속된 제2 트랜지스터 Tr2의 보존 특성을 높게 유지함으로써, 제3 트랜지스터 Tr3으로부터의 누설 전류를 경감시킬 수 있어, 제3 트랜지스터 Tr3의 게이트 전위를 보다 양호한 정밀도로 유지할 수 있다.
(4) 제1 트랜지스터 Tr1의 게이트 폭을 제2 트랜지스터 Tr2의 게이트 폭보다 좁게 함으로써, 제2 트랜지스터 Tr2의 전류 구동 능력을 유지한 채로, 제2 트랜지스터 Tr2의 보존 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 실시예에서는 이상의 각 경우의 효과를 고려하여, 최적의 장점이 얻어지는 경우의 설계를 행한다.
또한, 이상의 구성의 조합도 가능하고, 예를 들면 (1)의 구성과 (4)의 구성을 조합해도 되고, (2)의 구성과 (3)의 구성을 조합해도 된다. 이에 의해, 양방의 트랜지스터를 소형화할 수 있어, 게이트 용량의 감소에 의해 저소비 전력화도 도모할 수 있다. 또한, 한쪽의 트랜지스터의 전류 증폭율을 크게 할 수 있음과 함께, 다른 쪽의 트랜지스터의 보존 특성을 향상시킬 수 있다고 하는 장점이 생긴다. 또한, 2개의 스위칭용 트랜지스터는 직렬로 접속되어 있기 때문에, 보존 특성을 더욱 높일 수 있다.
〈제2 실시예〉
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서, 구동 회로(20)는 상술한 제1 실시예에서의 구동 회로(10)의 제3 트랜지스터 Tr3 및 다이오드(12) 대신에 액정(22)을 포함하는 점에서 제1 실시예와 다르다. 이하, 제1 실시예에서의 구성 요소와 마찬가지의 것에는 마찬가지의 부호를 붙이고, 적절하게 설명을 생략한다. 액정(22)은 제2 트랜지스터 Tr2의 드레인 전극(또는 소스 전극)에 접속된다.
본 실시예에서도, 제1 실시예에서와 마찬가지로 제1 트랜지스터 Tr1 및 제2 트랜지스터 Tr2의 전류 구동 능력을 다르게 하도록 각각의 트랜지스터를 설계해도 된다. 이 경우도 각 구성의 효과를 고려하여, 최적의 장점이 얻어지도록 설계한다.
〈제3 실시예〉
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서, 구동 회로(30)는 제1 실시예에서의 제3 트랜지스터 Tr3 및 다이오드(12) 대신에, 용량 검출부(32)를 포함하는 점에서 제1 실시예와 다르다.
용량 검출부(32)는 제2 트랜지스터 Tr2의 드레인 전극(또는 소스 전극)에 접속된다. 용량 검출부(32)는, 예를 들면 각종 센서이다.
본 실시예에서도, 트랜지스터의 전류 구동 능력에 관련된 특성의 고려는 마찬가지이다.
〈제4 실시예〉
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 구동 회로를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서, 구동 회로(40)는 제1 실시예에서의 제3 트랜지스터 Tr3 및 다이오드(12) 대신에, 메모리(42)를 포함한다하는 점에서 제1 실시예와 다르다. 또한, 구동 회로(40)는 스위칭용 TFT인 제4 트랜지스터 Tr4를 더 포함한다.
메모리(42)의 한쪽의 전극은, 제2 트랜지스터 Tr2의 드레인 전극(또는 소스 전극)에 접속되고, 다른 쪽의 전극은 소정의 전위로 설정된다.
본 실시예에서는, 제1 트랜지스터 Tr1, 제2 트랜지스터 Tr2 및 제3 트랜지스터 Tr3 중 적어도 1개의 트랜지스터의 전류 구동 능력에 관련된 특성을 다르게 하도록 이들 트랜지스터를 설계해도 된다. 이 경우도 각 구성의 효과를 고려하여, 최적의 장점이 얻어지도록 설계한다.
이상, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명하였다. 이들 실시예는 예시이고,이들 각 구성 요소나 각 처리 공정의 조합에 다양한 변형예가 가능한 것, 또한 그러한 변형예도 본 발명의 범위에 있는 것은 당업자에게 이해될 것이다. 이하, 그러한 예를 설명한다.
제1 실시예, 제2 실시예 및 제3 실시예의 구동 회로에서도, 제4 실시예에서 설명한 것과 마찬가지로 3개의 스위칭용 트랜지스터를 포함해도 된다. 또한, 모든 형태에서, 복수의 스위칭용 트랜지스터를 더 많이 포함해도 된다.
이상의 실시예에서는, 스위칭용 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭의 설계를 바꿈으로써, 복수의 트랜지스터의 전류 구동 능력에 관련된 특성을 다르게 하였지만, 게이트 절연막의 두께를 바꾸거나, 게이트 전극에의 이온 주입량을 변화시키거나 함으로써 복수의 트랜지스터의 전류 구동 능력에 관련된 특성을 다르게 해도 된다.
전류 구동 능력을 다르게 한 복수의 스위칭용 트랜지스터를 직렬로 접속함으로써, 적어도 하나의 트랜지스터에 의해 보존 특성을 높임과 함께, 다른 트랜지스터에 의해 전류 구동 능력의 증가, 저소비 전력화 또는 소형화를 도모할 수 있다.

Claims (4)

  1. 목적으로 하는 소자에 데이터를 설정 및 보존하기 위한 트랜지스터를 복수개 직렬로 접속하고, 또한 이들 트랜지스터 중 적어도 1개의 트랜지스터의 전류 구동 능력에 관련된 특성을 다른 트랜지스터와 다르게 한 것을 특징으로 하는 구동 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 MOSFET이고, 상기 적어도 1개의 트랜지스터의 게이트 길이 또는 게이트 폭을 다른 트랜지스터와는 다른 값으로 형성한 구동 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 상기 트랜지스터는 데이터 공급원과 상기 소자 사이에 설치되고, 상기 데이터 공급원측에 설치된 트랜지스터는 상기 소자측에 설치된 트랜지스터보다 상기 전류 구동 능력이 큰 것을 특징으로 하는 구동 회로.
  4. 목적으로 하는 소자에 데이터를 설정 및 보존하기 위한 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 직렬로 접속하고, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 폭을 상기 제2 트랜지스터의 게이트 폭보다 좁게 함과 함께, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 길이를 상기 제1 트랜지스터의 게이트 길이보다 짧게 하는 것을 특징으로 하는 구동 회로.
KR1020030005437A 2002-01-29 2003-01-28 구동 회로 KR100584060B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002020547A JP3723507B2 (ja) 2002-01-29 2002-01-29 駆動回路
JPJP-P-2002-00020547 2002-01-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030065360A true KR20030065360A (ko) 2003-08-06
KR100584060B1 KR100584060B1 (ko) 2006-05-29

Family

ID=27606280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030005437A KR100584060B1 (ko) 2002-01-29 2003-01-28 구동 회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7126593B2 (ko)
JP (1) JP3723507B2 (ko)
KR (1) KR100584060B1 (ko)
CN (1) CN1189852C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160016139A (ko) * 2014-08-04 2016-02-15 현대모비스 주식회사 암전류 저감할 수 있는 전자식 주차 브레이크 시스템의 모터 구동 회로

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4168836B2 (ja) * 2003-06-03 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置
KR100684712B1 (ko) 2004-03-09 2007-02-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
KR100578812B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
KR101209289B1 (ko) 2005-04-07 2012-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널과, 이를 구비한 표시 장치 및 구동 방법
KR100665943B1 (ko) 2005-06-30 2007-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 구동방법
KR100812003B1 (ko) 2006-08-08 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2008175945A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Sony Corp 画素回路および表示装置
JP4779167B2 (ja) * 2008-03-19 2011-09-28 奇美電子股▲ふん▼有限公司 液晶表示装置の駆動方法、オーバードライブ補正装置、オーバードライブ補正装置のデータ作成方法、液晶表示装置及び電子装置
JP5236015B2 (ja) * 2008-12-22 2013-07-17 パナソニック株式会社 駆動装置及び表示装置
JP2011145481A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Sony Corp 表示装置、表示駆動方法
GB2481008A (en) * 2010-06-07 2011-12-14 Sharp Kk Active storage pixel memory
CN102832212A (zh) * 2012-08-20 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及显示装置的驱动方法
CN102955309B (zh) * 2012-10-15 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及其驱动方法
CN103278990B (zh) * 2013-05-28 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及液晶面板
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
CN103824551B (zh) 2014-02-27 2016-06-01 上海和辉光电有限公司 一种栅极驱动电路及显示面板
CN106940199B (zh) * 2017-03-03 2020-04-24 重庆湃芯创智微电子有限公司 具有漏电流抑制的光频传感器
CN107505791A (zh) * 2017-09-22 2017-12-22 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
JP6966928B2 (ja) * 2017-11-08 2021-11-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6963977B2 (ja) * 2017-11-28 2021-11-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111727470B (zh) * 2018-02-20 2022-09-20 索尼半导体解决方案公司 像素电路、显示装置、驱动像素电路的方法以及电子设备
CN109712571A (zh) 2019-03-19 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
JP2021071593A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 キヤノン株式会社 表示装置、情報表示装置、及び電子機器
CN111445856B (zh) 2020-05-13 2021-04-09 京东方科技集团股份有限公司 驱动电路、驱动方法、显示面板及显示装置
US11600222B2 (en) * 2020-12-23 2023-03-07 Innolux Corporation Light-emitting circuit having bypass circuit for reducing the possibility of the light-emitting unit illuminating in the dark state
CN114664263A (zh) * 2020-12-23 2022-06-24 群创光电股份有限公司 发光电路

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3662210A (en) * 1970-04-28 1972-05-09 Viktor Fedorovich Maximov Electrode for pulse high-power electrovacuum devices
JPH0673023B2 (ja) 1984-12-10 1994-09-14 三井石油化学工業株式会社 熱定着型電子写真用現像材
JPH084153B2 (ja) 1987-04-08 1996-01-17 沖電気工業株式会社 発光ダイオ−ド駆動回路
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0239536A (ja) 1988-07-29 1990-02-08 Hitachi Ltd 配線構造体及びその製造方法
US6742709B2 (en) * 1990-09-11 2004-06-01 Metrologic Instruments, Inc. Bar code symbol reading system employing electronically-controlled raster-type laser scanner for reading bar code symbols during hands-on and hands-free modes of operation
US5177406A (en) * 1991-04-29 1993-01-05 General Motors Corporation Active matrix vacuum fluorescent display with compensation for variable phosphor efficiency
JP3043870B2 (ja) 1991-11-21 2000-05-22 株式会社東芝 液晶表示装置
JP2946921B2 (ja) 1992-03-10 1999-09-13 日本電気株式会社 低電力駆動回路
JP2803466B2 (ja) * 1992-04-28 1998-09-24 日本電気株式会社 半導体記憶装置の救済方法
US5517080A (en) * 1992-12-14 1996-05-14 Westinghouse Norden Systems Inc. Sunlight viewable thin film electroluminescent display having a graded layer of light absorbing dark material
DE69433244T2 (de) * 1993-08-05 2004-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Kondensator von hoher dielektrischer Konstante
JP2689917B2 (ja) 1994-08-10 1997-12-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
US5945008A (en) * 1994-09-29 1999-08-31 Sony Corporation Method and apparatus for plasma control
JPH08129358A (ja) 1994-10-31 1996-05-21 Tdk Corp エレクトロルミネセンス表示装置
JPH08313870A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Fuji Xerox Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法
JP3645379B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5731216A (en) 1996-03-27 1998-03-24 Image Quest Technologies, Inc. Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT
JP3468986B2 (ja) * 1996-04-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス回路および表示装置
JPH1079661A (ja) 1996-09-03 1998-03-24 Citizen Watch Co Ltd レベルシフト回路
JP3463488B2 (ja) 1996-12-10 2003-11-05 ミノルタ株式会社 映像観察装置
US5990714A (en) * 1996-12-26 1999-11-23 United Microelectronics Corporation Clock signal generating circuit using variable delay circuit
JPH10199827A (ja) 1996-12-28 1998-07-31 Casio Comput Co Ltd 配線構造及びそれを用いた表示装置
JPH10198292A (ja) * 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JPH10319872A (ja) 1997-01-17 1998-12-04 Xerox Corp アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置
EP1336953A3 (en) 1997-02-17 2003-10-22 Seiko Epson Corporation Active matrix electroluminescent display with two tft's and storage capacitor
JPH10242835A (ja) 1997-02-27 1998-09-11 Hitachi Ltd 出力回路、半導体集積回路、及び電子回路装置
US5851732A (en) * 1997-03-06 1998-12-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Plasma display panel device fabrication utilizing black electrode between substrate and conductor electrode
JP3346217B2 (ja) 1997-04-04 2002-11-18 カシオ計算機株式会社 配線の形成方法および表示装置の製造方法
US6229508B1 (en) * 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP3679567B2 (ja) 1997-09-30 2005-08-03 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP3732345B2 (ja) * 1998-02-10 2006-01-05 株式会社沖データ 駆動回路、ｌｅｄヘッド及びプリンタ
JPH11260562A (ja) 1998-03-09 1999-09-24 Tdk Corp 有機ｅｌカラーディスプレイ
JP4641582B2 (ja) 1998-12-18 2011-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2000214800A (ja) * 1999-01-20 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000221903A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US6281552B1 (en) * 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
JP2000349298A (ja) 1999-03-26 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP3259774B2 (ja) 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 画像表示方法および装置
JP4092857B2 (ja) 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP5210473B2 (ja) * 1999-06-21 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100888004B1 (ko) 1999-07-14 2009-03-09 소니 가부시끼 가이샤 전류 구동 회로 및 그것을 사용한 표시 장치, 화소 회로,및 구동 방법
US7379039B2 (en) * 1999-07-14 2008-05-27 Sony Corporation Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method
JP2001056667A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Tdk Corp 画像表示装置
JP4595143B2 (ja) * 1999-09-06 2010-12-08 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌデバイスとその製造方法
TW516244B (en) * 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
JP2001102172A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
GB9923261D0 (en) * 1999-10-02 1999-12-08 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
GB9923591D0 (en) * 1999-10-07 1999-12-08 Koninkl Philips Electronics Nv Current source and display device using the same
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
US6284657B1 (en) * 2000-02-25 2001-09-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Non-metallic barrier formation for copper damascene type interconnects
JP2002057212A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2001282136A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
GB0008019D0 (en) 2000-03-31 2000-05-17 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-addressed pixels
JP2001308094A (ja) 2000-04-19 2001-11-02 Oki Electric Ind Co Ltd 配線薄膜の堆積方法
JP2001350449A (ja) 2000-06-02 2001-12-21 Toshiba Corp 表示制御装置
US6528824B2 (en) * 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3670941B2 (ja) 2000-07-31 2005-07-13 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型自発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機ｅｌ表示装置
US6636284B2 (en) * 2000-08-11 2003-10-21 Seiko Epson Corporation System and method for providing an electro-optical device having light shield layers
US6781567B2 (en) * 2000-09-29 2004-08-24 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7315295B2 (en) * 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP3594126B2 (ja) * 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 電流駆動回路
JP3757797B2 (ja) * 2001-01-09 2006-03-22 株式会社日立製作所 有機ｌｅｄディスプレイおよびその駆動方法
JP2002229505A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Nec Corp 表示装置
US6717181B2 (en) * 2001-02-22 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having thin film transistor
JP3819723B2 (ja) * 2001-03-30 2006-09-13 株式会社日立製作所 表示装置及びその駆動方法
JP4603233B2 (ja) 2001-08-29 2010-12-22 日本電気株式会社 電流負荷素子の駆動回路
JP4231645B2 (ja) * 2001-12-12 2009-03-04 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
JP2004028550A (ja) * 2001-12-28 2004-01-29 Canon Inc 複数の物質を含有する混合気体から各物質を分離する分離方法及びその装置
JP3935891B2 (ja) * 2003-09-29 2007-06-27 三洋電機株式会社 ランプ電圧発生装置及びアクティブマトリクス駆動型表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160016139A (ko) * 2014-08-04 2016-02-15 현대모비스 주식회사 암전류 저감할 수 있는 전자식 주차 브레이크 시스템의 모터 구동 회로
US9425715B2 (en) 2014-08-04 2016-08-23 Hyundai Mobis Co., Ltd. Motor driving circuit of EPB system for reducing dark current

Also Published As

Publication number Publication date
JP3723507B2 (ja) 2005-12-07
US20030142052A1 (en) 2003-07-31
CN1435805A (zh) 2003-08-13
JP2003224461A (ja) 2003-08-08
CN1189852C (zh) 2005-02-16
KR100584060B1 (ko) 2006-05-29
US7126593B2 (en) 2006-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100584060B1 (ko) 구동 회로
US7317435B2 (en) Pixel driving circuit and method for use in active matrix OLED with threshold voltage compensation
US7038392B2 (en) Active-matrix light emitting display and method for obtaining threshold voltage compensation for same
KR100423110B1 (ko) 전류구동회로
KR100580956B1 (ko) 능동 매트릭스 구동회로
US9530353B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of driving the same
US8159479B2 (en) Pixel circuit and display device
KR100531389B1 (ko) 표시 장치
US7420530B2 (en) Pixel circuit, display device method for controlling pixel circuit
US20190304368A1 (en) Pixel circuitry, driving method thereof and display device
US9524668B2 (en) AMOLED driving circuit and driving method thereof, and display device
US9839095B2 (en) Pixel driving circuit and display panel
JP2000259098A (ja) アクティブ型ｅｌ表示装置
JP2005316380A (ja) 電流駆動型の能動行列の有機電界発光ディスプレー装置
JP2009098386A (ja) 画素回路および表示パネル
US20110175896A1 (en) Display driving circuit and method thereof
US20210335261A1 (en) Pixel and control method thereof and related oled display
US10909907B2 (en) Pixel circuit, driving method, pixel structure and display panel
US7319447B2 (en) Pixel driving circuit and method for use in active matrix electron luminescent display
US6904115B2 (en) Current register unit and circuit and image display device using the current register unit
US20200027392A1 (en) Driving system of amoled display panel and amoled display panel
US7119777B2 (en) Pixel structure of active organic light emitting diode
JP2005189673A (ja) ディスプレイ装置
US7495258B2 (en) N-channel TFT and OLED display apparatus and electronic device using the same
KR100496884B1 (ko) 유기 발광 소자의 픽셀 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140507

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150417

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160418

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180418

Year of fee payment: 13